TWI467819B - 發光晶片及發光晶片的製造方法 - Google Patents

Description

發光晶片及發光晶片的製造方法

本揭露是有關於一種發光晶片及其製造方法，且特別是有關於一種散熱效果良好且厚度薄的發光晶片及其製造方法。

發光二極體(LED,Light Emitting Diode)主要為一種利用Ⅲ-V族或Ⅱ-Ⅳ族化合物半導體材料及元件結構變化所構成的發光元件。由於發光二極體具有體積小、壽命長、驅動電壓低、反應速度快及耐震性佳等特性，因而廣泛被應用在可攜式通訊裝置、交通號誌、戶外顯示看板、汽車光源及照明等電子產品領域。

隨著製造技術的精進，發光二極體經由不斷的研發改善，逐漸地加強其發光的效率，使其發光亮度能夠進一步的提升。但由於在提高其電功率及工作電流之下，發光二極體將會相對產生較多的熱量，使得其易於因過熱而影響其性能之表現，甚至造成發光二極體之故障。

為了解決發光二極體散熱不佳的問題，曾有技術提出以間接轉置技術將發光結構層轉置於導熱性較佳的矽基材或是金屬基材上。不過，這些方式仍存有一些問題，例如矽基材與金屬基材之厚度會造成元件或裝置的體積無法薄化，此外金屬基板的熱膨脹係數與發光結構層的熱膨脹係數差異甚大將造成元件或裝置容易因為熱應力的產生而剝 離或破損。

本揭露提供一種發光晶片，具有厚度薄、散熱效果佳的特性。

本揭露提供一種發光晶片，可有效改善習知的散熱不佳問題。

本揭露提供一種發光晶片，在縮減的厚度下具有理想的散熱效果。

本揭露提供一種發光晶片的製造方法，利用磊晶製程外的步驟製作導熱層以形成厚度薄、散熱效果佳發光晶片。

本揭露提出一種發光晶片，包括一磊晶半導體結構、一導熱層、一第一電極以及一第二電極。磊晶半導體結構具有一第一表面、與第一表面相對的一第二表面以及一側表面。導熱層位於磊晶半導體結構的第一表面之側，其中導熱層的熱傳導係數大於200W/mk。第一電極位於導熱層遠離磊晶半導體結構的一側。第二電極位於磊晶半導體結構的第二表面以與第一電極相對。

本揭露更提出一種發光晶片的製造方法。提供一磊晶基板。形成一磊晶堆疊層於磊晶基板上，且磊晶堆疊層至少包括一第一半導體層、一發光層以及一第二半導體層。形成一導熱層於至少一磊晶堆疊層的第一表面。形成一第一電極於導熱層遠離磊晶堆疊層的一側。貼合一暫時基板上於第一電極遠離磊晶半導體結構的一側。移除磊晶基板 以暴露出磊晶堆疊層的一第二表面。形成至少一第二電極於至少一磊晶堆疊層的第二表面之上方。進行一單顆化製程使磊晶堆疊層分割而形成至少一磊晶半導體結構。移除暫時基板。

基於上述，本揭露的發光晶片具有導熱層而不需藉由承載基板提供散熱的作用，所以具有相當薄的厚度。同時，本揭露的發光晶片中，導熱層的熱膨脹係數與磊晶半導體結構的熱膨脹係數接近，不易因兩者熱膨脹係數不匹配而使元件損壞。另外，本揭露製作導熱層的步驟是在磊晶半導體結構形成之後進行的，因而導熱層的製作不影響磊晶半導體結構的特性使得磊晶半導體結構具有理想的品質。

為讓本揭露之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A至圖1M為本揭露第一實施例的發光晶片製造方法的剖面流程示意圖。請先參照圖1A，本實施例的製造方法可以先提供一磊晶基板10，且磊晶基板10上已經形成有磊晶堆疊層110。以本實施例而言，磊晶堆疊層110包括依序堆疊的第一半導體層112、發光層114以及第二半導體層116。在本實施例中，磊晶堆疊層110例如是藉由磊晶製程製作於磊晶基板10上。磊晶製程包括氫化物氣相磊晶製程(hydride vapor phase epitaxy,HVPE)、分子束磊晶製程(Molecular Beam Epitaxy,MBE)或是金屬有機氣相磊晶製程 (metal-organic vapor-phase epitaxy,MOVPE)等。另外，磊晶堆疊層110可包括預定要形成的一個或多個磊晶半導體結構110S。

在一實施例中，磊晶基板10可以是藍寶石基板，但不以此為限。磊晶基板10之材質例如是矽(Si)、玻璃(Glass)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鎵(GaP)、碳化矽(SiC)、磷化銦(InP)、氮化硼(BN)、氧化鋁(Al₂O₃)或氮化鋁(AlN)等半導體或非半導體之材質。

第一半導體層112與第二半導體層116例如是一者為N型半導體層，另一者為P型半導體層。具體而言，第一半導體層112與第二半導體層116的材質係可由氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鎵、氮化鋁銦鎵至少其中之一摻雜II族元素或IV族元素所構成。於其他實施例中，第一半導體層112與第二半導體層116所選用的材質亦可以選用二元化合物(binary compound)，例如氮化鋁、氮化銦；三元化合物(ternary compound)，例如氮化鋁鎵、氮化鎵銦、氮化鋁銦、砷化鋁鎵、砷化銦鎵；及四元化合物(quaternary compound)氮化鎵銦鋁、磷化鋁銦鎵或上述組合。發光層114則例如是Ⅲ-V族元素為主的量子井(quantum well)結構。

接著，請參照圖1B至圖1C，為了提供適當的元件特性本實施例可以選擇性地在磊晶堆疊層110上依序地形成歐姆接觸層122以及反射層124。這些膜層可以利用物理沉積、化學沉積等相關沉積方法來製作，其例如有濺鍍、蒸鍍等製程。 以本實施例而言，反射層124的材質包括，但不限定於，銀、鋁等反射性質佳的金屬材料，而歐姆接觸層124的材質可以是透明導電材料或是其他歐姆接觸材料，以降低第二半導體層116與反射層124之間的接觸阻抗。

隨之，請參照圖1D與圖1E，依序於反射層124上形成緩衝層126以及導熱層130。相似於前述步驟，這些膜層可以利用物理沉積、化學沉積等相關沉積方法來製作，其例如有濺鍍、蒸鍍等製程。本實施例的緩衝層126可以選擇性地製作於導熱層130之前，以增進導熱層130與另一膜層之附著性質。也就是說，在其他實施例中，在沒有緩衝層126的設置下，導熱層130可以直接接觸於反射層124，或是，在沒有歐姆接觸層122以及反射層124的實施方式下，導熱層130可以直接接觸於磊晶堆疊層110的第二半導體層116。也就是說，本實施例是將導熱層130形成於磊晶堆疊層110遠離於磊晶基板10的表面之一側(亦可稱之為第一表面之一側)，而不特別地局限磊晶堆疊層110與導熱層130之間是否設置有其他膜層。

導熱層130可以具有良好導熱性質，其中導熱層130的熱膨脹係數可以由5ppm/℃至6ppm/℃，且熱傳導係數例如大於200W/mk。導熱層130的材質則例如是導電材料。在一實施例中，導熱層130可以由含碳材料所組成，其包括鍵結結構為sp1、sp2晶格結構的含碳材料，例如石墨。也就是說，本實施例係利用可以導電的含碳材料來製作導熱層130，但本揭露不以此為限。在另一實施例中，導熱層130可以選擇性地採用導電的陶瓷材料加以製作，其中導電的 陶瓷材料包括有碳化矽或是二矽化鉬。本步驟採用沉積製程製作導熱層130，其膜厚可以相當的薄，例如2~5μm。

之後，請參照圖1F，於導熱層130上形成電極材料層140，其材質包括了金錫合金、或其他合金材料。並且，請參照圖1G，將一暫時基板20貼合於電極材料層140，其中暫時基板20將位於導熱層130遠離磊晶堆疊層110的一側。具體而言，暫時基板20是藉由一黏著層22貼合於電極材料層140上，以在後續製程中提供支撐作用，而黏著層22的材質可以石蠟或是其他可提供暫時性貼附作用的材料。

然後，請參照圖1H，移除磊晶基板10，其中移除磊晶基板10的方法包括雷射剝除法(laser lift off)。此時，磊晶堆疊層110的上表面TS(也就是第二表面)會被暴露出來，亦即第一半導體層112遠離發光層114的一側被暴露出來。為了應用於實際產品上，磊晶堆疊層110例如預定要形成多個磊晶半導體結構110S。此處磊晶半導體結構110S的尺寸及數量可依照實際設計需求而改變，而不限於圖示中所繪示的數量。

隨之，請參照圖1I，於磊晶堆疊層110的上表面TS上對應各個預定要形成的磊晶半導體結構110S形成電極E1。由於本實施例繪示了三個磊晶半導體結構110S以進行說明，電極E1的數目也例如為三個。但實際上，電極E1的數目及配置位置可以視磊晶半導體結構110S的數量以及其所需要的元件特性而定。另外，各個電極E1可以是多層堆疊結構也可以是單層結構，其材質為導電材料。

接著，為了要形成多個獨立的元件，磊晶堆疊層110要 被分割成磊晶半導體結構110S。因此，本實施例例如進行一單顆化製程(singulation process)，其包括了以下描述的數個步驟，但也可以更為簡化或是更為複雜。也就是說，以下描述之單顆化製程僅是舉例說明之用並非用以限定本揭露所闡述的精神與所涵蓋的範圍。

請同時參照圖1I與圖1J，本實施例的單顆化製程可以先進行一蝕刻步驟，將磊晶堆疊層110圖案化以定義出各個磊晶半導體結構110S，其中蝕刻步驟可以採用乾蝕刻法或是濕蝕刻法。在此，歐姆接觸層122例如會被斷開以使這些磊晶半導體結構110S彼此電性絕緣。並且，各磊晶半導體結構110S的側表面SS例如會被暴露出來。

然後，請參照圖1K，為了避免各磊晶半導體結構110S之漏電流，形成一保護層150於各磊晶半導體結構110S的側表面SS。保護層150的材質可以是氧化矽、氮化矽等絕緣材料，其可以利用常見的沉積製程，如物理沉積、化學沉積等，製作。在本實施例中，保護層150例如包覆磊晶半導體結構110S整個側表面SS，並部分地覆蓋於磊晶半導體結構110S的上表面TS，更可以部分地覆蓋於相鄰磊晶半導體結構110S之間隔中所暴露出來的反射層124上。

接著，請參照圖1L，本實施例的單顆化製程還包括進行一切割步驟或是分離步驟，使保護層150、反射層124、緩衝層126、導熱層130以及電極材料層140對應於各個磊晶半導體結構110S斷開而形成多個彼此分離的發光晶片100。此時，電極材料層140例如被分割成對應於這些發光晶片100的多個 電極E2。

此時，各發光晶片100包括電極E1、磊晶半導體結構110S、歐姆接觸層122、反射層124、緩衝層126、導熱層130、電極E2以及保護層150。電極E1與電極E2上下相對，而磊晶半導體結構110S、歐姆接觸層122、反射層124、緩衝層126以及導熱層130依序地堆疊於電極E1與電極E2之間，且保護層150覆蓋住磊晶半導體結構110S的側表面SS。

具體而言，在進行上述單顆化製程後，這些發光晶片100仍藉由黏著層22接合於暫時基板20上。因此，本實施例可以參照圖1M所示，進一步地破壞黏著層22以移除暫時基板20而獲得多個獨立的發光晶片100。此時，發光晶片100的整體厚度T例如不大於20μm。

由於本實施例的各發光晶片100具有導熱層130，不需採用其他的導熱構件就可以具有理想的散熱特性。因此，前述製作過程中所使用的暫時基板20可不須限定為導熱性質良好的基板。另外，發光晶片100係設計為獨立的構件不需接合於暫時基板20上，所以暫時基板20不需具備導電特性或是特定的電性特性。亦即，暫時基板20可以是玻璃基板、塑膠基板、陶瓷基板、金屬基板等任何可以提供支撐作用的基板。

此外，由前述製作流程可知，本實施例中歐姆接觸層122、反射層124以及緩衝層126可以選擇性地製作於磊晶半導體結構110S與導熱層130之間。因此，在其他的實施例中，省略上述膜層時，磊晶半導體結構110S與導熱層130可以直接接觸。如此一來，發光晶片100可以具有更縮減的厚度T。

進一步而言，由於電極E2位於導熱層130遠離磊晶半導體結構110S的一側，為了使電極E2電性連接磊晶半導體結構110S，導熱層130在此係具備導電特性。在其他實施例中，具有導電性質的導熱層130也可以當作發光晶片100的電極，所以電極E2也是可省略的構件。

本實施例的導熱層130是具有導電性質以及良好導熱特性的膜層。再者，藉由前述步驟中材料的選用，導熱層130的熱膨脹係數與磊晶半導體結構110S的熱膨脹係數(約5.6ppm/mk)彼此接近。發光晶片100在使用過程中不易因為不同材料之間的熱膨脹係數差異過大而產生不當的熱應力。因此，發光晶片100不容易因為熱應力而發生膜層剝離、分裂或是損壞，這有助於提升發光晶片100的信賴性。

更進一步來說，本實施例以磊晶製程製作磊晶堆疊層110後才以沉積製程製作導熱層130，所以導熱層130的製作不會影響到磊晶堆疊層110中各半導體層112、116及發光層114的結晶晶格。所以，磊晶堆疊層110單顆化而成的磊晶半導體結構110S可以具有理想的元件特性而使發光晶片100具有理想的品質。

圖2A至圖2I為本揭露第二實施例的發光晶片的製造方法的剖面流程示意圖。請參照圖2A，本實施例例如先提供一已經形成有磊晶堆疊層110的磊晶基板10，並且依序在磊晶堆疊層110上形成歐姆接觸層122、反射層124以及緩衝層126。在本實施例中，磊晶堆疊層110、歐姆接觸層122、反射層124以及緩衝層126的製作方式可以參照前述實施例中圖 1A至圖1D的描述。因此，本實施例與前述實施例中相同的元件將以相同的元件符號標示，而不再贅述。另外，在本實施例中雖於磊晶基板10上形成歐姆接觸層122、反射層124以及緩衝層126，但在其他實施例中，這些膜層可以被省略。

由於本實施例預定要製作出多個獨立的元件，磊晶堆疊層110、歐姆接觸層122、反射層124以及緩衝層126，例如參照圖2B所示，被單顆化，以使磊晶堆疊層110被定義成多個磊晶半導體結構110S，其中各個磊晶半導體結構110S上依序堆疊有歐姆接觸層122、反射層124以及緩衝層126，且各個磊晶半導體結構110S的側表面SS例如被暴露出來。

在本實施例中，單顆化製程例如是蝕刻法或其他可以將磊晶堆疊層110、歐姆接觸層122、反射層124以及緩衝層126分割成多個獨立構件的分割法。與前述實施例不同之處在於，本實施例中，磊晶堆疊層110、歐姆接觸層122、反射層124以及緩衝層126是在同一步驟中分割或是斷開的，而前述實施例係先將磊晶堆疊層110圖案化之後才利用後續步驟將反射層124以及緩衝層126斷開。因此，本實施例的這些膜層被分割後實質上具有差不多的面積(也就是剖面結構上所呈現的寬度大致相同)，但不以此為限。在其他實施例中，可能基於不同材料對蝕刻劑的反應速率不一，這些膜層被分割後的寬度可以是相異的。

接著，請參照圖2C，於磊晶基板10上形成導熱層230。導熱層230例如是藉由沉積製程製作於磊晶基板10上，其可以共形於磊晶基板10上的這些元件所定義出來的結構。具體 來說，導熱層230完整地覆蓋住各個磊晶半導體結構110S的側表面SS、完整地覆蓋住緩衝層126遠離磊晶半導體結構110S的一側並且完整覆蓋住磊晶半導體結構110S之間的間隔所暴露出來的磊晶基板10。

值得一提的是，導熱層230完整地覆蓋住各個磊晶半導體結構110S的側表面SS。因此，為了避免各個磊晶半導體結構110S中第一與第二半導體層112與116電性連接，導熱層230具有絕緣的性質而不具導電的特性。此時，為了提供理想的導熱以及絕緣特性，導熱層230的材質可以是非導電性質的含碳材料或是陶瓷材料。以非導電性質的含碳材料而言，導熱層230的材質可選用鍵結結構為sp3結晶晶格的類鑽石碳(diamond-like carbon,DLC)材料或是鑽石。就陶瓷材料來說，導熱層230的材質可選用氮化鋁或是氮化硼。當然，上述材質僅是舉例說明之用，並非用以限定本揭露之範圍。

隨後，請參照圖2D，於導熱層230中形成多個貫穿導熱層230的接觸孔232。接觸孔232的形成方式例如是進行一蝕刻製程，使位於緩衝層126上方的部份導熱層230被移除以暴露出緩衝層126。在其他的實施例中，當歐姆接觸層122、反射層124以及緩衝層126被省略時，接觸孔232可以暴露出磊晶半導體結構110S的下表面BS(或稱之為第一表面)。

接著，請參照圖2E，於各個磊晶半導體結構110S上形成電極E3。在此，電極E3係位於於導熱層230遠離磊晶半導體結構110S的一側並且電極E3延伸至接觸孔232中。接觸孔232的設置是為了使電極E3可以電性連接磊晶半導體結構 110S。本實施例以多個接觸孔232進行說明，但在其他實施例中，接觸孔232的數量及尺寸可以隨不同設計需求而更改。

然後，請參照圖2F，將暫時基板20透過黏著層22貼合於電極E2上。此時，暫時基板20是位於導熱層230遠離磊晶半導體結構100S的一側。暫時基板20以及黏著層22的材質與相關貼合方法可以參照前述實施例的說明。

隨之，請參照圖2G，以暫時基板20提供承載作用，移除磊晶基板10，其中磊晶基板10的移除方式可以參照上述實施例或是採用本領域中已知的磊晶基板移除方法。此時，各磊晶半導體結構110S的上表面TS(或是稱之為第二表面)例如會被暴露出來。因此，後續的步驟中，如圖2H所示，可以在各磊晶半導體結構110S的上表面TS形成電極E4，電極E4可以具有多層堆疊的結構或是單層的結構，其材質可為任何可以提供導電作用的材料。

之後，請參照圖2I，將暫時基板20移除以形成多個獨立的發光晶片200。在本實施例中，發光晶片200與前述實施例之發光晶片100具有相似的組成構件，其包括電極E4、磊晶半導體結構110S、歐姆接觸層122、反射層124、緩衝層126、導熱層230以及電極E3。與前述實施例之差異主要在於本實施例的發光晶片200中，導熱層230直接覆蓋於磊晶半導體結構110S的側表面SS，所以發光晶片200不需額外的保護層。另外，導熱層230在此係具有絕緣性質，所以導熱層230中設置有接觸孔232以使電極E3電性連接至磊晶半導體結構110S。

值得一提的是，導熱層230的熱傳導係數例如大於200W/mk。因此，導熱層230的配置使發光晶片200不需額外地接合於散熱基板上就具備理想的散熱特性，這有助於使發光晶片200的厚度更為精簡。另外，導熱層230的熱膨脹係數可以由5ppm/℃至6ppm/℃，其接近於磊晶半導體結構110S的熱膨脹係數(一般為5.6ppm/℃)。所以，本實施例的導熱層230與磊晶半導體結構110之間不容易因為熱膨脹係數的差異而產生不當的熱應力，這樣的設計有助於避免發光晶片200因為不當熱應力而損壞。整體而言，發光晶片200不但具有良好的散熱特性也具有理想的信賴性，更具有精簡的體積。

綜上所述，本揭露的發光晶片具有一導熱層，其具備理想的導熱性。所以，發光晶片不需額外地接合於具備有散熱特性的基板上，這有利於縮減發光晶片的厚度。再者，導熱層的熱膨脹係數匹配於磊晶半導體結構的熱膨脹係數，所以發光晶片不易因使用時的溫度提升而產生不當的熱應力，可以避免發光晶片因為熱應力而發生損壞。另外，本揭露的發光晶片製造方法中，導熱層的製作與磊晶製程的進行是各自獨立的，所以導熱層的設置不會影響磊晶半導體結構之晶格而使磊晶半導體結構具備理想的元件特性。因此，本揭露的發光晶片具有理想的散熱特性、良好的信賴性以及薄化的元件尺寸。

雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本 揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧磊晶基板

20‧‧‧暫時基板

22‧‧‧黏著層

100、200‧‧‧發光晶片

110‧‧‧磊晶堆疊層

110S‧‧‧磊晶半導體結構

112‧‧‧第一半導體層

114‧‧‧發光層

116‧‧‧第二半導體層

122‧‧‧歐姆接觸層

124‧‧‧反射層

126‧‧‧緩衝層

130、230‧‧‧導熱層

140‧‧‧電極材料層

150‧‧‧保護層

232‧‧‧接觸孔

BS‧‧‧下表面

E1、E2、E3、E4‧‧‧電極

SS‧‧‧側表面

T‧‧‧厚度

TS‧‧‧上表面

圖1A至圖1M為本揭露第一實施例的發光晶片製造方法的剖面流程示意圖。

圖2A至圖2I為本揭露第二實施例的發光晶片的製造方法的剖面流程示意圖。

200‧‧‧發光晶片

110S‧‧‧磊晶半導體結構

112‧‧‧第一半導體層

114‧‧‧發光層

116‧‧‧第二半導體層

122‧‧‧歐姆接觸層

124‧‧‧反射層

126‧‧‧緩衝層

230‧‧‧導熱層

232‧‧‧接觸孔

E3、E4‧‧‧電極

SS‧‧‧側表面

TS‧‧‧上表面

Claims (27)

1. 一種發光晶片，包括：一磊晶半導體結構，具有一第一表面、與該第一表面相對的一第二表面以及一側表面；一第一導熱層，位於該磊晶半導體結構的該第一表面之側，其熱傳導係數大於200W/mk；一第一電極，位於該第一導熱層遠離該磊晶半導體結構的一側；一第二電極，位於該磊晶半導體結構的該第二表面之側以與該第一電極相對；以及一第二導熱層，位於該磊晶半導體結構的該側表面。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光晶片，其中該第一導熱層以及該第二導熱層的熱膨脹係數由5ppm/℃至6ppm/℃。
3. 如申請專利範圍第2項所述之發光晶片，其中該第一導熱層具有多個貫穿該第一導熱層的接觸孔，而該第一電極延伸至該些接觸孔中。
4. 如申請專利範圍第2項所述之發光晶片，其中該第一導熱層的材料為導電材料。
5. 如申請專利範圍第4項所述之發光晶片，其中該導電材料包括含碳材料或陶瓷材料。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光晶片，其中該含碳材料之鍵結結構為sp1或sp2。
7. 如申請專利範圍第6項所述之發光晶片，其中該含 碳材料為石墨。
8. 如申請專利範圍第5項所述之發光晶片，其中該陶瓷材料為碳化矽或二矽化鉬。
9. 如申請專利範圍第2項所述之發光晶片，其中該第一導熱層以及該第二導熱層的材料為非導電材料。
10. 如申請專利範圍第9項所述之發光晶片，其中該非導電材料包括含碳材料或陶瓷材料。
11. 如申請專利範圍第10項所述之發光晶片，其中該陶瓷材料包括氮化鋁或氮化硼。
12. 如申請專利範圍第9項所述之發光晶片，其中該含碳材料之鍵結結構為sp3。
13. 如申請專利範圍第12項所述之發光晶片，其中該含碳材料為鑽石或是類鑽石碳。
14. 如申請專利範圍第1項所述之發光晶片，更包括一反射層，配置於該第一導熱層與該磊晶半導體結構之間。
15. 如申請專利範圍第14項所述之發光晶片，更包括一緩衝層，配置於該第一導熱層與該反射層之間。
16. 如申請專利範圍第14項所述之發光晶片，更包括一歐姆接觸層，配置於該磊晶半導體結構與該反射層之間。
17. 如申請專利範圍第16項所述之發光晶片，其中該反射層的材質包括銀、鋁。
18. 如申請專利範圍第1項所述之發光晶片，其中該第一導熱層直接接觸該磊晶半導體結構。
19. 如申請專利範圍第1項所述之發光晶片，其中該 第一導熱層的膜厚為2~5μm。
20. 一種發光晶片的製造方法，包括：提供一磊晶基板；形成一磊晶堆疊層於該磊晶基板上，其中該磊晶堆疊層至少包括一第一半導體層、一發光層以及一第二半導體層；分割該磊晶堆疊層成至少一磊晶半導體結構並暴露出該至少一磊晶半導體結構的一側表面；在分割該磊晶堆疊層之後，形成一導熱層於該磊晶堆疊層之一第一表面；形成一第一電極於該導熱層遠離該磊晶堆疊層之一側；貼合一暫時基板於該第一電極遠離該磊晶堆疊層的一側；移除該磊晶基板，以暴露出該磊晶堆疊層的一第二表面；形成一第二電極於該磊晶堆疊層的該第二表面之上方；進行一單顆化製程使該磊晶堆疊層分割而形成該至少一磊晶半導體結構；以及移除該暫時基板。
21. 如申請專利範圍第20項所述之發光晶片的製造方法，其中形成該導熱層的方法包括使該導熱層覆蓋該磊晶半導體結構的該側表面。
22. 如申請專利範圍第21項所述之發光晶片的製造方法，其中形成該導熱層的方法包括於該第一表面上之該導熱層中形成多個接觸孔。
23. 如申請專利範圍第22項所述之發光晶片的製造方法，更包括使該第一電極延伸至該些接觸孔中。
24. 如申請專利範圍第20項所述之發光晶片的製造方法，其中貼合該暫時基板的方法包括藉由一黏著層將該暫時基板貼合於該第一電極遠離該磊晶堆疊層的一側。
25. 如申請專利範圍第20項所述之發光晶片的製造方法，其中形成該導熱層之前更包括形成一歐姆接觸層於該磊晶堆疊層上。
26. 如申請專利範圍第20項所述之發光晶片的製造方法，其中形成該導熱層之前更包括形成一反射層於該磊晶堆疊層上。
27. 如申請專利範圍第20項所述之發光晶片的製造方法，其中形成該導熱層之前更包括形成一緩衝層於該磊晶堆疊層上。