CN107634104B - 一种金属埋层高散热GaN二极管结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种金属埋层高散热GaN二极管结构及其制备方法，该GaN二极管结构的GaN外延层与衬底之间设置有金属埋层，所述金属埋层为三层金属导热层。本申请利用金属导热率高特点，结合Bonding技术在衬底和GaN之间制作一层具有高导热性质的金属，解决了GaN器件的散热问题。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种金属埋层高散热GaN二极管结构及其制备方法。
背景技术
半导体芯片生产过程中需要制作金属电极，氮化镓材料作为第三代半导体的代表，室温下禁带宽度达到了3.45eV，远远大于Si和GaAs的禁带宽度，因此在电场击穿强度上大了一个数量级，非常适合制作大功率器件。同时氮化镓的高电子饱和速度和导热率也使得在应用到高频领域中更能凸显其优势，因此在高频、高压和大功率器件方面GaN优势明显。
但是与传统的功率器件一样，工作在高频和大功率状态下温度上升很快，因此功率器件的散热技术就尤为关键，如果不能将器件产生的热量及时散发，会导致器件性能退化，进而是器件失效。
用Si做衬底制作的GaN二极管因为成品较低所有备受关注，但是Si材料的热导率很低，导致Si基GaN器件的自热效应就更明显，严重束缚了其功率特性的应用。虽然SiC材料具有良好的热导率，以SiC为衬底的GaN器件自热效应也相应减轻，但是在大功率应用下的高温可靠性仍然是个挑战，同时SiC衬底十分昂贵不利于在民用领域进行推广。
目前采用的散热方案都是对封装好的芯片进行散热设计，整体的散热结构在模组中占的空间比较大，影响体积的缩小和效率的提升。器件的散热结构与Si衬底直接接触，通过Si将GaN器件产生的热量传递出来，但是Si材料的导热性太差不能有效的将热量全部导出，因此仍然存在一定的局限性。
另外,现有技术有通过背面刻蚀深通孔(几百微米)，再使用镀金工艺填充的方式将GaN器件产生的热量导出来，但是这样做工艺成本高，且电镀存在环境污染的风险，而且在刻蚀过程中容易造成器件的损伤。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种金属埋层高散热GaN二极管结构，其有效解决了现有技术中存在的问题。本发明的另一目的在于提供一种金属埋层高散热GaN二极管结构的制备方法。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种金属埋层高散热GaN二极管结构，所述GaN二极管结构的GaN外延层与衬底之间设置有金属埋层，所述金属埋层为三层金属导热层。
进一步，所述三层金属导热层从上之下依次为Ag层、In层和Ag层；或者Au层、In层和Au层；或者Au层、In层和Ag层。
一种金属埋层高散热GaN二极管结构的制备方法，所述方法包括如下步骤：
1)在衬底上通过外延的方式得到GaN外延层；
2)在所述GaN外延层表面依次蒸镀第一金属导热层和第二金属导热层，标记为材料一；
3)选取另一衬底，在该衬底的表面蒸镀第三金属导热层，标记为材料二；
4)通过Bonding设备将所述材料一和所述材料二的金属面相对粘附在一起形成新结构；
5)将材料二的衬底通过光刻胶保护的方式保护起来，然后在专用的衬底材料的腐蚀液中将材料一的衬底材料腐蚀干净，露出GaN外延层；
6)通过刻蚀GaN外延层到所述第一金属导热层的表面，之后通过导热金属连接到衬底的导热结构上形成新的具有金属埋层的高散热GaN二极管结构。
进一步，所述第一金属导热层、第二金属导热层以及第三金属导热层分别为Ag层、In层和Ag层；或者Au层、In层和Au层；或者Au层、In层和Ag层。
本发明具有以下有益技术效果：
本申请利用金属导热率高特点，结合Bonding技术在衬底和GaN之间制作一层具有高导热性质的金属，解决了GaN器件的散热问题。
附图说明
图1为本发明的金属埋层高散热GaN二极管结构的制备方法中在衬底上通过外延的方式得到GaN外延层后的结构示意图；
图2为本发明的金属埋层高散热GaN二极管结构的制备方法中材料一的结构示意图；
图3为本发明的金属埋层高散热GaN二极管结构的制备方法中材料二的结构示意图；
图4为本发明的金属埋层高散热GaN二极管结构的制备方法中通过Bonding设备将两个材料的金属面相对粘附在一起的结构示意图；
图5为本发明的金属埋层高散热GaN二极管结构的制备方法中将材料一的衬底材料腐蚀干净的结构示意图；
图6为本发明的金属埋层高散热GaN二极管结构的制备完成后的结构示意图。
具体实施方式
下面，参考附图，对本发明进行更全面的说明，附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以体现为多种不同形式，并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。而是，提供这些实施例，从而使本发明全面和完整，并将本发明的范围完全地传达给本领域的普通技术人员。
本发明提供了一种金属埋层高散热GaN二极管结构，该GaN二极管结构的GaN外延层2与衬底5之间设置有金属埋层，该金属埋层为三层金属导热层。
三层金属导热层从上之下依次为Ag层、In层和Ag层；或者Au层、In层和Au层；或者Au层、In层和Ag层。
本发明还提供了一种金属埋层高散热GaN二极管结构的制备方法：
如图1所示：在衬底1上通过外延的方式得到GaN外延层2；
如图2所示：在GaN外延层2表面依次蒸镀第一金属导热层3和第二金属导热层4，标记为材料一；
如图3所示：选取另一衬底5，在该衬底5的表面蒸镀第三金属导热层6，标记为材料二；
如图4所示：通过Bonding设备将材料一和材料二的金属面相对粘附在一起形成新结构；
如图5所示：将材料二的衬底5通过光刻胶保护的方式保护起来，然后在专用的衬底材料的腐蚀液中将材料一的衬底1材料腐蚀干净，露出GaN外延层2；
如图6所示：通过刻蚀GaN外延层2到第一金属导热层3的表面，之后通过导热金属8(一般为铜，也可以为其他高导热率的金属)连接到衬底5的导热结构9上形成新的具有金属埋层的高散热GaN二极管结构；图6中GaN外延层2的上方以及衬底5的下方为电极7，其一般由金属金制成。
第一金属导热层3、第二金属导热层4以及第三金属导热层6分别为Ag层、In层和Ag层；或者Au层、In层和Au层；或者Au层、In层和Ag层。
本发明利用金属导热率高特点，结合Bonding技术在衬底和GaN之间制作一层具有高导热性质的金属，解决了GaN器件的散热问题。
上面所述只是为了说明本发明，应该理解为本发明并不局限于以上实施例，符合本发明思想的各种变通形式均在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种金属埋层高散热GaN二极管结构，其特征在于，所述GaN二极管结构的GaN外延层与衬底之间设置有金属埋层，所述金属埋层为三层金属导热层；从所述GaN外延层表面到所述衬底一侧的表面三层所述金属导热层依次为第一金属导热层、第二金属导热层、第三金属导热层，所述衬底的另一侧设置导热结构，所述GaN外延层被刻蚀到所述第一金属导热层表面后，导热金属连接所述第一金属导热层和所述导热结构。
2.根据权利要求1所述的金属埋层高散热GaN二极管结构，其特征在于，所述三层金属导热层从上之下依次为Ag层、In层和Ag层；或者Au层、In层和Au层；或者Au层、In层和Ag层。
3.一种权利要求1-2任一所述的金属埋层高散热GaN二极管结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
1)在衬底上通过外延的方式得到GaN外延层；
2)在所述GaN外延层表面依次蒸镀第一金属导热层和第二金属导热层，标记为材料一；
3)选取另一衬底，在该衬底的表面蒸镀第三金属导热层，标记为材料二；
4)通过Bonding设备将所述材料一和所述材料二的金属面相对粘附在一起形成新结构；
5)将材料二的衬底通过光刻胶保护的方式保护起来，然后在专用的衬底材料的腐蚀液中将材料一的衬底材料腐蚀干净，露出GaN外延层；
6)通过刻蚀GaN外延层到所述第一金属导热层的表面，之后通过导热金属连接到衬底的导热结构上形成新的具有金属埋层的高散热GaN二极管结构。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属导热层、第二金属导热层以及第三金属导热层分别为Ag层、In层和Ag层；或者Au层、In层和Au层；或者Au层、In层和Ag层。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102403434A (zh) * | 2011-11-23 | 2012-04-04 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 一种垂直结构led芯片的制作方法 |
| WO2013021983A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN106531862A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-03-22 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种GaN基复合衬底的制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4409553B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2010-02-03 | 株式会社東芝 | サブマウント材用基板の製造方法 |
| JP2009043946A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN201100917Y (zh) * | 2007-10-11 | 2008-08-13 | 秦文隆 | 高效率led构装结构 |
| WO2010034139A1 (zh) * | 2008-09-28 | 2010-04-01 | Chang Yihui | 交流电发光二极管模块 |
| US9362198B2 (en) * | 2014-04-10 | 2016-06-07 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor devices with a thermally conductive layer and methods of their fabrication |
-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013021983A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN102403434A (zh) * | 2011-11-23 | 2012-04-04 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 一种垂直结构led芯片的制作方法 |
| CN106531862A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-03-22 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种GaN基复合衬底的制备方法 |
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