CN101281944A - 大功率led多层梯度材料散热通道的构造方法 - Google Patents
大功率led多层梯度材料散热通道的构造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101281944A CN101281944A CNA2008100254498A CN200810025449A CN101281944A CN 101281944 A CN101281944 A CN 101281944A CN A2008100254498 A CNA2008100254498 A CN A2008100254498A CN 200810025449 A CN200810025449 A CN 200810025449A CN 101281944 A CN101281944 A CN 101281944A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- led
- gan
- deck
- aln
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 11
- 238000010276 construction Methods 0.000 title abstract 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 7
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 8
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N gallium nitrate Chemical compound [Ga+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 229940044658 gallium nitrate Drugs 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，其构造步骤为：1)制备GaN基LED芯片：对GaN基LED外延片进行干法刻蚀，形成L型，露出N－GaN层台面；在P－GaN层表面蒸发一层铟锡氧化物电流扩展层，再蒸发P、N电极，再在P、N电极上镀上纯金；2)制备Cu快速热扩散板：先制作L型的Cu板，磁控溅射一层Ti或Cr，作为粘附层；在Ti层上磁控溅射一层AlN，作为绝缘层；再蒸发一层薄金，镀上一层厚纯金；3)采用热压焊进行纯金键合，将LED芯片倒装在Cu快速热扩散板上。本发明采用高热导、热膨胀系数梯度变化的Au－Au－AlN－Ti多层材料构建LED至Cu快速热扩散板之间的散热通道，解决了大功率LED的散热问题，提高了器件的散热能力和稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及大功率LED器件的制作工艺，尤其涉及大功率LED散热通道的多层梯度材料及构造方法。
背景技术
早期的氮化镓基白光LED封装采用正装形式，热沉通过连接层和蓝宝石层相连。LED有源区产生的热经由n-GaN层、蓝宝石衬底和连接层传导到热沉。由于蓝宝石的热导率仅为30W/m.k，厚度为100微米左右，形成很大的热阻。采用正装形式的LED封装散热形式只能适用于小功率LED。
为了解决大功率LED的散热问题，出现了垂直结构LED和倒装形式的LED结构。垂直结构LED采用激光剥离技术将蓝宝石衬底层去除，并在去除蓝宝石的凹坑中沉积n电极，形成垂直型LED。有源区的热量经由n-GaN层和连接层直接传导到热沉。由于去除了低热导率的蓝宝石层，LED的热导出性能得到了很大的提高，完全可以达到大功率LED的快速散热要求。但是，由于LED去除了蓝宝石支撑层，在制备过程中容易出现GaN外延层的开裂等一系列的问题，工艺非常复杂，降低了成品率，另外蓝宝石的刻蚀速度慢、成本高，这些工艺手段都极大的增加了生产成本。倒装式LED则是近几年采用较多的一种形式。采用倒装焊技术，使用连接层将离有源区最近的p电极倒扣焊接在快速热扩散板上，通过快速热扩散板增大散热表面，采用二次连接将快速扩散板中的热量迅速的导出到热沉中，最后通过热沉导出到环境中。由于热量无需从较厚的n-GaN层和Al2O3层导出，极大的减小了热阻。Lumileds公司采用倒装技术开发了LuxeonTM系列封装技术，其热阻小至8～15℃/W，适用于功率为1～5W的LED的散热，但是仍无法满足用于10W以上大功率LED散热的需求(2～3℃/W)。究其原因在于，目前倒装式LED的P电极通过20％Au-80％Sn共晶和SiO2绝缘层连接片内快速散热板，然后通过连接层将热量导出到热沉上。由于20％Au-80％Sn的共晶合金的热导率仅为53W/m.k，以1mm2的连接层面积计算，热阻高达0.5℃/W，绝缘层SiO2的热导率为1.1W/m.K，厚度0.2微米，热阻为0.2℃/W，加上快速导热板的热阻及各层之间的界面热阻，目前的倒装工艺未能满足大功率LED的高效散热需求。
为此，LED行业正致力于热阻小于3℃/W的高效散热倒装式LED封装技术的研发。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，旨在有效大功率LED的散热问题，提高大功率LED倒装芯片的散热能力和可靠稳定性，大幅降低封装热阻和热失配。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，采用高热导、热膨胀系数梯度变化的Au-Au-AlN-Ti多层材料构建LED至Cu快速热扩散板之间的散热通道，包括以下步骤：
首先，制备GaN基LED芯片：采用感应耦合等离子刻蚀(ICP)或离子束刻蚀(IBE)设备对GaN基LED外延片进行干法刻蚀，形成L型，露出N-GaN层台面，其中刻蚀掩膜层为光刻胶或SiO2；在P-GaN层表面蒸发一层铟锡氧化物(ITO)电流扩展层；再利用磁控溅射或电子束蒸发P、N电极；最后利用电镀技术在P、N电极上镀上厚的纯金；其结构为L型结构，P、N电极在同一个面上，倒装封装后从蓝宝石这面出光；
然后，制备Cu快速热扩散板：先制作L型的Cu板，采用磁控溅射一层Ti或Cr，作为粘附层；在Ti或Cr层上磁控溅射一层AlN，作为绝缘层，其中AlN薄膜不仅有很高的电阻率(1010Ω·cm)，而且热导率较高(200W/m.K)；再采用磁控溅射或电子束蒸发一层薄金；最后采用电镀技术镀上一层厚纯金；其结构与LED芯片结构一样为L型，目的是与倒装芯片匹配焊接；
制备好LED芯片和Cu快速热扩散板后，将LED芯片倒装在Cu快速热扩散板上，采用纯金作为连接层，进行纯金热压键合；实现LED的P电极与Cu快速热扩散板进行连接，在LED与Cu快速热扩散板之间构造出Au-Au-AlN-Ti材料结构的散热通道。
本发明技术方案突出的实质性特点和显著的进步主要体现在：
本发明采用高热导、热膨胀系数梯度变化的Au-Au-AlN-Ti多层材料构建LED至Cu快速热扩散板之间的散热通道，Au-Au-AlN-Ti高效散热梯度材料封装大功率LED，通过纯金的键合，使得LED芯片倒装焊接在Cu快速热扩散板上。从而，使LED有源区至Cu快速热扩散板之间的片内热阻小于3℃/W，有效解决了10W以上大功率LED的高效散热问题，大幅降低了封装热阻和热失配，显著提高了器件的散热能力和稳定性，产生了极好的经济效益，值得在LED行业推广应用。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：
图1：本发明倒装芯片结构示意图。
图中各附图标记的含义见下表：
| 附图标记 | 含义 | 附图标记 | 含义 | 附图标记 | 含义 |
| 1 | 蓝宝石 | 2 | N-GaN层 | 3 | SiO2掩膜层 |
| 4 | P-GaN层 | 5 | ITO电流扩展层 | 6 | 纯金层 |
| 附图标记 | 含义 | 附图标记 | 含义 | 附图标记 | 含义 |
| 7 | Cu热扩散板 | 8 | Ti粘附层 | 9 | AlN绝缘层 |
| 10 | 纯金层 |
具体实施方式
本发明采用高热导、热膨胀系数梯度变化的Au-Au-AlN-Ti多层材料制备LED至Cu快速热扩散板之间的散热通道，大幅降低封装热阻和热失配，提高器件的散热能力和稳定性。
下面对纯金键合倒装LED芯片的制备工艺方法进行详细说明：
首先，采用ICP(感应耦合等离子刻蚀)或IBE(离子束刻蚀)设备对GaN基LED外延片进行干法刻蚀，形成L型，露出N-GaN层2台面，其中刻蚀掩膜层3为光刻胶或SiO2。
露出N-GaN层2台面后，在P-GaN层4表面蒸发一层ITO(铟锡氧化物)电流扩展层5；再利用磁控溅射或电子束蒸发P、N电极。
最后利用电镀技术在P、N电极表面镀上厚的纯金层6。
接着制备L型的Cu板，采用磁控溅射一层Ti 8，作为粘附层；在Ti层8上磁控溅射一层AlN 9，作为绝缘层。
再采用磁控溅射或电子束蒸发一层薄金，采用电镀技术镀上一层厚纯金10。
最后采用热压焊进行纯金键合，将LED芯片倒装在Cu快速热扩散板上，制备出Au-Au-AlN-Ti材料结构的散热通道。
可见，本发明采用Au-Au-AlN-Ti高效散热梯度材料构建散热通道，将大功率LED与Cu快速热扩散板进行纯金热压键合焊接。如图1所示，大功率LED芯片的外延结构从衬底往上依次为蓝宝石衬底1、N-GaN层2、发光层和P-GaN层4，LED芯片结构为L型结构，通过刻蚀方式使N-GaN层2露出来，引出N电极和P电极，并在P、N电极之间生长一层隔离层，同时P、N电极加厚。而Cu热扩散板7的结构也为L型结构，并在表面依次制备Ti层8、AlN层9和Au层10。再通过纯金热压键合，实现LED芯片与Cu快速热扩散板的倒装焊接。由于，在纯金键合的倒装LED芯片中，其倒装焊接时采用了高热导率、热膨胀系数梯度变化的Au、AlN、Ti材料，形成一个高效散热通道，从而，使LED芯片与Cu快速热扩散板以最大面积和最短距离接触，使得LED有源区的热量能更快的传导出去，保证了器件性能的稳定，同时避免了热应力失配导致芯片损坏的可能。
综上所述，本发明技术方案设计新颖，采用Au-Au-AlN-Ti高效散热梯度材料封装大功率LED，通过纯金的键合，使得LED芯片倒装焊接在Cu快速热扩散板上，使LED有源区到Cu快速热扩散板之间的片内热阻小于3℃/W，解决了10W以上大功率LED的高效散热问题，显著提高器件的散热能力和稳定可靠性，更好地推动大功率LED的实用化，促进产业的升级发展。
以上仅是本发明的具体应用范例，对本发明的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本发明权利保护范围之内。
Claims (4)
1.大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，其特征在于：采用高热导、热膨胀系数梯度变化的Au-Au-AlN-Ti多层材料构建LED至Cu快速热扩散板之间的散热通道，具体包括以下步骤——
①制备GaN基LED芯片：先对GaN基LED外延片进行干法刻蚀，形成L型，露出N-GaN层台面；在P-GaN层表面蒸发一层铟锡氧化物电流扩展层，再利用磁控溅射或电子束蒸发P、N电极，再在P、N电极上镀上纯金；
②制备Cu快速热扩散板：先制作L型的Cu板，磁控溅射一层Ti或Cr，作为粘附层；在Ti层上磁控溅射一层AlN，作为绝缘层；继而，再蒸发一层薄金，镀上一层厚纯金；
③制备好LED芯片和Cu快速热扩散板后，将LED芯片倒装在Cu快速热扩散板上，进行纯金热压键合；从而，在LED与Cu快速热扩散板之间构造出Au-Au-AlN-Ti材料结构的散热通道。
2.根据权利要求1所述的大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，其特征在于：步骤①中，采用感应耦合等离子刻蚀或离子束刻蚀设备对GaN基LED外延片进行干法刻蚀，形成L型，露出N-GaN层台面，其中刻蚀掩膜层为光刻胶或SiO2。
3.根据权利要求1所述的大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，其特征在于：步骤②，在L型的Cu板磁控溅射一层Ti或Cr，作为粘附层；在Ti层上磁控溅射一层AlN，作为绝缘层；采用磁控溅射或电子束蒸发一层薄金，采用电镀镀上一层厚纯金。
4.根据权利要求1所述的大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，其特征在于：步骤③，采用纯金作为连接层，进行纯金热压键合，使LED的P电极与Cu快速热扩散板连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008100254498A CN101281944B (zh) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 大功率led多层梯度材料散热通道的构造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008100254498A CN101281944B (zh) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 大功率led多层梯度材料散热通道的构造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101281944A true CN101281944A (zh) | 2008-10-08 |
| CN101281944B CN101281944B (zh) | 2010-06-02 |
Family
ID=40014304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008100254498A Expired - Fee Related CN101281944B (zh) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 大功率led多层梯度材料散热通道的构造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101281944B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102479760A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 岑尚仁 | 具氮化铝薄膜的热扩散元件及其制作方法 |
| CN103078040A (zh) * | 2011-08-22 | 2013-05-01 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装件和光装置 |
| CN103378220A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-10-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种高压发光二极管芯片及其制备方法 |
| CN103730431A (zh) * | 2014-01-07 | 2014-04-16 | 宝钢金属有限公司 | 一种大功率阵列led芯片表面散热结构及制作方法 |
| CN105242335A (zh) * | 2015-10-26 | 2016-01-13 | 江苏新广联科技股份有限公司 | Led面板灯用扩散板的制备方法 |
| CN106159075A (zh) * | 2016-09-05 | 2016-11-23 | 江苏新广联半导体有限公司 | 一种具有低热阻绝缘层结构的倒装led芯片及制作方法 |
| CN115084348A (zh) * | 2022-07-14 | 2022-09-20 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 | 一种提升芯片可靠性的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4906256B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2012-03-28 | 株式会社沖データ | 半導体複合装置の製造方法 |
| CN1731592A (zh) * | 2005-08-26 | 2006-02-08 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 倒装焊结构发光二极管及其制造方法 |
| CN100499189C (zh) * | 2006-09-05 | 2009-06-10 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 纯金Au的合金键合LED倒装芯片的制备方法 |
-
2008
- 2008-04-30 CN CN2008100254498A patent/CN101281944B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102479760A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 岑尚仁 | 具氮化铝薄膜的热扩散元件及其制作方法 |
| CN103078040B (zh) * | 2011-08-22 | 2016-12-21 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装件和光装置 |
| CN103078040A (zh) * | 2011-08-22 | 2013-05-01 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装件和光装置 |
| USRE48858E1 (en) | 2011-08-22 | 2021-12-21 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit |
| US9634215B2 (en) | 2011-08-22 | 2017-04-25 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit |
| CN103378220A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-10-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种高压发光二极管芯片及其制备方法 |
| CN103730431A (zh) * | 2014-01-07 | 2014-04-16 | 宝钢金属有限公司 | 一种大功率阵列led芯片表面散热结构及制作方法 |
| CN103730431B (zh) * | 2014-01-07 | 2018-08-17 | 宝钢金属有限公司 | 一种大功率阵列led芯片表面散热结构及制作方法 |
| CN105242335B (zh) * | 2015-10-26 | 2017-07-04 | 江苏新广联科技股份有限公司 | Led面板灯用扩散板的制备方法 |
| CN105242335A (zh) * | 2015-10-26 | 2016-01-13 | 江苏新广联科技股份有限公司 | Led面板灯用扩散板的制备方法 |
| CN106159075A (zh) * | 2016-09-05 | 2016-11-23 | 江苏新广联半导体有限公司 | 一种具有低热阻绝缘层结构的倒装led芯片及制作方法 |
| CN115084348A (zh) * | 2022-07-14 | 2022-09-20 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 | 一种提升芯片可靠性的方法 |
| CN115084348B (zh) * | 2022-07-14 | 2022-11-04 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 | 一种提升芯片可靠性的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101281944B (zh) | 2010-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101281944B (zh) | 大功率led多层梯度材料散热通道的构造方法 | |
| US7736945B2 (en) | LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate | |
| CN101150156B (zh) | 发光元件及其制造方法 | |
| CN101308838B (zh) | 一种高导通电压倒装led集成芯片及制造方法 | |
| CN102664227B (zh) | 半导体发光二极管器件及其形成方法 | |
| CN102332521A (zh) | 具有点状分布n电极的氮化镓基发光二极管及其制备方法 | |
| CN106981550A (zh) | 一种易封装易散热倒装高压led芯片 | |
| CN101794849A (zh) | 一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离方法 | |
| KR100916366B1 (ko) | 반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법 | |
| CN103618042B (zh) | 一种半导体发光二极管芯片 | |
| CN109994586A (zh) | 密封的半导体发光器件 | |
| CN103579447A (zh) | 一种倒装结构发光二极管及其制备方法 | |
| CN105742450A (zh) | 照射出特定平面几何图形光斑的led芯片的制备方法及结构 | |
| CN106409997A (zh) | Led芯片及其形成方法 | |
| CN107579139B (zh) | 一种垂直结构半导体器件的制造方法 | |
| CN101465302B (zh) | 一种发光二极管芯片制造方法 | |
| CN100414704C (zh) | 平面倒装led集成芯片及制造方法 | |
| TW201547053A (zh) | 形成發光裝置的方法 | |
| CN102544274A (zh) | 晶片衬底结合结构、发光器件和用于制造发光器件的方法 | |
| CN100463241C (zh) | 准垂直混合式N型高掺杂GaN LED倒装芯片的制备方法 | |
| CN103779473B (zh) | Led芯片及其制作方法、led发光器件 | |
| CN203589085U (zh) | 一种半导体发光二极管芯片 | |
| CN102185046A (zh) | 垂直结构氮化镓基led的制作方法 | |
| CN104854718B (zh) | 具有集成的热沉的热管理结构 | |
| CN102064249B (zh) | 一种新型氮化镓led芯片电极结构的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS(SIN Free format text: FORMER OWNER: SUZHOU NANO TECHNIQUE + NANO BIONIC RESEARCH INST. Effective date: 20100908 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 215125 NO.398, RUOSHUI ROAD, GAOJIAO DISTRICT, DUSHUHU, INDUSTRIAL PARK, SUZHOU CITY, JIANGSU PROVINCE TO: 215123 NO.398, RUOSHUI ROAD, INDUSTRIAL PARK, SUZHOU CITY, JIANGSU PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20100908 Address after: 215123 Suzhou Industrial Park, Jiangsu, if waterway No. 398 Patentee after: Suzhou Institute of Nano-Tech and Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences Address before: 215125 Jiangsu city of Suzhou province Dushu Lake Industrial Park No. 398 waterway if higher education Patentee before: Suzhou Nano Technique & Nano Bionic Research Inst. |
|
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100602 Termination date: 20140430 |