CN113841223A - 半导体基板的制造方法和半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体基板的制造方法和半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113841223A
CN113841223A CN201980096547.7A CN201980096547A CN113841223A CN 113841223 A CN113841223 A CN 113841223A CN 201980096547 A CN201980096547 A CN 201980096547A CN 113841223 A CN113841223 A CN 113841223A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
layer
nitride semiconductor
main surface
film layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201980096547.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113841223B (zh
Inventor
桧座秀一
西村邦彦
藤川正洋
滝口雄贵
柳生荣治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN113841223A publication Critical patent/CN113841223A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113841223B publication Critical patent/CN113841223B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/06—Joining of crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02389—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3185—Partial encapsulation or coating the coating covering also the sidewalls of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3732—Diamonds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体基板的制造方法，其具备：工序(a)，准备在生长基板的第一主面形成有氮化物半导体层的外延基板和第一支承基板，在生长基板的第一主面与第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将外延基板与第一支承基板贴合；工序(b)，在工序(a)之后，使生长基板的第二主面薄板化；工序(c)，在工序(b)之后，从经薄板化的生长基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层；工序(d)，在工序(b)之后，从第一支承基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第二保护薄膜层；工序(e)，在工序(c)和(d)之后，将经薄板化的生长基板除去；工序(f)，在工序(e)之后，在氮化物半导体层上贴合第二支承基板；和工序(g)，在工序(f)之后，将第一支承基板和树脂粘接层除去。

Description

半导体基板的制造方法和半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体基板的制造方法，特别涉及形成有氮化物半导体层的半导体基板的制造方法。
背景技术
作为高输出的半导体元件，已知使用了氮化物半导体的电场效应晶体管例如高电子迁移率晶体管(HEMT：high electron mobility transistor))。这样的半导体元件在高输出动作时，由于温度上升，动作特性和可靠性的降低显著。因此，为了抑制该半导体元件的温度上升，多采用将散热性高的材料设置在发热部附近来进行散热的构成。特别是，金刚石为固体物质中具有最大的热导率的材料，具有作为散热材料优选的性质。因此，采用将氮化物半导体层形成在金刚石上的构造来实现半导体元件的散热性提高的技术已在例如非专利文献1中公开。
作为氮化物半导体层的制造技术，确立了在由硅(Si)、碳化硅(SiC)、蓝宝石(Al2O3)等构成的基板上采用异质外延生长形成氮化物半导体层的技术，作为氮化物半导体元件的制造技术的一部分，已广泛地利用。
另一方面，采用异质外延生长在金刚石基板上直接形成氮化物半导体层的技术仍在研究中，其制法尚未确立。因此，作为用于在金刚石基板上形成半导体层的技术的一例，例如非专利文献2中公开了将半导体层与金刚石基板进行贴合从而一体化的方式。
另外，专利文献1中公开了如下技术：使用树脂的粘接层将第一支承基板与SOI基板粘接后，将SOI基板研磨使厚度变薄后，使用低熔点玻璃膜，与使厚度变薄了的半导体基板和蓝宝石等第二支承基板粘接，最终将第一支承基板除去，从而在第二支承基板上形成半导体元件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平6-268183号公报
非专利文献
非专利文献1：Felix Ejeckam“Keeping cool with diamond”COMPOUNDSEMICONDUCTOR第20卷第7期2014 41-45
非专利文献2：D.Francis,F.Faili,D.Babic,F.Ejeckam,A.Nurmikko,H.Maris“Formation and characterization of 4-inch GaN-on-diamond substrates”Diamond&Related Materials 19(2010)229-233
发明内容
发明要解决的课题
一般地，通过外延生长在生长基板上形成的半导体层具有数μm左右的极薄的膜厚，因此将半导体层从生长基板分离后进行在其他基板上贴合的工序是不可能的。在非专利文献2中，公开了如下技术：为了暂时地保持在生长基板上形成的氮化物半导体层，将支承基板贴合于氮化物半导体层后，将生长基板除去，在其除去面上贴合金刚石基板，最终将支承基板除去。
作为将支承基板贴合于氮化物半导体层的方法，可采用如专利文献1中公开那样的使用树脂的粘接层进行贴合的方法。但是，在Si、SiC、Al2O3等的基板上采用异质外延生长形成的氮化物半导体层由于生长基板与氮化物半导体层的材质的不同，热膨胀率、晶格常数等不同，因此具有高的内部应力。因此，由于在使用树脂的粘接层将支承基板粘接后，使生长基板变薄，从而存在氮化物半导体层的内部应力释放，在氮化物半导体层中产生裂纹，最终在氮化物半导体层上形成的半导体元件的动作特性降低的问题。
本发明为了解决上述的问题而完成，目的在于提供一种抑制由于氮化物半导体层具有的内部应力从而在氮化物半导体层中产生裂纹的半导体基板的制造方法。
用于解决课题的手段
本发明涉及的半导体基板的制造方法具备：工序(a)，其中，准备在作为氮化物半导体基板的生长基板的第一主面上使氮化物半导体层外延生长的外延基板和第一支承基板，在所述生长基板的所述第一主面与所述第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将所述外延基板与所述第一支承基板贴合；工序(b)，其中，在所述工序(a)之后，将所述生长基板的形成有所述氮化物半导体层的所述第一主面的相反侧的第二主面除去到一定厚度，将所述生长基板薄板化；工序(c)，其中，在所述工序(b)之后，从经薄板化的所述生长基板的所述第二主面到所述树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层；工序(d)，其中，在所述工序(b)之后，从所述第一支承基板的所述第一主面的相反侧的第二主面到所述树脂粘接层的侧面，形成第二保护薄膜层；工序(e)，其中，在所述工序(c)和(d)之后，将经薄板化的所述生长基板除去，使所述氮化物半导体层露出；工序(f)，其中，在所述工序(e)之后，在所述氮化物半导体层上贴合第二支承基板；和工序(g)，其中，在所述工序(f)之后，将所述第一支承基板和树脂粘接层除去。
发明效果
根据本发明涉及的半导体基板的制造方法，在将容易成为裂纹的基点的基板端缘部附近的氮化物半导体层与生长基板的接合部分被第一或第二保护薄膜层保护的状态下将生长基板除去，因此能够抑制氮化物半导体层中包含的内部应力引起的裂纹的产生。因此，能够得到在金刚石基板等放热性高的异种基板上设置有氮化物半导体层的半导体基板。
附图说明
图1为示出本发明涉及的实施方式1的半导体基板的构成的截面图。
图2为说明本发明涉及的实施方式1的半导体基板的制造方法的截面图。
图3为说明本发明涉及的实施方式1的半导体基板的制造方法的截面图。
图4为说明本发明涉及的实施方式1的半导体基板的制造方法的截面图。
图5为说明本发明涉及的实施方式1的半导体基板的制造方法的截面图。
图6为说明本发明涉及的实施方式1的半导体基板的制造方法的截面图。
图7为说明本发明涉及的实施方式1的半导体基板的制造方法的截面图。
图8为说明本发明涉及的实施方式1的半导体基板的制造方法的截面图。
图9为示出本发明涉及的实施方式2的半导体装置的构成的截面图。
图10为说明本发明涉及的实施方式2的半导体装置的制造方法的截面图。
图11为说明本发明涉及的实施方式2的半导体装置的制造方法的截面图。
图12为说明本发明涉及的实施方式2的半导体装置的制造方法的截面图。
图13为说明本发明涉及的实施方式2的半导体装置的制造方法的截面图。
图14为说明本发明涉及的实施方式2的半导体装置的制造方法的截面图。
图15为说明本发明涉及的实施方式2的半导体装置的制造方法的截面图。
图16为说明本发明涉及的实施方式2的半导体装置的制造方法的截面图。
图17为说明本发明涉及的实施方式2的半导体装置的制造方法的截面图。
具体实施方式
以下对于本发明涉及的半导体基板的制造方法的实施方式，使用附图进行说明。应予说明，附图为示意性的表示，在不同的附图中分别表示的图像的尺寸和位置的相互关系未必是正确的记载，长度方向、深度方向和高度方向的各自的尺寸的关系、比率与现实不同。另外，在以下的说明中，对于同样的构成要素标注相同的附图标记进行图示，它们的名称和功能也相同。因此，有时省略对于它们的详细的说明。
＜实施方式1＞
图1为示出采用本发明涉及的实施方式1的半导体基板的制造方法制造的半导体基板100的构成的截面图。图1中所示的半导体基板100具有例如在金刚石基板等热导率高的支承基板10上形成的氮化物半导体层2。氮化物半导体层2为在与支承基板10不同的生长基板上通过异质外延生长而形成的半导体层，在原样地维持异质外延生长时的晶面的状态下转移至支承基板10上。因此，在氮化物半导体层2上能够形成质量高的氮化物半导体元件。
其次，对于半导体基板100的制造方法，使用依次表示制造工序的截面图即图2～图8进行说明。
图2为说明使用树脂粘接层将支承基板贴合于在生长基板1上异质外延生长的氮化物半导体层2的第一工序的图。
在第一工序中，首先，准备在GaN(氮化镓)基板等氮化物半导体基板即生长基板1的主面上采用异质外延生长形成了氮化物半导体层2的外延基板ES。
然后，准备选自玻璃基板、蓝宝石基板、Si基板和SiC基板等中的支承基板BS(第一支承基板)，以外延基板ES的形成有氮化物半导体层2的一侧的主面与支承基板BS的贴合用的主面(第一主面)相面对的方式将外延基板ES与支承基板BS采用树脂粘接剂进行贴合，从而成为外延基板ES与支承基板BS采用树脂粘接剂层AH粘接的形态。
作为树脂粘接剂，可使用丙烯酸系树脂、环氧树脂、有机硅树脂、改性有机硅树脂等公知的树脂粘接剂，优选使用通过化学反应进行固化的非溶剂稀释的粘接剂，例如优选丙烯酸系树脂、环氧树脂和有机硅树脂等。
在贴合后，为了提高树脂粘接剂层AH的机械强度，进行固化处理。就固化条件而言，可根据所使用的树脂粘接剂层AH来选择任意的条件，例如在70度的送风干燥炉内进行6小时的加热处理。
支承基板BS的功能是用于其后的工序中的氮化物半导体层2的支承，因此从耐热性、机械强度、和对于制造工序中使用的药液的耐性的观点出发，只要可耐受工序，则并不限于上述的基板，能够使用任意的材质。
图3为说明将支承基板BS贴合于外延基板ES并使粘接层固化后的贴合完毕的基板的生长基板1薄板化的第二工序的图。
在第二工序中，如图3中所示那样，将生长基板1的形成有氮化物半导体层2的主面的相反侧的主面(背面)除去至一定厚度。作为除去方法，可使用机械研磨、干蚀刻、采用溶液的湿蚀刻等，从除去速度的观点出发，优选采用机械研磨。在本工序中从背面侧实施的生长基板1的薄板化优选以生长基板1的厚度成为5μm以上且100μm以下的范围的方式实施，更优选以生长基板1的厚度成为7μm以上且30μm以下的范围的方式实施。
在本工序实施后的生长基板1的厚度比上述范围大的情况下，后面实施的第五工序中的工序时间延长，半导体基板100的制造成本上升。另一方面，在本工序实施后的生长基板1的厚度比上述范围小的情况下，氮化物半导体层2的内部的应力释放，有可能产生裂纹。
图4为说明将生长基板1薄板化后从生长基板1的背面到树脂粘接剂层AH的侧面形成保护薄膜层的第三工序的图。
在第三工序中，如图4中所示那样，从经薄板化的生长基板1的背面到树脂粘接剂层AH的侧面，形成保护薄膜层PF1(第一保护薄膜层)。保护薄膜层PF1可使用氧化硅、氮化硅、氧化铝等，均适合作为保护薄膜层PF1，从机械强度的观点出发，优选氮化硅，膜厚例如设为2μm。
作为保护薄膜层PF1的形成方法，可使用等离子体化学气相沉积(chemical vapordeposition：CVD)法、溅射法、原子层生长(atomic layer epitaxy；ALE)法、原子层沉积(atomic layer deposition：ALD)法、作为不使用等离子体的低温薄膜沉积法的催化CVD法、溶液生长法等公知的薄膜形成方法，均适合保护薄膜层PF1的成膜，从生长膜的致密性、基板侧面的被覆性的观点出发，优选原子层沉积法。
采用这些形成方法形成保护薄膜层PF1时的成膜时的加热温度优选为不超过作为树脂粘接剂层AH的主成分的树脂的玻璃化转变温度的低于玻璃化转变温度的温度。在成膜时的加热温度超过作为粘接剂层AH的主成分的树脂的玻璃化转变温度的温度的情况下，树脂粘接剂层AH的机械性质显著地降低、热分解反应进行等，有可能显著损害作为用于将支承基板BS贴合于外延基板ES的粘接层的效果。
图5为说明从支承基板BS的第一主面的相反侧的背面(第二主面)到由树脂粘接剂层AH形成的粘接层的侧面形成保护薄膜层的第四工序的图。
在第四工序中，如图5中所示那样，从支承基板BS的背面到由树脂粘接剂层AH形成的粘接层的侧面，形成保护薄膜层PF2(第二保护薄膜层)。因此，在粘接层的侧面，保护薄膜层PF1与保护薄膜层PF2重叠。应予说明，第三工序与第四工序的实施顺序可相互替换。优选使本工序中的保护薄膜层PF2的材质、形成方法、成膜温度、膜厚与第三工序中的保护薄膜层PF1相同。
图6为说明将生长基板1完全除去、使氮化物半导体层2的背面露出的第五工序的图。
在第五工序中，如图6中所示那样，将生长基板1完全除去，使氮化物半导体层2露出。作为使氮化物半导体层2露出的方法，可使用机械研磨、化学机械研磨(chemicalmechanical polishing：CMP)、干蚀刻、采用溶液的湿蚀刻等公知的方法，优选使用CMP。采用CMP实施本工序的情况下，露出表面成为在原子层水平上精密平坦化的状态，因此后面的工序中实施的与新的基板贴合后的强度提高。
图7为说明在氮化物半导体层2的背面接合新的支承基板10(第二支承基板)的第六工序的图。
在第六工序中，如图7中所示那样，在氮化物半导体层2的背面贴合新的支承基板10。作为新的支承基板10，为了提高在氮化物半导体层2所形成的氮化物半导体元件的动作特性和可靠性，优选使用热导率高的材料，优选使用金刚石基板。作为将新的支承基板10贴合的方法，可采用焊接接合、常温活化接合、使用粘接剂的粘接等公知的方法，为了提高氮化物半导体元件的性能和可靠性，优选尽可能减小氮化物半导体层2与新的支承基板10的界面热阻。因此，优选采用常温活化接合进行贴合。常温活化接合也称为表面活化常温接合(Surface activated Room temperature Bonding)，是在真空中对接合面进行表面处理从而使表面的原子成为容易化学结合(键合)的活性的状态，从而进行接合的方法。
图8为说明将支承基板BS除去的第七工序的图。在第七工序中，如图8中所示那样，进行支承基板10的相反侧的支承基板BS的除去。就除去方法而言，可使用将树脂粘接剂层AH浸渍于溶剂中使物理性质脆化后利用机械作用将支承基板BS剥离的方法、对树脂粘接剂层AH进行热处理使其燃烧从而将支承基板BS除去的方法、对树脂粘接剂层AH进行热硫酸处理而使有机成分氧化气化从而将支承基板BS除去的方法等公知的方法。
通过将树脂粘接剂层AH和支承基板BS除去，从而覆盖它们的侧面和底面的保护薄膜层PF1和PF2被除去，在氮化物半导体层2的周围的支承基板10上保护薄膜层PF1残留。保护薄膜层PF1可原样地残留，在除去的情况下，可列举出将保护薄膜层PF1浸渍于可溶解的溶液中的方法。在选择氮化硅作为保护薄膜层PF1的材质的情况下，能够使用磷酸系溶液。再有，图1中所示的半导体基板100示出了将保护薄膜层PF1从氮化物半导体层2的周围的支承基板10上除去的情形。
再有，在第七工序中将支承基板BS除去之前，可采用药液处理将保护薄膜层PF1和PF2除去。作为将保护薄膜层PF1和PF2除去的方法，可列举出将保护薄膜层PF1和PF2浸渍于可溶解的溶液中的方法。在选择氮化硅作为保护薄膜层PF1和PF2的材质的情况下，能够使用磷酸系溶液或包含氢氟酸的水溶液等进行除去。
采用以上说明的本实施方式1的制造方法制造的半导体基板100如使用图6说明那样，在容易成为裂纹的基点的、基板端缘部附近的、氮化物半导体层2与生长基板1的接合部分被保护薄膜层PF1保护的状态下将生长基板1除去，因此即使在将生长基板1除去的情况下，也能够抑制氮化物半导体层2中包含的内部应力引起的裂纹的产生。因此，能够得到将氮化物半导体层2设置于金刚石基板等放热性高的异种基板上的半导体基板100。
通过在该半导体基板100的氮化物半导体层2上采用公知的制造工艺形成发光元件、电力增幅元件等，从而可抑制各元件的发热上升，其结果可得到动作特性和可靠性提高的氮化物半导体元件。
＜实施方式2＞
图9为示出采用本发明涉及的实施方式2的半导体装置的制造方法制造的半导体装置200的构成的截面图。
图9中所示的半导体装置200具备例如在金刚石基板等热导率高的支承基板10上形成的氮化物半导体层2上形成的氮化物半导体元件11。作为氮化物半导体元件11，例如可列举出高电场迁移率晶体管(HEMT)等。应予说明，图9为示意性地表示的图，没有详细地示出在半导体基板100的氮化物半导体层2上设置的HEMT的漏极、源极、栅电压等，作为在氮化物半导体层2的表面设置的构成，概括地作为方块状的构成示出。
氮化物半导体层2为在与支承基板10不同的生长基板上通过异质外延生长形成的半导体层，在原样地维持异质外延生长时的晶面的状态下迁移至支承基板10上。因此，在氮化物半导体层2上形成的氮化物半导体元件11成为质量高的半导体元件。
其次，对于半导体装置200的制造方法，使用依次示出制造工序的截面图即图10～图17进行说明。
图10示出准备了在生长基板1上形成有异质外延生长的氮化物半导体层2的外延基板ES后，在氮化物半导体层2形成了氮化物半导体元件11的状态。
在本实施方式中，作为在氮化物半导体层2上形成的氮化物半导体元件11，形成HEMT。HEMT的形成能够使用公知的制造方法，例如，能够采用电子信息通信学会论文志C(Vol.J86-C第4期第396-403页2003年4月)中记载的制造方法来形成。再有，HEMT的制造方法并不限定于此，另外，可形成HEMT以外的半导体元件作为氮化物半导体元件11。
图11为说明使用树脂粘接层将支承基板贴合于形成有氮化物半导体元件11的状态的氮化物半导体层2的第一工序的图。
在第一工序中，准备形成有氮化物半导体元件11的外延基板ES、和选自玻璃基板、蓝宝石基板、Si基板和SiC基板等中的支承基板BS(第一支承基板)，以外延基板ES的形成有氮化物半导体元件11的一侧的主面与支承基板BS的贴合用的主面相面对的方式将外延基板ES与支承基板BS采用树脂粘接剂贴合，从而成为外延基板ES与支承基板BS采用树脂粘接剂层AH粘接的形态。
作为树脂粘接剂，可使用丙烯酸系树脂、环氧树脂、有机硅树脂、改性有机硅树脂等公知的树脂粘接剂，优选丙烯酸系树脂、环氧树脂和有机硅树脂等。
在贴合后，为了提高树脂粘接剂层AH的机械强度，进行固化处理。固化条件可根据所使用的树脂粘接剂层AH来选择任意的条件，例如在70度的送风干燥炉内进行6小时的加热处理。
支承基板BS的功能是为了其后的工序中的氮化物半导体层2的支持，因此从耐热性、机械强度、和对于制造工序中使用的药液的耐性的观点出发，只要可耐受工序，则并不限于上述的基板，能够使用任意的材质。
图12为说明将支承基板BS贴合于外延基板ES并使粘接层固化后的贴合完成的基板的生长基板1薄板化的第二工序的图。
在第二工序中，如图12中所示那样，将生长基板1的形成有氮化物半导体层2的主面的相反侧的主面(背面)除去到一定厚度。作为除去方法，可使用机械研磨、干蚀刻、采用溶液的湿蚀刻等，从除去速度的观点出发，优选采用机械研磨。在本工序中，从背面侧实施的生长基板1的薄板化优选以生长基板1的厚度成为5μm以上且100μm以下的范围的方式实施，更优选以生长基板1的厚度成为7μm以上且30μm以下的范围的方式实施。
在本工序实施后的生长基板1的厚度比上述范围大的情况下，则后面实施的第五工序中的工序时间延长，半导体基板200的制造成本上升。另一方面，在本工序实施后的生长基板1的厚度比上述范围小的情况下，氮化物半导体层2的内部的应力释放，有可能产生裂纹。
图13为说明将生长基板1薄板化后从生长基板1的背面到树脂粘接剂层AH的侧面形成保护薄膜层的第三工序的图。
在第三工序中，如图13中所示那样，从经薄板化的生长基板1的背面到树脂粘接剂层AH的侧面，形成保护薄膜层PF1(第一保护薄膜层)。保护薄膜层PF1可使用氧化硅、氮化硅、氧化铝等，均适合作为保护薄膜层PF1，从机械强度的观点出发，优选氮化硅，膜厚例如设为2μm。
作为保护薄膜层PF1的形成方法，可使用等离子体CVD法、溅射法、ALE法、ALD法、催化CVD法、溶液生长法等公知的薄膜形成方法，均适合保护薄膜层PF1的成膜，从生长膜的致密性、基板侧面的被覆性的观点出发，优选ALD法。
采用这些形成方法形成保护薄膜层PF1时，成膜时的加热温度优选为不超过作为树脂粘接剂层AH的主成分的树脂的玻璃化转变温度的温度。在成膜时的加热温度为超过作为粘接剂层AH的主成分的树脂的玻璃化转变温度的温度的情况下，树脂粘接剂层AH的机械性质显著地降低、热分解反应进行等，有可能显著损害作为用于将支承基板BS贴合于外延基板ES的粘接层的效果。
图14为说明从支承基板BS的背面到由树脂粘接剂层AH形成的粘接层的侧面形成保护薄膜层的第四工序的图。
在第四工序中，如图14中所示那样，从支承基板BS的背面到由树脂粘接剂层AH形成的粘接层的侧面，形成保护薄膜层PF2(第二保护薄膜层)。因此，在粘接层的侧面，保护薄膜层PF1与保护薄膜层PF2重叠。应予说明，第三工序与第四工序的实施顺序可相互替换。优选使本工序中的保护薄膜层PF2的材质、形成方法、成膜温度、膜厚与第三工序中的保护薄膜层PF1相同。
图15为说明将生长基板1完全除去、使氮化物半导体层2的背面露出的第五工序的图。
在第五工序中，如图15中所示那样，将生长基板1完全除去，使氮化物半导体层2露出。作为使氮化物半导体层2露出的方法，可使用机械研磨、CMP、干蚀刻、采用溶液的湿蚀刻等公知的方法，优选使用CMP。采用CMP实施本工序的情况下，露出表面成为在原子层水平上精密平坦化的状态，因此后面的工序中实施的与新的基板贴合后的强度提高。
图16为说明在氮化物半导体层2的背面接合新的支承基板10(第二支承基板)的第六工序的图。
在第六工序中，如图16中所示那样，在氮化物半导体层2的背面贴合新的支承基板10。作为新的支承基板10，为了提高在氮化物半导体层2所形成的氮化物半导体元件的动作特性和可靠性，优选使用热导率高的材料，优选使用金刚石基板。作为将新的支承基板10贴合的方法，可采用焊接接合、常温活化接合、使用粘接剂的粘接等公知的方法，为了提高氮化物半导体元件的性能和可靠性，优选尽可能减小氮化物半导体层2与新的支承基板10的界面热阻。因此，优选采用常温活化接合进行贴合。
图17为说明将支承基板BS除去的第七工序的图。在第七工序中，如图17中所示那样，进行支承基板10的相反侧的支承基板BS的除去。就除去方法而言，可使用将树脂粘接剂层AH浸渍于溶剂中使物理性质脆化后利用机械作用将支承基板BS剥离的方法、对树脂粘接剂层AH进行热处理使其燃烧从而将支承基板BS除去的方法、对树脂粘接剂层AH进行热硫酸处理而使有机成分氧化气化从而将支承基板BS除去的方法等公知的方法。
通过将树脂粘接剂层AH和支承基板BS除去，从而覆盖它们的侧面和底面的保护薄膜层PF1和PF2被除去，在氮化物半导体层2的周围的支承基板10上保护薄膜层PF1残留。保护薄膜层PF1可原样地残留，在除去的情况下，可列举出将保护薄膜层PF1浸渍于可溶解的溶液中的方法。在选择氮化硅作为保护薄膜层PF1的材质的情况下，能够使用磷酸系溶液或包含氢氟酸的水溶液等进行除去。再有，图9中所示的半导体基板200示出了将保护薄膜层PF1从氮化物半导体层2的周围的支承基板10上除去的情形。
再有，在第七工序中将支承基板BS除去之前，可采用药液处理将保护薄膜层PF1和PF2除去。
采用以上说明的本实施方式2的制造方法制造的半导体装置200如使用图15说明那样，在容易成为裂纹的基点的、基板端缘部附近的、氮化物半导体层2与生长基板1的接合部分被保护薄膜层PF1保护的状态下将生长基板1除去，因此即使在将生长基板1除去的情况下，也能够抑制氮化物半导体层2中包含的内部应力引起的裂纹的产生。因此，能够移设至金刚石基板等放热性高的异种基板上而不损害在氮化物半导体层2设置的氮化物半导体元件11的动作特性和可靠性，其结果可得到动作特性和可靠性提高的半导体装置200。另外，通过如本实施方式2那样，在生长基板1上的氮化物半导体层2上形成氮化物半导体元件11，与将氮化物半导体层2移设至支承基板10上之后形成氮化物半导体元件11的方法相比，氮化物半导体元件11的制造工艺中的基板的处理变得容易。
＜变形例＞
应予说明，在以上说明的本实施方式1和实施方式2中，作为在生长基板1的主面上采用异质外延生长形成氮化物半导体层2的实施方式进行了说明，但氮化物半导体层2并不限定于采用异质外延生长形成的氮化物半导体，也可用采用均质外延生长形成的氮化物半导体构成氮化物半导体层2。
对本发明详细地进行了说明，但上述说明在所有的方面都为例示，本发明并不限定于此。应理解，可在不脱离本发明的范围的情况下设想尚未例示的无数的变形例。
应予说明，本发明在本发明的范围内可将各实施方式自由地组合、或者将各实施方式酌情地变形、省略。

Claims (10)

1.一种半导体基板的制造方法，其具备：
(a)工序，其中，准备在作为氮化物半导体基板的生长基板的第一主面上使氮化物半导体层外延生长的外延基板和第一支承基板，在所述生长基板的所述第一主面与所述第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将所述外延基板与所述第一支承基板贴合，
(b)工序，其中，在所述工序(a)之后，将所述生长基板的形成有所述氮化物半导体层的所述第一主面的相反侧的第二主面除去到一定厚度，使所述生长基板薄板化，
(c)工序，其中，在所述工序(b)之后，从经薄板化的所述生长基板的所述第二主面到所述树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层，
(d)工序，其中，在所述工序(b)之后，从所述第一支承基板的所述第一主面的相反侧的第二主面到所述树脂粘接层的所述侧面，形成第二保护薄膜层，
(e)工序，其中，在所述工序(c)和(d)之后，将经薄板化的所述生长基板除去，使所述氮化物半导体层露出，
(f)工序，其中，在所述工序(e)之后，在所述氮化物半导体层上贴合第二支承基板，和
(g)工序，其中，在所述工序(f)之后，将所述第一支承基板和树脂粘接层除去。
2.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，所述工序(c)和(d)分别包括如下工序：以形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层时的成膜温度不到构成所述树脂粘接层的树脂的玻璃化转变温度的方式形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层。
3.根据权利要求1或2所述的半导体基板的制造方法，其中，所述工序(c)和(d)分别包括如下工序：采用原子层沉积法、溅射法、等离子体CVD法和催化CVD法中的任一者形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层。
4.根据权利要求3所述的半导体基板的制造方法，其中，所述工序(c)和(d)分别包括如下工序：采用氧化硅、氮化硅和氧化铝中的任一者形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层。
5.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，所述工序(b)使所述生长基板薄板化以致所述生长基板的厚度成为7μm以上且30μm以下的范围。
6.一种半导体装置的制造方法，其具备：
(a)工序，其中，准备在作为氮化物半导体基板的生长基板的第一主面上使氮化物半导体层外延生长的外延基板，在所述氮化物半导体层上形成氮化物半导体元件，
(b)工序，其中，准备第一支承基板，在所述生长基板的所述第一主面与所述第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层以致将所述氮化物半导体元件内包，将所述外延基板与所述第一支承基板贴合，
(c)工序，其中，在所述工序(b)之后，将所述生长基板的形成有所述氮化物半导体元件的所述第一主面的相反侧的第二主面除去到一定厚度，将所述生长基板薄板化，
(d)工序，其中，在所述工序(c)之后，从经薄板化的所述生长基板的所述第二主面到所述树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层，
(e)工序，其中，在所述工序(c)之后，从所述第一支承基板的所述第一主面的相反侧的第二主面到所述树脂粘接层的所述侧面，形成第二保护薄膜层，
(f)工序，其中，在所述工序(d)和(e)之后，将经薄板化的所述生长基板除去，使所述氮化物半导体层露出，
(g)工序，其中，在所述工序(f)之后，在所述氮化物半导体层上贴合第二支承基板，
(h)工序，其中，在所述工序(g)之后，将所述第一支承基板和树脂粘接层除去。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，所述工序(d)和(e)分别包括如下工序：以形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层时的成膜温度不到构成所述树脂粘接层的树脂的玻璃化转变温度的方式形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层。
8.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其中，所述工序(d)和(e)分别包括如下工序：采用原子层沉积法、溅射法、等离子体CVD法和催化CVD法中的任一者形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，所述工序(d)和(e)分别包括如下工序：采用氧化硅、氮化硅和氧化铝中的任一者形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层。
10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，所述工序(c)使所述生长基板薄板化以致所述生长基板的厚度成为7μm以上且30μm以下的范围。
CN201980096547.7A 2019-05-23 2019-05-23 半导体基板的制造方法和半导体装置的制造方法 Active CN113841223B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2019/020424 WO2020235074A1 (ja) 2019-05-23 2019-05-23 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113841223A true CN113841223A (zh) 2021-12-24
CN113841223B CN113841223B (zh) 2024-02-06

Family

ID=73458972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980096547.7A Active CN113841223B (zh) 2019-05-23 2019-05-23 半导体基板的制造方法和半导体装置的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11961765B2 (zh)
JP (1) JP7186872B2 (zh)
CN (1) CN113841223B (zh)
DE (1) DE112019007354B4 (zh)
WO (1) WO2020235074A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113841223B (zh) * 2019-05-23 2024-02-06 三菱电机株式会社 半导体基板的制造方法和半导体装置的制造方法

Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10190029A (ja) * 1996-12-27 1998-07-21 Canon Inc 半導体基材及び太陽電池の製造方法及びその製造装置
KR20010100375A (ko) * 2000-05-01 2001-11-14 구자홍 질화물 반도체막 성장 방법
US20020127791A1 (en) * 2001-03-09 2002-09-12 Fujitsu Limited Semiconductor device and its manufacture method
JP2002280246A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Cyntec Co Ltd バイアプラグの製作方法
JP2002329672A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体から成る単体基板の製造方法
JP2003055097A (ja) * 2001-08-07 2003-02-26 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体から成る単体基板及びその製造方法
CN1441982A (zh) * 2000-06-19 2003-09-10 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体基板及制法和使用该基板的氮化物半导体装置
TW586136B (en) * 2001-03-30 2004-05-01 Toyoda Gosei Kk Manufacturing method for semiconductor substrate
JP2005072572A (ja) * 2003-08-06 2005-03-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶基板の製造方法、それに用いるエッチング液、ｉｉｉ族窒化物結晶基板、ならびにそれを用いた半導体素子
JP2005141090A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Chunghwa Picture Tubes Ltd ゲート端子とリード線を保護する装置及びその方法
JP2006310657A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子及び窒化物系半導体素子の製造方法
KR101207412B1 (ko) * 2011-06-20 2012-12-04 삼성코닝정밀소재 주식회사 질화갈륨 기판 및 그 제조방법
EP2669961A2 (en) * 2012-05-29 2013-12-04 Samsung Corning Precision Materials Co., Ltd. Method of manufacturing thin-film bonded substrate used for semiconductor device
CN104335355A (zh) * 2012-06-06 2015-02-04 株式会社神户制钢所 薄膜晶体管
CN105529248A (zh) * 2010-09-30 2016-04-27 同和电子科技有限公司 Iii族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、iii族氮化物半导体自支撑基板或iii族氮化物半导体元件的制造方法、以及iii族氮化物生长用基板
CN106696408A (zh) * 2015-11-13 2017-05-24 日东电工株式会社 层叠体和联合体以及半导体装置的制造方法
CN107484431A (zh) * 2015-03-04 2017-12-15 有限会社Ｍｔｅｃ 半导体基板的制造方法以及半导体基板
CN108922849A (zh) * 2018-07-13 2018-11-30 苏州汉骅半导体有限公司 半导体结构制造方法
CN109256336A (zh) * 2018-09-18 2019-01-22 北京科技大学 一种制备金刚石基衬底氮化镓晶体管的方法
CN112490116A (zh) * 2020-12-02 2021-03-12 上海芯元基半导体科技有限公司 含Al氮化物半导体结构、器件及制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06268183A (ja) 1993-03-15 1994-09-22 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US7442644B2 (en) * 2004-07-21 2008-10-28 Nichia Corporation Method for manufacturing nitride semiconductor wafer or nitride semiconductor device; nitride semiconductor wafer or nitride semiconductor device made by the same; and laser irradiating apparatus used for the same
JP5333479B2 (ja) * 2011-02-15 2013-11-06 住友電気工業株式会社 半導体デバイスの製造方法
US8765578B2 (en) 2012-06-06 2014-07-01 International Business Machines Corporation Edge protection of bonded wafers during wafer thinning
JP6783063B2 (ja) * 2016-03-17 2020-11-11 株式会社サイオクス 窒化物半導体テンプレートおよび窒化物半導体積層物
JP6735588B2 (ja) * 2016-03-30 2020-08-05 株式会社サイオクス 窒化物半導体テンプレート、窒化物半導体積層物、窒化物半導体テンプレートの製造方法、および窒化物半導体積層物の製造方法
JP2019153603A (ja) 2016-07-19 2019-09-12 三菱電機株式会社 半導体基板及びその製造方法
CN107946186A (zh) * 2017-11-01 2018-04-20 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种金刚石基GaN‑HEMTs制备方法
CN113841223B (zh) * 2019-05-23 2024-02-06 三菱电机株式会社 半导体基板的制造方法和半导体装置的制造方法

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10190029A (ja) * 1996-12-27 1998-07-21 Canon Inc 半導体基材及び太陽電池の製造方法及びその製造装置
KR20010100375A (ko) * 2000-05-01 2001-11-14 구자홍 질화물 반도체막 성장 방법
CN1441982A (zh) * 2000-06-19 2003-09-10 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体基板及制法和使用该基板的氮化物半导体装置
US20020127791A1 (en) * 2001-03-09 2002-09-12 Fujitsu Limited Semiconductor device and its manufacture method
JP2002280246A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Cyntec Co Ltd バイアプラグの製作方法
TW586136B (en) * 2001-03-30 2004-05-01 Toyoda Gosei Kk Manufacturing method for semiconductor substrate
JP2002329672A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体から成る単体基板の製造方法
JP2003055097A (ja) * 2001-08-07 2003-02-26 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体から成る単体基板及びその製造方法
JP2005072572A (ja) * 2003-08-06 2005-03-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶基板の製造方法、それに用いるエッチング液、ｉｉｉ族窒化物結晶基板、ならびにそれを用いた半導体素子
JP2005141090A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Chunghwa Picture Tubes Ltd ゲート端子とリード線を保護する装置及びその方法
JP2006310657A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子及び窒化物系半導体素子の製造方法
CN105529248A (zh) * 2010-09-30 2016-04-27 同和电子科技有限公司 Iii族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、iii族氮化物半导体自支撑基板或iii族氮化物半导体元件的制造方法、以及iii族氮化物生长用基板
KR101207412B1 (ko) * 2011-06-20 2012-12-04 삼성코닝정밀소재 주식회사 질화갈륨 기판 및 그 제조방법
EP2669961A2 (en) * 2012-05-29 2013-12-04 Samsung Corning Precision Materials Co., Ltd. Method of manufacturing thin-film bonded substrate used for semiconductor device
CN104335355A (zh) * 2012-06-06 2015-02-04 株式会社神户制钢所 薄膜晶体管
CN107484431A (zh) * 2015-03-04 2017-12-15 有限会社Ｍｔｅｃ 半导体基板的制造方法以及半导体基板
CN106696408A (zh) * 2015-11-13 2017-05-24 日东电工株式会社 层叠体和联合体以及半导体装置的制造方法
CN108922849A (zh) * 2018-07-13 2018-11-30 苏州汉骅半导体有限公司 半导体结构制造方法
CN109256336A (zh) * 2018-09-18 2019-01-22 北京科技大学 一种制备金刚石基衬底氮化镓晶体管的方法
CN112490116A (zh) * 2020-12-02 2021-03-12 上海芯元基半导体科技有限公司 含Al氮化物半导体结构、器件及制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
梁李敏;刘彩池;解新建;王清周;: "高质量GaN薄膜生长工艺的研究进展", 材料导报, no. 07 *

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020235074A1 (ja) 2021-10-21
WO2020235074A1 (ja) 2020-11-26
DE112019007354B4 (de) 2023-08-03
CN113841223B (zh) 2024-02-06
US20220230920A1 (en) 2022-07-21
DE112019007354T5 (de) 2022-02-10
US11961765B2 (en) 2024-04-16
JP7186872B2 (ja) 2022-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI732925B (zh) 與工程基板整合之電力元件
KR102361057B1 (ko) 전력 및 rf 애플리케이션을 위한 가공된 기판 구조체
JP7190244B2 (ja) 加工基板に集積されているｒｆデバイス
US7256473B2 (en) Composite structure with high heat dissipation
TWI741094B (zh) 具有整合式夾鉗二極體之橫向高電子遷移率電晶體
US20050269671A1 (en) Support for hybrid epitaxy and method of fabrication
US20100233866A1 (en) Method for manufacturing semiconductor substrate
JP6319849B2 (ja) 単結晶材料の利用効率を改善した擬似基板
JP7118069B2 (ja) 縦型パワーデバイスのための方法およびシステム
JP2021506116A (ja) 加工基板上の集積デバイスのためのシステムおよび方法
US20140159055A1 (en) Substrates for semiconductor devices
CN113841223B (zh) 半导体基板的制造方法和半导体装置的制造方法
WO2016006640A1 (ja) ＳｉＣウェハの製造方法、ＳｉＣ半導体の製造方法及び炭化珪素複合基板
JP2017139266A (ja) 複合基板、半導体装置、およびこれらの製造方法
JP2023547357A (ja) 加工基板上にｍｍｉｃおよびｒｆデバイスを製造するための方法とシステム
WO2023017712A1 (ja) 窒化物半導体基板及びその製造方法
JP2021082773A (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電界効果型トランジスタ
JP2023544984A (ja) ガリウムベースのｉｉｉ－ｎ合金の層をエピタキシャル成長させるための基板を製造するための方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant