JP2012068106A - 赤外線撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】オフ時のリーク電流を抑制することで、読出し信号のオフセット量やノイズを低減することができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】実施形態の赤外線撮像装置は、導体基板上に形成され、赤外線を吸収し熱に変える赤外吸収部と、複数のショットキー接合ダイオードと、少なくとも一つ以上のpn接合ダイオードと、を直列接続しているとともに、この熱を電気信号に変える熱電変換部と、を含む赤外線検出部を備えている。また、この赤外線検出部とこの基板との熱分離を行う空洞部を備えている。さらに、この熱電変換部からの信号入出力及びこの赤外線検出部を支持する支持配線と、を有するとともに、アレー状に配置された赤外線検出素子を備えている。また、この赤外線検出素子を選択する素子選択部と、この赤外線検出素子に電圧を印加し、かつ、定電流動作させる信号読出し部を備えている。
【選択図】 図6

Description

本発明の実施形態は、赤外線撮像装置に関する。
これまで、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を応用した赤外線検出素子をアレー状に配置し、前記検出素子の選択手段と、前記検出素子からの信号読出し手段を有する赤外線撮像装置が開発されている。
小型化とオンチップ化が可能である非冷却型の赤外線撮像装置においては、赤外線検出部を周囲から熱的に分離し、赤外線検出部の断熱性を向上させるか、または赤外線検出部の熱電変換効率を向上することが、赤外線の検出感度向上のために重要である。
一般的には、赤外線検出素子と信号読出し回路とのインピーダンス整合を取りつつ、赤外線検出部の感度を示す抵抗温度係数の向上を行うための対策として、赤外線検出部としてショットキー接合ダイオードを複数直列に配置し、感度向上を行いつつ、当該検出部内で、高抵抗を示す逆バイアス状態の接合のオーミック化や、SOI高抵抗半導体領域の高ドーズ化を行い、検出素子出力抵抗の低抵抗化を実現する赤外線検出素子が開発されている。このショットキー接合ダイオードを用いた赤外線検出素子では、多数キャリア動作を行うショットキー接合を用いているために逆方向飽和電流が大きく、赤外線撮像装置において、赤外線検出素子を非選択とする手段として、赤外線検出部内のダイオード逆バイアス時のOFF状態を利用する場合に、オフ時のリーク電流が大きくなるという課題があった。
特開平09−166497号公報
本発明が解決しようとする課題は、オフ時のリーク電流を抑制することで、読出し信号のオフセット量やノイズを低減することができる赤外線撮像装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、実施形態の赤外線撮像装置は、導体基板上に形成され、赤外線を吸収し熱に変える赤外吸収部と、複数のショットキー接合ダイオードと、少なくとも一つ以上のpn接合ダイオードと、を直列接続しているとともに、前記熱を電気信号に変える熱電変換部と、を含む赤外線検出部を備えている。また、この赤外線検出部と前記基板との熱分離を行う空洞部を備えている。さらに、この熱電変換部からの信号入出力及びこの赤外線検出部を支持する支持配線と、を有するとともに、アレー状に配置された赤外線検出素子を備えている。また、この赤外線検出素子を選択する素子選択部と、この赤外線検出素子に電圧を印加し、かつ、定電流動作させる信号読出し部を備えている。
実施形態の赤外線撮像装置の概略図。 実施形態の赤外線撮像装置の1素子分の上面図。 実施形態の赤外線撮像装置の図2のA―A’断面図。 実施形態のSi−pn接合ダイオードのI−V特性の温度依存性のグラフ。 実施形態のNi−ショットキー接合ダイオードのI−V特性の温度依存性のグラフ。 実施形態の赤外線撮像装置の回路図。 実施形態のショットキー接合ダイオードの電極材料によるI−V特性立ち上り電圧の変化のグラフ。 実施形態の赤外線撮像装置の製造工程を表す断面図。 実施形態の赤外線撮像装置の製造工程を表す断面図。 実施形態の赤外線撮像装置の製造工程を表す断面図。 実施形態の赤外線撮像装置の製造工程を表す断面図。 実施形態の赤外線撮像装置の製造工程を表す断面図。 実施形態の赤外線撮像装置の製造工程を表す断面図。 実施形態の赤外線撮像装置の製造工程を表す断面図。 実施形態の赤外線撮像装置の製造工程を表す断面図。 実施形態の赤外線撮像装置の製造工程を表す断面図。 実施形態の赤外線撮像装置の製造工程を表す断面図。
以下、発明を実施するための実施形態について、図面を用いて説明する。なお、以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。
まず、実施形態の赤外線撮像装置の構成について、説明する。
図1は、実施形態の赤外線撮像装置の概略図である。図1に示すように、赤外線撮像装置100は、赤外線検知層である赤外線検出部106が、画素を構成する赤外線検出素子アレーの中心に配置されている。また、赤外線検出部106を支持する支持配線103が赤外線検出部106の両端に連結されている。さらに赤外線検出部106は、支持配線103を介して、赤外線検出部106からの信号を処理する外周部の垂直信号線102、水平信号線101へと連結されている。
具体的には、外周部の垂直信号線102は、それぞれ、水平方向に沿って配列した赤外線検出部106の一端にそれぞれに接続されている。また、外周部の垂直信号線102は、垂直方向に沿って配列した赤外線検出部106の他端に接続されている。
また、赤外線検出部106及び支持配線103の下部と基板105との間には、空洞部104が設けられており、赤外線検出部106が検出した赤外線の熱成分がシリコン基板7の内部に籠らず、熱容量を小さくしている。
なお、赤外線撮像素子119は、赤外線検出部106、支持配線103、空洞部104、基板105を含んだ範囲を示すものとする。
また、赤外線撮像装置100は、赤外線撮像素子119、後述する素子選択部117、信号読み出し部118を含んだ範囲を示すものとする。
また、図2は、実施形態の赤外線撮像装置の1素子分の上面図である。図2に示すように、赤外線撮像素子119の赤外線検出部106は、pn接合ダイオード領域110と、ショットキーダイオード領域111を有している。また、pn接合ダイオード領域110と、ショットキーダイオード領域111は、後述する製造方法にて説明する金属配線112にて接続されている。また、pn接合ダイオード領域110は、支持配線103を介して、垂直信号線102に接続されている。同様に、ショットキーダイオード領域111は、支持配線103を介して、水平信号線101に接続されている。
さらに、図3は、実施形態の赤外線撮像装置の図2のA―A’断面図である。図3に示すように、基板105の表面には空洞部104が設けられている。また、赤外線検出部106には、基板105の空洞部104を囲む領域に、絶縁材料を材料とする赤外線吸収部115が積層されている。ここで、赤外線吸収部115は、赤外線を吸収する吸収層の役割を果たしている。
また、赤外線吸収部115の下部には、pn接合ダイオード領域110と、ショットキーダイオード領域111とを含む熱電変換部116が設けられている。熱電変換部116の上部には、後述する製造方法にて説明する金属配線112が設けられ、熱電変換部116のpn接合ダイオード領域110と、ショットキーダイオード領域111とコンタクトをとっている。
次に、実施形態の赤外線撮像装置の原理について、簡単に説明する。
実施形態の赤外線撮像装置にて、赤外線検出部106が温度センサとして、定電流印加時のデバイス温度変化によるデバイス降下電圧変化量を信号として読み取る場合、その感度(dV/dT)は以下の式1で示される。ここで、pn接合ダイオード110の場合のEg/qの項を、Φbに置き換えた場合が、ショットキー接合ダイオード111に該当する。
Φbは、ショットキー障壁電位差を表し、メタル/シリコンショットキーの場合には、メタルの仕事関数ΦM、シリコンの電子親和力χSi(=4.34eV)とすると、Φb=ΦM‐χSiとなる。Egはシリコンのバンドギャップで1.12eVであり、Vfは定電流印加時のデバイスによる降下電圧を表し、qは素電化を表し、Tはデバイスの絶対温度を表し、nは赤外線検出素子に含まれる直列デバイス個数を表している。
ここで、式1に示すように、赤外線検出部106の感度は、直列デバイスの個数nに比例し、デバイス降下電圧が高いほど、低下する。
Figure 2012068106
ここで、ショットキー接合ダイオード111は、多数キャリアによる電子伝導が支配するため、一般的に、pn接合ダイオード110よりもI−V特性の立ち上がりが早いことが知られている。よって、ショットキー接合ダイオード111を用いることによって、定電流読み出しの場合に、ノイズ低減に必要な電流値を得るための順バイアス電圧点が低く取れるため、pn接合ダイオード110と同等の電源電圧の印加であれば、ショットキー接合ダイオード111の直列個数が多く取れ、赤外線検出部106の感度が高くなり、赤外線検出部106の感度が同等なら、電源電圧を低下させることができる。
さらに、図4、図5を参照して、実施形態の赤外線撮像装置の原理について、詳細に説明する。
図4は、実施形態のSi−pn接合ダイオードのI−V特性の温度依存性を説明するグラフである。縦軸は、ダイオードに流れる電流(Id)の対数値を表し、横軸はダイオードへの印加電圧(Vf)を表している。また、四角のプロットが、デバイス温度が300Kの特性を表し、三角のプロットが、デバイス温度が385Kの特性を表している。Vf<0Vでは、逆方向飽和電流の絶対値の対数値をプロットしている。
図4に示すように、pn接合ダイオード110の一つの実施形態であるSi−pn接合ダイオードでは、デバイス温度300Kでの、1uA定電流印加時のVfは0.8Vとなる。また、逆方向飽和電流値は1e-20Aと非常に低い。ここで、デバイス温度385Kと300Kの特性から、Id=1uAでのdV/dTは‐1.3mV/Kであった。つまり、pn接合ダイオード110を用いると、Vfが大きいため、電源電圧が高くなるが、逆方向飽和電流の値は小さいため、オフリーク電流を低減できることが分かる。
さらに、図5は、実施形態のNi−シリコンショットキー接合ダイオードのI−V特性の温度依存性を説明するグラフである。縦軸は、Ni−シリコンショットキー接合ダイオードに流れる電流(Ids)を表し、横軸は、Ni−シリコンショットキー接合ダイオードの印加電圧(Vfs)を表している。四角のプロットが、デバイス温度が300Kの特性を表し、三角のプロットが、デバイス温度が385Kの特性を表している。また、図1と同様に、Vf<0Vでは、逆方向飽和電流の絶対値の対数値をプロットしている。
ここで、図5に示すように、ショットキー接合ダイオード111の一つの実施形態であるNi−シリコンショットキー接合ダイオードでは、デバイス温度300Kでの、1uA定電流印加時のVfは0.4Vであった。また、デバイス温度385Kと300Kの特性から、Id=1uAでのdV/dTは‐1.2mV/Kであった。
よって、ショットキー接合ダイオード111の一つの実施形態であるNi−シリコンショットキー接合ダイオードを用いると、デバイスの感度指標であるdV/dTはほぼ等しく、pn接合ダイオードの一つの実施形態であるSi−pn接合ダイオードに比べてVfを50%低減することができる。
しかし、図5に示すように、Ni−シリコンショットキー接合ダイオードは、逆方向飽和電流値はおよそ1e-11Aと非常に高い。これは、赤外線検出素子アレーとして、ダイオードの逆方向特性をデバイスの非選択状態として利用する場合に、オフリーク電流や、それに伴うノイズ増加の原因となる。
そこで、発明者らは、図6に示すように、複数のダイオードを直列に接続した赤外線検出部106の熱電変換部116において、電源電圧低減のために、少数キャリアデバイスであるpn接合ダイオード110を、直列接続したショットキー接合ダイオード111のセルの中に少なくとも1つ挿入することにより、感度向上及びオフ時のリーク電流の抑制ができることを見出した。
図6は、実施形態の赤外線撮像装置に関する回路図である。図6に示すように、熱電変換部116は、1個のpn接合ダイオード110と、3個のショットキー接合ダイオード111を直列接続した赤外線検出部106を、2×2のアレーとして構成しており、赤外線撮像装置100として動作させることが可能である。
図6では、一素子当たりの赤外線検出部106の熱電変換部116に、3個のショットキー接合ダイオード111と、1個のpn接合ダイオード110を使用した実施形態を示しているが、ショットキー接合ダイオード111の個数は、赤外線検出部106に必要とされる感度と電源電圧により決定される。pn接合ダイオード110は、電源電圧低減、または感度向上のためには、個数をできるだけ減らした方がより好ましく、本実施形態では1個としている。
さらに、図6を示して、実施形態の赤外線撮像装置の選択方法を以下に説明する。なお、図3では、請求項1の素子選択部117、信号読み出し部118のそれぞれの動作を示している。
まず、図6に示すように、素子選択部117によって、Pix12、及びPix22を選択するために、垂直レジスタ120からVddを与え、非選択セルPix11とPix21は0Vとする。また、垂直レジスタ120から供給された電流は、L1及びL2の定電流源にて、所望の電流値に調整される。
さらに、信号読み出し部118によって、垂直信号線V1121及び垂直信号V2122に接続されたアンプトランジスタであるAmp1123、Amp2124のゲート電圧には、Vddから前述した定電流値により、熱電変換部116の抵抗に応じて発生する電圧降下分を除いた値の電圧が与えられる。
ここで、信号読み出し部118によって、蓄積容量Cs1125及び蓄積容量Cs 2126には、予めリセットトランジスタRst1127及びリセットトランジスタRst2128をONすることにより、リセットレベル(主に電源電圧)を与えておく。
さらに、信号読み出し部118によって、リセットトランジスタRst1127及びリセットトランジスタRst 2128をOFFとし、選択トランジスタS1129及び選択トランジスタS2130をONとすれば、アンプトランジスタであるAmp1123、Amp2124のゲート電圧に応じた電流値が、蓄積容量Cs1125及び蓄積容量Cs 2126から放出され、蓄積容量には積分された信号電圧が保持される。
よって、信号読み出し部118によって、選択トランジスタS1129、S2130をOFFとし、水平レジスタ131により、逐次列選択トランジスタをONすれば、SoutとしてPix12、Pix22の信号が読み出せる。
ここで、非選択セルPix11、Pix21については、垂直信号線V1121及び垂直信号線V2122が選択セルにより正電圧に印加されるため、ショットキー接合ダイオード111には逆バイアスが印加され、OFFとなる。
ここで、一般的な赤外線撮像装置では、赤外線検出部106の熱電変換部116を直列ショットキー接合ダイオード111の接続のみで構成した場合、多数キャリアデバイスによる逆方法電流が大きいため、非選択セルのリーク電流が増え、選択セルの信号電圧に影響を及ぼしている。
ここで、発明者らは、実施形態の赤外線検出素子では、熱電変換部116として、複数の直列ショットキー接合ダイオード111のセルの中に、逆方向電流の少ないpn接合ダイオード110を1個直列接続に加えることにより、非選択時のリーク電流低減を図ることができることを見出した。
図7は、実施形態のショットキー接合ダイオードの電極材料によるI−V特性立ち上り電圧の変化を例示したグラフである。縦軸は、それぞれのショットキー接合ダイオードに流れる電流(Ids)を表し、横軸は、それぞれのショットキー接合ダイオードの印加電圧(Vfs)を表している。四角のプロットが、Niショットキー接合ダイオードの、デバイス温度が300Kの特性を表し、三角のプロットが、Coショットキー接合ダイオードの、デバイス温度が300Kの特性を表している。また、図1と同様に、Vf<0Vでは、逆方向飽和電流の絶対値の対数値をプロットしている。
図7に示すように、ショットキー接合ダイオード111の一つの実施形態であるCoショットキー接合ダイオードのように、ショットキー障壁電位の低い材料を用いれば、更にデバイス降下電圧Vfを低減できる。このように、ショットキー電極材料を変更することにより、Vfの値を調整することができ、電源電圧のシステム要求にあった赤外線検出素子を実現できることが確認できる。
次に、実施形態に係る赤外線撮像装置の製造工程を説明する。
図8〜図17は、本発明の実施形態に係る赤外線撮像装置の製造工程を示す断面図である。
まず、図8に示すように、半導体基板として単結晶シリコン支持基板201上に埋め込みシリコン酸化膜層202、単結晶シリコンからなるSOI(Silicon on Insulator)層203が順次積層された、いわゆるSOI基板200を準備する。
次に、図9に示すように、STI(Shallow−Trench−Isolation)構造により素子分離を行う。すなわち、フォトリソグラフィー技術により素子分離領域を規定し、素子分離領域の単結晶シリコン層203を、RIE(Reactive−Ion−Etching)によりエッチング除去した後に、素子分離酸化膜204をCVD(Chemical−Vapor−Deposition)により埋め込み、CMP(Chemical−Mechanical−Polishing)で平坦化する。
次に、図10に示すように、素子分離酸化膜204を形成した後、熱電変換素子116となるpn接合ダイオード110(図10A)を形成する。その手段としては、まず、フォトリソグラフィー技術によりp型拡散層領域205を規定し、イオン注入により、例えばホウ素を100keV、1.4×1013cm-2で注入し、p領域型205を形成する。この工程は、SOI層203を、p型基板とし、その基板濃度を使用することにより省略することも可能である。
次に、フォトリソグラフィー技術によりボトムp+電極領域207を規定し、イオン注入により、例えば、ホウ素を130keV、2×1014cm-2で注入し、SOI層203の深い領域にボトムp電極領域207を形成する。次に、同様にして、SOI層203の浅い領域にn電極領域206を規定し、例えばAsを40keV、5×1015cm-2で注入し、n電極領域206を形成する。
次に、同様にして、基板表面にpコンタクト拡散層領域208を、例えばBF2を20keV、4×1015cm-2で注入して形成する。次に、pコンタクト拡散層領域208とボトムp電極領域207を接続するため、基板深さ方向に伸張したp引き出し電極領域209を形成するために、例えば、Bを100keV、2.5×1013cm-2及び75keV、6×1013cm-2及び40keV、1.5×1013cm-2でイオン注入することにより形成する。
また、図10に示すように、熱電変換素子116となるショットキー接合ダイオード111(図10B)を形成する手段として、まず、フォトリソグラフィー技術によりn型拡散層領域205Bを規定し、イオン注入により、例えばリンを240keV、1.0×1013cm-2で形成する。次に、同様にして、基板表面にnコンタクト拡散層領域208Bを、例えばPを5keV、5×1015cm-2で注入して形成する。
次に、図11に示すように、ポリシリコン層を堆積した後に、フォトリソグラフィーとRIEによってポリシリコン層を加工することにより、支持配線210を形成する。その後シリコン窒化膜をCVDにより基板全面に形成し、RIEによりエッチバックする事により、支持配線210による段差部に側壁211を形成する。なお、側壁211は、側壁残しという全面エッチバックプロセスによって、形成される。
次に、図12に示すように、SOI層203全体にシリコン窒化膜をCVDにより堆積し、pn接合ダイオードのn電極領域206、pコンタクト領域208、ショットキー接合ダイオードのショットキーメタル電極領域214、nコンタクト拡散層領域206B以外の領域にフォトマスク300を形成し、シリコン窒化膜のRIEを行い、シリサイドブロック膜217を形成する。これにより、pn接合ダイオードのn電極領域206とpコンタクト拡散層領域208、及びショットキー接合ダイオードのショットキーメタル電極領域214、nコンタクト拡散層領域206Bがシリサイドにより導通してしまうのを防ぐ。
また、図12に示すように、その後、支持配線210、側壁211およびシリサイドブロック膜217をマスクとして、絶縁層を希弗酸等によりエッチングし、支持配線210、pn接合ダイオードのn電極領域206とpコンタクト拡散層領域208、及びショットキー接合ダイオードのショットキーメタル電極領域214、nコンタクト拡散層領域206Bを露出させる。
さらに、図13に示すように、シリサイド形成のためのニッケル膜218を全面に堆積する。この状態から、適当なアニール処理を行うことで、露出したSOI層203は、ニッケル膜218と反応し、ニッケルシリサイド層219が形成される。ニッケルシリサイド層219を形成した後は、硫酸と過酸化水素の混合液によって、シリサイド反応しない領域のニッケル膜218を除去する。
ここで、ショットキー接合のメタル材料としては、ニッケルシリサイドに限定するわけではなく、接合障壁Φbが比較的高いNi、Co、MoSi等も使用できる。また、シリサイド電極を用いない場合には、シリサイド工程の熱工程以降に、専用レイヤーとして形成すればよい。または、コンタクト開口後に、タングステン埋め込み前にスパッタ等で形成することもできる。
また、実施形態では、n型基板でのショットキー接合を採用しているが、p型基板を用いたショットキー接合についても同様の効果が得られることは言うまでもない。
次に、図14に示すように、SOI層203全面にシリコン窒化膜220、シリコン酸化膜を材料とする第一層間絶縁膜221をCVDにより堆積し、CMPにより平坦化を行う。
次に、図15に示すように、第一層間絶縁膜221にコンタクトホール222をRIEにより形成し、CVDによりタングステンを全面に堆積し、CMPを行う事で、コンタクトホールの埋め込みを行い、コンタクト電極222を形成する。
次に、図16に示すように、アルミニウム合金を全面にスパッタ法により堆積し、フォトリソグラフィー技術とRIEによりパターニングし、コンタクト電極222を接続する金属配線223を形成する。その後、第二層間絶縁膜224としてシリコン酸化膜を堆積し、最後にパッシベーション膜227としてシリコン窒化膜を堆積する。なお、第一層間絶縁膜221、第二層間絶縁膜224、パッシベーション膜227は、赤外線吸収体としても働く。
次に、図17に示すように、エッチングホール229をRIEにより形成し、シリコン基板201を露出させる。その後、TMAH(Tetra−Methyl−Ammonium−Hydroxide)によるシリコンに対する異方性ウエットエッチングにより、シリコン基板201内部にダイアフラム228を形成する。
上記工程により、図17に示す実施形態の赤外線撮像装置が作成される。
以上説明した少なくとも一つの実施形態の赤外線撮像装置によれば、熱電変換部116に、ショットキー接合ダイオード111を直列したセルの中に、少なくとも1つ少数キャリアデバイスであるpn接合ダイオード110を挿入することにより、オフ時のリーク電流を抑制できる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として例示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるととともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
また、前述したショットキー接合ダイオード111(図10B)は、Ge- pn接合ダイオードに置き換えることができる。GeはバンドギャップがSiに比べ低く、温度依存性の高い材料であるが、ショットキー接合ダイオードと同様に、飽和電流値が高く、アレーデバイスとして用いた場合、オフ素子のリーク電流増大が問題となる。そこで、熱電変換部116として、Ge-pn接合ダイオードを直列に接合したセルの中に、オフ特性の良いSi-pn接合ダイオードを少なくとも1つ挿入することにより、実施形態の課題を解決できる。
さらに、前述したGe pn接合ダイオードは、半導体基板上に酸化膜を形成し、前述したGe pn接合ダイオードを形成すべき領域を開口し、開口部にGeエピ成長を行うことにより形成することができる。
また、前述したGe pn接合ダイオードは、半導体基板上に酸化膜を形成し、前述したGe pn接合ダイオードを形成すべき領域を開口し、開口部にGeのイオン注入を行い、アニールして結晶化を行うことにより形成することもできる。
100…赤外線撮像装置
101…水平信号線
102…垂直信号線
103…支持配線
104…空洞部
105…基板
106…赤外線検出部
110…pn接合ダイオード領域
111…ショットキー接合ダイオード領域
112…金属配線
115…赤外線吸収部
116…熱電変換部
117…素子選択部
118…信号読み出し部
119…赤外線検出素子
120…垂直レジスタ
121…垂直信号線V1
122…垂直信号線V2
123…Amp1
124…Amp2
125…蓄積容量Cs1
126…蓄積容量Cs2
127…リセットトランジスタRst1
128…リセットトランジスタRst2
129…選択トランジスタS1
130…選択トランジスタS2
131…水平レジスタ
200…SOI基板
201…シリコン基板
202…埋め込みシリコン酸化層
203…SOI層
204…素子分離酸化膜
205…pn接合ダイオード領域
206…n電極領域
207…p電極領域
208…pコンタクト拡散層領域
209…p領域
210…ゲート電極
211…側壁
213…MOSトランジスタ
217…シリサイドブロック膜
218…チタン膜
219…チタンシリサイド層
220…シリコン窒化膜
221…第一の層間絶縁膜
222…コンタクトホール
223…金属配線
224…第二の層間絶縁膜
225…可視光遮断層
226…シリコン酸化膜
227…シリコン窒化膜
228…ダイアフラム
229…エッチングホール
230…入力信号線
231…出力信号線
234…支持構造
235…赤外線吸収層
300…フォトレジスト

Claims (3)

  1. 半導体基板上に形成され、赤外線を吸収し熱に変える赤外吸収部と、複数のショットキー接合ダイオードと、少なくとも一つ以上のpn接合ダイオードと、を直列接続しているとともに、前記熱を電気信号に変える熱電変換部と、を含む赤外線検出部と、
    前記赤外線検出部と前記基板との熱分離を行う空洞部と、
    前記熱電変換部からの信号入出力及び前記赤外線検出部を支持する支持配線と、を有するとともに、アレー状に配置された赤外線検出素子と、
    前記赤外線検出素子を選択する素子選択部と、
    前記赤外線検出素子に電圧を印加し、かつ、定電流動作させる信号読出し部と、
    を備えたことを特徴とした赤外線撮像装置。
  2. 前記ショットキー接合ダイオードの金属電極は、ニッケル、コバルト、ニッケルシリサイド、モリブデンシリサイドのいずれかから選択されることを特徴とする請求項1記載の赤外線撮像装置。
  3. 前記半導体基板が、SOI(Silicon on Insulator)基板であることを特徴とする請求項1記載の赤外線撮像装置。
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