JP2012099569A - 配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール - Google Patents
配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012099569A JP2012099569A JP2010244397A JP2010244397A JP2012099569A JP 2012099569 A JP2012099569 A JP 2012099569A JP 2010244397 A JP2010244397 A JP 2010244397A JP 2010244397 A JP2010244397 A JP 2010244397A JP 2012099569 A JP2012099569 A JP 2012099569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring sheet
- solar cell
- wiring
- electrode
- fixing resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 300
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 300
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 51
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 30
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 21
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- 239000002585 base Substances 0.000 description 26
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 25
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 25
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 24
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 21
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 18
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 11
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007116 SnPb Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02021—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Abstract
【解決手段】太陽電池セルの電極間および配線シートの配線間の少なくとも一方に固定樹脂を設置した後に、固定樹脂を第1の硬化状態とし、その後、導電性物質を含む接合部材を設置し、太陽電池セルと配線シートとを重ね合わせて、第1の硬化状態の固定樹脂を軟化し、再度硬化して第2の硬化状態とする配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。
【選択図】図1
Description
(1)裏面電極型太陽電池セルをSn−Bi半田槽に浸漬して電極部分を半田コートする工程。
(2)スクリーン印刷によりアクリル系粘着剤を裏面電極型太陽電池セルの裏面の電極以外の部分に塗布する工程。
(3)配線シート上に裏面電極型太陽電池セルを設置する工程。
(4)裏面電極型太陽電池セルと配線シートとを加熱圧着する工程。
まず、図1(a)に示すように、基板1と、基板1の少なくとも一方の表面である基板1の裏面上に所定の間隔を空けて設けられたn型用電極6およびp型用電極7と、を含む裏面電極型太陽電池セル8を用意する。なお、本実施の形態においては、太陽電池セルとして裏面電極型太陽電池セルを用いる場合について説明するが、裏面電極型太陽電池セルに限定されない。また、ここではn型用電極6およびp型用電極7は説明の便宜のためそれぞれ1つずつしか図示しかされていないが、それぞれ複数あってもよいことは言うまでもない。
次に、図1(b)に示すように、裏面電極型太陽電池セル8の基板1の裏面のn型用電極6とp型用電極7との間、裏面電極型太陽電池セル8の周縁部31とn型用電極6との間、および裏面電極型太陽電池セル8の周縁部31とp型用電極7との間に、それぞれ、未硬化の固定樹脂22aを設置する。このように、裏面電極型太陽電池セル8の電極間だけでなく、裏面電極型太陽電池セル8の電極(n型用電極6、p型用電極7)と周縁部31との間にも固定樹脂22aを設置することが好ましい。この場合には、裏面電極型太陽電池セル8と後述する配線シートとの機械的な接続の安定性をさらに向上することができる。
次に、図1(c)の模式的断面図に示すように、未硬化の固定樹脂22aを硬化して第1の硬化状態の固定樹脂22bとされる。
次に、図1(d)の模式的断面図に示すように、裏面電極型太陽電池セル8の基板1の裏面のn型用電極6およびp型用電極7のそれぞれの表面に接合部材21を設置する。
次に、図1(e)に示すように、裏面電極型太陽電池セル8と配線シート10とを重ね合わせる。
図7に、本実施の形態で用いられる配線シートの一例を配線の設置側から見た模式的な平面図を示す。図7に示すように、配線シート10は、絶縁性基材11と、絶縁性基材11の表面上に設置されたn型用配線12、p型用配線13および接続用配線14を含む配線16とを有している。
次に、上記のようにして重ね合わせた裏面電極型太陽電池セル8と配線シート10とを加圧しながら加熱および/または光を照射することによって、配線シート付き太陽電池セルを作製する。
上記のようにして作製された配線シート付き太陽電池セルは、たとえば図15の模式的断面図に示すように、表面保護材17と裏面保護材19との間の封止材18中に封止されることにより太陽電池モジュールが作製される。
Claims (12)
- 基板と前記基板の少なくとも一方の表面に設けられた電極とを含む太陽電池セルと、
絶縁性基材と前記絶縁性基材の少なくとも一方の表面に設けられた配線とを含む配線シートと、
前記電極と前記配線との間に配置されて前記電極と前記配線とを電気的に接続する導電性物質と、
前記太陽電池セルと前記配線シートとの間に配置されて前記太陽電池セルと前記配線シートとを機械的に接続する固定樹脂と、を含む配線シート付き太陽電池セルを製造するための方法であって、
前記太陽電池セルの前記電極間および前記配線シートの前記配線間の少なくとも一方に設置された前記固定樹脂を硬化して第1の硬化状態とする工程と、
前記太陽電池セルの前記電極上および前記配線シートの前記配線上の少なくとも一方に前記導電性物質を設置する工程と、
前記太陽電池セルの前記電極が前記配線シートの前記配線と対向するように前記太陽電池セルと前記配線シートとを重ね合わせる工程と、
前記第1の硬化状態の前記固定樹脂を軟化する工程と、
前記導電性物質を溶融する工程と、
前記軟化した前記固定樹脂を硬化して前記固定樹脂を第2の硬化状態とする工程と、を含む、配線シート付き太陽電池セルの製造方法。 - 前記第1の硬化状態は、常温における未硬化状態と比べて粘度が高く、形状保持性を有しており、かつ接着性の低い状態であり、
前記第2の硬化状態は、前記第1の硬化状態の前記固定樹脂の粘度が一旦低下した後に再度上昇することによって接着可能となる状態である、請求項1に記載の配線シート付き太陽電池セルの製造方法。 - 前記固定樹脂を軟化する工程と、前記導電性物質を溶融する工程と、前記固定樹脂を第2の硬化状態とする工程とは、1回の加熱工程で行なわれる、請求項1または2に記載の配線シート付き太陽電池セルの製造方法。
- 前記導電性物質が溶融する温度は、前記第1の硬化状態の前記固定樹脂が軟化する温度よりも高い、請求項1から3のいずれかに記載の配線シート付き太陽電池セルの製造方法。
- 前記第2の硬化状態の前記固定樹脂は白色である、請求項1から4のいずれかに記載の配線シート付き太陽電池セルの製造方法。
- 前記固定樹脂を設置する工程において、前記固定樹脂は、前記太陽電池セルの前記電極と前記太陽電池セルの周縁部との間に設置される、請求項1から5のいずれかに記載の配線シート付き太陽電池セルの製造方法。
- 前記固定樹脂は、前記太陽電池セルの前記電極と前記太陽電池セルの前記周縁部との間に、前記太陽電池セルと前記配線シートとの位置合わせを行なうための位置合わせパターンを有するように設置される、請求項6に記載の配線シート付き太陽電池セルの製造方法。
- 前記配線シートには前記固定樹脂の前記位置合わせパターンに対応する位置合わせパターンが設けられており、
前記重ね合わせる工程は、前記太陽電池セルに設けられた前記固定樹脂の前記位置合わせパターンと前記配線シートの前記位置合わせパターンとが重なるように位置合わせをする工程を含む、請求項7に記載の配線シート付き太陽電池セルの製造方法。 - 基板と前記基板の少なくとも一方の表面に設けられた電極とを含む太陽電池セルと、
絶縁性基材と前記絶縁性基材の少なくとも一方の表面に設けられた配線とを含む配線シートと、
前記電極と前記配線との間に配置されて前記電極と前記配線とを電気的に接続する導電性物質と、
前記太陽電池セルと前記配線シートとの間に配置されて前記太陽電池セルと前記配線シートとを機械的に接続する固定樹脂と、を含む配線シート付き太陽電池セルが封止材中に封止された太陽電池モジュールを製造するための方法であって、
前記太陽電池セルの前記電極間および前記配線シートの前記配線間の少なくとも一方に設置された前記固定樹脂を硬化して第1の硬化状態とする工程と、
前記太陽電池セルの前記電極上および前記配線シートの前記配線上の少なくとも一方に前記導電性物質を設置する工程と、
前記太陽電池セルの前記電極が前記配線シートの前記配線と対向するように前記太陽電池セルと前記配線シートとを重ね合わせる工程と、
重ね合わせた前記太陽電池セルと前記配線シートとを加熱することで封止材中に封止する工程と、を含み、
前記封止材中に封止する工程は、
前記加熱によって前記第1の硬化状態の前記固定樹脂を軟化する工程と、
前記加熱によって前記導電性物質を溶融する工程と、
前記加熱によって前記軟化した前記固定樹脂を硬化して前記固定樹脂を第2の硬化状態とする工程と、を含む、太陽電池モジュールの製造方法。 - 基板と前記基板の少なくとも一方の表面に設けられた電極とを含む太陽電池セルと、
絶縁性基材と前記絶縁性基材の少なくとも一方の表面に設けられた配線とを含む配線シートと、
前記電極と前記配線との間に配置されて前記電極と前記配線とを電気的に接続する導電性物質と、
前記太陽電池セルと前記配線シートとの間に配置されて前記太陽電池セルと前記配線シートとを機械的に接続する固定樹脂と、を含み、
前記太陽電池セルの前記電極と前記太陽電池セルの前記周縁部との間には、前記太陽電池セルと前記配線シートとの位置合わせを行なうための位置合わせパターンを有する固定樹脂が設けられており、
前記配線シートには前記太陽電池セルに設けられた前記固定樹脂の前記位置合わせパターンに対応する位置合わせパターンが設けられており、
前記固定樹脂の前記位置合わせパターンと前記配線シートの前記位置合わせパターンとが重なるように前記太陽電池セルと前記配線シートとが配置されている、配線シート付き太陽電池セル。 - 前記固定樹脂は白色の樹脂である、請求項10に記載の配線シート付き太陽電池セル。
- 請求項10または11に記載の配線シート付き太陽電池セルが封止材中に封止されてなる、太陽電池モジュール。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010244397A JP5140133B2 (ja) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | 配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
PCT/JP2011/074428 WO2012057076A1 (ja) | 2010-10-29 | 2011-10-24 | 配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
US13/882,333 US9224880B2 (en) | 2010-10-29 | 2011-10-24 | Method for manufacturing solar cell with interconnection sheet, method for manufacturing solar cell module, solar cell with interconnection sheet, and solar cell module |
CN201180062651.8A CN103283034B (zh) | 2010-10-29 | 2011-10-24 | 带有布线板的太阳能电池单元的制造方法、太阳能电池模块的制造方法、带有布线板的太阳能电池单元及太阳能电池模块 |
TW100139465A TWI450400B (zh) | 2010-10-29 | 2011-10-28 | A method of manufacturing a solar electrode unit with a wiring sheet, a method for manufacturing a solar cell module, a solar cell unit having a wiring sheet, and a solar cell module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010244397A JP5140133B2 (ja) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | 配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012021812A Division JP2012099853A (ja) | 2012-02-03 | 2012-02-03 | 配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
JP2012021813A Division JP2012099854A (ja) | 2012-02-03 | 2012-02-03 | 配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012099569A true JP2012099569A (ja) | 2012-05-24 |
JP5140133B2 JP5140133B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=45993784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010244397A Expired - Fee Related JP5140133B2 (ja) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | 配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9224880B2 (ja) |
JP (1) | JP5140133B2 (ja) |
CN (1) | CN103283034B (ja) |
TW (1) | TWI450400B (ja) |
WO (1) | WO2012057076A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015106714A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2016510174A (ja) * | 2013-03-05 | 2016-04-04 | ヴァロエ オイ | 光起電力モジュールアセンブリ |
WO2016052041A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | シャープ株式会社 | 配線シート付き裏面電極型太陽電池セル |
JP2016072597A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | シャープ株式会社 | 配線シート付き裏面電極型太陽電池セル |
JP2016100494A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | シャープ株式会社 | 配線シート付き裏面電極型太陽電池セル |
US11195965B2 (en) | 2017-10-26 | 2021-12-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell module, wiring sheet, and method of manufacturing wiring sheet |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6063669B2 (ja) * | 2012-08-09 | 2017-01-18 | シャープ株式会社 | 電子機器及び電子機器の製造方法 |
CN104347737B (zh) * | 2014-09-28 | 2016-08-17 | 苏州中来光伏新材股份有限公司 | 无主栅、高效率背接触太阳能电池模块、组件及制备工艺 |
WO2016068052A1 (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-06 | シャープ株式会社 | 光電変換素子、それを備えた太陽電池モジュールおよび太陽光発電システム |
NL2015899B1 (en) * | 2015-12-03 | 2017-06-30 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Interconnection of back-contacted solar cell, a solar panel having such interconnection. |
JP6205031B2 (ja) * | 2016-08-03 | 2017-09-27 | シャープ株式会社 | 電子機器及び電子機器の製造方法 |
US11575053B2 (en) * | 2017-05-10 | 2023-02-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device and solar cell module including same |
CN113161439B (zh) * | 2021-01-30 | 2023-12-19 | 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 | 一种电池互联结构、组件及制备方法 |
US20230402968A1 (en) * | 2022-06-10 | 2023-12-14 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Soft spacers for shingled solar cell panels |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088145A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sharp Corp | 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール |
WO2009060753A1 (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
WO2009096114A1 (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池モジュールの製造方法 |
WO2010082594A1 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3205686B2 (ja) | 1995-08-21 | 2001-09-04 | 株式会社日立製作所 | 実装用半導体装置とその実装方法 |
JP5084146B2 (ja) | 2006-01-30 | 2012-11-28 | 三洋電機株式会社 | 光起電力モジュール |
TW201027773A (en) | 2008-08-27 | 2010-07-16 | Applied Materials Inc | Back contact solar cell modules |
US8609983B2 (en) * | 2009-06-29 | 2013-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Interconnection sheet, solar cell with interconnection sheet, solar cell module, and interconnection sheet roll |
-
2010
- 2010-10-29 JP JP2010244397A patent/JP5140133B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-24 CN CN201180062651.8A patent/CN103283034B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-24 US US13/882,333 patent/US9224880B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-24 WO PCT/JP2011/074428 patent/WO2012057076A1/ja active Application Filing
- 2011-10-28 TW TW100139465A patent/TWI450400B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088145A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sharp Corp | 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール |
WO2009060753A1 (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
WO2009096114A1 (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池モジュールの製造方法 |
WO2010082594A1 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016510174A (ja) * | 2013-03-05 | 2016-04-04 | ヴァロエ オイ | 光起電力モジュールアセンブリ |
JP2015106714A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
US10170647B2 (en) | 2013-11-29 | 2019-01-01 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
WO2016052041A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | シャープ株式会社 | 配線シート付き裏面電極型太陽電池セル |
JP2016072597A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | シャープ株式会社 | 配線シート付き裏面電極型太陽電池セル |
JP2016100494A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | シャープ株式会社 | 配線シート付き裏面電極型太陽電池セル |
US11195965B2 (en) | 2017-10-26 | 2021-12-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell module, wiring sheet, and method of manufacturing wiring sheet |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5140133B2 (ja) | 2013-02-06 |
CN103283034B (zh) | 2015-11-25 |
US9224880B2 (en) | 2015-12-29 |
CN103283034A (zh) | 2013-09-04 |
TWI450400B (zh) | 2014-08-21 |
WO2012057076A1 (ja) | 2012-05-03 |
US20130306143A1 (en) | 2013-11-21 |
TW201230354A (en) | 2012-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5140133B2 (ja) | 配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール | |
JP5324602B2 (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP5231515B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP4944240B1 (ja) | 裏面電極型太陽電池セル、配線シート付き裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き裏面電極型太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP5450595B2 (ja) | 配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
WO2011043281A1 (ja) | 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線シートロール | |
JP2010157553A (ja) | 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP5140132B2 (ja) | 配線基板付き裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線基板付き裏面電極型太陽電池セルの製造方法 | |
JP5410397B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、配線基板付き裏面電極型太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、半導体装置、配線基板付き裏面電極型太陽電池セルおよび太陽電池モジュール | |
JP5661676B2 (ja) | 配線基板付き太陽電池セルの製造方法 | |
JP5123409B2 (ja) | 配線基板付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP6877897B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP2012099854A (ja) | 配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール | |
JP2013214603A (ja) | 配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP2013058808A (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法 | |
JP2012099853A (ja) | 配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール | |
JP2012009503A (ja) | 配線シート、それを備えた裏面電極型太陽電池モジュール、および、裏面電極型太陽電池モジュールのリペア方法 | |
JP2010245399A (ja) | 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP2010041009A (ja) | 素子形成基板配線ストリング、太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
JP2019117860A (ja) | 両面受光型太陽電池モジュール | |
JP2013187381A (ja) | 裏面電極型太陽電池セル、配線シート付き裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュール、裏面電極型太陽電池セルの製造方法、配線シート付き裏面電極型太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP2013258310A (ja) | 太陽電池ストリング、太陽電池モジュールおよび配線シートの製造方法 | |
JP5159860B2 (ja) | 配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121023 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5140133 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |