JP2015032797A - 窒化物半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】転写基板101上に、In層102、BN層103を有し、その上にGaN層104、AlGaInN層105が順に積層されたAlGaInN/GaNヘテロ構造を有している。さらにAlGaInN層105上にソース電極S、ゲート電極G、ドレイン電極Dが形成され、窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)を構成している。転写基板101と窒化物半導体HFETとを接着するためにIn層102を利用しているが、Inの替わりに、例えばAuやAg等を使用することもできる。
【選択図】図1
Description
成長基板201上に、AlN核形成層202、BN層203を成長させ、その上にGaN層204、AlGaInN層205が順に積層されたAlGaInN/GaNヘテロ構造を順に成長させる。さらに、ドライエッチングプロセスによりメサを形成し、フォトリソグラフィ、EB蒸着とリフトオフによりソース電極S、ゲート電極G、ドレイン電極Dを形成する工程を経て窒化物半導体HFETを作製する(図2(a))。
作製した窒化物半導体HFETの電極を含むAlGaInN層205の表面を、接着剤206で固定板207等に固定した後(図2(b))、成長基板201に力学的な力を加えて、BN層203から剥離する(図2(c))。
BN層203の剥離された面に電気メッキによりInをコーティングし、Inコーティング層208を形成する。また、転写基板である銅板209表面にもInを同様にコーティングしてInコーティング層208を形成する(図2d)。
BN層203側のInコーティング層208と銅板209側のInコーティング層208とが密着するように銅板209の上に窒化物半導体HFETを置き、おもしで押し付けてから融点以上で、融点近傍の温度、Inの場合は180℃程度に加熱して熱圧着により、窒化物半導体HFETを転写基板である銅板209に接着する(図2e)。
窒化物半導体HFETが銅板209に接着された後、固定板207を窒化物半導体HFETから取り外す(図2f)。
102 In層
103 BN層
104 GaN層
105 AlGaInN層
201 成長基板
202 AlN核形成層
203 層状BN層
204 GaN層
205 AlGaInN層
206 接着剤
207 固定板
208 Inコーティング層
209 銅板
301 転写基板
302 BN層
303 GaN層
304 AlGaInN層
Claims (5)
- 成長基板上に堆積された窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子の表面側を固定具に固定する工程と、
前記窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子を前記成長基板から剥離する工程と、
剥離した前記窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子と転写基板とを熱圧着により接合する工程と、
を有することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記熱圧着により接合する工程は、前記窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子の剥離された面および転写基板の表面に金属をコーティングする工程を含み、
前記熱圧着により接合する工程は、前記窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子と前記転写基板とを前記金属がコーティングされた面同士を密着させ、熱圧着により接合することを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記金属をコーティングする工程は、剥離した前記窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子の剥離された面および転写基板の表面に、電気メッキ法あるいは蒸着法を使用して金属をコーティングすることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
- 前記金属は、In、Au及びAgのいずれかであることを特徴とする請求項2又は3に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
- 転写基板と、
前記転写基板上に積層された金属層と、
前記金属層上に積層された、前記転写基板とは異なる成長基板上に成長可能な窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子と、
を有することを特徴とする窒化物半導体素子構造。
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