JP2012064749A - 2次元フォトニック結晶面発光レーザ - Google Patents

2次元フォトニック結晶面発光レーザ Download PDF

Info

Publication number
JP2012064749A
JP2012064749A JP2010207727A JP2010207727A JP2012064749A JP 2012064749 A JP2012064749 A JP 2012064749A JP 2010207727 A JP2010207727 A JP 2010207727A JP 2010207727 A JP2010207727 A JP 2010207727A JP 2012064749 A JP2012064749 A JP 2012064749A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photonic crystal
lattice
dimensional photonic
emitting laser
surface emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010207727A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5627361B2 (ja
Inventor
Yasuhiro Nagatomo
靖浩 長友
Shoichi Kawashima
祥一 川島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2010207727A priority Critical patent/JP5627361B2/ja
Priority to US13/820,436 priority patent/US8855158B2/en
Priority to EP11825298.0A priority patent/EP2619861A4/en
Priority to CN201180043757.3A priority patent/CN103098321B/zh
Priority to PCT/JP2011/071540 priority patent/WO2012036300A1/en
Publication of JP2012064749A publication Critical patent/JP2012064749A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5627361B2 publication Critical patent/JP5627361B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/11Comprising a photonic bandgap structure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/185Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/18Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
    • H01S2301/185Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field for reduction of Astigmatism
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/185Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
    • H01S5/187Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2004Confining in the direction perpendicular to the layer structure
    • H01S5/2009Confining in the direction perpendicular to the layer structure by using electron barrier layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】面内の基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造のフォトニック結晶を用いた構成のもとで、2次元的に対称な強度分布を有するレーザ発振が容易に可能となる2次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層と、該活性層の近傍に設けられた2次元的に周期的な屈折率分布を有する2次元フォトニック結晶と、を備えた2次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
前記2次元フォトニック結晶は、面内の2つの基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造を備え、
前記格子構造の単位格子に含まれる格子点を構成する部材の形状が、前記2つの基本並進ベクトルの方向に対して異方性を有し、
前記格子点を構成する部材の形状の異方性によって、前記格子点を構成する部材の形状が等方的である場合に比べて結合係数の差が小さくなる構成とされている。
【選択図】 図1

Description

本発明は、2次元フォトニック結晶面発光レーザに関し、特に、2次元フォトニック結晶の格子構造として、面内の2つの基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造(斜方格子や長方格子)を使用したものに関する。
近年、フォトニック結晶を半導体レーザに適用した例が多く報告されている。特許文献1には、発光材料を含む活性層の近傍に2次元フォトニック結晶(2次元回折格子)を形成した面発光レーザが開示されている。
これは分布帰還型面発光レーザの一種である。この2次元フォトニック結晶は、半導体層に円柱状の空孔等が周期的に設けられており、2次元的に周期的な屈折率分布を持っている。
この周期的な屈折率分布により、活性層で生成される光が共振し、定在波を形成してレーザ発振する。
上記特許文献1には、2次元フォトニック結晶の格子構造は、正方格子および三角格子のいずれか一方を採用すると記載されている。
これら2つの格子構造では、面内の基本並進ベクトルの長さ(つまり格子定数)が等しいので、面内のいくつかの方向への回折が等価である。
そのため、異なる方向への回折光が互いに結合し、2次元的に位相のそろったコヒーレントなレーザ発振が起こる。
このレーザ発振した光は、フォトニック結晶による1次回折によって面垂直方向に取り出される。以上の原理より、特許文献1に記載の半導体レーザは2次元的にコヒーレントな光を出射する面発光レーザとして動作する。
また、正方格子や三角格子に限らず、面内の2つの基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造を使用した2次元フォトニック結晶面発光レーザが開発されている。
例えば、特許文献2には、長方格子を使用した2次元フォトニック結晶面発光レーザが提案されている。
特開2000−332351号公報 特開2004−253811号公報
上記の2次元フォトニック結晶面発光レーザにおいてはつぎのような課題を有している。
すなわち、長方格子のように面内の2つの基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造(以下、異方性を持つ格子構造あるいは異方的な格子構造と記す)を使用した場合、2次元的に対称な強度分布を持つレーザ光を実現することが難しい。
ここで言う2次元的に対称な強度分布というのは、出射面における出射光の強度分布が、面内の直交する方向に対してほぼ同一であると見なせるような場合を言う。
つぎに、以上のような課題が生じる理由について説明する。
異方性を持つ格子構造では、光が回折する方向によって結合係数に差が生じる。ここで、2次元フォトニック結晶面内での各々の回折の起こりやすさは、結合係数の大小と関連があり、結合係数の絶対値が大きいほど回折が起こりやすい。
つまり、異方的な格子構造では、面内の回折の起こりやすさに異方性が生じ、特定の方向の1次元的な共振(分布帰還)だけが強くなり、2次元的に対称なレーザ発振が起こり難くなると考えられる。
図7と図8を用いて、長方格子を使用した2次元フォトニック結晶面発光レーザ内での光回折の様子を説明する。
図7は実空間の格子構造を示す模式図である。格子構造は長方格子であり、x方向の格子定数a1がy方向の格子定数a2に比べて長くなっている。
図8は図7の格子構造に対応する逆格子空間と、光の回折の様子を示す模式図である。
図8(a)は、回折前の波数ベクトルkに、1次回折により逆格子ベクトルG1,0およびG0,1が加わる回折を表している。
回折により面内の波数がゼロになり、回折後の波数ベクトルk’は面垂直方向を向く。その結果、光は面にほぼ垂直な方向に放射される。
図8(b)は、回折前の波数ベクトルkに、2次回折により逆格子ベクトルG2,0およびG0,2が加わる回折を表している。回折後の波数ベクトルk’の向きは回折前と正反対を向く。
図8(c)は、回折前の波数ベクトルkに、2次回折により逆格子ベクトルG2,0が加わる回折を表している。
図8(d)は、回折前の波数ベクトルkに、2次回折により逆格子ベクトルG0,2が加わる回折を表している。
図8(c)および図8(d)によって表される回折は、実空間においてそれぞれx方向、y方向の回折に相当する。
この2種類の回折によって光は2次元的に回折され、2次元的に結合したモードを生じる。この2種類の回折の起こりやすさが大きく異なる場合、特定方向への回折だけが強くなり、1次元的な分布帰還によるレーザ発振を生じる。
その結果、2次元的に結合した2次元的に対称なモードでのレーザ発振が起こり難くなると考えられる。
具体例として、以下に計算結果を示す。
図9(a)は格子構造が異方性を持たない例であり、ホスト材料90中に円形の孔91が正方格子状に配列された2次元フォトニック結晶構造を示している。
x方向の格子定数a1=226nm、y方向の格子定数a2=226nm、孔の直径d=110nm、導波モードの実効屈折率neff=2.5、ホスト材料90と孔91の実効的な誘電率差Δε=0.2として、波長400nmでの結合係数を計算により求めた。
その結果、x方向への回折に関する結合係数κ2,0と、y方向への回折に関する結合係数κ0,2がどちらも243cm-1であり、等しいことが確認された。
一方、図9(b)は格子構造が異方性を持つ例であり、ホスト材料中に円形の孔が長方格子状に配列された2次元フォトニック結晶構造を示している。
1=200nm、a2=267nmとし、それ以外の構造は図9(a)と等しいものとして計算を行った。
その結果、κ2,0=101cm-1、κ0,2=409cm-1となり、x方向に比べてy方向の結合係数がはるかに大きくなることがわかった。
つまり、y方向により強く回折が起こってしまう構造であると考えられる。したがって、上記したように、2次元的に対称な発振が生じ難いという課題が生じる。
本発明は、上記課題に鑑み、面内の基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造のフォトニック結晶を用いた構成のもとで、2次元的に対称な強度分布を有するレーザ発振が容易に可能となる2次元フォトニック結晶面発光レーザの提供を目的とする。
本発明の2次元フォトニック結晶面発光レーザは、活性層と、該活性層の近傍に設けられた2次元的に周期的な屈折率分布を有する2次元フォトニック結晶と、を備えた2次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
前記2次元フォトニック結晶は、面内の2つの基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造を備え、
前記格子構造の単位格子に含まれる格子点を構成する部材の形状が、前記2つの基本並進ベクトルの方向に対して異方性を有し、
前記格子点を構成する部材の形状の異方性によって、前記格子点を構成する部材の形状が等方的である場合に比べて結合係数の差が小さくなる構成とされていることを特徴とする。
本発明によれば、面内の基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造のフォトニック結晶を用いた構成のもとで、2次元的に対称な強度分布を有するレーザ発振が容易に可能となる2次元フォトニック結晶面発光レーザを実現することができる。
本発明の実施形態における2次元フォトニック結晶構造を説明する模式図である。 本発明の実施形態における図1に示した2次元フォトニック結晶における、結合係数の異方性の計算結果を示すグラフである。 本発明の実施形態における格子点形状を示す図である。 本発明の実施形態における図3(a)に示した2次元フォトニック結晶における、結合係数の異方性を計算したグラフである。 本発明の実施例1における2次元フォトニック結晶面発光レーザを説明する図である。 本発明の実施例2における2次元フォトニック結晶面発光レーザを説明する図である。 従来例における長方格子構造を説明する図である。 従来例における光回折の様子を説明する図である。 本発明を適用していない2次元フォトニック結晶構造を説明する図である。
以下に、本発明の実施形態における活性層と、該活性層の近傍に設けられた2次元的に周期的な屈折率分布を有する2次元フォトニック結晶と、を備えた2次元フォトニック結晶面発光レーザの構成例について説明する。
最初に、本実施形態の2次元フォトニック結晶面発光レーザを構成する、2次元フォトニック結晶(2次元回折格子)における格子構造の単位格子について説明する。
単位格子とは、それ自身を平行移動させることで格子構造を表現できる単位のことである。
単位格子は同一の格子構造に対して無数に選択することが可能であるが、ここでは単位格子のうち最小単位のものを基本単位格子と記す。
基本単位格子は、格子の面積が最小で、それに含まれる格子点の数や各辺の長さが最小になるように選ばれる。
また、慣用単位格子と呼ばれる単位格子もある。慣用単位格子とは、非基本単位格子であるが、対称性が良く格子点の位置関係を把握しやすいので一般的に用いられる単位格子である。
次に、具体的な2次元の単位格子構造について簡単に説明する。
2次元の格子構造(ブラベー格子)は、斜方格子(平行四辺形格子と呼ばれることもある)、長方格子、面心長方格子、正方格子、六方格子(三角格子と呼ばれることもある)の5種類に分類される。
2次元の格子構造は、2つの基本並進ベクトルの組み合わせで表現できる。前述したブラベー格子のうち、2つの基本並進ベクトルの長さが等しい格子構造は、正方格子、六方格子、面心長方格子である。
基本並進ベクトルの長さが等しくない格子構造は、斜方格子、長方格子である。ここで、長方格子とは、基本単位格子が長方形である格子構造を指す。面心長方格子のように、慣用単位格子は長方形であるが基本単位格子が長方形でない格子構造は長方格子に含まない。
図1に、本発明を適用したフォトニック結晶面発光レーザ(分布帰還型面発光レーザ)における2次元フォトニック結晶構造を説明する模式図を示す。
ホスト材料10中に長方形の孔11が長方格子状に配列された2次元フォトニック結晶である。
孔11のx−y座標におけるx方向の幅d1=60nm、y方向の幅d2=80nmとし、それ以外の構造は図9(b)と等しいものとして結合係数の計算を行った。
その結果、x方向への回折に関する結合係数κ2,0と、y方向への回折に関する結合係数κ0,2がどちらも285cm-1となり等しいことが確認された。したがって、本構造は図9(b)の構造に比べて2次元的に対称なレーザ発振を起こしやすい構造であると言える。
図9(b)の構造と図1の構造の違いは、孔形状だけである。孔、つまり格子点を構成する部材の形状を変えることで結合係数の異方性を制御できる事を示している。
本発明の本質は、格子構造の異方性を、格子点を構成する部材の形状の異方性で補償できることを見出した点にある。
ここで言う補償とは、格子点を構成する部材の形状に異方性を持たせることで、格子点を構成する部材の形状が等方的である場合に比べて結合係数の差を小さくすることを意味する。
ここで、格子点を構成する部材の形状が等方的というのは、格子点を構成する部材の重心から縁までの距離が測長する方向を変えても等しいという意味で使用している。
特に、本明細書中では、2次元フォトニック結晶面内の2つの基本並進ベクトルが示す2方向に対して、格子点を構成する部材の重心から縁までの距離が等しいかどうかによって格子点を構成する部材の形状が等方的かどうかを判断する。
格子点を構成する部材の形状が円形である場合は、格子点を構成する部材の重心から縁までの距離はいかなる方向に対しても等しい。
そのため、あらゆる格子構造に対して格子点を構成する部材の形状は等方的である。
格子点を構成する部材の形状が円形でない場合は、全ての方向に対しては等距離ではないが、2つの基本並進ベクトルの方向に対して等距離であれば、本明細書中の定義では等方的な形状であるとみなす。
上述した等方的な形状の定義に当てはまらない場合は、異方的な形状であるとみなす。
例えば、図1の構造では、基本並進ベクトルはx方向とy方向を向いている。それぞれの方向に対する、格子点を構成する部材の重心から縁までの距離は、それぞれd1とd2の半分の30nmおよび40nmである。よって、異方的な形状であると言える。
回折の起こりやすさを議論する際には、結合係数の大きさが指標となる。
なお、回折の起こりやすさを比較する際、結合係数の正負が異なるような場合には、結合係数の差ではなく結合係数の絶対値の差を見るべきである。
また、結合係数の差そのものよりも、比率で表現した方が実効的な差を理解しやすい。
そのため、ここでは、2つの結合係数をκa、κbとすると、その差を比較するために規格化結合係数差を、つぎの数式1のように定義する。
[数式1]
Figure 2012064749
この値が0に近いほど結合係数の差が小さく、1に近いほど大きいということになる。
本発明を適用していない図9(b)の構造では、x方向とy方向の回折に関する規格化結合係数差を計算すると0.6になる。これを基準とすると、規格化結合係数差が0.6より小さくなる構造で本発明の効果を奏していると言える。
図2に、格子点を構成する部材の形状が規格化結合係数差に与える影響の計算結果を示す。
図2(a)は、図1に示した構造の孔の各辺の長さd1およびd2を0から格子定数に一致(つまり、隣接する孔が接触)するまで変化させた場合の、x方向とy方向への回折に関する結合係数の差を計算した結果である。
前述した規格化結合係数差の大小を明暗で表示している。色が暗いほど差が小さい、つまり結合係数の異方性が小さいことを表している。
例えば、格子点を孔で構成し、孔の形状をd1=60nm(=0.3×a1)、d2=80nm(=0.3×a2)とした場合、規格化結合係数差は0となる。すなわち、x方向への回折に関する結合係数κ2,0=285cm-1、y方向への回折に関する結合係数κ0,2=285cm-1となり、その差は0である。
また、孔の形状をd1=60nm(=0.3×a1)、d2=107nm(=0.4×a2)とした場合は、結合係数はκ2,0=381cm-1、κ0,2=175cm-1である。
規格化結合係数差は0.37となり、図9(b)の構造における差より小さい。一方、孔の形状をd1=60nm(=0.3×a1)、d2=120nm(=0.45×a2)とした場合、結合係数はκ2,0=427cm-1、κ0,2=94cm-1であり、規格化結合係数差は0.64となる。
これは、図9(b)の構造よりも差が大きくなっている。つまり、本発明の効果を奏しない構造であると言える。
このように、格子点を構成する部材の形状に、ただ異方性を持たせれば本発明の効果を奏するわけではなく、両者の関係を適切に設計する必要がある。
図2(b)に、本発明の効果を奏する構造の範囲を明確にするために、規格化結合係数差が0.6より小さい領域を強調して表示した濃淡図を示す。
計算結果自体は図2(a)と全く同じであるが、表示するスケールの上限を0.6にしているので、差が0.6より大きい領域は全て白く表示されている。
色のついている部分が本発明の効果を奏する範囲であり、色が濃いほど本発明の効果が大きい領域であると言える。
図2(b)の色がついた領域を、つぎの数式で表すことができる。
すなわち、2つの結合係数を[数式2−2]で表せるκ2,0とκ0,2とすると、その差を比較するための規格化結合係数差が、以下における[数式2−1]の関係を満たす。
Figure 2012064749
Figure 2012064749
但し、
Δε:実効的な誘電率変調の大きさであり、ホスト材料と格子点を形成する部材との誘電率差に2次元フォトニック結晶層への光閉じ込め係数を乗じた値
λ:レーザ発振波長
eff:導波モードの実効屈折率
1、a2:格子定数(図1参照)
1、d2:格子点の大きさ(図1参照)
図2(b)中の色の濃い部分は、数本の線状の領域に沿って分布している。例えば、図2(b)中に示した点線20に沿った領域では結合係数差が小さい傾向にある。
この点線20に沿った領域は、格子構造の2つの基本並進ベクトルの長い側と短い側の異方性と、格子点の断面形状における長方形の長辺側と短辺側との長さによる異方性が比例関係、つまりa1:a2=d1:d2となる構造に相当する。
異方的な格子点を構成する部材の形状の例としては、図1に示した長方形以外にも、図3(a)に示す楕円形、図3(b)に示す三角形、図3(c)に示す菱形などが挙げられる。
また、格子点は単一の孔だけで形成されているものに限らず、格子点を複数の部材を近接して配置するようにしてもよい。
例えば、図3(d)に示すように、複数の孔が近接して並べられているものでもよい。
図2(b)と同様の計算によって求めた、格子点形状が楕円形の場合に本発明の効果を奏する範囲を図4に示す。
図4の色がついた領域を、つぎの数式で表すことができる。
すなわち、2つの結合係数を[数式3−2]で表せるκ2,0とκ0,2とすると、その差を比較するための規格化結合係数差が、以下における[数式3−1]の関係を満たす。
Figure 2012064749
Figure 2012064749
但し、
1(x):1次の第1種ベッセル関数
Δε:実効的な誘電率変調の大きさであり、ホスト材料と格子点を形成する部材との誘電率差に2次元フォトニック結晶層への光閉じ込め係数を乗じた値
λ:レーザ発振波長
eff:導波モードの実効屈折率
1、a2:格子定数(図3参照)
1、d2:格子点の大きさ(図3参照)
なお、図4中の色の濃い部分は、図2(b)と同様に、格子点の断面形状における楕円形の長軸側と短軸側との長さによる異方性が、2つの基本並進ベクトルの長い側と短い側の異方性と比例関係となる領域に沿って分布している。
図3では格子構造が長方格子の場合を図示しているが、斜方格子の場合であっても本発明は適用できる。どちらの場合も、基本並進ベクトルの方向に対して格子点を構成する部材の形状が異方性を持つ必要がある。
本実施形態のレーザ構造における活性層は、一般の半導体レーザに使用されるものを使用することができる。
例えば、GaAs/AlGaAs、GaInP/AlGaInP、GaN/InGaNなどの材料を用いた多重量子井戸構造である。
また、本実施形態に係る面発光レーザにおいては、光励起方式、あるいは電流注入方式により駆動することができる。
以下に、本発明の実施例について説明する。なお、本明細書中では、レーザ素子の基板側を下側、基板と反対側を上側と定義する。
[実施例1]
実施例1として、本発明を適用した2次元フォトニック結晶面発光レーザの構成例について、図5を用いて説明する。
図5(a)に、本実施例のレーザ構造を説明する断面模式図を示す。
本実施例のレーザ構造は、波長405nmでレーザ発振するように設計されている。
GaN基板40上に、n−GaN層41、n−AlGaNクラッド層42、n−GaNガイド層43、活性層44、ud−GaNガイド層45が積層されている。
さらに、ud−GaNガイド層45上に、p−AlGaN電子ブロック層46、p−GaN層47、p−AlGaNクラッド層49、p+−GaN層50が、以上の順に積層されている。
p−GaN層47中には2次元フォトニック結晶48が埋め込まれている。
図5(b)に、基板面に平行なA−A´における断面を示す。
2次元フォトニック結晶48は、直方体状の孔53がp−GaN層47中に2次元的に配列されて形成されている。格子構造は長方格子であり、x方向の格子定数a1=200nm、y方向の格子定数a2=276nmである。
孔の断面形状は長方形で、x方向の幅d1=50nm、y方向の幅d2=69nmである。
2次元フォトニック結晶48は、電子ビームリソグラフィーとドライエッチングを用いたパターニングと、再成長技術を用いてp−GaN層内に埋め込んで形成した。
活性層44は3周期のIn0.08Ga0.92N/In0.01Ga0.99N多重量子井戸からなる。
レーザ構造の表面には、NiとAuで構成されたp電極51およびTiとAlで構成されたn電極52が配置されており、そこから電流注入することによりレーザ発振する。
本実施例のレーザ構造の結合係数の計算結果は、x方向への回折に関する結合係数κ2,0=247cm-1、y方向への回折に関する結合係数κ0,2=247cm-1となり、その差は0である。
結合係数が等方的なので、2次元的に対称な発振を起こすことができる。
[実施例2]
実施例2として、実施例1とは異なる形態の2次元フォトニック結晶面発光レーザの構成例を、図6を用いて説明する。
図6(a)に、本実施例のレーザ構造を説明する断面模式図を示す。
本実施例のレーザ構造は、波長405nmでレーザ発振するように設計されている。2次元フォトニック結晶構造以外の構成は実施例1と同様である。
図6(b)に、基板面に平行なB−B´における断面を示す。
2次元フォトニック結晶58は、楕円柱状の孔59がp−GaN層47中に2次元的に配列されて形成されている。
格子構造は長方格子であり、x方向の格子定数a1=200nm、y方向の格子定数a2=276nmである。孔の断面形状は楕円形で、x方向の直径d1=110nm、y方向の直径d2=152nmである。
x方向への回折に関する結合係数κ2,0=133cm-1、y方向への回折に関する結合係数κ0,2=133cm-1であり、その差は0である。結合係数が等方的なので、実施例1と同様に2次元的に対称な発振を起こすことができる。
以上、実施例について説明したが、本発明の面発光レーザは記載した実施例に限定されるものではない。
フォトニック結晶の形状や材料や大きさ、活性層やクラッド層や電極を構成する材料は本発明の範囲内で適宜変更できる。
また、上記実施例では、レーザ発振波長として405nmのものを示したが、適切な材料・構造の選択により、任意の波長での動作も可能である。
また、本発明の面発光レーザを同一平面上に複数配列してアレイ光源として使用してもよい。
以上説明した本発明の面発光レーザは、複写機、レーザプリンタなどの画像形成装置が有する感光ドラムへ描画を行うための光源としても利用することができる。
10:ホスト材料
11:孔(格子点を構成する部材)
44:活性層
48:2次元フォトニック結晶(2次元回折格子)

Claims (11)

  1. 活性層と、該活性層の近傍に設けられた2次元的に周期的な屈折率分布を有する2次元フォトニック結晶と、を備えた2次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
    前記2次元フォトニック結晶は、面内の2つの基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造を備え、
    前記格子構造の単位格子に含まれる格子点を構成する部材の形状が、前記2つの基本並進ベクトルの方向に対して異方性を有し、
    前記格子点を構成する部材の形状の異方性によって、前記格子点を構成する部材の形状が等方的である場合に比べて結合係数の差が小さくなる構成とされていることを特徴とする2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  2. 前記2次元フォトニック結晶が、長方格子であることを特徴とする請求項1に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  3. 前記格子点を構成する部材の基板面に平行な断面形状が、長方形であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  4. 前記格子点の断面形状における長方形の長辺側と短辺側との長さによる異方性が、前記2つの基本並進ベクトルの長い側と短い側の異方性と比例関係となる構成を備えていることを特徴とする請求項3に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  5. 前記長方形の格子点のx−y座標におけるx方向への回折に関する結合係数κ2,0と、y方向への回折に関する結合係数κ0,2は[数式2−2]で表され、κ2,0とκ0,2との差を比較するための規格化結合係数差が、以下における[数式2−1]の関係を満たすことを特徴とする請求項3に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
    Figure 2012064749
    Figure 2012064749
    但し、
    Δε:実効的な誘電率変調の大きさであり、ホスト材料と格子点を形成する部材との誘電率差に2次元フォトニック結晶層への光閉じ込め係数を乗じた値
    λ:レーザ発振波長
    eff:導波モードの実効屈折率
    1、a2:格子定数
    1、d2:格子点の大きさ
  6. 前記格子点を構成する部材の基板面に平行な断面形状が、楕円形であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  7. 前記格子点の断面形状における楕円形の長軸側と短軸側との長さによる異方性が、前記2つの基本並進ベクトルの長い側と短い側の異方性と比例関係となる構成を備えていることを特徴とする請求項6に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  8. 前記楕円形の格子点のx−y座標におけるx方向への回折に関する結合係数κ2,0と、y方向への回折に関する結合係数κ0,2は、[数式3−2]で表され、κ2,0とκ0,2との差を比較するための規格化結合係数差が、以下における[数式3−1]の関係を満たすことを特徴とする請求項6に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
    Figure 2012064749
    Figure 2012064749
    但し、
    1(x):1次の第1種ベッセル関数
    Δε:実効的な誘電率変調の大きさであり、ホスト材料と格子点を形成する部材との誘電率差に2次元フォトニック結晶層への光閉じ込め係数を乗じた値
    λ:レーザ発振波長
    eff:導波モードの実効屈折率
    1、a2:格子定数(図3参照)
    1、d2:格子点の大きさ(図3参照)
  9. 前記格子点を構成する部材の基板面に平行な断面形状が、三角形であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  10. 前記格子点を構成する部材の基板面に平行な断面形状が、菱形であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  11. 前記格子点が、複数の部材を近接して配置することによって構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
JP2010207727A 2010-09-16 2010-09-16 2次元フォトニック結晶面発光レーザ Expired - Fee Related JP5627361B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010207727A JP5627361B2 (ja) 2010-09-16 2010-09-16 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
US13/820,436 US8855158B2 (en) 2010-09-16 2011-09-14 Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser
EP11825298.0A EP2619861A4 (en) 2010-09-16 2011-09-14 Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser
CN201180043757.3A CN103098321B (zh) 2010-09-16 2011-09-14 二维光子晶体表面发射激光器
PCT/JP2011/071540 WO2012036300A1 (en) 2010-09-16 2011-09-14 Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010207727A JP5627361B2 (ja) 2010-09-16 2010-09-16 2次元フォトニック結晶面発光レーザ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012064749A true JP2012064749A (ja) 2012-03-29
JP5627361B2 JP5627361B2 (ja) 2014-11-19

Family

ID=45831752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010207727A Expired - Fee Related JP5627361B2 (ja) 2010-09-16 2010-09-16 2次元フォトニック結晶面発光レーザ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8855158B2 (ja)
EP (1) EP2619861A4 (ja)
JP (1) JP5627361B2 (ja)
CN (1) CN103098321B (ja)
WO (1) WO2012036300A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014197665A (ja) * 2013-01-08 2014-10-16 ローム株式会社 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP2017123445A (ja) * 2016-01-08 2017-07-13 浜松ホトニクス株式会社 分布帰還型半導体レーザ素子
US10490977B2 (en) 2017-11-16 2019-11-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface-emitting quantum cascade laser
CN112926235A (zh) * 2021-01-27 2021-06-08 浙江大学 一种可指定晶格各向异性性能的晶格结构设计方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5627361B2 (ja) 2010-09-16 2014-11-19 キヤノン株式会社 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
DE112016003950T5 (de) * 2015-08-28 2018-05-17 Hamamatsu Photonics K.K. Oberflächenemittierender laser mit zweidimensionalem photonischen kristall
WO2018155710A1 (ja) * 2017-02-27 2018-08-30 国立大学法人京都大学 面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法
US11646546B2 (en) 2017-03-27 2023-05-09 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light emitting array with phase modulation regions for generating beam projection patterns
US11637409B2 (en) * 2017-03-27 2023-04-25 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light-emitting module and control method therefor
JP6959042B2 (ja) 2017-06-15 2021-11-02 浜松ホトニクス株式会社 発光装置
WO2019111787A1 (ja) 2017-12-08 2019-06-13 浜松ホトニクス株式会社 発光装置およびその製造方法
CN110011182B (zh) * 2018-01-05 2021-07-30 株式会社东芝 光子晶体内置基板及其制造方法、以及面发光量子级联激光器
JP7125865B2 (ja) * 2018-06-11 2022-08-25 浜松ホトニクス株式会社 発光装置
US20220271503A1 (en) * 2019-08-30 2022-08-25 Kyoto University Two-dimensional photonic-crystal surface-emitting laser
CN111045145B (zh) * 2019-12-25 2023-12-15 易锐光电科技(安徽)有限公司 薄膜光波导及其制备方法
WO2021186965A1 (ja) * 2020-03-16 2021-09-23 国立大学法人京都大学 面発光レーザ素子及び面発光レーザ素子の製造方法
DE102021102277A1 (de) * 2021-02-01 2022-08-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenemittierender halbleiterlaser und verfahren zur herstellung eines oberflächenemittierenden halbleiterlasers

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1028504A1 (en) * 1999-02-10 2000-08-16 TRW Inc. High power single mode semiconductor lasers and optical amplifiers using 2D bragg gratings
WO2003005513A1 (en) * 2001-07-05 2003-01-16 Japan Science And Technology Agency Two-dimensional photonic crystal surface-emission laser
WO2003067724A1 (fr) * 2002-02-08 2003-08-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif semi-conducteur electroluminescent et procede de fabrication de celui-ci
WO2004086575A1 (ja) * 2003-03-25 2004-10-07 Japan Science And Technology Agency 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
WO2007029661A1 (ja) * 2005-09-05 2007-03-15 Kyoto University 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP2008124287A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Ricoh Co Ltd 波長変換素子
JP2008243962A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Kyoto Univ 2次元フォトニック結晶面発光レーザ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3983933B2 (ja) 1999-05-21 2007-09-26 進 野田 半導体レーザ、および半導体レーザの製造方法
JP4445292B2 (ja) 2002-02-08 2010-04-07 パナソニック株式会社 半導体発光素子
JP4310297B2 (ja) * 2005-09-05 2009-08-05 国立大学法人京都大学 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
US7499480B2 (en) 2006-11-16 2009-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Photonic crystal structure and surface-emitting laser using the same
US7535946B2 (en) 2006-11-16 2009-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Structure using photonic crystal and surface emitting laser
JP5111161B2 (ja) 2007-04-19 2012-12-26 キヤノン株式会社 フォトニック結晶層を有する構造体、それを用いた面発光レーザ
JP4338211B2 (ja) 2007-08-08 2009-10-07 キヤノン株式会社 フォトニック結晶を有する構造体、面発光レーザ
JP4968959B2 (ja) 2008-03-06 2012-07-04 キヤノン株式会社 フォトニック結晶および該フォトニック結晶を用いた面発光レーザ
JP5388666B2 (ja) 2008-04-21 2014-01-15 キヤノン株式会社 面発光レーザ
JP5183555B2 (ja) 2009-04-02 2013-04-17 キヤノン株式会社 面発光レーザアレイ
JP4975130B2 (ja) 2009-05-07 2012-07-11 キヤノン株式会社 フォトニック結晶面発光レーザ
JP5047258B2 (ja) 2009-12-09 2012-10-10 キヤノン株式会社 二次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP5627361B2 (ja) 2010-09-16 2014-11-19 キヤノン株式会社 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP5804690B2 (ja) 2010-11-05 2015-11-04 キヤノン株式会社 面発光レーザ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1028504A1 (en) * 1999-02-10 2000-08-16 TRW Inc. High power single mode semiconductor lasers and optical amplifiers using 2D bragg gratings
WO2003005513A1 (en) * 2001-07-05 2003-01-16 Japan Science And Technology Agency Two-dimensional photonic crystal surface-emission laser
WO2003067724A1 (fr) * 2002-02-08 2003-08-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif semi-conducteur electroluminescent et procede de fabrication de celui-ci
WO2004086575A1 (ja) * 2003-03-25 2004-10-07 Japan Science And Technology Agency 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
WO2007029661A1 (ja) * 2005-09-05 2007-03-15 Kyoto University 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP2008124287A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Ricoh Co Ltd 波長変換素子
JP2008243962A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Kyoto Univ 2次元フォトニック結晶面発光レーザ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014197665A (ja) * 2013-01-08 2014-10-16 ローム株式会社 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP2017123445A (ja) * 2016-01-08 2017-07-13 浜松ホトニクス株式会社 分布帰還型半導体レーザ素子
US10490977B2 (en) 2017-11-16 2019-11-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface-emitting quantum cascade laser
CN112926235A (zh) * 2021-01-27 2021-06-08 浙江大学 一种可指定晶格各向异性性能的晶格结构设计方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2619861A1 (en) 2013-07-31
US8855158B2 (en) 2014-10-07
CN103098321A (zh) 2013-05-08
EP2619861A4 (en) 2017-12-27
JP5627361B2 (ja) 2014-11-19
US20130163630A1 (en) 2013-06-27
CN103098321B (zh) 2015-01-07
WO2012036300A1 (en) 2012-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5627361B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
KR100759603B1 (ko) 수직 공진기형 면발광 레이저 장치
US20140355635A1 (en) Two dimensional photonic crystal surface emitting lasers
JP4338211B2 (ja) フォトニック結晶を有する構造体、面発光レーザ
JP6305056B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP7264352B2 (ja) トポロジカル絶縁体レーザーシステム
JP4709259B2 (ja) 面発光レーザ
US8488643B2 (en) Photonic-crystal surface emitting laser, laser array using the laser, and image forming apparatus using the laser array
US9048624B2 (en) Semiconductor laser element and laser beam deflecting device
JP6747922B2 (ja) 半導体発光素子及び発光装置
JP5183555B2 (ja) 面発光レーザアレイ
KR20080049734A (ko) 2차원 포토닉 결정 면발광 레이저 광원
US9929311B2 (en) Semiconductor light emitting element and method for producing the same
WO2010128617A1 (en) Photonic crystal surface emitting laser
JP5721422B2 (ja) 面発光レーザ及びアレイ光源
JP5892534B2 (ja) 半導体レーザ素子
JP2006165309A (ja) 半導体レーザ素子
US8442086B2 (en) Photonic-crystal surface emitting laser, laser array using the laser, and image forming apparatus using the laser array
US9219348B2 (en) Edge-emitting semiconductor laser element
JP4310297B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP7103817B2 (ja) 半導体発光素子
US9130339B2 (en) End-face-emitting photonic crystal laser element
JP7515022B2 (ja) 放射線放出レーザダイオード、放射線放出レーザダイオードの導波路層列の屈折率を選択する方法、及び放射線放出レーザダイオードを製造する方法
King Gallium Arsenide Based Photonic Crystal Surface Emitting Lasers
Hong et al. Mode switching of high index contrast photonic crystal surface emitting lasers

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130909

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20131213

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20131218

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140902

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140930

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5627361

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees