JP2011524816A - マイクロマシニング型の構成素子のための製造方法、相応の構成素子複合体、及び相応のマイクロマシニング型の構成素子 - Google Patents
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Abstract
Description
普遍性あるいは一般性を制限することなく、本発明、及び本発明の根底にある課題について、高圧センサ素子を参照しながら説明する。高圧センサ素子の場合、集積された評価回路を有するか、又は集積された評価回路を有しない単数又は複数の薄いシリコンチップが、鋼ダイヤフラムを備える鋼基板にろう接されている。
請求項1の特徴を備える本発明に係るマイクロマシニング型の構成素子のための製造方法、又は請求項14に係る構成素子複合体、又は請求項17に係る相応のマイクロマシニング型の構成素子は、当該マイクロマシニング型の構成素子がウエハプロセスの使用、又はウエハプロセス及びバッチプロセスの組み合わせの使用だけで簡単に、確実に、かつ特に気泡なしに製造可能であるという利点を有する。ろう接時の気泡形成の最小化は、印刷されたシールガラス構造に設けられた排気通路、及び場合によってはろう接時のチップの凸状の形状によって可能となる。これにより、電気的な構成素子安定性が向上する。個別基板の代わりに複合基板を使用することによって、製造の簡単化及び合理化が達成される。
図中、同一の符号は、同一又は機能同一のコンポーネントを示す。
Claims (15)
- マイクロマシニング型の構成素子のための製造方法において、以下のステップ、すなわち、
第1の前面側の表面(V1;V1′;V1′′;V1′′′)及び第1の背面側の表面(R1;R1′;R1′′;R1′′′)を備える、多数の半導体チップ(SC1,SC2,SC3;SC2′′;SC1′′′,SC2′′′;SC3′′′)の第1の複合体(W1;W1′;W1′′;W1′′′)を用意するステップと、
第2の前面側の表面(V2;V2′′′)及び第2の背面側の表面(R2;R2′′′)を備える、対応する多数のキャリア基板(SS1,SS2,SS3;SS1′′′,SS2′′′,SS3′′′)の第2の複合体(W2;W2′)を用意するステップと、
前記第1の前面側の表面(V1;V1′;V1′′;V1′′′)及び/又は前記第2の前面側の表面(V2;V2′′′)に、排気通路(SK,KG)を備える構造化された付着層(SG)を被着するステップと、
前記第1の前面側の表面(V1;V1′;V1′′;V1′′′)と、前記第2の前面側の表面(V2;V2′′′)とを、それぞれ1つの半導体チップ(SC1,SC2,SC3;SC2′′;SC1′′′,SC2′′′;SC3′′′)及び対応するキャリア基板(SS1,SS2,SS3;SS1′′′,SS2′′′,SS3′′′)を備える多数のマイクロマシニング型の構成素子に対応するようにアライメント調整するステップと、
前記第1の前面側の表面(V1;V1′;V1′′;V1′′′)と、前記第2の前面側の表面(V2;V2′′′)とを、前記構造化された付着層(SG)を介して、圧力を印加した状態で結合するステップであって、各々の半導体チップ(SC1,SC2,SC3;SC2′′;SC1′′′,SC2′′′;SC3′′′)が前記対応するキャリア基板(SS1,SS2,SS3;SS1′′′,SS2′′′,SS3′′′)に、それぞれのマイクロマシニング型の構成素子に対応するように結合され、このとき、周囲雰囲気のガスが前記排気通路(SK,KG)を通して外部に逃げることができるように結合するステップと、
マイクロマシニング型の構成素子を個別化するステップと、
を有することを特徴とする、マイクロマシニング型の構成素子のための製造方法。 - 前記第1の複合体(W1;W1′;W1′′;W1′′′)がウエハ複合体(W1;W1′)である、請求項1記載の製造方法。
- 前記ウエハ複合体(W1)を、前記半導体チップ(SC1,SC2,SC3)が、それぞれの中空室(H1,H2)により包囲されている単数又は複数の支持領域(ST1,ST2)を介してウエハ本体(1)に結合されているように構成する、請求項2記載の製造方法。
- 前記結合するステップが熱ステップを含み、該熱ステップにおいて、前記支持領域(ST1,ST2)を破断して、前記ウエハ本体(1)を前記半導体チップ(SC1,SC2,SC3)から解離する、請求項3記載の製造方法。
- 前記第1の複合体(W1;W1′;W1′′;W1′′′)を、多数の半導体チップ(SC1,SC2,SC3;SC2′′;SC1′′′,SC2′′′;SC3′′′)がダイシングシート(SF;SF′)に設けられているように構成する、請求項1記載の製造方法。
- 前記第2の複合体(W2;W2′)がウエハ複合体(W2)である、請求項1記載の製造方法。
- 前記第2の複合体(W2;W2′)を、多数のキャリア基板(SS1,SS2,SS3;SS1′′′,SS2′′′,SS3′′′)がキャリア装置(TE)により結合されているように構成する、請求項1記載の製造方法。
- 前記付着層(SG)がシールガラス層であり、該シールガラス層を結合のために100〜500℃の範囲の温度に加熱する、請求項1から7までのいずれか1項記載の製造方法。
- 前記付着層(SG)が、第1の排気通路(SK)を備える多数の別体の構造(SGS)を備える印刷パターンを備え、該別体の構造(SGS)が、第2の排気通路(KG)により離間されているようにする、請求項1から8までのいずれか1項記載の製造方法。
- 前記キャリア基板(SS1,SS2,SS3;SS1′′′,SS2′′′,SS3′′′)が鋼基板である、請求項1から9までのいずれか1項記載の製造方法。
- 前記第1の前面側の表面(V1;V1′;V1′′;V1′′′)上に、各々の半導体チップ(SC1,SC2,SC3;SC2′′;SC1′′′,SC2′′′;SC3′′′)が集積回路(C1,C2;C1′,C2′;C2′′;C1′′′,C2′′′)を有しており、前記第1の前面側の表面(V1;V1′;V1′′;V1′′′)を前記第2の前面側の表面(V2;V2′′′)に、前記構造化された付着層(SG)を介して結合する、請求項1から10までのいずれか1項記載の製造方法。
- 結合後、個別化する前に、前記第1の背面側の表面(R1;R1′;R1′′;R1′′′)から前記半導体チップ(SC1,SC2,SC3;SC2′′;SC1′′′,SC2′′′;SC3′′′)を貫通接続するステップを実施する、請求項11記載の製造方法。
- 貫通接続前に、多数の半導体チップ(SC1,SC2,SC3;SC2′′;SC1′′′,SC2′′′;SC3′′′)の第1の複合体(W1;W1′;W1′′;W1′′′)を前記第1の背面側の表面(R1;R1′;R1′′;R1′′′)において薄肉化するステップを実施する、請求項11記載の製造方法。
- マイクロマシニング型の構成素子複合体において、
多数の半導体チップ(SC1,SC2,SC3;SC2′′;SC1′′′,SC2′′′;SC3′′′)の第1の複合体(W1;W1′;W1′′;W1′′′)を備え、該第1の複合体が、第1の前面側の表面(V1;V1′;V1′′;V1′′′)及び第1の背面側の表面(R1;R1′;R1′′;R1′′′)を有しており、
対応する多数のキャリア基板(SS1,SS2,SS3;SS1′′′,SS2′′′,SS3′′′)の第2の複合体(W2;W2′)を備え、該第2の複合体が、第2の前面側の表面(V2;V2′′′)及び第2の背面側の表面(R2;R2′′′)を有しており、該キャリア基板(SS1,SS2,SS3;SS1′′′,SS2′′′,SS3′′′)が鋼基板であり、
前記第1の前面側の表面(V1;V1′;V1′′;V1′′′)と、前記第2の前面側の表面(V2;V2′′′)とは、構造化された付着層(SG)を介して、各々の半導体チップ(SC1,SC2,SC3;SC2′′;SC1′′′,SC2′′′;SC3′′′)が対応するキャリア基板(SS1,SS2,SS3;SS1′′′,SS2′′′,SS3′′′)に、それぞれのマイクロマシニング型の構成素子に対応するように実質的に気泡なしに結合されているように、結合されている、
ことを特徴とする、マイクロマシニング型の構成素子複合体。 - 前記半導体チップ(SC1,SC2,SC3;SC2′′;SC1′′′,SC2′′′;SC3′′′)が、圧電式の装置(P)を備えるセンサチップである、請求項14記載のマイクロマシニング型の構成素子複合体。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09280986A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電容量式圧力センサ及びこのセンサを用いたガス異常監視装置 |
JP2000223446A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005144660A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Memsの付着性を減少させる方法および付着防止被覆された装置 |
JP2005210131A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Robert Bosch Gmbh | 半導体チップをパッケージングする方法および半導体チップ構造 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0711461B2 (ja) * | 1986-06-13 | 1995-02-08 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 圧力検出器 |
US5191798A (en) * | 1988-09-30 | 1993-03-09 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Pressure sensor |
DE19934114A1 (de) | 1999-07-21 | 2001-01-25 | Bosch Gmbh Robert | Substrat und Werkstückträger zur Aufnahme des Substrates |
DE10036284A1 (de) | 2000-07-26 | 2002-02-07 | Bosch Gmbh Robert | Herstellungsverfahren für ein Sensorbauelement, insbesondere Dünnschicht-Hochdrucksensor und Sensorbauelement |
DE10349540A1 (de) | 2003-10-22 | 2005-05-25 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Halbleiterdrucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10350036B4 (de) | 2003-10-27 | 2014-01-23 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung |
DE102005035057A1 (de) | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterchipanordnung unter Verwendung eines Trägersubstrats und entsprechende Halbleiterchipanordnung |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09280986A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電容量式圧力センサ及びこのセンサを用いたガス異常監視装置 |
JP2000223446A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005144660A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Memsの付着性を減少させる方法および付着防止被覆された装置 |
JP2005210131A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Robert Bosch Gmbh | 半導体チップをパッケージングする方法および半導体チップ構造 |
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