JP2015513835A - センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
−基板上にセンサ素子(複数)を配設するステップ。
−このセンサ素子の上にカバーを配設するステップであって、このセンサ素子が当該カバーと上記基板との間に封止されるステップ。
−担体フィルムを上記カバー上に接着するステップ。
−この担体フィルムおよびカバーに開口部を形成するステップであって、この担体フィルムおよびカバーの開口部(複数)が、少なくとも部分的に重なっているステップ。
これに対応してこの担体フィルムは、このセンサを試験装置に導くことを可能とすることができる。
しかしながらこの変位は、検出ステップで認識され、またこれににより補償することができる。検出ステップとしては、ここではとりわけ自動画像認識が適している。
SE : センサ素子
BE : 他のデバイス素子
TR : 基板
MEM : メンブレン
RV : バックキャビティ
AD : カバー
AF : カバーフィルム
BU : バンプ
ANF : 接続面
KP : コンタクトパッド
DK : 貫通接続部
GM : ベースメタライジング
SO : 開口部
RS : レジストパターン
VS : 補強層
TS : 担体フィルム
TA : 試験装置
LS : スピーカー
SAO : 音響出口開口部
RM : 基準マイクロフォン
CAM : カメラ
EKV : 電気的コンタクト装置
KE : カップリング部材
Claims (17)
- 基板(TR)上にセンサ素子(SE)を配設するステップと、
前記センサ素子(SE)の上にカバー(AF)を配設し、前記センサ素子(SE)が当該カバー(AF)と前記基板(TR)との間に封止されるステップと、
前記カバー(AF)上に担体フィルム(TF)を接着するステップと、
前記担体フィルム(TF)および前記カバー(AF)に開口部(SO)を形成し、前記担体フィルム(TF)および前記カバー(AF)の開口部(複数)が、少なくとも部分的に重なっているようにするステップと、
を備えることを特徴とする、センサー(SEN)の製造方法。 - 前記担体フィルム(TF)および前記カバー(AF)の前記開口部(SO)は、前記担体フィルム(TF)の接着後に形成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記担体フィルム(TF)および前記カバー(AF)の開口部(SO)は、1つの共通の方法ステップで形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記担体フィルム(TF)および前記カバー(AF)の開口部(SO)は、一致していることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記担体フィルム(TF)および前記カバー(AF)のそれぞれの開口部(SO)は、前記担体フィルム(TF)の接着前に形成され、
前記センサ素子(SE)は、接着される際に、前記担体フィルム(TF)および前記カバー(AF)の開口部(SO)が少なくとも部分的に重なるように位置決めされることを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - 複数のセンサ素子(SE)が、前記基板上に配設され、
各々の前記センサ素子(SE)が、前記基板と前記カバー(AF)との間に封止されるように、前記カバー(AF)が前記複数のセンサ素子(SE)の上に配設され、
前記担体フィルム(TF)が前記カバー(AF)上に接着され、
前記センサ(SEN)は、前記接着の後に個々に分離されることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法。 - 前記担体フィルム(TF)は、さらなるステップにおいて取り除かれることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記担体フィルムが取り除かれる前に、試験装置(TA)を用いて、前記センサ(SEN)の機能試験が行われ、この際前記センサ(SEN)は、前記担体フィルム(TF)と前記試験装置(TA)との相対的な移動によってアライメントされることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 前記担体フィルム(TF)は、前記機能試験の間は、前記センサ(SEN)と前記試験装置(TA)との間の密封を形成することを特徴とする、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記担体フィルム(TF)および前記カバー(AF)の開口部(SO)は、ドリル加工によって形成されることを特徴とする、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記カバー(AF)は、前記開口部(SO)が形成される領域での厚さが、既に前記カバー(AF)を取り付ける際に、他の領域よりも薄くなっているか、あるいはこの領域で後発的に薄くされるようにすることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法。
- ベースメタライジング(GM)が、前記センサ(SEN)の上に取り付けられ、
レジストパターン(RS)が、前記開口部(SO)が形成される領域に設けられ、
前記ベースメタライジング(GM)上に補強層(VS)が形成され、この際前記ベースメタライジング(GM)の前記レジストパターン(RS)によって覆われていない領域は前記補強層が付いていない、
ことを特徴とする、請求項10に記載の方法。 - 前記カバー(AF)の薄い領域は、検出ステップで確認され、開口部(SO)が形成される位置を決定するために利用されることを特徴とする、請求項11または12に記載の方法。
- 前記センサ(SEN)が、前記担体フィルム(TF)に対し反対側に、電気的コンタクト部(KP)を備えることを特徴とする、請求項1乃至13のいずれか1項に記載の方法。
- 前記センサ(SEN)が、前記担体フィルム(TF)の側に配設された電気的コンタクト部(KP)を備えることを特徴とする、請求項1乃至13のいずれか1項に記載の方法。
- 前記担体フィルム(TF)は、前記電気的コンタクト部(KP)または前記試験装置(TA)によって刺し抜かれるか、または前記担体フィルム(TF)は、前記電気的コンタクト部(KP)の配設される領域が取り除かれることを特徴とする、請求項15に記載の方法。
- 前記センサ素子(SE)は、音響波を電気信号に変換する変換素子であることを特徴とする、請求項1乃至16のいずれか1項に記載の方法。
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