JP2004109410A - レターデーション上昇剤、セルロースエステルフィルム、光学補償シート、楕円偏光板および液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ブリードアウトを生じることなく、所望のレターデーションを光学フィルムに付与し得るレターデーション上昇剤を提供する。
【解決手段】１種類以上の化合物がその構造内に分子間相互作用を発現する官能基の組み合わせを有することによって形成された分子錯合体からなり、前記分子錯合体が下記一般式（１）で表されるケト−エノール互変異性可能な化合物を少なくともその構成要素として含むセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤である（式中、Ｑ^１１は酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^１４）を；Ｒ^１１〜Ｒ^１４は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^１１とＲ^１２およびＲ^１１とＲ^１３は各々互いに結合して環構造を形成していてもよい）。
【化１】

【選択図】　　なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤、ならびにそれを用いたセルロースエステルフィルム、光学補償シート、楕円偏光板および液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、液晶セル、偏光素子および光学補償シート（位相差板）からなる。透過型液晶表示装置では、二枚の偏光素子を液晶セルの両側に取り付け、一枚または二枚の光学補償シートを液晶セルと偏光素子との間に配置する。反射型液晶表示装置では、反射板、液晶セル、一枚の光学補償シート、そして一枚の偏光素子の順に配置する。液晶セルは、棒状液晶性分子、それを封入するための二枚の基板および棒状液晶性分子に電圧を加えるための電極層からなる。液晶セルは、棒状液晶性分子の配向状態の違いで、透過型については、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ　Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ　Ａｌｉｇｎｅｄ）、反射型については、ＴＮ、ＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ　Ａｌｉｇｎｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）のような様々な表示モードが提案されている。偏光素子は、一般に、偏光膜の両側に二枚の透明保護膜を取り付けた構成を有する。
【０００３】
光学補償シートは、画像着色を解消したり、視野角を拡大するために、様々な液晶表示装置で用いられている。光学補償シートとしては、延伸複屈折フィルムが従来から使用されていた。延伸複屈折フィルムからなる光学補償シートに代えて、透明支持体上に液晶性分子（特にディスコティック液晶性分子）から形成された光学的異方性層を有する光学補償シートを使用することが提案されている。光学的異方性層は、液晶性分子を配向させ、その配向状態を固定することにより形成する。一般に、重合性基を有する液晶性分子を用いて、重合反応によって配向状態を固定する。液晶性分子は、大きな複屈折率を有する。そして、液晶性分子には、多様な配向形態がある。液晶性分子を用いることで、従来の延伸複屈折フィルムでは得ることができない光学的性質を実現することが可能になった。
【０００４】
光学補償シートの光学的性質は、液晶セルの光学的性質、具体的には上記のような表示モードの違いに応じて決定する。液晶性分子、特にディスコティック液晶性分子を用いると、液晶セルの様々な表示モードに対応する様々な光学的性質を有する光学補償シートを製造することができる。ディスコティック液晶性分子を用いた光学補償シートでは、様々な表示モードに対応するものが既に提案されている。例えば、ＴＮモードの液晶セル用光学補償シートは、特開平６−２１４１１６号公報、米国特許５５８３６７９号、同５６４６７０３号、ドイツ特許公報３９１１６２０Ａ１号の各明細書に記載がある。また、ＩＰＳモードまたはＦＬＣモードの液晶セル用光学補償シートは、特開平１０−５４９８２号公報に記載がある。さらに、ＯＣＢモードまたはＨＡＮモードの液晶セル用光学補償シートは、米国特許５８０５２５３号および国際特許出願ＷＯ９６／３７８０４号の各明細書に記載がある。さらにまた、ＳＴＮモードの液晶セル用光学補償シートは、特開平９−２６５７２号公報に記載がある。そして、ＶＡモードの液晶セル用光学補償シートは、特許番号第２８６６３７２号公報に記載がある。
【０００５】
液晶性分子には様々な配向形態があるが、液晶性分子の光学異方性のみでは、液晶セルを充分に光学的に補償できない場合もある。そのような場合には、光学補償シートの透明支持体として光学異方性のものを用いて、液晶性分子の光学異方性と共に液晶セルを光学的に補償する方法が提案されている（米国特許５６４６７０３号明細書記載）。光学異方性透明支持体としては、具体的には合成ポリマーの延伸フィルムが用いられている。光学異方性支持体として従来から用いられている合成ポリマー延伸フィルムは、支持体としての機能に問題がある。また、合成ポリマー延伸フィルムを透明支持体として用いると、光学補償シートと偏光板を一体化した楕円偏光板を製造することも難しい。
【０００６】
セルロースエステルフィルムは、合成ポリマー延伸フィルムと比較して、支持体としての機能に優れている。光学的異方性が高い（高いレターデーション値を有する）セルロースエステルフィルムが得られれば、光学的異方性が要求される光学補償シートの用途においても、セルロースエステルフィルムを使用することができる。しかし、従来、レターデーション値が低いセルロースエステルフィルムが優れたセルロースエステルフィルムであるとされていたため、セルロースエステルフィルムのレターデーション値を低くする技術については詳細に検討されているものの、レターデーション値を高くする技術についてはほとんど検討されていていないのが実情である。近年、特定の構造のレターデーション上昇剤を含有するセルロースエステルフィルムが提案された（特許文献１参照）。このセルロースエステルフィルムは、レターデーション上昇剤の添加により、光学異方性を向上させたものであり、光学補償シートの支持体として有用である。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−１６６１４４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記公報に開示されているレターデーション上昇剤は、その機能が充分に高いものではなく、セルロースエステルフィルムに所望の光学異方性を発現させるためには、使用量を増やす必要がある。レターデーション上昇剤の使用量を増やすと、レターデーション上昇剤のブリードアウト（フィルム表面からの化合物の析出）という新たな問題が生じる。
【０００９】
本発明は前記諸問題に鑑みなされたものであって、ブリードアウトを生じることなく、所望のレターデーションを光学フィルムに付与し得るレターデーション上昇剤を提供することを課題とする。また、本発明は、レターデーション値が高いセルロースエステルフィルムを提供することを課題とする。さらに本発明は、レターデーション値が高いセルロースエステルフィルムを用いた、光学補償機能に優れた光学補償シートおよび楕円偏光板を提供することを課題とする。また、本発明は、前記レターデーション上昇剤を含む光学異方性透明支持体を用いた、画像表示特性に優れた（特に視野角が拡大されたおよび色相変化の発生が少ない）液晶表示装置を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、下記（１）〜（１７）の手段により解決した。
（１）　分子間相互作用を発現する官能基の組み合わせを有することによって分子錯合体を形成し得る１種以上の化合物からなり、下記一般式（１）で表されるケト−エノール互変異性可能な化合物を少なくともその構成要素として含むセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
【００１１】
一般式（Ｉ）
【化１４】

【００１２】
式中、Ｑ^１１は酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^１４）を表わし、Ｒ^１１〜Ｒ^１４は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^１１とＲ^１２およびＲ^１１とＲ^１３は各々互いに結合して環構造を形成していてもよい。
【００１３】
（２）　前記ケト−エノール互変異性可能な化合物が、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物である（１）に記載のセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
【００１４】
一般式（ＩＩ）
【化１５】

【００１５】
式中、Ｑ^２１およびＱ^２２は酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^２５）を表し、Ｒ^２１〜Ｒ^２５は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^２１とＲ^２２、Ｒ^２２とＲ^２３およびＲ^２１とＲ^２４は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。
【００１６】
（３）　前記ケト−エノール互変異性可能な化合物が、下記一般式（ＴＡＭ）で表わされる化合物である（１）に記載のセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
【００１７】
一般式（ＴＡＭ）
【化１６】

【００１８】
式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は各々独立に置換基を表わし、ｌ、ｍおよびｎは各々独立に１〜５の整数を表わす。
【００１９】
（４）　下記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表される化合物の少なくとも１種を構成要素として含む（１）〜（３）のいずれかに記載のセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
【００２０】
一般式（ＩＩＩ）
【化１７】

【００２１】
式中、Ｒ^３１〜Ｒ^３３は各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｑ^３１およびＱ^３２は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ^３１とＲ^３２およびＲ^３２とＲ^３３はそれぞれ互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００２２】
一般式（ＩＶ）
【化１８】

【００２３】
式中、Ｒ^４１〜Ｒ^４４は各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｑ^４１は酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ^４１とＲ^４２、Ｒ^４１とＲ^４３およびＲ^４２とＲ^４４はそれぞれ互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００２４】
一般式（Ｖ）
【化１９】

【００２５】
式中、Ｒ^５１〜Ｒ^５４は各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ^５１とＲ^５２およびＲ^５１とＲ^５３はそれぞれ互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００２６】
一般式（ＶＩ）
【化２０】

【００２７】
式中、Ｒ^６１〜Ｒ^６３は各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｑ^６１は酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ^６１とＲ^６２は互いに結合して環構造を形成してもよい。
【００２８】
一般式（ＶＩＩ）
【化２１】

【００２９】
式中、Ｑ^７１〜Ｑ^７３は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ^７１〜Ｒ^７３は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^７１とＲ^７２およびＲ^７２とＲ^７３は各々互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００３０】
一般式（ＶＩＩＩ）
【化２２】

【００３１】
式中、Ｑ^８１〜Ｑ^８３は各々独立に酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^８４）を表し、Ｒ^８１〜Ｒ^８４は各々独立に水素原子または置換基を表す。
【００３２】
一般式（ＩＸ）
【化２３】

【００３３】
式中、Ｑ^９１およびＱ^９２は各々独立に酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^９４）を表し、Ｒ^９１〜Ｒ^９４は各々独立に水素原子または置換基を表す。
【００３４】
一般式（Ｘ）
【化２４】

【００３５】
式中、Ｑ^１０１およびＱ^１０２は各々独立に酸素原子、硫黄原子を表し、Ｑ^１０３は酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^１０３）を表す。Ｒ^１０１〜Ｒ^１０３は各々独立に水素原子または置換基を表す。
【００３６】
一般式（ＸＩ）
【化２５】

【００３７】
式中、Ｑ^１１１およびＱ^１１２は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ^１１１〜Ｒ^１１４は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^１１１とＲ^１１２、Ｒ^１１２とＲ^１１３、Ｒ^１１３とＲ^１１４、Ｒ^１１１とＲ^１１３およびＲ^１１２とＲ^１１４はそれぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。
【００３８】
（５）　前記一般式（Ｉ）で表されるケト−エノール互変異性可能な化合物の少なくとも１種と、前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩ）のいずれかで表される化合物の少なくとも１種とからなるセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
（６）　前記一般式（１）で表されるケトーエノール互変異性可能な化合物の少なくとも１種と、下記一般式（ＸＩＩ）で表される互変異性可能な化合物の少なくとも１種とからなるセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
【００３９】
一般式（ＸＩＩ）
【化２６】

【００４０】
式中、Ｒ^１２１は置換基を表し、Ｑ^１２１およびＱ^１２２は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表す。
【００４１】
（７）　前記ケト−エノール互変異性可能な化合物が、エノール型となったときにそのｐｋａが２〜１２である（１）〜（６）のいずれかに記載のセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
（８）　前記分子錯合体の示差走査熱量測定（ＤＳＣ）法における熱的相転移温度パターンが、その構成要素の化合物の熱的相転移温度パターンとは互いに異なる（１）〜（７）のいずれかに記載のセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
【００４２】
（９）　セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍであるセルロースエステルフィルム。
（１０）　セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍであるセルロースエステルフィルムからなる光学補償シート。
（１１）　セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍであるセルロースエステルフィルムと、該フィルムの上方に液晶性分子を含有する光学異方性層とを有する光学補償シート。
（１２）　前記液晶分子がディスコティク液晶分子である（１１）に記載の光学補償シート。
【００４３】
（１３）　透明保護膜、偏光膜、透明支持体および液晶分子から形成された光学的異方性層がこの順に積層されている楕円偏光板であって、前記透明支持体が、セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍのセルロースエステルフィルムである楕円偏光板。
（１４）　液晶セルおよび両側に配置された二枚の偏光素子からなる液晶表示装置であって、偏光素子の少なくとも一方が、透明保護膜、偏光膜、透明支持体および液晶分子から形成された光学的異方性層がこの順に積層されている楕円偏光板であり、前記透明支持体が、セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍのセルロースエステルフィルムである液晶表示装置。
（１５）　液晶セルがＶＡモード、ＯＣＢモードまたはＴＮモードの液晶セルである（１４）に記載の液晶表示装置。
（１６）　前記セルロースエステルがセルロースアセテート、セルロース混合脂肪酸エステル、セルロース芳香族エステルおよびセルロースと脂肪族酸および芳香族酸との混合酸エステルである（９）〜（１５）のいずれかに記載のセルロースエステルフィルム、光学補償シート、楕円偏光板または液晶表示装置。
（１７）　前記セルロースアセテートフィルムが２０〜１２０μｍの厚さを有する（９）〜（１６）のいずれかに記載のセルロースエステルフィルム、光学補償シート、楕円偏光板または液晶表示装置。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のレターデーション上昇剤は、分子間相互作用を発現する官能基の組み合わせを有することによって分子錯合体を形成し得る１種以上の化合物からなり、下記一般式（１）で表されるケト−エノール互変異性可能な化合物を少なくともその構成要素として含むことを特徴とする。
【００４５】
一般式（Ｉ）
【化２７】

【００４６】
式中、Ｑ^１１は酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^１４）を表す。Ｒ^１１〜Ｒ^１４は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^１１とＲ^１２およびＲ^１１とＲ^１３は互いに結合して、環構造を形成していてもよい。
【００４７】
前記一般式（Ｉ）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１４でそれぞれ表される置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が例として挙げられる。さらに、置換基Ｒ^１１〜Ｒ^１３には、これらの置換基から選ばれる１種類以上の置換基によって置換されたこれらの置換基も含まれる。
【００４８】
さらに詳しくは、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含する。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）］、
【００４９】
アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５もしくは６員の芳香族の複素環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、
【００５０】
カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、
【００５１】
アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、
【００５２】
複素環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、
【００５３】
アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表す。
【００５４】
上記の置換基中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の置換基の１種以上で置換されていてもよい。そのような置換基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。より具体的には、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【００５５】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ^１１とＲ^１２およびＲ^１１とＲ^１３はそれぞれ互いに結合して、環構造を形成していてもよい。Ｒ^１１とＲ^１２とが連結して形成可能な環構造としては、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等の複素環、およびこれらのベンゾ縮合環、プリン環、ナフチリジン環、プテリジン環等の複素芳香族縮合環が挙げられる。また、Ｒ^１１とＲ^１３とが連結して形成可能な環構造としては、ピロリジン環、チアゾリジン環、ピペリジン環等が挙げられる。
【００５６】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい態様として、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物が挙げられる。
【００５７】
一般式（ＩＩ）
【化２８】

【００５８】
式中、Ｑ^２１およびＱ^２２は酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^２５）を表す。Ｒ^２１〜Ｒ^２５は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^２１とＲ^２２、Ｒ^２２とＲ^２３およびＲ^２１とＲ^２４はそれぞれ互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００５９】
前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ^２１〜Ｒ^２５がそれぞれ表す置換基については、前記一般式（Ｉ）中のＲ^１１〜Ｒ^１３がそれぞれ表す置換基の例と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【００６０】
前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ^２１とＲ^２２とが連結して形成可能な環構造としては、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、ピリミジン環、トリアジン環等の複素環、およびこれらのベンゾ縮合環（キナゾリン環等）、プリン環、ナフチリジン環、プテリジン環等の複素芳香族縮合環；等が挙げられる。また、Ｒ^２２とＲ^２３およびＲ^２１とＲ^２４がそれぞれ連結して形成可能な環構造としては、ピロリジン環、チアゾリジン環、ピペリジン環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等が挙げられる。
【００６１】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物のより好ましい態様として、下記一般式（ＴＡＭ）で表される化合物が挙げられる。
【００６２】
一般式（ＴＡＭ）
【化２９】

【００６３】
式中、Ｒ^１〜Ｒ^３は前記一般式（Ｉ）中のＲ^１１〜Ｒ^１４と同義である。ｌ、ｍおよびｎは各々独立に１〜５の整数を表す。
【００６４】
本発明のレターデーション上昇剤は、下記一般式（ＩＩＩ）〜式（ＸＩＩ）で表される化合物を構成要素として含有することができる。下記一般式（ＩＩＩ）〜式（ＸＩＩ）で表される化合物は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物とともに、または前記一般式（Ｉ）で表される化合物として用いられる。
【００６５】
一般式（ＩＩＩ）
【化３０】

【００６６】
式中、Ｒ^３１〜Ｒ^３３は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｑ^３１およびＱ^３２は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ^３１とＲ^３２およびＲ^３２とＲ^３３はそれぞれ互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００６７】
一般式（ＩＶ）
【化３１】

【００６８】
式中、Ｒ^４１〜Ｒ^４４は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｑ^４１は酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ^４１とＲ^４２、Ｒ^４１とＲ^４３およびＲ^４２とＲ^４４はそれぞれ互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００６９】
一般式（Ｖ）
【化３２】

【００７０】
式中、Ｒ^５１〜Ｒ^５４は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^５１とＲ^５２およびＲ^５１とＲ^５３はそれぞれ互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００７１】
一般式（ＶＩ）
【化３３】

【００７２】
式中、Ｒ^６１〜Ｒ^６３は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｑ^６１は酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ^６１とＲ^６２は互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００７３】
一般式（ＶＩＩ）
【化３４】

【００７４】
式中、Ｑ^７１〜Ｑ^７３は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ^７１〜Ｒ^７３は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^７１とＲ^７２は互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００７５】
一般式（ＶＩＩＩ）
【化３５】

【００７６】
式中、Ｑ^８１〜Ｑ^８３は各々独立に酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^８４）を表す。Ｒ^８１〜Ｒ^８４は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^８１とＲ^８２、Ｒ^８２とＲ^８３およびＲ^８１とＲ^８３は互いに結合して環構造を形成してもよい。
【００７７】
一般式（ＩＸ）
【化３６】

【００７８】
式中、Ｑ^９１およびＱ^９２は各々独立に酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^９４）を表す。Ｒ^９１〜Ｒ^９４は各々独立に水素原子または置換基を表す。
【００７９】
一般式（Ｘ）
【化３７】

【００８０】
式中、Ｑ^１０１およびＱ^１０２は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表す。Ｑ^１０３は酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^１０３）を表す。Ｒ^１０１〜Ｒ^１０３は各々独立に水素原子または置換基を表す。
【００８１】
一般式（ＸＩ）
【化３８】

【００８２】
式中、Ｑ^１１１およびＱ^１１２は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ^１１１〜Ｒ^１１４は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^１１１とＲ^１１２、Ｒ^１１２とＲ^１１３、Ｒ^１１３とＲ^１１４、Ｒ^１１１とＲ^１１３およびＲ^１１２とＲ^１１４はそれぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。
【００８３】
前記式（ＩＩＩ）〜（ＸＩ）中、Ｒ^３１〜Ｒ^３３、Ｒ^４１〜Ｒ^４４、Ｒ^５１〜Ｒ^５４、Ｒ^６１〜Ｒ^６８、Ｒ^７１〜Ｒ^７３、Ｒ^８１〜Ｒ^８６、Ｒ^９１〜Ｒ^９３、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０３およびＲ^１１１〜Ｒ^１１４がそれぞれ表す置換基としては、前述の一般式（Ｉ）中のＲ^１１〜Ｒ^１３がそれぞれ表す置換基と同様であり、その具体例および好ましい範囲についても同様である。
【００８４】
前記式中、Ｒ^３１とＲ^３２、Ｒ^３２とＲ^３３、Ｒ^４１とＲ^４２、Ｒ^４１とＲ^４３、Ｒ^４２とＲ^４４、Ｒ^５１とＲ^５２、Ｒ^５１とＲ^５３、Ｒ^６１とＲ^６２、Ｒ^７２とＲ^７３、Ｒ^８１とＲ^８２、Ｒ^１１１とＲ^１１２、Ｒ^１１２とＲ^１１３、Ｒ^１１３とＲ^１１４、Ｒ^１１１とＲ^１１３およびＲ^１１２とＲ^１１４はそれぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。これらが形成可能な環構造としては、後述する一般式（ＸＩＩ）中のＲ^１２１が表す環状構造を有する置換基として例示したアリール基および芳香族複素環基をそれぞれ構成している環が挙げられる。
【００８５】
前記一般式（Ｉ）で表されるケト−エノール互変異性が可能な化合物は、エノール型となったときにそのｐＫａが２〜１２であるのが好ましい。
【００８６】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物を構成要素とする分子錯合体は、その構成要素が幾何学的に相補的な位置関係で分子間相互作用を発現する官能基の組合せを有し、そのことによって平面的錯合体を形成可能であるのが好ましい。ここで、「幾何学的に相補的な位置関係で分子間相互作用を発現する官能基の組合せ」とは、一般的には、以下の（１）〜（５）の要件を満たす官能基の組合せをいう。前記分子錯合体の構成要素である相互作用する二つの分子を、基質σとレセプターρとする。レセプター分子ρによる高度の分子認識は、相手である基質σとの結合自由エネルギーと、相互作用が相対的に小さいその他の基質との結合自由エネルギーとの大きな差に依存し、その差が統計分布から大きくずれるほど大きいのが好ましい。結合自由エネルギーに大きな差を出させるには、以下の（１）〜（５）の要件を満たす必要がある。
【００８７】
（１）　σとρとに立体（形と大きさ）相補性（ｓｔｅｒｉｃ　ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｉｔｙ）があること。即ち、σとρのそれぞれの適切な部位に凹凸が存在していること。ここで、凹凸は（２）でいう相補的結合部位（例えば、水素結合ドナー（凸）と水素結合アクセプター（凹））をいう。
（２）　σとρとに相互作用相補性（ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎａｌ　ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｉｔｙ）があること。即ち、σとρが互いに結合可能な相補性のある部位に、相補的な電子と原子核（静電力、水素結合やｖａｎ　ｄｅｒ　Ｗａａｌｓ　力）分布マップが得られるように、σとρ上に（好ましくは正しく配列された）相補的結合部位（＋／−、電荷／双極子、双極子／双極子、水素結合ドナー／水素結合アクセプターなどのような静電的なもの）が存在していること。
（３）　ρとσとの間に広い接触面（ｌａｒｇｅ　ｃｏｎｔａｃｔ　ａｒｅａ）が存在していること。このことは、以下に述べる複数の作用部位があることによって満足できる。
（４）　ρとσに複数の相互作用部位（ｍｕｌｔｉｐｌｅ　ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ　ｓｉｔｅｓ）が存在すること。非共有結合性相互作用は共有結合に比べて弱いため、複数の相互作用部位が求められる。例えば、水素結合による相互作用の場合は、双方に水素結合ドナー／水素結合アクセプターがあることが望ましい。
（５）　ρとσとの結合は全体としては強い結合（ｓｔｒｏｎｇ　ｏｖｅｒａｌｌ　ｂｉｎｄｉｎｇ）になること。理論上、高い安定性は必ずしも高い選択性を意味しないが、実際にはそうであることが多い。実際、結合自由エネルギーの差は、結合が強くなるほど大きくなる傾向がある。つまり、高い結合効率（遊離のσに比べて結合されたσの割合が大きい）には強い相互作用が必要である。効率よく認識する、即ち、高い安定性と高い選択性の両方を実現するためには、ρとσとの間には強い結合が必要である。
【００８８】
本発明では、前記一般式（Ｉ）中のケト−エノール互変異性可能な官能基が、前述の「幾何学的に相補的な位置関係で分子間相互作用を発現する官能基の組合せ」を構成する官能基となる。前記一般式（Ｉ）で表される化合物中のケト−エノール互変異性可能な官能基ととともに、「幾何学的に相補的な位置関係で分子間相互作用を発現する官能基の組合せ」を構成可能な他方の官能基としては、カルボン酸基、チオカルボン酸基、カルボアミド基、チオカルボアミド基、カルボン酸イミド基、チオカルボン酸イミド基またはウレイド基等の互変異性可能な官能基が挙げられる。前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、ケト−エノール互変異性可能な官能基とともに、前記「他方の官能基」を有し、前記一般式（Ｉ）で表される化合物が単独で分子錯合体を構成する態様であってもよい。
【００８９】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物と、（チオ）カルボン酸基、（チオ）カルボアミド基、（チオ）カルボン酸イミド基およびウレイド基とは、以下の式（ＸＩＩＩ）〜（ＸＶＩ）に示す様に、有機化学の古典的電子論で説明される電子の流れによって、共鳴構造的に相補的に分子間相互作用して、安定化する可能性が強く示唆される組合せである。なお、以下の式（ＸＩＩＩ）および（ＸＩＶ）においては、前記一般式（Ｉ）中、Ｑ^１１がＮ（Ｒ^１３）を表す場合を示し、式中からＲ^１１およびＲ^１２は省略した。また、以下の式（ＸＶ）および（ＸＶＩ）においては、一般式（ＩＩ）が２，４−ビスアミノ基置換ピリミジン誘導体を表す場合を示し、置換基は省略した。
【００９０】
一般式（ＸＩＩＩ）
【化３９】

【００９１】
一般式（ＸＩＶ）
【化４０】

【００９２】
一般式（ＸＶ）
【化４１】

【００９３】
一般式（ＸＶＩ）
【化４２】

【００９４】
前記式中、Ｑ^１３１、Ｑ^１３２、Ｑ^１４１、Ｑ^１５１、Ｑ^１５２およびＱ^１６１は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ^１３１、Ｒ^１４１、Ｒ^１４２、Ｒ^１５１、Ｒ^１５２、Ｒ^１６１およびＲ^１６２は各々独立に置換基を表し、Ｒ^１４１とＲ^１４２、Ｒ^１５１とＲ^１５２、およびＲ^１６１とＲ^１６２Ｒはそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒ^１３１、Ｒ^１４１、Ｒ^１４２、Ｒ^１５１、Ｒ^１５２、Ｒ^１６１およびＲ^１６２がそれぞれ表す置換基は、前記一般式（Ｉ）中のＲ^１１〜Ｒ^１３がそれぞれ表す置換基と同様であり、具体例および好ましい範囲についても同様である。Ｒ^１４１とＲ^１４２、Ｒ^１５１とＲ^１５２、およびＲ^１６１とＲ^１６２は互いに結合して環を形成しているのが好ましい。特に、前記一般式（ＸＶＩ）において、Ｒ^１６１とＲ^１６２は互いに結合して環を形成しているのが好ましい。このような環構造の例としては、ベンヅイミダゾリノン、インダゾリノン、ウラシル、チオウラシル、ベンヅオキサゾリノン、コハク酸イミド、フタル酸イミド、ビオルル酸、バルビツール酸、ピラゾロン、ヒダントイン、ローダニン、オロチン酸、ベンゾチアゾリノン、アンメリン、クマリン、マレイン酸ヒドラジド、イサチン、３−インダゾリノン、パラバン酸、フタラジノン、ウラゾール、アロキサン、メルドラム酸、ウラミル、カプロラクトン、カプロラクタム、チアペンジオン、テトラヒドロ−２−ピリミジノン、２，５−ピペラジンジオン、２，４−キナゾリンジオン、２，４−プテリジンジオール、葉酸、アセチレンウレア、グアニン、アデニン、シトシン、チミン、２，４−ジオキソヘキサヒドロ−１，３，５−トリアジンが挙げられる。
【００９５】
以上の式（ＸＩＩＩ）〜（ＸＶＩ）によって、錯合体形成のための前述の相補的要件である（１）〜（５）を満足する具体例を示した。（１）の立体相補性について、（ＸＶ）を例として説明する。２，４−ジアミノトリアジン構造（σとする）および酸イミド（ρとする）は双方が凹凸を有する。σでは凸がアミノ基でトリアジン環の窒素が凹となる。一方、ρではカルボニル基が凹で、中央のアミノ基が凸となる。σは凸凹凸の順で並んだ構造を、ρは凹凸凹の順で並んだ構造を有する。このことにより、σとρは３箇所で同程度の距離で、無理なく水素結合可能となり、強い分子間結合を実現している。
【００９６】
また、（２）の相互作用相補性に関しては、式（ＸＩＩＩ）〜（ＸＶＩ）では協奏的な電子の流れとして記載したが、式（ＸＩＩＩ）の→の出発点をδ⁻、→の到着点をδ^＋として、下記式（ＸＩＸ）のように記載すると、静電的な電子の授受で説明することもできる。
【００９７】
一般式（ＸＶＩＩ）
【化４３】

【００９８】
再び、式（ＸＩＩＩ）〜（ＸＶＩ）で示される一連の電子の流れについて説明すると、前記電子の流れは、三次元的より、二次元（平面）的に流れるのが、エネルギー的に有利であり、好ましい。この点から、式（ＸＩＶ）〜（ＸＶＩ）中のＲとＲ’は互いに結合して環を形成することが好ましく、共役していること、また芳香族環を形成していることが好ましい。また、式（ＸＩＩＩ）中のＲも環構造の基であることが好ましく、芳香族環基（アリール基および芳香族複素環基の双方を含む）であることが好ましい。
【００９９】
前記式（ＸＶ）について説明すると、２，４−ジアミノトリアジン構造（Ａ）と、酸イミド構造（Ｂ）は、３箇所で水素結合しているが、（Ａ）ではアミノ基が凸でトリアジン環の窒素原子は凹となる
【０１００】
前記分子錯合体の好ましい態様としては、前記一般式（Ｉ）で表されるケト−エノール互変異性可能なｎ種類（ｎは１以上の整数）の化合物Ａ_１〜Ａ_ｎからなる分子錯合体が挙げられる。また、前記分子錯合体の好ましい態様としては、前記一般式（Ｉ）で表されるケト−エノール互変異性可能な化合物と（チオ）カルボン酸他のケト−エノール互変異性可能な化合物との組合せからなる分子錯合体が挙げられ、前記一般式（Ｉ）で表されるケト−エノール互変異性可能な化合物と下記一般式（ＸＩＩ）で表される（チオ）カルボン酸との組合せが特に好ましい。下記一般式（ＸＩＩ）で表される（チオ）カルボン酸は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物とともに、前述の（１）〜（５）の要件を満たす相互作用によって分子錯合体を形成可能な化合物である。
【０１０１】
一般式（ＸＩＩ）
【化４４】

【０１０２】
式中、Ｒ^１２１は置換基を表し、Ｑ^１２１およびＱ^１２２は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ^１２１が表す置換基としては、前述の一般式（Ｉ）中のＲ^１１〜Ｒ^１３がそれぞれ表す置換基と同様であり、その具体例および好ましい範囲についても同様である。
【０１０３】
前記一般式（ＸＩＩ）中、Ｒ^１２１が表す置換基については、環状構造を有する置換基が好ましい。前記環状構造を有する置換基としては、アリール基および芳香族複素環基が好ましい。前記アリール基としては、フェニル基、インデニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、フルオレニル基、フェナンスレニル基、アントラセニル基およびピレニル基等が挙げられる。中でも、フェニル基およびナフチル基が好ましい。
【０１０４】
前記芳香族複素環基としては、５〜７員環構造の複素環基が好ましく、５員環または６員環がより好ましく、６員環が最も好ましい。これらの骨格の具体的例は、岩波理化学辞典　第三版増補版　（岩波書店発行）の付録１１章　有機化学命名法　表４．主要複素単環式化合物の名称　１６０６頁　および表５．主要縮合複素環式化合物の名称　１６０７頁　に記載される複素環が挙げられる。
【０１０５】
なお、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と錯合体を形成可能な化合物は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。また、前記分子錯合体は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と、２種類以上の化合物との分子錯合体であってもよい。
【０１０６】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が分子錯合体を形成しているか否かは、例えば、結晶が得られる場合には、該結晶を分析することによって錯合体形成の有無を判断することができる。また、結晶が得られない場合であっても、一般式（Ｉ）で表される化合物（ρ）と、ρと相互作用可能な官能基を有する化合物（σ）の錯合体形成による溶媒和も含めた分子間力（結合自由エネルギー）と、ρとσ各々単独の溶媒和による結合自由エネルギーが同程度であったり、後者のほうが大きい場合は、錯合体を形成しているものと推定できる。また、ρおよびσの各々の熱相転移温度パターンと、ρおよびσを化学量論的な整数比で混合した後の熱相転移温度パターンを比較し、ρおよびσの各々の熱相転移温度パターンと明瞭に異なる錯合体独自の熱物性を示すことを確認することによって、錯合体の形成の有無を判断することができる。ρとσが相互作用を及ぼさない単なる混合状態にある場合は、凝固点降下のように転移温度ピークが混合比に応じてずれるのみであるが、錯合体を形成する場合は、ほとんどの場合にその熱転移ピークが新たな温度域に発生する。さらに、錯合体と、ρおよびσのＦＴ−ＩＲスペクトルを各々比較し、相互作用する官能基の振動吸収スペクトルのシフトを確認することによって、錯合体形成の有無を判断することができる。
【０１０７】
以下に、前述の（１）〜（５）の要件を満たす組合せからなる、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を構成要素とする分子錯合体の具体例を挙げるが、本発明は以下の具体例によってなんら制限されるものではない。
【０１０８】
【化４５】

【０１０９】
【化４６】

【０１１０】
【化４７】

【０１１１】
【化４８】

【０１１２】
【化４９】

【０１１３】
【化５０】

【０１１４】
【化５１】

【０１１５】
【化５２】

【０１１６】
【化５３】

【０１１７】
【化５４】

【０１１８】
【化５５】

【０１１９】
【化５６】

【０１２０】
【化５７】

【０１２１】
【化５８】

【０１２２】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物および該化合物と分子錯合体を形成可能な化合物は、従来公知の製造方法を組み合わせることによって合成することができる。
【０１２３】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、それ自身の分子間相互作用によって、または他の化合物との分子間相互作用によって分子錯合体を形成する。前記錯合体は、光学フィルム用のレターデーション上昇剤として有用である。本発明のレターデーション上昇剤は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物が単独でそれ自身の分子間相互作用によって分子錯合体を形成する場合は、該化合物の一種を単独で構成要素とする分子錯合体であってもよいし、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と、他の少なくとも１種の化合物（例えば前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）で表される化合物）とを構成要素として含む分子錯合体であってもよい。前記一般式（Ｉ）で表される化合物と他の化合物とを構成要素とする分子錯合体は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と前記他の化合物とを、化学量論比で混合することによって調製することができる。例えば、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と他の化合物とが、１：１のモル比で分子錯合体を形成する場合は、１：１のモル比で双方を混合することによって調製することができる。
【０１２４】
本発明では、前記分子錯合体とともに、更に、１，３，５−トリアジン環を有するホモポリマーまたはコポリマーを、レターデーション上昇剤として併用してもよい。
【０１２５】
本発明のレターデーション上昇剤は、ポリマーフィルムに添加することができる。前記ポリマーフィルムは、レターデーション上昇剤が添加されていない状態では、光学等方性を示すポリマーフィルムが好ましい。ここで、光学等方性とは、具体的には、本発明のレターデーション上昇剤を用いずに製造した場合、面内レターデーション（Ｒｅ）が１０ｎｍ未満（好ましくは５ｎｍ未満）で、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）が１０ｎｍ未満（５ｎｍ未満であるのが好ましい）であることをいう。フィルムの面内レターデーション（Ｒｅ）と厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）は、それぞれ下記式で定義される。
Ｒｅ　＝　（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
Ｒｔｈ　＝　［｛ｎｘ＋ｎｙ）／２｝−ｎｚ］×ｄ
式中、ｎｘおよびｎｙは、フィルムの面内屈折率であり、ｎｚはフィルムの厚み方向の屈折率であり、そしてｄはフィルムの厚さである。
【０１２６】
また、本発明のレターデーション上昇剤は、光学異方性のポリマーフィルムに添加することもできる。前記光学異方性のポリマーフィルムは、光学的一軸性または光学的二軸性を有することが好ましい。光学的一軸性フィルムは、光学的に正（光軸方向の屈折率が光軸に垂直な方向の屈折率よりも大）であっても負（光軸方向の屈折率が光軸に垂直な方向の屈折率よりも小）であってもよい。光学的二軸性フィルムは、前記式の屈折率ｎｘ、ｎｙおよびｎｚは、全て異なる値（ｎｘ≠ｎｙ≠ｎｚ）になる。光学異方性フィルムは、本発明のレターデーション上昇剤を用いずに製造した場合、面内レターデーション（Ｒｅ）が０〜３００ｎｍであることが好ましく、０〜２００ｎｍであることがさらに好ましく、０〜１００ｎｍであることが最も好ましい。前記光学異方性フィルムの厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）は、１０〜１０００ｎｍであることが好ましく、５０〜４００ｎｍであることがより好ましく、１００〜３００ｎｍであることがさらに好ましい。
なお、本発明のレターデーション上昇剤を、光学等方性フィルムに添加するか、光学異方性フィルムに添加するかは、作製される光学フィルムの用途、使用される液晶表示モードの種類によって適宜決定することができる。
【０１２７】
本発明のレターデーション上昇剤を添加するフィルムの好ましい材料については、光学等方性フィルムを用いるか、または光学異方性フィルムを用いるかによって異なる。光学等方性フィルムの材料としては、セルロースエステルが好ましく用いられる。光学異方性フィルムの材料としては、合成ポリマー（例、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ノルボルネン樹脂）が用いられる。ただし、セルロースアセテートの酢化度の低下、あるいは冷却溶解法によるフィルムの製造により、光学異方性の（レターデーションが高い）セルロースエステルフィルムを製造することもできる。
【０１２８】
本発明の一態様は、セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍであるセルロースエステルフィルムである。
前記セルロースエステルフィルムは光学補償フィルムとして、種々のモードの液晶表示装置に用いることができる。
【０１２９】
前記セルロースエステルとしては、セルロースの低級脂肪酸エステルが好ましい。低級脂肪酸とは、炭素原子数が６以下の脂肪酸を意味する。炭素原子数は２（セルロースアセテート）、３（セルロースプロピオネート）、４（セルロースブチレート）であることが好ましい。セルロースアセテートが特に好ましい。セルロースアセテートプロピオネートやセルロースアセテートブチレートのような混合脂肪酸エステルを用いてもよい。更には、セルロースベンゾエートのようなセルロース芳香族酸エステルやあるいはセルロースアセテートベンゾエートやセルロースプロピオネートベンゾエートのような脂肪族酸と芳香族酸との混合酸エステルを用いてもよい。
【０１３０】
本発明に用いるセルロースエステルは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるＭｗ／Ｍｎ（Ｍｗは重量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）の分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては１．０〜１．７であることが好ましく、１．３〜１．６５であることが更に好ましく、１．３〜１．６であることが最も好ましい。
【０１３１】
本発明のセルロースエステルフィルムは、ソルベントキャスト法により作製することが好ましい。また、フィルムには延伸処理を実施することもできる。光学的一軸性フィルムを製造する場合は、通常の一軸延伸処理または二軸延伸処理を実施すればよい。光学的二軸性フィルムを製造する場合は、アンバランス二軸延伸処理を実施することが好ましい。アンバランス二軸延伸では、フィルムをある方向に一定倍率（例えば３〜１００％、好ましくは５〜３０％）延伸し、それと垂直な方向にそれ以上の倍率（例えば６〜２００％、好ましくは１０〜９０％）延伸する。二方向の延伸処理は、同時に実施してもよい。延伸方向（アンバランス二軸延伸では延伸倍率の高い方向）と延伸後のフィルムの面内の遅相軸とは、実質的に同じ方向になることが好ましい。延伸方向と遅相軸との角度は、１０゜未満であることが好ましく、５゜未満であることがさらに好ましく、３゜未満であることが最も好ましい。
【０１３２】
本発明のセルロースエステルフィルムの厚さは、１０〜５００μｍであることが好ましく、２０〜２００μｍであることがさらに好ましく、２０〜１５０μｍであるのが特に好ましい。
【０１３３】
本発明のセルロースフィルムには、その上方に設けられる層（密着層、配向膜あるいは光学的異方性層）との密着性を改善するため、表面処理（例、グロー放電処理、コロナ放電処理、紫外線（ＵＶ）処理、火災処理）を実施してもよい。
【０１３４】
本発明のセルロースエステルフィルムのレターデーション値、製造の際に用いられる有機溶媒、溶液の調製、フィルムの製造、フィルムの添加剤、セルロースエステルフィルムの表面処理については、特開２００１−１６６１４４号公報の第１１０段落〜第１２８段落に記載の内容を適用できる。
【０１３５】
本発明の他の態様は、セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍであるセルロースエステルフィルムと、該フィルムの上方に液晶性分子を含有する光学異方性層とを有する光学補償シートである。前記液晶分子は、ディスコティク液晶分子であるのが好ましい。前記光学補償シートは、種々のモードの液晶素子に用いることができる。
【０１３６】
本発明の他の態様は、透明保護膜、偏光膜、透明支持体および液晶分子から形成された光学的異方性層がこの順に積層されている楕円偏光板であって、前記透明支持体が、セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍのセルロースエステルフィルムである楕円偏光板である。
【０１３７】
また、本発明の他の態様は、液晶セルおよび両側に配置された二枚の偏光素子からなる液晶表示装置であって、偏光素子の少なくとも一方が、透明保護膜、偏光膜、透明支持体および液晶分子から形成された光学的異方性層がこの順に積層されている楕円偏光板であり、前記透明支持体が、セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍのセルロースエステルフィルムである液晶表示装置である。
【０１３８】
本発明の液晶表示装置の他の態様は、反射板、液晶セルおよび一枚の偏光素子からなる液晶表示装置であって、偏光素子が、透明保護膜、偏光膜、透明支持体および液晶性分子から形成された光学的異方性層がこの順に積層されている楕円偏光板であり、前記透明支持体が、セルロースエステル１００質量部に対して、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍであるセルロースエステルフィルムであることを特徴とする液晶表示装置である。
【０１３９】
本発明の光学補償シート、楕円偏光板および液晶表示装置についての詳細（例えば、各種の液晶表示装置の構成、液晶セル、光学補償シート、偏光素子、液晶性分子から形成される光学的異方性層、および配向膜）については、特開２００１−１６６１４４号公報の第１２９段落〜第１９２段落に記載の内容を適用できる。
【０１４０】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、割合、操作等は、本発明の精神から逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例に制限されるものではない。
［実施例１］
室温において、平均酢化度６０．９％のセルロースアセテート４５質量部、レターデーション上昇剤　化合物（１７）０．６８質量部、メチレンクロリド２３２．７２質量部、メタノール４２．５７質量部およびｎ−ブタノール８．５０質量部を混合して溶液（ドープ）を調製した。
得られた溶液（ドープ）を、有効長６ｍのバンド流延機を用いて、乾燥膜厚が１００μｍになるように流延して、乾燥した。
製造したセルロースアセテートフィルムについて、エリプソメーター（Ｍ−１５０、日本分光（株）製）を用いて、波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）を測定した。結果を第１表に示す。
【０１４１】
［比較例１］
レターデーション上昇剤　化合物（１７）を添加しなかった以外は、実施例１と同様にフィルムを製造して、評価した。結果は第１表に示す。
【０１４２】
［実施例２〜４］
レターデーション上昇剤　化合物（１７）に代えて、レターデーション上昇剤化合物（９）、化合物（２５）および化合物（３３）をそれぞれ添加した以外は、実施例１と同様にフィルムを製造して、評価した。結果は第１表に示す。
【０１４３】
【表１】

【０１４４】
［実施例５］
室温において、平均酢化度６０．９％のセルロースアセテート４５質量部、レターデーション上昇剤　化合物（２３）０．６８質量部、リン酸トリフェニル（可塑剤）２．７５質量部、リン酸ビフェニルジフェニル２．２０質量部、メチレンクロリド２３２．７２質量部、メタノール４２．５７質量部およびｎ−ブタノール８．５０質量部を混合して溶液（ドープ）を調製した。
得られた溶液（ドープ）を、有効長６ｍのバンド流延機を用いて、乾燥膜厚が１００μｍになるように流延して、乾燥した。
製造したセルロースアセテートフィルムについて、エリプソメーター（Ｍ−１５０、日本分光（株）製）を用いて、波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）を測定した。さらに、フィルム表面を観察して、ブリードアウトの有無を評価した。結果を第２表に示す。
【０１４５】
［実施例６〜８］
レターデーション上昇剤　化合物（２３）に代えて、レターデーション上昇剤化合物（７）、化合物（１５）および化合物（３１）をそれぞれ同量用いた以外は、実施例５と同様にフィルムを製造して、評価した。結果を第２表に示す。
【０１４６】
［比較例２］
レターデーション上昇剤を添加しなかった以外は、実施例５と同様にフィルムを製造して、評価した。結果は第２表に示す。
［比較例３］
レターデーション上昇剤　化合物（２３）に代えて、下記構造式で示されるＲｅｆ（Ｉ）を第２表に示した添加量で添加した以外は、実施例５と同様にしてフィルムを製造し、評価した。結果を第２表に示す。
［比較例４］
Ｒｅｆ（Ｉ）に代えて、下記構造式で示されるＲｅｆ（ＩＩ）を添加した以外は比較例３と同様にしてフィルムを製造し、評価した。結果を第２表に示す。
［比較例５］
Ｒｅｆ（Ｉ）に代えて、下記構造式で示されるＲｅｆ（ＩＩＩ）を添加した以外は、比較例４と同様にしてフィルムを製造し、評価した。結果を第２表に示す。［比較例６］
Ｒｅｆ（Ｉ）に代えて下記構造式で示されるＲｅｆ（ＩＶ）を添加した以外は、比較例５と同様にしてフィルムを製造し、評価した。結果を第２表に示す。
【０１４７】
【化５９】

【０１４８】
【表２】

【０１４９】
第２表に示す結果から明らかな様に、従来の技術では所望のＲｔｈを得るために添加量を増やすと、ブリードアウトしてしまうという問題があるが、実施例のフィルムでは添加量を増やしてもブリードアウトすることなく、所望のＲｔｈを得ることができた。
【０１５０】
［実施例９］
（液晶セルの作製）
電極（ＩＴＯ）付きのガラス基板に、ポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行なった。得られた二枚のガラス基板の表面を対向させて配置し、セルギャップを１０μｍに設定して、液晶（ＺＬＩ１１３２、メルク社製）を注入し、ＯＣＢモードの液晶セルを作製した。
【０１５１】
（液晶表示装置の作製）
液晶セルを挟むように、実施例５で作製したセルロースアセテートフィルム二枚を光学補償シートとして配置した。その外側に全体を挟むように、偏光素子を配置した。
作製した液晶表示装置に、５５Ｈｚ矩形波で電圧を印加したところ、着色のない鮮明な画像が得られた。
【０１５２】
［実施例１０］
（光学補償シートの支持体）
実施例５で作製したセルロースアセテートフィルムを光学補償シートの支持体として用いた。
【０１５３】
（配向膜の形成）
支持体の上に、下記の組成の塗布液をスライドコーターで２５ｍＬ／ｍ^２塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに９０℃の温風で１５０秒乾燥した。
次に、支持体の遅相軸方向と平行の方向に、形成した膜にラビング処理を実施した。
配向膜塗布液組成
下記の変性ポリビニルアルコール　　　　　　　　　　　　　　１０質量部
水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３７１質量部
メタノール　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１１９質量部
グルタルアルデヒド（架橋剤）　　　　　　　　　　　　　　０．５質量部
【０１５４】
変性ポリビニルアルコール
【化６０】

【０１５５】
（光学的異方性層の形成）
配向膜上に、下記のディスコティック液晶性化合物　１．８ｇ、エチレンオキサイド変成トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）０．２ｇ、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５５１−０．２、イーストマンケミカル社製）０．０４ｇ、光重合開始剤（イルガキュア９０７、チバガイギー社製）０．０６ｇ、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）０．０２ｇを、８．４３ｇのメチルエチルケトンに溶解した塗布液を＃２．５のワイヤーバーで塗布した。これを金属の枠に貼り付けて、１３０℃の恒温槽中で２分間加熱し、ディスコティック液晶性化合物を配向させた。次に、１３０℃で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、１分間ＵＶ照射し、ディスコティック液晶性化合物を架橋した。その後、室温まで放冷した。このようにして、光学補償シート（１）を作製した。
【０１５６】
ディスコティック液晶性化合物
【化６１】

【０１５７】
（光学補償シートの評価）
光学的異方性層の厚さは、約１．０μｍであった。光学的異方性層のみのレターデーション値をラビング軸に沿って測定したところ、レターデーションが０となる方向は存在しなかった。また、面内レターデーションは１４ｎｍ（Ｒｅ＝１４）、厚み方向のレターデーションは３５ｎｍ（Ｒｔｈ＝３５）であった。
光学補償シート（１）を、ミクロトームを用いて、ラビング方向に添って垂直に切断し、極めて薄い垂直断片（サンプル）を得た。サンプルをＯｓＯ_４の雰囲気中に４８時間放置して、染色した。染色サンプルを、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察し、その顕微鏡写真を得た。染色サンプルでは、前記ディスコティック液晶性化合物のアクリロイル基が染色され、写真の像として認められた。
この写真を検討した結果、ディスコティック液晶性化合物の円盤状構造単位は、支持体の表面から傾いていることが認められた。さらに、傾斜角は、支持体表面からの距離が増加するに伴い、連続的に増加していた。
【０１５８】
（ＶＡモード液晶セルの作製）
ポリビニルアルコール３質量％水溶液に、オクタデシルジメチルアンモニウムクロライド（カップリング剤）を１質量％添加した。これを、ＩＴＯ電極付きのガラス基板上にスピンコートし、１６０℃で熱処理した後、ラビング処理を施して、垂直配向膜を形成した。ラビング処理は、２枚のガラス基板において反対方向となるように実施した。セルギャップ（ｄ）が５．５μｍとなるように２枚のガラス基板を向かい合わせた。セルギャップに、エステル系とエタン系を主成分とする液晶性化合物（Δｎ：０．０５）を注入し、ＶＡモード液晶セルを作製した。Δｎとｄとの積は２７５ｎｍであった。
【０１５９】
（ＶＡ型液晶表示装置の作製）
ＶＡモード液晶セルに、光学補償シート（１）をセルを挟むように２枚、光学補償シートの光学的異方性層と液晶セルのガラス基板とが対面するように配置した。ＶＡモード液晶セルの配向膜のラビング方向と光学補償シートの配向膜のラビング方向は、逆平行になるように配置した。これらの両側に、偏光素子（楕円偏光板）をクロスニコルに配置した。
なお、楕円偏光板は以下の様にして作製した。
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて、偏光膜を作製した。偏光膜の片側に、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、光学補償シートを、光学異方性層が外側となるように貼り付けた。反対側には、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、透明保護膜を貼り付けた。偏光膜の吸収軸と、光学異方性層のラビング方向は、平行になるように配置した。このようにして、楕円偏光板を作製した。
【０１６０】
ＶＡモード液晶セルに対して、５５Ｈｚ矩形波で電圧を印加した。黒表示２Ｖ、白表示６ＶのＮＢモードとし、透過率の比（白表示／黒表示）をコントラスト比とした。上下、左右からのコントラスト比を、計器（ＥＺ−Ｃｏｎｔｒａｓｔ１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）で測定した。その結果、正面コントラスト比が３００、視野角（コントラスト比１０が得られる視野の角度）が上下左右いずれも７０度との良好な結果が得られた。
【０１６１】
［実施例１１］
（光学補償シートの支持体）
実施例５で作製したセルロースアセテートフィルムを光学補償シートの支持体として用いた。
【０１６２】
（配向膜の形成）
支持体の上に、下記の組成の塗布液をスライドコーターで２５ｍＬ／ｍ^２塗布した。６０℃で２分間乾燥した。
次に、支持体の面内の主屈折率の大きい方向と平行の方向に、形成した膜にラビング処理を実施した。ラビング条件は、ラビングロール径が１５０ｍｍ、搬送速度が１０ｍ／分、ラッピング角度が６゜、ラビングロール回転数が１２００ｒｐｍであった。
配向膜塗布液組成
実施例１０で用いた変性ポリビニルアルコールの１０質量％水溶液　２４ｇ
水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７３ｇ
メタノール　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２３ｇ
グルタルアルデヒド（架橋剤）の５０質量％水溶液　　　　　　　０．２ｇ
【０１６３】
（光学的異方性層の形成）
配向膜上に、実施例１０で用いたディスコティック液晶性化合物１．８ｇ、エチレンオキサイド変成トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）０．２ｇ、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５５１−０．２、イーストマンケミカル社製）０．０４ｇ、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５３１−１．０、イーストマンケミカル社製）０．０１ｇ、光重合開始剤（イルガキュア９０７、チバガイギー社製）０．０６ｇ、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）０．０２ｇを、３．４ｇのメチルエチルケトンに溶解した塗布液を、＃６のワイヤーバーで塗布した。これを金属の枠に貼り付けて、１４０℃の恒温槽中で３分間加熱し、ディスコティック液晶性化合物を配向させた。次に、１４０℃で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、１分間ＵＶ照射し、ディスコティック液晶性化合物を架橋した。その後、室温まで放冷した。このようにして、光学補償シート（２）を作製した。
【０１６４】
（光学補償シートの評価）
光学的異方性層の厚さは、２．０μｍであった。光学的異方性層のみのレターデーション値をラビング軸に沿って測定したところ、レターデーションが０となる方向は存在しなかった。
光学的異方性層の面内レターデーションは４２ｎｍ（Ｒｅ＝４２）、厚み方向のレターデーションは１３４ｎｍ（Ｒｔｈ＝１３４）であった。
光学補償シート（２）を、ミクロトームを用いて、ラビング方向に添って垂直に切断し、極めて薄い垂直断片（サンプル）を得た。サンプルをＯｓＯ_４の雰囲気中に４８時間放置して、染色した。染色サンプルを、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察し、その顕微鏡写真を得た。染色サンプルでは、前記ディスコティック液晶性化合物のアクリロイル基が染色され、写真の像として認められた。
この写真を検討した結果、ディスコティック液晶性化合物の円盤状構造単位は、支持体の表面から傾いていることが認められた。さらに、傾斜角は、支持体表面からの距離が増加するに伴い、連続的に増加していた。
【０１６５】
（ＯＣＢモード液晶セルの作製）
ＩＴＯ電極付きのガラス基板上にポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行った。ラビング処理は、２枚のガラス基板において反対方向となるように実施した。セルギャップ（ｄ）が８μｍとなるように２枚のガラス基板を向かい合わせた。セルギャップに、Δｎが０．１３９６の液晶性化合物（ＺＬＩ１１３２、メルク社製）を注入し、ＯＣＢモード液晶セルを作製した。Δｎとｄとの積は１１０９ｎｍ、面内レターデーションは９０ｎｍ（Ｒｅ＝９０）であった。
【０１６６】
（ＯＣＢ型液晶表示装置の作製）
ＯＣＢモード液晶セルに、光学補償シート（２）をセルを挟むように２枚、光学補償シートの光学的異方性層と液晶セルのガラス基板とが対面するように配置した。ＯＣＢモード液晶セルの配向膜のラビング方向と光学補償シートの配向膜のラビング方向は、逆平行になるように配置した。これらの両側に、実施例１０と同様に偏光素子（楕円偏光板）をクロスニコルに配置した。
ＯＣＢモード液晶セルに対して、５５Ｈｚ矩形波で電圧を印加した。白表示２Ｖ、黒表示６ＶのＮＷモードとし、透過率の比（白表示／黒表示）をコントラスト比とした。上下、左右からのコントラスト比を、計器（ＬＣＤ−５０００、大塚電子（株）製）で測定した。その結果、上側の視野角（コントラスト比１０が得られる視野の角度）が８０度以上、下側の視野角が５８度、左右の視野角がいずれも６７度との良好な結果が得られた。
【０１６７】
［実施例１２］
（ＨＡＮモード液晶セルの作製）
ＩＴＯ電極付きのガラス基板上にポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行った。ＩＴＯ電極付きのガラス基板をもう一枚用意し、酸化ケイ素を蒸着させて配向膜を形成した。セルギャップ（ｄ）が４μｍとなるように２枚のガラス基板を向かい合わせた。セルギャップに、Δｎが０．１３９６の液晶性化合物（ＺＬＩ１１３２、メルク社製）を注入し、ＨＡＮモード液晶セルを作製した。Δｎとｄとの積は５５８ｎｍ、面内レターデーションは４５ｎｍ（Ｒｅ＝４５）であった。
【０１６８】
（ＨＡＮ型液晶表示装置の作製）
ＨＡＮモード液晶セルの表示面側に実施例１１で作製した光学補償シート（２）を一枚、光学的異方性層がセル側となるように配置した。ＨＡＮモード液晶セルの配向膜のラビング方向と光学補償シートの配向膜のラビング方向は、逆平行になるように配置した。光学補償シートの上に実施例１０と同様に偏光素子（楕円偏光板）を、偏光素子の透過軸と液晶セルのラビング方向との角度が４５゜となるように配置した。偏光素子の上に、拡散板を配置した。ＨＡＮモード液晶セルの反対側には、鏡（反射板）を配置した。
作製したＨＡＮ型液晶表示装置の表示面の法線方向から、２０゜傾けた方向に光源を置き、光を照射した。ＨＡＮモード液晶セルに対しては、５５Ｈｚ矩形波で電圧を印加した。白表示２Ｖ、黒表示６ＶのＮＷモードとし、透過率の比（白表示／黒表示）をコントラスト比とした。上下、左右からのコントラスト比を、計器（ｂｍ−７、ＴＯＰＣＯＮ社製）で測定した。その結果、上側の視野角（コントラスト比１０が得られる視野の角度）が４４度、下側の視野角が２６度、左右の視野角がいずれも３９度との良好な結果が得られた。
【０１６９】
【発明の効果】
本発明によれば、ブリードアウトを生じることなく、所望のレターデーションを光学フィルムに付与し得るレターデーション上昇剤を提供することができる。また、本発明によれば、レターデーション値が高いセルロースエステルフィルムを提供することができる。さらに本発明によれば、レターデーション値が高いセルロースエステルフィルムを用いた、光学補償機能に優れた光学補償シートおよび楕円偏光板を提供することができる。また、本発明によれば、光学異方性透明支持体を用いた、画像表示特性に優れた（特に視野角の拡大、色相変化の発生が少ない等）液晶表示装置を提供することができる。

Claims (11)

1. 分子間相互作用を発現する官能基の組み合わせを有することによって分子錯合体を形成し得る１種以上の化合物からなり、下記一般式（１）で表されるケト−エノール互変異性可能な化合物を少なくともその構成要素として含むセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
   一般式（Ｉ）
   

   

   （式中、Ｑ^１１は酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^１４）を表わし、Ｒ^１１〜Ｒ^１４は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^１１とＲ^１２およびＲ^１１とＲ^１３は各々互いに結合して環構造を形成していてもよい。）
2. 前記ケト−エノール互変異性可能な化合物が、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物である請求項１に記載のセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
   一般式（ＩＩ）
   

   

   （式中、Ｑ^２１およびＱ^２２は酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^２５）を表し、Ｒ^２１〜Ｒ^２５は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^２１とＲ^２２、Ｒ^２２とＲ^２３およびＲ^２１とＲ^２４は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
3. 前記ケト−エノール互変異性可能な化合物が、下記一般式（ＴＡＭ）で表わされる化合物である請求項１に記載のセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
   一般式（ＴＡＭ）
   

   

   （式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は各々独立に置換基を表わし、ｌ、ｍおよびｎは各々独立に１〜５の整数を表わす。）
4. 下記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表される化合物の少なくとも１種を構成要素として含む請求項１〜３のいずれか１項に記載のセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
   一般式（ＩＩＩ）
   

   

   （式中、Ｒ^３１〜Ｒ^３３は各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｑ^３１およびＱ^３２は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ^３１とＲ^３２およびＲ^３２とＲ^３３はそれぞれ互いに結合して、環構造を形成してもよい。）
   一般式（ＩＶ）
   

   

   （式中、Ｒ^４１〜Ｒ^４４は各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｑ^４１は酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ^４１とＲ^４２、Ｒ^４１とＲ^４３およびＲ^４２とＲ^４４はそれぞれ互いに結合して、環構造を形成してもよい。）
   一般式（Ｖ）
   

   

   （式中、Ｒ^５１〜Ｒ^５４は各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ^５１とＲ^５２およびＲ^５１とＲ^５３はそれぞれ互いに結合して、環構造を形成してもよい。）
   一般式（ＶＩ）
   

   

   （式中、Ｒ^６１〜Ｒ^６３は各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｑ^６１は酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ^６１とＲ^６２は互いに結合して環構造を形成してもよい。）
   一般式（ＶＩＩ）
   

   

   （式中、Ｑ^７１〜Ｑ^７３は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ^７１〜Ｒ^７３は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^７１とＲ^７２およびＲ^７２とＲ^７３は各々互いに結合して、環構造を形成してもよい。）
   一般式（ＶＩＩＩ）
   

   

   （式中、Ｑ^８１〜Ｑ^８３は各々独立に酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^８４）を表し、Ｒ^８１〜Ｒ^８４は各々独立に水素原子または置換基を表す。）
   一般式（ＩＸ）
   

   

   （式中、Ｑ^９１およびＱ^９２は各々独立に酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^９４）を表し、Ｒ^９１〜Ｒ^９４は各々独立に水素原子または置換基を表す。）
   一般式（Ｘ）
   

   

   （式中、Ｑ^１０１およびＱ^１０２は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表し、Ｑ^１０３は酸素原子、硫黄原子またはＮ（Ｒ^１０３）を表す。Ｒ^１０１〜Ｒ^１０３は各々独立に水素原子または置換基を表す。）
   一般式（ＸＩ）
   

   

   （式中、Ｑ^１１１およびＱ^１１２は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ^１１１〜Ｒ^１１４は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^１１１とＲ^１１２、Ｒ^１１２とＲ^１１３、Ｒ^１１３とＲ^１１４、Ｒ^１１１とＲ^１１３およびＲ^１１２とＲ^１１４はそれぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
5. 前記一般式（Ｉ）で表されるケト−エノール互変異性可能な化合物の少なくとも１種と、前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩ）のいずれかで表される化合物の少なくとも１種とからなるセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
6. 前記一般式（１）で表されるケトーエノール互変異性可能な化合物の少なくとも１種と、下記一般式（ＸＩＩ）で表される互変異性可能な化合物の少なくとも１種とからなるセルロースエステルフィルム用レターデーション上昇剤。
   一般式（ＸＩＩ）
   

   

   （式中、Ｒ^１２１は置換基を表し、Ｑ^１２１およびＱ^１２２は各々独立に酸素原子または硫黄原子を表す。）
7. セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍであるセルロースエステルフィルム。
8. セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論的比率で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍであるセルロースエステルフィルムと、該フィルムの上方に液晶性分子を含有する光学異方性層とを有する光学補償シート。
9. 前記液晶分子がディスコティク液晶分子である請求項８に記載の光学補償シート。
10. 透明保護膜、偏光膜、透明支持体および液晶分子から形成された光学的異方性層がこの順に積層されている楕円偏光板であって、前記透明支持体が、セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍのセルロースエステルフィルムである楕円偏光板。
11. 液晶セルおよび両側に配置された二枚の偏光素子からなる液晶表示装置であって、偏光素子の少なくとも一方が、透明保護膜、偏光膜、透明支持体および液晶分子から形成された光学的異方性層がこの順に積層されている楕円偏光板であり、前記透明支持体が、セルロースエステル１００質量部に対し、前記一般式（Ｉ）または前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を０．０１〜２０．０質量部、および前記一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）のいずれかで表わされる化合物の少なくとも１種を化学量論比で含有し、且つ波長５５０ｎｍで測定した厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ^５５０）が６０〜１０００ｎｍのセルロースエステルフィルムである液晶表示装置。