JP2005268432A - パワーモジュールの絶縁樹脂硬化方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 従来、パワーモジュールにおける半導体素子の電極と放熱器とを、両者間に挟み込んだ絶縁樹脂により接続する場合、高温槽の雰囲気による加熱にて絶縁樹脂を硬化させていたので、絶縁樹脂の粘度が十分に低下せず、放熱器と絶縁樹脂との間、および電極と絶縁樹脂との間に気泡が残留して、パワーモジュールの半導体素子から放熱器への放熱性が低下するという問題があった。
【解決手段】 パワーモジュール1の電極1b・1cと放熱器13との間に介在させた絶縁樹脂12を硬化させる方法であって、パワーモジュール1の半導体素子11に通電して発熱させ、半導体素子11の温度を温度検出器4により検出し、検出した半導体素子温度に応じて半導体素子11へ通電する電力の大きさを制御する。
【選択図】 図1
【解決手段】 パワーモジュール1の電極1b・1cと放熱器13との間に介在させた絶縁樹脂12を硬化させる方法であって、パワーモジュール1の半導体素子11に通電して発熱させ、半導体素子11の温度を温度検出器4により検出し、検出した半導体素子温度に応じて半導体素子11へ通電する電力の大きさを制御する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、パワーモジュールの電極と放熱器との間に介在させた絶縁樹脂を硬化させるための、パワーモジュールの絶縁樹脂硬化方法および装置に関する。
従来から、インバータ用等のパワーモジュールは、作動時に発熱するため放熱器等を通じて放熱する必要があり、例えば図6に示すような構造に構成されている。
図6に示すパワーモジュール101は、半導体素子102の下面がはんだ107によりコレクタ電極103と接続され、コレクタ電極103は、絶縁樹脂105を介して放熱器106に接続されている。また、半導体素子102の上面は、絶縁樹脂105を介して放熱器106に接続されているエミッタ電極104と、ボンディングワイヤ108により接続されている。
半導体素子の電極と放熱器とを絶縁樹脂にて接合したパワーモジュールとしては、特許文献1に示すようなパワーモジュールも知られている。
図6に示すパワーモジュール101は、半導体素子102の下面がはんだ107によりコレクタ電極103と接続され、コレクタ電極103は、絶縁樹脂105を介して放熱器106に接続されている。また、半導体素子102の上面は、絶縁樹脂105を介して放熱器106に接続されているエミッタ電極104と、ボンディングワイヤ108により接続されている。
半導体素子の電極と放熱器とを絶縁樹脂にて接合したパワーモジュールとしては、特許文献1に示すようなパワーモジュールも知られている。
このような構成のパワーモジュール101の、コレクタ電極103およびエミッタ電極104と、放熱器106とを、絶縁樹脂105により接続する場合、シート状に形成された熱硬化性の絶縁樹脂105を放熱器106と電極103・104とで挟み込んで加圧した上で加熱し、絶縁樹脂105を硬化させることで、接続を行っている。
絶縁樹脂105の加熱硬化は、パワーモジュール101全体を高温槽の雰囲気により加熱することで行っている。
絶縁樹脂105の加熱硬化は、パワーモジュール101全体を高温槽の雰囲気により加熱することで行っている。
前述のシート状に形成された熱硬化性の絶縁樹脂105を加熱すると、未硬化状態の絶縁樹脂105は熱により軟化するとともに、架橋反応による硬化が始まる。
そして、加熱された絶縁樹脂105の粘度は加熱開始から硬化するまでの間に変化するが、加熱開始時は未硬化状態の絶縁樹脂105の軟化による影響が大きく、加熱開始から時間が経つにつれて硬化による影響が大きくなってくるため、加熱開始から粘度は一旦低下した後上昇に転じるという特性を示す。
そして、加熱された絶縁樹脂105の粘度は加熱開始から硬化するまでの間に変化するが、加熱開始時は未硬化状態の絶縁樹脂105の軟化による影響が大きく、加熱開始から時間が経つにつれて硬化による影響が大きくなってくるため、加熱開始から粘度は一旦低下した後上昇に転じるという特性を示す。
ここで、常温では、放熱器106と電極103・104とで絶縁樹脂105を挟み込んで加圧しただけでは、放熱器106および電極103・104の表面粗度や絶縁樹脂105自体の厚みの不均一性により、放熱器106と絶縁樹脂105、および電極103・104と絶縁樹脂105とを隙間なく密着させることは困難である。
しかし、加熱により絶縁樹脂105の粘度を十分に低下させることができれば、放熱器106と絶縁樹脂105との間、および電極103・104と絶縁樹脂105との間にできる気泡を押し出して、放熱器106と絶縁樹脂105、および電極103・104と絶縁樹脂105とを密着させることができる。
逆に、加熱による絶縁樹脂105の粘度低下が不十分であると、図6に示すように、放熱器106と絶縁樹脂105との間、および電極103・104と絶縁樹脂105との間にできる気泡110を完全に追い出すことができず、気泡110が残留してしまう。
しかし、加熱により絶縁樹脂105の粘度を十分に低下させることができれば、放熱器106と絶縁樹脂105との間、および電極103・104と絶縁樹脂105との間にできる気泡を押し出して、放熱器106と絶縁樹脂105、および電極103・104と絶縁樹脂105とを密着させることができる。
逆に、加熱による絶縁樹脂105の粘度低下が不十分であると、図6に示すように、放熱器106と絶縁樹脂105との間、および電極103・104と絶縁樹脂105との間にできる気泡110を完全に追い出すことができず、気泡110が残留してしまう。
このように、放熱器106と絶縁樹脂105、および電極103・104と絶縁樹脂105とを隙間なく密着させるためには、加熱により絶縁樹脂105の粘度を十分に低下させることが重要であるが、従来のように、パワーモジュール101を高温槽の雰囲気にて加熱した場合は、パワーモジュール101の熱容量が大きいことと、雰囲気を通じて加熱の熱交換率の低さから、絶縁樹脂105の温度は緩やかに上昇する。
絶縁樹脂105の温度が緩やかに上昇すると、絶縁樹脂105は、あまり軟化しないうちに硬化が進行するので、粘度が十分に低下せず、放熱器106と絶縁樹脂105との間、および電極103・104と絶縁樹脂105との間に気泡が残留してしまう。
絶縁樹脂105の温度が緩やかに上昇すると、絶縁樹脂105は、あまり軟化しないうちに硬化が進行するので、粘度が十分に低下せず、放熱器106と絶縁樹脂105との間、および電極103・104と絶縁樹脂105との間に気泡が残留してしまう。
放熱器106および電極103・104と絶縁樹脂105との接合部における気泡が残留した箇所は、絶縁樹脂105が密着ている部分よりも熱伝導率が低いため、パワーモジュール101の半導体素子102から放熱器106への放熱性が低下するという問題が発生する。
また、パワーモジュール101の作動時に気泡部分に電界が集中するため、気泡部分で絶縁樹脂105が絶縁破壊し、絶縁性を維持することができなくなってしまうという問題も発生する。
また、パワーモジュール101の作動時に気泡部分に電界が集中するため、気泡部分で絶縁樹脂105が絶縁破壊し、絶縁性を維持することができなくなってしまうという問題も発生する。
上記課題を解決するパワーモジュールの絶縁樹脂硬化方法および装置は、以下の特徴を有する。
即ち、請求項1記載の如く、パワーモジュールの電極と放熱器との間に介在させた絶縁樹脂を硬化させる方法であって、パワーモジュールの半導体素子に通電して発熱させ、半導体素子の温度を温度検出手段により検出し、検出した半導体素子温度に応じて半導体素子へ通電する電力の大きさを制御する。
これにより、 パワーモジュールを急激に温度上昇させて、絶縁樹脂の粘度を雰囲気加熱の場合よりも低下させることができ、放熱器と絶縁樹脂との間、および電極と絶縁樹脂との間の気泡を、容易に追い出すことが可能となる。
そして、放熱器と絶縁樹脂、および電極と絶縁樹脂とを、気泡無く接合して密着させることができる。
従って、パワーモジュールの半導体素子から放熱器への放熱性を維持することができ、信頼性向上を図ることもできる。
また、素早く温度上昇させることができるので、絶縁樹脂の加熱・硬化に要する時間を短縮することができ、生産性を向上することができる。
さらに、本絶縁樹脂硬化装置は、パワーモジュールの半導体素子自身を加熱源としているので、高温炉等の大掛かりな設備が必要でなく、設備投資を低減して製品の低コスト化を図ることができる。
即ち、請求項1記載の如く、パワーモジュールの電極と放熱器との間に介在させた絶縁樹脂を硬化させる方法であって、パワーモジュールの半導体素子に通電して発熱させ、半導体素子の温度を温度検出手段により検出し、検出した半導体素子温度に応じて半導体素子へ通電する電力の大きさを制御する。
これにより、 パワーモジュールを急激に温度上昇させて、絶縁樹脂の粘度を雰囲気加熱の場合よりも低下させることができ、放熱器と絶縁樹脂との間、および電極と絶縁樹脂との間の気泡を、容易に追い出すことが可能となる。
そして、放熱器と絶縁樹脂、および電極と絶縁樹脂とを、気泡無く接合して密着させることができる。
従って、パワーモジュールの半導体素子から放熱器への放熱性を維持することができ、信頼性向上を図ることもできる。
また、素早く温度上昇させることができるので、絶縁樹脂の加熱・硬化に要する時間を短縮することができ、生産性を向上することができる。
さらに、本絶縁樹脂硬化装置は、パワーモジュールの半導体素子自身を加熱源としているので、高温炉等の大掛かりな設備が必要でなく、設備投資を低減して製品の低コスト化を図ることができる。
また、請求項2記載の如く、パワーモジュールの電極と放熱器との間に介在させた絶縁樹脂を硬化させる装置であって、パワーモジュールの半導体素子に通電するための電源と、半導体素子の温度を検出する温度検出手段と、検出した半導体素子温度に応じて半導体素子へ通電する電力の大きさを制御する制御手段とを備える。
これにより、パワーモジュールを急激に温度上昇させて、絶縁樹脂の粘度を雰囲気加熱の場合よりも低下させることができ、放熱器と絶縁樹脂との間、および電極と絶縁樹脂との間の気泡を、容易に追い出すことが可能となる。
そして、放熱器と絶縁樹脂、および電極と絶縁樹脂とを、気泡無く接合して密着させることができる。
従って、パワーモジュールの半導体素子から放熱器への放熱性を維持することができ、信頼性向上を図ることもできる。
また、素早く温度上昇させることができるので、絶縁樹脂の加熱・硬化に要する時間を短縮することができ、生産性を向上することができる。
さらに、本絶縁樹脂硬化装置は、パワーモジュールの半導体素子自身を加熱源としているので、高温炉等の大掛かりな設備が必要でなく、設備投資を低減して製品の低コスト化を図ることができる。
これにより、パワーモジュールを急激に温度上昇させて、絶縁樹脂の粘度を雰囲気加熱の場合よりも低下させることができ、放熱器と絶縁樹脂との間、および電極と絶縁樹脂との間の気泡を、容易に追い出すことが可能となる。
そして、放熱器と絶縁樹脂、および電極と絶縁樹脂とを、気泡無く接合して密着させることができる。
従って、パワーモジュールの半導体素子から放熱器への放熱性を維持することができ、信頼性向上を図ることもできる。
また、素早く温度上昇させることができるので、絶縁樹脂の加熱・硬化に要する時間を短縮することができ、生産性を向上することができる。
さらに、本絶縁樹脂硬化装置は、パワーモジュールの半導体素子自身を加熱源としているので、高温炉等の大掛かりな設備が必要でなく、設備投資を低減して製品の低コスト化を図ることができる。
本発明によれば、パワーモジュールを急激に温度上昇させて、絶縁樹脂の粘度を雰囲気加熱の場合よりも低下させることができ、放熱器と絶縁樹脂との間、および電極と絶縁樹脂との間の気泡を、容易に追い出すことが可能となる。そして、放熱器と絶縁樹脂、および電極と絶縁樹脂とを、気泡無く接合して密着させることができる。
これにより、パワーモジュールの半導体素子から放熱器への放熱性を維持することができ、信頼性向上を図ることもできる。
これにより、パワーモジュールの半導体素子から放熱器への放熱性を維持することができ、信頼性向上を図ることもできる。
次に、本発明を実施するための形態を、添付の図面を用いて説明する。
本発明のパワーモジュールの絶縁樹脂硬化装置について説明する。
図1に示す絶縁樹脂硬化装置は、パワーモジュール1と、パワーモジュール1のゲート電極1aとエミッタ電極1bとの間に接続されるゲート電源3と、パワーモジュール1のコレクタ電極1cとエミッタ電極1bとの間に接続されるコレクタ電源2と、パワーモジュール1の温度を検出する温度検出器4と、パワーモジュール1の作動を制御する制御部5と、パワーモジュール1の目標温度を制御部5に入力する入力部6とを備えている。
本発明のパワーモジュールの絶縁樹脂硬化装置について説明する。
図1に示す絶縁樹脂硬化装置は、パワーモジュール1と、パワーモジュール1のゲート電極1aとエミッタ電極1bとの間に接続されるゲート電源3と、パワーモジュール1のコレクタ電極1cとエミッタ電極1bとの間に接続されるコレクタ電源2と、パワーモジュール1の温度を検出する温度検出器4と、パワーモジュール1の作動を制御する制御部5と、パワーモジュール1の目標温度を制御部5に入力する入力部6とを備えている。
図2に示すように、パワーモジュール1は、半導体素子11の下面がはんだ14によりコレクタ電極1cと接続され、コレクタ電極1cは、絶縁樹脂12を介して放熱器13に接続されている。また、半導体素子11の上面は、絶縁樹脂12を介して放熱器13に接続されているエミッタ電極1bと、ボンディングワイヤ15により接続されている。
絶縁樹脂12は、シート状の熱硬化性樹脂にて構成されている。
絶縁樹脂12は、シート状の熱硬化性樹脂にて構成されている。
また、前記ゲート電源3は、半導体素子11がオンするのに十分な電圧を備えており、コレクタ電源2は、制御部5により電圧を制御することが可能となっている。
そして、コレクタ電源2により半導体素子11に通電することで、パワーモジュール1の温度を上昇させるように構成している。
制御部5にはパワーモジュール1の温度を何度にまで上昇させるかの目標温度が入力部6から予め入力されており、該制御部5には、この目標温度と温度検出器4にて検出されたパワーモジュール1の温度とを比較し、その偏差に基づいてPI制御等によりコレクタ電源2の電圧制御を行う、フィードバック制御系が構成されている。
そして、コレクタ電源2により半導体素子11に通電することで、パワーモジュール1の温度を上昇させるように構成している。
制御部5にはパワーモジュール1の温度を何度にまで上昇させるかの目標温度が入力部6から予め入力されており、該制御部5には、この目標温度と温度検出器4にて検出されたパワーモジュール1の温度とを比較し、その偏差に基づいてPI制御等によりコレクタ電源2の電圧制御を行う、フィードバック制御系が構成されている。
ここで、半導体素子11における、ゲート電位をエミッタ電位に対して十分に高い電圧に保持した場合の、エミッタ電流−コレクタ・エミッタ間電圧特性は、図3に示すようになる。
図3からわかるように、コレクタ・エミッタ間電圧を制御することで(すなわちコレクタ電源2の電圧を制御することで)、エミッタ電流を制御することができ、これにより、半導体素子11の自己発熱量(=エミッタ電流×コレクタ・エミッタ間電圧)を制御することが可能となっている。
図3からわかるように、コレクタ・エミッタ間電圧を制御することで(すなわちコレクタ電源2の電圧を制御することで)、エミッタ電流を制御することができ、これにより、半導体素子11の自己発熱量(=エミッタ電流×コレクタ・エミッタ間電圧)を制御することが可能となっている。
このように構成される絶縁樹脂硬化装置を、入力部6から制御部5へ目標温度を入力した上で作動させると、制御部5によりコレクタ電源2が制御されて半導体素子11に通電がなされる。
この通電の初期においては、半導体素子11の温度が目標温度に対して低いため、コレクタ電源2は制御部5により電圧が高くなるように制御され、半導体素子11には大電流が流れて発熱し始める。
やがて半導体素子11の発熱によりパワーモジュール1の温度が目標温度に近づいてくると、制御部5はコレクタ電源2の電圧を下げる制御を行い、パワーモジュール1の温度は目標温度で均衡することとなる。
なお、目標温度は、半導体素子11の動作可能上限温度よりも低い温度で、かつ絶縁樹脂12の硬化温度よりも高い温度に設定する。
この通電の初期においては、半導体素子11の温度が目標温度に対して低いため、コレクタ電源2は制御部5により電圧が高くなるように制御され、半導体素子11には大電流が流れて発熱し始める。
やがて半導体素子11の発熱によりパワーモジュール1の温度が目標温度に近づいてくると、制御部5はコレクタ電源2の電圧を下げる制御を行い、パワーモジュール1の温度は目標温度で均衡することとなる。
なお、目標温度は、半導体素子11の動作可能上限温度よりも低い温度で、かつ絶縁樹脂12の硬化温度よりも高い温度に設定する。
半導体素子11への通電開始からのパワーモジュール1におけるエミッタ電極1bおよびコレクタ電極1cの温度は、図4に示すように変化する。つまり、発熱する半導体素子11と各電極1b・1cとは、はんだ14にて接続されているため、各電極1b・1cも半導体素子11と略同時に温度上昇し、目標温度T1に達するとその温度に維持される。
そして、図4に実線で示す、本絶縁樹脂硬化装置での加熱による温度上昇は、図4に点線で示す、高温槽により雰囲気加熱した場合の温度上昇に比べて速くなっている。
そして、図4に実線で示す、本絶縁樹脂硬化装置での加熱による温度上昇は、図4に点線で示す、高温槽により雰囲気加熱した場合の温度上昇に比べて速くなっている。
図5には、パワーモジュール1の加熱開始からの経過時間による絶縁樹脂12の粘度変化を示している。
図5に示すように、高温槽による雰囲気加熱を行った場合のように、緩やかに温度上昇した場合には絶縁樹脂12の粘度はP1までしか低下しないが、本絶縁樹脂硬化装置にて半導体素子11を直接発熱させた場合のように、急激な温度上昇を実現できる場合には、P1よりも低い粘度P2まで絶縁樹脂12の粘度を低下させることが可能となる。
図5に示すように、高温槽による雰囲気加熱を行った場合のように、緩やかに温度上昇した場合には絶縁樹脂12の粘度はP1までしか低下しないが、本絶縁樹脂硬化装置にて半導体素子11を直接発熱させた場合のように、急激な温度上昇を実現できる場合には、P1よりも低い粘度P2まで絶縁樹脂12の粘度を低下させることが可能となる。
このように、雰囲気加熱の場合よりも低い粘度P2まで絶縁樹脂12の粘度を低下させることができるので、絶縁樹脂12を放熱器13と電極1b・1cとで挟み込んで加圧したときに生じる、放熱器13と絶縁樹脂12との間、および各電極1b・1cと絶縁樹脂12との間に気泡を、容易に追い出すことが可能となって、放熱器13と絶縁樹脂12、および各電極1b・1cと絶縁樹脂12とを、気泡無く接合して密着させることができる。
これにより、パワーモジュール1の半導体素子11から放熱器13への放熱性を維持することができ、信頼性向上を図ることもできる。
また、素早く温度上昇させることができるので、絶縁樹脂12の加熱・硬化に要する時間を短縮することができ、生産性を向上することができる。
さらに、本絶縁樹脂硬化装置は、パワーモジュール1の半導体素子11自身を加熱源としているので、高温炉等の大掛かりな設備が必要でなく、設備投資を低減して製品の低コスト化を図ることができる。
また、素早く温度上昇させることができるので、絶縁樹脂12の加熱・硬化に要する時間を短縮することができ、生産性を向上することができる。
さらに、本絶縁樹脂硬化装置は、パワーモジュール1の半導体素子11自身を加熱源としているので、高温炉等の大掛かりな設備が必要でなく、設備投資を低減して製品の低コスト化を図ることができる。
なお、本実施例では制御部5によりコレクタ・エミッタ間電圧を制御する例を示したが、本絶縁樹脂硬化装置におけるパワーモジュール1の温度制御は、半導体素子11の動作可能上限温度よりも低い温度で、かつ絶縁樹脂12の硬化温度よりも高い温度に制御すればよいので、以下のような制御を行うことも可能である。
すなわち、コレクタ・エミッタ電圧を一定として、ゲート電圧を制御することによりエミッタ電流を変化させて半導体素子11の発熱量を調節してもよく、また、コレクタ・エミッタ電圧を一定として、ゲート電極1aに与えるパルス電圧の時間幅を制御して半導体素子11の発熱量を調節することもできる。
すなわち、コレクタ・エミッタ電圧を一定として、ゲート電圧を制御することによりエミッタ電流を変化させて半導体素子11の発熱量を調節してもよく、また、コレクタ・エミッタ電圧を一定として、ゲート電極1aに与えるパルス電圧の時間幅を制御して半導体素子11の発熱量を調節することもできる。
1 パワーモジュール
2 コレクタ電源
4 温度検出器
5 制御部
11 半導体素子
12 絶縁樹脂
13 放熱器
2 コレクタ電源
4 温度検出器
5 制御部
11 半導体素子
12 絶縁樹脂
13 放熱器
Claims (2)
- パワーモジュールの電極と放熱器との間に介在させた絶縁樹脂を硬化させる方法であって、
パワーモジュールの半導体素子に通電して発熱させ、半導体素子の温度を温度検出手段により検出し、検出した半導体素子温度に応じて半導体素子へ通電する電力の大きさを制御することを特徴とするパワーモジュールの絶縁樹脂硬化方法。 - パワーモジュールの電極と放熱器との間に介在させた絶縁樹脂を硬化させる装置であって、
パワーモジュールの半導体素子に通電するための電源と、
半導体素子の温度を検出する温度検出手段と、
検出した半導体素子温度に応じて半導体素子へ通電する電力の大きさを制御する制御手段とを備えることを特徴とするパワーモジュールの絶縁樹脂硬化装置。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
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2004
- 2004-03-17 JP JP2004076690A patent/JP2005268432A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110676237A (zh) * | 2019-09-15 | 2020-01-10 | 天水华天电子集团股份有限公司 | 基于微小级别ssop封装的散热智能功率半导体模块及其制备方法与应用 |
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