JP2012064830A - 半導体装置および集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】N型高濃度埋め込み領域102の上面にN型低濃度領域103とN型ウエル領域104とN型高濃度埋め込みコンタクト領域105を順次隣接して配置し、N型低濃度領域103の上面にP型低濃度領域106を配置し、ドレイン電極113Dが接続される第1のN型高濃度領域107をN型高濃度埋め込みコンタクト領域105の上面に配置し、ソース電極113Sが接続される第2のN型高濃度領域108とP型高濃度領域109をP型低濃度領域106の上面にチャネル幅方向に並べて配置し、第1のN型高濃度領域107からN型ウエル領域104の上面を経由しP型低濃度領域106の上面に向けて素子分離領域110を配置し、P型低濃度領域106の上面に位置する箇所の上面にゲート酸化膜を介してゲート電極111を配置し、P型低濃度領域106のうちのゲート電極111の下部にチャネルが形成されるようにした。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 第1導電型高濃度埋め込み領域の上面に各々が接するように、第1導電型低濃度領域と第1導電型ウエル領域を互いに隣接して配置し、前記第1導電型低濃度領域の上面に第2導電型低濃度領域を配置し、ドレイン電極が接続される第1の第1導電型高濃度領域を前記第1導電型ウエル領域の上面に配置し、ソース電極が接続される第2の第1導電型高濃度領域を前記該第2導電型低濃度領域の上面に配置し、前記第1の第1導電型高濃度領域から少なくとも前記第2導電型低濃度領域の上面に向けて絶縁材による素子分離領域を配置し、前記第2導電型低濃度領域の上面に位置する箇所の上面にゲート酸化膜を介してゲート電極を配置し、前記第2導電型低濃度領域のうちの前記ゲート電極の下部にチャネルが形成されるようにしたMOS構造の半導体装置において、
前記第1の第1導電型高濃度領域の下部の前記第1導電型ウエル領域を、前記第1の第1導電型高濃度領域と前記第1導電型高濃度埋め込み領域とを接続する第1導電型高濃度埋め込みコンタクト領域に置き換えるとともに、前記第2の第1導電型高濃度領域の一部を第2導電型高濃度領域にて置き換え、且つ該第2導電型高濃度領域が前記ソース電極に接続されるようにし、
前記第2の第1導電型高濃度領域と前記第2導電型高濃度領域が、前記チャネルの幅方向に並ぶようにした、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第2の第1導電型高濃度領域と前記第2導電型高濃度領域が、交互に隣接して複数前記チャネルの幅方向に並んでいることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記第2の第1導電型高濃度領域の前記チャネルの幅方向の長さが、前記第2導電型高濃度領域の前記チャネルの幅方向の長さよりも長いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1つに記載の半導体装置において、
前記第1導電型ウエル領域の前記チャネルの長さ方向の距離を、前記第1導電型低濃度領域の深さよりも大きくしたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1つに記載の半導体装置を、前記ソース電極を前記ゲート電極と接続した第1の半導体装置とし、前記ドレイン電極と前記ソース電極を、保護対象としての第2の半導体装置のドレイン電極とソース電極に接続した集積回路であって、
該第2の半導体装置は、前記第1の半導体装置の前記第1の第1導電型高濃度領域の下部を前記第1導電型ウエル領域のままとする他は前記第1の半導体装置と同じ構造とし、且つ前記第1導電型高濃度領域の前記チャネルの幅方向の長さを、前記第1の半導体装置の前記第1導電型高濃度領域の前記チャネルの幅方向の長さより短くした、
ことを特徴とする集積回路。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014103159A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
WO2015008473A1 (ja) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2015032767A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JP2016027622A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-02-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307763A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-05 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002026314A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2006202847A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010086988A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
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2010
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307763A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-05 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002026314A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2006202847A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010086988A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014103159A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
WO2015008473A1 (ja) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2015038966A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-26 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US9876107B2 (en) | 2013-07-16 | 2018-01-23 | Denso Corporation | Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate |
JP2015032767A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JP2016027622A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-02-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
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