JP2012054550A - メモリストリングにダイオードを有する3次元アレイのメモリアーキテクチャ - Google Patents
メモリストリングにダイオードを有する3次元アレイのメモリアーキテクチャ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012054550A JP2012054550A JP2011185098A JP2011185098A JP2012054550A JP 2012054550 A JP2012054550 A JP 2012054550A JP 2011185098 A JP2011185098 A JP 2011185098A JP 2011185098 A JP2011185098 A JP 2011185098A JP 2012054550 A JP2012054550 A JP 2012054550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- string
- memory
- line
- bit line
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 236
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 149
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 123
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 124
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 42
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 42
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 description 31
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 9
- 235000010957 calcium stearoyl-2-lactylate Nutrition 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 7
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 101100166255 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CEP3 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
- H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
- H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
- H10B63/84—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】3次元メモリデバイスは、絶縁材料によって分離され、復号化回路を介してセンスアンプに結合可能なストリングとして配置された複数の隆起した形状スタック含む。ダイオードは、ストリングのストリング選択端部又は共通ソース選択端部のどちらか一方においてビット線構造に接続される。導電材料の帯片は、隆起した形状のスタックのサイドに側面を有する。ワード線として配列された複数の導電線は、行デコーダに結合することができ、複数の隆起した形状のスタックの上で直交して延びる。記憶素子は、スタック上の電導性帯片の側面と導電線との間の交点における界面領域の多層アレイに設けられる。
【選択図】図1
Description
Claims (12)
- 集積回路基板と、
前記集積回路基板上に、隆起した形状を有し、絶縁材料によって複数の平面位置のうち異なる平面位置に分離された少なくとも2つの半導体材料帯片を含む複数の半導体材料帯片スタックと、
界面領域の3次元アレイが、前記複数のスタックの表面との間の交点に確立されるように、前記複数のスタックの上に直交して配列され、前記複数のスタックに共形の表面を有する複数のワード線と、
前記複数の半導体材料帯片及び前記複数ワード線を介してアクセス可能であり、ビット線構造とソース線との間のストリングに配列されるメモリセルの3次元アレイを確立する前記界面領域の記憶素子と、
前記メモリセルのストリングと、前記ビット線構造及び前記ソース線のうちの一方との間の前記ストリングに結合されるダイオードと、を備えるメモリデバイス。 - 前記ストリングは、NANDストリングであることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記ビット線構造のうちの特定のビット線、前記ソース線のうちの特定のソース線及び、前記複数のワード線のうちの特定のワード線を組み合わせて選択することで、前記メモリセルの3次元アレイのうちの特定のメモリセルを特定することを特徴とする請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記ダイオードは、前記メモリセルのストリングと前記ビット線構造との間又は、前記メモリセルのストリングと前記ソース線との間の前記ストリングに結合されることを特徴とする請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記ストリングデバイスが、前記複数のスタックの表面との間の交点に確立されるように、前記複数のスタックの上に直交して配列され、前記スタックに共形の表面を有するストリング選択線と、
前記グランド選択デバイスが、前記複数のスタックの表面との間の交点に確立されるように、前記複数のスタックの上に直交して配列され、前記スタックに共形の表面を有するグランド選択線と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリデバイス。 - 前記ダイオードは、前記ストリング選択デバイスと前記ビット線構造又は、前記グランド選択デバイスと前記ソース線との間に結合されることを特徴とする請求項5に記載のメモリデバイス。
- 前記界面領域における前記記憶素子はそれぞれ、トンネル層と、電荷トラップ層と、阻止層とを含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記半導体帯片は、n型シリコンを含み、前記ダイオードは、前記帯片にp型領域又は前記帯片に接触するp型プラグを含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記メモリセルのプログラミング中にメモリセルの非選択ストリングの前記ダイオードを逆バイアスするための論理を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリデバイス。
- 集積回路基板と、
前記集積回路基板上に、メモリセルのNANDストリングのスタックを含む、メモリセルの3次元アレイと、
前記メモリセルのストリングと、ビット線構造及びソース線のうちの一方との間のストリングに結合されるダイオードと、を備えるメモリデバイス。 - 書込みバイアス配列シーケンスを、ダイオードがメモリセルのストリングとビット線構造及びソース線構造のうちの一方との間となるように、前記ストリングに結合されたダイオードを有する前記3次元NAND型フラッシュメモリに適用する工程が含まれる、3次元NAND型フラッシュメモリの動作方法。
- 前記書込みバイアス配列シーケンスには、前記書込みバイアス配列によって書き込まれるべきメモリセルを含まない1本以上の前記非選択ストリングを1本以上の前記ソース線又は前記ビット線構造から1つ以上の前記ダイオードを介して又は介さず充電し、
前記ソース線構造と前記ビット線構造を、前記非選択ストリング及び前記書込みバイアス配列によって書き込まれるべき1つ以上のメモリセルを含む選択ストリングから滅結合し、
前記書込みバイアス配列によって書き込まれるべき1つ以上のメモリセルの1つ以上のワード線を介して、前記非選択ストリング及び前記選択ストリングに対して書込み電圧を印加することを特徴とする請求項11に記載の3次元NAND型フラッシュメモリの動作方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US37929710P | 2010-09-01 | 2010-09-01 | |
US61/379,297 | 2010-09-01 | ||
US13/011,717 US8659944B2 (en) | 2010-09-01 | 2011-01-21 | Memory architecture of 3D array with diode in memory string |
US13/011,717 | 2011-01-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012054550A true JP2012054550A (ja) | 2012-03-15 |
JP5977003B2 JP5977003B2 (ja) | 2016-08-24 |
Family
ID=45825443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011185098A Active JP5977003B2 (ja) | 2010-09-01 | 2011-08-26 | メモリストリングにダイオードを有する3次元アレイのメモリアーキテクチャ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5977003B2 (ja) |
KR (1) | KR20120022676A (ja) |
CN (1) | CN102386188B (ja) |
TW (1) | TWI427744B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014195034A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Macronix International Co Ltd | 3dnandフラッシュメモリ |
JP2020522130A (ja) * | 2017-05-31 | 2020-07-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 3d−nandデバイスでのワードライン分離のための方法 |
CN111725212A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 东芝存储器株式会社 | 半导体存储器装置 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9023723B2 (en) * | 2012-05-31 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Method of fabricating a gate-all-around word line for a vertical channel DRAM |
KR102025111B1 (ko) * | 2013-01-11 | 2019-09-25 | 삼성전자주식회사 | 전류 경로 선택 구조를 포함하는 3차원 반도체 장치 및 그 동작 방법 |
CN103928054B (zh) * | 2013-01-15 | 2017-08-15 | 旺宏电子股份有限公司 | 一种包含叠层式存储器结构的存储器及其操作方法 |
US9159814B2 (en) | 2013-03-26 | 2015-10-13 | Tsinghua University | Memory structure and method for forming same |
CN103151357A (zh) * | 2013-03-26 | 2013-06-12 | 清华大学 | 存储结构及其形成方法 |
KR101995910B1 (ko) * | 2013-03-26 | 2019-07-03 | 매크로닉스 인터내셔널 컴퍼니 리미티드 | 3차원 플래시 메모리 |
CN104112745B (zh) * | 2013-04-19 | 2017-10-20 | 旺宏电子股份有限公司 | 三维半导体结构及其制造方法 |
CN104347635B (zh) * | 2013-08-07 | 2017-07-14 | 旺宏电子股份有限公司 | 包括载子供应的半导体阵列排列 |
CN104576595B (zh) * | 2013-10-16 | 2017-08-15 | 旺宏电子股份有限公司 | 集成电路及其操作方法 |
KR102063529B1 (ko) * | 2013-12-13 | 2020-01-08 | 매크로닉스 인터내셔널 컴퍼니 리미티드 | 반도체 구조 및 그 제조 방법 |
CN104766862A (zh) * | 2014-01-06 | 2015-07-08 | 旺宏电子股份有限公司 | 三维存储器结构及其制造方法 |
US9190467B2 (en) | 2014-01-08 | 2015-11-17 | Macronix International Co., Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method of the same |
CN105826312B (zh) * | 2015-01-04 | 2019-01-11 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体元件及其制造方法 |
CN105990281B (zh) * | 2015-02-27 | 2018-06-22 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
KR102251815B1 (ko) * | 2015-07-02 | 2021-05-13 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 메모리 시스템 |
KR102432483B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2022-08-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 저장 장치 및 이의 구동 방법 |
CN107978674A (zh) * | 2016-10-25 | 2018-05-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 |
US9922987B1 (en) * | 2017-03-24 | 2018-03-20 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device containing separately formed drain select transistors and method of making thereof |
JP2020087495A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | キオクシア株式会社 | 半導体メモリ |
CN110061008B (zh) * | 2019-03-29 | 2020-11-17 | 长江存储科技有限责任公司 | 3d nand闪存及其制备方法 |
CN110896672B (zh) | 2019-03-29 | 2021-05-25 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器件及其制造方法 |
CN110896670B (zh) | 2019-03-29 | 2021-06-08 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器件及其制造方法 |
CN110914986B (zh) | 2019-03-29 | 2021-05-14 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器件及其制造方法 |
CN110896671B (zh) | 2019-03-29 | 2021-07-30 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器件及其制造方法 |
CN110914985B (zh) | 2019-03-29 | 2021-04-27 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器件及其制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008034456A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2008098641A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Samsung Electronics Co Ltd | Nandフラッシュメモリー装置及びその製造方法 |
JP2008181978A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2009135328A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7005350B2 (en) * | 2002-12-31 | 2006-02-28 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method for fabricating programmable memory array structures incorporating series-connected transistor strings |
US7335906B2 (en) * | 2003-04-03 | 2008-02-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase change memory device |
US20070253233A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-11-01 | Torsten Mueller | Semiconductor memory device and method of production |
-
2011
- 2011-06-08 TW TW100120044A patent/TWI427744B/zh active
- 2011-06-30 CN CN201110189096.7A patent/CN102386188B/zh active Active
- 2011-08-26 JP JP2011185098A patent/JP5977003B2/ja active Active
- 2011-09-01 KR KR1020110088261A patent/KR20120022676A/ko active Search and Examination
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008034456A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2008098641A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Samsung Electronics Co Ltd | Nandフラッシュメモリー装置及びその製造方法 |
JP2008181978A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2009135328A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014195034A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Macronix International Co Ltd | 3dnandフラッシュメモリ |
JP2020522130A (ja) * | 2017-05-31 | 2020-07-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 3d−nandデバイスでのワードライン分離のための方法 |
CN111725212A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 东芝存储器株式会社 | 半导体存储器装置 |
CN111725212B (zh) * | 2019-03-22 | 2024-01-23 | 铠侠股份有限公司 | 半导体存储器装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102386188A (zh) | 2012-03-21 |
JP5977003B2 (ja) | 2016-08-24 |
TW201212168A (en) | 2012-03-16 |
TWI427744B (zh) | 2014-02-21 |
CN102386188B (zh) | 2014-01-22 |
KR20120022676A (ko) | 2012-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5977003B2 (ja) | メモリストリングにダイオードを有する3次元アレイのメモリアーキテクチャ | |
US9214471B2 (en) | Memory architecture of 3D array with diode in memory string | |
JP5759285B2 (ja) | ストリング選択線及びビット線の改善されたコンタクトレイアウトを有する3次元メモリアレイ | |
US8503213B2 (en) | Memory architecture of 3D array with alternating memory string orientation and string select structures | |
US8467219B2 (en) | Integrated circuit self aligned 3D memory array and manufacturing method | |
JP2013016781A (ja) | メモリストリングにダイオードを有する3次元アレイのメモリアーキテクチャ | |
US8724390B2 (en) | Architecture for a 3D memory array | |
TWI531049B (zh) | 反及快閃記憶體及其熱載子生成和寫入方法 | |
TWI462116B (zh) | 具有改良串列選擇線和位元線接觸佈局的三維記憶陣列 | |
US20120182801A1 (en) | Memory Architecture of 3D NOR Array | |
US7411822B2 (en) | Nonvolatile memory cell arrangement | |
US20120182802A1 (en) | Memory Architecture of 3D Array With Improved Uniformity of Bit Line Capacitances | |
EP1884956B1 (en) | Non-volatile memory device having pass transistors and method of operating the same | |
JP2014135112A (ja) | Pチャネル3次元メモリアレイ | |
US9117526B2 (en) | Substrate connection of three dimensional NAND for improving erase performance | |
US9324728B2 (en) | Three-dimensional vertical gate NAND flash memory including dual-polarity source pads |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140627 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150310 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150609 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151124 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160317 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160721 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5977003 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |