JP2012060109A - 薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを備えた表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを備えた表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012060109A JP2012060109A JP2011171657A JP2011171657A JP2012060109A JP 2012060109 A JP2012060109 A JP 2012060109A JP 2011171657 A JP2011171657 A JP 2011171657A JP 2011171657 A JP2011171657 A JP 2011171657A JP 2012060109 A JP2012060109 A JP 2012060109A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- layer
- metal catalyst
- thin film
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 107
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 217
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 217
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 191
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 152
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 31
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 361
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 244
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 42
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 33
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 19
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 17
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 13
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 10
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 10
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910005881 NiSi 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 241000556720 Manga Species 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007715 excimer laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02672—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using crystallisation enhancing elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
- H01L21/3226—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering of silicon on insulator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
- H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
- H01L27/1277—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using a crystallisation promoting species, e.g. local introduction of Ni catalyst
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
- H01L29/78675—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Geometry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを備えた表示装置において、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に位置し、金属触媒を利用して結晶化された半導体層と、前記半導体層の上に絶縁配置されたゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置され、前記半導体層内で前記金属触媒より拡散係数が低い酸化金属で形成されたゲッター層とを含む。
【選択図】図3
Description
70 有機発光素子
80 キャパシタ
101、102 表示装置
111 基板本体
120 バッファ層
131 半導体層
135、235、335 ゲッター層
140、240、340 ゲート絶縁膜
146 ゲッタリングホール
151 ゲート電極
160 層間絶縁膜
166、167 コンタクトホール
176 ソース電極
177 ドレイン電極
910、920 駆動回路
CL キャパシタライン
DA 表示領域
DL データライン
GL ゲートライン
NA 非表示領域
PE 画素領域
VDD 共通電源ライン
Claims (32)
- 基板と、
前記基板上に位置し、金属触媒を利用して結晶化された半導体層と、
前記半導体層の上に絶縁配置されたゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置され、前記半導体層内で前記金属触媒より拡散係数が低い酸化金属で形成されたゲッター層(getter layer)とを含む薄膜トランジスタ。 - 前記ゲッター層の拡散係数は、0より大きく前記金属触媒の拡散係数の1/100以下である、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記基板と前記半導体層との間に配置されたバッファ層をさらに含み、
前記金属触媒は、前記バッファ層と前記半導体層との間に1.0e12atoms/cm2〜1.0e15atoms/cm2範囲内の面密度で散布する、請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記金属触媒は、前記半導体層の上に1.0e12atoms/cm2〜1.0e15atoms/cm2範囲内の面密度で散布する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記金属触媒は、ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)、チタニウム(Ti)、銀(Ag)、金(Au)、錫(Sn)、アンチモン(Sb)、銅(Cu)、コバルト(Co)、モリブデン(Mo)、テルビウム(Tb)、ルテニウム(Ru)、カドミウム(Cd)、及び白金(Pt)のうちの一つ以上を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲッター層は、スカンジウム(Sc)、チタニウム(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、クロミウム(Cr)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、マンガニーズ(Mn)、レニウム(Re)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、コバルト(Co)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ゲルマニウム(Ge)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、アルミニウム(Al)、窒化チタン(TiN)、及び窒化タンタル(TaN)のうちの一つ以上の金属やこれらのシリサイドで形成される、請求項1〜5のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲッター層と前記半導体層との間に配置されたゲート絶縁膜をさらに含む、請求項1〜6のうちのいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に形成されたソース電極と、前記層間絶縁膜の上に形成されて、前記ソース電極と離隔したドレイン電極とをさらに含む、請求項7に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記層間絶縁膜、前記ゲッター層、及び前記ゲート絶縁膜は、共に前記半導体層の一部をそれぞれ露出する複数のコンタクトホールを有し、
前記ソース電極及びドレイン電極は、前記複数のコンタクトホールを通じてそれぞれ前記半導体層と接触した、請求項8に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記ゲッター層と前記半導体層との間に前記半導体層と共にパターニングされたゲート絶縁膜をさらに含み、
前記ゲッター層は前記半導体層の側面と接触する、請求項1〜6のうちのいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記ゲッター層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜をさらに含み、
前記ゲッター層は前記半導体層と同一のパターンで前記半導体層と接触するように形成された、請求項1〜6のうちのいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。 - 基板を用意する段階と、
前記基板上に非晶質シリコン膜を形成する段階と、
前記非晶質シリコン膜を金属触媒を利用して結晶化して多結晶シリコン膜を形成する段階と、
前記多結晶シリコン膜をパターニングして半導体層を形成する段階と、
前記半導体層の上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の上に複数のゲッタリングホールを形成する段階と、
前記複数のゲッタリングホールを通じて前記半導体層と接触するように前記ゲート絶縁膜の上にゲッタリング用金属膜を形成する段階と、
熱処理工程を通じて前記ゲッタリング用金属膜を酸化させてゲッター層を形成しながら、前記半導体層に含まれている前記金属触媒の密度を減少させる段階と、
を含む薄膜トランジスタ製造方法。 - 前記ゲッター層の上に前記半導体層の一部と重畳するようにゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜、前記ゲッター層、及び前記ゲート絶縁膜を共に貫いて、前記半導体層の一部をそれぞれ露出する複数のコンタクトホールを形成する段階と、
前記複数のコンタクトホールを通じてそれぞれ前記半導体層と接触するように、前記層間絶縁膜の上にソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
をさらに含む、請求項12に記載の薄膜トランジスタ製造方法。 - 前記複数のコンタクトホールはそれぞれ前記複数のゲッタリングホールと重畳する、請求項13に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
- 前記複数のコンタクトホールが形成されながら、前記複数のゲッタリングホールを通じて前記半導体層と接触した前記ゲッター層の一部が除去される、請求項14に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
- 基板を用意する段階と、
前記基板上に非晶質シリコン膜を形成する段階と、
前記非晶質シリコン膜を金属触媒を利用して結晶化して多結晶シリコン膜を形成する段階と、
前記多結晶シリコン膜の上に絶縁物質を塗布する段階と、
前記多結晶シリコン膜及び前記絶縁物質を共にパターニングして、同一のパターンに形成された半導体層及びゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記半導体層の側面と接触するように前記ゲート絶縁膜の上にゲッタリング用金属膜を形成する段階と、
熱処理工程により前記ゲッタリング用金属膜を酸化させてゲッター層を形成しながら、前記半導体層に含まれている前記金属触媒の密度を減少させる段階と、
を含む薄膜トランジスタ製造方法。 - 基板を用意する段階と、
前記基板上に非晶質シリコン膜を形成する段階と、
前記非晶質シリコン膜を金属触媒を利用して結晶化して多結晶シリコン膜を形成する段階と、
前記多結晶シリコン膜の上にゲッタリング用金属膜を形成する段階と、
熱処理工程により前記ゲッタリング用金属膜を酸化させながら、前記半導体層に含まれている前記金属触媒の密度を減少させる段階と、
前記多結晶シリコン膜と酸化された前記ゲッタリング用金属膜とを共にパターニングして、同一のパターンに形成された半導体層及びゲッター層を形成する段階と、
前記ゲッター層の上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
を含む薄膜トランジスタ製造方法。 - 前記ゲッター層は、前記半導体層内で前記金属触媒より拡散係数が低い酸化金属で形成される、請求項12〜17のうちのいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
- 前記ゲッター層の拡散係数は、0より大きく前記金属触媒の拡散係数の1/100以下である、請求項12〜18のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
- 前記基板と前記非晶質シリコン膜との間にバッファ層を形成する段階をさらに含み、
前記金属触媒は、前記バッファ層と前記非晶質シリコン膜との間に1.0e12atoms/cm2〜1.0e15atoms/cm2範囲内の面密度で散布する、請求項12〜19のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ製造方法。 - 前記金属触媒は、前記非晶質シリコン膜の上に1.0e12atoms/cm2〜1.0e15atoms/cm2範囲内の面密度で散布する、請求項12〜19のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
- 前記金属触媒は、ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)、チタニウム(Ti)、銀(Ag)、金(Au)、錫(Sn)、アンチモン(Sb)、銅(Cu)、コバルト(Co)、モリブデン(Mo)、テルビウム(Tb)、ルテニウム(Ru)、カドミウム(Cd)、及び白金(Pt)のうちの一つ以上を含む、請求項12〜21のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
- 前記ゲッター層は、スカンジウム(Sc)、チタニウム(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、クロミウム(Cr)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、マンガニーズ(Mn)、レニウム(Re)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、コバルト(Co)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ゲルマニウム(Ge)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、アルミニウム(Al)、窒化チタン(TiN)、及び窒化タンタル(TaN)のうちの一つ以上の金属やこれらのシリサイドで形成される、請求項12〜22のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
- 前記熱処理工程は、摂氏400度〜摂氏993度の範囲内の温度で行われる、請求項12〜23のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
- 基板と、
前記基板上に位置し、金属触媒を利用して結晶化された半導体層と、
前記半導体層の上に絶縁配置されたゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置され、前記半導体層内で前記金属触媒より拡散係数が低い酸化金属で形成されたゲッター層と、
前記半導体層の一部と接触し、前記ゲート電極と離隔したソース電極と、
前記半導体層の一部と接触し、前記ゲート電極及びドレイン電極と離隔したドレイン電極と、
を含む表示装置。 - 前記ゲッター層と前記半導体層との間に配置されたゲート絶縁膜をさらに含む、請求項25に記載の表示装置。
- 前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に形成されたソース電極と、前記層間絶縁膜の上に形成され、前記ソース電極と離隔したドレイン電極とをさらに含む、請求項26に記載の表示装置。
- 前記層間絶縁膜、前記ゲッター層、及び前記ゲート絶縁膜は、共に前記半導体層の一部をそれぞれ露出する複数のコンタクトホールを有し、
前記ソース電極及びドレイン電極は、前記複数のコンタクトホールを通じてそれぞれ前記半導体層と接触する、請求項27に記載の表示装置。 - 前記ゲッター層と前記半導体層との間に、前記半導体層と同一のパターンに形成されたゲート絶縁膜をさらに含み、
前記ゲッター層は前記半導体層の側面と接触する、請求項25に記載の表示装置。 - 前記ゲッター層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜をさらに含み、
前記ゲッター層は、前記半導体層と同一のパターンで前記半導体層と接触するように形成される、請求項25に記載の表示装置。 - 前記ドレイン電極と接続された有機発光素子をさらに含む、請求項25〜30のうちのいずれか一項に記載の表示装置。
- 前記ドレイン電極と接続された画素電極と、前記画素電極の上に形成された液晶層と、前記液晶層の上に形成された共通電極とをさらに含む、請求項25〜30のうちのいずれか一項に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2010-0086577 | 2010-09-03 | ||
KR1020100086577A KR101733196B1 (ko) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012060109A true JP2012060109A (ja) | 2012-03-22 |
Family
ID=45770033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011171657A Pending JP2012060109A (ja) | 2010-09-03 | 2011-08-05 | 薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを備えた表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8507917B2 (ja) |
JP (1) | JP2012060109A (ja) |
KR (1) | KR101733196B1 (ja) |
TW (1) | TWI567993B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101961427B1 (ko) * | 2012-10-29 | 2019-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이를 제조하는 방법 |
CN103123910B (zh) * | 2012-10-31 | 2016-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
KR102089313B1 (ko) * | 2013-04-30 | 2020-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 |
JP6098017B2 (ja) * | 2014-02-17 | 2017-03-22 | エバーディスプレイ オプトロニクス(シャンハイ) リミテッド | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
KR102049081B1 (ko) * | 2016-08-19 | 2019-11-26 | 한양대학교 산학협력단 | 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 |
TWI699892B (zh) * | 2018-09-21 | 2020-07-21 | 友達光電股份有限公司 | 電子裝置及其製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000183352A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Sony Corp | シリコン層を有する基板とその製造方法、および半導体装置とその製造方法 |
JP2001024200A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001326364A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2003197529A (ja) * | 2002-12-13 | 2003-07-11 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2004327677A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Sharp Corp | 半導体膜およびその製造方法 |
JP2007173412A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2008270664A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2009049419A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Samsung Sdi Co Ltd | 薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3041177B2 (ja) | 1993-12-27 | 2000-05-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3645380B2 (ja) | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、投射型表示装置 |
US6180439B1 (en) | 1996-01-26 | 2001-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device |
JP3425392B2 (ja) | 1999-05-27 | 2003-07-14 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2001135573A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-18 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法およびその半導体装置 |
KR100488959B1 (ko) | 2002-03-08 | 2005-05-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조 방법 |
US7250356B2 (en) * | 2002-09-17 | 2007-07-31 | Agere Systems Inc. | Method for forming metal silicide regions in an integrated circuit |
KR100666564B1 (ko) | 2004-08-04 | 2007-01-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터의 제조 방법 |
JP2010508676A (ja) * | 2006-11-02 | 2010-03-18 | アイメック | 半導体デバイス層からの不純物の除去 |
KR100875432B1 (ko) | 2007-05-31 | 2008-12-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 다결정 실리콘층의 제조 방법, 이를 이용하여 형성된박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치 |
KR20080111693A (ko) | 2007-06-19 | 2008-12-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 다결정 실리콘층의 제조 방법, 이를 이용하여 형성된박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치 |
KR100889627B1 (ko) | 2007-08-23 | 2009-03-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 구비한유기전계발광표시장치 |
US7875878B2 (en) * | 2007-11-29 | 2011-01-25 | Xerox Corporation | Thin film transistors |
JP5540517B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2014-07-02 | 凸版印刷株式会社 | 画像表示装置 |
-
2010
- 2010-09-03 KR KR1020100086577A patent/KR101733196B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-08-05 JP JP2011171657A patent/JP2012060109A/ja active Pending
- 2011-08-15 US US13/209,617 patent/US8507917B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-29 TW TW100130875A patent/TWI567993B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000183352A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Sony Corp | シリコン層を有する基板とその製造方法、および半導体装置とその製造方法 |
JP2001024200A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001326364A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2003197529A (ja) * | 2002-12-13 | 2003-07-11 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2004327677A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Sharp Corp | 半導体膜およびその製造方法 |
JP2007173412A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2008270664A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2009049419A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Samsung Sdi Co Ltd | 薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201220506A (en) | 2012-05-16 |
US20120056189A1 (en) | 2012-03-08 |
KR101733196B1 (ko) | 2017-05-25 |
KR20120024025A (ko) | 2012-03-14 |
CN102386235A (zh) | 2012-03-21 |
TWI567993B (zh) | 2017-01-21 |
US8507917B2 (en) | 2013-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5399298B2 (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
TWI382471B (zh) | 多晶矽製造方法、以之製造之tft、tft製造方法及含該tft之有機發光二極體顯示裝置 | |
JP5090253B2 (ja) | 多結晶シリコン層の製造方法、これを利用して形成された薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機電界発光表示装置 | |
KR101015849B1 (ko) | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 | |
JP5497324B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法、薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置 | |
JP2012060109A (ja) | 薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを備えた表示装置 | |
JP5527874B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機電界発光表示装置 | |
JP5230699B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタのアクティブ層の製造方法、および表示装置 | |
US20110312135A1 (en) | Method of forming a polycrystalline silicon layer and method of manufacturing thin film transistor | |
KR101084242B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR100761082B1 (ko) | 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
TWI531072B (zh) | 薄膜電晶體、製造其之方法、具有薄膜電晶體之有機發光二極體顯示裝置及製造其之方法 | |
JP2013016779A (ja) | 薄膜トランジスタ、これを備えた表示装置、およびその製造方法 | |
JP5274341B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置 | |
JPWO2013008360A1 (ja) | 表示装置、表示装置に用いられる薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
CN102386235B (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法和利用该薄膜晶体管的显示设备 | |
JP2009135530A (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120921 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140604 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150603 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160202 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161206 |