CN110676237A - 基于微小级别ssop封装的散热智能功率半导体模块及其制备方法与应用 - Google Patents

基于微小级别ssop封装的散热智能功率半导体模块及其制备方法与应用 Download PDF

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CN110676237A CN201910867988.4A CN201910867988A CN110676237A CN 110676237 A CN110676237 A CN 110676237A CN 201910867988 A CN201910867988 A CN 201910867988A CN 110676237 A CN110676237 A CN 110676237A
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Abstract

本发明涉及基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，该模块集控制元件(MCU)、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件于一体并且封装结构采用业界最小级别小型表面贴装封装（SSOP），且散热面设计结合客户端实际应用使产品达到了最好的散热效果。本发明散热智能功率半导体模块中，通过设计功率元件的排布达到提高温度检测元件检测灵敏度的效果，同时，通过改变散热面结构，大大提高了产品的散热效果，能满足更高功率产品的散热要求，该结构还可以根据产品功率开关元件的不同功率要求衍生出多种类型的封装结构形式。

Description

基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块及其制备 方法与应用
技术领域
本发明涉及智能功率半导体模块，特别涉及高集成电路并进行了树脂封装的智能功率半导体模块，尤其涉及基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块结构设计及制备方法与应用。
背景技术
在被称为白色家电的冰箱、空调、洗衣机等产品所使用的马达旋转控制装置中，搭载有用于控制及驱动功率开关元件的控制IC和驱动IC的半导体装置，即所谓的IPM(Intelligent Power Module，智能功率模块) (以下，称为IPM)。现有智能功率模块由于结构形态以及组装工艺复杂程度难以将功率开关元件的发热温度传递到控制元件侧，只能在外接电路板中连接温度检测元件。为避免保护失灵，需要同时在外接电路板正面和背面连接温度检测元件，其原理是通过温度比例换算由外部测温结果反推功率模块中功率元件的温度。但是由于与模块内部功率元件距离较远，根据温度辐射与距离的关系，需要设定较低的温度保护阈值；另外，外接温度检测元件容易受到电路板整体环境温度影响，而增加开启温度保护功能的机率，影响到功率模块及整个系统的工作效率。同时，现有SSOP封装外形的功率元件粘接在塑封体的上模处，散热面在塑封体的下模处，塑封体下模距离电路板很近，散热空间很小，难以连接较强散热功能的散热装置，影响模块的整体散热效果。另外，随着近年来电子装置高速化，大容量和小型化的发展趋势，对能够有效的释放由模块产生的热量的结构和制造方法存在不断增长的需求，尤其是针对微小级别表面贴装封装的IPM，现有SSOP封装结构无法满足散热、温敏需求。
发明内容
本发明的目的在于提高微小级别封装外形温度检测的灵敏度以及提高产品的散热效果，从而公开了一种新结构的散热智能功率半导体模块及其制备方法与应用，尤其针对现有微小级别的封装结构具有有效的测温、散热效果，解决了现有模块结构无法满足日趋小化的半导体封装模块性能需求的问题。
本发明采用如下技术方案：
一种基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块包括引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、金属导线、塑封壳、外部引线；所述控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上；所述引线框架的散热面朝上；所述粘接采用银浆粘接，粘接时的烘烤温度为170～190℃、时间为0.5～2小时；所述控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；所述温度检测元件与控制元件连接；所述引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、金属导线位于塑封壳内部；所述外部引线位于塑封壳外部。本发明的金属导线为金属线或者金属带，优选粘接时的烘烤温度为180℃、时间为1小时。
上述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的制备方法，包括以下步骤：将控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上，打线后将粘接所有元件的引线框架置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；或者，将控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上，然后在引线框架的散热面采用导热胶粘贴绝缘散热片，打线后将粘接所有元件以及绝缘散热片的引线框架置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；所述塑封包括注塑、冷却、后固化。
本发明还公开了一种基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，包括引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、金属导线、塑封壳、外部引线、散热基板；所述散热基板为铝基板或者是陶瓷/铜复合基板；所述控制元件、驱动元件采用银浆粘接于引线框架上；所述功率开关元件、温度检测元件采用锡膏粘接于散热基板的导电层上；所述引线框架采用锡膏粘接于散热基板的导电层上；所述控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；所述温度检测元件与控制元件连接；所述引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、金属导线位于塑封壳内部；所述外部引线位于塑封壳外部；所述塑封壳为半包封塑封壳。其中塑封壳不包覆散热基板；铝基板或者陶瓷/铜复合基板带有导电金属层，且金属导电层带有电路用于各元件的粘接连通，都为现有产品，正常购买即可，不同型号不会对本发明技术效果产生影响，本发明创造性的将现有铝基板或者是陶瓷/铜复合基板作为散热基板结合进基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，并将功率开关元件、温度检测元件粘接于散热基板的导电层上，将控制元件、驱动元件粘接于引线框架上，再粘接引线框架与散热基板，提高半导体模块的散热能力。
上述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的制备方法包括以下步骤，将控制元件、驱动元件用银浆粘接于引线框架上；将功率开关元件、温度检测元件用锡膏粘接于散热基板的导电层上，再将粘接有元件的引线框架用锡膏粘接于散热基板的导电层上，进行回流焊接；打线后将粘接引线框架的散热基板置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；所述塑封包括注塑、冷却、后固化。
本发明中，银浆粘接时的烘烤温度为170～190℃、时间为0.5～2小时，优选烘烤温度为180℃、时间为1小时；锡膏粘接时回流焊温度为220～260℃，时间为4～7分钟，优选回流焊温度为240℃，时间为6分钟。本发明采用银浆作为粘接材料降低了烘烤温度，且不会对产品性能不利，关键是本发明创造性的结构使得即使采用银浆粘接，散热能力依然优异。尤其是，与现有锡膏粘接相比，本发明银浆粘接大幅减少了流胶，这对于小尺寸封装体非常重要，根据现有锡膏粘接工艺，需要在每个芯片周围预留（0.8～1毫米）*4的空间，且需要开阻胶槽，这是常识，采用银浆粘接只需要每个芯片周围预留0.2毫米*4的空间，且不需要开阻胶槽；对于包含六个甚至更多数量芯片的封装体，这个显著的进步非常有用，也正是由于锡膏的限制，现有技术不适合小尺寸封装，特别是现有结构散热能力低，必须通过锡膏实现有效散热，无法避免锡膏的使用。
本发明中，注塑的温度为170～180℃、时间为120～140秒，冷却的温度为室温、冷却的时间为20~80秒，后固化的温度为170～190℃、时间为3～7小时；优选的，注塑的温度为175℃、时间为130秒，冷却的温度为室温、冷却的时间为30~60秒，后固化的温度为175℃、时间为5小时。
现有SSOP封装用于IC封装，功率小，一般小于10W，基本不存在散热问题，因为通过电路板散热即可满足；由于SSOP封装的平台优势，IPM有逐渐采用该封装工艺的需求，由于现有技术局限（偏见）使得现有技术没有关于SSOP封装的IPM测温以及散热的教导，本领域技术人员依然采用现有IC封装模式，通过外部电路板进行散热，这明显带来两个问题，第一无法适用于较高功率需求，功率高导致温度高从而更容易损坏，因此需要更灵敏有效的测温结构以及快速高效的散热结构，第二导致使用效率低，功率开关元件工作时间短、停止时间长；这两个问题的存在使得现有技术没有可实际应用的SSOP封装IPM的教导，本发明创造性的集成测温元件于引线框架上，提高了测温效果，利于工作效率的改善以及元件的保护。
进一步的，本发明公开了一种基于微小级别SSOP封装的散热型智能功率半导体装置，所述基于微小级别SSOP封装的散热型智能功率半导体装置包括上述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块、散热装置；所述散热装置粘接于基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的散热界面上。优选的，所述散热装置为风冷散热装置或者水冷散热装置，具体的为现有产品。本发明无需重新设计散热装置，而是创造性的利用现有散热装置与基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的位置关系，在现有散热装置的基础上，设计基于微小级别SSOP封装的智能功率模块散热界面接近散热装置。散热装置位于智能功率半导体模块的散热界面处相对于芯片面而言，即本发明散热装置距离散热界面的距离小于距离引线框架芯片面的距离，这与现有技术相反，根据常识理解即可。本发明中，基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块通过导热胶与散热装置粘接。
再进一步的，本发明公开了一种基于微小级别SSOP封装的散热型智能功率控制结构，所述基于微小级别SSOP封装的散热型智能功率控制结构包括上述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块、散热装置、电路板；所述散热装置粘接于基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的散热界面上；所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块位于散热装置、电路板之间。优选的，所述散热装置距离引线框架的高度小于电路板距离引线框架的高度。优选的，所述散热装置为风冷散热装置或者水冷散热装置，具体的为现有产品；基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块通过外部引线与电路板连接。本发明无需重新设计散热装置，而是创造性的调整散热装置、电路板与散热智能功率半导体模块的位置关系，在现有散热装置的基础上，设计基于微小级别SSOP封装的智能功率模块散热界面接近散热装置，而不是常规的微小级别封装散热界面接近电路板的结构。本发明中，基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块通过导热胶与散热装置连接。
当采用半包封结构的时候，基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的散热界面（或者散热基板金属散热面、绝缘散热片）直接与散热装置通过导热胶贴合连接；当采用全包封结构的时候，基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的散热界面（塑封外壳）直接与散热装置通过导热胶贴合连接，优选调整引线框架的凸型结构深度从而减小散热面环氧塑封材料的厚度，实现以普通环氧塑封料达到较高的散热效果。基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的散热界面直接与散热装置结合，解决现有微小级别封装外形散热面与电路板结合，与散热装置距离较远，散热路径较长且复杂的问题，热辐射效果达到最好。
根据上下文结合本领域技术常识可知：当上述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块为全包封结构时，半导体模块的散热界面为最接近引线框架散热面的塑封壳的表面（相对于引线框架芯片面而言）；当上述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块为半包封结构且在引线框架散热面粘接绝缘散热片时，半导体模块的散热界面为绝缘散热片表面；当上述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块为半包封结构且在引线框架上粘接散热基板时，半导体模块的散热界面为散热基板的金属散热表面（没有粘接元件的一面）。
本发明中，智能功率半导体模块含有内部连接线，称为金属导线，这是用于连接各元件的常规结构，所有部件（元件）都是现有产品，各元件利用粘接手段粘接在引线框架（或者散热基板导电层）上，各元件之间由内部连接线按照电路功能设计进行常规连接，上下文提及的打线为本领域常规术语，一般指通过焊接金属线/金属带形成电路，为常规操作手段；申请人不在于采用新的元件，而是在现有元件的基础上，创造性的提出新的结构，克服现有技术的固有成规，从而得到测温敏感、散热效果优异的散热智能功率半导体模块，再结合现有散热装置可以得到微小级别封装的散热型智能功率半导体装置，进一步与电路板结合，限定电路板与散热装置、散热智能功率半导体模块位置关系，得到散热型智能功率控制结构，替换现有结构用于马达旋转控制，可以增加产品使用寿命。对高温更加敏感，避免现有技术为了避免烧坏电路而采用降低温度阈值、提前停止功率开关等措施带来的运行效率低问题，本发明公开的结构设计可以使得半导体模块在提高工作效率（停止工作的频率降低、维持工作的时间变长）的情况下，依然可提高模块的使用寿命。
本发明所述驱动元件包括集成低压驱动元件、集成高压驱动元件或者集成高低压驱动元件，比如驱动元件为多个高低压集成的驱动元件，或者单个集成的低压驱动元件和单个集成的高压驱动元件，或者单个高度集成的高低压驱动元件；所述功率开关元件包括高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件。驱动元件用于驱动高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件。
根据上文的结构，功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上的技术方案中，优选的，所述高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于引线框架两侧；所述温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧；比如当采用单个集成低压驱动元件和单个集成高压驱动元件时，高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于引线框架两侧，温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧且优选位于高压侧功率开关元件一侧中间；当采用多个集成高低压驱动元件时，高压侧功率开关元件和低压侧功率开关元件交替排布，温度检测元件位于功率开关元件中间；当采用单个集成高低压驱动元件时，高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于引线框架两侧，温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧，且优选位于高压侧功率开关元件一侧中间。
根据上文的结构，功率开关元件、温度检测元件都粘接于散热基板导电层上的技术方案中，优选的，所述高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于散热基板导电层两侧；所述温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧；比如当采用单个集成低压驱动元件和单个集成高压驱动元件时，高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于散热基板导电层两侧，温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧且优选位于高压侧功率开关元件一侧中间；当采用多个集成高低压驱动元件时，高压侧功率开关元件和低压侧功率开关元件交替排布，温度检测元件位于功率开关元件中间；当采用单个集成高低压驱动元件时，高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于散热基板导电层两侧，温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧，且优选位于高压侧功率开关元件一侧中间。
本发明具体驱动方式为现有技术，不影响本发明效果的实现，本发明关键点在于将测温元件与功率元件合封在同一个塑封体内，且非常接近功率发热单元。
本发明中，当采用单个集成高低压驱动元件时，本发明的智能功率半导体模块还包括配线元件；所述配线元件通过银浆粘接于引线框架上，集成高低压驱动元件通过配线元件与高压侧功率开关元件和/或低压侧功率开关元件连接，配线元件的数量可以是1～3个。引线框架为现有产品，根据常规方法得到，其上有冲压或者刻蚀出来的各种线路，用于各元件之间的连接以及模块与外部电路板的连接，模块包含的电子元件通过银浆连接在引线框架上，引线框架可以作为一个载体带着这些电子元件位于封装壳内，比如所述引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件位于塑封壳内部；所述外部引线位于塑封壳外部，与引线框架为一体结构，从塑封体突出的外部引线可以是DIP型或者SOP型封装体，当智能功率半导体模块还包括配线元件时，配线元件也位于封装壳内；引线框架的一面采用银浆粘接控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件等，称为芯片面，另一面为光面，用于散热，称为散热面。现有微小级别封装设计在塑封的时候，将引线框架的无元件面朝下、元件面朝上，这导致散热受到限制，智能功率半导体模块都是贴装在电路板上，现有方法导致引线框架的散热面基本与电路板贴合而远离散热装置（可以参见附图理解常识），只能依靠封装树脂导热，导致现有结构散热受到限制，即使采用新配方的导热树脂，也差强人意，尤其随着半导体产业发展，市场要求模块的功率密度越来越高，封装外形越来越小，散热要求也越来越苛刻，在同样封装外形尺寸下，要求能够兼容更宽的产品功率范围，现有的SSOP封装模块无法满足各种元件的集成，尤其是散热能力差。本发明优选引线框架的散热面位于塑封壳内部上端，也就是将引线框架贴着各种元件的面朝下、散热面朝上（根据现有使用方位），从而采用现有方法贴装在电路板上的时候，引线框架的散热面基本与散热装置贴合，优化了散热路径，极大缩短了散热距离，有效提升散热效果，从而提高系统效率；或者本发明创造性的采用散热基板结构，通过将功率开关元件、温度检测元件粘接于散热基板的导电层上，将控制元件、驱动元件粘接于引线框架上，再粘接引线框架与散热基板，提高半导体模块的散热能力，且散热基板与散热装置贴合，优化了散热路径，极大缩短了散热距离，有效提升散热效果，从而提高系统效率。本发明结构的改变和优化，对在同一封装外形基础上兼容更宽产品功率范围提供了可能。
本发明中，所述高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于引线框架两侧，或者高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于散热基板导电层两侧；所述温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧；本发明将所有高压侧功率开关元件安装在引线框架或者散热基板导电层的一个区域，将所有低压侧功率开关元件安装在引线框架或者散热基板导电层的另一区域，具体可参见附图布图，达到提高过热保护元件检测灵敏度的效果。这是本发明优选技术，可以体现本发明的创造性，现有技术在IPM外部的电路板上安装测温元件，通过温度比例换算由外部测温结果反推估算功率模块中功率元件的温度，反馈控制元件并输出信号给驱动元件，从而进行功率元件的关断。这存在两个明显的弊端，一个是由于与模块内部功率元件距离较远，根据温度辐射与距离的关系，检测温度与实际温度差值较大，因此需要设定较低的温度保护阈值；另外，外接温度检测元件与功率元件不在同一个封装体内，容易受到电路板整体环境温度变化而增加开启温度保护功能的机会，从而影响到功率模块及整个系统的工作效率。本发明创造性的将测温元件与功率元件封装在同一个封装体内而且靠近高压侧功率元件排布，检测温度与实际温度温差小，可以及时检测功率开关元件发热后的温度攀升并准确的反馈给控制元件，通过驱动元件关断功率开关元件的动作，保护该智能功率模块因温度异常而产生损坏，提高了该智能功率模块的可靠性。
本发明中，所述高压侧功率开关元件为1～10个；所述低压侧功率开关元件为1～10个，优选的，高压侧功率开关元件为3个；所述低压侧功率开关元件为3个。
本发明中，所述塑封壳为全包封塑封壳或者半包封塑封壳；当塑封壳为半包封塑封壳时，所述散热智能功率半导体模块还包括绝缘散热片或者散热基板，所述绝缘散热片与引线框架的散热面采用导热胶粘接连接，散热基板与引线框架采用锡膏粘接连接；当塑封壳为全包封塑封壳时，优选的，所述引线框架为凸型结构，所述凸型结构的开口朝着塑封壳内部下端，所有元件粘接在凸型结构开口的上表面，根据实际位置，所有元件都朝下。进一步优选的，当塑封壳为半包封塑封壳时，所述散热智能功率半导体模块还包括散热基板或者绝缘散热片，所述引线框架为凸型结构，所述凸型结构的开口朝着塑封壳内部下端，散热基板与凸型结构的上表面采用锡膏粘接连接，绝缘散热片与凸型结构的上表面采用导热胶粘接连接。凸型结构的深度没有特别限制，本发明通过该凸型结构的设计减少引线框架散热面与封装壳上表面的距离，从而提高散热效果，同时满足绝缘的要求。散热基板包括铝基板或者是陶瓷/铜复合基板；绝缘散热片不带有导电材料或者导电层，包括陶瓷散热片；散热基板或者绝缘散热片都为现有材料，一方面可以保护引线框架，另一方面可保证散热效果。本发明全包封塑封壳或者半包封塑封壳为现有术语，通过调整全包封散热面塑封壳厚度，可以有效提高散热效率；更进一步的，采用半包封形式，利用不同材料的散热基板、绝缘散热片，可以在相同封装外形基础上，更大程度的提高模块的散热效率，向上兼容更高功率的产品，这对国内半导体功率模块规模化量产及成本优化有着非凡的意义。
本发明中，所述塑封壳的长度不大于22毫米，宽度不大于11毫米，厚度不大于2毫米，即封装外形尺寸≤22×11×2。这是本发明创造性之一，这个结构体现了现有塑封最小级别，众所周知，对于大尺寸的IPM，由于其内部空间足够以及使用贴装方法多样，对于散热可采取的手段较多，但是对于这种最小级别的IPM封装结构，目前现有技术没有合适的方法满足散热需求，只能通过限制工作时间与强度，以牺牲工作性能来保护使用寿命，很明显限制了模块性能的发挥。本发明在已经很复杂的元件集成基础上，又加入了温度测试元件，同时通过引线框架结构新设计，不仅可以准确、灵敏的测试模块内部温度，及时有效传输命令，而且避免了增加元件带来的模块发热更大、散热更难的问题。
本发明中，所述控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；所述温度检测元件与控制元件连接，本发明的所有元件的安装以及各自连接都属于现有方法，散热智能功率半导体模块与现有散热装置、电路板的具体安装方式都是现有技术。
本发明在引线框架或者散热基板导电层上加入温度检测元件，能检测功率开关元件的发热温度，当判断为过热时反馈给控制元件，停止功率开关元件的动作，本发明可以搭载不同种类的驱动IC来实现不同功率开关元件的排布，具体地，当采用单个集成低压驱动元件和单个集成高压驱动元件时，高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于引线框架或者散热基板导电层两侧，温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧且优选位于中间；当采用多个集成高低压驱动元件时，高压侧和低压侧功率元件交替排布，温度检测元件位于引线框架或者散热基板导电层中间，优选接近高压侧功率开关元件。具体电连接与控制为现有方法。另外，当驱动元件为单个集成高低压驱动元件时，集成高低压驱动元件通过配线元件与功率开关元件电连接，来驱动高压侧与低压侧的功率开关元件，集成高低压驱动元件通过配线元件与高压侧功率开关元件和/或低压侧功率开关元件连接，这对于微小级别SSOP封装引线框架布线有利。高压侧功率开关元件的发热量更大，本发明优选将温度检测元件安装在高压侧功率开关元件附近，及时检测功率开关元件的发热量并反馈给控制元件，当控制元件根据反馈信号判断温度为过热时，通过驱动元件停止功率开关元件的动作，保护该智能功率模块因温度异常而产生损坏，提高了该智能功率模块的可靠性。
根据实际安装方位，功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上的技术方案中，本发明创造性的设计引线框架的散热面朝上，引线框架的安装边一面粘接元件、一面用于散热，根据常识，所有元件粘接在同一面；本发明将引线框架的芯片面（装着各种元件的面）朝下，则引线框架散热面在塑封体内部上方，结合客户端安装方式，该IPM贴在电路板上后，散热面在（位于）上端，可直接外接散热装置，散热装置的散热面积更大，热辐射效果更好，可以为外接水冷装置，通过循环水冷装置更快速的降低产品温度，达到更好的散热效果。根据实际安装方位，功率开关元件、温度检测元件都粘接于散热基板导电层上的技术方案中，半导体模块的散热界面朝上，结合客户端安装方式，该IPM焊接在电路板上后，散热面在（位于）上端，可直接外接散热装置，散热装置的散热面积更大，热辐射效果更好，可以为外接水冷装置，通过循环水冷装置更快速的降低产品温度，达到更好的散热效果。
本发明公开了上述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块在制备智能功率模块中的应用，尤其在制备用于控制及驱动功率开关元件的控制IC和驱动IC的半导体装置中的应用；本发明在已经很复杂的元件集成基础上，又加入了温度测试元件，同时通过引线框架结构新设计，不仅可以准确、灵敏的测试模块内部温度，及时有效传输命令，而且避免了增加元件带来的模块发热更大、散热更难的问题。
本发明可采用多种不同的封装纵向结构来有效释放由该半导体模块产生的热量，以此满足产品的散热要求。具体地，采用全包封形式，即引线框架以及所有元件都由环氧树脂进行封装，热量通过环氧树脂向外传递，所以产品发热区域与外部散热器之间的环氧树脂厚度决定了该产品的热辐射效率和放热效率，本发明通过将引线框架散热面位于塑封体内部上方减小框架到塑封体顶端的距离（即减小环氧树脂的厚度）来提高产品的散热效率；或者采用半包封形式，即用于封装的环氧树脂部分地围绕所述引线框架、散热基板/绝缘散热片以及所有元件，并且使用于散热的高导热材质散热基板/绝缘散热片的下表面（未安装元件的面）裸露出来，优选的，可以在引线框架的光面上粘贴陶瓷片或者散热基板来进行散热并保护；由此，本发明的产品散热能力的提高可以满足更高电压，电流的产品需求。
附图说明
图1为实施例一引线框架以及元件结构示意图；
图2为实施例一各元件电路关系示意图；
图3为实施例一封装结构示意图；
图4为实施例二引线框架以及元件结构示意图；
图5为实施例二各元件电路关系示意图；
图6为实施例三封装结构示意图；
图7为实施例四封装结构示意图；
图8为实施例五封装结构示意图；
图9为实施例六各元件电路关系示意图；
图10为实施例七散热型智能功率半导体装置结构示意图；
图11为实施例八散热型智能功率控制结构示意图；
图12为现有智能功率控制结构示意图；
图13为实施例九引线框架以及元件结构示意图；
图14为实施例九封装结构示意图；
其中，引线框架1、控制元件2、温度检测元件3、塑封壳4、外部引线5、集成高低压驱动元件6、高压侧功率开关元件7、低压侧功率开关元件8、集成低压驱动元件9、集成高压驱动元件10、绝缘散热片11、配线元件12、散热装置13、散热装置14、电路板15，集成高低压驱动元件16、散热基板17、金属导线18。
具体实施方式
本发明中，控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；温度检测元件与控制元件连接，本发明的所有元件、原料（注塑料、导热胶、锡膏、银浆等）都是市购产品，它们的安装以及各自连接都属于现有方法，散热智能功率半导体模块与现有散热装置、电路板的具体安装方式都是现有技术。
实施例一
参见附图1-3；一种基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，组成如下：
引线框架1、控制元件2、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件3、塑封壳4、外部引线5，控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接位于引线框架上；驱动元件包括3个集成高低压驱动元件6；功率开关元件为3个高压侧功率开关元件7、3个低压侧功率开关元件8；塑封壳为全包封塑封壳；引线框架的散热面位于塑封壳内部上端，塑封壳的长度不大于22毫米，宽度不大于11毫米，厚度不大于2毫米（封装外形尺寸≤22×11×2），引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件位于塑封壳内部，外部引线位于塑封壳外部；采用3个集成高低压驱动元件（2合1）时，高压侧和低压侧功率元件交替排布，温度检测元件位于引线框架中间，接近高压侧功率开关元件；控制元件、驱动元件、功率开关元件依次用常规金属导线（金属线）连接；温度检测元件与控制元件用常规金属导线（金属线）连接，具体连接为常规连接；附图中制备的电路为常规方法，不影响本发明的技术理解，相同元件标注一处，图3中元件未标注，引线框架朝下的为芯片面，并给出金属导线18示意图，为常规技术；为了简洁，图1中没有给出金属导线连接，结合本发明的描述不影响本领域技术人员的理解。
实施例二
参见附图4-5；一种基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，组成如下：
引线框架1、控制元件2、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件3、塑封壳4、外部引线5，控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都位于引线框架上；驱动元件为1个集成低压驱动元件9、1个集成高压驱动元件10；功率开关元件为3个高压侧功率开关元件7、3个低压侧功率开关元件8，高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于引线框架两侧，温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧，且位于中间；塑封壳为全包封塑封壳，封装结构与实施例一一样（如图3）；引线框架的散热面位于塑封壳内部上端，塑封壳的长度不大于22毫米，宽度不大于11毫米，厚度不大于2毫米（封装外形尺寸≤22×11×2），引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件位于塑封壳内部，外部引线位于塑封壳外部；控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；温度检测元件与控制元件连接，具体连接为常规连接。
实施例三
参见附图6；一种基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，组成如下：
引线框架1、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、塑封壳4、外部引线，控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都位于引线框架上，粘接于凸型结构开口上表面；布图与实施例一一样；驱动元件包括3个集成高低压驱动元件；功率开关元件包括3个高压侧功率开关元件、3个低压侧功率开关元件；采用3个集成高低压驱动元件（2合1）时，高压侧和低压侧功率元件交替排布，温度检测元件位于引线框架中间，接近高压侧功率开关元件；塑封壳为全包封塑封壳；引线框架的散热面位于塑封壳内部上端，引线框架为凸型结构，开口朝着塑封壳内部下方，通过引线框架折弯来减小散热层环氧树脂的厚度，来提高模块的整体散热性能，而且这样的结构不需要改变外部引线，保持连接强度；塑封壳的长度不大于22毫米，宽度不大于11毫米，厚度不大于2毫米（封装外形尺寸≤22×11×2），引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件位于塑封壳内部，外部引线位于塑封壳外部；控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；温度检测元件与控制元件连接，具体连接为常规连接。
实施例四
参见附图7；一种基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，组成如下：
引线框架1、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、塑封壳4、外部引线5，控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都位于引线框架上，布图与实施例一一样；驱动元件包括3个集成高低压驱动元件6；功率开关元件包括3个高压侧功率开关元件7、3个低压侧功率开关元件8；采用3个集成高低压驱动元件（2合1）时，高压侧和低压侧功率元件交替排布，温度检测元件位于引线框架中间，接近高压侧功率开关元件；塑封壳为半包封塑封壳，引线框架的散热面位于塑封壳内部上端，引线框架的散热面贴合绝缘散热片11，为陶瓷片(常规购买)；塑封壳的长度不大于22毫米，宽度不大于11毫米，厚度不大于2毫米（封装外形尺寸≤22×11×2），引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件位于塑封壳内部，外部引线位于塑封壳外部；控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；温度检测元件与控制元件连接，具体连接为常规连接。
实施例五
参见附图8；一种基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，组成如下：
引线框架1、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、塑封壳4、外部引线，控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都位于引线框架上，粘接于凸型结构开口上表面，位于凸型结构内；布图与实施例一一样；驱动元件包括3个集成高低压驱动元件；功率开关元件包括3个高压侧功率开关元件、3个低压侧功率开关元件；采用3个集成高低压驱动元件（2合1）时，高压侧和低压侧功率元件交替排布，温度检测元件位于引线框架中间，接近高压侧功率开关元件；塑封壳为半包封塑封壳，引线框架的散热面位于塑封壳内部上端，引线框架的散热面贴合绝缘散热片11，为陶瓷片(常规购买)，散热片与凸型结构的上表面粘接连接；引线框架的散热面位于塑封壳内部上端，引线框架为凸型结构，开口朝着塑封壳内部下方，通过引线框架折弯来减小发热元件到散热面的距离，来提高模块的整体散热性能，而且这样的结构不需要改变外部引线，保持连接强度；塑封壳的长度不大于22毫米，宽度不大于11毫米，厚度不大于2毫米（封装外形尺寸≤22×11×2），引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件位于塑封壳内部，外部引线位于塑封壳外部；控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；温度检测元件与控制元件连接，具体连接为常规连接。
实施例六
参见附图9；一种基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，组成如下：
引线框架、控制元件2、驱动元件16、功率开关元件、温度检测元件3、塑封壳、外部引线以及配线元件12，配线元件、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都位于引线框架上；驱动元件包括1个集成高低压驱动元件16，为6合1集成；功率开关元件包括3个高压侧功率开关元件7、3个低压侧功率开关元件8，高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于引线框架两侧，温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧；塑封壳为全包封塑封壳，封装结构与实施例一一样；引线框架的散热面位于塑封壳内部上端，塑封壳的长度不大于22毫米，宽度不大于11毫米，厚度不大于2毫米（封装外形尺寸≤22×11×2），引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、配线元件位于塑封壳内部，外部引线位于塑封壳外部；控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；温度检测元件与控制元件连接，集成高低压驱动元件通过配线元件与高压侧功率开关元件和低压侧功率开关元件连接，具体连接为常规连接。
上述实施例一至实施例三、实施例六中，基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的制备方法如下：将控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件分别采用银浆粘接于引线框架上，打线后将粘接所有元件的引线框架置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块。具体如下：利用现有粘片机进行引线框架上料，将控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件分别采用常规市购银浆通过180℃恒温烘烤1小时粘接于引线框架上，粘贴好所有元件的引线框架上料至焊线机上，进入轨道后被压爪压牢，在指定位置打线，形成电路连接即金属导线；完成打线的引线框架进行排料，同时塑封料饼进行排料；将排好的引线框架及塑封料饼上料，将压机合模开始注塑，注塑过程温度为175℃，时间为130秒，注塑完成后将材料取出放置在冷却台，产品冷却时间为50秒；将完成冷却的产品放入烘箱中进行175℃恒温烘烤5小时，冷却后取出材料，然后经过常规电镀、弯脚，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块。
上述实施例四、实施例五中，基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的制备方法如下：将控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都采用银浆粘接于引线框架上，在引线框架的散热面采用导热胶粘贴绝缘散热片，再进行打线，然后将粘接所有元件以及绝缘散热片并完成打线的引线框架置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块。具体如下：利用现有粘片机进行引线框架上料，将控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件分别采用常规市购银浆通过180℃恒温烘烤1小时粘接于引线框架上；将市购陶瓷绝缘散热片放入专用夹具内，使用点胶头在陶瓷绝缘散热片上点胶（常规市购导热胶），将粘贴好所有元件的引线框架放入上述装载有陶瓷绝缘散热片的专用夹具中，使引线框架的散热面（不粘元件的光面）与陶瓷散热片的点胶面贴合，使用模具压合并加热快速固化（加热温度为170℃，时间为60秒），完成散热片的粘贴；粘贴好所有元件与陶瓷散热片的引线框架上料至焊线机上，进入轨道后被压爪压牢，在指定位置打线，形成电路连接即金属导线；完成打线的引线框架进行排料，同时塑封料饼进行排料；将排好的引线框架及塑封料饼上料，将压机合模开始注塑，注塑过程温度为175℃，时间为130秒，注塑完成后将材料取出放置在冷却台，产品冷却时间为50秒；将完成冷却的产品放入烘箱中进行175℃恒温烘烤5小时，冷却后取出材料，然后经过常规电镀、弯脚，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块。
凸型结构的引线框架为常规制备。
实施例七
参见附图10；将实施例二的基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块与散热装置13通过导热胶贴合得到散热型智能功率半导体装置，散热装置为水冷散热装置，该散热装置位于引线框架的散热面处，这相对于引线框架的芯片面（即安装元件的面）而言，说明引线框架的散热面较芯片面更接近散热装置，从而极大提高热传递。其他实施例公开的基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块与散热装置的结合与上类似，可以得到多种散热型智能功率半导体装置。
实施例八
参见附图11，将实施例二的基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块与散热装置14通过导热胶贴合，并通过现有表面贴装技术安装在现有电路板15上，得到散热型智能功率控制结构，散热装置为风冷散热装置，散热智能功率半导体模块位于电路板与散热装置之间，其中散热装置距离引线框架的高度小于电路板距离引线框架的高度，也就是散热装置位于引线框架的散热面处，引线框架的芯片面则朝着电路板，这相对于引线框架的芯片面（即安装元件的面）而言，说明引线框架的散热面较芯片面更接近散热装置，这与现有技术完全相反（参见附图12），从而极大提高热传递。其他实施例公开的基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块与散热装置、电路板的结合与上类似，可以得到多种散热型智能功率控制结构。
实施例九
参见附图13，附图14；一种基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，组成如下：
引线框架1、控制元件2、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件3、塑封壳4、外部引线5、散热基板17，控制元件、驱动元件位于引线框架上，功率开关元件、温度检测元件位于散热基板上；驱动元件包括1个集成低压驱动元件9、1个集成高压驱动元件10；功率开关元件包括3个高压侧功率开关元件7、3个低压侧功率开关元件8，高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于散热基板两侧，温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧，且位于中间；散热基板17为常规市购的陶瓷/铜复合基板；塑封壳为半包封塑封壳，散热基板的散热面位于塑封壳内部上端，散热基板与引线框架焊接，通过引线框架折弯来减小发热元件到散热面的距离，来提高模块的整体散热性能，而且这样的结构不需要改变外部引线，保持连接强度；引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件位于塑封壳内部，外部引线位于塑封壳外部；控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；温度检测元件与控制元件连接，具体连接为常规连接。
上述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的制备方法如下：将控制元件、驱动元件采用银浆粘接于引线框架上；将功率开关元件、温度检测元件用锡膏印刷工艺粘接于散热基板的导电层上，再将粘接有元件的引线框架用锡膏粘接于散热基板的导电层上，进行回流焊接；打线后将粘接引线框架的散热基板置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；具体如下：利用现有粘片机进行引线框架上料，将控制元件、驱动元件分别采用常规市购银浆通过180℃恒温烘烤1小时粘接于引线框架上；将散热基板放入专用印刷夹具上，在需要粘贴元件及与引线框架连接的位置刷上常规市购的锡膏，将功率开关元件、温度检测元件粘贴至相应位置，从专用印刷夹具中取出散热基板并转至专用回流夹具底板中，然后将粘贴好控制元件及驱动元件的引线框架也放入上述专用回流夹具底板中，引线框架与散热基板通过事先印刷在散热基板上的锡膏粘接，然后需要盖上与底板配套的回流夹具盖板，将装配好的回流夹具放入回流炉中进行回流焊接（240℃，时间为6分钟）；粘贴好所有元件与散热基板的引线框架上料至焊线机上，进入轨道后被压爪压牢，在指定位置打线，形成电路连接即金属导线；完成打线的引线框架进行排料，同时塑封料饼进行排料；将排好的引线框架及塑封料饼上料，将压机合模开始注塑，注塑过程温度为175℃，时间为130秒，注塑完成后将材料取出放置在冷却台，产品冷却时间为50秒；将完成冷却的产品放入烘箱中进行175℃恒温烘烤5小时，冷却后取出材料，然后经过常规电镀、弯脚，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块。
本发明基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块集成度高，同时集成了控制元件(MCU)、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件，且封装结构小、组装工艺简单，通过高密度的集成多个电路元件，减小了智能功率半导体模块及其终端产品的体积，降低了该模块的使用成本且提高了产品的可靠性。尤其是温度检测元件集成在模块内靠近功率元件，反馈准确，与现有封装的温度控制结构（温度检测元件在封装体外）相比，实施例一、实施例二温度保护阈值分别提高10℃、14℃，从而提升电机运转效率；另外，由于集成度较现有技术高，终端系统电路板尺寸也因此而缩小，成本方面节省接近8%，这在竞争日趋激烈的白色家电领域有着非凡的意义。本发明散热智能功率半导体模块结合客户端的实际应用，优化了散热面设计，提高了产品的散热能力，从功率开关（35W）由于达到温度阈值停止工作到散热降温恢复工作的时间来看，相比于现有技术的SSOP封装结构（功率开关元件一致），本发明实施例一为现有结构的80%，实施例三为现有结构的65%，实施例四为现有结构的52%，实施例五为现有结构的42%，实施例六为现有结构的74%，实施例九为现有结构的28%，以满足更高电流，更高功率产品的散热要求；可以根据搭载的功率开关元件的不同功率及发热量，衍生出多种不同的封装纵向结构来有效释放由该半导体模块产生的热量，以此满足产品及终端系统的散热要求，更重要的是，采用本发明的结构，可以使得基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块达到200W的工作功率并且工作时间不受影响，现有SSOP封装的智能功率半导体模块结构一般只能到40W，更高功率就会损毁；本发明的实际意义是在不改变模块封装外形尺寸，即不用更改客户端电路板布局就可以实现向更高功率产品的兼容性，有利于上下游之间的规模化大量产，从而降低整体生产成本，提升国内白色家电厂商的持续竞争力。

Claims (10)

1.基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于：所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块包括引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、金属导线、塑封壳、外部引线；所述控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上；所述引线框架的散热面朝上；所述粘接采用银浆粘接，粘接时的烘烤温度为170～190℃、时间为0.5～2小时；所述控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；所述温度检测元件与控制元件连接；所述引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、金属导线位于塑封壳内部；所述外部引线位于塑封壳外部。
2.根据权利要求1所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于：所述驱动元件包括集成低压驱动元件、集成高压驱动元件或者集成高低压驱动元件；所述功率开关元件包括高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件；所述塑封壳为全包封塑封壳或者半包封塑封壳；外部引线与引线框架为一体结构。
3.根据权利要求2所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于：所述高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于引线框架两侧；所述温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧；所述高压侧功率开关元件为1～10个；所述低压侧功率开关元件为1～10个；当驱动元件为集成高低压驱动元件时，所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块还包括配线元件，所述配线元件粘接于引线框架上；当塑封壳为半包封塑封壳时，所述散热智能功率半导体模块还包括绝缘散热片，所述绝缘散热片与引线框架的散热面粘接连接；当塑封壳为全包封塑封壳时，所述引线框架为凸型结构，所述凸型结构的开口朝着塑封壳内部下端，所有元件都位于凸型结构的开口上表面。
4.根据权利要求1所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于：将控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上，打线后将粘接所有元件的引线框架置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；或者，将控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上，然后在引线框架的散热面采用导热胶粘贴散热片，打线后将粘接所有元件以及绝缘散热片的引线框架置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；所述塑封包括注塑、冷却、后固化。
5.根据权利要求4所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于：注塑的温度为170～180℃、时间为120～140秒；冷却的温度为室温、时间为20~80秒；后固化的温度为170～190℃、时间为3～7小时。
6.基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于：所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块包括引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、金属导线、塑封壳、外部引线、散热基板；所述散热基板为铝基板或者是陶瓷/铜复合基板；所述控制元件、驱动元件采用银浆粘接于引线框架上；所述功率开关元件、温度检测元件采用锡膏粘接于散热基板的导电层上；所述引线框架采用锡膏粘接于散热基板的导电层上；所述控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；所述温度检测元件与控制元件连接；所述引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、金属导线位于塑封壳内部；所述外部引线位于塑封壳外部；所述塑封壳为半包封塑封壳。
7.根据权利要求6所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于，将控制元件、驱动元件分别用银浆粘接于引线框架上；将功率开关元件、温度检测元件用锡膏粘接于散热基板的导电层上，再将粘接有元件的引线框架用锡膏粘接于散热基板的导电层上，进行回流焊接；打线后将粘接引线框架的散热基板置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；所述塑封包括注塑、冷却、后固化。
8.权利要求1所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上，打线后将粘接所有元件的引线框架置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；或者，将控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上，然后在引线框架的散热面采用导热胶粘贴散热片，打线后将粘接所有元件以及绝缘散热片的引线框架置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；所述塑封包括注塑、冷却、后固化。
9.权利要求6所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，将控制元件、驱动元件分别用银浆粘接于引线框架上；将功率开关元件、温度检测元件用锡膏粘接于散热基板的导电层上，再将粘接有元件的引线框架用锡膏粘接于散热基板的导电层上，进行回流焊接；打线后将粘接引线框架的散热基板置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；所述塑封包括注塑、冷却、后固化。
10.权利要求1或者权利要求6所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块在制备智能功率模块中的应用。
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