JP2012082235A - セルロースアシレートフィルム、位相差フィルム、偏光板および液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】環境湿度に依存したレターデーション変化が小さく、かつ、偏光板に貼り合わせて高温高湿下で経時させた場合に偏光子の劣化を抑えることができるセルロースアシレートフィルムの提供。
【解決手段】（Ａ）〜（Ｃ）の要件を満たす水素結合性化合物と、多価アルコールエステル系疎水化剤、重縮合エステル系疎水化剤および炭水化物誘導体系疎水化剤の中から選ばれる少なくとも一つの疎水化剤を含むセルロースアシレートフィルム。（Ａ）１分子内に水素結合ドナー部と水素結合アクセプター部の双方を有する。（Ｂ）分子量を水素結合ドナー数と水素結合アクセプター数の合計数で除した値が３０以上６５以下。（Ｃ）芳香環構造の総数が１以上３以下。
【選択図】なし

Description

本発明は、セルロースアシレートフィルム、位相差フィルム、該セルロースアシレートフィルムを用いた偏光板および液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、消費電力の小さい省スペースの画像表示装置として年々その用途が広がっている。従来、液晶表示装置は表示画像の視野角依存性が大きいことが大きな欠点であったが、ＶＡモード等の広視野角液晶モードが実用化されており、これによってテレビ等の高品位の画像が要求される市場でも液晶表示装置の需要が急速に拡大しつつある。

液晶表示装置の基本的な構成は液晶セルの両側に偏光板を設けたものである。前記偏光板は一定方向の偏波面の光だけを通す役割を担っており、偏光板の性能によって液晶表示装置の性能が大きく左右される。偏光板は、一般にヨウ素や染料を吸着配向させたポリビニルアルコールフィルム等からなる偏光子の表裏両側に透明な保護フィルムを貼り合わせた構成となっている。セルロースアセテートに代表されるセルロースアシレートフィルムは透明性が高く、偏光子に使用されるポリビニルアルコールとの密着性を容易に確保できることから偏光板保護フィルムとして広く使用されてきた。

また、液晶表示装置の偏光板と液晶セルとの間に、特定のレターデーションを有する位相差フィルムを配置することでより広い視野角が実現できること、すなわち表示特性を向上できることが知られている。このような位相差フィルムとしても、優れた光学性能、具体的には位相差フィルムの面内レターデーションＲｅ（ｎｍ）及び厚み方向のレターデーションＲｔｈ（ｎｍ）を発現させることができるセルロースアシレートフィルムが注目されており、セルロースアシレートフィルムは位相差フィルムとしても液晶表示装置に用いられている。

セルロースアシレートフィルムに用いることでその性能を改善することができる添加剤がいくつか知られている。セルロースアシレートフィルム用の添加剤として用いることができる従来公知の化合物としては、いわゆるレターデーション上昇剤が挙げられる。特許文献１には、レターデーション上昇剤として、ケト−エノール互変異可能な化合物をその構成要素として含む分子錯合体を形成しうる化合物が開示されており、その一例としてグアナミン骨格等の１，３，５−トリアジン環を含む構造を有する化合物が開示されている。また、同様に、特許文献２には、セルロースアセテートフィルムに添加することでＲｔｈを上昇させることができる化合物として、円盤状化合物からなるレターデーション上昇剤が開示されている。この文献に開示されているレターデーション上昇剤は円盤状化合物であり、その一例として１，３，５−トリアジン環またはポルフィリン骨格を含む構造を有する化合物が開示されている。

近年、液晶表示装置の用途拡大につれ、テレビ等の大サイズかつ高品位用途が拡大してきており、偏光板、位相差フィルムおよび偏光板保護フィルムに対しても一段と高い品質が要求されるようになっている。なかでも、大サイズかつ高品位用途の液晶表示装置は、従来に比べて過酷な環境下での使用が求められるため、該液晶表示装置に用いるセルロースアシレートフィルムには、環境湿度に依存した光学性能変化の低減と、高温高湿下で経時させた場合の偏光子の保護、とを両立することが望まれてきている。

しかしながら、従来のセルロースアシレートフィルムは、上記特許文献１または２に記載の特定の構造を有するレターデーション上昇剤が添加されているセルロースアシレートフィルムを含め、環境湿度に依存した光学性能変化の低減と、高温高湿下で経時させた場合の偏光子の保護を十分に両立できていなかった。

このような要望に対して、例えば、特許文献３には、特定のアシル置換度を有するセルロースアシレートフィルムを用いて、環境湿度に依存した光学性能変化と、高温高湿下で経時させた場合の性能変化を改善する方法が開示されている。

また、セルロースアシレートフィルムに添加剤を添加することによって環境湿度による性能変化と高温高湿下で経時させた場合の性能変化を改善する方法としては、ポリエステルと多価アルコールエステルまたは芳香族末端エステルを含有するセルロースアシレートフィルムを用いる方法が特許文献４に開示されている。

特開２００４−１０９４１０号公報 特開２００１−１６６１４４号公報 特開２００６−０８９５２９号公報 特開２００６−３４２２２７号公報

本発明者らが上記特許文献３および４に記載の方法を検討したところ、特許文献３に記載の方法では、環境湿度に依存した光学性能変化の低減と、高温高湿下で経時させた場合の偏光子の保護との両立が不十分であることがわかった。また、セルロースアシレートフィルムのセルロースアシレートのアシル置換度を限定すると、レターデーションの制御範囲が狭く、特定の液晶セルモードの液晶表示に対応したレターデーションにしか調節できなくなる問題があった。また、特許文献４に記載の方法では、一定の効果は認められるものの、近年の高品位用途の液晶表示装置に用いるには依然として改良不足であり、さらなる改善が求められることがわかった。

本発明の目的は、環境湿度に依存したレターデーション変化が小さく、かつ、偏光板に貼り合わせて高温高湿下で経時させた場合に偏光子の劣化を抑えることができるセルロースアシレートフィルムを提供することにある。また、該セルロースアシレートフィルムを用いた位相差フィルム、および偏光板、およびこれを使用した液晶表示装置を提供することにある。

本発明者らが上記課題を解決することを目的として鋭意研究したところ、特許文献１または２に記載の化合物に類似する構造の化合物が、上記課題の解決に有用な化合物の一つであることを見出した。そこで、さらなる改善を求めて研究をすすめた結果、下記（Ａ）〜（Ｃ）の要件を満たす水素結合性化合物と特定の疎水化剤とを同時に添加することによって、上記課題を解決できることを見出すに至った。すなわち、上記課題は、以下の構成の本発明によって解決される。

［１］ 下記（Ａ）〜（Ｃ）の要件を満たす水素結合性化合物と、多価アルコールエステル系疎水化剤、重縮合エステル系疎水化剤および炭水化物誘導体系疎水化剤の中から選ばれる少なくとも一つの疎水化剤を含むことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
（Ａ）１分子内に水素結合ドナー部と水素結合アクセプター部の双方を有する。
（Ｂ）分子量を水素結合ドナー数と水素結合アクセプター数の合計数で除した値が３０以上６５以下。
（Ｃ）芳香環構造の総数が１以上３以下。
［２］ 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ａ−１）で表される化合物である、［１］に記載のセルロースアシレートフィルム。

（一般式（Ａ−１）中、Ｒａはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基またはアリール基を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。）
［３］ 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｂ−１）で表される化合物である、［１］に記載のセルロースアシレートフィルム。

（一般式（Ｂ−１）中、ＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基またはアリール基を表す。Ｘ^５およびＸ^６はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｒ^５およびＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。）
［４］ 前記一般式（Ａ−１）および（Ｂ−１）において、前記Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が、それぞれ独立に、単結合および下記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択されるいずれか一つであることを特徴とする［１］〜［３］のいずれか一項に記載のセルロースアシレートフィルム。

（一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ａ−１）および（Ｂ−１）で表される化合物中の１，３，５−トリアジン環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
［５］ 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｃ−１）で表される化合物である、［１］に記載のセルロースアシレートフィルム。

（一般式（Ｃ−１）中、Ｒａ^１１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｂ^１１、Ｒｃ^１１、Ｒｄ^１１およびＲｅ^１１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ¹は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａと連結して環を形成してもよい。Ｘ^１１、Ｘ^１２、およびＸ^１３は、それぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^１４は、下記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）

（一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ｃ−１）で表される化合物中の１，３，５−トリアジン環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
［６］ 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｄ−１）で表される化合物である、［１］に記載のセルロースアシレートフィルム。

（一般式（Ｄ−１）中、Ｒａ^２１、Ｒｇ^２１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｄ^２１、およびＲｅ^２１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^１１は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^２１と連結して環を形成してもよい。Ｑ^１２は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲｈ−を示し、Ｒｈは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^２１と連結して環を形成してもよい。Ｘ^２３は単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^２４は、下記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）

（一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ｄ−１）で表される化合物中の１，３，５−トリアジン環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
［７］ 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｅ−１）で表される化合物である［１］に記載のセルロースアシレートフィルム。

（一般式（Ｅ−１）中、Ｙ^１はメチン基、あるいは−Ｎ−を表す。Ｒａ^３１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｂ^３１、Ｒｃ^３１、Ｒｄ^３１およびＲｅ^３１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^２１は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^３１と連結して環を形成してもよい。Ｘ^３１、Ｘ^３２、およびＸ^３３は、それぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^３４は、下記一般式（Ｑ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）
一般式（Ｑ）

（一般式（Ｑ）中、＊側が前記一般式（Ｅ−１）で表される化合物中の複素環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
［８］ 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｆ−１）で表される化合物である［１］に記載のセルロースアシレートフィルム。

（一般式（Ｆ−１）中、Ｙ^１１はメチン基、あるいは−Ｎ−を表す。Ｒａ^４１、Ｒｇ^４１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｄ^４１、およびＲｅ^４１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^３１は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^４１と連結して環を形成してもよい。Ｑ^３２は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲｈ−を示し、Ｒｈは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^４１と連結して環を形成してもよい。Ｘ^４３は単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^４４は、下記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）

（一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ｆ−１）で表される化合物中の複素環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
［９］ 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｇ−１）で表される化合物である［１］に記載のセルロースアシレートフィルム。

（一般式（Ｇ−１）中、Ｌ^１は単結合またはヘテロ原子を含む２価の連結基を表し、Ｒ^８１は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアリールアルキル基を表す。）
［１０］ 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｈ−１）で表される化合物である［１］に記載のセルロースアシレートフィルム。

（一般式（Ｈ−１）中、Ｌ³は単結合またはヘテロ原子を含む２価の連結基を表し、Ｒ^８５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアリールアルキル基を表す。）Ｒ^８３、Ｒ^８４はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｘ^５３、Ｘ^５４はそれぞれ独立に、下記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）

（一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ｈ−１）で表される化合物中の複素環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
［１１］ 前記水素結合性化合物の分子量が１００〜１０００であることを特徴とする［１］〜［１０］のいずれか一項に記載のセルロースアシレートフィルム。
［１２］ ［１］〜［１１］のいずれか一項に記載のセルロースアシレートフィルムを含むことを特徴とする位相差フィルム。
［１３］ ［１］〜［１１］のいずれか一項に記載のセルロースアシレートフィルムまたは［１２］に記載の位相差フィルムを含んでなる偏光板。
［１４］ ［１］〜［１１］のいずれか一項に記載のセルロースアシレートフィルム、［１２］に記載の位相差フィルムまたは［１３］に記載の偏光板を含んでなる液晶表示装置。

環境湿度に依存したレターデーション変化が小さく、かつ、偏光板に貼り合わせて高温高湿下で経時させた場合に偏光子の劣化を抑えることができるセルロースアシレートフィルム、位相差フィルム、および偏光板、およびこれを使用した液晶表示装置が提供される。

本発明の液晶表示装置の例を示す概略図である。

［セルロースアシレートフィルム］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、下記（Ａ）〜（Ｃ）の要件を満たす水素結合性化合物（以下本発明に用いられる水素結合性化合物と称する）と、多価アルコールエステル系疎水化剤、重縮合エステル系疎水化剤および炭水化物誘導体系疎水化剤の中から選ばれる少なくとも一つの疎水化剤を含むことを特徴とする。
（Ａ）１分子内に水素結合ドナー部と水素結合アクセプター部の双方を有する。
（Ｂ）分子量を水素結合ドナー数と水素結合アクセプター数の合計数で除した値が２５以上６５以下。
（Ｃ）芳香環構造の総数が１以上３以下。
本発明に用いられる水素結合性化合物と特定の疎水化剤をセルロースアシレートフィルムに添加することにより、環境湿度変化に伴うセルロースアシレートフィルムのレターデーション変化を大幅に低減できる。
さらに、該セルロースアシレートフィルムを偏光板保護フィルムとして用いることにより、高温高湿下での偏光子の性能劣化を大幅に改良できる。
以下に、前記本発明に用いられる水素結合性化合物、前記疎水化剤、セルロースアシレートフィルムの製造方法の順に詳しく説明する。

＜本発明に用いられる水素結合性化合物＞
本発明のセルロースアシレートフィルムは、前記水素結合性化合物を含むことを特徴とする。以下、本発明に用いられる水素結合性化合物の構造の詳細について、説明する。
いかなる理論に拘泥するものでもないが、セルロースアシレートフィルムの位相差値の湿度依存性はセルロースアシレート樹脂のアシル置換基に存在するカルボニル基に水分子が配位することにより、セルロースアシレート樹脂の複屈折性が変化することで生じていると推測される。同様にいかなる理論に拘泥するものでもないが、本発明に用いられる水素結合性化合物は、水素結合性基を適当な位置に有するため、セルロースアシレート樹脂のカルボニル基または水酸基に効果的に相互作用し、高湿状態での水分子のセルロースアシレート樹脂への接近を阻害することができる。すなわち、本発明は水素結合性化合物の構造、特に水素結合性化合物の分子内における配置に着目したものである。なお、従来１，３，５−トリアジン環を有する化合物をセルロースアシレート樹脂に添加する場合は、１，３，５−トリアジン環を有する化合物全体の形状の平面性に注目していたため、本発明の前記構造の化合物はほとんど注目されていなかった。

本発明に用いられる水素結合性化合物は、下記（Ａ）〜（Ｃ）の要件を満たす。
（Ａ）１分子内に水素結合ドナー部と水素結合アクセプター部の双方を有する。
（Ｂ）分子量を水素結合ドナー数と水素結合アクセプター数の合計数で除した値が３０以上６５以下。
（Ｃ）芳香環の総数が１以上３以下。

まず（Ａ）の要件について説明する。
本発明に用いられる前記水素結合性化合物において水素結合性ドナー部および水素結合性アクセプター部として働く官能基の例は例えば、Jeffrey, George A.著、Oxford UP刊のIntroduction to Hydrogen Bondingの１５ページのＴａｂｌｅ ２に記載されており、本明細書ではこの表に記載の官能基の数の前記水素結合性化合物における合計を、水素結合性ドナー数および水素結合性アクセプター数の合計として用いる。
本発明に用いられる前記水素結合性化合物は１分子内に水素結合性ドナー部と水素結合性アクセプター部の双方を有することにより、水と強い水素結合を形成し、水がセルロースアシレート中のカルボニル基に配位するを抑制することができる。水素結合性ドナー部と水素結合性アクセプター部を結ぶ結合の数は０個以上３個以下が、前記水との水素結合形成の点で好ましく、１個および２個がさらに好ましい。

次に（Ｂ）の要件について説明する。
本発明に用いられる前記水素結合性化合物は、分子量を水素結合ドナー数と水素結合アクセプター数の合計数で除した値は３５以上６０以下がさらに好ましい。分子量を水素結合ドナー数と水素結合アクセプター数の合計数で除した値が大きすぎると、セルロースアシレートに水素結合性化合物が接近しにくくなり、環境変化にともなうレターデーション変化の改良効果が小さくなってしまう。一方、分子量を水素結合ドナー数と水素結合アクセプター数の合計数で除した値が小さすぎると水素結合性化合物同士の相互作用が強くなりすぎて、溶媒への溶解性、セルロースアシレートとの相溶性が不足するため好ましくない。

次に（Ｃ）の要件について説明する。
本発明に用いられる水素結合性化合物中の芳香環構造の数は１以上３以下である。ここで、芳香環構造とは、芳香族炭化水素環の他、複素芳香環も含む。また、芳香環構造の数は、芳香環が縮合している縮合環の場合は１つと数え、芳香環どうしが連結基を介して連結しているときに複数個と数える。例えば、ナフタレン由来の炭素数１０の芳香環は、芳香環構造１つと数える。芳香環構造の数が４以上になると水素結合性化合物の分子サイズが大きくなりすぎて、セルロースアシレート中のカルボニル基に接近しにくくなり、環境湿度による光学特性変化に対する抑制効果が小さくなってしまう。
また、本発明に用いられる水素結合性化合物は少なくとも一つの複素芳香環を含むことが好ましい。複素芳香環を含むことにより複素芳香環中のヘテロ原子と水素結合性化合物中の他の水素結合性アクセプターあるいは水素結合性ドナーが水と環状水素結合を形成しやすくなり好ましい。

（水素結合性化合物の親疎水性）
本発明に用いられる水素結合性化合物の親疎水性は特定範囲に制御されていることが好ましい。すなわち、添加剤が疎水的過ぎるとセルロースアシレートとの相溶性が不足し、セルロースアシレートに近傍に存在しうる添加剤の割合が少なくなってしまう。一方、添加剤が親水的過ぎると、ドープ溶剤への溶解性が不足してしまう。

−ＣｌｏｇＰ値−
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、一般にＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））、Ｖｉｓｗａｎａｄｈａｎ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２９，１６３（１９８９））、Ｂｒｏｔｏ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｅｕｒ．Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．−Ｃｈｉｍ．Ｔｈｅｏｒ．，１９，７１（１９８４））などを用いることが知られている。本発明では、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））を用いる。
ＣｌｏｇＰ値とは、１−オクタノールと水への分配係数Ｐの常用対数ｌｏｇＰを計算によって求めた値である。ＣｌｏｇＰ値の計算に用いる方法やソフトウェアについては公知の物を用いることができるが、本発明ではＤａｙｌｉｇｈｔ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ社のシステム：ＰＣＭｏｄｅｌｓに組み込まれたＣＬＯＧＰプログラムを用いた。
また、ある化合物のｌｏｇＰの値が、測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法により判断することとなる。

水素結合性化合物の親疎水性は、オクタノール−水分配係数（以下ｌｏｇＰと称することがある）により表すことができる。本発明に用いられる水素結合性化合物の親疎水性が、オクタノール−水分配係数の中でも前記ＣｌｏｇＰ値として０〜５．５の範囲になるように制御されていることを特徴とする。本発明に用いられる水素結合性化合物のＣｌｏｇＰ値は、さらに好ましくは１．０〜５．０であり、最も好ましくは２．０〜４．５である。

以下に本発明に用いられる水素結合性化合物の具体的な構造について説明する。
本発明に用いられる水素結合性化合物は以下に示す一般式（Ａ−１）〜（Ｈ−１）であらわされる化合物が好ましい。以下に各々の構造について詳しく説明する。

（Ａ）一般式（Ａ−１）で表される水素結合性化合物
まず、一般式（Ａ−１）で表される化合物について説明する。なお、本明細書中において、アルキル基などの炭化水素基は、本発明の趣旨に反さない場合、直鎖であっても、分枝であってもよい。

（一般式（１）中、Ｒａはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基またはアリール基を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。）

前記Ｒａはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基またはアリール基を表し、アルキル基またはアリール基であることが好ましい。

前記Ｒａがアルキル基である場合、炭素数１〜２０であることが好ましく、炭素数３〜１５であることがより好ましく、炭素数６〜１２であることが特に好ましい。
前記Ｒａがアルケニル基である場合、炭素数２〜２０であることが好ましく、炭素数３〜１５であることがより好ましく、炭素数６〜１２であることが特に好ましい。
前記Ｒａがアルキニル基である場合、炭素数２〜２０であることが好ましく、炭素数３〜１５であることがより好ましく、炭素数６〜１２であることが特に好ましい。
前記Ｒａがアリール基である場合、炭素数６〜２４であることが好ましく、炭素数６〜１８であることがより好ましい。
前記Ｒａが複素環基である場合、炭素数５〜２３であることが好ましく、炭素数５〜１７であることがより好ましい。

前記Ｒａはさらに置換基を有していても、有していなくともよいが、さらに置換基を有していないことが、湿度依存性改良の観点から好ましい。
前記Ｒａが有していてもよい置換基としては、以下の置換基Ｔを挙げることができる。前記置換基Ｔとしては、例えばアルキル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８のものであり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１２、特に好ましくは２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１２、特に好ましくは２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜３０、より好ましくは６〜２０、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは０〜１０、特に好ましくは０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは６〜１６、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは７〜１６、特に好ましくは７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは７〜１６、特に好ましくは７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは０〜１６、特に好ましくは０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは６〜１６、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素原子数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素原子数３〜４０、より好ましくは３〜３０、特に好ましくは３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

前記Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表し、それぞれ独立に単結合であることがより好ましく、全て単結合であることが特に好ましい。
前記Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４がそれぞれ独立に表していてもよい前記２価の連結基としては、例えば、下記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜３、特に好ましくは炭素数２）、アリーレン基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは、炭素数６〜１０）などを挙げることができる。その中でも下記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基であることが好ましく、カルボニル基であることがより好ましい。

（一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ａ−１）で表される化合物中の１，３，５−トリアジン環に置換しているＮ原子との連結部位である。）

前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表し、水素原子、アルキル基、アリール基または複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはアシル基であることが特に好ましく、水素原子またはアルキル基であることがより特に好ましい。また、前記Ｒ^１またはＲ^２の少なくとも一方が水素原子であることが好ましく、前記Ｒ^３またはＲ^４の少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。
前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４がアルキル基である場合、炭素数１〜１２であることが好ましく、炭素数１〜６であることがより好ましく、炭素数１〜４であることが特に好ましい。前記Ｒ^１がアルキル基かつＸ^１が−Ｃ（＝Ｏ）−、前記Ｒ^２がアルキル基かつＸ^２が−Ｃ（＝Ｏ）−、前記Ｒ^３がアルキル基かつＸ^３が−Ｃ（＝Ｏ）−、前記Ｒ^４がアルキル基かつＸ^４が−Ｃ（＝Ｏ）−である場合、湿度依存性改良の観点から好ましいＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４の範囲は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アシル基または複素環基であり、より好ましくは置換または無置換のアリール基である。該アリール基が有する好ましい置換基は、後述する一般式（Ａ−４）におけるのＲ^３１〜Ｒ^３４の範囲と同様であり、すなわちハロゲン原子、水酸基、カルバモイル基、スルファモイル基、炭素数１から８のアルキル基、炭素数１から８のアルコキシ基、炭素数１から８のアルキルアミノ基、炭素数１から８のジアルキルアミノ基である。
前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４がアルケニル基である場合、炭素数２〜１２であることが好ましく、炭素数２〜６であることがより好ましく、炭素数２〜４であることが特に好ましい。
前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４がアルキニル基である場合、炭素数２〜１２であることが好ましく、炭素数２〜６であることがより好ましく、炭素数２〜４であることが特に好ましい。
前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４がアリール基である場合、炭素数６〜１８であることが好ましく、炭素数６〜１２であることがより好ましく、炭素数６であることが湿度依存性改良の観点から特に好ましい。
前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４はさらに置換基を有していても、有していなくともよく、該置換基としては前記置換基Ｔを挙げることができる。

前記一般式（Ａ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ａ−２）で表されることが特に好ましい。

前記Ｒａ^２はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアリール基を表し、好ましい範囲は、前記Ｒａの好ましい範囲と同様である。

前記Ｒ^２１およびＲ^２４はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表し、好ましい範囲は前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４の好ましい範囲と同様である。

前記一般式（Ａ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ａ−３）で表されることがより特に好ましい。

（一般式（Ａ−３）中、Ｒａ^３はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアリール基を表す。）

前記Ｒａ^３はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアリール基を表し、好ましい範囲は、前記Ｒａの好ましい範囲と同様である。
さらに、本発明のセルロースアシレートフィルムは、前記Ｒａ^３がアルキル基であることが、Ｒｔｈを下降させつつ、レターデーションの湿度依存性を改良する場合に好ましく、その場合はさらに前記Ｒａ^３が無置換のアルキル基であるときがより好ましい。

前記一般式（Ａ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ａ−４）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ａ−４）中、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３およびＲ^３４は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルバモイル基、スルファモイル基、炭素数１から８のアルキル基、炭素数１から８のアルコキシ基、炭素数１から８のアルキルアミノ基、炭素数１から８のジアルキルアミノ基を表す。）前記Ｒａ⁴はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアリール基を表し、好ましい範囲は、前記Ｒａの好ましい範囲と同様である。

（Ｂ）一般式（Ｂ−１）で表される水素結合性化合物
次に、一般式（Ｂ−１）で表される化合物について説明する。

（一般式（Ｂ−１）中、ＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基またはアリール基を表す。Ｘ^５およびＸ^６はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｒ^５およびＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。）

前記ＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基またはアリール基を表し、好ましい範囲は前記Ｒａの好ましい範囲と同様である。

Ｘ^５およびＸ^６はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表し、好ましい範囲は前記Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４の好ましい範囲と同様である。

前記Ｒ^５およびＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表し、好ましい範囲は前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４の好ましい範囲と同様である。

前記一般式（Ｂ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｂ−２）で表されることが特に好ましい。

前記Ｒｂ^２およびＲｃ^２はそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアリール基を表し、好ましい範囲は前記Ｒａの好ましい範囲と同様である。

前記Ｒ^２５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表し、好ましい範囲は前記Ｒ^２１およびＲ^２４の好ましい範囲と同様である。

前記一般式（Ｂ−３）で表される化合物は、下記一般式（Ｂ−３）で表されることがより特に好ましい。

前記Ｒｂ^３およびＲｃ^３はそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアリール基を表し、好ましい範囲は前記Ｒａの好ましい範囲と同様である。

前記一般式（Ｂ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｂ−４）で表されることが特に好ましい。

前記Ｒｂ^４およびＲｃ^４はそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアリール基を表す。
さらに、本発明のセルロースアシレートフィルムは、前記Ｒｂ^３およびＲｃ^３が共にアルキル基であることが、Ｒｔｈを下降させつつ、レターデーションの湿度依存性を改良する場合に好ましく、その場合はさらに前記Ｒｂ^３およびＲｃ^３が共に無置換のアルキル基であるときがより好ましい。同様に前記Ｒｂ^４およびＲｃ^４が共にアルキル基であることが好ましい。

以下に前記一般式（Ａ−１）〜（Ｂ−１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は以下の具体例によって限定されるものではない。

（一般式（Ａ−１）または一般式（Ｂ−１）で表される化合物の製造方法）
前記一般式（Ａ−１）または一般式（Ｂ−１）で表される化合物の製造方法は、特に限定はなく、公知の方法により製造することができる。本発明において好ましく用いられる製造方法としては、例えば米国特許第３，４７８，０２６公報やChem. Eur. J. ２００５, １１, ６６１６−６６２８に記載されているようにジシアノジアミドとニトリル化合物とを水酸化カリウム等の無機塩基存在下にてアルコール中で加熱することでトリアジン環を形成する方法や、Tetrahedron ２０００，５６，９７０５−９７１１に記載されているように塩化シアヌルを原料としてグリニャール化合物とアミン化合物を段階的に置換反応させていく方法や、有機合成化学協会誌 １９６７，第２５巻第１１号，１０４８−１０５１に記載されているようにイミドイルグアニジンとカルボン酸クロリドまたはエステルの反応によりモノアミノ−ジ置換−ｓ−トリアジン類を合成する方法を用いることができる。
また、一般式（Ａ−１）または一般式（Ｂ−１）で表される化合物は商業的に入手してもよい。

（Ｃ）一般式（Ｃ−１）で表される化合物
次に一般式（Ｃ−１）で表される化合物について詳しく説明する。

（一般式（Ｃ−１）中、Ｒａ^１１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｂ^１１、Ｒｃ^１１、Ｒｄ^１１およびＲｅ^１１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ¹は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａと連結して環を形成してもよい。Ｘ^１１、Ｘ^１２、およびＸ^１３は、それぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^１４は、前記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）

前記一般式（Ｃ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｃ−２）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｃ−２）中、Ｒａ^１２はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｂ^１２およびＲｄ^１２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^２は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^１２と連結して環を形成してもよい。Ｘ^１１、Ｘ^１２、およびＸ^１３は、それぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^１４は、前記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）

前記一般式（Ｃ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｃ−３）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｃ−３）中、Ｒａ^１３はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^３は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^１３と連結して環を形成してもよい。）

前記一般式（Ｃ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｃ−４）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｃ−４）中、Ｒ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３およびＲ^４４は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルバモイル基、スルファモイル基、炭素数１から８のアルキル基、炭素数１から８のアルコキシ基、炭素数１から８のアルキルアミノ基、炭素数１から８のジアルキルアミノ基を表す。Ｒａ^１４はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^４は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^１４と連結して環を形成してもよい。）

（Ｄ）一般式（Ｄ−１）で表される化合物
次に一般式（Ｄ−１）で表される化合物について詳しく説明する。

（一般式（Ｄ−１）中、Ｒａ^２１、Ｒｇ^２１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｄ^２１、およびＲｅ^２１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^１１は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^２１と連結して環を形成してもよい。Ｑ^１２は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲｈ−を示し、Ｒｈは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^２１と連結して環を形成してもよい。Ｘ^２３は単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^２４は、前記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）

前記一般式（Ｄ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｄ−２）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｄ−２）中、Ｒａ^２２、Ｒｇ^２２はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｄ^２２は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^１３は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^２２と連結して環を形成してもよい。Ｑ^１４は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲｈ−を示し、Ｒｈは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^２２と連結して環を形成してもよい。Ｘ^２５は、前記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）

前記一般式（Ｄ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｄ−３）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｄ−３）中、Ｒａ^２３、Ｒｇ^２３はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^１５は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^２３と連結して環を形成してもよい。Ｑ^１６は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲｈ−を示し、Ｒｈは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^２３と連結して環を形成してもよい。）

前記一般式（Ｄ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｄ−４）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｄ−４）中、Ｒ^５１およびＲ^５２は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルバモイル基、スルファモイル基、炭素数１から８のアルキル基、炭素数１から８のアルコキシ基、炭素数１から８のアルキルアミノ基、炭素数１から８のジアルキルアミノ基を表す。Ｒａ^２４、Ｒｇ^２４はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^１７は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^２４と連結して環を形成してもよい。Ｑ^１８は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲｈ−を示し、Ｒｈは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^２４と連結して環を形成してもよい。）

一般式（Ｃ−１）または一般式（Ｄ−１）で表される化合物の好ましい化合物例を以下に示す。

（Ｅ）一般式（Ｅ−１）で表される化合物
次に一般式（Ｅ−１）で表される化合物について詳しく説明する。

（一般式（Ｅ−１）中、Ｙ^１はメチン基、あるいは−Ｎ−を表す。Ｒａ^３１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｂ^３１、Ｒｃ^３１、Ｒｄ^３１およびＲｅ^３１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^２１は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^３１と連結して環を形成してもよい。Ｘ^３１、Ｘ^３２、およびＸ^３３は、それぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^３４は、下記一般式（Ｑ）
一般式（Ｑ）

（一般式（Ｑ）中、＊側が前記一般式（Ｅ−１）で表される化合物中の複素環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）

前記一般式（Ｅ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｅ−２）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｅ−２）中、Ｙ^２はメチン基、あるいは−Ｎ−を表す。Ｒａ^３２はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｂ^３２、Ｒｃ^３２、Ｒｄ^３２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^２２は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^３２と連結して環を形成してもよい。Ｘ^３５は、それぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^３６は、前記一般式（Ｑ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）

前記一般式（Ｅ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｅ−３）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｅ−３）中、Ｙ^３はメチン基、あるいは−Ｎ−を表す。Ｒａ^３３はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^２３は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^３３と連結して環を形成してもよい。）

前記一般式（Ｅ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｅ−４）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｅ−４）中、Ｙ^４はメチン基、あるいは−Ｎ−を表す。Ｒａ^３４はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^２４は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^３４と連結して環を形成してもよい。Ｒ^６１、Ｒ^６２、Ｒ^６３およびＲ^６４は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルバモイル基、スルファモイル基、炭素数１から８のアルキル基、炭素数１から８のアルコキシ基、炭素数１から８のアルキルアミノ基、炭素数１から８のジアルキルアミノ基を表す。）

前記一般式（Ｅ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｅ−５）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｅ−５）中、Ｒ^６５、Ｒ^６６、Ｒ^６７およびＲ^６８は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルバモイル基、スルファモイル基、炭素数１から８のアルキル基、炭素数１から８のアルコキシ基、炭素数１から８のアルキルアミノ基、炭素数１から８のジアルキルアミノ基を表す。Ｒａ^３５はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^２５は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^３５と連結して環を形成してもよい。）

（Ｆ）一般式（Ｆ−１）で表される化合物

（一般式（Ｆ−１）中、Ｙ^１１はメチン基、あるいは−Ｎ−を表す。Ｒａ^４１、Ｒｇ^４１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｄ^４１、およびＲｅ^４１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^３１は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^４１と連結して環を形成してもよい。Ｑ^３２は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲｈ−を示し、Ｒｈは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^４１と連結して環を形成してもよい。Ｘ^４３は単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^４４は、前記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。但し、前記一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ｆ−１）で表される化合物中の複素環に置換しているＮ原子との連結部位である。）

前記一般式（Ｆ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｆ−２）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｆ−２）中、Ｙ^１２はメチン基、あるいは−Ｎ−を表す。Ｒａ^４２、Ｒｇ^４２はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｄ^４２は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^３３は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^４２と連結して環を形成してもよい。Ｑ^３４は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲｈ−を示し、Ｒｈは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^４２と連結して環を形成してもよい。Ｘ^４３は単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^４５は、前記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。但し、前記一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ｆ−１）で表される化合物中の複素環に置換しているＮ原子との連結部位である。）

前記一般式（Ｆ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｆ−３）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｆ−３）中、Ｙ^１３はメチン基、あるいは−Ｎ−を表す。Ｒａ^４３、Ｒｇ^４３はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^３５は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^４３と連結して環を形成してもよい。Ｑ^３６は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲｈ−を示し、Ｒｈは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^４３と連結して環を形成してもよい。）

前記一般式（Ｆ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｆ−４）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｆ−４）中、Ｙ^１４はメチン基、あるいは−Ｎ−を表す。Ｒａ^４４およびＲｇ^４４はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^３７は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^４４と連結して環を形成してもよい。Ｑ^３８は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^４４と連結して環を形成してもよい。Ｒ^７１およびＲ^７２は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルバモイル基、スルファモイル基、炭素数１から８のアルキル基、炭素数１から８のアルコキシ基、炭素数１から８のアルキルアミノ基、炭素数１から８のジアルキルアミノ基を表す。）

前記一般式（Ｆ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｆ−５）で表されることが特に好ましい。

（一般式（Ｆ−５）中、Ｒａ^４５およびＲｇ^４５はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^３９は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^４５と連結して環を形成してもよい。Ｑ^４０は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^４５と連結して環を形成してもよい。Ｒ^７３およびＲ^７４は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルバモイル基、スルファモイル基、炭素数１から８のアルキル基、炭素数１から８のアルコキシ基、炭素数１から８のアルキルアミノ基、炭素数１から８のジアルキルアミノ基を表す。）

一般式（Ｅ−１）または一般式（Ｆ−１）で表される化合物の好ましい例を以下に示す。

前記一般式（Ｅ−１）の化合物は、例えば、下記スキーム１の方法で合成することができる。すなわち、一般式（Ｅ−１ａ）の化合物と一般式（Ｅ−１ｂ）の化合物を有機溶剤中にて塩基存在下で反応させることにより合成することができる。一般式（Ｅ−１ａ）、および一般式（Ｅ−１ｂ）の化合物は市販品、あるいは既知の合成法により製造した合成品を用いることができる。有機溶媒としては、アルコール（例、メタノール、エタノール）、エステル（例、酢酸エチル）、炭化水素（例、トルエン）、エーテル（例、テトラヒドロフラン）、アミド（例、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン）、ハロゲン化炭化水素（例、ジクロロメタン）、ニトリル（例、アセトニトリル）あるいはこれらの混合溶媒を用いることができる。アルコールおよびアミドが好ましく、メタノール、エタノール、Ｎ−メチルピロリドンおよびＮ−エチルピロリドンが特に好ましい。また、メタノール、エタノール、Ｎ−メチルピロリドンおよびＮ−エチルピロリドンの混合溶媒も特に好適な例である。
塩基としては、無機塩基（例、炭酸カリウム）と有機塩基（例、トリエチルアミン、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド）のいずれも使用できる。有機塩基が好ましく、ナトリウムメトキシドが特に好ましい。用いる塩基の使用量は、一般式（Ｅ−１ｂ）で表される化合物に対して０．５乃至１０当量の範囲であることが好ましく、１乃至３当量の範囲であることが特に好ましい。
反応温度は、通常−２０℃から用いる溶媒の沸点までであり、室温から溶媒の沸点が好ましい。反応時間は、通常１０分〜〜３日間であり、好ましくは１時間から１日間である。反応を窒素雰囲気下、あるいは減圧下で行ってもよい。特に脱離基Ｚがアルコキシ基、アリール基の場合は減圧下で行うことも好ましい。

スキーム１

スキーム１中、Ｚは脱離基を表し、好ましくはハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基を表す。

本発明に用いられる前記一般式（Ｅ−２）の化合物は、例えば、下記スキーム２の方法で合成することができる。すなわち、一般式（Ｅ−２ａ）の化合物と一般式（Ｅ−２ｂ）、一般式（Ｅ−２ｃ）の化合物を有機溶剤中にて塩基存在下で反応させることにより合成することができる。一般式（Ｅ−２ａ）、一般式（Ｅ−２ｂ）および一般式（Ｅ−２ｃ）の化合物は市販品、あるいは既知の合成法により製造した合成品を用いることができる。用いる有機溶媒の好適な例は前記と同様である。用いる塩基の好適な例は前記と同様であるが、用いる塩基の使用量は、一般式（Ｅ−２ｂ）で表される化合物と一般式（Ｅ−２ｃ）で表される化合物の総量に対して０．５乃至１０当量の範囲であることが好ましく、１乃至３当量の範囲であることが特に好ましい。用いる反応温度、反応時間の好適な例は前記に同じである。

スキーム２

次に一般式（Ｇ−１）で表される化合物について詳しく説明する。

前記一般式（Ｇ−１）中、Ｌ^１は単結合またはヘテロ原子を含む２価の連結基を表し、ヘテロ原子を含む２価の連結基であることが好ましい。前記Ｌ^１が表す前記ヘテロ原子を含む２価の連結基としては、連結に関与する２本の結合手を同一原子が有する連結基であることが好ましい。このような連結基としては、−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ^８２）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、およびそれらの組合せからなる連結基などを挙げることができる。なお、前記Ｒ^８２の範囲は前記Ｒ^３の範囲と同様であり、前記Ｒ^８２の好ましい範囲は、水素原子または炭素数１〜１５のアルキル基（より好ましくは炭素数１〜１０、特に好ましくは炭素数１〜５、より特に好ましくはメチル基）である。
これらの中でも、−Ｏ−、−ＮＨ−および−Ｎ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、およびそれらの組合せからなる連結基が好ましく、−Ｏ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−および−Ｎ（ＣＨ_３）−がより好ましい。

前記一般式（Ｇ−１）中、前記Ｒ^８１は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数５〜２０のヘテロアリール基または炭素数６〜２０のアリール基を表す。
前記Ｒ^８１がアルキル基である場合、炭素数１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましく、１〜５であることが特に好ましい。
前記Ｒ^１およびＲ^２がそれぞれ独立にアルケニル基である場合、炭素数１２〜１５であることが好ましく、１２〜１０であることがより好ましく、１２〜５であることが特に好ましい。
前記Ｒ^８１がアルキニル基である場合、炭素数２〜１５であることが好ましく、２〜１０であることがより好ましく、２〜５であることが特に好ましい。
前記Ｒ^８１がアルキル基、アルケニル基またはアルキニル基である場合、環状、直鎖または分岐のいずれであってもよいが、直鎖または分岐であることが好ましく、直鎖であることがより好ましい。
前記Ｒ^８１がヘテロアリール基である場合、炭素数５〜１８であることが好ましく、５〜１２であることがより好ましい。
前記Ｒ^８１がアリール基である場合、炭素数６〜１８であることが好ましく、６〜１２であることがより好ましい。
前記Ｒ^８１がアリールアルキル基である場合、炭素数７〜１８であることが好ましく、７〜１２であることがより好ましい。

また、前記Ｒ^８１はさらに置換基を有していても、無置換であってもよい。該置換基としては、本発明の趣旨に反しない限りにおいて特に制限はないが、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数５〜２０のヘテロアリール基または炭素数６〜２０のアリール基などが好ましい。その中でも炭素数６〜２０のアリール基であることがより好ましく、特に前記Ｒ^８１が置換基を有するアルキル基である場合は、該置換基はフェニル基であることが好ましい。

前記Ｌ^１と前記Ｒ^８１の好ましい組み合わせは以下のとおりである。
前記Ｌ^１が−Ｏ−である場合、前記Ｒ^８１は 炭素数１〜１５のアルキル基 またはアリールアルキル基であることが好ましく、アリールアルキル基であることがより好ましい。
前記Ｌ^１が−ＮＨ−である場合、前記Ｒ^８１は 炭素数１〜１５のアルキル基、アリールアルキル基であることが好ましく、アリールアルキル基であることがより好ましい。
前記Ｌ^１が−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−である場合、前記Ｒ^８１は 炭素数１〜１５のアルキル基、アリール基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
前記Ｌ^１が−Ｎ（ＣＨ_３）−である場合、前記Ｒ^８１は 炭素数１〜１５のアルキル基 またはアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。

前記Ｒ^８１は水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基であることが、環境湿度に対するレターデーション変化抑制の観点からより好ましい。

本発明に用いられる水素結合性化合物は、前記一般式（Ｇ−１）で表される化合物の中でも、置換基を除くプリン塩基骨格中のアミノ基の数が０または１である化合物が好ましい。

本発明に用いられる水素結合性化合物は、前記一般式（Ｇ−１）で表される化合物において、前記Ｒ^１が水素原子ではないことが好ましい。すなわち、本発明に用いられる水素結合性化合物は、前記核酸塩基骨格を含有する化合物が、下記一般式（Ｇ−２）で表されることがより好ましい。

一般式（Ｇ−２）中、Ｌ^２は単結合またはヘテロ原子を含む２価の連結基を表し、Ｒ^８２は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアリールアルキル基を表す。

前記一般式（Ｇ−２）中、Ｌ^２の好ましい範囲は、前記一般式（Ｇ−１）におけるＬ^１の好ましい範囲と同様である。

前記Ｒ^８２は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアリールアルキル基を表し、各基の好ましい炭素数の範囲は一般式（Ｇ−１）におけるＲ^８１における各基の好ましい炭素数の範囲と同様である。
前記Ｒ^８２はメチル基、フェニル基またはベンジル基であることがより好ましく、メチル基、フェニル基またはベンジル基であることが特に好ましい。

前記一般式（Ｇ−２）中、Ｌ^２とＲ^８２の好ましい組み合わせは、一般式（Ｇ−１）におけるＬ^１とＲ^８１の好ましい組み合わせと同様の傾向である。

前記水素結合性化合物は、セルロースアシレートフィルムにヘイズを発生させたり、フィルムからブリードアウトあるいは揮散したりしないように、前記核酸塩基骨格を含有する化合物とセルロースアシレートの相互作用を制御することが好ましい。
前記核酸塩基骨格を含有する化合物が有していることが好ましい水素結合等によってセルロースアシレートと相互作用可能である部分構造としては、プリン塩基骨格、エーテル結合構造、エステル結合構造、アミド結合構造、−ＮＨ−連結基構造などを挙げることができる。

（核酸塩基骨格を含有する一般式（Ｇ−１）で表される化合物の具体例）
前記核酸塩基骨格を含有する一般式（Ｇ−１）で表される化合物の具体例としては、以下のものを挙げることができる。ただし、前記水素結合性化合物として用いることができる前記核酸塩基骨格を含有する一般式（Ｇ−１）で表される化合物は、これらに限定されるものではない。

（Ｈ) 一般式（Ｈ−１）で表される化合物
つぎに一般式（Ｈ−１）で表される化合物について詳しく説明する。

（一般式（Ｈ−１）中、Ｌ^３は単結合またはヘテロ原子を含む２価の連結基を表し、Ｒ^８５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアリールアルキル基を表す。）Ｒ^８３、Ｒ^８４はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｘ^５３、Ｘ^５４はそれぞれ独立に、前記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。但し、前記一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ｈ−１）で表される化合物中の複素環に置換しているＮ原子との連結部位である。）

以下に一般式（Ｈ−１）で表される化合物の好ましい例を示す。

（物性）
前記一般式（Ａ−１）〜（Ｈ−１）で表される化合物は、分子量が１００〜１０００であることが好ましく、１５０〜７００であることがより好ましく、１５０以上４５０以下であることが最も好ましい。

（添加量）
前記一般式（Ａ−１）〜（Ｈ−１）で表される化合物の添加量は、セルロースアシレート樹脂に対して、３０質量％以下とすることが好ましく、１〜３０質量％とすることがより好ましく、２〜２０質量％とすることが特に好ましく、３〜１５質量％とすることがさらに好ましい。
また、本発明のフィルムは、前記セルロースアシレート樹脂に対する、前記水素結合性化合物の合計含有量が３５質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以下であることが特に好ましい。なお、前記水素結合性化合物は前記一般式（Ａ−１）〜（Ｈ−１）で表される化合物に限定されない。

＜疎水化剤＞
本発明のセルロースアシレートフィルムは、多価アルコールエステル系疎水化剤、重縮合エステル系疎水化剤および炭水化物誘導体系疎水化剤の中から選ばれる少なくとも一つの疎水化剤を含む。前記疎水化剤としては、フィルムのガラス転移温度をできるだけ下げずに含水率を低減できるものが好ましい。このような疎水化剤を使用することにより高温高湿下においてセルロースアシレートフィルム中の添加剤が偏光子層へ拡散する現象を抑制でき、偏光子性能の劣化を改良することができる。以下に本発明に用いられる前記疎水化剤について詳しく説明する。

（多価アルコールエステル系疎水化剤）
本発明に用いられる多価アルコールは次の一般式（４）で表される。

一般式（４） Ｒ₁−（ＯＨ）_n
（但し、Ｒ₁はｎ価の有機基、ｎは２以上の正の整数を表す）
好ましい前記多価アルコール系疎水化剤の例としては、例えば以下のようなものを挙げることが出来るが、本発明はこれらに限定されるものではない。アドニトール、アラビトール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ジブチレングリコール、１，２，４−ブタントリオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ヘキサントリオール、ガラクチトール、マンニトール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、ピナコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、キシリトール等を挙げることが出来る。特に、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、キシリトールが好ましい。

中でも前記多価アルコール系疎水化剤としては、炭素数５以上の多価アルコールを用いた多価アルコールエステルが好ましい。特に好ましくは炭素数５〜２０である。

前記多価アルコールエステルに用いられるモノカルボン酸としては、特に制限はなく、公知の脂肪族モノカルボン酸、脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸等を用いることが出来る。脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸を用いると透湿性、保留性を向上させる点で好ましい。

好ましい前記多価アルコールエステルに用いられるモノカルボン酸の例としては以下のようなものを挙げることが出来るが、本発明はこれに限定されるものではない。

前記脂肪族モノカルボン酸としては、炭素数１〜３２の直鎖または側鎖を有する脂肪酸を好ましく用いることが出来る。炭素数は１〜２０であることが更に好ましく、１〜１０であることが特に好ましい。酢酸を含有させるとセルロース誘導体との相溶性が増すため好ましく、酢酸と他のモノカルボン酸を混合して用いることも好ましい。

好ましい前記脂肪族モノカルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、２−エチル−ヘキサンカルボン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸、ヘプタコサン酸、モンタン酸、メリシン酸、ラクセル酸等の飽和脂肪酸、ウンデシレン酸、オレイン酸、ソルビン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸等の不飽和脂肪酸等を挙げることが出来る。

好ましい前記脂環族モノカルボン酸の例としては、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロオクタンカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることが出来る。

好ましい前記芳香族モノカルボン酸の例としては、安息香酸、トルイル酸等の安息香酸のベンゼン環にアルキル基を導入したもの、ビフェニルカルボン酸、ナフタリンカルボン酸、テトラリンカルボン酸等のベンゼン環を２個以上有する芳香族モノカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることが出来るが、特に安息香酸が好ましい。

前記多価アルコール系疎水化剤の分子量は特に制限はないが、３００〜３０００であることが好ましく、３５０〜１５００であることが更に好ましい。分子量が大きい方が揮発し難くなるため好ましく、透湿性、セルロース誘導体との相溶性の点では小さい方が好ましい。

前記多価アルコールエステルに用いられるカルボン酸は１種類でもよいし、２種以上の混合であってもよい。また、前記多価アルコール中のヒドロキシル基は、全てエステル化してもよいし、一部をヒドロキシル基のままで残してもよい。

以下に、前記多価アルコールエステルの具体的化合物を示す。

（重縮合エステル系疎水化剤）
前記重縮合エステル系疎水化剤は、少なくとも一種の芳香環を有するジカルボン酸（芳香族ジカルボン酸とも呼ぶ）と少なくとも一種の平均炭素数が２．５〜８．０の脂肪族ジオールとから得られることが好ましい。また、芳香族ジカルボン酸と少なくとも一種の脂肪族ジカルボン酸との混合物、と少なくとも一種の平均炭素数が２．５〜８．０の脂肪族ジオールとから得られることも好ましい。

前記ジカルボン酸残基の平均炭素数の計算は、ジカルボン酸残基とジオール残基で個別に行う。
前記ジカルボン酸残基の組成比（モル分率）を構成炭素数に乗じて算出した値を平均炭素数とする。例えば、アジピン酸残基とフタル酸残基が５０モル％ずつから構成される場合は、平均炭素数７．０となる。
また、前記ジオール残基の場合も同様で、ジオール残基の平均炭素数は、ジオール残基の組成比（モル分率）を構成炭素数に乗じて算出した値とする。例えばエチレングリコール残基５０モル％と１，２−プロパンジオール残基５０モル％から構成される場合は平均炭素数２．５となる。

前記重縮合エステルの数平均分子量は５００〜２０００であることが好ましく、６００〜１５００がより好ましく、７００〜１２００がさらに好ましい。重縮合エステルの数平均分子量は６００以上であれば揮発性が低くなり、セルロースエステルフィルムの延伸時の高温条件下における揮散によるフィルム故障や工程汚染を生じにくくなる。また、２０００以下であればセルロースエステルとの相溶性が高くなり、製膜時及び加熱延伸時のブリードアウトが生じにくくなる。
前記重縮合エステルの数平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって測定、評価することができる。また、末端が封止のないポリエステルポリオールの場合、重量あたりのヒドロキシル基の量（以下、水酸基価とも言う）により算出することもできる。本発明において、水酸基価は、ポリエステルポリオールをアセチル化した後、過剰の酢酸の中和に必要な水酸化カリウムの量（ｍｇ）を測定する。

芳香族ジカルボン酸と脂肪族ジカルボン酸との混合物をジカルボン酸成分として用いる場合は、ジカルボン酸成分の炭素数の平均が５．５〜１０．０のジカルボン酸であることが好ましく、より好ましくは５．６〜８である。
炭素数の平均が５．５以上であれば耐久性に優れた偏光板を得ることができる。炭素数の平均が１０以下であればセルロースエステルへの相溶性が優れ、セルロースエステルフィルムの製膜過程でブリードアウトの発生を抑制することができる。

ジオールと、芳香族ジカルボン酸を含むジカルボン酸とから得られた重縮合エステルには、芳香族ジカルボン酸残基が含まれる。
本明細書中では、残基とは、重縮合エステルの部分構造で、重縮合エステルを形成している単量体の特徴を有する部分構造を表す。例えばジカルボン酸ＨＯＯＣ−Ｒ−ＣＯＯＨより形成されるジカルボン酸残基は−ＯＣ−Ｒ−ＣＯ−である。
本発明に用いる重縮合エステルの芳香族ジカルボン酸残基比率は４０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、４０ｍｏｌ％〜９５ｍｏｌ％であることがより好ましい。
芳香族ジカルボン酸残基比率を４０ｍｏｌ％以上とすることで、十分な光学異方性を示すセルロースエステルフィルムが得られ、耐久性に優れた偏光板を得ることができる。また、９５ｍｏｌ％以下であればセルロースエステルとの相溶性に優れ、セルロースエステルフィルムの製膜時及び加熱延伸時においてもブリードアウトを生じにくくすることができる。

本発明に用いることができる重縮合エステル系疎水化剤の形成に用いることができる芳香族ジカルボン酸としては、例えば、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、１，５−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、１，８−ナフタレンジカルボン酸、２，８−ナフタレンジカルボン酸又は２，６−ナフタレンジカルボン酸等を挙げることができる。その中でもフタル酸、テレフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸が好ましく、フタル酸、テレフタル酸がより好ましく、テレフタル酸がさらに好ましい。
前記重縮合エステルには、混合に用いた芳香族ジカルボン酸に由来する芳香族ジカルボン酸残基が形成される。
すなわち、前記芳香族ジカルボン酸残基は、フタル酸残基、テレフタル酸残基、イソフタル酸残基の少なくとも１種を含むことが好ましく、より好ましくはフタル酸残基、テレフタル酸残基の少なくとも１種を含み、さらに好ましくはテレフタル酸残基を含む。
前記重縮合エステルの形成における混合に、芳香族ジカルボン酸としてテレフタル酸を用いることで、よりセルロースエステルとの相溶性に優れ、セルロースエステルフィルムの製膜時及び加熱延伸時においてもブリードアウトを生じにくいセルロースエステルフィルムとすることができる。また、前記芳香族ジカルボン酸は１種でも、２種以上を用いてもよい。２種用いる場合は、フタル酸とテレフタル酸を用いることが好ましい。
フタル酸とテレフタル酸の２種の芳香族ジカルボン酸を併用することにより、常温での重縮合エステルを軟化することができ、ハンドリングが容易になる点で好ましい。
前記重縮合エステルのジカルボン酸残基中における、テレフタル酸残基の含有量は４０ｍｏｌ％〜１００ｍｏｌ％であることが好ましい。
テレフタル酸残基比率を４０ｍｏｌ％以上とすることで、十分な光学異方性を示すセルロースエステルフィルムが得られる。

ジオールと、脂肪族ジカルボン酸を含むジカルボン酸とから得られた重縮合エステルには、脂肪族ジカルボン酸残基が含まれる。
本発明で好ましく用いることができる重縮合エステル系疎水化剤を形成することができる脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、フマル酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸又は１，４−シクロヘキサンジカルボン酸等が挙げられる。
重縮合エステルには、混合に用いた脂肪族ジカルボン酸に由来する脂肪族ジカルボン酸残基が形成される。
脂肪族ジカルボン酸残基は、平均炭素数が５．５〜１０．０であることが好ましく、５．５〜８．０であることがより好ましく、５．５〜７．０であることがさらに好ましい。脂肪族ジカルボン酸残基の平均炭素数が１０．０以下であれば化合物の加熱減量が低減でき、セルロースアシレートウェブ乾燥時のブリードアウトによる工程汚染が原因と考えられる面状故障の発生を防ぐことができる。また、脂肪族ジカルボン酸残基の平均炭素数が５．５以上であれば相溶性に優れ、重縮合エステルの析出が起き難く好ましい。
前記脂肪族ジカルボン酸残基は、具体的には、コハク酸残基を含むことが好ましく、２種用いる場合は、コハク酸残基とアジピン酸残基を含むことが好ましい。
すなわち、重縮合エステルの形成における混合に、脂肪族ジカルボン酸を１種用いても、２種以上を用いてもよく、２種用いる場合は、コハク酸とアジピン酸を用いることが好ましい。重縮合エステルの形成における混合に、脂肪族ジカルボン酸を１種用いる場合は、コハク酸を用いることが好ましい。脂肪族ジカルボン酸残基の平均炭素数を所望の値に調整することができ、セルロースエステルとの相溶性の点で好ましい。

本発明において、重縮合エステルの形成における混合には、ジカルボン酸を２種又は３種を用いることが好ましい。２種を用いる場合は脂肪族ジカルボン酸と芳香族ジカルボン酸とを１種ずつ用いることが好ましく、３種を用いる場合は脂肪族ジカルボン酸を１種と芳香族ジカルボン酸を２種又は脂肪族ジカルボン酸を２種と芳香族ジカルボン酸を１種用いることができる。ジカルボン酸残基の平均炭素数の値を調整しやすく、かつ芳香族ジカルボン酸残基の含有量を好ましい範囲とすることができ、偏光子の耐久性を向上し得るためである。

ジオールとジカルボン酸を含むジカルボン酸とから得られた重縮合エステルには、ジオール残基が含まれる。
本明細書中では、ジオールＨＯ−Ｒ−ＯＨより形成されるジオール残基は−Ｏ−Ｒ−Ｏ−である。
重縮合エステルを形成するジオールとしては、芳香族ジオール及び脂肪族ジオールが挙げられ、本発明に用いられる前記疎水化剤に用いられる重縮合エステルは少なくとも脂肪族ジオールから形成されることが好ましい。
前記重縮合エステルは、平均炭素数が２．５〜７．０の脂肪族ジオール残基を含むことが好ましく、より好ましくは平均炭素数が２．５〜４．０の脂肪族ジオール残基を含む。前記脂肪族ジオール残基の平均炭素数が７．０より小さいとセルロースエステルとの相溶性が改善され、ブリードアウトが生じにくくなり、また、化合物の加熱減量が増大しにくくなり、セルロースアシレートウェブ乾燥時の工程汚染が原因と考えられる面状故障が発生し難くなる。また、脂肪族ジオール残基の平均炭素数が２．５以上であれば合成が容易である。
本発明に用いることができる重縮合エステル系疎水化剤を形成することができる脂肪族ジオールとしては、アルキルジオール又は脂環式ジオール類を好ましい例として挙げることができ、例えばエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール（ネオペンチルグリコール）、２，２−ジエチル−１，３−プロパンジオール（３，３−ジメチロ−ルペンタン）、２−ｎ−ブチル−２−エチル−１，３−プロパンジオール（３，３−ジメチロールヘプタン）、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、２−メチル−１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、１，１２−オクタデカンジオール、ジエチレングリコール、シクロヘキサンジメタノール等が好ましい。これらはエチレングリコールとともに１種又は２種以上の混合物として使用されることが好ましい。

より好ましい前記脂肪族ジオールとしては、エチレングリコール、１，２−プロパンジオール、及び１，３−プロパンジオールの少なくとも１種であり、特に好ましくはエチレングリコール、及び１，２−プロパンジオールの少なくとも１種である。前記脂肪族ジオールを２種用いて前記重縮合エステルを形成する場合は、エチレングリコール、及び１，２−プロパンジオールを用いることが好ましい。１，２−プロパンジオール、又は１，３−プロパンジオールを用いることにより重縮合エステルの結晶化を防止することができる。
前記重縮合エステルには、混合に用いたジオールによりジオール残基が形成される。
すなわち、前記重縮合エステルは、ジオール残基としてエチレングリコール残基、１，２−プロパンジオール残基、及び１，３−プロパンジオール残基の少なくとも１種を含むことが好ましく、エチレングリコール残基又は１，２−プロパンジオール残基であることがより好ましい。
前記重縮合エステルに含まれる脂肪族ジオール残基には、エチレングリコール残基が１０ｍｏｌ％〜１００ｍｏｌ％含まれることが好ましく、２０ｍｏｌ％〜１００ｍｏｌ％含まれることがより好ましい。

前記重縮合エステルの末端は、封止せずにジオールあるいはカルボン酸のままとしてもよく、さらにモノカルボン酸類又はモノアルコール類を反応させていわゆる末端の封止を実施してもよい。
封止に用いるモノカルボン酸類としては酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、安息香酸等が好ましい。封止に用いるモノアルコール類としてはメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール等が好ましく、メタノールが最も好ましい。重縮合エステルの末端に使用するモノカルボン酸類の炭素数が７以下であると、化合物の加熱減量が大きくならず、面状故障が発生しない。
前記重縮合エステルの末端は、封止せずにジオール残基のままであることか、酢酸またはプロピオン酸又は安息香酸によって封止されていることがさらに好ましい。
前記重縮合エステルの両末端は、それぞれ、封止の実施の有無が同一であることを問わない。
縮合体の両末端が未封止の場合、重縮合エステルはポリエステルポリオールであることが好ましい。
前記重縮合エステルの態様の一つとして脂肪族ジオール残基の炭素数が２．５〜８．０であり、重縮合エステルの両末端は未封止である重縮合エステルを挙げることができる。
重縮合エステルの両末端が封止されている場合、モノカルボン酸と反応させて封止することが好ましい。このとき、該重縮合エステルの両末端はモノカルボン酸残基となっている。本明細書中では、モノカルボン酸Ｒ−ＣＯＯＨより形成されるモノカルボン酸残基はＲ−ＣＯ−である。重縮合エステルの両末端がモノカルボン酸で封止されている場合、前記モノカルボン酸は脂肪族モノカルボン酸残基であることが好ましく、モノカルボン酸残基が炭素数２２以下の脂肪族モノカルボン酸残基であることがより好ましく、炭素数３以下の脂肪族モノカルボン酸残基であることがさらに好ましい。また、炭素数２以上の脂肪族モノカルボン酸残基であることが好ましく、炭素数２の脂肪族モノカルボン酸残基であることが特に好ましい。
前記重縮合エステルの態様の一つとして脂肪族ジオール残基の炭素数が２．５より大きく７．０以下であり、重縮合エステルの両末端がモノカルボン酸残基で封止されている重縮合エステルを挙げることができる。
重縮合エステルの両末端を封止しているモノカルボン酸残基の炭素数が３以下であると、揮発性が低下し、重縮合エステルの加熱による減量が大きくならず、工程汚染の発生や面状故障の発生を低減することが可能である。
すなわち、封止に用いるモノカルボン酸類としては脂肪族モノカルボン酸が好ましく、モノカルボン酸が炭素数２から２２の脂肪族モノカルボン酸であることがより好ましく、炭素数２〜３の脂肪族モノカルボン酸であることがさらに好ましく、炭素数２の脂肪族モノカルボン酸残基であることが特に好ましい。
例えば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、安息香酸及びその誘導体等が好ましく、酢酸又はプロピオン酸がより好ましく、酢酸が最も好ましい。
封止に用いるモノカルボン酸は２種以上を混合してもよい。
前記重縮合エステルの両末端は酢酸又はプロピオン酸による封止が好ましく、酢酸封止により両末端がアセチルエステル残基（アセチル残基と称する場合がある）となることが最も好ましい。
前記重縮合エステルの両末端を封止した場合は、常温での状態が固体形状となりにくく、ハンドリングが良好となり、また湿度安定性、偏光板耐久性に優れたセルロースエステルフィルムを得ることができる。

下記表５に前記重縮合エステルの具体例Ｊ−１〜Ｊ−３８を記すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

上記表５中の略称は、それぞれ以下の化合物を表す。ＰＡ：フタル酸、ＴＰＡ：テレフタル酸、ＡＡ：アジピン酸、ＳＡ：コハク酸、２,６−ＮＰＡ：２,６−ナフタレンジカルボン酸。

前記重縮合エステルの合成は、常法によりジオールとジカルボン酸とのポリエステル化反応又はエステル交換反応による熱溶融縮合法か、あるいはこれら酸の酸クロライドとグリコール類との界面縮合法のいずれかの方法によっても容易に合成し得るものである。また、前記重縮合エステルについては、村井孝一編者「可塑剤 その理論と応用」（株式会社幸書房、昭和４８年３月１日初版第１版発行）に詳細な記載がある。また、特開平０５−１５５８０９号、特開平０５−１５５８１０号、特開平５−１９７０７３号、特開２００６−２５９４９４号、特開平０７−３３０６７０号、特開２００６−３４２２２７号、特開２００７−００３６７９号各公報などに記載されている素材を利用することもできる。

(炭水化物誘導体系疎水化剤)
前記疎水化剤としては、単糖あるいは２〜１０個の単糖単位を含む炭水化物の誘導体（以下、炭水化物誘導体系疎水化剤という）が好ましい。

前記炭水化物誘導体系疎水化剤を好ましく構成する単糖または多糖は、分子中の置換可能な基（例えば、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基など）が置換されていることを特徴とする。置換されて形成される構造の例としては、アルキル基、アリール基、アシル基などを挙げることができる。また、によって置換されて形成されるエーテル構造、水酸基をアシル基によって置換されて形成されるエステル構造、アミノ基によって置換されて形成されるアミド構造やイミド構造などを挙げることができる。
前記単糖または２〜１０個の単糖単位を含む炭水化物の例としては、例えば、エリトロース、トレオース、リボース、アラビノース、キシロース、リキソース、アロース、アルトロース、グルコース、フルクトース、マンノース、グロース、イドース、ガラクトース、タロース、トレハロース、イソトレハロース、ネオトレハロース、トレハロサミン、コウジビオース、ニゲロース、マルトース、マルチトール、イソマルトース、ソホロース、ラミナリビオース、セロビオース、ゲンチオビオース、ラクトース、ラクトサミン、ラクチトール、ラクツロース、メリビオース、プリメベロース、ルチノース、シラビオース、スクロース、スクラロース、ツラノース、ビシアノース、セロトリオース、カコトリオース、ゲンチアノース、イソマルトトリオース、イソパノース、マルトトリオース、マンニノトリオース、メレジトース、パノース、プランテオース、ラフィノース、ソラトリオース、ウンベリフェロース、リコテトラオース、マルトテトラオース、スタキオース、バルトペンタオース、ベルバルコース、マルトヘキサオース、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン、δ−シクロデキストリン、キシリトール、ソルビトールなどを挙げることができる。

好ましくは、リボース、アラビノース、キシロース、リキソース、グルコース、フルクトース、マンノース、ガラクトース、トレハロース、マルトース、セロビオース、ラクトース、スクロース、スクラロース、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン、δ−シクロデキストリン、キシリトール、ソルビトールであり、さらに好ましくは、アラビノース、キシロース、グルコース、フルクトース、マンノース、ガラクトース、マルトース、セロビオース、スクロース、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリンであり、特に好ましくは、キシロース、グルコース、フルクトース、マンノース、ガラクトース、マルトース、セロビオース、スクロース、キシリトール、ソルビトールである。

また、前記炭水化物誘導体系疎水化剤の置換基の例としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２２、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、２−シアノエチル基、ベンジル基など）、アリール基（好ましくは炭素数６〜２４、より好ましくは６〜１８、特に好ましくは６〜１２のアリール基、例えば、フェニル基、ナフチル基）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２２、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアシル基、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、ベンゾイル基、トルイル基、フタリル基、ナフタル基など）を挙げることができる。また、アミノ基によって置換されて形成される好ましい構造として、アミド構造（好ましくは炭素数１〜２２、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアミド、例えばホルムアミド、アセトアミドなど）、イミド構造（好ましくは炭素数４〜２２、より好ましくは炭素数４〜１２、特に好ましくは炭素数４〜８のイミド、例えば、スクシイミド、フタルイミドなど）を挙げることができる。
これらの中で、さらに好ましいものはアルキル基、アリール基またはアシル基であり、特に好ましくはアシル基である。

前記炭水化物誘導体系疎水化剤の好ましい例としては、以下のものを挙げることができる。ただし、本発明で用いることができる炭水化物誘導体系疎水化剤は、これらに限定されるものではない。
キシローステトラアセテート、グルコースペンタアセテート、フルクトースペンタアセテート、マンノースペンタアセテート、ガラクトースペンタアセテート、マルトースオクタアセテート、セロビオースオクタアセテート、スクロースオクタアセテート、キシリトールペンタアセテート、ソルビトールヘキサアセテート、キシローステトラプロピオネート、グルコースペンタプロピオネート、フルクトースペンタプロピオネート、マンノースペンタプロピオネート、ガラクトースペンタプロピオネート、マルトースオクタプロピオネート、セロビオースオクタプロピオネート、スクロースオクタプロピオネート、キシリトールペンタプロピオネート、ソルビトールヘキサプロピオネート、キシローステトラブチレート、グルコースペンタブチレート、フルクトースペンタブチレート、マンノースペンタブチレート、ガラクトースペンタブチレート、マルトースオクタブチレート、セロビオースオクタブチレート、スクロースオクタブチレート、キシリトールペンタブチレート、ソルビトールヘキサブチレート、キシローステトラベンゾエート、グルコースペンタベンゾエート、フルクトースペンタベンゾエート、マンノースペンタベンゾエート、ガラクトースペンタベンゾエート、マルトースオクタベンゾエート、セロビオースオクタベンゾエート、スクロースオクタベンゾエート、キシリトールペンタベンゾエート、ソルビトールヘキサベンゾエートなどが好ましい。キシローステトラアセテート、グルコースペンタアセテート、フルクトースペンタアセテート、マンノースペンタアセテート、ガラクトースペンタアセテート、マルトースオクタアセテート、セロビオースオクタアセテート、スクロースオクタアセテート、キシリトールペンタアセテート、ソルビトールヘキサアセテート、キシローステトラプロピオネート、グルコースペンタプロピオネート、フルクトースペンタプロピオネート、マンノースペンタプロピオネート、ガラクトースペンタプロピオネート、マルトースオクタプロピオネート、セロビオースオクタプロピオネート、スクロースオクタプロピオネート、キシリトールペンタプロピオネート、ソルビトールヘキサプロピオネート、キシローステトラベンゾエート、グルコースペンタベンゾエート、フルクトースペンタベンゾエート、マンノースペンタベンゾエート、ガラクトースペンタベンゾエート、マルトースオクタベンゾエート、セロビオースオクタベンゾエート、スクロースオクタベンゾエート、キシリトールペンタベンゾエート、ソルビトールヘキサベンゾエートなどがさらに好ましい。マルトースオクタアセテート、セロビオースオクタアセテート、スクロースオクタアセテート、キシローステトラプロピオネート、グルコースペンタプロピオネート、フルクトースペンタプロピオネート、マンノースペンタプロピオネート、ガラクトースペンタプロピオネート、マルトースオクタプロピオネート、セロビオースオクタプロピオネート、スクロースオクタプロピオネート、キシローステトラベンゾエート、グルコースペンタベンゾエート、フルクトースペンタベンゾエート、マンノースペンタベンゾエート、ガラクトースペンタベンゾエート、マルトースオクタベンゾエート、セロビオースオクタベンゾエート、スクロースオクタベンゾエート、キシリトールペンタベンゾエート、ソルビトールヘキサベンゾエートなどが特に好ましい。
前記炭水化物誘導体系疎水化剤はピラノース構造あるいはフラノース構造を有することが好ましく、中でもピラノース構造を有することが特に好ましい。

本発明に用いられる炭水化物誘導体としては以下に示す化合物が特に好ましい。ただし、本発明で用いることができる炭水化物誘導体は、これらに限定されるものではない。なお、以下の構造式中、Ｒはそれぞれ独立に任意の置換基を表し、複数のＲは同一であっても、異なっていてもよい。

（入手方法）
前記炭水化物誘導体の入手方法としては、市販品として（株）東京化成製、アルドリッチ製等から入手可能であり、もしくは市販の炭水化物に対して既知のエステル誘導体化法（例えば、特開平８−２４５６７８号公報に記載の方法）を行うことにより合成可能である。

前記炭水化物誘導体系疎水化剤の入手方法としては、市販品として（株）東京化成製、アルドリッチ製等から入手可能であり、もしくは市販の炭水化物に対して既知のエステル誘導体化法（例えば、特開平８−２４５６７８号公報に記載の方法）を行うことにより合成可能である。

これらの疎水化剤の添加量は、セルロースアシレートに対して１〜２０質量％であることが好ましい。１質量％以上であれば、偏光子耐久性改良効果が得られやすく、また２０質量％以下であれば、ブリードアウトも発生しにくい。さらに好ましい添加量は２〜１５質量％であり、特に好ましくは５〜１５質量％である。

これらの疎水化剤をセルロースアシレートフィルムに添加するタイミングは、製膜される時点で添加されていれば特に限定されない。例えば、セルロースアシレートの合成時点で添加してもよいし、ドープ調製時セルロースアシレートと混合してもよい。

＜セルロースアシレート＞
次に本発明で使用するセルロースアシレートについて詳しく説明する。
セルロースアシレートの置換度は、セルロースの構成単位（（β）１，４−グリコシド結合しているグルコース）に存在している、３つの水酸基がアシル化されている割合を意味する。置換度（アシル化度）は、セルロースの構成単位質量当りの結合脂肪酸量を測定して算出することができる。本発明において、セルロース体の置換度はセルロース体を重水素置換されたジメチルスルフォキシド等の溶剤に溶解して^１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを測定し、アシル基中のカルボニル炭素のピーク強度比から求めることにより算出することができる。セルロースアシレートの残存水酸基をセルロースアシレート自身が有するアシル基とは異なる他のアシル基に置換したのち、^１３Ｃ−ＮＭＲ測定により求めることができる。測定方法の詳細については、手塚他（Carbohydrate.Res., 273(1995)83−91）に記載がある。

本発明におけるセルロースアシレートは、アシル化度が１．５０〜２．９８であるセルロースアセテートが好ましい。前記アシル化度は２．００〜２．９７がさらに好ましい。
本発明のセルロースアシレートのアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基が特に好ましい。

２種類以上のアシル基からなる混合脂肪酸エステルも本発明のセルロースアシレートとして好ましく用いることができる。この場合も、アシル基としてはアセチル基と炭素数が３〜４のアシル基が好ましい。また、アセチル基の置換度は２．５未満が好ましく、１．９未満がさらに好ましい。
本発明においては、置換基および／または置換度の異なる２種のセルロースアシレートを併用、混合して用いてもよいし、後述の共流延法などにより、異なるセルロースアシレートからなる複数層からなるフィルムを形成してもよい。

さらに特開２００８−２０８９６号公報の〔００２３〕〜〔００３８〕に記載の脂肪酸アシル基と置換もしくは無置換の芳香族アシル基とを有する混合酸エステルも本発明に好まく用いることができる。

本発明で用いられるセルロースアシレートは、２５０〜８００の質量平均重合度を有することが好ましく、３００〜６００の質量平均重合度を有することがさらに好ましい。また本発明で用いられるセルロースアシレートは、７００００〜２３００００の数平均分子量を有することが好ましく、７５０００〜２３００００の数平均分子量を有することがさらに好ましく、７８０００〜１２００００の数平均分子量を有することが最も好ましい。

本発明で用いられるセルロースアシレートは、アシル化剤として酸無水物や酸塩化物を用いて合成できる。前記アシル化剤が酸無水物である場合は、反応溶媒として有機酸（例えば、酢酸）や塩化メチレンが使用される。また、触媒として、硫酸のようなプロトン性触媒を用いることができる。アシル化剤が酸塩化物である場合は、触媒として塩基性化合物を用いることができる。工業的に最も一般的な合成方法では、セルロースをアセチル基および他のアシル基に対応する有機酸（酢酸、プロピオン酸、酪酸）またはそれらの酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸）を含む混合有機酸成分でエステル化してセルロースエステルを合成する。

前記方法においては、綿花リンターや木材パルプのようなセルロースは、酢酸のような有機酸で活性化処理した後、硫酸触媒の存在下で、上記のような有機酸成分の混合液を用いてエステル化する場合が多い。有機酸無水物成分は、一般にセルロース中に存在する水酸基の量に対して過剰量で使用する。このエステル化処理では、エステル化反応に加えてセルロース主鎖（β）１，４−グリコシド結合）の加水分解反応（解重合反応）が進行する。主鎖の加水分解反応が進むとセルロースエステルの重合度が低下し、製造するセルロースエステルフィルムの物性が低下する。そのため、反応温度のような反応条件は、得られるセルロースエステルの重合度や分子量を考慮して決定することが好ましい。

＜セルロースアシレートフィルムの製造方法＞
本発明におけるセルロースアシレートフィルムは、ソルベントキャスト法により製造することができる。ソルベントキャスト法では、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムを製造する。

前記有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエーテル、炭素原子数が３〜１２のケトン、炭素原子数が３〜１２のエステルおよび炭素原子数が１〜６のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒を含むことが好ましい。
前記エーテル、ケトンおよびエステルは、環状構造を有していてもよい。また、前記エーテル、ケトンおよびエステルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを２つ以上有する化合物も、前記有機溶媒として用いることができる。前記有機溶媒は、アルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。２種類以上の官能基を有する有機溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する溶媒の上述の好ましい炭素原子数範囲内であることが好ましい。

前記炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールが含まれる。
前記炭素原子数が３〜１２のケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノンおよびメチルシクロヘキサノンが含まれる。
前記炭素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが含まれる。
また、２種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノールおよび２−ブトキシエタノールが含まれる。

炭素原子数が１〜６のハロゲン化炭化水素の炭素原子数は、１または２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。ハロゲン化炭化水素のハロゲンは、塩素であることが好ましい。ハロゲン化炭化水素の水素原子が、ハロゲンに置換されている割合は、２５〜７５モル％であることが好ましく、３０〜７０モル％であることがより好ましく、３５〜６５モル％であることがさらに好ましく、４０〜６０モル％であることが最も好ましい。メチレンクロリドが、代表的なハロゲン化炭化水素である。
また、２種類以上の有機溶媒を混合して用いてもよい。

セルロースアシレート溶液（ドープ）は、０℃以上の温度（常温または高温）で処理することからなる一般的な方法で調製することができる。セルロースアシレート溶液の調製は、通常のソルベントキャスト法におけるドープの調製方法および装置を用いて実施することができる。なお、一般的な方法の場合は、有機溶媒としてハロゲン化炭化水素（特にメチレンクロリド）を用いることが好ましい。

セルロースアシレート溶液中におけるセルロースアシレートの量は、得られる溶液中に１０〜４０質量％含まれるように調整する。セルロースアシレートの量は、１０〜３０質量％であることがさらに好ましい。有機溶媒（主溶媒）中には、後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。

セルロースアシレート溶液は、常温（０〜４０℃）でセルロースアシレートと有機溶媒とを撹拌することにより調製することができる。高濃度の溶液は、加圧および加熱条件下で撹拌してもよい。具体的には、セルロースアシレートと有機溶媒とを加圧容器に入れて密閉し、加圧下で溶媒の常温における沸点以上、且つ溶媒が沸騰しない範囲の温度に加熱しながら撹拌する。加熱温度は、通常は４０℃以上であり、好ましくは６０〜２００℃であり、さらに好ましくは８０〜１１０℃である。

各成分は予め粗混合してから容器に入れてもよい。また、順次容器に投入してもよい。容器は撹拌できるように構成されている必要がある。窒素ガス等の不活性気体を注入して容器を加圧することができる。また、加熱による溶媒の蒸気圧の上昇を利用してもよい。あるいは、容器を密閉後、各成分を圧力下で添加してもよい。

加熱する場合、容器の外部より加熱することが好ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いることができる。また、容器の外部にプレートヒーターを設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を加熱することもできる。

撹拌は、容器内部に撹拌翼を設けて、これを用いて行うことが好ましい。撹拌翼は、容器の壁付近に達する長さのものが好ましい。撹拌翼の末端には、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けることが好ましい。

容器には、圧力計、温度計等の計器類を設置してもよい。容器内で各成分を溶媒中に溶解する。調製したドープは冷却後容器から取り出すか、あるいは、取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。

冷却溶解法により、セルロースアシレート溶液を調製することもできる。冷却溶解法の詳細については、特開２００７−８６７４８号公報の〔０１１５〕〜〔０１２２〕に記載されている技術を用いることができる。
では、通常の溶解方法ではセルロースアシレートを溶解させることが困難な有機溶媒中にも、セルロースアシレートを溶解させることができる。なお、通常の溶解方法でセルロースアシレートを溶解できる溶媒であっても、冷却溶解法によると迅速に均一な溶液が得られるとの効果がある。

冷却溶解法では、最初に室温で有機溶媒中にセルロースアシレートを撹拌しながら徐々に添加する。セルロースアシレートの量は、この混合物中に１０〜４０質量％含まれるように調整することが好ましい。セルロースアシレートの量は、１０〜３０質量％であることがさらに好ましい。さらに、混合物中には後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。

次に、混合物を−１００〜−１０℃（好ましくは−８０〜−１０℃、さらに好ましくは−５０〜−２０℃、最も好ましくは−５０〜−３０℃）に冷却する。冷却は、例えば、ドライアイス・メタノール浴（−７５℃）や冷却したジエチレングリコール溶液（−３０〜−２０℃）中で実施できる。冷却によりセルロースアシレートと有機溶媒の混合物は固化する。

冷却速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。冷却速度は、速いほど好ましいが、１００００℃／秒が理論的な上限であり、１０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が実用的な上限である。なお、冷却速度は、冷却を開始する時の温度と最終的な冷却温度との差を、冷却を開始してから最終的な冷却温度に達するまでの時間で割った値である。

さらに、冷却した混合物を０〜２００℃（好ましくは０〜１５０℃、さらに好ましくは０〜１２０℃、最も好ましくは０〜５０℃）に加温すると、有機溶媒中にセルロースアシレートが溶解する。昇温は、室温中に放置するだけでもよく、温浴中で加温してもよい。加温速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。加温速度は、速いほど好ましいが、１００００℃／秒が理論的な上限であり、１０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が実用的な上限である。なお、加温速度は、加温を開始する時の温度と最終的な加温温度との差を、加温を開始してから最終的な加温温度に達するまでの時間で割った値である。

以上のようにして、均一なセルロースアシレート溶液が得られる。なお、溶解が不充分である場合は冷却、加温の操作を繰り返してもよい。溶解が充分であるかどうかは、目視により溶液の外観を観察するだけで判断することができる。

冷却溶解法においては、冷却時の結露による水分混入を避けるため、密閉容器を用いることが望ましい。また、冷却加温操作において、冷却時に加圧し、加温時に減圧すると、溶解時間を短縮することができる。加圧および減圧を実施するためには、耐圧性容器を用いることが望ましい。

なお、セルロースアセテート（酢化度：６０．９％、粘度平均重合度：２９９）を冷却溶解法によりメチルアセテート中に溶解した２０質量％の溶液は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）による測定によると、３３℃近傍にゾル状態とゲル状態との疑似相転移点が存在し、この温度以下では均一なゲル状態となる。従って、この溶液は疑似相転移温度以上、好ましくはゲル相転移温度プラス１０℃程度の温度で保することが好ましい。ただし、この疑似相転移温度は、セルロースアセテートの酢化度、粘度平均重合度、溶液濃度や使用する有機溶媒により異なる。

調製したセルロースアシレート溶液（ドープ）から、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造する。ドープにはレターデーション発現剤を添加することが好ましい。ドープは、ドラムまたはバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフィルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１８〜３５％となるように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。ドープは、表面温度が１０℃以下のドラムまたはバンド上に流延することが好ましい。

ソルベントキャスト法における乾燥方法については、米国特許第２,３３６,３１０号、同２,３６７,６０３号、同２,４９２,０７８号、同２,４９２,９７７号、同２,４９２,９７８号、同２,６０７,７０４号、同２,７３９,０６９号および同２,７３９,０７０号の各明細書、英国特許第６４０７３１号および同７３６８９２号の各明細書、並びに特公昭４５−４５５４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４号、同６０−２０３４３０号および同６２−１１５０３５号の各公報に記載がある。バンドまたはドラム上での乾燥は空気、窒素などの不活性ガスを送風することにより行なうことができる。

また、得られたフィルムをドラムまたはバンドから剥ぎ取り、さらに１００℃〜１６０℃まで逐次温度を変えた高温風で乾燥して、残留溶媒を蒸発させることもできる。以上の方法は、特公平５−１７８４４号公報に記載がある。この方法によると、流延から剥ぎ取りまでの時間を短縮することが可能である。この方法を実施するためには、流延時のドラムまたはバンドの表面温度においてドープがゲル化することが必要である。

調製したセルロースアシレート溶液（ドープ）を用いて２層以上の流延を行いフィルム化することもできる。この場合、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを作製することが好ましい。ドープは、ドラムまたはバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフィルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１０〜４０質量％の範囲となるように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。

２層以上の複数のセルロースアシレート液を流延する場合、複数のセルロースアシレート溶液を流延することが可能であり、支持体の進行方向に間隔をおいて設けられた複数の流延口からセルロースアシレートを含む溶液をそれぞれ流延させて積層させながらフィルムを作製してもよい。これらは、例えば、特開昭６１−１５８４１４号、特開平１−１２２４１９号、および特開平１１−１９８２８５号の各公報に記載の方法を用いることができる。また、２つの流延口からセルロースアシレート溶液を流延することによっても、フィルム化することもできる。これは、例えば、特公昭６０−２７５６２号、特開昭６１−９４７２４号、特開昭６１−９４７２４５号、特開昭６１−１０４８１３号、特開昭６１−１５８４１３号、および、特開平６−１３４９３３号の各公報に記載の方法を用いることができる。さらに特開昭５６−１６２６１７号公報に記載の高粘度セルロースアシレート溶液の流れを低粘度のセルロースアシレート溶液で包み込み、その高・低粘度のセルロースアシレート溶液を同時に押し出すセルロースアシレートフィルムの流延方法を用いることもできる。

また、２個の流延口を用いて、第一の流延口により支持体に成形したフィルムを剥ぎ取り、支持体面に接していた側に第二の流延を行うことにより、フィルムを作製することもできる。例えば、特公昭４４−２０２３５号公報に記載の方法を挙げることができる。

流延するセルロースアシレート溶液は同一の溶液を用いてもよいし、異なるセルロースアシレート溶液を２種以上用いてもよい。複数のセルロースアシレート層に機能をもたせるために、その機能に応じたセルロースアシレート溶液を、それぞれの流延口から押し出せばよい。さらに本発明におけるセルロースアシレート溶液は、他の機能層（例えば、接着層、染料層、帯電防止層、アンチハレーション層、紫外線吸収層、偏光層など）と同時に流延することもできる。

従来の単層液では、必要なフィルムの厚さにするためには高濃度で高粘度のセルロースアシレート溶液を押し出すことが必要である。その場合セルロースアシレート溶液の安定性が悪くて固形物が発生し、ブツ故障となったり、平面性が不良となったりして問題となることが多かった。この問題の解決方法として、複数のセルロースアシレート溶液を流延口から流延することにより、高粘度の溶液を同時に支持体上に押し出すことができ、平面性も良化し優れた面状のフィルムが作製できるばかりでなく、濃厚なセルロースアシレート溶液を用いることで乾燥負荷の低減化が達成でき、フィルムの生産スピードを高めることができる。

セルロースアシレートフィルムには、劣化防止剤（例えば、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン等）を添加してもよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各公報に記載がある。また、前記劣化防止剤の添加量は、調製する溶液（ドープ）の０．０１〜１質量％であることが好ましく、０．０１〜０．２質量％であることがさらに好ましい。添加量が０．０１質量％以上であれば、劣化防止剤の効果が十分に発揮されるので好ましく、添加量が１質量％以下であれば、フィルム表面への劣化防止剤のブリードアウト（滲み出し）などが生じにくいので好ましい。特に好ましい劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、トリベンジルアミン（ＴＢＡ）を挙げることができる。

また、セルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが、濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子径は０．２μｍ〜１．５μｍが好ましく、０．４μｍ〜１．２μｍがさらに好ましく、０．６μｍ〜１．１μｍが最も好ましい。１次、２次粒子径はフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とした。

二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

本発明において２次平均粒子径の小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレート溶液（ドープ液）と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行い、これを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％が更に好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤微粒子の添加量は１ｍ³あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。
使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。

これら流延から後乾燥までの工程は、空気雰囲気下でもよいし窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下でもよい。本発明におけるセルロースアシレートフィルムの製造に用いる巻き取り機は、一般的に使用されているものでよく、定テンション法、定トルク法、テーパーテンション法、内部応力一定のプログラムテンションコントロール法などの巻き取り方法で巻き取ることができる。

（延伸処理）
本発明のセルロースアシレートフィルムには、延伸処理をおこなうこともできる。延伸処理によりセルロースアシレートフィルムに所望のレターデーションを付与することが可能である。セルロースアシレートフィルムの延伸方向は幅方向、長手方向のいずれでも好ましい。
幅方向に延伸する方法は、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、同４−２８４２１１号、同４−２９８３１０号、同１１−４８２７１号などの各公報に記載されている。

フィルムの延伸は、加熱条件下で実施する。フィルムは、乾燥中の処理で延伸することができ、特に溶媒が残存する場合は有効である。長手方向の延伸の場合、例えば、フィルムの搬送ローラーの速度を調節して、フィルムの剥ぎ取り速度よりもフィルムの巻き取り速度の方を速くするとフィルムは延伸される。幅方向の延伸の場合、フィルムの巾をテンターで保持しながら搬送して、テンターの巾を徐々に広げることによってもフィルムを延伸できる。フィルムの乾燥後に、延伸機を用いて延伸すること（好ましくはロング延伸機を用いる一軸延伸）もできる。

本発明のセルロースアシレートフィルムの延伸は、セルロースアシレートフィルムのガラス転移温度Ｔｇを用いて、（Ｔｇ−５℃）〜（Ｔｇ＋４０℃）の温度で行うことが好ましく、（Ｔｇ）〜（Ｔｇ＋35℃）であることがより好ましく、（Ｔｇ＋5℃）〜（Ｔｇ＋30℃）であることが特に好ましい。乾膜の場合、１３０℃〜２００℃が好ましい。
また、流延後にドープ溶剤が残存した状態で延伸を行う場合、乾膜よりも低い温度で延伸が可能となり、この場合、１００℃〜１７０℃が好ましい。

本発明のセルロースアシレートフィルムの延伸倍率（延伸前のフィルムに対する伸び率）は、１％〜２００％が好ましく、５％〜１５０％がさらに好ましい。とくに、幅方向に１％〜２００％で延伸するのが好ましく、さらに好ましくは５％〜１５０％、特に好ましくは３０〜４５％である。
延伸速度は１％／分〜３００％／分が好ましく、１０％／分〜３００％／分がさらに好ましく、３０％／分〜３００％／分が最も好ましい。

また、本発明における延伸セルロースアシレートフィルムは、最大延伸倍率まで延伸したのちに、最大延伸倍率より低い延伸倍率で一定時間保持する工程（以下、「緩和工程」と称することがある。）を経て製造されることが好ましい。緩和工程における延伸倍率は最大延伸倍率の５０％〜９９％が好ましく、７０％〜９７％がさらに好ましく、９０％〜９５％が最も好ましい。また、緩和工程の時間は１秒〜１２０秒が好ましく、５秒〜１００秒がさらに好ましい。

さらに、本発明のセルロースアシレートフィルムは幅方向にフィルムを把持しながら収縮させる収縮工程を含むことにより好ましく製造することができる。
フィルムの幅方向に延伸する延伸工程と、フィルムの搬送方向（長手方向）に収縮させる収縮工程を含むことを特徴とする製造方法においてはパンタグラフ式あるいはリニアモーター式のテンターによって保持し、フィルムの幅方向に延伸しながら搬送方向にはクリップの間隔を徐々に狭めることでフィルムを収縮させることが出来る。

前記で説明した方法は、延伸工程と収縮工程の少なくとも一部が、同時に行われているということができる。

なお、上記のようなフィルムの長手方向または幅方向のいずれか一方を延伸し、同時にもう一方を収縮させ、同時にフィルムの膜厚を増加させる延伸工程を具体的に行う延伸装置として、市金工業社製ＦＩＴＺ機などを望ましく用いることができる。この装置に関しては（特開２００１−３８８０２号公報）に記載されている。

延伸工程における延伸倍率および収縮工程における収縮率としては目的とする面内のレターデーションＲｅおよび厚さ方向のレターデーションＲｔｈの値により、任意に適切な値を選択することができるが、延伸工程における延伸倍率が１０％以上であり、かつ収縮工程における収縮率を５％以上とすることが好ましい。
特に、フィルムの幅方向に１０％以上延伸する延伸工程と、フィルムの幅方向にフィルムを把持しながらフィルムの搬送方向を５％以上収縮させる収縮工程とを含むことが好ましい。
なお、本発明でいう収縮率とは、収縮方向における収縮前のフィルムの長さに対する収縮後のフィルムの収縮した長さの割合を意味する。
収縮率としては５〜４０％が好ましく、１０〜３０％が特に好ましい。

＜セルロースアシレートフィルムの特性＞
（レターデーション）
次に本発明セルロースアシレートフィルムの特性について詳しく説明する。
本発明のセルロースアシレートフィルムは、下記式（１）〜（４）の関係を満たすことが好ましい。
０ｎｍ≦Ｒｅ＜３００ｎｍ ・・・式（１）
−５０ｎｍ＜Ｒｔｈ＜４００ｎｍ ・・・式（２）
０．１％≦｛（２５℃、相対湿度１０％におけるＲｅ）−（２５℃、相対湿度８０％におけるＲｅ）｝／（２５℃、相対湿度６０％におけるＲｅ）≦２０％ ・・・式（３）
０．１％≦｛（２５℃、相対湿度１０％におけるＲｔｈ）−（２５℃、相対湿度８０％におけるＲｔｈ）｝／（２５℃、相対湿度６０％におけるＲｔｈ）≦２０％ ・・・式（４）

式（１）においてＲｅは０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、０ｎｍ〜１５０ｎｍがより好ましい。
また、式（２）においてＲｔｈは−３０ｎｍ〜３５０ｎｍが好ましく、−１０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
また、式（３）において｛（２５℃、相対湿度１０％におけるＲｅ）−（２５℃、相対湿度８０％におけるＲｅ）｝／（２５℃、相対湿度６０％におけるＲｅ）の値は０．１％〜１０％がさらに好ましい。
また、式（４）において｛（２５℃、相対湿度１０％におけるＲｔｈ）−（２５℃、相対湿度８０％におけるＲｔｈ）｝／（２５℃、相対湿度６０％におけるＲｔｈ）の値は０．１％〜１０％がさらに好ましい。
Ｒｅ湿度依存性およびＲｔｈ湿度依存性を上記範囲に設定したセルロースフィルムを使用することにより、高湿下で長時間点灯しても光漏れの発生しにくい液晶表示装置が得られる。

本明細書において、Ｒｅ（λ）、Ｒｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。また、本明細書中、特にことわりがなくＲｅ、Ｒｔｈと言う場合、波長５４８ｎｍにおけるＲｅおよびＲｔｈを表す。Ｒｅ（λ）はＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨまたはＷＲ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。
測定されるフィルムが１軸または２軸の屈折率楕円体で表されるものである場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨまたはＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）のフィルム法線方向に対して法線方向から片側５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて全部で６点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値および入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨまたはＷＲが算出する。
上記において、法線方向から面内の遅相軸を回転軸として、ある傾斜角度にレターデーションの値がゼロとなる方向をもつフィルムの場合には、その傾斜角度より大きい傾斜角度でのレターデーション値はその符号を負に変更した後、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨまたはＷＲが算出する。
なお、遅相軸を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）、任意の傾斜した２方向からレターデーション値を測定し、その値と平均屈折率の仮定値および入力された膜厚値を基に、以下の式（２１）および式（２２）よりＲｔｈを算出することもできる。

注記：
上記のＲｅ（θ）は法線方向から角度θ傾斜した方向におけるレターデーション値をあらわす。式（２１）におけるｎｘは面内における遅相軸方向の屈折率を表し、ｎｙは面内においてｎｘに直交する方向の屈折率を表し、ｎｚはｎｘおよびｎｙに直交する方向の屈折率を表す。ｄはフィルムの厚さを表す。

Ｒｔｈ＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ 式（２２）
測定されるフィルムが１軸や２軸の屈折率楕円体で表現できないもの、いわゆる光学軸（ｏｐｔｉｃ ａｘｉｓ）がないフィルムの場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨまたはＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−５０度から＋５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて１１点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値および入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨまたはＷＲが算出する。
上記の測定において、平均屈折率の仮定値はポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨまたはＷＲはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。この算出されたｎｘ、ｎｙ、ｎｚよりＮｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）がさらに算出される。

（セルロースアシレートフィルムの厚み）
本発明におけるセルロースアシレートフィルムの厚みは３０μｍ〜１００μｍが好ましく、３０μｍ〜８０μｍがさらに好ましく、３０μｍ〜６０μｍが最も好ましい。

（セルロースアシレートフィルムのガラス転移温度）
ガラス転移温度の測定は、以下の方法により測定する。本発明のセルロースアシレートフィルム試料２４ｍｍ×３６ｍｍを、２５℃、相対湿度６０％で２時間以上調湿した後に動的粘弾性測定装置（バイブロン：DVA−225（アイティー計測制御株式会社製））で、つかみ間距離２０ｍｍ、昇温速度２℃／分、測定温度範囲３０℃〜２００℃、周波数１Ｈｚで測定した。縦軸に対数軸で貯蔵弾性率、横軸に線形軸で温度をとり、貯蔵弾性率が固体領域からガラス転移領域へ移行する際に観察される貯蔵弾性率の急激な減少に対して、ＪＩＳ Ｋ７１２１−１９８７の図３に記載の方法によりガラス転移温度Ｔｇを求めた。

（セルロースアシレートフィルムの含水率）
本発明のセルロースアシレートフィルムの２５℃相対湿度８０％における平衡含水率は、０〜５．０％であることが好ましい。さらに好ましくは０.１〜４．０％である。平衡含水率が５．０％以下であれば、水の可塑化効果によるセルロースアシレートフィルムのガラス転移温度低下が小さく、高温高湿下の偏光子性能劣化を抑制する点から好ましい。
含水率の測定法は、本発明のセルロースアシレートフィルム試料７ｍｍ×３５ｍｍを水分測定器、試料乾燥装置（ＣＡ−０３、ＶＡ−０５、共に三菱化学（株））にてカールフィッシャー法で測定した。水分量（ｇ）を試料重量（ｇ）で除して算出した。

＜鹸化処理＞
本発明のセルロースアシレートフィルムはアルカリ鹸化処理することによりポリビニルアルコールのような偏光子の材料との密着性を付与し、偏光板保護フィルムとして用いることができる。鹸化の方法については、特開２００７−８６７４８号公報の〔０２１１〕と〔０２１２〕に記載され、偏光板の偏光子の作り方、偏光板の光学特性等については同公報の〔０２１３〕〜〔０２５５〕に記載されており、これらの記載を基に本発明のフィルムを保護フィルムに用いた偏光板を作製することができる。

例えば本発明のセルロースアシレートフィルムに対するアルカリ鹸化処理は、フィルム表面をアルカリ溶液に浸漬した後、酸性溶液で中和し、水洗して乾燥するサイクルで行われることが好ましい。前記アルカリ溶液としては、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液が挙げられ、水酸化イオンの濃度は０．１〜５．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましく、０．５〜４．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることがさらに好ましい。アルカリ溶液温度は、室温〜９０℃の範囲にあることが好ましく、４０〜７０℃の範囲にあることがさらに好ましい。

［偏光板］
偏光板は、一般に、偏光子およびその両側に配置された二枚の透明保護膜からなる。一方の保護膜として、本発明のセルロースアシレートフィルムを用いることができる。他方の保護膜は、通常のセルロースアセテートフィルムを用いてもよい。偏光子には、ヨウ素系偏光子、二色性染料を用いる染料系偏光子やポリエン系偏光子がある。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子は、一般にポリビニルアルコール系フィルムを用いて製造する。本発明のセルロースアシレートフィルムを偏光板保護膜として用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースアシレートフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号公報、特開平６−１１８２３２号公報に記載されているような易接着加工を施してもよい。保護膜処理面と偏光子を貼り合わせるのに使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。偏光板は偏光子及びその両面を保護する保護膜で構成されており、更に該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成される。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。また、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。

本発明のセルロースアシレートフィルムの偏光子への貼り合せ方は、偏光子の透過軸と本発明のセルロースアシレートフィルムの遅相軸が実質的に平行となるように貼り合せることが好ましい。
本発明の液晶表示装置において、偏光板の透過軸と本発明のセルロースアシレートフィルムの遅相軸が、実質的に平行であることが好ましい。ここで、実質的に平行であるとは、本発明のセルロースアシレートフィルムの主屈折率ｎｘの方向と偏光板の透過軸の方向とは、そのずれが５°以内であることをいい、１°以内、好ましくは０．５°以内であることが好ましい。ずれが１°より大きいと、偏光板クロスニコル下での偏光度性能が低下して光抜けが生じて好ましくない。
偏光板の直交透過率ＣＴは、ＵＶ３１００ＰＣ（島津製作所社製）を用いて測定した。測定では、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲で測定し、１０回測定の平均値を用いた。
偏光板耐久性試験は（１）偏光板のみと（２）偏光板をガラスに粘着剤を介して貼り付けた、２種類の形態で次のように行った。（１）の偏光板のみの測定は、２つの偏光子の間に本発明のセルロースアシレートフィルムが挟まれるように組み合わせて直交のものを２つ用意する。（２）の偏光板をガラスに粘着剤を介して貼り付けた形態での測定は、ガラスの上に偏光板を本発明のセルロースアシレートフィルムがガラス側にくるように貼り付けたサンプル（約５ｃｍ×５ｃｍ）を２つ作成する。直交透過率測定ではこのサンプルのフィルムの側を光源に向けてセットして測定する。２つのサンプルをそれぞれ測定し、その平均値を直交透過率とする。本発明の実施例では、上記（１）および（２）の試験方法のうち、（２）の試験方法を採用した。
偏光性能の好ましい範囲としては直交透過率ＣＴがＣＴ≦２．０であり、より好ましい範囲としてはＣＴ≦１．３（単位はいずれも％）である。
また偏光板耐久性試験ではその変化量はより小さいほうが好ましい。本発明の偏光板は、６０℃、相対湿度９０％に２４０時間静置させたときの直交透過率の変化量ΔＣＴ_２４０（％）または６０℃、相対湿度９５％に２４０時間静置させたときの直交透過率の変化量ΔＣＴ_１０００（％）が下記式（ｊ）、（ｋ）の少なくとも１つ以上を満たしていることが好ましい。
−０．５≦ΔＣＴ_２４０≦０．５・・・（ｊ）
−０．５≦ΔＣＴ_１０００≦０．５・・・（ｋ）
ここで、変化量とは試験後測定値から試験前測定値を差し引いた値である。
上記式（ｊ）または（ｋ）を満たせば、偏光板の高温高湿下で長時間使用中あるいは保管中の安定性が確保でき、好ましい。

＜偏光板の機能化＞
本発明における偏光板は、ディスプレイの視認性向上のための反射防止フィルム、輝度向上フィルムや、ハードコート層、前方散乱層、アンチグレア（防眩）層等の機能層を有する光学フィルムと複合した機能化偏光板としても好ましく使用される。機能化のための反射防止フィルム、輝度向上フィルム、他の機能性光学フィルム、ハードコート層、前方散乱層、アンチグレア層については、特開２００７−８６７４８号公報の〔０２５７〕〜〔０２７６〕に記載され、これらの記載を基に機能化した偏光板を作成することができる。

（反射防止フィルム）
本発明における偏光板は反射防止フィルムと組み合わせて使用することができる。反射防止フィルムは、フッ素系ポリマー等の低屈折率素材を単層付与しただけの反射率１．５％程度のフィルム、または薄膜の多層干渉を利用した反射率１％以下のフィルムのいずれも使用できる。本発明では、透明支持体上に低屈折率層、および低屈折率層より高い屈折率を有する少なくとも一層の層（即ち、高屈折率層、中屈折率層）を積層した構成が好ましく使用される。また、日東技報，ｖｏｌ．３８，Ｎｏ．１，Ｍａｙ，２０００，２６頁〜２８頁や特開２００２−３０１７８３号公報などに記載された反射防止フィルムも好ましく使用できる。

各層の屈折率は以下の関係を満足する。
高屈折率層の屈折率＞中屈折率層の屈折率＞透明支持体の屈折率＞低屈折率層の屈折率

反射防止フィルムに用いる透明支持体は、前述の偏光子の保護フィルムに使用する透明ポリマーフィルムを好ましく使用することができる。

低屈折率層の屈折率は１．２０〜１．５５であることが好ましく、さらに好ましくは１．３０〜１．５０である。低屈折率層は、耐擦傷性、防汚性を有する最外層として使用することが好ましい。耐擦傷性向上のため、シリコーン基を含有する含シリコーン化合物や、フッ素を含有する含フッ素化合物等の素材を用い表面への滑り性を付与することも好ましく行われる。

前記含フッ素化合物としては、例えば、特開平９−２２２５０３号公報［００１８］〜［００２６］、同１１−３８２０２号公報［００１９］〜［００３０］、特開２００１−４０２８４号公報［００２７］〜［００２８］、特開２０００−２８４１０２号公報等に記載の化合物を好ましく使用することができる。
前記含シリコーン化合物はポリシロキサン構造を有する化合物が好ましいが、反応性シリコーン（例えば、サイラプレーン（チッソ（株）製）や両末端にシラノール基含有のポリシロキサン（特開平１１−２５８４０３号公報）等を使用することもできる。シランカップリング剤等の有機金属化合物と特定のフッ素含有炭化水素基含有のシランカップリング剤とを触媒共存下に縮合反応で硬化させてもよい（特開昭５８−１４２９５８号公報、同５８−１４７４８３号公報、同５８−１４７４８４号公報、特開平９−１５７５８２号公報、同１１−１０６７０４号公報、特開２０００−１１７９０２号公報、同２００１−４８５９０号公報、同２００２−５３８０４号公報記載の化合物等）。
低屈折率層には、上記以外の添加剤として充填剤（例えば、二酸化珪素（シリカ）、含フッ素粒子（フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム）等の一次粒子平均径が１〜１５０ｎｍの低屈折率無機化合物、特開平１１−３８２０号公報の［００２０］〜［００３８］に記載の有機微粒子等）、シランカップリング剤、滑り剤、界面活性剤等を含有させることも好ましく行うことができる。

前記低屈折率層は、気相法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等）により形成されてもよいが、安価に製造できる点で、塗布法で形成することが好ましい。塗布法としては、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、マイクログラビア法を好ましく使用することができる。
低屈折率層の膜厚は、３０〜２００ｎｍであることが好ましく、５０〜１５０ｎｍであることがさらに好ましく、６０〜１２０ｎｍであることが最も好ましい。

中屈折率層および高屈折率層は、平均粒子サイズ１００ｎｍ以下の高屈折率の無機化合物超微粒子をマトリックス用材料に分散した構成とすることが好ましい。高屈折率の無機化合物微粒子としては、屈折率１．６５以上の無機化合物、例えば、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｌａ、Ｉｎ等の酸化物、これらの金属原子を含む複合酸化物等を好ましく使用できる。
このような超微粒子は、粒子表面を表面処理剤で処理したり（シランカップリング剤等：特開平１１−２９５５０３号公報、同１１−１５３７０３号公報、特開２０００−９９０８号公報、アニオン性化合物或は有機金属カップリング剤：特開２００１−３１０４３２号公報等）、高屈折率粒子をコアとしたコアシェル構造としたり（特開２００１−１６６１０４号公報等）、特定の分散剤を併用する（例えば、特開平１１−１５３７０３号公報、米国特許第６,２１０,８５８Ｂ１明細書、特開２００２−２７７６０６９号公報等）等の態様で使用することができる。

前記マトリックス用材料としては、従来公知の熱可塑性樹脂、硬化性樹脂皮膜等を使用できるが、特開２０００−４７００４号公報、同２００１−３１５２４２号公報、同２００１−３１８７１号公報、同２００１−２９６４０１号公報等に記載の多官能性材料や、特開２００１−２９３８１８号公報等に記載の金属アルコキシド組成物から得られる硬化性膜を使用することもできる。
前記高屈折率層の屈折率は、１．７０〜２．２０であることが好ましい。高屈折率層の厚さは、５ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜１μｍであることがさらに好ましい。
前記中屈折率層の屈折率は、低屈折率層の屈折率と高屈折率層の屈折率との間の値となるように調整する。中屈折率層の屈折率は、１．５０〜１．７０であることが好ましい。

前記反射防止フィルムのヘイズは、５％以下あることが好ましく、３％以下がさらに好ましい。また、膜の強度は、ＪＩＳ Ｋ５４００に従う鉛筆硬度試験でＨ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。

（輝度向上フィルム）
本発明における偏光板は、輝度向上フィルムと組み合わせて使用することができる。輝度向上フィルムは、円偏光もしくは直線偏光の分離機能を有しており、偏光板とバックライトとの間に配置され、一方の円偏光もしくは直線偏光をバックライト側に後方反射もしくは後方散乱する。バックライト部からの再反射光は、部分的に偏光状態を変化させ、輝度向上フィルムおよび偏光板に再入射する際、部分的に透過するため、この過程を繰り返すことにより光利用率が向上し、正面輝度が１．４倍程度に向上する。輝度向上フィルムとしては異方性反射方式および異方性散乱方式が知られており、いずれも本発明における偏光板と組み合わせることができる。

異方性反射方式では、一軸延伸フィルムと未延伸フィルムとを多重に積層して、延伸方向の屈折率差を大きくすることにより反射率ならびに透過率の異方性を有する輝度向上フィルムが知られており、誘電体ミラーの原理を用いた多層膜方式（国際公開第９５／１７６９１号パンフレット、国際公開第９５／１７６９２号パンフレット、国際公開第９５／１７６９９号パンフレットの各明細書記載）やコレステリック液晶方式（欧州特許６０６９４０Ａ２号明細書、特開平８−２７１７３１号公報記載）が知られている。誘電体ミラーの原理を用いた多層方式の輝度向上フィルムとしてはＤＢＥＦ―Ｅ、ＤＢＥＦ−Ｄ、ＤＢＥＦ−Ｍ（いずれも３Ｍ社製）、コレステリック液晶方式の輝度向上フィルムとしてはＮＩＰＯＣＳ（日東電工（株）製）が本発明で好ましく使用される。ＮＩＰＯＣＳについては、日東技報，ｖｏｌ．３８，Ｎｏ．１，Ｍａｙ，２０００，１９頁〜２１頁などを参考にすることができる。

また、本発明では国際公開第９７／３２２２３号パンフレット、国際公開第９７／３２２２４号パンフレット、国際公開第９７／３２２２５号パンフレット、国際公開第９７／３２２２６号パンフレットの各明細書および特開平９−２７４１０８号、同１１−１７４２３１号の各公報に記載された正の固有複屈折性ポリマーと負の固有複屈折性ポリマーとをブレンドして一軸延伸した異方性散乱方式の輝度向上フィルムと組み合わせて使用することも好ましい。異方性散乱方式輝度向上フィルムとしては、ＤＲＰＦ−Ｈ（３Ｍ社製）が好ましい。

（他の機能性光学フィルム）
本発明における偏光板は、さらに、ハードコート層、前方散乱層、アンチグレア（防眩）層、ガスバリア層、滑り層、帯電防止層、下塗り層や保護層等を設けた機能性光学フィルムと組み合わせて使用することも好ましい。また、これらの機能層は、前述の反射防止フィルムにおける反射防止層、あるいは光学異方性層等と同一層内で相互に複合して使用することも好ましい。これらの機能層は、偏光子側および偏光子と反対面（より空気側の面）のどちらか片面、または両面に設けて使用できる。

（ハードコート層）
本発明における偏光板は耐擦傷性等の力学的強度を付与するため、ハードコート層を透明支持体の表面に設けた機能性光学フィルムと組み合わせることが好ましく行われる。ハードコート層を、前述の反射防止フィルムに適用して用いる場合は、特に、透明支持体と高屈折率層の間に設けることが好ましい。
前記ハードコート層は、光および／または熱による硬化性化合物の架橋反応、または、重合反応により形成されることが好ましい。硬化性官能基としては、光重合性官能基が好ましく、または、加水分解性官能基含有の有機金属化合物は有機アルコキシシリル化合物が好ましい。ハードコート層の具体的な構成組成物としては、例えば、特開２００２−１４４９１３号公報、同２０００−９９０８号公報、国際公開第００／４６６１７号パンフレット等記載のものを好ましく使用することができる。
ハードコート層の膜厚は、０．２μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
ハードコート層の強度は、ＪＩＳ Ｋ５４００に従う鉛筆硬度試験で、Ｈ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。また、ＪＩＳ Ｋ５４００に従うテーバー試験で、試験前後の試験片の摩耗量が少ないほど好ましい。

ハードコート層を形成する材料は、エチレン性不飽和基を含む化合物、開環重合性基を含む化合物を用いることができ、これらの化合物は単独あるいは組み合わせて用いることができる。エチレン性不飽和基を含む化合物の好ましい例としては、エチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等のポリオールのポリアクリレート類；ビスフェノールＡジグリシジルエーテルのジアクリレート、ヘキサンジオールジグリシジルエーテルのジアクリレート等のエポキシアクリレート類；ポリイソシナネートとヒドロキシエチルアクリレート等の水酸基含有アクリレートの反応によって得られるウレタンアクリレート等を好ましい化合物として挙げることができる。また、市販化合物としては、ＥＢ−６００、ＥＢ−４０、ＥＢ−１４０、ＥＢ−１１５０、ＥＢ−１２９０Ｋ、ＩＲＲ２１４、ＥＢ−２２２０、ＴＭＰＴＡ、ＴＭＰＴＭＡ（以上、ダイセル・ユーシービー（株）製）、ＵＶ−６３００、ＵＶ−１７００Ｂ（以上、日本合成化学工業（株）製）等が挙げられる。

また、開環重合性基を含む化合物の好ましい例としては、グリシジルエーテル類としてエチレングリコールジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセロールトリグリシジルエーテル、トリグリシジルトリスヒドロキシエチルイソシアヌレート、ソルビトールテトラグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のポリグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のポリグリシジルエーテルなど、脂環式エポキシ類としてセロキサイド２０２１Ｐ、セロキサイド２０８１、エポリードＧＴ−３０１、エポリードＧＴ−４０１、ＥＨＰＥ３１５０ＣＥ（以上、ダイセル化学工業（株）製）、フェノールノボラック樹脂のポリシクロヘキシルエポキシメチルエーテルなど、オキセタン類としてＯＸＴ−１２１、ＯＸＴ−２２１、ＯＸ−ＳＱ、ＰＮＯＸ−１００９（以上、東亞合成（株）製）などが挙げられる。その他にグリシジル（メタ）アクリレートの重合体、或いはグリシジル（メタ）アクリレートと共重合できるモノマーとの共重合体をハードコート層に使用することもできる。

ハードコート層には、ハードコート層の硬化収縮の低減、基材との密着性の向上、本発明においてハードコート処理物品のカールを低減するため、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム等の酸化物微粒子やポリエチレン、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリル酸エステル類、ポリジメチルシロキサン等の架橋粒子、ＳＢＲ、ＮＢＲなどの架橋ゴム微粒子等の有機微粒子等の架橋微粒子を添加することも好ましく行われる。これらの架橋微粒子の平均粒子サイズは、１ｎｍ〜２００００ｎｍであることが好ましい。また、架橋微粒子の形状は、球状、棒状、針状、板状など特に制限無く使用できる。微粒子の添加量は硬化後のハードコート層の６０体積％以下であることが好ましく、４０体積％以下がより好ましい。

上記で記載した無機微粒子を添加する場合、一般にバインダーポリマーとの親和性が悪いため、ケイ素、アルミニウム、チタニウム等の金属を含有し、かつアルコキシド基、カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基等の官能基を有する表面処理剤を用いて表面処理を行うことも好ましく行われる。

ハードコート層は、熱または活性エネルギー線を用いて硬化することが好ましく、その中でも放射線、ガンマー線、アルファー線、電子線、紫外線等の活性エネルギー線を用いることがより好ましく、安全性、生産性を考えると電子線、紫外線を用いることが特に好ましい。熱で硬化させる場合は、プラスチック自身の耐熱性を考えて、加熱温度は１４０℃以下が好ましく、より好ましくは１００℃以下である。

（前方散乱層）
前方散乱層は、本発明における偏光板を液晶表示装置に適用した際の、上下左右方向の視野角特性（色相と輝度分布）改良するために使用される。本発明では、前方散乱層は屈折率の異なる微粒子をバインダー分散した構成が好ましく、例えば、前方散乱係数を特定化した特開１１−３８２０８号公報、透明樹脂と微粒子との相対屈折率を特定範囲とした特開２０００−１９９８０９号公報、ヘイズ値を４０％以上と規定した特開２００２−１０７５１２号公報等の構成を使用することができる。また、本発明における偏光板をヘイズの視野角特性を制御するため、住友化学（株）の技術レポート「光機能性フィルム」３１頁〜３９頁に記載された「ルミスティ」と組み合わせて使用することも好ましく行うことができる。

（アンチグレア層）
アンチグレア（防眩）層は、反射光を散乱させ映り込みを防止するために使用される。アンチグレア機能は、液晶表示装置の最表面（表示側）に凹凸を形成することにより得られる。アンチグレア機能を有する光学フィルムのヘイズは、３〜３０％であることが好ましく、５〜２０％であることがさらに好ましく、７〜２０％であることが最も好ましい。
フィルム表面に凹凸を形成する方法は、例えば、微粒子を添加して膜表面に凹凸を形成する方法（例えば、特開２０００−２７１８７８号公報等）、比較的大きな粒子（粒子サイズ０．０５〜２μｍ）を少量（０．１〜５０質量％）添加して表面凹凸膜を形成する方法（例えば、特開２０００−２８１４１０号公報、同２０００−９５８９３号公報、同２００１−１００００４号公報、同２００１−２８１４０７号公報等）、フィルム表面に物理的に凹凸形状を転写する方法（例えば、エンボス加工方法として、特開昭６３−２７８８３９号公報、特開平１１−１８３７１０号公報、特開２０００−２７５４０１号公報等記載）等を好ましく使用することができる。

[液晶表示装置]
次に本発明の液晶表示装置について説明する。

図１は、本発明の液晶表示装置の例を示す概略図である。図１において、液晶表示装置１０は、液晶層５とこの上下に配置された液晶セル上電極基板３および液晶セル下電極基板６とを有する液晶セル、液晶セルの両側に配置された上側偏光板１および下側偏光板８からなる。液晶セルと各偏光板との間にカラーフィルターを配置してもよい。前記液晶表示装置１０を透過型として使用する場合は、冷陰極あるいは熱陰極蛍光管、あるいは発光ダイオード、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセント素子を光源とするバックライトを背面に配置する。

上側偏光板１および下側偏光板８は、それぞれ２枚の保護フィルムで偏光子を挟むように積層した構成を有しており、本発明の液晶表示装置１０は、一方の偏光板の液晶セル側の保護フィルムが上記の式（１）〜（４）の特性を有するのが好ましい。本発明の液晶表示装置１０は、装置の外側（液晶セルから遠い側）から、透明保護フィルム、偏光子、本発明のセルロースアシレートフィルムの順序で積層することが好ましい。
液晶表示装置１０には、画像直視型、画像投影型や光変調型が含まれる。ＴＦＴやＭＩＭのような３端子または２端子半導体素子を用いたアクティブマトリックス液晶表示装置が本発明は有効である。もちろん時分割駆動と呼ばれるＳＴＮモードに代表されるパッシブマトリックス液晶表示装置でも有効である。

（ＶＡモード）
本発明の液晶表示装置の液晶セルはＶＡモードであることが好ましい。
ＶＡモードでは上下基板間に誘電異方性が負で、Δｎ＝０．０８１３、Δε＝−４．６程度の液晶をラビング配向により、液晶分子の配向方向を示すダイレクタ、いわゆるチルト角を、約８９°で作製する。図１における液晶層５の厚さｄは３．５μｍ程度に設定してあることが好ましい。ここで厚さｄと屈折率異方性Δｎとの積Δｎｄの大きさにより白表示時の明るさが変化する。このため最大の明るさを得るためには液晶層の厚みを０．２μｍ〜０．５μｍの範囲になるように設定する。

液晶セルの上側偏光板１の吸収軸２と下側偏光板８の吸収軸９は略直交に積層する。液晶セル上電極基板３および液晶セル下電極基板６のそれぞれの配向膜の内側には透明電極（図示せず）が形成されるが、電極に駆動電圧を印加しない非駆動状態では、液晶層５中の液晶分子は、基板面に対して概略垂直に配向し、その結果液晶パネルを通過する光の偏光状態はほとんど変化しない。すなわち、液晶表示装置では、非駆動状態において理想的な黒表示を実現する。これに対し、駆動状態では、液晶分子は基板面に平行な方向に傾斜し、液晶パネルを通過する光はかかる傾斜した液晶分子により偏光状態を変化させる。換言すると、液晶表示装置では、駆動状態において白表示が得られる。なお図１において、符号４および７は、配向制御方向である。

ここでは上下基板間に電界が印加されるため、電界方向に垂直に液晶分子が応答するような、誘電率異方性が負の液晶材料を使用することが好ましい。また電極を一方の基板に配置し、電界が基板面に平行の横方向に印加される場合は、液晶材料は正の誘電率異方性を有するものを使用する。
またＶＡモードの液晶表示装置では、ＴＮモードの液晶表示装置で一般的に使われているカイラル剤の添加は、動的応答特性の劣化させるため用いることは少ないが、配向不良を低減するために添加されることもある。

ＶＡモードの特徴は、高速応答であることと、コントラストが高いことである。しかし、コントラストは正面では高いが、斜め方向では劣化する課題がある。黒表示時に液晶分子は基板面に垂直に配向している。正面から観察すると、液晶分子の複屈折はほとんどないため透過率は低く、高コントラストが得られる。しかし、斜めから観察した場合は液晶分子に複屈折が生じる。さらに上下の偏光板吸収軸の交差角が、正面では９０°の直交であるが、斜めから見た場合は９０°より大きくなる。この２つの要因のために斜め方向では漏れ光が生じ、コントラストが低下する。これを解決するために光学補償シート（位相差フィルム）として、本発明のセルロースアシレートフィルムを配置する。

また白表示時には液晶分子が傾斜しているが、傾斜方向とその逆方向では、斜めから観察した時の液晶分子の複屈折の大きさが異なり、輝度や色調に差が生じる。これを解決するためには、液晶表示装置の一画素を複数の領域に分割するマルチドメインと呼ばれる構造にすることも好ましい。

（マルチドメイン）
例えば、ＶＡ方式では液晶分子が電界印加により、一つの画素内で異なる複数の領域に傾斜することで視角特性が平均化される。一画素内で配向を分割するには、電極にスリットを設けたり、突起を設け、電界方向を変えたり電界密度に偏りを持たせる。全方向で均等な視野角を得るにはこの分割数を多くすればよいが、４分割、あるいは８分割以上することでほぼ均等な視野角が得られる。特に８分割時は偏光板吸収軸を任意の角度に設定できるので好ましい。

また配向分割の領域境界では、液晶分子が応答しづらい。そのためノーマリーブラック表示では黒表示が維持されるため、輝度低下が問題となる。そこで液晶材料にカイラル剤を添加して境界領域を小さくすることが可能である。

以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。

[実施例１]
〔セルロースアシレートフィルムの作製〕
（セルロースアシレート溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液１を調製した。
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セルロースアシレート溶液１の組成
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アセチル置換度２．７６、重合度３５０のセルロースアセテート
１００．０質量部
多価アルコールエステル４ １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒） ６０．０質量部
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（マット剤溶液２の調製）
下記の組成物を分散機に投入し、攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液２を調製した。
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マット剤溶液２の組成
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平均粒子サイズ２０ｎｍのシリカ粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、
日本アエロジル（株）製） ２．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７５．０質量部
メタノール（第２溶媒） １２．７質量部
前記セルロースアシレート溶液１ １０．３質量部
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（水素結合性化合物溶液３の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、水素結合性化合物溶液３を調製した。

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水素結合性化合物溶液３の組成
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水素結合性化合物（Ａ−１６） ２０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ６７．２質量部
メタノール（第２溶媒） １０．０質量部
前記セルロースアシレート溶液１ １２．８質量部
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上記マット剤溶液２の１．３質量部と、水素結合性化合物溶液３の３．１質量部をそれぞれ濾過後にインラインミキサーを用いて混合し、さらにセルロースアシレート溶液１を９５．６質量部加えて、インラインミキサーを用いて混合した。混合した溶液を、バンド流延機を用いて流延し、１００℃で残留溶媒含量４０％まで乾燥した後、フィルムを剥ぎ取った。剥ぎ取ったフィルムは、１４０℃の雰囲気温度で残留溶媒含量２０％になった時点でテンターを用いて延伸倍率３５％で横延伸したのち、さらに１３０℃で３分間保持した。その後、フィルムを保持していたクリップを外して該フィルムを１３０℃で３０分間乾燥させ、実施例１のセルロースアシレートフィルムを製造した。製造されたセルロースアシレートフィルムの残留溶媒量は０．１％であり、膜厚は６０μｍであった。

[実施例２〜１０、比較例１〜１４]
〔実施例２〜１０および比較例１〜１４のセルロースアシレートフィルムの作製〕
実施例１においてセルロースアシテートの置換度、各添加剤の種類および量、延伸温度および延伸倍率、フィルム厚みを下記表１１〜１４に記載したとおりに変更した以外は同様にして、実施例２〜１０および比較例１〜１４のセルロースアシレートフィルムを製造した。

なお、下記表１１〜１４中、添加剤の添加量は、セルロースアシレート樹脂１００質量部に対する質量部を表す。

以上のようにして製造した実施例１〜１０および比較例１〜１４のセルロースアシレートフィルムについて、自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−ＷＲ、王子計測機器（株）製）により２５℃で、相対湿度１０％、６０％、８０％の各場合における波長５４８ｎｍにおけるＲｅおよびＲｔｈをそれぞれ測定した。

また、測定したＲｅおよびＲｔｈの値から、Ｒｅ湿度依存性およびＲｔｈ湿度依存性を以下の計算によって求めた。
・Ｒｅ湿度依存性＝｛（２５℃、相対湿度１０％におけるＲｅ）−（２５℃、相対湿度８０％におけるＲｅ）｝／（２５℃、相対湿度６０％におけるＲｅ）
・Ｒｔｈ湿度依存性＝｛（２５℃、相対湿度１０％におけるＲｔｈ）−（２５℃、相対湿度８０％におけるＲｔｈ）｝／（２５℃、相対湿度６０％におけるＲｔｈ）
得られた結果を下記表１１〜１４に示した。

〔セルロースアシレートフィルムの鹸化処理〕
作製した実施例１のセルロースアシレートフィルムを、２．３ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で３分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、実施例１のセルロースアシレートフィルムについて表面の鹸化処理を行った。

〔偏光板の作製〕
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光子を作製した。
鹸化処理した実施例１のセルロースアシレートフィルムを、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光子の片側に貼り付けた。市販のセルローストリアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）に同様の鹸化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、作成した実施例１のセルロースアシレートフィルムを貼り付けてある側とは反対側の偏光子の面に鹸化処理後のセルローストリアセテートフィルムを貼り付けた。
この際、偏光子の透過軸と作成した実施例１のセルロースアシレートフィルムの遅相軸とは平行になるように配置した。また、偏光子の透過軸と市販のセルローストリアセテートフィルムの遅相軸とは、直交するように配置した。
このようにして実施例１の偏光板を作製した。

実施例２〜１０のセルロースアシレートフィルムおよび比較例１〜１４のセルロースアシレートフィルムについても、それぞれ実施例１と同様にしてけん化処理および偏光板作製を行い、実施例２〜１０の偏光板および比較例１〜１４の偏光板を作製した。

（偏光板耐久性の評価）
上記で作製した実施例１〜１０および比較例１〜１４の偏光板について、波長４１０ｎｍにおける偏光子の直交透過率を本明細書に記載した方法で測定した。
その後、実施例１、２、６、比較例１〜３、７、８、１１および１３の偏光板については、６０℃、相対湿度９５％の環境下で１０００時間保存した後の直交透過率を測定した。経時前後の直交透過率の変化を求め、これを偏光子耐久性（１）として下記表１１および表１３にその結果を記載した。
一方、その他の偏光板については、６０℃、相対湿度９０％の環境下で２４０時間保存した後の直交透過率を測定し、同様に経時前後の直交透過率の変化を求め、これを偏光子耐久性（２）として下記表１２および表１４にその結果を記載した。

表１１〜表１４の結果から、本発明のセルロースアシレートフィルムを使用した偏光板は、アシル置換度の同じセルロースアシレート樹脂を用いた場合であって、本発明の範囲の疎水化剤を含まず、本発明の範囲の水素結合性化合物を含む比較例（すなわち、比較例２〜４、６、７および９）のセルロースアシレートフィルムを使用した偏光板と比較して、環境湿度に依存したＲｅおよびＲｔｈの変化が少なく、かつ、高温高湿下で経時させた後における偏光子の劣化が小さいことがわかった。また、本発明のセルロースアシレートフィルムを使用した偏光板は、アシル置換度の同じセルロースアシレート樹脂を用いた場合であって、本発明の範囲の疎水化剤を含み、本発明の範囲の水素結合性化合物を含まない比較例（すなわち、比較例１、５、８および１０）のセルロースアシレートフィルムを使用した偏光板と比較して、偏光子耐久性を維持したまま、環境湿度に依存したＲｅおよびＲｔｈの変化が顕著に改善されることがわかった。さらに、本発明のセルロースアシレートフィルムを使用した偏光板は、疎水化剤も水素結合性化合物も添加していない比較例１１〜１４のセルロースアシレートフィルムを使用した偏光板と比較して、偏光子耐久性を維持したまま、環境湿度に依存したＲｅおよびＲｔｈの変化が顕著に改善されることがわかった。また、比較例１１〜１４と、疎水化剤のみを添加している態様の比較例や水素結合性化合物のみを添加している態様の比較例とを比較したところ、いずれか一方の添加剤の添加では、改良が不十分であることもわかった。
すなわち、本発明のセルロースアシレートフィルムを使用した偏光板は、環境湿度に依存したレターデーション変化が小さく、かつ、偏光板に貼り合わせて高温高湿下で経時させた場合に偏光子の劣化を抑えることができることがわかった。

[実施例１１]
〔液晶表示装置の作製〕
市販の液晶テレビ（ＳＯＮＹ（株）のブラビアＪ５０００）の２枚の偏光板をはがし、視認者側およびバックライト側に実施例８のセルロースアシレートフィルムを用いた本発明の偏光板を、実施例８のセルロースアシレートフィルムがそれぞれ液晶セル側となるように、粘着剤を介して、観察者側およびバックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸が上下方向に、そして、バックライト側の偏光板の透過軸が左右方向になるように、クロスニコル配置とした。このようにして作製した本発明の液晶表示装置は市販の液晶テレビに対して、環境湿度を変えても斜めから観察した場合のコントラスト変化および色味変化が小さく、かつ高温高湿下で長時間使用してもコントラストの低下が小さく好ましかった。

[実施例４０１]
（セルロースアシレートの調製）
特開平１０−４５８０４号公報、同０８−２３１７６１号公報に記載の方法で、セルロースアシレートを合成し、その置換度を測定した。具体的には、触媒として硫酸（セルロース１００質量部に対し７．８質量部）を添加し、アシル置換基の原料となるカルボン酸を添加し４０℃でアシル化反応を行った。この時、カルボン酸の種類、量を調整することでアシル基の種類、置換度を調整した。またアシル化後に４０℃で熟成を行った。さらにこのセルロースアシレートの低分子量成分をアセトンで洗浄し除去した。

（低置換度層用セルロースアシレート溶液Ｃ０１の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して、各成分を溶解し、固形分濃度が２２質量％のセルロースアシレート溶液を調製した。なお、セルロースアシレート溶液の粘度は６０Ｐａ・ｓであった。
・セルロースアセテート（置換度２．４５） １００．０質量部
・重縮合ポリエステルＪ−３５ １６．０質量部
・水素結合性化合物 ３．０質量部
・メチレンクロライド ３６５．５質量部
・メタノール ５４．６質量部

なお、重縮合ポリエステルＡ−３５はテレフタル酸／コハク酸／プロピレンクリコール／エチレングリコール共重合体（共重合比[モル％]＝２７．５／２２．５／２５／２５）である。

（高置換度層用セルロースアシレート溶液Ｓ０１の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液を調製した。各セルロースアシレート溶液の固形分濃度が下記表２に記載の値となるように溶剤（メチレンクロライドおよびメタノール）の量は適宜調整した。
・セルロースアセテート（置換度２．７９） １００．０質量部
・重縮合ポリエステルＪ−３５ １９．０質量部
・シリカ微粒子 Ｒ９７２（日本エアロジル製） ０．１５質量部
・メチレンクロライド ３９５．０質量部
・メタノール ５９．０質量部
得られた高置換度層用セルロースアシレート溶液Ｓ０１の固形分濃度は２０．０質量％、粘度を３０Ｐａ・ｓであった。

（偏光板保護フィルム４０１の作成）
前記低置換度層用セルロースアシレート溶液Ｃ０１を膜厚５６μｍになるように、また前記高置換度層用セルロースアシレート溶液Ｓ０１を膜厚が各２μｍのスキンＡ層およびスキンＢ層になるように、それぞれ流延した。得られたウェブ（フィルム）をバンドから剥離し、クリップに挟み、フィルム全体の質量に対する残留溶媒量が２０〜５％の状態のときにテンターを用いて１４０℃で１．０８倍横延伸した。その後にフィルムからクリップを外して１３０℃で２０分間乾燥させた後、更にテンターを用いて１８０℃で１．２倍再度横延伸し、本発明の偏光板保護フィルム４０１を作製した。
なお、残留溶媒量は下記の式にしたがって求めた。
残留溶媒量（質量％）＝｛（Ｍ−Ｎ）／Ｎ｝×１００
ここで、Ｍはウェブの任意時点での質量、ＮはＭを測定したウェブを１２０℃で２時間乾燥させた時の質量である。

[実施例４０２〜４２０ならびに比較例５０１〜５０８、５１１、５１２]
実施例４０１において、低置換度層用セルロースアシレート溶液に加える疎水化剤の種類および/あるいは、水素結合性化合物の種類を表１５の内容に変更した以外は実施例４０１と同様にして、実施例４０２〜４２０の偏光板保護フィルム、および比較例５０１〜５０８、５１１、５１２の偏光板保護フィルムを作製した。
なお、表１５中の比較例５０７は化合物Ｕ−６がドープに溶解しなかった。

化合物Ｕ−５；：ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−ガラクトピラノース；（株）東京化成製

[実施例４２１]
（偏光板保護フィルム４２１の作成）
実施例４２１で調製した低置換度層用セルロースアシレート溶液Ｃ０１を膜厚９０μｍになるように、また前記高置換度層用セルロースアシレート溶液Ｓ０１を膜厚が各３μｍのスキンＡ層およびスキンＢ層になるように、それぞれ流延した。得られたウェブ（フィルム）をバンドから剥離し、クリップに挟み、フィルム全体の質量に対する残留溶媒量が２０〜５％の状態のときにテンターを用いて１４０℃で１．３倍横延伸した。その後にフィルムからクリップを外して１３０℃で２０分間乾燥させ、本発明の偏光板保護フィルム４１０を作製した。
なお、残留溶媒量は下記の式にしたがって求めた。
残留溶媒量（質量％）＝｛（Ｍ−Ｎ）／Ｎ｝×１００
ここで、Ｍはウェブの任意時点での質量、ＮはＭを測定したウェブを１２０℃で２時間乾燥させた時の質量である。

[実施例４２２〜４３０ならびに比較例５２１、５２２]
実施例４２１において、低置換度層用セルロースアシレート溶液に加える疎水化剤の種類および/あるいは、水素結合性化合物の種類を表１６の内容に変更した以外は実施例４２１と同様にして、実施例４２２〜４３０の偏光板保護フィルム４２１〜４３０、および比較例５２１、５２２の偏光板保護フィルム５２１、５２２を作製した。

このようにして作製したセルロースアシレートフィルムについて、実施例１と同様にして、ＲｅおよびＲｔｈの測定、偏光板作製、および偏光板を温度６０℃相対湿度９５％の環境下で保管した際の波長４１０ｎｍにおけるクロス透過率変化を測定した。結果を表１７に示す。

表１７の結果から、本発明のセルロースアシレートフィルムを使用した偏光板は、本発明の範囲の疎水化剤を含まず、本発明の範囲の水素結合性化合物を含む比較例のセルロースアシレートフィルムを使用した偏光板と比較して、環境湿度に依存したＲｅおよびＲｔｈの変化が少なく、かつ、高温高湿下で経時させた後における偏光子の劣化が小さいことがわかった。また、本発明のセルロースアシレートフィルムを使用した偏光板は、本発明の範囲の疎水化剤を含み、本発明の範囲の水素結合性化合物を含まない比較例のセルロースアシレートフィルムを使用した偏光板と比較して、偏光子耐久性を維持したまま、環境湿度に依存したＲｅおよびＲｔｈの変化が顕著に改善されることがわかった。

［合成例：一般式（Ａ−２）で表される化合物の合成］
以下の一般式（Ａ−２）で表される本発明に用いられる前記水素結合性化合物の合成を行った。

化合物（３−１）の合成
アセトグアナミン１０ｇ（３２ｍｍｏｌ）のピリジン５０ｍＬ溶液に、ベンゾイルクロライド９．９ｇ（７０ｍｍｏｌ）を加え、８時間加熱還流させた。反応系の温度を室温に戻し、酢酸エチル及び水を加えて分液し、有機層を１Ｎ塩酸水、水の順に水洗した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去しカラムクロマトグラフィーにより精製し化合物（３−１）を得た。
得られた化合物（３−１）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重ＤＭＳＯ、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
２．５０（３Ｈ、ｓ）
７．４５−７．５５（４Ｈ、ｍ）
７．６０−７．６５（２Ｈ、ｍ）
７．９０−８．００（４Ｈ、ｍ）
１１．２０（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−２）の合成
出発原料をベンゾイルクロライドからｏ−メチル安息香酸クロライドに変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−２）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
２．５０（６Ｈ、ｓ）
２．６０（３Ｈ、ｓ）
７．２０−７．３０（４Ｈ、ｍ）
７．３５−７．４５（２Ｈ、ｍ）
７．５０−７．６０（２Ｈ、ｍ）
８．５５（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−３）の合成
出発原料をベンゾイルクロライドからｐ−メチル安息香酸クロライドに変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−３）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重ＤＭＳＯ、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
２．３５（６Ｈ、ｓ）
２．５０（３Ｈ、ｓ）
７．３０（４Ｈ、ｄ）
７．８５（４Ｈ、ｄ）
１１．１０（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−４）の合成
出発原料をベンゾイルクロライドからｐ−メトキシ安息香酸クロライドに変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−４）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重ＤＭＳＯ、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
２．５０（３Ｈ、ｓ）
３．８０（６Ｈ、ｓ）
７．００（４Ｈ、ｄ）
７．９５（４Ｈ、ｄ）
１１．００（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−５）の合成
出発原料をベンゾイルクロライドからｍ−メトキシ安息香酸クロライドに変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−５）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重ＤＭＳＯ、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
２．５０（３Ｈ、ｓ）
３．８０（６Ｈ、ｓ）
７．１０−７．２０（２Ｈ、ｍ）
７．３５−７．４５（２Ｈ、ｍ）
７．５０−７．６０（４Ｈ、ｍ）
１１．２０（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−６）の合成
出発原料をベンゾイルクロライドからｐ−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸クロライドに変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−６）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重ＤＭＳＯ、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
１．３０（１８Ｈ、ｓ）
２．５０（３Ｈ、ｓ）
７．５５（４Ｈ、ｄ）
７．９５（４Ｈ、ｄ）
１１．１０（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−７）の合成
出発原料をベンゾイルクロライドからｍ−メチル安息香酸クロライドに変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−７）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
２．４０（６Ｈ、ｓ）
２．６５（３Ｈ、ｓ）
７．３５−７．４５（４Ｈ、ｍ）
７．７０−７．８０（４Ｈ、ｍ）
８．８０（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−８）の合成
出発原料をベンゾイルクロライドからｐ−クロロ安息香酸クロライドに変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−８）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
２．６０（３Ｈ、ｓ）
７．４０−７．５０（４Ｈ、ｍ）
７．９０−８．００（４Ｈ、ｍ）
９．１０（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−９）の合成
出発原料をベンゾイルクロライドからｏ−クロロ安息香酸クロライドに変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−９）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
２．５０（３Ｈ、ｓ）
７．３０−７．５０（６Ｈ、ｍ）
７．６０−７．７０（２Ｈ、ｍ）
８．９５（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−１０）の合成
出発原料をベンゾイルクロライドからｍ−クロロ安息香酸クロライドに変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−１０）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重ＤＭＳＯ、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
２．５０（３Ｈ、ｓ）
７．５５（２Ｈ、ｍ）
７．７０（２Ｈ、ｍ）
７．９０（２Ｈ、ｍ）
８．００（２Ｈ、ｓ）
１１．３５（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−１１）の合成
出発原料をベンゾイルクロライドからｏ−メトキシ安息香酸クロライドに変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−１１）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重ＤＭＳＯ、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
２．４０（３Ｈ、ｓ）
３．８０（６Ｈ、ｓ）
７．００−７．２０（４Ｈ、ｍ）
７．５５（２Ｈ、ｍ）
７．６５（２Ｈ、ｍ）
１０．７０（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−１２）の合成
原料の酸クロライドを変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。目的物はＭＳスペクトルで確認した。

化合物（３−１３）の合成
原料の酸クロライドを変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。目的物はＭＳスペクトルで確認した。

化合物（３−１４）の合成
原料の酸クロライドを変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−１４）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重DMSO、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
２．４０（３Ｈ、ｓ）
４．００（４Ｈ、ｓ）
７．２０−７．３０（１０Ｈ、ｍ）
１０．９０（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−１５）の合成
原料の酸クロライドを変更した他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−１５）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重DMSO、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
２．４０（３Ｈ、ｓ）
３．８０（３Ｈ、ｓ）
７．１５（１Ｈ、ｍ）
７．３５−７．５５（５Ｈ、ｍ）
７．７５（２Ｈ、ｍ）
１１．１０（１Ｈ、ｓ）
１１．２０（１Ｈ、ｓ）

化合物（３−１６）の合成
原料にベンゾグアナミンとｐ−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸クロライドを用いた他は化合物（３−１）と同様に合成を行った。
得られた化合物（３−１６）のＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重DMSO、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：
１．３５（１８Ｈ、ｓ）
７．５０−７．６０（７Ｈ、ｍ）
７．９０−８．００（４Ｈ、ｍ）
７．３０（２Ｈ、ｍ）
１１．２０（２Ｈ、ｓ）

化合物（３−１７）の合成

Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ−Ａ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ， ２００５， ｖｏｌ．１１， ＃２２ ｐ．６６１６〜６６２８の方法に従い中間体３−１７−１を合成し、化合物（３−７）と同様に合成を行った。目的物はＭＳスペクトルで確認した。

化合物（３−１８）の合成
化合物（３−１７）と同様に合成を行い、目的物はＭＳスペクトルで確認した。

化合物（Ｃ−１０３）の合成

ジメチルアセトアミド３００ｍｌに２−クロロ−４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン５０ｇ、モルホリン６０ｇ、炭酸カリウム９５ｇを加え１００℃で３時間攪拌した。室温に冷却後、反応液に食塩水１Ｌを加え１０℃に冷却し、析出した結晶を濾取した。この結晶を水、アセトニトリルで洗浄し、乾燥することで中間体（３−１）を５５ｇ得た。N−エチルピロリドン４００ｍｌに中間体（３−１）４０ｇ、２−メチル安息香酸メチル６４ｇ、ナトリウムメトキシド５５ｇを加え４０℃で３０分攪拌した。室温に冷却後、反応液に１N塩酸水を加え、析出した結晶を濾取した。この結晶を水で洗浄し乾燥した。この結晶を酢酸エチル、メタノール、炭酸水素ナトリウム水溶液の混合溶媒中で攪拌し、結晶を濾取した。この結晶を水、アセトニトリルで洗浄し、乾燥することで目的物を６０ｇ得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ₃、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：

化合物（Ｃ−１５３）の合成

２−クロロ−４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン２０ｇに４０％メチルアミン水溶液を６０ｍｌ加え７０℃で２時間攪拌した。室温に冷却後、反応液に水を加え結晶を濾取した。この結晶をイソプロパノール、ヘキサンで洗浄し、乾燥することで中間体（４３−１）を１６ｇ得た。その後の操作は化合物（Ｃ−１０３）の合成と同様に行い目的物を得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ₃、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：

化合物（Ｃ−１１３）の合成
２−クロロ−４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン２７ｇにメタノール３００ｍｌ、水酸化ナトリウム１６ｇを加え５時間加熱還流を行った。室温に冷却後、反応液に水を加え結晶を濾取した。この結晶を水で洗浄し、乾燥することで中間体（１３−１）を１７ｇ得た。Ｎ−エチルピロリドン２００ｍｌに中間体（１３−１）１７ｇ、２−メチル安息香酸メチル３８ｇ、ナトリウムメトキシド３３ｇを加え４０℃で８時間攪拌した。室温に冷却後、反応液に１Ｎ塩酸水、酢酸エチル、ヘキサンを加え、析出した結晶を濾取した。この結晶をイソプロパノールで再結晶し、乾燥することで目的物を２０ｇ得た。

１ 上側偏光板
２ 上側偏光板吸収軸の方向
３ 液晶セル上電極基板
４ 上基板の配向制御方向
５ 液晶層
６ 液晶セル下電極基板
７ 下基板の配向制御方向
８ 下側偏光板
９ 下側偏光板吸収軸の方向
１０ 液晶表示装置

Claims (14)

1. 下記（Ａ）〜（Ｃ）の要件を満たす水素結合性化合物と、多価アルコールエステル系疎水化剤、重縮合エステル系疎水化剤および炭水化物誘導体系疎水化剤の中から選ばれる少なくとも一つの疎水化剤を含むことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
   （Ａ）１分子内に水素結合ドナー部と水素結合アクセプター部の双方を有する。
   （Ｂ）分子量を水素結合ドナー数と水素結合アクセプター数の合計数で除した値が３０以上６５以下。
   （Ｃ）芳香環構造の総数が１以上３以下。
2. 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ａ−１）で表される化合物である、請求項１に記載のセルロースアシレートフィルム。
   

   

   （一般式（Ａ−１）中、Ｒａはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基またはアリール基を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。）
3. 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｂ−１）で表される化合物である、請求項１に記載のセルロースアシレートフィルム。
   

   

   （一般式（Ｂ−１）中、ＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基またはアリール基を表す。Ｘ^５およびＸ^６はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｒ^５およびＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。）
4. 前記一般式（Ａ−１）および（Ｂ−１）において、前記Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が、それぞれ独立に、単結合および下記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のセルロースアシレートフィルム。
   

   

   （一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ａ−１）および（Ｂ−１）で表される化合物中の１，３，５−トリアジン環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
5. 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｃ−１）で表される化合物である、請求項１に記載のセルロースアシレートフィルム。
   

   

   （一般式（Ｃ−１）中、Ｒａ^１１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｂ^１１、Ｒｃ^１１、Ｒｄ^１１およびＲｅ^１１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ¹は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａと連結して環を形成してもよい。Ｘ^１１、Ｘ^１２、およびＸ^１３は、それぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^１４は、下記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）
   

   

   （一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ｃ−１）で表される化合物中の１，３，５−トリアジン環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
6. 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｄ−１）で表される化合物である、請求項１に記載のセルロースアシレートフィルム。
   

   

   （一般式（Ｄ−１）中、Ｒａ^２１、Ｒｇ^２１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｄ^２１、およびＲｅ^２１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^１１は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^２１と連結して環を形成してもよい。Ｑ^１２は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲｈ−を示し、Ｒｈは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^２１と連結して環を形成してもよい。Ｘ^２３は単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^２４は、下記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）
   

   

   （一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ｄ−１）で表される化合物中の１，３，５−トリアジン環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
7. 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｅ−１）で表される化合物である請求項１に記載のセルロースアシレートフィルム。
   

   

   （一般式（Ｅ−１）中、Ｙ^１はメチン基、あるいは−Ｎ−を表す。Ｒａ^３１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｂ^３１、Ｒｃ^３１、Ｒｄ^３１およびＲｅ^３１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^２１は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^３１と連結して環を形成してもよい。Ｘ^３１、Ｘ^３２、およびＸ^３３は、それぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^３４は、下記一般式（Ｑ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）
   一般式（Ｑ）
   

   

   （一般式（Ｑ）中、＊側が前記一般式（Ｅ−１）で表される化合物中の複素環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
8. 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｆ−１）で表される化合物である請求項１に記載のセルロースアシレートフィルム。
   

   

   （一般式（Ｆ−１）中、Ｙ^１１はメチン基、あるいは−Ｎ−を表す。Ｒａ^４１、Ｒｇ^４１はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｒｄ^４１、およびＲｅ^４１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｑ^３１は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲf−を示し、Ｒfは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒａ^４１と連結して環を形成してもよい。Ｑ^３２は−Ｏ−、−Ｓ−、あるいは−ＮＲｈ−を示し、Ｒｈは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または複素環基を表し、Ｒｇ^４１と連結して環を形成してもよい。Ｘ^４３は単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^４４は、下記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）
   

   

   （一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ｆ−１）で表される化合物中の複素環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
9. 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｇ−１）で表される化合物である請求項１に記載のセルロースアシレートフィルム。
   

   

   （一般式（Ｇ−１）中、Ｌ^１は単結合またはヘテロ原子を含む２価の連結基を表し、Ｒ^８１は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアリールアルキル基を表す。）
10. 前記水素結合性化合物が下記一般式（Ｈ−１）で表される化合物である請求項１に記載のセルロースアシレートフィルム。
    

    

    （一般式（Ｈ−１）中、Ｌ³は単結合またはヘテロ原子を含む２価の連結基を表し、Ｒ^８５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアリールアルキル基を表す。）Ｒ^８３、Ｒ^８４はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基を表す。Ｘ^５３、Ｘ^５４はそれぞれ独立に、下記一般式（Ｐ）で表される２価の連結基からなる群から選択される連結基を表す。）
    

    

    （一般式（Ｐ）中、＊側が前記一般式（Ｈ−１）で表される化合物中の複素環に置換しているＮ原子との連結部位である。）
11. 前記水素結合性化合物の分子量が１００〜１０００であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のセルロースアシレートフィルム。
12. 請求項１〜１１のいずれか一項に記載のセルロースアシレートフィルムを含むことを特徴とする位相差フィルム。
13. 請求項１〜１１のいずれか一項に記載のセルロースアシレートフィルムまたは請求項１２に記載の位相差フィルムを含んでなる偏光板。
14. 請求項１〜１１のいずれか一項に記載のセルロースアシレートフィルム、請求項１２に記載の位相差フィルムまたは請求項１３に記載の偏光板を含んでなる液晶表示装置。

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