JP2012068106A - 赤外線撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態の赤外線撮像装置は、導体基板上に形成され、赤外線を吸収し熱に変える赤外吸収部と、複数のショットキー接合ダイオードと、少なくとも一つ以上のpn接合ダイオードと、を直列接続しているとともに、この熱を電気信号に変える熱電変換部と、を含む赤外線検出部を備えている。また、この赤外線検出部とこの基板との熱分離を行う空洞部を備えている。さらに、この熱電変換部からの信号入出力及びこの赤外線検出部を支持する支持配線と、を有するとともに、アレー状に配置された赤外線検出素子を備えている。また、この赤外線検出素子を選択する素子選択部と、この赤外線検出素子に電圧を印加し、かつ、定電流動作させる信号読出し部を備えている。
【選択図】 図6
Description
101…水平信号線
102…垂直信号線
103…支持配線
104…空洞部
105…基板
106…赤外線検出部
110…pn接合ダイオード領域
111…ショットキー接合ダイオード領域
112…金属配線
115…赤外線吸収部
116…熱電変換部
117…素子選択部
118…信号読み出し部
119…赤外線検出素子
120…垂直レジスタ
121…垂直信号線V1
122…垂直信号線V2
123…Amp1
124…Amp2
125…蓄積容量Cs1
126…蓄積容量Cs2
127…リセットトランジスタRst1
128…リセットトランジスタRst2
129…選択トランジスタS1
130…選択トランジスタS2
131…水平レジスタ
200…SOI基板
201…シリコン基板
202…埋め込みシリコン酸化層
203…SOI層
204…素子分離酸化膜
205…pn接合ダイオード領域
206…n+電極領域
207…p+電極領域
208…p+コンタクト拡散層領域
209…p+領域
210…ゲート電極
211…側壁
213…MOSトランジスタ
217…シリサイドブロック膜
218…チタン膜
219…チタンシリサイド層
220…シリコン窒化膜
221…第一の層間絶縁膜
222…コンタクトホール
223…金属配線
224…第二の層間絶縁膜
225…可視光遮断層
226…シリコン酸化膜
227…シリコン窒化膜
228…ダイアフラム
229…エッチングホール
230…入力信号線
231…出力信号線
234…支持構造
235…赤外線吸収層
300…フォトレジスト
Claims (3)
- 半導体基板上に形成され、赤外線を吸収し熱に変える赤外吸収部と、複数のショットキー接合ダイオードと、少なくとも一つ以上のpn接合ダイオードと、を直列接続しているとともに、前記熱を電気信号に変える熱電変換部と、を含む赤外線検出部と、
前記赤外線検出部と前記基板との熱分離を行う空洞部と、
前記熱電変換部からの信号入出力及び前記赤外線検出部を支持する支持配線と、を有するとともに、アレー状に配置された赤外線検出素子と、
前記赤外線検出素子を選択する素子選択部と、
前記赤外線検出素子に電圧を印加し、かつ、定電流動作させる信号読出し部と、
を備えたことを特徴とした赤外線撮像装置。
- 前記ショットキー接合ダイオードの金属電極は、ニッケル、コバルト、ニッケルシリサイド、モリブデンシリサイドのいずれかから選択されることを特徴とする請求項1記載の赤外線撮像装置。
- 前記半導体基板が、SOI(Silicon on Insulator)基板であることを特徴とする請求項1記載の赤外線撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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JP5364668B2 JP5364668B2 (ja) | 2013-12-11 |
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JP (1) | JP5364668B2 (ja) |
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