JP5876386B2 - 窒化物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の実施の形態1について、図1A〜図1Gを用いて説明する。図1A〜図1Gは、本発明の実施の形態1における窒化物半導体装置の製造方法を説明するための各工程における状態を示す断面図である。
次に、本発明の実施の形態2について、図2A〜図2Gを用いて説明する。図2A〜図2Gは、本発明の実施の形態2における窒化物半導体装置の製造方法を説明するための各工程における状態を示す断面図である。
Claims (2)
- GaNからなる第1基板の上に六方晶系の窒化ホウ素またはInNxOy(0≦x,y≦1、xおよびyは同時に0ではない)からなる分離層を形成する第1工程と、
前記分離層の上に窒化物半導体からなる複数の半導体層を結晶成長して半導体積層構造を形成する第2工程と、
前記半導体積層構造の上に第2基板を貼り付ける第3工程と、
前記半導体積層構造と前記第1基板とを前記分離層で分離する第4工程と、
前記半導体積層構造に残っている前記分離層に第3基板を貼り付ける第5工程と、
前記半導体積層構造より前記第2基板を剥離する第6工程と、
前記第3基板の上に配置されている前記半導体積層構造より半導体装置を作製する第7工程と
を少なくとも備えることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の窒化物半導体装置の製造方法において、
前記第3基板は、金属または導電性シリコンから構成されていることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR3055064B1 (fr) * | 2016-08-11 | 2018-10-05 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de fabrication d'une couche epitaxiee sur une plaque de croissance |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4478268B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2010-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜デバイスの製造方法 |
FR2871172B1 (fr) * | 2004-06-03 | 2006-09-22 | Soitec Silicon On Insulator | Support d'epitaxie hybride et son procede de fabrication |
JP2006344618A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Fujifilm Holdings Corp | 機能性膜含有構造体、及び、機能性膜の製造方法 |
JP2007332012A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウェハの製造方法 |
CN104538507B (zh) * | 2008-06-02 | 2017-08-15 | Lg伊诺特有限公司 | 用于制备半导体发光装置的方法 |
WO2010110489A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Dowaホールディングス株式会社 | Iii族窒化物半導体成長用基板、iii族窒化物半導体エピタキシャル基板、iii族窒化物半導体素子およびiii族窒化物半導体自立基板、ならびに、これらの製造方法 |
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JP2014022584A (ja) | 2014-02-03 |
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