JP2011525793A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. iPS細胞の樹立効率の改善方法であって、体細胞の核初期化工程においてp53の機能を阻害することを含む、方法。
2. p53の化学的阻害物質を体細胞に接触させることによりp53の機能を阻害する、請求項１記載の方法。
3. p53のドミナントネガティブ変異体またはそれをコードする核酸を体細胞に接触させることによりp53の機能を阻害する、請求項１記載の方法。
4. p53に対するsiRNA、shRNAおよびそれらをコードするDNAからなる群より選択される核酸を体細胞に接触させることによりp53の機能を阻害する、請求項１記載の方法。
5. p53経路阻害物質を体細胞に接触させることによりp53の機能を阻害する、請求項１記載の方法。
6. p53の機能阻害物質を含有してなる、iPS細胞の樹立効率改善剤。
7. 前記阻害物質が化学的阻害物質である、請求項６記載の剤。
8. 前記阻害物質がp53のドミナントネガティブ変異体またはそれをコードする核酸である、請求項６記載の剤。
9. 前記阻害物質がp53に対するsiRNA、shRNAおよびそれらをコードするDNAからなる群より選択される核酸である、請求項６記載の剤。
10. 前記阻害物質がp53経路阻害物質である、請求項６記載の剤。
11. 体細胞に核初期化物質およびp53の機能阻害物質を接触させることを含む、iPS細胞の製造方法であって、核初期化物質が、Oct3/4およびSox2、またはそれらをコードする核酸、Oct3/4、Sox2およびKlf4、またはそれらをコードする核酸、またはOct3/4、Sox2、Klf4およびc-Myc、またはそれらをコードする核酸を含む、方法。
12. 前記阻害物質が化学的阻害物質である、請求項１１記載の方法。
13. 前記阻害物質がp53のドミナントネガティブ変異体またはそれをコードする核酸である、請求項１１記載の方法。
14. 前記阻害物質がp53に対するsiRNA、shRNAおよびそれらをコードするDNAからなる群より選択される核酸である、請求項１１記載の方法。
15. 前記阻害物質がp53経路阻害物質である、請求項１１記載の方法。
16. 体細胞がT細胞である、請求項１１記載の方法。
17. 請求項１６記載の方法により得られる、T細胞抗原受容体（TCR）遺伝子が再構成されているiPS細胞。
18. p53のドミナントネガティブ変異体またはp53に対するsiRNAもしくはshRNAをコードする外来性核酸を含む、iPS細胞。