JP2011527230A5

JP2011527230A5 -

Info

Publication number: JP2011527230A5
Application number: JP2011516367A
Authority: JP
Filing date: 2009-05-13
Publication date: 2012-06-28

Description

本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく本開示の様々な修正形態及び変更形態が、当業者には、明らかとなろう。また、本発明は、本明細書に記載した例示的な要素に限定されないことが理解されるべきである。
本発明はまた、以下の内容を包含する。
（１）非対称な膜を形成する方法であって、
第１主表面及び第２主表面を有する多孔質基材を提供する工程と、
重合可能組成物を前記多孔質基材に適用し、コーティングされた多孔質基材を提供する工程であって、前記重合可能組成物が、
ｉ）少なくとも１つの重合可能種、及び
ｉｉ）少なくとも１つの光開始剤を含む、工程と、
前記コーティングされた多孔質基材を３４０ｎｍ未満のピーク放射波長を有する紫外線源に暴露し、前記重合可能種を重合して非対称な膜を形成する工程であって、前記非対称な膜は前記多孔質基材中に保持される重合物質を有し、前記重合物質は前記第１主表面において、前記第２主表面におけるよりも高い濃度を有する、工程とを含む、方法。
（２）３４０ｎｍ未満のピーク放射波長を有する紫外線源に暴露した後に、前記非対称な膜を洗浄する工程を更に含む、項目（１）に記載の方法。
（３）前記多孔質基材がミクロ孔質である、項目（１）又は（２）に記載の方法。
（４）前記多孔質基材がミクロ孔質の熱誘起相分離膜を含む、項目（１）〜（３）のいずれか一項に記載の方法。
（５）前記多孔質基材が親水性である、項目（１）に記載の方法。
（６）前記多孔質基材が疎水性である、項目（１）に記載の方法。
（７）前記多孔質基材がフィルム、不織布ウェブ、織布ウェブ、繊維、又はこれらの組み合わせを含む、項目（１）に記載の方法。
（８）前記多孔質基材が微粒子を更に含む、項目（７）に記載の方法。
（９）前記繊維が中空繊維である、項目（７）に記載の方法。
（１０）前記多孔質基材がポリオレフィン、ポリアミド、フッ素化ポリマー、ポリ（エーテル）スルホン、セルロース誘導体、ポリ（エーテル）イミド、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、セラミックス、又はこれらの組み合わせを含む、項目（１）に記載の方法。
（１１）前記多孔質基材がポリオレフィンを含む、項目（１０）に記載の方法。
（１２）前記ポリオレフィンがポリエチレン又はポリプロピレンを含む、項目（１１）に記載の方法。
（１３）前記多孔質基材がポリアミドを含む、項目（１０）に記載の方法。
（１４）前記ポリアミドがナイロン６，６を含む、項目（１３）に記載の方法。
（１５）前記適用する工程が、ダイコーティング、ロールコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、カーテンコーティング、スライドコーティング、又はこれらの組み合わせを含む、項目（１）に記載の方法。
（１６）前記重合可能組成物を適用する工程が、前記多孔質基材を浸漬するか、又は満たす工程を含む、項目（１）〜（１５）のいずれか一項に記載の方法。
（１７）前記重合可能組成物を適用する工程が前記多孔質基材の厚さの一部を、前記第１主表面から少なくとも１マイクロメートルまで浸漬するか、又は満たす工程を含む、項目（１）〜（１５）のいずれか一項に記載の方法。
（１８）前記重合可能種の少なくとも１つが、アクリレート、（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミド、スチレン、アリル、ビニルエーテル、又はこれらの組み合わせを含む、項目（１）に記載の方法。
（１９）前記重合可能種の少なくとも１つがイオン基を含む、項目（１８）に記載の方法。
（２０）前記イオン基がスルホン酸、又はスルホン酸塩を含む、項目（１９）に記載の方法。
（２１）前記イオン基がアミン又は第四級アンモニウム塩を含む、項目（１９）に記載の方法。
（２２）前記イオン基がカルボン酸又はカルボン酸塩を含む、項目（１９）に記載の方法。
（２３）前記イオン基がホスホン酸又はホスホン酸塩を含む、項目（１９）に記載の方法。
（２４）前記イオン基が正電荷を帯びているか、負電荷を帯びているか、又はこれらの組み合わせである、項目（１９）に記載の方法。
（２５）前記重合可能種の少なくとも１つがイオン基を含む、項目（１８）〜（２４）のいずれか一項に記載の方法。
（２６）非イオン基を含む少なくとも１つの重合可能種を更に含む、項目（２５）に記載の方法。
（２７）前記重合可能組成物が溶媒を更に含む、項目（１）〜（２６）のいずれか一項に記載の方法。
（２８）前記コーティングされた多孔質基材の前記暴露が不活性環境を含む、項目（１）〜（２７）のいずれか一項に記載の方法。
（２９）３４０ｎｍ未満のピーク放射を有する前記紫外線源が狭帯域紫外線源である、項目（１）に記載の方法。
（３０）前記紫外線源が複数の単色放射線源を含む、項目（１）に記載の方法。
（３１）前記複数の単色放射線源が、エキシマランプ源、低圧水銀ランプ源、発光ダイオード、レーザー源、又はこれらの組み合わせを含む、項目（３０）に記載の方法。
（３２）前記紫外線源が複数の蛍光放射線源を含む、項目（１）に記載の方法。
（３３）前記紫外線源が、単色放射線源、蛍光放射線源、又はこれらの組み合わせを含む、項目（２９）〜（３２）のいずれか一項に記載の方法。
（３４）前記紫外線源が、約１４０ｎｍ〜約３２０ｎｍの範囲内のピーク放射波長を含む、項目（１）に記載の方法。
（３５）前記紫外線源が約２００ｎｍ〜約３００ｎｍの範囲内のピーク放射波長を含む、項目（１）に記載の方法。
（３６）前記非対称な膜の前記第１主表面が親水性であり、前記非対称な膜の前記第２主表面が疎水性である、項目（１）に記載の方法。
（３７）前記非対称な膜の前記第１主表面が疎水性であり、前記非対称な膜の前記第２主表面が親水性である、項目（１）に記載の方法。
（３８）前記コーティングされた多孔質基材を、透明な第１層と第２層との間に位置付けて多層構造を形成し、前記透明な第１層が前記第１主表面に隣接して位置付けられ、前記第２層が前記第２主表面に隣接して位置付けられ、前記透明な第１層が前記紫外線源に最も近く、前記コーティングされた多孔質基材を３４０ｎｍ未満のピーク放射波長を有する前記紫外線源に暴露する工程が、前記多層構造を紫外線に暴露する工程を含む、項目（１）に記載の方法。
（３９）前記コーティングされた多孔質基材を３４０ｎｍ未満のピーク放射波長を有する前記紫外線源で処理した後に、前記透明な第１層、及び前記第２層を前記多層構造から取り除く工程を更に含む、項目（３８）に記載の方法。
（４０）前記重合可能組成物が架橋剤を更に含む、項目（１）に記載の方法。
（４１）項目（１）〜（４０）のいずれか一項に記載の方法によって形成される非対称な膜。

Claims

非対称な膜を形成する方法であって、
第１主表面及び第２主表面を有する多孔質基材を提供する工程と、
重合可能組成物を前記多孔質基材に適用し、コーティングされた多孔質基材を提供する工程であって、前記重合可能組成物が、
ｉ）少なくとも１つの重合可能種、及び
ｉｉ）少なくとも１つの光開始剤を含む、工程と、
前記コーティングされた多孔質基材を３４０ｎｍ未満のピーク放射波長を有する紫外線源に暴露し、前記重合可能種を重合して非対称な膜を形成する工程であって、前記非対称な膜は前記多孔質基材中に保持される重合物質を有し、前記重合物質は前記第１主表面において、前記第２主表面におけるよりも高い濃度を有する、工程とを含む、方法。
３４０ｎｍ未満のピーク放射波長を有する紫外線源に暴露した後に、前記非対称な膜を洗浄する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
前記多孔質基材がミクロ孔質の熱誘起相分離膜を含む、請求項１に記載の方法。
前記多孔質基材がポリオレフィン、ポリアミド、フッ素化ポリマー、ポリ（エーテル）スルホン、セルロース誘導体、ポリ（エーテル）イミド、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、セラミックス、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
前記重合可能種の少なくとも１つが、アクリレート、（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミド、スチレン、アリル、ビニルエーテル、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
前記重合可能種の少なくとも１つが、スルホン酸又はスルホン酸塩、アミン又は第四級アンモニウム塩、カルボン酸又はカルボン酸塩、及びホスホン酸又はホスホン酸塩から選択されるイオン基を含む、請求項５に記載の方法。
前記コーティングされた多孔質基材を、透明な第１層と第２層との間に位置付けて多層構造を形成する工程であって、前記透明な第１層が前記第１主表面に隣接して位置付けられ、前記第２層が前記第２主表面に隣接して位置付けられ、前記透明な第１層が前記紫外線源に最も近い、工程をさらに含み、前記コーティングされた多孔質基材を３４０ｎｍ未満のピーク放射波長を有する前記紫外線源に暴露する工程が、前記多層構造を紫外線に暴露する工程を含み、並びに前記コーティングされた多孔質基材を３４０ｎｍ未満のピーク放射波長を有する前記紫外線源で処理した後に、前記透明な第１層及び前記第２層を前記多層構造から取り除く工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法によって形成される非対称な膜。