JP2012028841A - 撮像装置、制御装置及び撮像装置の制御方法 - Google Patents

撮像装置、制御装置及び撮像装置の制御方法 Download PDF

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Abstract

【課題】駆動デバイスの駆動に起因したノイズの影響を確実に抑える。
【解決手段】本発明に係る撮像装置100は、被写体像を電荷情報に光電変換する撮像素子21と、手振れ補正用の補正レンズ113aを駆動するアクチュエータ113bと、撮像素子21から電荷情報を読み出すタイミングで、アクチュエータ113bの駆動周波数を変更する制御部50と、を備える。この構成により、アクチュエータ113bの駆動に応じた磁気被り現象によるノイズが電荷情報に影響を与えることを確実に抑止することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、撮像装置、制御装置及び制御方法に関する。
従来、例えば下記の特許文献1には、撮像レンズの駆動に起因したノイズが画像信号に乗ってしまうことを防止するため、画像用行の画素の画像信号の読み出し期間に撮像レンズの駆動を行わないようにする技術が記載されている。
また、下記の特許文献2、非特許文献1には、列並列型のADCを搭載したCMOSイメージセンサが記載されている。
特開2008−118378号公報 特開2005−278135号公報
W. Yang等 (W. Yang et. Al., "An Integrated800x600 CMOS Image System," ISSCC Digest of Technical Papers, pp. 304-305、 Feb., 1999)
しかしながら、画像信号の読み出し期間に撮像レンズの駆動を行わないようにすると、制御が復帰するまでに時間を要し、次の撮影に制約が生じてしまう問題が発生する。また、動画撮影時においては、画像信号の読み出し期間においても継続して撮影が行われるため、撮像レンズの駆動を行わないようにすることは困難である。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、駆動デバイスの駆動に起因したノイズの影響を確実に抑えることが可能な、新規かつ改良された撮像装置、制御装置及び撮像装置の制御方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、被写体像を電荷情報に光電変換する撮像素子と、撮像に係る駆動部位を駆動する駆動デバイスと、前記撮像素子から前記電荷情報を読み出すタイミングで、前記駆動デバイスの駆動周波数を変更する制御部と、を備える、撮像装置が提供される。
また、前記制御部は、撮像に係るモードが変更された場合に、前記駆動デバイスの駆動周波数をモードに応じた周波数に変更するものであってもよい。
また、前記制御部は、前記駆動デバイスの駆動周波数を変更した場合に、前記駆動デバイスのサーボ特性パラメータを前記駆動周波数とともに変更するものであってもよい。
また、前記制御部は、前記撮像素子のCDS回路のゲイン特性に応じて前記駆動デバイスの駆動周波数を変更するものであってもよい。
また、前記制御部は、撮像光学系のメカニカルシャッターを開閉するための駆動信号に基づいて、前記撮像素子から前記電荷情報を読み出すタイミングを取得するものであってもよい。
また、前記駆動部位は、手ぶれ補正のための補正レンズであってもよい。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、被写体像を電荷情報に光電変換する撮像素子から前記電荷情報を読み出すタイミングを取得するタイミング取得部と、前記撮像素子から前記電荷情報を読み出すタイミングで、撮像に係る駆動部位を駆動する駆動デバイスの駆動周波数を変更する駆動制御部と、を備える、制御装置が提供される。
また、前記駆動制御部は、撮像に係るモードが変更された場合に、前記駆動デバイスの駆動周波数をモードに応じた周波数に変更するものであってもよい。
また、前記駆動制御部は、前記駆動デバイスのサーボ特性パラメータを前記駆動周波数とともに変更するものであってもよい。
また、前記駆動制御部は、前記撮像素子のCDS回路のゲイン特性に応じて前記駆動デバイスの駆動周波数を変更するものであってもよい。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、被写体像を電荷情報に光電変換する撮像素子から前記電荷情報を読み出すタイミングを取得するステップと、前記撮像素子から前記電荷情報を読み出すタイミングで、撮像に係る駆動部位を駆動する駆動デバイスの駆動周波数を変更するステップと、を備える、撮像装置の制御方法が提供あれる。
また、撮像に係るモードが変更された場合に、前記駆動デバイスの駆動周波数をモードに応じた周波数に変更するステップを更に備えるものであってもよい。
また、前記駆動周波数を変更するステップにおいて、前記駆動デバイスのサーボ特性パラメータを前記駆動周波数とともに変更するものであってもよい。
また、前記駆動周波数を変更するステップにおいて、前記撮像素子のCDS回路のゲイン特性に応じて前記駆動デバイスの駆動周波数を変更するものであってもよい。
本発明によれば、駆動デバイスの駆動に起因したノイズの影響を確実に抑えることが可能な撮像装置、制御装置及び撮像装置の制御方法を提供することができる。
本発明の一実施形態に係る撮像装置の構成を示すブロック図である。 4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素回路の一例を示す図である。 列並列型ADCを搭載した固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)の構成例を示すブロック図である。 図2及び図3に示した回路と、出力波形を示す模式図である。 電荷情報読み出し中フラグを含む各信号のタイミングを示すタイミングチャートである。 メカニカルシャッターの開閉に応じて、撮像素子の電荷情報を読み出し中であるか否かを判定するためのフローチャートである。 第2の方法の原理を説明するための模式図である。 第2の実施形態におけるタイミングチャートを示す図である。 静止画撮影時において、アクチュエータの駆動周波数と駆動応答パラメータの設定アルゴリズムを示すフローチャートである。 撮像素子のCMOSのゲインのフィルタリング特性を示す特性図である。 動画モードのCMOSのCDS/AD回路部のゲイン周波数特性を示す特性図である。 モードに応じてレンズ駆動部の駆動周波数と駆動応答パラメータを変更する処理を示すフローチャートである。 モードが切り換わった場合の周波数と周波数特性(サーボパラメータ)を変更する制御を詳細に示すフローチャートである。 モードが切り換わった場合の周波数と周波数特性(サーボパラメータ)を変更する制御を詳細に示すフローチャートである。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
なお、説明は以下の順序で行うものとする。
1.撮像装置の構成例
2.列並列ADC搭載固体撮像素子について
3.磁気被りの発生
4.静止画撮影モードにおける磁気被り現象の回避方法
4−1.磁気被り現象を回避するための第1の方法
4−2.磁気被り現象を回避するための第2の方法
5.動画撮影モードにおける磁気被り現象の回避方法
[1.撮像装置の構成例]
図1は、本発明の一実施形態に係る撮像装置100の構成を示すブロック図である。撮像装置100は、一例として、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの機器である。撮像光学系ブロック11、ドライバ12、撮像光学系センサ(位置センサ)13、撮像素子21、タイミング制御回路22、CDS/AD回路部23、AFE部23、信号処理部24、検波部25を備えている。また、撮像装置100は、画像出力部31、表示部32、記録再生部33、操作部41、動き検出センサ42、メモリ43、制御部50を備えている。
撮像光学系ブロック11は、レンズ部を備える。レンズ部は、例えば変倍を行うズームレンズ111、フォーカシングを行うフォーカスレンズ112、後述する撮像素子21の撮像面上に形成される光学像の位置を撮像面上で移動させる補正レンズ部113を有して構成されている。また、撮像光学系ブロック11は、撮像素子21の撮像面への露光量を機械的に調節するメカニカルシャッター114と、撮像素子21の撮像面上に形成される光学像の光量を調節する絞り機構115を備えている。
補正レンズ部113は、例えば光軸が撮像光学系の光軸と一致するように設けられた補正レンズ113aと、この補正レンズを撮像光学系の光軸に対して直交する方向に変位させるアクチュエータ113bを有して構成されている。このような構成の補正レンズ部113は、アクチュエータ113bにより、補正レンズ113aを撮像光学系の光軸に対して直交する方向に移動して、レンズ111,112と撮像素子21との相対的な位置関係を光軸に対して変位させる。
また、補正レンズ部113は、可変頂角プリズムユニットを用いて構成してもよい。可変頂角プリズムユニットは、ベローズ等の折り曲げ自在な筒の端面に透光性を有する入射端板と出射端板を設け、筒内に所望の屈折率を有する透光性の液体を封入したものである。可変頂角プリズムユニットを用いる場合、入射端板または出射端板の一方を固定して、他方をアクチュエータ113bで駆動して光学楔を形成する。このような構成の補正レンズ部113は、例えば入射端板に対する出射端板の傾斜角度を変位させて、撮像面上に形成される光学像の位置を撮像面上で移動させる。
補正レンズ113a又は可変頂角プリズムユニットを駆動するアクチュエータ113bは、主にマグネットとコイルによって構成される。アクチュエータ113bは、コイルに対して電流を流し、コイルから発生する磁場によって、コイルに対して電磁力を発生させることによって、可変頂角プリズム21aまたは補正レンズ113を駆動させる。
ドライバ12は、後述する制御部50からのレンズ制御信号に基づいて、ズームレンズ111、フォーカスレンズ112および補正レンズ部113のアクチュエータ113bを駆動する。また、ドライバ12は、制御部50からの絞り制御信号に基づき絞り機構115を駆動する。
ズームレンズ111、フォーカスレンズ112および補正レンズ部113を駆動する場合の駆動方式については、一例としてPWM(Pulse Width Modulation)方式を用いる。PWM方式による制御は、駆動電圧の振幅を一定にして、一定周期内で、矩形波状に変化するパルスの時間幅を変化させるパルス制御法である。
なお、本実施形態では、フォーカスレンズ112と補正レンズ部113をともにPWM駆動する場合を例に挙げて説明するが、駆動方式はこれに限定されるものではない。本実施形態では、コイルなどの磁気を発生するノイズ源への対応を中心として説明するが、コイル以外にも、例えば電源系DDコンバータや、液晶パネルなどから発生する周期性をもったノイズに対しても同様の方法で回避することが可能である。なお、PWM駆動の場合にノイズの影響が受けやすい理由は、PWM駆動の場合、電圧の立上り、または立下り動作で磁束の変化が最大となり、この結果、電磁誘導による起動電圧変動が大きくなるためである。また、本明細書では、磁気の発生によるノイズの影響を「磁気被り」と称することとする。
撮像光学系センサ13は、ズームレンズ111やフォーカスレンズ112のレンズ位置、補正レンズ部113の変位状態(補正レンズ113aの変位位置や補正角)、および絞り機構115の設定位置を検出して位置信号を制御部50に供給する。
メカニカルシャッター用ドライバ14は、静止画撮影時の露光時に適正な露光量とするため、制御部50から送られたシャッター開閉信号に基づいて、メカニカルシャッター114を開閉駆動する。
撮像素子21としては、例えばCCD(Charge Coupled Devices)型イメージセンサ、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型イメージセンサなどの撮像素子を用いることができる。本実施形態では、撮像素子21としてCMOS型イメージセンサを用いた場合を例に挙げて説明する。撮像素子21は、撮像光学系ブロック11によってその撮像面上に形成された光学像を電気信号に変換して、CDS/AD回路部23に出力する。タイミング制御回路22は、撮像素子21で撮像された画像データに対応する電気信号の出力を行うため、各種の駆動パルスを生成する。また、タイミング制御回路22は、撮像素子21の電荷蓄積時間を制御する電子シャッターパルス等を生成する。
CDS/AD回路部23は、撮像素子21から出力された電気信号(画像信号)に対して、ノイズ除去処理、例えばCDS(Correlated Double Sampling)処理を行う。また、CDS/AD回路部23は、撮像信号を所望の信号レベルとする利得制御処理(AGC(Automatic Gain Control))処理を行う。更に、CDS/AD回路部23は、ノイズ除去処理や利得制御が行われたアナログの撮像信号をデジタル信号に変換して、AFE部23を介して信号処理部24に出力する。
信号処理部24は、カメラ信号前処理、カメラ信号処理、解像度変換処理、及び圧縮伸張処理等を行う。信号処理部24は、カメラ信号前処理により、CDS/AD回路部23から供給された画像信号に対して、撮像素子21における欠陥画素の信号を補正する欠陥補正処理、レンズの周辺光量低下を補正するシェーディング補正処理などを行う。また、信号処理部24は、カメラ信号処理により、ホワイトバランス調整や輝度補正等の処理を行う。また、デジタルカメラ等では、撮像素子21の前面にカラー・フィルタ・アレイ(Color Filter Array)を設けることにより、1つの撮像素子21が赤色,緑色,青色の各信号を得るように構成されている場合がある。このような場合、信号処理部24は、カメラ信号処理において、デモザイク(demosaic)処理を行い、周囲の画素の信号を用いた補間等によって、各画素において欠落している色の信号を生成する。
また、信号処理部24は、解像度変換処理において、カメラ信号処理がなされた画像信号、あるいは伸張復号化された画像信号を所定の解像度に変換する。信号処理部24は、圧縮伸張処理において、カメラ信号処理後の画像信号や解像度変換処理が行われた画像信号を圧縮符号化して、例えばJPEG方式の符号化信号を生成する。また、信号処理部24は、圧縮伸張処理において、JPEG方式の符号化信号を伸張復号化する。なお、圧縮伸張処理では、JPEG方式とは異なる方式で、静止画の画像信号の圧縮符号化を行うようにしてもよい。また、圧縮伸張処理では、動画圧縮方式で動画の画像信号の圧縮符号化を行うようにしてもよい。
制御部50は、撮像装置100の各構成要素を制御する。本実施形態では、制御部50は、撮像素子21から電荷情報を読み出すタイミングを取得して、このタイミングで補正レンズ部113のアクチュエータ113bの駆動周波数を変更する制御、またはアクチュエータ113bを停止する制御を行う。このため、制御部50は、撮像素子21から電荷情報を読み出すタイミングを取得するタイミング取得部50aと、撮像素子21から電荷情報を読み出すタイミングで、駆動デバイスの駆動周波数を変更する駆動制御部50bと、を有する。また、駆動制御部50bは、後述するように、撮像に係るモードが変更された場合に、駆動デバイスの駆動周波数をモードに応じた周波数に変更する制御を行う。また、駆動制御部50bは、前記駆動デバイスのサーボ特性を前記駆動周波数とともに変更する制御を行う。また、駆動制御部50bは、撮像素子21のCDS回路のゲイン特性に応じて駆動デバイスの駆動周波数を変更する。
画像出力部31は、信号処理部24から送られた画像データを外部に出力する。表示部32は、信号処理部24から送られた画像データを表示するためのディスプレイである。また、記録再生部33は、画像データを記録するとともに、記録した画像データを再生する処理を行う。
操作部41は、シャッターボタンなどの各種操作部を含むものである。また、静止画モード、動画モードなどのモード切換ボタンも操作部41に含まれる。動き検出センサ42は、手振れなどの撮像装置100の動きを検出するセンサである。制御部50は、動き検出センサ42で検出された動きに基づいて、補正レンズ部113のアクチュエータ113bを駆動するための制御信号をドライバ12へ送る。この制御信号に基づいてドライバ12がアクチュエータ113bを駆動して、補正レンズ113aを撮像光学系の光軸に対して直交する方向に移動することにより、手振れによる画像のブレを補正することができる。
[2.列並列ADC搭載固体撮像素子について]
ところで、近時においては、CCDイメージセンサに代わる固体撮像素子(イメージセンサ)として、CMOSイメージセンサが注目を集めている。CCDイメージセンサでは、CCD画素の製造に専用プロセスを必要とし、また、その動作には複数の電源電圧が必要であり、さらに複数の周辺ICを組み合わせて動作させる必要があるため、システムが複雑化する。CMOSイメージセンサが注目を集めている理由の1つとして、CMOSイメージセンサがこれらの問題を克服している点が挙げられる。
CMOSイメージセンサは、その製造プロセスとして一般的なCMOS型集積回路と同様の製造プロセスを用いることが可能であり、また単一電源での駆動が可能である。また、CMOSプロセスを用いたアナログ回路や論理回路を同一チップ内に混在させることができるため、周辺ICの数を減らすことができる。このように、CMOSイメージセンサは、大きなメリットを複数持ち合わせている。
CCDイメージセンサの出力回路は、浮遊拡散層(FD:Floating Diffusion)を有するFDアンプを用いた1チャネル(ch)出力が主流である。これに対して、CMOSイメージセンサは、各画素毎にFDアンプを持ち合わせており、その出力は、画素アレイの中のある1行を選択し、それらを同時に列方向へと読み出すような列並列出力型が主流である。これは、画素内に配置されたFDアンプでは十分な駆動能力を得られない場合があり、データレートを下げるため、並列処理が有利とされているからである。この列並列出力型CMOSイメージセンサの信号出力回路については実に様々なものが提案されている。
CMOSイメージセンサの画素信号読み出しで用いられる手法として、フォトダイオードなどの光電変換素子で生成した光信号となる信号電荷を、その近傍に配置したMOSスイッチを介して容量(コンデンサ)に一時的にサンプリングし、サンプリングした容量を読み出す方法がある。
サンプリング回路においては、通常、サンプリング容量値に逆相関を有するノイズが含まれる。画素回路においては、信号電荷をサンプリングする容量(コンデンサ)に転送する際は、ポテンシャル勾配を利用し、信号電荷を完全転送するため、このサンプリング過程においてノイズは発生しない。しかし、サンプリング過程の前の容量の電圧レベルをある基準値にリセットする際にノイズがのる。
このノイズを除去する一般的な手法として、相関2重サンプリング(CDS;Correlated Double Sampling)がある。この方法では、一度信号電荷をサンプリングする直前の状態(リセットレベル)読み出して記憶しておき、ついで、サンプリング後の信号レベルを読み出し、それを差し引きすることでノイズを除去する。CDSの具体的な手法にはさまざまな方法がある。
以下に、一般的なCMOSイメージセンサについて説明し、CDSの具体的な手法について説明する。図2は、4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素回路の一例を示す図である。この画素回路10は、光電変換素子として例えばフォトダイオード51を有する。そして、この1個のフォトダイオード51に対して、転送トランジスタ52、増幅トランジスタ53、選択トランジスタ54、リセットトランジスタ55の4つのトランジスタを能動素子として有する。
フォトダイオード51は、入射光をその光量に応じた量の電荷(ここでは電子)に光電変換する。転送トランジスタ52は、フォトダイオード51とフローティングディフュージョンFDとの間に接続され、転送制御線LTxを通じてそのゲート(転送ゲート)に駆動信号が与えられることで、フォトダイオード51で光電変換された電子をフローティングディフュージョンFDに転送する。
フローティングディフュージョンFDには、増幅トランジスタ53のゲートが接続されている。増幅トランジスタ53は、選択トランジスタ54を介して信号線LSGNに接続され、画素部外の定電流源56とソースフォロアを構成している。
そして、選択制御線LSELを通してアドレス信号が選択トランジスタ54のゲートに与えられ、選択トランジスタ54がオンすると、増幅トランジスタ53はフローティングディフュージョンFDの電位を増幅して、その電位に応じた電圧を出力(垂直)信号線LSGNに出力する。信号線LSGNを通じて、各画素から出力された信号電圧は、画素信号読み出し回路に出力される。
リセットトランジスタ55は、電源ラインLVDDとフローティングディフュージョンFDとの間に接続されている。リセットトランジスタ55は、リセット制御線LRSTを通して、そのゲートにリセット信号が与えられることで、フローティングディフュージョンFDの電位を電源ラインLVDDの電位にリセットする。より具体的には、画素をリセットするときは、転送トランジスタ52をオンし、フォトダイオード51に溜まった電荷を掃き出し、次に転送トランジスタ52をオフにして、フォトダイオード51が光信号を電荷に変換し、蓄積する。
読み出し時には、リセットトランジスタ55をオンしてフローティングディフュージョンFDをリセットし、リセットトランジスタ55をオフし、そのときのフローティングディフュージョンFDの電圧を増幅トランジスタ53、選択トランジスタ54を通して出力する。このときの出力をP相出力とする。
次に、転送トランジスタ52をオンして、フォトダイオード51に蓄積された電荷をフローティングディフュージョンFDに転送し、そのときのフローティングディフュージョンFDの電圧を増幅トランジスタ53で出力する。このときの出力をD相出力とする。CDS/AD回路部23では、D相出力とP相出力の差分を画像信号とすることで、画素毎の出力のDC成分のバラツキだけでなく、フローティングディフュージョンのFDリセットノイズも画像信号から除去することができる。
これらの動作は、たとえば転送トランジスタ52、選択トランジスタ514およびリセットトランジスタ55の各ゲートが行単位で接続されていることから、1行分の各画素について同時に行われる。
また、列並列出力型CMOSイメージセンサの画素信号読み出し(出力)回路の最も進んだ形態の1つが、列毎にアナログ−デジタル変換装置(以下、ADC(Analog digital converter)と略す)を備え、デジタル信号として画素信号を取り出すタイプである。このような列並列型のADCを搭載したCMOSイメージセンサは、例えば前述した特許文献2または非特許文献1に記載されている。
図3は、列並列型ADCを搭載した固体撮像素子(CMOSイメージセンサ(CMOS−IS))の構成例を示すブロック図である。図3に示す固体撮像素子60は、図1の撮像素子21とCDS/AD回路部23に対応するものであり、画素部61が図1の撮像素子21に対応し、ADC群25以降の後段の回路部分がCDS/AD回路部23に対応する。また、画素部61の各画素回路は、図2の回路に対応する。図3に示すように、固体撮像素子60は、撮像部としての画素部61、垂直走査回路62、水平転送走査回路63、タイミング制御回路64、ADC群25、デジタル−アナログ変換装置(以下、DAC(Digital−Analog converter)と称する)66、アンプ回路(S/A)67、および信号処理回路68を有する。
画素部61は、フォトダイオード51と画素内アンプとを含み、例えば図2で説明したような画素がマトリックス状(行列状)に配置されて構成される。また、固体撮像素子20においては、画素部21の信号を順次読み出すための制御回路として、内部クロックを生成するタイミング制御回路64、行アドレスや行走査を制御する垂直走査回路62、そして列アドレスや列走査を制御する水平転送走査回路63が配置される。
ADC群25は、比較器(コンパレータ)65aと、カウンタ65bと、ラッチ65cとからなるADCが複数列配列されて構成されている。比較器65aは、DAC66により生成される参照電圧を階段状に変化させたランプ波形(RAMP)である参照電圧Vslopと、行線毎に画素から垂直信号線を経由して得られるアナログ信号Vslとを比較する。カウンタ65bは、この比較時間をカウントする。ラッチ65cは、カウント結果を保持する。
ADC群25は、nビットデジタル信号変換機能を有し、垂直信号線(列線)毎に配置され、列並列ADCブロックが構成される。各ラッチ65cの出力は、たとえば2nビット幅の水平転送線69に接続されている。そして、水平転送線69に対応した2n個のアンプ回路67、および信号処理回路68が配置される。
図4は、図2及び図3に示した回路と、出力波形を示す模式図である。ADC群65においては、垂直信号線に読み出されたアナログ信号(電位Vsl)は、列毎に配置された比較器65aで参照電圧Vslopと比較される。参照電圧Vslopは、図4に示すように、ある傾きを持った線形に変化するスロープ波形(ランプ波形)から構成される。このとき、比較器65aと同様に列毎に配置されたカウンタ65bが動作しており、ランプ波形のある電位Vslopとカウンタ値が一対一の対応を取りながら変化することで、垂直信号線の電位(アナログ信号)Vslをデジタル信号に変換する。
参照電圧Vslopの変化は、電圧の変化を時間の変化に変換するものであり、その時間をある周期(クロック)でカウントすることでデジタル値に変換するものである。そして、アナログ電気信号Vslと参照電圧Vslopが交わったとき、比較器65aの出力が反転し、カウンタ65bの入力クロックを停止し、AD変換が完了する。図4に示すように、P相期間においてアナログ電気信号Vslと参照電圧Vslopが交わると(等しくなると)、比較器65aの出力は“H”レベルから“L”レベルに反転する。そして、この比較器65aの極性反転を受けて、カウンタ65bはカウント動作を停止して、ラッチ65cはP相出力(ΔV)に対応するカウント値を保持する。次に、D相期間においてアナログ電気信号Vslと参照電圧Vslopが交わると、比較器65aの出力は“H”レベルから“L”レベルに反転する。そして、この比較器65aの極性反転を受けて、カウンタ65bはカウント動作を停止して、ラッチ65cは図4中に示す出力電圧に対応するカウント値を保持する。図4に示すように、この出力電圧は、D相期間で比較器65aが極性反転した時のD相出力からP相出力(ΔV)を差し引いた値である。これにより、D相出力とP層出力との差分である出力電圧を得ることができる。
以上のAD変換期間終了後、水平転送走査回路63により、ラッチ65cに保持されたデータ(出力電圧)が、水平転送線69、アンプ回路67を経て信号処理回路68に入力され、2次元画像が生成される。このようにして、列並列出力処理が行われる。
[3.磁気被りの発生]
ところが、補正レンズ部113のアクチュエータ113b、またはレンズ111,112を駆動するためのアクチュエータ等の駆動部等から発生された磁気が、図2に示す出力信号線等にノイズとして加わってしまう場合がある。列並列ADC搭載固体撮像素子は、水平方向1ライン分のAD変換を同時に行うため、このノイズが加わると、水平方向1ライン分の全ての信号にノイズの影響が生じてしまう。このとき、画像としては、横筋状のノイズとして表れるため、視覚的にもノイズの影響が目立ち、画質の低下が生じてしまう。
より詳細には、デジタルカメラまたはデジタルスチルカメラのシステムにおいて、任意の駆動デバイスがPWM駆動している場合、駆動デバイスのコイルから発生する磁束が、画素電荷情報の信号線を貫通する。これにより、信号線内で電磁誘導による磁気が発生し、その結果、画素電荷情報の信号線にノイズが発生する。
上述したように、CDS/AD回路部23により、画像データは、D相出力とP相出力の差分を画像信号として出力される。このため、本実施形態では、P相出力とD相出力において、同レベルのノイズを乗せることで、ノイズの影響を画像信号から除去し、この横筋状のノイズの発生を抑止するようにしている。本実施形態では、P相とD相に同じようにノイズが生じるように、レンズのPWM駆動周波数を調整することで、CDS/AD回路部23において、これらのノイズを除去する。
[4.静止画撮影モードにおける磁気被り現象の回避方法]
一例として、撮像素子21がCMOSイメージセンサであり、補正レンズ部113として、PWM駆動する防振レンズが搭載されたデジタルスチルカメラまたはデジタルビデオカメラの静止画撮影モードにおいて、磁気被り現象を回避する場合を説明する。
前述したとおり、磁気かぶりの現象が発生するのは、電荷情報を読み出している最中に、撮像素子21の画素の出力信号線にノイズが発生するためである。本実施形態では、磁気かぶりの発生を回避するため、撮像素子21の画素の出力信号線を信号が通っている間だけ、画素の電荷情報が通る信号線にノイズが発生しないようにする。
[4−1.磁気被り現象を回避するための第1の方法]
以下では、ノイズが発生しないようにする具体的な方法として、2つの例を挙げる。1つ目の例として、撮像素子21の画素の電荷情報が信号線を通っている間だけ磁気かぶりの発生源である駆動デバイスの駆動を止める例を挙げる。ここでは、補正レンズ部113のアクチュエータ113bが磁気被りの発生源であるものとする。この場合に、撮像素子21の画素の電荷情報が信号線を通っている間は、アクチュエータ113bを停止させ、駆動デバイスのアクチュエータ113bのコイルから発生する磁束を無くすことによって、画素の電荷情報が通る信号線にノイズを発生させないようにする。
このため、撮像素子21の画素の電荷情報が信号線(具体的には、出力信号先LSGN)を通るタイミング、特に、信号処理部24が撮像素子21の画素の電荷情報を読み出している最中のタイミングを示すフラグを生成する。以下、このフラグを、撮像素子の「電荷情報読み出し中フラグ」と称することとする。図5は、電荷情報読み出し中フラグを含む各信号のタイミングを示すタイミングチャートである。
電荷情報読み出しフラグの生成は、制御部50において、電荷情報の読み出しに関する制御信号に基づいて生成することができる。上述したように、電荷の読み出し時には、リセットトランジスタ55をオンしてフローティングディフュージョンFDをリセットし、リセットトランジスタ55をオフし、そのときのフローティングディフュージョンFDの電圧を増幅トランジスタ53、選択トランジスタ54を通してP相出力を出力する。次に、転送トランジスタ52をオンして、フォトダイオード51に蓄積された電荷をフローティングディフュージョンFDに転送し、そのときのフローティングディフュージョンFDの電圧を増幅トランジスタ53でD相出力を出力する。従って、制御部50は、タイミング制御回路22を介して撮像素子21を制御するための各制御信号に基づいて、電荷情報読み出しフラグを生成することができる。
図5に示すように、時刻t1において、撮像素子21の撮像面における露光が開始され、時刻t2まで露光が行われる。その後、電荷情報読み出しフラグがハイ(High)の区間(時刻t2〜t3間)で撮像素子21から電荷の読み出しが行われる。
また、カメラのモードとしては、時刻t1以前が「撮影準備」、時刻t1〜t2間が「露光中」、時刻t2〜t3間が「電荷情報読出し中」、時刻t3以降が「画像処理」となる。
そして、図5に示すように、駆動デバイス(アクチュエータ113b)のモードとしては、電荷情報読み出しフラグがハイ(High)の区間(時刻t2〜t3間)でアクチュエータ113bを停止させる。これにより、電荷情報を読出している最中にアクチュエータ113bから磁気が発生しないため、磁気被りによるノイズの影響を確実に抑止することが可能である。
また、電荷情報読み出しフラグの生成は、メカニカルシャッター114の駆動信号に基づいて生成することもできる。例えば、制御部50は、露光状態信号と、メカニカルシャッターCLOSE用駆動信号、メカニカルシャッターOPEN用駆動信号を用いて電荷情報読み出しフラグを生成する。露光状態信号は、図5に示す露光情報であり、タイミング制御回路22を介して制御部50が取得する、撮像素子21が露光しているかどうかを識別する情報である。また、メカニカルシャッターCLOSE用駆動信号は、露光終了直前にメカニカルシャッター用ドライバ14を通じてメカニカルシャッター114を閉じる指示をするための信号である。メカニカルシャッターOPEN用駆動信号は、信号処理部24に撮像素子の画素情報が読み出された直後にメカニカルシャッター用ドライバ14を通じてメカニカルシャッター114を開くための駆動信号である。メカニカルシャッターCLOSE用駆動信号、およびメカニカルシャッターOPEN用駆動信号は、制御部50が生成してメカニカルシャッター用ドライバ14へ送られる。メカニカルシャッター用ドライバ14は、メカニカルシャッターCLOSE用駆動信号、およびメカニカルシャッターOPEN用駆動信号に基づいてメカニカルシャッター114を駆動する。
露光状態信号は、ハイ(HIGH)の期間で露光中であることを示し、ロー(LOW)の期間で露光していないことを示す。また、メカニカルシャッターCLOSE用駆動信号は、ハイ(HIGH)の期間でメカニカルシャッター114のクローズ(CLOSE)を指示し、ロー(LOW)の期間ではシャッターのクローズ(CLOSE)を指示しない信号である。メカニカルシャッターCLOSE用駆動信号が立ち上がるタイミングではメカニカルシャッター114が閉じ始め、メカニカルシャッターCLOSE用駆動信号が立ち下がるタイミングではメカニカルシャッター114が閉じた状態となる。また、メカニカルシャッターOPEN用駆動信号が立ち上がるタイミングではメカニカルシャッター114が開き始め、メカニカルシャッターCLOSE用駆動信号が立ち下がるタイミングではメカニカルシャッター114が開いた状態となる。
これら3種類の信号を使用することによって、撮像素子21の画素の電荷の読み出し開始タイミングと読み出し終了タイミングを判別することが可能になる。そして、電荷の読み出し開始タイミングから読み出し終了タイミングまでの期間が、撮像素子21の電荷が信号線を通るタイミングであると判別できる。
先ず、画素の電荷情報が信号線を通り始めるタイミング(電荷の読み出し開始タイミング)について説明する。制御部50では、撮像素子21が露光中であるか否かを判断する。そして、撮像素子21が露光中であり、且つ、メカニカルシャッターCLOSE駆動信号がハイ(HIGH)からロー(LOW)に遷移した場合に、メカニカルシャッター114が完全に閉じた状態になったことを判別する。通常の制御では、メカニカルシャッター114が完全に閉じたタイミングから、撮像素子21の画素に蓄積された画素情報を画像処理ブロック(信号処理部24)に転送する。すなわち、このタイミングから、画素の電荷情報が垂直信号線を通り始める。この時、図5に示すように、制御部50は、撮像素子21の電荷情報見み出しフラグをハイ(HIGH)に設定する。メカニカルシャッターCLOSE駆動信号が上記の条件以外の場合は、撮像素子21の電荷情報見み出し中フラグに対する制御は特に行わない。
次に、画素の電荷情報が信号線を通り終わるタイミングについて説明する。画素の電荷情報が信号線を通り終わるタイミングは、通常の制御では、メカニカルシャッター114を開くためのメカニカルシャッターOPEN用駆動信号がハイ(HIGH)からロー(LOW)になるタイミングである。このため、メカニカルシャッターをOPENさせるメカニカルシャッターOPEN用駆動信号がハイ(HIGH)からロー(LOW)になったタイミングを検出することで、画素の電荷情報が垂直信号線を通り終わるタイミングを判別できる。この時、制御部50が、撮像素子21の電荷情報読み出しフラグをロー(LOW)に設定する。
メカニカルシャッターOPEN駆動信号が上記の条件以外の場合は、撮像素子21の電荷情報見み出しフラグに対する制御は何も行わない。このようにして電荷情報読み出し中フラグを生成することが可能である。そして、撮像素子21の電荷情報読み出しフラグがハイ(HIGH)の時のみ、ドライバ12を通じてアクチュエータ113bの駆動の電源を切断し、アクチュエータ113bの駆動を停止することによって、磁気被り現象の影響を抑止できる。
図6は、メカニカルシャッター114の開閉に応じて、撮像素子21の電荷情報を読み出し中であるか否かを判定するためのフローチャートである。先ず、ステップS10では、図5の露光情報に基づいて、露光中であるか否かを判定し、露光中である場合はステップS12へ進む。ステップS12では、メカニカルシャッターCLOSE駆動信号がハイであるか否かを判定し、ハイの場合はステップS14へ進む。
ステップS14では、前回のサンプリングでメカシャッターCLOSE駆動信号がローであったか否かを判定し、ローであった場合はステップS16へ進む。ステップS16へ進んだ場合は、メカニカルシャッター114が前回のサンプリングと今回のサンプリングとの間で閉じたことが判別できるため、撮像素子21の電荷情報読み出し中フラグをハイに設定する。ステップS16の後は処理を終了する。
また、ステップS12でメカニカルシャッターCLOSE駆動信号がハイでない場合は、処理を終了する(end)。また、ステップS14で、前回のサンプリングでメカシャッターCLOSE用駆動信号がローでなかった場合は、処理を終了する(end)。
ステップS10において、露光中でない場合は、ステップS18へ進む。ステップS18では、メカシャッターOPEN駆動信号がローであるか否かを判定し、ローの場合はステップS20へ進む。ステップS20では、前回のサンプリングでメカシャッターOPEN駆動信号がハイであったか否かを判定し、ハイであった場合はステップS22へ進む。ステップS22へ進んだ場合は、メカニカルシャッター114が前回のサンプリングと今回のサンプリングとの間で開いたことが判別できるため、撮像素子21の電荷情報読み出し中フラグをローに設定する。ステップS22の後は処理を終了する。
また、ステップS18でメカニカルシャッターOPEN駆動信号がハイでない場合は、処理を終了する(end)。また、ステップS20で、前回のサンプリングでメカシャッターOPEN駆動信号がローでなかった場合は、処理を終了する(end)。
なお、本実施形態では、駆動デバイスとして手振れ補正用の防振レンズを駆動するアクチュエータ113bを例に挙げたが、その他の駆動デバイスであっても同様に適用することが可能である。また、駆動デバイスを停止させるタイミングは、あくまでも一例であって、これに限定されるものではない。
[4−2.磁気被り現象を回避するための第2の方法]
次に、磁気被り現象を回避するための第2の方法について説明する。第2の方法は、信号処理部24が撮像素子21の画素の電荷情報を読み出している間は、PWM駆動している駆動デバイス(アクチュエータ113b)の駆動周波数を、ノイズが少なくなるような駆動周波数に切り換えるものである。駆動周波数の切り換えは、ドライバ12により行う、第2の方法においても、駆動デバイスとして防振レンズを駆動するアクチュエータ113bを例に挙げて説明する。
図7は、第2の方法の原理を説明するための模式図である。図7に示す波形は、垂直信号線から得られるアナログ信号Vslを示しており、図4に示す電位Vslと同一である。上述したように、P相出力とD相出力との差分がCDS/AD回路部23の出力とされる。図7中に示す2つの波形F1,F2は、アクチュエータ113bの駆動によるノイズを示しており、波形F1はアクチュエータ113bの周波数がf1[Hz]の場合を示しており、波形F2は周波数が2f[Hz]の場合を示している。
アクチュエータ113bの周波数がf1[Hz]の場合、P相出力のタイミングはノイズの立ち上がりのタイミングに相当し、D相出力のタイミングはノイズの立ち下がりのタイミングに相当する。この場合、ノイズがP相出力とD相出力に与える影響は逆相となるため、P相出力とD相出力との差分には、ノイズの影響が大きく含まれてしまう。
一方、アクチュエータ113bの周波数を2f[Hz]とすると、P相出力のタイミングはノイズの立ち上がりのタイミングに相当し、D相出力のタイミングもノイズの立ち上がりのタイミングに相当する。この場合、ノイズがP相出力とD相出力に与える影響は同相となるため、P相出力とD相出力との差分をとると、ノイズの影響を相殺(キャンセル)することができる。
このように、第2の例では、一例として、通常時は周波数f[Hz]でアクチュエータ113bを駆動し、電荷読み出し中は周波数2f[Hz]でアクチュエータ113bを駆動することによって、ノイズの影響をキャンセルすることが可能である。
図8は、第2の実施形態におけるタイミングチャートを示している。信号処理部24が撮像素子21の画素の電荷情報を読み出しているタイミング(電荷情報読み出し中フラグ)は、第1の方法と同様に生成可能である。第2の例では、図8に示すように、電荷情報読み出し中フラグがハイになっている時刻t2からt3の間は、駆動デバイス(アクチュエータ113b)の駆動周波数がノイズを回避可能な周波数に設定される。具体的には、画素の電荷情報を読み出しているタイミングにおいて、つまり、撮像素子21の電荷情報読み出し中フラグがハイの場合に、制御部50がドライバ12を介して、補正レンズ部113のアクチュエータ113bのPWM駆動周波数をノイズが少なくなるような駆動周波数に切り換える。一例として、図8中の通常駆動周波数は図7の周波数fに相当し、被り回避駆動周波数は図7の周波数2fに相当する。
また、駆動デバイスのPWM駆動周波数を変更した場合、駆動デバイスの位相、ゲインの周波数特性も変化する。このため、PWM駆動周波数のみを変更すると、駆動デバイスが発振するなどして、防振レンズの所望の動作に支障が生じる可能性がある。そこで、図8に示すように、時刻t2〜t3間では、PWM駆動周波数を変更した場合に、駆動デバイスのサーボ特性(駆動応答パラメータ)も同時に変更する。これにより、PWM駆動周波数を変えた状態での駆動デバイスの位相、ゲインの周波数特性が、PWM駆動周波数を変える前の特性になるようなサーボ特性に変更をする。従って、駆動デバイスの所望の動作に支障が生じることを抑えた状態で、磁気被りの発生を抑えることが可能になる。
より詳細には、サーボ特性として、PID制御では、比例ゲイン、速度ゲイン、積分ゲインの3種類のパラメータを使用する。駆動周波数を変更すると、サーボ応答が変わるため、これらのゲインを変更してサーボ特性を変更する。これにより、駆動デバイスの動作に支障が生じてしまうことを確実に抑止することが可能である。
図9は、静止画撮影時において、アクチュエータ113bの駆動周波数と駆動応答パラメータの設定アルゴリズムを示すフローチャートである。先ず、ステップS30では、電荷情報読み出し中フラグがハイであるか否かを判定し、読み出し中フラグがハイの場合は、ステップS32へ進み、アクチュエータ113bの駆動周波数を通常駆動周波数から被り回避駆動周波数へ変更する。ステップS32の後はステップS34へ進み、レンズ駆動部の駆動応答パラメータを変更する。ステップS34の後は処理を終了する(END)。
ステップS30において、読み出し中フラグがローの場合はステップS36へ進む。ステップS36では、アクチュエータ113bの駆動周波数を通常駆動周波数に設定する。次のステップS38では、レンズ駆動部の駆動応答パラメータを通常設定値に設定する。ステップS38の後は処理を終了する(END)。
次に、駆動周波数の設定について詳細に説明する。ノイズが少なくなるような駆動周波数を決定する方法の一例としては、CMOSのCDS回路の出力のゲインの周波数特性を参照し、CDS回路の周波数特性のゲインの値が小さくなるような周波数を駆動デバイス(ここでは、防振レンズ)の駆動周波数として選択する。
例えば、本実施形態に係るデジタルカメラのシステムにおいて、撮像素子21のCMOS−ISのゲインのフィルタリング特性(ノイズに応じた周波数特性)が図10に示すような特性であるものとする。この場合、電荷情報を読み出し中以外の通常のPWM駆動周波数がf[Hz]とすると、f[Hz]におけるCDS/AD回路部23のゲインの値が大きくなる。その結果、撮像素子21の電荷情報読み出し時に、電荷情報の信号線に対して、駆動デバイスのコイルから発生する磁束の影響によるノイズが発生する可能性が生じる。
一方、電荷情報を読み出し中のレンズ113のPWM駆動周波数が、2f[Hz]である場合、2f[Hz]におけるCDS/AD回路部23のゲインの値が0倍である。その結果、撮像素子21の電荷情報読み出し時に、電荷情報の信号線に対して、駆動デバイスのコイルから発生する磁束の影響によるノイズが発生する可能性を抑えることができる。従って、一例として、画素情報読み出し中のみ、駆動デバイスの駆動周波数を2f[Hz]に設定することで、ノイズの発生を確実に抑えることができる。同様に、駆動デバイスの駆動周波数を4f[Hz]、または6f[Hz]に設定することで、ノイズを確実に抑えることが可能である。なお、図10中の周波数fは図7の周波数fに相当し、図10中の周波数2fは図7の周波数2fに相当する。
また、ノイズが発生した場合であっても、ノイズが画質に与える影響が少ない場合は、アクチュエータ113bの駆動周波数として、0倍以外のゲインを示す周波数(例えば図10における3f[Hz]、または2f[Hz]〜4f[Hz]の間の任意の周波数)を選択することもできる。
なお、動画モード等で使用される、画素加算などを行うと、CMOS−ISのフィルタリング特性(ノイズに応じた周波数特性)が、複雑な関数になることがあるが、ゲインが少ない周波数を選択することでノイズ軽減を図るという手法は変わらない。
<5.動画撮影モードにおける磁気被り現象の回避方法>
次に、動画撮影モードにおける磁気被り現象の回避方法について説明する。撮影モードが変更されると、撮像素子21の読み出しモードが変わる場合が多い。そして、撮像素子の読み出しモードが変わると、CDS/AD回路部23のゲイン特性も変わる。これは、撮像素子21の読み出しモードが変わると、図7中のP相出力とD相出力との間の時間が読み出しモードに応じて変化するためである。例として、動画撮影モードと静止画撮影モードとでは、P相出力とD相出力との間の時間がモードに応じて変化する場合や日中の撮影時のモードと、夜間の撮影時のモードとでは、P相出力とD相出力との間の時間がモードに応じて変化する場合が挙げられる。
一例として、静止画モードのCMOSのCDS/AD回路部23のゲインの周波数特性が図10の特性であり、動画モードのCMOSのCDS/AD回路部23のゲイン周波数特性が図11の特性である場合を挙げる。また、駆動デバイスの通常駆動周波数がf[Hz]の場合について説明する。
図10に示すように、静止画モードにおけるゲイン特性は、静止画撮影時の駆動周波数がf[Hz]の場合、近隣の周波数よりもゲインが大きくなる。このため、上述したように、撮像素子21の電荷情報読み出し中のみ2f[Hz]の周波数でアクチュエータ113bを駆動させることによって、磁気被りによるノイズの影響を回避することができる。
また、アクチュエータ113bの駆動周波数がf[Hz]の状態で静止画モードから動画モードに切り換えた場合、CDS/AD回路部23のゲインの周波数特性は図10から図11に切り換わる。この場合、動画モードで駆動周波数がf[Hz]であると、静止画モードのゲインG1比べて動画モードのゲインG2の値は多少小さくなるものの、依然としてゲインG2は大きな値であり、ノイズの影響が生じてしまうことが想定される。特に、動画モードでは、電荷の読み出しが逐次行われるため、モード切換え時に駆動周波数を変更することが望ましい。このため、図11に示す動画モードの特性において、ゲインの値が小さくなる0〜f[Hz]間の周波数、または、3f[Hz]〜4f[Hz]の間の周波数にアクチュエータ113bの駆動周波数を変更する。より好適には、動画モードの電荷読み出し中に、駆動周波数を4fにすることで、磁気被りによるノイズの影響を確実に抑えることが可能である。これにより、磁気被りの影響を確実に低減することが可能となる。
具体的な制御方法としては、現在設定されているモードに磁気被りの影響があり、アクチュエータ113bの駆動周波数を変更すべきモードであるか否かを制御部50が判断する。この際、通常周波数f[Hz]で駆動した場合に、各モードで磁気被りの影響があるか否か、及び各モードで磁気被りを抑えるための周波数を撮像装置100が備えるメモリ43等に予め記憶しておき、制御部50は、記憶された情報に基づいて周波数を変更するようにしても良い。また、メモリ43には、図10及び図11に示す特性を記憶しておいても良い。そして、アクチュエータ113bの駆動周波数を変更すべきモードである場合は、アクチュエータ113bの駆動周波数を変更する。一方、アクチュエータ113bの駆動周波数を変更すべきモードでない場合、駆動周波数は変更しない。これにより、撮影モードが変わることによって、撮像素子の読み出しモードが変わる場合においても、磁気被りを回避することが可能になる。なお、モードは、静止画モードと動画モードに限られるものではなく、撮像装置100に設定される各種モード(夜間撮影モード、顔検出モードなど)に適用することができる。
図12は、モードに応じてレンズ駆動部の駆動周波数と駆動応答パラメータを変更する処理を示すフローチャートである。先ず、ステップS40では、磁気被りが発生するモードであるか否かを判定し、磁気被りが発生するモードの場合は、ステップS42へ進む。ステップS42では、レンズ駆動部の周波数を変更する。次のステップS44では、レンズ駆動部の駆動応答パラメータ(デジタルサーボパラメータ)を変更する。ステップS44の後は処理を終了する。
また、ステップS40で磁気被りが発生するモードでないと判定された場合は、ステップS46へ進む。ステップS46では、レンズ駆動部の駆動周波数を通常時の設定に変更する。次のステップS48では、レンズ駆動部のデジタルサーボパラメータを通常設定に変更する。ステップS48の後は処理を終了する。
図13及び図14は、モードが切り換わった場合の周波数制御をより詳細に示すフローチャートである。図13及び図14の例では、防振機能を有する補正レンズ部113とフォーカスレンズ112の駆動デバイスのそれぞれの駆動周波数と駆動用のサーボパラメータの設定を、磁気被りが発生しないように変更する処理を示している。このように、撮像装置100が備える各種の駆動デバイスの設定を変更することで、磁気被りによる画像の乱れを確実に抑えることができる。
図13及び図14に示す例では、磁気被りが発生する可能性のある撮影モードとしてA、B、Cの3つのモードがあるものとする。また、防振部(補正レンズ部113)の駆動周波数を変えるべきモードがモードA、モードB、モードCであり、補正レンズ部113のサーボパラメータを変えるべきモードがモードA、モードBであるものとする。また、フォーカスレンズ112の駆動周波数を変えるべきモードがモードA、モードBであり、フォーカスレンズ112のサーボパラメータを変えるべきモードがモードA、モードB、モードCであるものとする。これらの情報は、予め撮像装置100が備えるメモリ43に記憶することができる。また、各モードで変更すべき駆動周波数の値、サーボパラメータについても、予めメモリ43に記憶しておくことができる。
なお、図13及び図14は一連の処理を示しており、図13のステップS68,S70,S72の後は図14のステップS78へ進む。また、図13のステップS76の後は図14のステップS102へ進む。
先ず、制御部50は、現在のモードが駆動デバイスによって磁気被りが発生するモードか否かを判別する(ステップS50)。そして、磁気被りが発生しないモードである場合は、補正レンズ部113、フォーカスレンズ112のそれぞれの通常モードにおける駆動周波数とサーボパラメータを設定する(ステップS74,S76,S102,S104)。すなわち、現在のモードがモードA、モードB、及びモードC以外のモードである場合は、ステップS74,S76,S102,S104の処理を行う。
現在のモードが駆動デバイスによって磁気被りが発生するモードである場合、まず、防振部の駆動周波数を変更する必要があるモードかどうかを判別する(ステップS52)。防振部の駆動周波数を変更する必要がない場合には、防振部の駆動周波数を通常モードの駆動周波数に設定し(ステップS62)、防振部の駆動周波数を変更する必要がある場合、現在の撮影モードがどのモードであるかを判別する(ステップS54)。
例えば、現在の撮影モードがモードAである場合、防振部の駆動周波数をモードA専用の磁気被りが発生しない周波数に設定する(ステップS56)。また、現在の撮影モードがモードBである場合、防振部の駆動周波数をモードB専用の磁気被りが発生しない周波数に設定する(ステップS58)。また、現在の撮影モードがモードCである場合、防振部の駆動周波数をモードC専用の磁気被りが発生しない周波数に設定する(ステップS60)。
以上の処理により、磁気被りが発生するモードA,B,Cである場合について、防振部の駆動周波数に関する設定は終了する。次に、防振部のサーボパラメータの設定処理を行う。上述のように、現在のモードが磁気被りの発生するモードであり、且つ、ステップS56,S58、S60,S62の処理で防振部の駆動周波数の設定が終了すると、ステップS64において、防振部のサーボパラメータの変更が必要なモードかどうかを判別する。
上述のように、図13及び図14の例では、防振部のサーボパラメータを変えるべきモードがモードA、モードBであるものとする。防振部へのサーボパラメータの設定変更が必要ない場合、すなわち、現在のモードがモードA,B以外である場合は、防振部へのサーボパラメータは、通常モードにおけるパラメータに設定される(ステップS72)。一方、防振部へのサーボパラメータの設定変更が必要である場合、現在のモードがどの撮影モードであるのかを判別する(ステップS66)。そして、現在のモードがモードAの場合、モードA専用の防振部のサーボパラメータを設定し(ステップS68)、現在のモードがモードBの場合、モードB専用のパラメータを設定する(ステップS70)。
なお、モードCの防振部のサーボパラメータを変更する処理は存在していない。これは、ステップS64で防振部のサーボパラメータを変更する必要があるか否かを判別しており、モードCについては、防振部のサーボパラメータを変更する必要がないため、既に通常のサーボパラメータの設定がなされているためである。
なお、サーボパラメータを変更する理由は、防振部の駆動周波数を変更した場合に、サーボパラメータが変更されないと、防振部の周波数特性が変化するため、防振部がドライバ12の指示通りに追従しない可能性があり、防振部が発振する可能性があるためである。このため、変更された駆動周波数に適したサーボパラメータに変更することによって、防振部の駆動に最適な周波数特性になるような設定にすることができ、防振部の発振を防ぎ、ドライバ12の指示に追従するよう防振部を制御することができる。
以上の処理により、磁気被りが発生するモードである場合に、防振部に対する駆動周波数の設定とサーボパラメータの設定が完了する。ステップS68,S70,S72以降の処理では、フォーカスレンズ112に対する駆動周波数とサーボパラメータの設定を行う。
先ず、ステップS68,S70,S72の後はステップS78へ進み、磁気被りが発生するモードである場合に、現在のモードがフォーカスレンズ112の駆動周波数を変更する必要があるモードであるか否かを判別する。現在のモードでフォーカスレンズ112の駆動周波数を変更する必要がない場合、フォーカスレンズの駆動周波数を通常モードの周波数に設定する(ステップS86)。上述したように、フォーカスレンズ112の駆動周波数を変えるべきモードはモードAとモードBであるため、モードAとモードB以外のモードの場合は、ステップS86へ進む。一方、現在のモードでフォーカスレンズ112の駆動周波数を変更する必要がある場合、現在のモードを判別する(ステップS80)。現在のモードがモードAである場合、フォーカスレンズ112の駆動周波数をモードA専用の駆動周波数に設定する(ステップS82)。現在のモードがモードBである場合、フォーカスレンズ112の駆動周波数をモードB専用の駆動周波数に設定する(ステップS84)。なお、モードCについては、フォーカスレンズ112の駆動周波数を変更する必要がないため、既に通常モードでの駆動周波数に設定されている。
以上の処理によりフォーカスレンズ112の駆動周波数が設定されると、ステップS88以降の処理により、フォーカスレンズ112のサーボパラメータの設定を決定する。先ず、ステップS88では、現在のモードが、フォーカスレンズのサーボパラメータを変更する必要があるモードか否かを判別する。現在のモードが、サーボパラメータを変更する必要がないモードである場合には、フォーカスレンズ112のサーボパラメータを通常モードのサーボパラメータに設定する(ステップS98)。上述したように、フォーカスレンズ112のサーボパラメータを変えるべきモードがモードA、モードB、モードCであるため、モードA,B,C以外のモードの場合は、ステップS98へ進む。現在のモードでは、フォーカスレンズのサーボパラメータを変更する必要がある場合、現在のモードがどのモードであるかを判別し(ステップS90)、モードに応じたサーボパラメータに変更する。現在のモードがそれぞれモードA、モードB、モードCである場合、フォーカスレンズ112のサーボパラメータをそれぞれモードA専用、モードB専用、モードC専用のサーボパラメータに設定する(ステップS92,S94,S96)。
なお、フォーカスレンズ112のサーボパラメータを変更する理由は、防振部のサーボパラメータを変更する理由と同様である。フォーカスレンズ112の駆動周波数が変更され、サーボパラメータが変更されない場合、フォーカスレンズの周波数特性が変化するため、フォーカスレンズがドライバ12の指示通りに追従しない可能性がある。この場合、フォーカスレンズ112が発振する可能性が生じる。このため、変更された駆動周波数に適したサーボパラメータに変更することによって、フォーカスレンズ112の駆動に最適な周波数特性になるような設定にして、フォーカスレンズ112の発振を防ぎ、ドライバ12の指示に追従させることができる。
そして、ステップS100において、以上のようにして設定された防振部とフォーカスレンズ112に対する駆動周波数とサーボパラメータの設定を反映させる制御を行うことによって、磁気被りを防ぐことができる。
なお、上述の例では、防振部(補正レンズ部113)、フォーカスレンズ112を駆動する駆動ユニットを例に挙げたが、他の駆動デバイスにも適用可能である。また、モードについても撮影モードを例に挙げたが、これに限定されるものではない。撮像装置100の内部処理の各種モードに応じて駆動周波数、サーボパラメータを変更するようにした場合でも同様の効果を得ることが可能である。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
21 撮像素子
50 制御部
50a タイミング取得部
50b 駆動制御部
100 撮像装置
113b アクチュエータ

Claims (14)

  1. 被写体像を電荷情報に光電変換する撮像素子と、
    撮像に係る駆動部位を駆動する駆動デバイスと、
    前記撮像素子から前記電荷情報を読み出すタイミングで、前記駆動デバイスの駆動周波数を変更する制御部と、
    を備える、撮像装置。
  2. 前記制御部は、撮像に係るモードが変更された場合に、前記駆動デバイスの駆動周波数をモードに応じた周波数に変更する、請求項1に記載の撮像装置。
  3. 前記制御部は、前記駆動デバイスの駆動周波数を変更した場合に、前記駆動デバイスのサーボ特性パラメータを前記駆動周波数とともに変更する、請求項1に記載の撮像装置。
  4. 前記制御部は、前記撮像素子のCDS回路のゲイン特性に応じて前記駆動デバイスの駆動周波数を変更する、請求項1に記載の撮像装置。
  5. 前記制御部は、撮像光学系のメカニカルシャッターを開閉するための駆動信号に基づいて、前記撮像素子から前記電荷情報を読み出すタイミングを取得する、請求項1に記載の撮像装置。
  6. 前記駆動部位は、手ぶれ補正のための補正レンズである、請求項1に記載の撮像装置。
  7. 被写体像を電荷情報に光電変換する撮像素子から前記電荷情報を読み出すタイミングを取得するタイミング取得部と、
    前記撮像素子から前記電荷情報を読み出すタイミングで、撮像に係る駆動部位を駆動する駆動デバイスの駆動周波数を変更する駆動制御部と、
    を備える、制御装置。
  8. 前記駆動制御部は、撮像に係るモードが変更された場合に、前記駆動デバイスの駆動周波数をモードに応じた周波数に変更する、請求項7に記載の制御装置。
  9. 前記駆動制御部は、前記駆動デバイスのサーボ特性パラメータを前記駆動周波数とともに変更する、請求項7に記載の制御装置。
  10. 前記駆動制御部は、前記撮像素子のCDS回路のゲイン特性に応じて前記駆動デバイスの駆動周波数を変更する、請求項7に記載の制御装置。
  11. 被写体像を電荷情報に光電変換する撮像素子から前記電荷情報を読み出すタイミングを取得するステップと、
    前記撮像素子から前記電荷情報を読み出すタイミングで、撮像に係る駆動部位を駆動する駆動デバイスの駆動周波数を変更するステップと、
    を備える、撮像装置の制御方法。
  12. 撮像に係るモードが変更された場合に、前記駆動デバイスの駆動周波数をモードに応じた周波数に変更するステップを更に備える、請求項11に記載の撮像装置の制御方法。
  13. 前記駆動周波数を変更するステップにおいて、前記駆動デバイスのサーボ特性パラメータを前記駆動周波数とともに変更する、請求項11に記載の撮像装置の制御方法。
  14. 前記駆動周波数を変更するステップにおいて、前記撮像素子のCDS回路のゲイン特性に応じて前記駆動デバイスの駆動周波数を変更する、請求項11に記載の撮像装置の制御方法。
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