JP2005144660A - Ｍｅｍｓの付着性を減少させる方法および付着防止被覆された装置 - Google Patents

Ｍｅｍｓの付着性を減少させる方法および付着防止被覆された装置 Download PDF

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Abstract

【課題】ＭＥＭＳの付着性を減少させる方法および付着防止被覆されたＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】装置の表面に付着防止層を形成する方法であって、キャップウエハー２１上に被覆材料２４を担持し、キャップウエハーとＭＥＭＳウエハー４１を、それら両方のウエハーがひとつの中空空間を形成するように結合する。その後、前記被覆材料を蒸発させることでＭＥＭＳウエハーの表面の少なくとも一部を被覆する。
【選択図】図４

Description

本発明は、列挙した請求項の上位概念の特徴部を有する方法および装置に関する。
マイクロエレクトメカニカル構造体（ＭＥＭＳ）中の可動性の素子は固定構造体に付着することがある。付着のためのメカニズムは、特に、機械的過負荷、静電的積載および化学的結合を挙げることができる。化学的結合には、ファンデルワールス相互作用、イオン相互作用、共有結合または金属結合が重要である。高い表面エネルギーを有する表面、例えばケイ素表面はＯＨ基からなる被覆層または水フィルムと接触する際に、強い結合力を示すことがある。この強い結合力は（水を取り除いた後に）イオン相互作用または共有結合をもたらし、かつこの強い結合力は両方の表面を一緒に結合する。
記載した付着（ドイツ語：Ankleben、英語：Sticking）は、表面を付着防止層（いわゆる粘着防止層）で被覆することにより阻止することができる。
液相からなる粘着防止層のＭＥＭＳ構造体上への担持は、乾燥の際に毛管現象力がＭＥＭＳを接着するために、非常に困難を伴う。シランを有するガス相からの有機化合物での被覆法（英語：Chemical Vapour Deposition-CVD）は、例えばＤＥ２６２５４４８から公知である。この被覆は、低い表面エネルギーを有する層で表面を不動態化し、場合により存在するＯＨ基を被覆する。ＤＥ１９８１７３１０は可動性のＭＥＭＳ構造体の表面上への付着減少保護層としてＣＶＤ−ＳＯ2層、金属酸化物層、金属窒化物層および有機被覆を提案している。
反応性の、過フッ素化または芳香族シランは公知であり、市販されている。そのようなシランは部材表面上に存在するＯＨ基と反応し、薄い固着したシラン層になる。そのような層の付着防止性、疎水性、疎油性およびその他の排斥する特性は公知である。固着（Sticking）の前に、マイクロメカニカル部材の保護のためにガス相から過フッ素化シランの単層を析出するための被覆法（ＣＶＤ）はＥＰ０８４５３０１から公知である。
固着の前に、マイクロエレクトロメカニカル部材を保護するためのその他のガス相被覆法はＵＳ５６９４７４０から公知である。シリコーン油および特に過フッ素化シランを利用する。
その他のガス相被覆法はSakata J, Tsuchiya T, Inoue A, Tkumitsu S, Funabashi H等により“Anti-Stiction Sillanization coating........vapour phase deposition process”Transducers 99, 7.6.99, 仙台、日本、に記載されている。そこでは、マイクロエレクトロメカニカル部材は、１,１,２,２−テトラヒドロペルフルオロオクチルトリクロロシランでガス相被覆により“付着防止層”を備える。
マイクロエレクトロメカニカル構成要素の通常の製法は、多くのこれらの構成要素をウェハー上で、いわゆるＭＥＭＳウェハー上で、一緒に製造し、その後これを個別にすることからなる。環境からの影響から保護するために、マイクロエレクトロメカニカル構成要素はキャップを有する。通常のキャッピング法は、ケイ素キャップをマイクロエレクトロメカニカル構成要素上に担持し、シールガラス結合の工程によりこの構成要素と結合することからなる。
構成要素とまさに同様に、キャップもウェハー上で、いわゆるキャップウェハー上で一緒に製造することができ、引き続き個別にすることができる。更に、完全なＭＥＭＳ−ウェハーおよび完全なキャップウェハーを相互に結合することにより、構成要素のキャッピングを行う方法も公知である。次いで、キャッピングした構成要素を個別にする。
ＤＥ２６２５４４８ ＤＥ１９８１７３１０ ＥＰ０８４５３０１ ＵＳ５６９４７４０ Sakata J, Tsuchiya T, Inoue A, Tkumitsu S, Funabashi H等著"Anti-Stiction Sillanization coating........vapour phase deposition process"Transducers 99, 7.6.99, 仙台、日本
本発明はＭＥＭＳ−ウェハーの表面上に付着防止層を製造する方法に関する。その際、被覆するための表面を付着防止材料のガス相に曝す。
本発明の中核は、粘着防止媒体を機能ウェハーまたはＭＥＭＳ−ウェハー上に直接担持するのではなく、第１の工程でキャップウェハー上に担持するということにある。この“接種した”キャップウェハーを次の工程で機能センサウェハーと、すなわちＭＥＭＳ−ウェハーと永久的に結合する。この経過の際にまたはその後に、粘着防止媒体が蒸発し、ＭＥＭＳウェハーの表面の少なくとも一部上に析出する。これにより、可動要素の付着は阻止される。その際ＭＥＭＳ−ウェハーのための特別な被覆工程は必要がない。
本発明による方法は、利点、特に費用が安価に実施可能であるという利点および更にウェハーバッチ全体の被覆のために使用可能である（バッチ可能性）という利点を有する。その他の利点は、既存の生産装置を使用することができることである。粘着防止媒体によるその他の製品への汚染（交叉汚染）はこの方法により最少にされるか、または完全になくなる。本発明による装置は特に安価に製造することができる。
この際、材料をキャップウェハー上に担持し、キャップウェハーをＭＥＭＳ−ウェハーと結合するのが有利である。この工程および引き続き行われる工程の際に、この材料は蒸発し、かつＭＥＭＳ−ウェハーの表面は被覆される。
更に、このキャップウェハーがシールガラスによりＭＥＭＳ−ウェハーと結合されるのが有利である。シールガラスペーストはキャップウェハーとＭＥＭＳ−ウェハーが包囲する、中空空間を外側から気密に密閉し、蒸発した付着防止材料を中空室の内部に保持し、そこで接する表面を少なくとも部分的に被覆する。
被覆するための材料の蒸発は周囲大気の圧力を低下させることによりおよび／または温度を上昇させることにより実施するのが特に有利である。この条件は材料の蒸発およびＭＥＭＳ−ウェハー上への被覆に有利に働く。
本発明方法の有利な実施態様は、材料をシールガラスペーストに添加することである。これによりキャップウェハーのための特別な被覆工程は必要ない。更に、オーブン中でキャップウェハーにシールグラスプリベーク工程を実施している際に、材料をオーブンの大気に添加することも有利である。大気中に含有される材料はその工程の際にキャップウェハーを被覆する。
本発明による方法の有利な実施態様は、多孔質体、特にシリコーンゴムまたはフェニルシリコーンゴムからなる多孔質体を材料で含浸させ、含浸された多孔質体を空間中、特にガス洗浄器の供給管中の約２００〜３００℃の高温位置に配置することにより、密閉された空間、特にオーブンの中の大気に材料をドープすることである。オーブン洗浄ガスは材料を取り込み、この材料を密閉された空間中に導入する。その他の有利な実施態様は、貯蔵容器からなる蒸発器源を材料で充填し、空間の内部に配置することにより、密閉された空間の内部の大気を材料でドープすることである。同様に、空間に導入される洗浄ガス中に予め材料をドープすることにより、特に蒸発器からの洗浄ガスに材料を混合することにより、または洗浄ガスを泡沫生成容器（Blubbergefaess）中で材料中を通過させて泡沫生成することにより密閉された空間の内部の大気を材料でドープすることは有利である。それと共に、貯蔵ビンから材料を弁を介して、加熱した供給管を通過させて蒸発させ、密閉した空間に導入することにより、密閉された空間の内部の大気を材料でドープすることは、有利である。
本発明のその他の有利な実施態様は、キャップウェハーおよび／またはシールガラスを、シールガラスプリベーク工程の後に、材料で被覆することである。このことは、例えばディスペンス塗布（Dispensen）、スプレー塗布、浸漬、ナイフ塗布、スクリーン印刷、ＣＶＤ被覆、ローラ塗布、コーチングにより実施することができる。
本発明による被覆法のために、シランの化合物群からの材料を使用するのが有利である。この化合物群からの材料は被覆のために非常に好適であり、特に良好な付着防止特性を示す。
更に、本発明はマイクロメカニカル機能部およびこれと結合するキャップとからなる装置にも関し、マイクロメカニカル機能部とキャップとは一緒に中空空間を包囲する。
本発明の中核は、中空空間に接する、機能部とキャップの表面、特に冒頭に記載した付着が生じることのある表面の少なくとも１部が、付着防止被覆を有することにある。
これにより、機能部のマイクロメカニカル構造体の、相互の、支持体へのおよびキャップへの付着が阻止される。特に、これによりマイクロメカニカル構造体上に僅かな高さで広がる平坦なキャップを使用することが可能になった。更に、これによりマイクロエレクトロメカニカル構成要素の小さな構造が可能になる。
その他の有利な実施態様は、従属請求項から明らかになる。
図面
本発明の実施例を図面に示し、かつ以下に詳細に説明する：
図１はキャップを備えるＭＥＭＳ構成要素の断面図を示す、
図２はキャップウェハー上へのシールガラスのスクリーン印刷の方法を示す、
図３はシールガラスで印刷されたキャップウェハーのプリベーク工程を示す、
図４はＭＥＭＳ−ウェハーとキャップウェハーとの結合を示している、
図５は温度調節ジャケットを備える液体源（泡沫生成容器）を示す、
図６は温度調節ジャケットを備える蒸発ビンを示す、
図７は蒸発器として孔を有する蓋を有する貯蔵容器を示す、
図８は貯蔵ビンと加熱した供給部を備えるオーブンを示す、
図９はガス洗浄器の供給管中にシリコーンゴムからなる多孔質体の形の蒸発器源を示す、
図１０は本発明による装置の断面図を示す。
実施例の記載
次に記載した実施形により本発明を詳細に説明する。
図１は、キャップ１２を備えるＭＥＭＳ構成要素１１の断面図を示す。ＭＥＭＳ構成要素１１は第１の層または支持体１３、絶縁層または犠牲層１４および第２の層または機能層１５から外方向に構造化されているマイクロメカニカル要素を備える機能層１５からなる。ＭＥＭＳ構成要素１１およびキャップ１２はシールガラス１７により結合されている。
図２は、キャップウェハー２１上へのシールガラス２３のスクリーン印刷の方法を示す。このシールガラス２３は本発明方法の実施形においてスクリーン印刷装置２２によりキャップウェハー２１の縁部上に担持される。担持されたシールガラス被覆２４の好適な層厚、典型的には５〜４０μｍは１回または複数回の印刷工程により達せられる。本発明方法による実施形によればシールガラス２３は付着防止材料を含有する。
図３は、シールガラス被覆２４を有するキャップウェハー２１のプリベーク工程を示す。その際、熱作用３１下に約３００〜５００℃の温度でシールガラスペーストの有機成分は蒸発または燃焼する。ガラスのタイプによっては付加的に前ガラス化を実施することができる。本発明方法のその他の実施形においては、キャップウェハー２１を包囲する大気３２に付着防止材料をドープし、かつキャップウェハー２１の表面をこの材料で被覆する。
図４はＭＥＭＳ−ウェハー４１とキャップウェハー２１との結合を示している。この工程は熱作用４４下に実施する。その際、温度をシールガラスが被覆２４中で液相で存在するように選択する。典型的には、温度３００〜６００℃である。その際、ＭＥＭＳ−ウェハー４１およびキャップウェハー２１を相互に接触させる。本発明方法の実施態様においてはシールガラス被覆２４中に含有される付着防止材料が蒸発し、ＭＥＭＳ−ウェハー４１およびキャップウェハーにより包囲された大気４６をドープする。付着防止材料はドープされた大気４６から析出し、接する表面、特にＭＥＭＳ−ウェハー４１のマイクロメカニカル構造体４７を被覆する。
本発明方法の更なる実施態様によれば、キャップウェハーおよび／またはシールガラスをシールガラスプリベーク工程の後に付着防止材料を、特にディスペンス塗布、スプレー塗布、浸漬、ナイフ塗布、スクリーン印刷、ガス相からの被覆（ＣＶＤ）、ローラ塗布、コーチングにより、被覆する。キャップウェハー（２１）の表面上に担持したこの付着防止材料は結合の際に被覆４５から蒸発し、同様にＭＥＭＳ−ウェハー４１およびキャップウェハーにより包囲された中空空間４６中の大気をドープする。付着防止材料はドープされた大気から析出し、接する表面、特にＭＥＭＳ−ウェハー４１のマイクロメカニカル構造体４７を被覆する。
図５は壁５０１により加熱可能である空間５００を示す。本発明方法の実施態様によれば空間５００中には、液相の形のまたはこの材料の不活性溶剤との溶液の形の付着防止材料５０３を充填した液体源（泡沫生成容器）５０２が存在する。この液体源５０２はスプレーガスの供給管５０４、特に閉鎖弁５０５および制御弁５０６を有する洗浄ガスの供給管５０４を有する。更に、液体源５０２は洗浄ガス排出管５１０、特に閉鎖弁５０８および制御弁５０７を有する洗浄ガスの排出管５１０を有する。オーブン洗浄ガスは供給管５０４を介して泡沫生成容器５０２中に流入し（泡沫生成し）、液体５０３を貫通し、その際に付着防止材料でドープされる。そのようにドープされたオーブン洗浄ガスは容器５０２を排出管５１０を通って流出し、この際制御弁５０７および閉鎖弁５０８を通過し、空間５００中に流入する。これにより、空間５００中の大気５０９は付着防止材料でドープされる。
図６は壁５０１により加熱可能である空間５００を示す。本発明方法の更なる実施態様によれば、空間５００中には、液相の形のまたはこの材料の不活性溶剤との溶液の形の付着防止材料５０３を充填した蒸発器６０２が存在する。この蒸発器６０２は排出管５１０、特に閉鎖弁５０８および制御弁５０７を有する。付着防止材料は蒸発器６０２中でガス相になり、容器６０２を排出管５１０を通って流出し、この際制御弁５０７および閉鎖弁５０８を通過し、空間５００中に流入する。空間５００中の大気５０９は付着防止材料でドープされる。
図７は壁５０１により加熱可能である空間５００を示す。本発明方法の更なる実施態様によれば、空間５００中には、孔を有する蓋７０３を有する容器７０２の形の蒸発器が存在する。この容器７０２は液相の形のまたはこの材料の不活性溶剤との溶液の形の付着防止材料５０３で充填されている。付着防止材料５０３は蒸発し、すなわち容器７０２中でガス相になり、孔を有する蓋７０３を通って流出し、空間５００中に流入する。空間５００中の大気５０９は付着防止材料でドープされる。
図８は壁５０１により加熱可能である空間５００を示す。本発明方法の更なる実施態様によれば、空間５００の外に、貯蔵ビン８０２が存在する。この貯蔵ビン８０２は加熱した排出管８０３、特に制御弁８０４、閉鎖弁８０５および出口５１０を有する排出管８０３を有する。この貯蔵ビン８０２は液相の形のまたはこの材料の不活性溶剤との溶液の形の付着防止材料５０３で充填されている。付着防止材料５０３は蒸発し、加熱した排出管８０３を通って貯蔵ビン８０２を流出し、空間５００中に流入する。空間５００中の大気５０９はこれにより付着防止材料でドープされる。
図９は壁５０１により加熱可能である空間５００を示す。本発明方法の更なる実施態様によれば、空間５００の中には、ガス洗浄器の供給管９０２が、特に空間５００の約２００〜３００℃の高温位置に存在する。供給管９０２中には多孔質体９０３、特にシリコーンゴムまたはフェニルメチルシリコーンゴムからなる多孔質体９０３が存在する。この多孔質体９０３は液相の形のまたは不活性溶剤との材料の溶液中の付着防止材料５０３で含浸されている。付着防止材料５０３は多孔質体９０３から蒸発する。オーブン洗浄ガスは供給管９０２を通過し、その際付着防止材料５０３でドープされる。この洗浄ガスは制御弁５０７および閉鎖弁５０８を通過して、その後開口部５１０を通って空間５００の大気５０９中に流入する。この際、大気５０９はこれにより付着防止材料でドープされる。
図１０は実質的に機能部１１０およびキャップ１０６からなる、本発明による装置１００が示される。機能部１１０およびキャップ１０６はシールガラスにより結合している、すなわち結合されている。機能部１１０およびキャップ１０６は一緒に空間を包囲している。この一緒に形成された空間に接する表面１０７は付着防止材料からなる被覆１０８を有する。機能部１１０は特に、支持体１０１および犠牲層１０２を有し、この上には機能層１０３が存在する。機能層は、マイクロメカニカル構造体１０４を構成し、このマイクロメカニカル構造体は特に可動性に設けられている。装置１００の被覆１０８で被覆された表面１０７は、可動性のマイクロメカニカル構造体１０４の部分と他の部分、すなわち支持体１０１とまたはキャップ１０６との接触において全く付着を生じなくさせる。
２００℃で１ミリバールを越える蒸気圧を有する材料は、特に図３〜９に示した方法により、オーブン大気をドーピングするために好適である。２００℃で蒸気圧１ミリバール未満の材料はシールガラスのドーピング、特に図２によるドーピングのために好適である。
シランの次の群は記載された付着防止材料のために好適である：
１． ＭＥＭＳのための粘着防止層のために好適なシランの群
１．１ Ｒ−ＳｉＸ3および誘導体
Ｒ−ＳｉＸ3、式中Ｘ＝フッ素、塩素、臭素、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、アルコキシ、アセトキシ、
Ｒ−Ｓｉ（Ｘ）2Ｍｅ、式中、Ｘは上記のものを表し、Ｍｅ＝メチル、
Ｒ−Ｓｉ（Ｘ）Ｍｅ2、式中、Ｘは上記のものを表し、Ｍｅ2＝ジメチル、
Ｒ＝Ｒｆ−Ｒｂ、式中、Ｒｆ＝ペルフルオロエチル、−ブチル、−ヘキシル、−オクチル、−デシル、−メチルおよびＲｂ＝エチルおよびメチル、例えば１,１,２,２−テトラヒドロペルフルオロオクチル−または３,３,３−トリフルオロプロピル、
Ｒ＝Ｃ1〜Ｃ30−アルキル、イソプロピル−、ｔ−ブチル、
Ｒ＝モノクロル化Ｃ1〜Ｃ4−アルキルまたはモノアルコキシアルキル、
Ｒ＝アリールアルキル／アリール＝フェニルエチル−、ナフチル−、２−メチル−２−フェニルエチル、４−フェニルブチル、ペンタフルオロフェニル、フェニル−、フェネチル、
Ｒ＝ペルフルオロポリエーテル基、
Ｒ＝アリルまたは３−アクリルオキシプロピル、アミノプロピル、メタクリルオキシメチル、ビニル、
１．２ Ｒ2−ＳｉＸ2および誘導体
式中、Ｘ＝フッ素、塩素、臭素、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、アルコキシ、アセトキシ、
Ｒ＝Ｒｆ−Ｒｂ、式中、Ｒｆ＝ペルフルオロエチル、−ブチル、−メチルおよびＲｂ＝エチルおよびメチル、例えば３,３,３−トリフルオロプロピル、
Ｒ＝アリールアルキル／アリール＝フェニルエチル−、ナフチル−、ペンタフルオロフェニル、フェニル、
Ｒ＝Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル−、
１．３ Ｒ3−ＳｉＸおよび誘導体
式中、Ｘ＝フッ素、塩素、臭素、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、アルコキシ、アセトキシ、
Ｒ＝Ｒｆ−Ｒｂ、式中、Ｒｆ＝ペルフルオロエチル、−ブチル、−メチルおよびＲｂ＝エチルおよびメチル、例えば３,３,３−トリフルオロプロピル、
Ｒ＝Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、イソプロピル、
Ｒ＝アリールアルキル／アリール＝フェニル、
１．４ Ｘ3Ｓｉ−Ｒｃ−ＳｉＸ3および誘導体
Ｘ3Ｓｉ−Ｒｃ−ＳｉＸ3、式中Ｘは前記のものを表し、Ｒｃ＝メチル、エチル、プロピル、ブチル、二官能性ペルフルオロポリエーテル
（Ｘ）2ＭｅＳｉ−Ｒｃ−Ｓｉ（Ｘ）2Ｍｅ、式中ＸおよびＲｃは前記のものを表す、
Ｘ（Ｍｅ）2Ｓｉ−Ｒｃ−Ｓｉ（Ｘ）Ｍｅ2、式中ＸおよびＲｃは前記のものを表す、
１．５ ポリマー
ポリ（ホウ素ジフェニルシロキサン）
ジフェニルおよびジメチルシロキサンからなるコポリマー、例えばトリメチルペンタフェニルトリシロキサン ＤＣ ７０５、テトラメチルテトラフェニルトリシロキサン ＤＣ ７０４、
１．６ 環式シラン：
１,１,３,３,５,５−ヘキサメチルシクロトリシラザン、
１,３−ジメチル−１,１,３,３−テトラフェニルジシラザン、
１,３−ジフェニル−１,１,３,３−テトラメチルジシラザン、
オクタメチルシクロテトラシラザン、
オクタフェニルシクロテトラシロキサン、
１．７ 好適なシラザンおよびシロキサン：
１,３−ジビニルテトラメチルジシラザン、
ヘキサメチルジシラザン、
ヘキサメチルジシロキサン、
オクタフェニルテトラシラザン、
オクタフェニルテトラシロキサン、
１．８ ガスクロマトグラフィーのための誘導体化剤：
Ｎ−（トリメチルシリル）ジメチルアミン、
Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）メチルアミン、
Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、
Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）カルバメート、
Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセタミド、
Ｎ−ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、
Ｎ−メチル−Ｎ−トリメチルシリルトリフルオロアセタミド、
更に、次の市販のシランもＭＥＭＳ構成要素の付着防止被覆のために好適である；
反応性のペルフルオロポリエーテル誘導体、例えばアルコキシシラン末端ＰＦＰＥ′ｓ７００７ＸまたはＧａｌｄｅｎ ＭＦ４００シリーズ、リン酸末端ＰＦＰＥ′ｓ Ｇａｌｄｅｎ ＭＦ２０１またはＭＦ２００シリーズ、Ｇａｌｄｅｎ ＭＦ４０７（アミドシラン末端基を有するペルフルオロポリエーテル）、Ｆａ，Ａｕｓｉｍｏｎｔ，Ｂｏｌｌａｔｅ，ＩｔのＦｏｍｂｌｉｎ Ｆｌｕｏｒｏｌｉｎｋ Ｓ全て、
ポリ（ホウ素ジフェニルシロキサン）、例えばタイプＳＳＰ０４０、Ｆａ.Ｇｅｌｅｓｔ、
ジフェニルおよびジメチルシロキサンとからなるコポリマーからなるオイル、例えば、Ｆａ.ＧｅｌｅｓｔのタイプＰＤＭ−０４２１、ＰＭＭ−１０４３、ＰＭＰ−５０５３、ＰＤＭ−７０４０、ＰＤＭ−７０５０、またはＦａ.Ｗａｃｋｅｒ ＢｕｒｇｈａｕｓｅｎからのＡＰ−もしくはＡＳ−系列からのタイプ。
最後に、従来確認された、ＭＥＭＳ構成要素の付着防止被覆のために好適なシランのアルファベット順の表を挙げる：
（２−メチル−２−フェニエチル）メチルジクロロシラン、
（３−アクリルオキシプロピル）トリメトキシシラン、
１,１,２,２−テトラヒドロペルフルオロデシルトリエトキシシラン、
１,１,３,３,５,５−ヘキサメチルシクロトリシラザン、
１,２−ビス（クロロジメチルシリル）エタン、
１,３−ビス（クロロジメチルシリル）ブタン、
１,３−ビス（クロロジメチルシリル）プロパン、
１,３−ビス（ジクロロメチルシリル）プロパン、
１,３−ビス（トリクロロシリル）プロパン、
１,３−ジメチル−１,１,３,３−テトラフェニルジシラザン、
１,３−ジフェニル−１,１,３,３−テトラメチルジシラザン、
１,３−ジビニルテトラメチルジシラザン、
１１−（クロロジメチルシリルメチル）−ヘプタコサン、
１１−（ジクロロメチルシリルメチル）−ヘプタコサン、
１１−（トリクロロシリルメチル）−ヘプタコサン、
１３−（クロロジメチルシリルメチル）−ヘプタコサン、
１３−（ジクロロメチルシリルメチル）−ヘプタコサン、
１３−（トリクロロシリルメチル）−ヘプタコサン、
２−クロロエチルトリクロロシラン、
３−クロロプロピルトリクロロシラン、
３−クロロプロピルトリメトキシシラン、
ジ（３,３,３−トリフルオロプロピル）ジクロロシラン、
３,３,３−トリフルオロプロピルトリアセトキシシラン、
３,３,３−トリフルオロプロピルトリブロモシラン、
３,３,３−トリフルオロプロピルトリクロロシラン、
３,３,３−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、
３,３,３−トリフルオロプロピルトリフルオロシラン、
３,３,３−トリフルオロプロピルトリイソプロポキシシラン、
３,３,３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、
３−メトキシプロピルトリメトキシシラン、
４−フェニルブチルジメチルクロロシラン、
４−フェニルブチルメチルジクロロシラン、
４−フェニルブチルメチルジメトキシシラン、
４−フェニルブチルトリクロロシシラン、
４−フェニルブチルトリエトキシシラン、
４−フェニルブチルトリメトキシシラン、
アセトキシプロピルトリメトキシシラン、
アリルオキシウンデシルトリメトキシシラン、
アリルトリクロロシラン、
アミノプロピルトリエトキシシラン、
アミノプロピルトリメトキシシラン、
Ａｕｓｉｍｏｎｔ Ｆｏｍｂｌｉｎ Ｆｌｕｏｒｏｌｉｎｋ Ｓ、
Ａｕｓｉｍｏｎｔ Ｇａｌｄｅｎ ７００７Ｘ（アルコキシシラン末端基を有するペルフルオロポリエーテル）、
Ａｕｓｉｍｏｎｔ Ｇａｌｄｅｎ ＭＦ４０７（アミドシラン末端基を有するペルフルオロポリエーテル）、
ジ（３,３,３−トリフルオロプロピル）ジアセトキシシラン、
ジ（３,３,３−トリフルオロプロピル）ジブロモシラン、
ジ（３,３,３−トリフルオロプロピル）ジクロロシラン、
ジ（３,３,３−トリフルオロプロピル）ジエトキシシラン、
ジ（３,３,３−トリフルオロプロピル）ジフルオロシラン、
ジ（３,３,３−トリフルオロプロピル）ジイソプロポキシシラン、
ジ（３,３,３−トリフルオロプロピル）ジメトキシシラン、
ジ（ペンタフルオロフェニル）ジアセトキシシラン、
ジ（ペンタフルオロフェニル）ジブロモシラン、
ジ（ペンタフルオロフェニル）ジクロロシラン、
ジ（ペンタフルオロフェニル）ジエトキシシラン、
ジ（ペンタフルオロフェニル）ジフルオロシラン、
ジ（ペンタフルオロフェニル）ジイソプロポキシシラン、
ジ（ペンタフルオロフェニル）ジメトキシシラン、
ジエチルジアセトキシシラン
ジエチルジブロモシラン、
ジエチルジクロロシラン、
ジエチルジエトキシシラン、
ジエチルジフルオロシラン、
ジエチルジイソプロポキシシラン、
ジエチルジメトキシシラン、
ジイソプロピルジアセトキシシラン、
ジイソプロピルジブロモシラン、
ジイソプロピルジクロロシラン、
ジイソプロピルジエトキシシラン、
ジイソプロピルジフルオロシラン、
ジイソプロピルジイソプロポキシシラン、
ジイソプロピルジメトキシシラン、
ジメチルクロロシラン、
ジメチルジアセトキシシラン、
ジメチルジブロモシラン、
ジメチルジクロロシラン、
ジメチルジエトキシシラン、
ジメチルジフルオロシラン、
ジメチルジイソプロポキシシラン、
ジメチルジメトキシシラン、
ジメチルエトキシシラン、
ジメチルメトキシシラン、
ジメチルフェニルクロロシラン、
ジ−ｎ−ブチルジクロロシラン、
ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、
ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、
ジフェニルジアセトキシシラン、
ジフェニルジブロモシラン、
ジフェニルジクロロシラン、
ジフェニルジエトキシシラン、
ジフェニルジフルオロシラン、
ジフェニルジイソプロポキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、
ジフェニルメチルクロロシラン、
ジフェニルシランジオール、
ジプロピルジアセトキシシラン、
ジプロピルジブロモシラン、
ジプロピルジクロロシラン、
ジプロピルジエトキシシラン、
ジプロピルジフルオロシラン、
ジプロピルジイソプロポキシシラン、
ジプロピルジメトキシシラン、
ジ−ｔ−ブチルジクロロシラン、
ドコセニルトリエトキシシラン、
ドデシルトリクロロシラン、
ドデシルトリアセトキシシラン、
ドデシルトリエトキシシラン、
ドデシルトリメトキシシラン、
エチルフェネチルトリメトキシシラン、
エチルフェネチルトリメトキシシラン、
エチルトリアセトキシシラン、
エチルトリブロモシラン、
エチルトリエトキシシラン、
エチルトリフルオロシラン、
エチルトリイソプロポキシシラン、
エチルトリメトキシシラン、
ヘキサデシルトリクロロシラン、
ヘキサメチルジシラザン、
ヘキサメチルジシロキサン、
イソブチルトリメトキシシラン、
イソプロピルトリアセトキシシラン、
イソプロピルトリブロモシラン、
イソプロピルトリクロロシラン、
イソプロピルトリエトキシシラン、
イソプロピルトリフルオロシラン、
イソプロピルトリイソプロポキシシラン、
イソプロピルトリメトキシシラン、
メタクリルオキシメチルトリエトキシシラン、
メタクリルオキシメチルトリメトキシシラン、
メチルトリアセトキシシラン、
メチルトリブロモシラン、
メチルトリエトキシシラン、
メチルトリフルオロシラン、
メチルトリイソプロポキシシラン、
メチルトリメトキシシラン、
Ｎ−（トリメチルシリル）ジメチルアミン、
Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）メチルアミン、
Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、
Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）カルバメート、
Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセタミド、
ナフチルトリアセトキシシラン、
ナフチルトリブロモシラン、
ナフチルトリクロロシラン、
ナフチルトリエトキシシラン、
ナフチルトリフルオロシラン、
ナフチルトリイソプロポキシシラン、
ナフチルトリイソプロポキシシラン、
ナフチルトリメトキシシラン、
Ｎ−ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、
Ｎ−メチル−Ｎ−トリメチルシリルトリフルオロアセタミド、
ｎ−オクタデシルトリクロロシラン、
ｎ−ウンデシルトリクロロシラン、
オクタデシルジメチルクロロシラン、
オクタデシルトリクロロシラン、
オクタデシルトリエトキシシラン、
オクタデシルトリメトキシシラン、
オクタメチルシクロテトラシラザン、
オクタフェニルシクロテトラシロキサン、
オクタフェニルテトラシラザン、
オクタフェニルテトラシロキサン、
オクチルメチルジクロロシラン、
オクチルメチルジメトキシシラン、
オクチルトリクロロシラン、
オクチルトリエトキシシラン、
オクチルトリエトキシシラン、
オクチルトリメトキシシラン、
ペンタフルオロフェニルアセトキシシラン、
ペンタフルオロフェニルジメチルクロロシラン、
ペンタフルオロフェニルメチルジクロロシラン、
ペンタフルオロフェニルメチルジメトキシシラン、
ペンタフルオロフェニルプロピルトリクロロシラン、
ペンタフルオロフェニルトリアセトキシシラン、
ペンタフルオロフェニルトリブロモシラン、
ペンタフルオロフェニルトリクロロシラン、
ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、
ペンタフルオロフェニルトリフルオロシラン、
ペンタフルオロフェニルトリイソプロポキシシラン、
ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、
ペルフルオロデシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ジメチルクロロシラン、
ペルフルオロデシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−メチルジクロロシラン、
ペルフルオロデシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリアセトキシシラン、
ペルフルオロデシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリクロロシラン、
ペルフルオロデシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリエトキシシラン、
ペルフルオロデシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリメトキシシラン、
ペルフルオロドデシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ジメチルクロロシラン、
ペルフルオロドデシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−メチルジクロロシラン、
ペルフルオロドデシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリクロロシラン、
ペルフルオロドデシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリエトキシシラン、
ペルフルオロドデシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリメトキシシラン、
ペルフルオロヘキシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ジメチルクロロシラン、
ペルフルオロヘキシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−メチルジクロロシラン、
ペルフルオロヘキシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリクロロシラン、
ペルフルオロヘキシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリエトキシシラン、
ペルフルオロヘキシル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリメトキシシラン、
ペルフルオロオクチル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ジメチルクロロシラン、
ペルフルオロオクチル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−メチルジクロロシラン、
ペルフルオロオクチル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリアセトキシシラン、
ペルフルオロオクチル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリクロロシラン、
ペルフルオロオクチル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリエトキシシラン、
ペルフルオロオクチル−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリメトキシシラン、
フェネチルトリクロロシラン、
フェネチルトリメトキシシラン、
フェニルトリアセトキシシラン、
フェニルトリアセトキシシラン、
フェニルトリブロモシラン、
フェニルトリクロロシラン、
フェニルトリエトキシシラン、
フェニルトリフルオロシラン、
フェニルトリイソプロポキシシラン、
フェニルトリメトキシシラン、
プロピルトリアセトキシシラン、
プロピルトリブロモシラン、
プロピルトリクロロシラン、
プロピルトリエトキシシラン、
プロピルトリフルオロシラン、
プロピルトリイソプロポキシシラン、
プロピルトリメトキシシラン、
ｔ−ブチルジメチルクロロシラン、
ｔ−ブチルジフェニルクロロシラン、
テトラメチルテトラフェニルトリシロキサンＤＣ７０４、
テキシルジメチルクロロシラン（Thexyldimethylchlorosilan）、
トリ（３,３,３−トリフルオロプロピル）アセトキシシラン、
トリ（３,３,３−トリフルオロプロピル）ブロモシラン、
トリ（３,３,３−トリフルオロプロピル）フルオロシラン、
トリ（３,３,３−トリフルオロプロピル）クロロシラン、
トリ（３,３,３−トリフルオロプロピル）エトキシシラン、
トリ（３,３,３−トリフルオロプロピル）フルオロシラン、
トリ（３,３,３−トリフルオロプロピル）イソプロポキシシラン、
トリ（３,３,３−トリフルオロプロピル）メトキシシラン、
トリエチルアセトキシシラン、
トリエチルブロモシラン、
トリエチルクロロシラン、
トリエチルエトキシシラン、
トリエチルフルオロシラン、
トリエチルイソプロポキシシラン、
トリエチルメトキシシラン、
トリイソプロピルアセトキシシラン、
トリイソプロピルブロモシラン、
トリイソプロピルクロロシラン、
トリイソプロピルエトキシシラン、
トリイソプロピルフルオロシラン、
トリイソプロピルイソプロポキシシラン、
トリイソプロピルメトキシシラン、
トリメチルアセトキシシラン、
トリメチルブロモシラン、
トリメチルクロロシラン、
トリメチルエトキシシラン、
トリメチルフルオロシラン、
トリメチルヨードシシラン、
トリメチルイソプロポキシシラン、
トリメチルメトキシシラン、
トリメチルペンタフェニルトリシロキサンＤＣ７０５、
トリフェニルクロロシラン、
トリフェニルメチルジメチルクロロシラン、
トリフェニルメチルメチルジクロロシラン、
トリフェニルメチルメチルジメトキシシラン、
トリフェニルメチルトリクロロシラン、
トリフェニルメチルトリエトキシシラン、
トリフェニルメチルトリメトキシシラン、
トリプロピルアセトキシシラン、
トリプロピルブロモシラン、
トリプロピルクロロシラン、
トリプロピルエトキシシラン、
トリプロピルフルオロシラン、
トリプロピルイソプロポキシシラン、
トリプロピルメトキシシラン、
ウンデシルジメチルクロロシラン、
ウンデシルメチルジメトキシシラン、
ウンデシルトリクロロシラン、
ウンデシルトリエトキシシラン、
ウンデシルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン。
キャップを備えるＭＥＭＳ構成要素の断面図。
キャップウェハー上へのシールガラスのスクリーン印刷の方法を示す図。
シールガラスで印刷されたキャップウェハーのプリベーク工程を示す図。
ＭＥＭＳ−ウェハーとキャップウェハーとの結合を示す図。
温度調節ジャケットを備える液体源（泡沫生成容器）を示す図。
温度調節ジャケットを備える蒸発ビンを示す図。
蒸発器として孔を有する蓋を有する貯蔵容器を示す図。
貯蔵ビンと加熱した供給部を備えるオーブンを示す図。
ガス洗浄器の供給管中にシリコーンゴムからなる多孔質体の形の蒸発器源を示す図。
本発明による装置の断面図を示す。
符号の説明
１１ ＭＥＭＳ構成要素、 １２、１０６ キャップ、 １３、１０１ 支持体、 １４、１０２ 犠牲層、 １５ 機能層、 １７、２３ シールガラス、 ２１ キャップウェハー、２２ スクリーン印刷装置、 ２４ シールガラス被覆、 ４１ ＭＥＭＳ−ウェハー、 ３１、４４ 熱作用、 ３２、５０９ 大気、 ４５ 被覆、 ４６ 中空空間、 ４７、１０４ マイクロメカニカル構造体、 １００ 装置、 １０３ 機能層、 １０７ 表面、 １０８ 層、１１０ 機能部、 ５００ 空間、 ５０１ 壁、 ５０２ 泡沫生成容器、 ５０３ 付着防止材料、 ５０４、８０３、９０２ 供給管、 ５０５、５０８、８０５ 閉鎖弁、 ５０６、５０７、８０４ 制御弁、 ５１０ 排出管、 ６０２ 蒸発器、 ７０２ 容器、 ７０３ 孔を有する蓋、 ８０２ 貯蔵ビン、 ９０３ 多孔質体

Claims (16)

  1. −層（１０８）が付着防止特性を有し、
    −被覆のための表面を材料のガス相に曝して、
    ＭＥＭＳ−ウェハー（４１）の表面上に層（１０８）を製造する方法において、
    −キャップウェハー（２１）上に該材料を担持し、
    −キャップウェハー（２１）とＭＥＭＳ−ウェハー（４１）とを結合し、その際両方のウェハーが少なくとも１つの中空空間（４６）を包囲し、かつ
    −結合および／または後続の工程の際に、この材料を蒸発させ、ＭＥＭＳ−ウェハー（４１）の表面の少なくとも１部を被覆することを特徴とする、ＭＥＭＳ−ウェハー（４１）の表面上に層（１０８）を製造する方法。
  2. キャップウェハー（２１）をシールガラスペースト（２３）によりＭＥＭＳ−ウェハー（４１）と結合する、請求項１記載の方法。
  3. 材料の蒸発および被覆を、周囲大気の圧力の低下によりおよび／または温度の上昇により実施する、請求項１記載の方法。
  4. シールガラスペースト（２３）に材料を添加する、請求項２または３記載の方法。
  5. 空間（５００）、特にオーブン中でキャップウェハー（２１）にシールガラスプリベーク工程を実施し、材料（５０３）をオーブンの大気（５０９）に供給する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
  6. 多孔質体（９０３）、特にシリコーンゴムまたはフェニルシリコーンゴムからなる多孔質体（９０３）を材料（５０３）で含浸させ、含浸した多孔質体（９０３）を空間（５００）中の、特にガス洗浄の供給管（９０２）中の約２００℃〜３００℃の高温位置、に配置することにより、空間（５００）の内部で大気（５０９）に材料（５０３）をドープする、請求項５記載の方法。
  7. 貯蔵容器（７０３）からなる蒸発器源を材料（５０３）で充填し、空間（５００）の中に配置し、その中で材料（５０３）を蒸発させることにより、空間（５００）の内部で大気（５０９）に材料（５０３）をドープする、請求項５記載の方法。
  8. 空間（５００）中に導入する洗浄ガスに予め材料（５０３）をドープすることにより、特に泡沫生成容器（５０２）中で洗浄ガスを材料（５０３）中に泡沫生成下に導通することにより、または蒸発器（６０２）からの洗浄ガスに材料（５０３）を混合することにより、空間（５００）の内部で大気（５０９）に材料（５０３）をドープする、請求項５記載の方法。
  9. 材料（５０３）を貯蔵ビン（８０２）から、弁を介して、加熱した供給管（８０３）を通して蒸発させ、空間（５００）中に導入することにより、空間（５００）の内部で大気（５０９）に材料（５０３）をドープする、請求項５記載の方法。
  10. キャップウェハー（２１）および／またはシールガラスを、シールガラスプリベーク工程の後に、少なくとも部分的に材料で、特にディスペンス塗布、スプレー塗布、浸漬、ナイフ塗布、スクリーン印刷、ガス相からの被覆（ＣＶＤ）、ローラ塗布またはコーチングにより、被覆する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
  11. 材料としてシランの化合物群からの少なくとも１種の化合物を含有する、物質または物質の組合せを使用する、請求項１または３記載の方法。
  12. マイクロメカニカル機能部（１１０）およびこれと固定して結合するキャップ（１０６）からなり、該機能部（１１０）およびキャップ（１０６）が共通の中空空間（１０９）を包囲する装置（１００）において、中空空間（１０９）に接する、装置（１００）の表面（１０７）の少なくとも１部が付着防止被覆（１０８）を有することを特徴とする、装置。
  13. 中空空間（１０９）に接する、装置（１００）の表面（１０７）全体が、付着防止被覆（１０８）を有する請求項１２記載の装置。
  14. 中空空間（１０９）中の大気が材料でドープされている、請求項１２記載の装置。
  15. シールガラス（１０５）が材料を含有する、請求項１２記載の装置。
  16. 材料がシランの化合物群からの少なくとも１種の化合物を含有する、物質または物質の組合せである、請求項１２記載の装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009072907A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Robert Bosch Gmbh マイクロマシニング構成素子及びマイクロマシニング構成素子を製作するための方法
JP2011524816A (ja) * 2008-06-09 2011-09-08 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング マイクロマシニング型の構成素子のための製造方法、相応の構成素子複合体、及び相応のマイクロマシニング型の構成素子
JP2015502265A (ja) * 2011-10-21 2015-01-22 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド アンチスティクションコーティングを施すための方法および装置

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7618927B2 (en) * 1996-07-24 2009-11-17 M-I L.L.C. Increased rate of penetration from low rheology wellbore fluids
US20080064613A1 (en) * 2006-09-11 2008-03-13 M-I Llc Dispersant coated weighting agents
US7309902B2 (en) * 2004-11-26 2007-12-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Microelectronic device with anti-stiction coating
US7468830B2 (en) * 2006-06-28 2008-12-23 Spatial Photonics, Inc. In SITU application of anti-stiction materials to micro devices
US7618682B2 (en) * 2006-09-25 2009-11-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for providing an anti-stiction coating on a metal surface
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US9340443B2 (en) * 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
US10014177B2 (en) * 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
KR102353030B1 (ko) 2014-01-27 2022-01-19 코닝 인코포레이티드 얇은 시트와 캐리어의 제어된 결합을 위한 물품 및 방법
SG11201608442TA (en) 2014-04-09 2016-11-29 Corning Inc Device modified substrate article and methods for making
KR102573207B1 (ko) 2015-05-19 2023-08-31 코닝 인코포레이티드 시트와 캐리어의 결합을 위한 물품 및 방법
CN117534339A (zh) 2015-06-26 2024-02-09 康宁股份有限公司 包含板材和载体的方法和制品
TW201825623A (zh) 2016-08-30 2018-07-16 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI821867B (zh) 2016-08-31 2023-11-11 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
WO2019036710A1 (en) 2017-08-18 2019-02-21 Corning Incorporated TEMPORARY BINDING USING POLYCATIONIC POLYMERS
JP7431160B2 (ja) 2017-12-15 2024-02-14 コーニング インコーポレイテッド 基板を処理するための方法および結合されたシートを含む物品を製造するための方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5694740A (en) * 1996-03-15 1997-12-09 Analog Devices, Inc. Micromachined device packaged to reduce stiction
US6358771B1 (en) * 1998-07-02 2002-03-19 Analog Devices, Inc. Low oxygen assembly of glass sealed packages
US6576489B2 (en) * 2001-05-07 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Methods of forming microstructure devices
US7256467B2 (en) * 2002-06-04 2007-08-14 Silecs Oy Materials and methods for forming hybrid organic-inorganic anti-stiction materials for micro-electromechanical systems
US6930367B2 (en) * 2003-10-31 2005-08-16 Robert Bosch Gmbh Anti-stiction technique for thin film and wafer-bonded encapsulated microelectromechanical systems

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009072907A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Robert Bosch Gmbh マイクロマシニング構成素子及びマイクロマシニング構成素子を製作するための方法
JP2011524816A (ja) * 2008-06-09 2011-09-08 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング マイクロマシニング型の構成素子のための製造方法、相応の構成素子複合体、及び相応のマイクロマシニング型の構成素子
US8901684B2 (en) 2008-06-09 2014-12-02 Robert Bosch Gmbh Manufacturing method for a micromechanical component, corresponding composite component, and corresponding micromechanical component
JP2015502265A (ja) * 2011-10-21 2015-01-22 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド アンチスティクションコーティングを施すための方法および装置

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