JP2012119399A - 静電チャックおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、静電引力を発生させる電極18を有する複数の吸着領域R1〜R4と、前記複数の吸着領域R1〜R4それぞれに対し、他の吸着領域R1〜R4と独立して、その静電引力を制御する制御部24と、を具備する静電チャック装置である。
【選択図】図2
Description
18a 第1電極
18b 第2電極
24 制御部
21a、34 第1配線
21b、36 第2配線
60 半導体チップ
61 半導体素子
50、66、70、76、80、84、86 基板
78 ピックアップ装置
Claims (11)
- 静電引力を発生させる電極を有する複数の吸着領域と、
前記複数の吸着領域それぞれに対し、他の吸着領域と独立して、その静電引力を制御する制御部と、
を具備することを特徴とする静電チャック装置。 - 前記複数の吸着領域それぞれには、正電圧が印加される複数の第1電極と負電圧が印加される複数の第2電極とが設けられてなり、同じ吸着領域内においては、これら複数の第1および第2電極が共通に制御されることを特徴とする請求項1記載の静電チャック装置。
- 請求項1または2記載の静電チャックを含む第1基板が、所定の間隔で配列された複数の半導体チップを吸着する工程と、
前記第1基板の吸着力を制御し、前記複数の半導体チップのうち、前記所定の間隔よりも広い間隔で複数の半導体チップに対する吸着力を低減する工程と、
前記吸着力が低減された複数の半導体チップを同時にピックアップする工程と、
前記ピックアップされた前記複数の半導体チップを第2基板に同時に貼り付ける工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2記載の静電チャックを含むピックアップ装置により、所定の間隔で配列された複数の半導体チップから、前記所定の間隔よりも広い間隔で複数の半導体チップを同時にピックアップする工程と、
前記ピックアップされた前記複数の半導体チップを第2基板に同時に貼り付ける工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2記載の静電チャックを含む第1基板が、所定の間隔で配列された複数の半導体チップを吸着する工程と、
前記第1基板の吸着力を制御し、前記複数の半導体チップのうち、前記所定の間
隔よりも広い間隔で複数の半導体チップに対する吸着力を低減する工程と、
請求項1または2記載の静電チャックを含むピックアップ装置により、前記吸着力が低減された複数の半導体チップを同時にピックアップする工程と、
前記ピックアップされた前記複数の半導体チップを第2基板に同時に貼り付ける工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2基板上には外部と接続するためのパッドが設けられてなり、前記複数の半導体チップを貼り付けた後、前記パッドと前記複数の半導体チップとの間を接続する配線を形成する工程を実施することを特徴とする請求項3から5のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記所定の間隔で配列された前記複数の半導体チップは、側面が互いに離間した複数の半導体素子を第3基板上に形成する工程と、前記第3基板の厚みを減じる工程を実施することで、前記複数の半導体素子を個別の半導体チップに分離することにより形成されることを特徴とする請求項3から5のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数の半導体チップを同時に第2基板に貼り付ける工程は、請求項1または2の静電チャックを含む第5基板を用意し、その吸着力を吸着対象となる半導体チップに対応させて選択的に制御し、前記ピックアップされた複数の半導体チップを前記第5基板上に移載する工程と、
前記第5基板上に配置された前記複数の半導体チップを第6基板に同時に貼り付ける工程と、
前記第6基板に貼り付けられた前記複数の半導体チップを前記第2基板に貼り付ける工程と、
により実施されることを特徴とする請求項3から5のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複数の半導体チップを同時にピックアップする工程を複数回実行することで、前記所定の間隔よりも広い間隔で複数の半導体チップを配列する工程と、
前記複数の半導体チップを、同時に前記第2基板上に貼り付ける工程と、
を含むことを特徴とする請求項3から5のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。 - 前記所定の間隔で配列された複数の半導体チップの組が複数用意され、前記複数の半導体チップを同時にピックアップする工程を前記複数の組の半導体チップに対してそれぞれ実行し、共通の前記第2基板上に前記複数の組からピックアップされた複数の半導体チップを貼り付けることを特徴とする請求項3から5のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップは窒化物半導体であり、前記第2基板はAlN基板、SiC基板またはSi基板であることを特徴とする請求項3から5のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
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