JP2012043229A - ダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラム - Google Patents

ダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラム Download PDF

Info

Publication number
JP2012043229A
JP2012043229A JP2010184403A JP2010184403A JP2012043229A JP 2012043229 A JP2012043229 A JP 2012043229A JP 2010184403 A JP2010184403 A JP 2010184403A JP 2010184403 A JP2010184403 A JP 2010184403A JP 2012043229 A JP2012043229 A JP 2012043229A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dummy
mesh
wiring
dummy metal
information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010184403A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5516223B2 (ja
Inventor
Daisuke Fukuda
大輔 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2010184403A priority Critical patent/JP5516223B2/ja
Priority to US13/112,192 priority patent/US8356269B2/en
Publication of JP2012043229A publication Critical patent/JP2012043229A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5516223B2 publication Critical patent/JP5516223B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level
    • G06F30/398Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2119/00Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
    • G06F2119/18Manufacturability analysis or optimisation for manufacturability
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

【課題】配線オブジェクトの敷設方向に対してずれを持たせたダミーメタルの配置を評価すること。
【解決手段】ダミーメッシュ情報作成部21は、配線オブジェクトの方向に対してずれを設けて規則的に配置したダミーメタルのブロック群を、各メッシュ内のダミーメタルの配置が同一となるようにメッシュ形状に分割する。重複判定部23は、分割によって得られた複数のダミーメッシュについて、配線オブジェクトとメッシュ内のダミーメタルのブロックとの重複を判定する。判定の結果、配線オブジェクトと重複するダミーメタルのブロックを除去したダミー情報をダミー情報算出部25が算出し、情報統合部26が配線オブジェクトの情報と統合する。評価部27は、統合したダミー挿入後の回路レイアウトが設計基準を満たすかを評価する。
【選択図】図1

Description

本発明は、ダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラムに関する。
半導体集積回路の製造では、ウェハに対して露光、エッチング、堆積(メッキ)、研磨を繰り返して積層構造を構築することで、所望の回路を形成する。この時、一枚のウェハ上に複数の半導体集積回路を同時に形成することで、生産性を高めている。
特に近年では、ウェハ径を大きくして一度に作成する回路数を増大することが求められている。しかし、ウェハの大型化が進むにつれて、ウェハの中心部と周辺部とで均一な加工を施すことが難しくなる一方、回路の微細化が進められ、高精度な加工が要求されている。
例えば、近年主流の銅配線においては、絶縁物上に配線溝を生成し、これに銅メッキを施して溝を銅で埋めるECP( Electro-Chemical Plating)を行なっているが、配線溝と同時に絶縁物上全体をも銅メッキで覆ってしまうので、配線パターンを露出するための研磨にCMP(Chemical Mechanical Polishing)を用いる。
このCMPの結果、ウェハ上に大きな高低差が存在してしまうと、銅配線の高さばらつきや銅残りによる配線ショートなどが生じる。いずれの場合も、性能の劣化や歩留まりの低下が発生する。
CMPは、素材によって削れ易さに差がある。例えば、銅配線と絶縁層とでは銅配線の方がCMPによる削れが大きい。そこで従来、CMP後の高さばらつきを抑えるため、配線密度、すなわちチップ面積に占める配線の割合の均一化が重要であった。この配線密度は、配線が金属を素材として形成されることからメタル密度ともいう。また、CMP後の高さばらつきは、配線の周囲長にも影響を受ける。
配線密度や配線周囲長を均一化する技術として、ダミーメタル(ダミー配線)を挿入するダミーフィルが知られている。ダミーメタルは、配線密度が疎らな領域に実際の配線とは電気的に独立して挿入される。したがって、ダミーメタルは、電気的な配線としては動作せず、すなわち実際の配線によって形成された回路動作に影響を与えることなく、配線密度や配線周囲長を調節してCMPによる削れ量を調整することができる。
特開平11−265866号公報 特開2006−60051号公報 特開2000−340568号公報 特開平9−115905号公報 特開2005−222214号公報 特開2007−11729号公報
回路レイアウトの微細化に伴い、ダミーメタルのデータサイズも増大しており、ダミーメタルは規則的な配置で挿入することが求められる。また、積層した配線に生じる容量成分にばらつきが発生することを抑制するため、ダミーメタルは配線オブジェクトの敷設方向に対してずれを持たせた配置(千鳥配置)が好ましい。ここで、配線オブジェクトとは、配線として互いに接続し、電気回路の一部として機能するメタル領域を指す。この配線オブジェクトは、例えば幅を狭くすることで抵抗として機能し、絶縁体を挟んで配線オブジェクトを対向させることでコンデンサとして機能する。配線オブジェクトはレイアウト時に基準となるXY方向を規定して設計される。この配線オブジェクトのレイアウトの基準となる方向が配線オブジェクトの敷設方向である。
ダミーメタルを挿入する専用のツールを用いれば、配線オブジェクトの敷設方向に対してずれを持たせた配置が可能であるが、ダミーメタル挿入後の配線密度や配線周囲長が回路設計の基準を満たすかを別のツールで確認することとなる。このため、ダミーの挿入とレイアウトの確認がループし、適切なダミー配置を定めるまでに時間がかかるという問題点があった。
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、配線オブジェクトの敷設方向に対してずれを持たせたダミーメタルの配置を評価可能なダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラムを提供することを目的とする。
本願の開示するダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラムは、配線オブジェクトの方向に対してずれを設けて規則的に配置したダミーメタルのブロック群を、各メッシュ内のダミーメタルの配置が同一となるようにメッシュ形状に分割してダミーメッシュを作成する。開示の装置、方法、プログラムは、作成した複数のダミーメッシュについて、配線オブジェクトとメッシュ内のダミーメタルのブロックとの重複を判定する。開示の装置、方法、プログラムは、判定の結果、配線オブジェクトと重複するダミーメタルのブロックを除去したダミー情報を算出し、配線オブジェクトの情報とダミー情報とを統合したダミー挿入後の回路レイアウトが設計基準を満たすかを評価する。
本願に開示の装置、方法及びプログラムによれば、配線オブジェクトの敷設方向に対してずれを持たせたダミーメタルの配置を評価できる。
図1は、実施例1にかかるダミーメタル配置評価装置の構成図である。 図2は、ダミーメッシュの説明図である。 図3は、配線とダミーの配置の説明図である。 図4は、ダミーの配置についての説明図である。 図5は、ダミーメッシュの作成についての説明図である。 図6は、オブジェクト情報の算出についての説明図である。 図7は、配線オブジェクトとブロックの拡大操作についての説明図である。 図8は、重複判定の簡易化についての説明図である。 図9は、ダミーメタル配置評価装置の処理動作を説明するフローチャートである。 図10は、ダミーメタル配置評価装置41の動作の具体例の説明図である(その1)。 図11は、ダミーメタル配置評価装置41の動作の具体例の説明図である(その2)。 図12は、ダミーメタル配置評価装置41の動作の具体例の説明図である(その3)。 図13は、ダミーメタル配置評価装置41の動作の具体例の説明図である(その4)。 図14は、実施例2にかかるダミーメタル配置評価装置の構成図である。 図15は、配線密度メッシュとダミーメッシュについての説明図である。 図16は、配線密度メッシュと配線オブジェクトについての説明図である。 図17は、実施例2におけるダミーメタル配置評価装置の処理動作を説明するフローチャートである。 図18は、ダミーメタル配置評価装置42の動作の具体例の説明図である(その1)。 図19は、ダミーメタル配置評価装置42の動作の具体例の説明図である(その2)。 図20は、ダミーメタル配置評価装置42の動作の具体例の説明図である(その3)。 図21は、ダミーメタル配置評価装置42の動作の具体例の説明図である(その4)。 図22は、ブロックの有効、一部有効、無効の判断についての説明図である。 図23は、実施例3にかかるダミーメタル配置評価プログラムの説明図である。
以下に、本願の開示するダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラムの実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例は開示の技術を限定するものではない。
図1は、本実施例にかかるダミーメタル配置評価装置の構成図である。図1に示したダミーメタル配置評価装置41は、チップデータDI1、ダミー仕様DI2、設計基準DI3を使用し、使用ダミー情報DO1、チップ密度情報DO2を出力する。
また、ダミーメタル配置評価装置41は、ダミーメッシュ情報作成部21、オブジェクト情報算出部22、重複判定部23、オブジェクト拡大部24、ダミー情報算出部25、情報統合部26、評価部27を有する。
ダミーメッシュ情報作成部21は、配線オブジェクトの方向に対してずれを設けて規則的に配置したダミーメタルのブロック群を、メッシュ形状に分割してダミーメッシュを作成するダミーメッシュ作成部である。ダミーメッシュ情報作成部21は、各メッシュ内のダミーメタルの配置が同一となるようにダミーメッシュを作成する。ダミーメタルのブロックの配置は、ダミー仕様DI2から取得する。
オブジェクト情報算出部22は、各ダミーメッシュ内における配線オブジェクトの配線密度と配線周囲長を求める。配線オブジェクトの配置は、チップデータDI1から取得する。
オブジェクト拡大部24は、配線オブジェクトとダミーメタルとの間に設けるスペースの規定に対応して配線オブジェクトを太らせる。重複判定部23は、オブジェクト拡大部24によって拡大した配線オブジェクトとメッシュ内のダミーメタルのブロックとの重複を判定する。
ダミー情報算出部25は、重複判定部23による判定の結果、配線オブジェクトと重複するダミーメタルのブロックを除去してダミー情報を算出する。
情報統合部26は、メッシュ内に含まれる配線オブジェクトの情報とダミー情報とを統合し、ダミー挿入後の回路レイアウトにおける配線密度と配線周囲長を求める。評価部27は、ダミー挿入後の回路レイアウトにおける配線密度と配線周囲長が設計基準DI3を満たすかを評価する。
評価部27による評価の結果、ダミー挿入後の回路レイアウトにおける配線密度と配線周囲長が設計基準DI3を満たすならば、評価部27は、使用したダミーの情報である使用ダミー情報DO1を出力する。加えて、評価部27は、ダミー挿入後の回路レイアウトにおける配線密度と配線周囲長をチップ密度情報DO2として出力する。また、ダミー挿入後の回路レイアウトにおける配線密度と配線周囲長が設計基準DI3を満たさない場合、ダミーメタル配置評価装置41は、ダミー仕様DI2から異なるダミーメタルの配置を読み出すことで、使用するダミーメタルの配置を変更して再度処理を行なう。
図2は、ダミーメッシュの説明図である。図2に示したダミーメッシュでは、ダミーメッシュms1,ms2は各々17個分のダミーメタルのブロックであるダミーブロックを有する。ダミーメッシュms2では、メッシュの左上の隅にブロック1の左上の隅が重なっている。ブロック2〜5は、ブロック1から右下方向に同一量ずつずれた配置である。また、ブロック5については、右側がダミーメッシュms2の外部に突出している。
ブロック6〜9は、ブロック2〜5から右下方向にずれた配置である。同様に、ブロック10〜13は、ブロック6〜9から右下方向にずれた配置であり、同様に、ブロック14〜17は、ブロック10〜13から右下方向にずれた配置である。ブロック9は右側がダミーメッシュms2の外部に突出し、ブロック16,17は下側がダミーメッシュms2の外部に突出している。
ブロック5,9,16,17のダミーメッシュms2外部への突出分については、反対側の隣接メッシュからダミーメッシュms2の内部に同一形状の突出があるので、メッシュ内のブロックは17個分である。また、各メッシュについてブロックの配置は同一となる。
図3は、配線とダミーの配置の説明図である。配線オブジェクトL1,L2に対して図2に示したダミーメッシュを重ね合わせ、線オブジェクトL1,L2と重複しないブロックを配置していく。配線オブジェクトL1,L2に一部分でも重複したブロックは配置しない。このように、ブロック配置が同一のダミーメッシュについて、配線と重複するブロックのみを除去することとすれば、各ダミーメッシュについて除去すべきブロックを指定することで、ダミーの配置を一意に定めることができ、ダミー配置のデータサイズを小さくできる。
図4は、ダミーの配置についての説明図である。ダミーメタルを配線オブジェクトの敷設方向に対して揃えて(ずれを持たせず)配置する格子状の配置P1では、上層のメタル配線との重なりのばらつきが大きくなる。上層のメタル配線と大きく重なる場合には、配線の容量成分が大きくなり、上層のメタル配線との重なりが小さい場合には、配線の容量成分が小さくなる。このように配線容量がばらつくことによって、最悪値が大きくなる。
これに対して、配線オブジェクトの敷設方向に対してずれを持たせたダミーメタルの配置P2(千鳥配置)では、上層のメタル配線との重なりのばらつきが小さくなる。このため、配線容量がばらつくことを抑制し、歩留まりを向上することができる。
図5は、ダミーメッシュの作成についての説明図である。ダミーメタルのブロックの幅をx,高さをy,ブロック間のx方向のスペースをsx,ブロック間のy方向のスペースをsy,ブロック間のx方向のオフセットをox,ブロック間のy方向のオフセットをoyとすると、ダミーメッシュの幅(x方向の長さ)であるMesh size(x)とダミーメッシュの高さ(y方向の長さ)Mesh size(y) は、
Mesh size(x) : (x + sx)*(y + sy) / oy *α + ox
Mesh size(y) : (y + sy)*(x + sx) / ox *β + oy
である。ここで、αは(y+sy)/oyが整数になるような定数であり、βは(x+sx)/oxが整数になるような定数である。このようなα、βを用いることで、各メッシュ内のダミーブロックの配置を等しくすることができる。
一例として、
x=y=0.7, sx=sy=0.3, ox=oy=0.2 であれば、
mesh size = (0.7+0.3) * (0.7+0.3)/0.2 * 1 + 0.2 = 5.2 であり、
x = y = 0.6, sx=sy=0.2, ox=oy=0.3 であれば、
mesh size = (0.6+0.2) * (0.6+0.2)/0.3 * 3 + 0.3 = 6.7
となる。
図6は、オブジェクト情報の算出についての説明図である。オブジェクト情報算出部22は、ダミーメッシュ情報作成部21からダミーメッシュの位置情報を取得し、チップデータDI1から配線オブジェクトのレイアウトを取得する。オブジェクト情報算出部22は、各ダミーメッシュと重なる配線オブジェクトを抽出し、各ダミーメッシュにおける配線オブジェクトの配線密度と配線周囲長をオブジェクト情報として算出する。図6に示した例では、配線オブジェクトL1,L2がダミーメッシュms1〜3と重なっている。
図7は、配線オブジェクトとブロックの拡大操作についての説明図である。ダミーメタルのブロックを配置する場合、ダミーメタルと配線との間に設けるべき間隔がスペーシングルールとして設定されている。オブジェクト拡大部24は、説明図F1に示したように、配線オブジェクトを下方向と右方向にスペーシングルール分だけ太らせて拡大し、配線オブジェクトを上方向と左方向にスペーシングルールからダミーブロック間のオフセット分を減じた分だけ太らせて拡大する。
重複判定部23は、オブジェクト拡大部24によって拡大された配線オブジェクトとダミーメッシュ内のブロックとの重複を判定する。重複判定部23は、説明図F2に示したように、拡大された配線オブジェクトと重複するブロックはNGとして除去し、重複しないブロックをOKとして残す。この時、各ブロックは右方向と下方向にオフセット分太らせておく。ダミーのブロックの拡大を説明図F3に示す。拡大したブロックは、他のダミーメッシュ側に突出して、他のダミーメッシュと重複しても良い。また、説明図F3に示した破線部は、隣接メッシュの判定時に判定が行なわれる。
配線オブジェクトとダミーのブロックとの重複判定には、一般的な図形演算を用いることができる。既に述べたように各ダミーメッシュ内部は等しいので、重複判定を簡易化することができる。例えば、図8では左右いずれのダミーメッシュも重なりは等しい。
重複判定部23は、重複判定の結果、ダミーメッシュ内の各ブロックについてOKかNGかを記録する。ダミーメッシュの辺縁部のブロックについては、隣接ダミーメッシュを参照する。
ダミー情報算出部25は、各ダミーメッシュ内のOKを記録したブロックからダミーメッシュ内の配線密度と配線周囲長とを求める。また、オブジェクト情報算出部22は、各ダミーメッシュ内の拡大前の配線オブジェクトを用いて各ダミーメッシュ内の配線密度と配線周囲長とを求める。
情報統合部26は、ダミー情報算出部25が算出したダミーの配線密度とオブジェクト情報算出部22が算出した配線オブジェクトの配線密度を合算し、各ダミーメタル内のトータルの配線密度を求める。同様に、情報統合部26は、ダミー情報算出部25が算出したダミーの配線周囲長とオブジェクト情報算出部22が算出した配線オブジェクトの配線周囲長を合算し、各ダミーメタル内のトータルの配線周囲長を求める。
評価部27は、情報統合部26が統合したトータルの配線密度と配線周囲長が、設計基準DI3を満たすかを判定する。設計基準DI3には、配線密度や配線周囲長の上下限、許容可能なばらつきの範囲などが規定されている。
図9は、ダミーメタル配置評価装置の処理動作を説明するフローチャートである。処理が開始すると、ダミーメッシュ情報作成部21は、ダミー仕様DI2に基づいてダミーメッシュを作成する(S101)。オブジェクト情報算出部22は、ダミーメッシュの位置情報とチップデータDI1からダミーメッシュ内の配線オブジェクトの配線密度と配線周囲長を算出する(S102)。オブジェクト拡大部24は、ダミー仕様DI2に定められたダミールールとスペーシングルールに基づいて配線オブジェクトを太らせて拡大する(S103)。
重複判定部23は、拡大された配線オブジェクトとダミーブロックの重複をチェックする(S104)。ダミー情報算出部25は、拡大された配線オブジェクトと重複しないブロックからダミーによる配線密度と配線周囲長とを算出する(S105)。情報統合部26は、配線オブジェクトとダミーの情報を統合する(S106)。評価部27は、統合した情報が設計基準DI3を満たしたかを評価する(S107)。設計基準DI3を満たしていない場合(S107,No)、ダミーメタル配置評価装置41は、再びステップS101に戻り、別のダミールールを選択してダミーメッシュを作成する。
設計基準DI3を満たした場合(S107,Yes)、評価部27は、使用したダミーの情報である使用ダミー情報DO1とチップ密度情報DO2を出力して(S108)、処理を終了する。
つぎに、具体例を挙げてダミーメタル配置評価装置41の動作を説明する。図10に示した図で、中央のメッシュを着目メッシュとし、ダミーメッシュのサイズを6.3 × 6.3μm、ダミーブロックのx,yをそれぞれ1.2μm、ダミースペースsx,syをそれぞれ0.3μm、オフセットox,oyをそれぞれ0.375μmとする。
ダミーメッシュは、何層目かを示す[layer]、層上の位置を示す[x],[y]によって特定される。また、各ダミーメッシュは、x, y 、ダミーメッシュ全体の銅密度(%)を示すDens 、配線オブジェクト分の銅密度を示すDens1、ダミー分の銅密度を示すDens2の項目をデータとして有する。同様に、各ダミーメッシュは、ダミーメッシュ全体の配線周囲長(μm)を示すEdge length、配線オブジェクト分の配線周囲長を示すEdge length1、ダミー分の配線周囲長を示すEdge length2、各ダミーブロックがOKであるかNGであるかを示すblockの項目を有する。
図10に示した例では、配線オブジェクトL1,L2が配置され、ダミーは未配置である。したがって、ダミーに関する情報は登録されておらず、
Dens 12.7%
Dens1 12.7%
Dens2 0%
Edge length 12.6um
Edge length1 12.6um
Edge length2 0um
block (未登録)
となる。
図10に示した配線オブジェクトL1,L2を図11に示したように太らせ、太らせた配線オブジェクトと重ならないようにブロックを残す。図12は配線オブジェクトとブロックとともに示し、図13はブロックのみを示す図である。中央の着目ダミーメッシュでは、9番目のブロック9から17番目のブロック17までが配置され、1番目のブロック1から8番目のブロック8までは配置されていない。配置したブロックは重複判定の結果がOKのブロックであり、blockの項目に値1で登録される。また、配置されなかった(除去された)ブロックは重複判定の結果がNGのブロックであり、blockの項目に値0で登録される。
従って、ダミー分の銅密度は、 (1.2×1.2)×9(個)/(6.3×6.3) = 32.65%、
ダミー分の配線周囲長は、 (1.2×4)×9(個) = 43.2
となる。
このダミーブロックの情報を加えると、上述したダミーメッシュの情報は、
Dens 45.35%
Dens1 12.7%
Dens2 32.65%
Edge length 55.8um
Edge length1 12.6um
Edge length2 43.2um
block 00000000111111111
となる。
上述してきたように、本実施例に開示したダミーメタル配置評価装置41は、配線オブジェクトの方向に対してずれを設けて規則的に配置したダミーメタルのブロック群を、各メッシュ内のダミーメタルの配置が同一となるようにメッシュ形状に分割する。ダミーメタル配置評価装置41は、分割によって得られた複数のダミーメッシュについて、配線オブジェクトとメッシュ内のダミーメタルのブロックとの重複を判定する。ダミーメタル配置評価装置41は、判定の結果、配線オブジェクトと重複するダミーメタルのブロックを除去したダミー情報を算出し、配線オブジェクトの情報と統合してダミー挿入後の回路レイアウトが設計基準を満たすかを評価する。
このように本実施例に開示したダミーメタル配置評価装置41は、配線オブジェクトの敷設方向に対してずれを持たせたダミーメタルの配置を評価できる。そのため、ダミーメタルを挿入するツールと回路レイアウトを評価するツールをそれぞれ用いる場合に比して、適切なダミー配置を定めるまでの所要時間を短縮し、密度の見積もり精度を向上することができる。なお、オフセットが一方のみ、もしくは無しのダミーのパターンについても計算可能である。
図14は、本実施例2にかかるダミーメタル配置評価装置の構成図である。図14に示したダミーメタル配置評価装置42は、チップデータDI1を用いて配線密度メッシュを作成する配線密度メッシュ情報作成部31を有し、配線密度メッシュとダミーメッシュを個別に作成する。そしてオブジェクト情報算出部22が配線密度メッシュ内の配線密度と配線周囲長とを求める点が実施例1と異なる。その他の構成及び動作は実施例1と同様であるので、同一の構成要素には同一の符号を伏して説明を省略する。
図15は、配線密度メッシュとダミーメッシュについての説明図である。図15に示したように、実施例2では、配線など固定のオブジェクトの密度を求める配線密度メッシュ(density mesh)md1と、ダミーメタルの有無を求めるダミーメッシュms1を別にしている。
挿入するダミーのパターンを変更するとダミーメッシュのサイズも変更されるので、実施例1では、変更後のダミーメッシュで改めて配線オブジェクト部分の配線密度や配線周囲長を求めることとなる。これに対し、配線密度メッシュ(Density mesh)を固定サイズで求めておけば、その手間が省くことができる。また、ユーザの所望のサイズで配線密度や配線周囲長を計算することができる。
実施例2では、配線オブジェクト部分の配線密度や配線周囲長を求める場合に、図16に示すように、配線密度メッシュ(density mesh)md1〜3の各メッシュに含まれる配線オブジェクトL1,L2の配線密度と配線周囲長を求める。
図17は、実施例2におけるダミーメタル配置評価装置の処理動作を説明するフローチャートである。処理が開始すると、まず、配線密度メッシュ情報作成部31がチップデータDI1から配線密度メッシュを作成し(S201)、オブジェクト情報算出部22が配線密度メッシュごとの配線オブジェクトの配線密度と配線周囲長を算出する(S202)。
つぎに、ダミーメッシュ情報作成部21は、ダミー仕様DI2に基づいてダミーメッシュを作成する(S203)。オブジェクト拡大部24は、ダミー仕様DI2に定められたダミールールとスペーシングルールに基づいて配線オブジェクトを太らせて拡大する(S204)。
重複判定部23は、拡大された配線オブジェクトとダミーブロックの重複をチェックする(S205)。ダミー情報算出部25は、拡大された配線オブジェクトと重複しないブロックからダミーによる配線密度と配線周囲長とを算出する(S206)。情報統合部26は、配線オブジェクトとダミーの情報を統合する(S207)。評価部27は、統合した情報が設計基準DI3を満たしたかを評価する(S208)。設計基準DI3を満たしていない場合(S208,No)、ダミーメタル配置評価装置42は、再びステップS203に戻り、別のダミールールを選択してダミーメッシュを作成する。
設計基準DI3を満たした場合(S208,Yes)、評価部27は、使用したダミーの情報である使用ダミー情報DO1とチップ密度情報DO2を出力して(S209)、処理を終了する。
つぎに、具体例を挙げてダミーメタル配置評価装置42の動作を説明する。図18に示したように、ダミーメタル配置評価装置42は、配線オブジェクトL1,L2に対して配線密度メッシュmd0〜3を重ね合わせ、配線オブジェクトL1,L2を太らせる。
また、ダミーメタル配置評価装置42は、図19に示したように、配線オブジェクトL1,L2および配線密度メッシュmd0〜3に対し、ダミーメッシュを重ね合わせる。
ダミーメタル配置評価装置42は、図20に示したように、ダミーメッシュごとに拡大した配線オブジェクトと重複しないブロックを配置する。その後、図21に示したように、ダミーメッシュと配線密度メッシュとの位置関係に基づいて、配線密度メッシュにおけるダミーの数を求める。
図21に示した例では、着目した配線密度メッシュは、ダミーメッシュA〜Iと重複部分を有する。ダミーメッシュA,Bのブロック16,17は一部有効、すなわち一部が着目した配線密度メッシュ内に入っている。ダミーメッシュCのブロックのうち、着目した配線密度メッシュ内に入っている有効なブロックはない。
ダミーメッシュDのブロック9,12,13,16,17は、着目した配線密度メッシュ内に入っている有効なブロックである。ダミーメッシュEのブロックのうち、ブロック10〜17は有効なブロックであり、ブロック9は一部有効なブロックである。ダミーメッシュFのブロックのうち、ブロック14は一部有効である。そして、ダミーメッシュG,H,Iには、有効なブロックがない。
以上を総合し、ダミーブロックのx,yをそれぞれ1.2μm、ダミースペースsx,syをそれぞれ0.3μm、オフセットox,oyをそれぞれ0.375μm、ダミーメッシュのサイズを6.3×6.3とすると、
配線密度メッシュのダミーブロックの密度は、
(1.2×1.2)×(13個+一部有効分2.0625個)/(10×10)
=21.69%
となる。
また、配線密度メッシュのダミーブロックの配線周囲長は、
(1.2×4)×13個+一部有効分 4.7
=67.1
となる。
したがって、配線密度メッシュの情報は、
Data [layer][global mesh x番号][global mesh y番号]
x, y
Dens(全体の銅密度) 31.69%
Dens1(配線オブジェクト分の銅密度)10%
Dens2(ダミーブロック分の銅密度) 21.69%
Edge length(全体の配線周囲長) 107.1um
Edge length1(配線オブジェクト分の配線周囲長) 40um
Edge length2(ダミーブロック分の配線周囲長) 67.1um
となる。
図22は、ブロックの有効、一部有効、無効の判断についての説明図である。ブロックの配線密度メッシュに対する有効性を判定する場合、各ダミーメッシュで、配線密度メッシュの境界を調べる。例えば、ダミーメッシュGでは、領域座標 x>3.7um, y<3.7umとなる。ダミーメッシュ内のダミーブロックの座標情報から、領域に含まれる、すなわち有効なダミーブロックや領域をまたぐ、すなわち一部有効なダミーブロックを求めることができる。
上述してきたように、本実施例2に開示したダミーメタル配置評価装置42は、実施例1と同様に、配線オブジェクトの敷設方向に対してずれを持たせたダミーメタルの配置を評価できる。そのため、ダミーメタルを挿入するツールと回路レイアウトを評価するツールをそれぞれ用いる場合に比して、適切なダミー配置を定めるまでの所要時間を短縮し、密度の見積もり精度を向上することができる。
加えて、本実施例2に開示したダミーメタル配置評価装置42は、配線密度メッシュとダミーメッシュとをそれぞれ作成することで、使用するダミーパターンを変更する場合であっても配線オブジェクトの配線密度と配線周囲長を再計算する必要がない。このため、適切なダミー配置を定めるまでの所要時間をさらに短縮することができる。また、配線密度メッシュは任意のサイズで作成できるため、ユーザの求めるサイズに合わせて配線密度と配線周囲長の評価を行なうことができる。
図23は、ダミーメタル配置評価プログラムの説明図である。図23に示したコンピュータ51は、CPU(Central Processing Unit)52、メモリ53、HDD(Hard Disk Drive)54を有する。
HDD54は、磁気ディスクにダミーメタル配置評価プログラム60を保持する。コンピュータ51がダミーメタル配置評価プログラム60をメモリ53に展開して実行すると、ダミーメッシュ情報作成プロセス61、オブジェクト情報算出プロセス62、重複判定プロセス63、オブジェクト拡大プロセス64、ダミー情報算出プロセス65、情報統合プロセス66、評価プロセス67が実行されることとなる。
ダミーメッシュ情報作成プロセス61は、図1に示したダミーメッシュ情報作成部21に対応する処理を行なう。オブジェクト情報算出プロセス62は、図1に示したオブジェクト情報算出部22に対応する処理を行なう。重複判定プロセス63は、図1に示した重複判定部23に対応する処理を行なう。オブジェクト拡大プロセス64は、図1に示したオブジェクト拡大部24に対応する処理を行なう。ダミー情報算出プロセス65は、図1に示したダミー情報算出部25に対応する処理を行なう。情報統合プロセス66は、図1に示した情報統合部26に対応する処理を行なう。評価プロセス67は、図1に示した評価部27に対応する処理を行なう。
このように、コンピュータ51は、ダミーメタル配置評価プログラム60を読み出して実行することで、ダミーメタル配置評価装置41と同様に動作することができる。なお、各プロセスが使用するデータはインタフェースボードなどを介して外部から取得することができ、また、各プロセスが出力するデータはインタフェースボードなどを介して外部に出力することができる。なお、図23ではHDDにプログラムを格納する場合を例に説明したが、CD(Compact Disc)など任意の記録媒体をプログラムの格納先として用いることができる。
1〜17 ブロック
21 ダミーメッシュ情報作成部
22 オブジェクト情報算出部
23 重複判定部
24 オブジェクト拡大部
25 ダミー情報算出部
26 情報統合部
27 評価部
31 配線密度メッシュ情報作成部
41〜42 ダミーメタル配置評価装置
51 コンピュータ
52 CPU
53 メモリ
54 HDD
61 ダミーメッシュ情報作成プロセス
62 オブジェクト情報算出プロセス
63 重複判定プロセス
64 オブジェクト拡大プロセス
65 ダミー情報算出プロセス
66 情報統合プロセス
67 評価プロセス
DI1 チップデータ
DI2 ダミー仕様
DI3 設計基準
DO1 使用ダミー情報
DO2 チップ密度情報
ms1〜3 ダミーメッシュ
md0〜3 配線密度メッシュ
L1,L2 配線オブジェクト

Claims (5)

  1. 配線オブジェクトの方向に対してずれを設けて規則的に配置したダミーメタルのブロック群を、各メッシュ内のダミーメタルのブロックの配置が同一となるようにメッシュ形状に分割してダミーメッシュを作成する作成手順と、
    作成した前記ダミーメッシュ内のダミーメタルのブロックと前記配線オブジェクトとの重複の判定を行う判定手順と、
    前記判定の結果、前記配線オブジェクトと重複するダミーメタルのブロックを除去したダミー情報を算出する算出手順と、
    前記配線オブジェクトの情報と前記ダミー情報とを統合して得られる、ダミー挿入後の回路レイアウトが設計基準を満たすかを評価する評価手順と
    をコンピュータに実行させることを特徴とするダミーメタル配置評価プログラム。
  2. 前記配線オブジェクトをメッシュ形状に分割して配線メッシュを作成する配線メッシュ作成手順をさらにコンピュータに実行させ、
    前記判定手順は、前記ダミーメッシュと前記配線メッシュとの位置関係を用いて、前記配線オブジェクトと前記ダミーメタルのブロックとの重複を判定することを特徴とする請求項1に記載のダミーメタル配置評価プログラム。
  3. 前記配線オブジェクトと前記ダミーメタルとの間に設けるスペースの規定に対応して前記配線オブジェクトを太らせるオブジェクト拡大手順をさらにコンピュータに実行させ、 前記判定手順は、オブジェクト拡大手順によって拡大した配線オブジェクトと前記ダミーメタルのブロックとの重複を判定することを特徴とする請求項1または2に記載のダミーメタル配置評価プログラム。
  4. 配線オブジェクトの方向に対してずれを設けて規則的に配置したダミーメタルのブロック群を、各メッシュ内のダミーメタルのブロックの配置が同一となるようにメッシュ形状に分割してダミーメッシュを作成する作成ステップと、
    作成した前記ダミーメッシュ内のダミーメタルのブロックと前記配線オブジェクトとの重複の判定を行う判定ステップと、
    前記判定の結果、前記配線オブジェクトと重複するダミーメタルのブロックを除去したダミー情報を算出する算出ステップと、
    前記配線オブジェクトの情報と前記ダミー情報とを統合して得られる、ダミー挿入後の回路レイアウトが設計基準を満たすかを評価する評価ステップと
    を含んだことを特徴とするダミーメタル配置評価方法。
  5. 配線オブジェクトの方向に対してずれを設けて規則的に配置したダミーメタルのブロック群を、各メッシュ内のダミーメタルのブロックの配置が同一となるようにメッシュ形状に分割してダミーメッシュを作成する作成部と、
    作成した前記ダミーメッシュ内のダミーメタルのブロックと前記配線オブジェクトとの重複の判定を行う判定部と、
    前記判定の結果、前記配線オブジェクトと重複するダミーメタルのブロックを除去したダミー情報を算出する算出部と、
    前記配線オブジェクトの情報と前記ダミー情報とを統合して得られる、ダミー挿入後の回路レイアウトが設計基準を満たすかを評価する評価部と
    を備えたことを特徴とするダミーメタル配置評価装置。
JP2010184403A 2010-08-19 2010-08-19 ダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラム Expired - Fee Related JP5516223B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010184403A JP5516223B2 (ja) 2010-08-19 2010-08-19 ダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラム
US13/112,192 US8356269B2 (en) 2010-08-19 2011-05-20 Dummy-metal-layout evaluating device and dummy-metal-layout evaluating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010184403A JP5516223B2 (ja) 2010-08-19 2010-08-19 ダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012043229A true JP2012043229A (ja) 2012-03-01
JP5516223B2 JP5516223B2 (ja) 2014-06-11

Family

ID=45595062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010184403A Expired - Fee Related JP5516223B2 (ja) 2010-08-19 2010-08-19 ダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8356269B2 (ja)
JP (1) JP5516223B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5551409B2 (ja) * 2009-10-23 2014-07-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の設計方法、設計装置、設計プログラム及び半導体装置
JP6617394B2 (ja) * 2015-12-18 2019-12-11 ローム株式会社 半導体装置
CN107153720B (zh) * 2016-03-02 2020-10-16 中国科学院微电子研究所 一种冗余金属填充的方法及系统
KR102458359B1 (ko) * 2018-01-31 2022-10-25 삼성전자주식회사 적응적 메탈 필을 이용한 레이아웃 설계 방법 및 이에 기반하여 제조되는 반도체 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267322A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2004039951A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Fujitsu Ltd 半導体装置の設計方法、半導体装置の設計プログラム及び半導体装置の設計装置
JP2004235357A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Nec Electronics Corp 半導体装置及びそのダミーパターンの配置方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09115905A (ja) 1995-10-23 1997-05-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd ダミーパターンの設計方法
US6093631A (en) 1998-01-15 2000-07-25 International Business Machines Corporation Dummy patterns for aluminum chemical polishing (CMP)
JP2000340568A (ja) 1999-03-19 2000-12-08 Toshiba Corp 半導体装置
JP3539337B2 (ja) * 2000-03-17 2004-07-07 セイコーエプソン株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2003324149A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nec Electronics Corp ダミーパターンの自動発生方法
US6892363B2 (en) * 2002-07-23 2005-05-10 Sun Microsystems, Inc. Correction of width violations of dummy geometries
JP4284202B2 (ja) 2004-02-04 2009-06-24 パナソニック株式会社 面積率/占有率検証プログラム及びパターン生成プログラム
JP4488837B2 (ja) 2004-08-20 2010-06-23 株式会社東芝 半導体装置並びにそのパターン設計方法及びパターン設計用プログラム
JP4414899B2 (ja) * 2005-01-17 2010-02-10 Okiセミコンダクタ株式会社 ダミーメタルの配置方法
JP2007011729A (ja) 2005-06-30 2007-01-18 Toshiba Corp ダミーセル挿入装置およびダミーセル挿入方法
US8912657B2 (en) * 2006-11-08 2014-12-16 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
US7777340B2 (en) * 2006-11-08 2010-08-17 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267322A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2004039951A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Fujitsu Ltd 半導体装置の設計方法、半導体装置の設計プログラム及び半導体装置の設計装置
JP2004235357A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Nec Electronics Corp 半導体装置及びそのダミーパターンの配置方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8356269B2 (en) 2013-01-15
JP5516223B2 (ja) 2014-06-11
US20120047472A1 (en) 2012-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9563731B2 (en) Cell boundaries for self aligned multiple patterning abutments
CN105556657B (zh) 用于半导体器件的后段制成制造的反向自对准双图案化工艺
TWI327368B (en) Multilayered integrated circuit with extraneous conductive traces
JP5516223B2 (ja) ダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラム
US20060203531A1 (en) Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit, a program for a computer automated design system, and a semiconductor integrated circuit
US6581195B2 (en) Method and apparatus for extracting parasitic element of semiconductor circuit
JP2008059553A (ja) 半導体装置に対する同時動作信号ノイズ見積り方法、半導体装置の設計方法、pcb基板の設計方法、およびプログラム
JP4817746B2 (ja) 半導体装置の設計データ処理方法、そのプログラム、及び半導体装置の製造方法
CN105895578A (zh) 形成掩模的方法
US20080315365A1 (en) Method for designing dummy pattern, exposure mask, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and storage medium
CN106575638A (zh) 具有至少部分地由保护结构来限定的气隙的半导体器件
US20170352623A1 (en) Integrated circuit having staggered conductive features
JP5217566B2 (ja) 研磨予測評価装置、研磨予測評価方法、研磨予測評価プログラム
JP5515816B2 (ja) 研磨予測評価装置、研磨予測評価方法、研磨予測評価プログラム、過研磨条件算出装置、過研磨条件算出方法及び過研磨条件算出プログラム
JP2010073137A (ja) 半導体集積回路設計方法及び設計プログラム
JP2005347692A (ja) 自動設計方法及び半導体集積回路
JP2009182056A (ja) 半導体装置の設計方法、設計装置及びプログラム
JP2007088178A (ja) ダブル・ビア・セルの配置方法
JP4668974B2 (ja) 半導体装置の設計方法、半導体装置設計システム及びコンピュータプログラム
JP2006278613A (ja) 半導体装置の設計方法
JP2012146845A (ja) ダミーパターンの設計方法
JP2008235623A (ja) 半導体装置の平坦化方法および半導体装置の平坦化システム
US8513777B2 (en) Method and apparatus for generating reticle data
JP2008283087A (ja) 半導体集積回路の設計方法、それを実行させるプログラム、及び半導体集積回路
JP2008305814A (ja) 半導体装置の設計方法及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130604

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131126

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140304

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140317

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5516223

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees