JP5367842B2 - 半導体基板の接合方法およびmemsデバイス - Google Patents
半導体基板の接合方法およびmemsデバイス Download PDFInfo
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Description
また、MEMS構造体と集積回路との電気的導通を持つと共に、湿度や温度、チリ等の外部環境から保護して、MEMS構造体および集積回路を、一体としてパッケージすることができる。
また、真空中において加熱・加圧により形成された溶融状態の共晶合金が、毛細管現象によりピットに浸入する。このため、共晶合金がピットに行き渡り、その結果、共晶合金層が第1半導体基板に食い込むように形成されるため、接合部の接合強度を増すことができる。なお、第1半導体基板に形成するピットは、断続して形成された複数の穴であっても、連続して形成されたスリット状の溝であってもよい。
また、MEMS構造体と集積回路と電気的導通を持つと共に、湿度や温度、チリ等の外部環境から保護して、MEMS構造体および集積回路を一体としてパッケージした、精度の良いMEMSデバイスを提供することができる。
また、真空中において加熱・加圧により形成された溶融状態の共晶合金が、毛細管現象によりピットに浸入する。このため、共晶合金がピットに行き渡り、その結果、共晶合金層が第1半導体基板に食い込むように形成されるため、接合部の接合強度を増すことができる。なお、第1半導体基板に形成するピットは、断続して形成された複数の穴であっても、連続して形成されたスリット状の溝であってもよい。
本実施形態に係るMEMSデバイスは、このような共晶接合により製造されたものであり、例えば、加速度センサ、角速度センサ、赤外線センサ、圧力センサ、磁気センサおよび音響センサが考えられる。
図示のように、MEMSチップ10は、シリコン(Si)から成る基板11と、基板11の中央に微細加工技術により形成されたセンシング部12と、を有している。センシング部12は、基板11の中央に掘り込むように形成され、上述のように加速度センサ、角速度センサ、赤外線センサ、圧力センサ、磁気センサおよび音響センサ等の素子で構成されている。また、基板11には、センシング部12を囲繞するように、平面視方形環状の接合部30aが配設されている。実施形態のMEMSチップ10では、センシング部12および接合部30aが後述するCMOSチップ20と対面するように表裏反転させて、CMOSチップ20と接合される。そして、MEMSチップ10の接合部30aが、CMOSチップ20に形成した接合部30bに突き合わされ、接合部30bに成膜された金属層により、両者が共晶接合される。なお、基板11は、請求項でいう第1半導体基板に相当し、センシング部12は、請求項でいうMEMS構造体に相当する。
12 センシング部 11,21 基板
20 CMOSチップ 22 集積回路
31 含アルミニウム層 32 ゲルマニウム層
35 筋状層部 36 枝状層部
41 ピット
Claims (7)
- MEMS構造体を作り込んだ第1半導体基板と、
表裏一方の面にアルミニウムを主成分とする含アルミニウム層とゲルマニウム層とを接触させて成膜した接合部を有し、前記MEMS構造体を制御する集積回路を形成した第2半導体基板と、
を前記第2半導体基板の前記接合部に、前記第1半導体基板の表裏一方の面を直接接触させるように重ね、加圧・加熱して共晶接合する半導体基板の接合方法であって、
前記MEMS構造体は、前記第1半導体基板の表面に掘り込むようにして作りこまれ、
前記接合部は、前記集積回路を囲繞するように前記第2半導体基板の表面に環状に成膜され、
前記第1半導体基板と前記第2半導体基板とを、相互の表面同士を突き合わせ、前記MEMS構造体および前記集積回路を内包するように接合することを特徴とする半導体基板の接合方法。 - MEMS構造体を作り込んだ第1半導体基板と、
表裏一方の面にアルミニウムを主成分とする含アルミニウム層とゲルマニウム層とを接触させて成膜した接合部を有し、前記MEMS構造体を制御する集積回路を形成した第2半導体基板と、
を前記第2半導体基板の前記接合部に、前記第1半導体基板の表裏一方の面を直接接触させるように重ね、加圧・加熱して共晶接合する半導体基板の接合方法であって、
前記接合部に直接接触する前記第1半導体基板の接触面には、前記加圧・加熱により生じた共晶合金が浸入するピットが形成されていることを特徴とする半導体基板の接合方法。 - 前記含アルミニウム層は、所定の幅を有して平面視環状に成膜され、
前記ゲルマニウム層は、前記含アルミニウム層上に平面視環状に成膜された1以上の筋状層部を有していることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体基板の接合方法。 - 前記含アルミニウム層は、所定の幅を有して平面視環状に成膜され、
前記ゲルマニウム層は、前記含アルミニウム層上に平面視環状に成膜された筋状層部と、前記筋状層部から分岐した複数の枝状層部と、を有していることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体基板の接合方法。 - MEMS構造体を作り込んだ第1半導体基板と、
表裏一方の面にアルミニウムを主成分とする含アルミニウム層とゲルマニウム層とを接触させて成膜した接合部を有し、前記MEMS構造体を制御する集積回路を形成した第2半導体基板と、
が前記第2半導体基板の前記接合部に、前記第1半導体基板の表裏一方の面を直接接触させるように重ねた状態で共晶接合されているMEMSデバイスであって、
前記MEMS構造体は、前記第1半導体基板の表面に掘り込むようにして作りこまれ、
前記接合部は、前記集積回路を囲繞するように前記第2半導体基板の表面に環状に成膜され、
前記第1半導体基板と前記第2半導体基板とが、相互の表面同士を突き合わせ、前記MEMS構造体および前記集積回路を内包するように接合されていることを特徴とするMEMSデバイス。 - MEMS構造体を作り込んだ第1半導体基板と、
表裏一方の面にアルミニウムを主成分とする含アルミニウム層とゲルマニウム層とを接触させて成膜した接合部を有し、前記MEMS構造体を制御する集積回路を形成した第2半導体基板と、
が前記第2半導体基板の前記接合部に、前記第1半導体基板の表裏一方の面を直接接触させるように重ねた状態で共晶接合されているMEMSデバイスであって、
前記接合部に直接接触する前記第1半導体基板の接触面には、前記加圧・加熱により生じた共晶合金が浸入するピットが形成されていることを特徴とするMEMSデバイス。 - 加速度センサ、角速度センサ、赤外線センサ、圧力センサ、磁気センサおよび音響センサのいずれかであることを特徴とする請求項5または6に記載のMEMSデバイス。
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