JP4885956B2 - 微小電気機械システムのパッケージング及び配線 - Google Patents
微小電気機械システムのパッケージング及び配線 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4885956B2 JP4885956B2 JP2008523919A JP2008523919A JP4885956B2 JP 4885956 B2 JP4885956 B2 JP 4885956B2 JP 2008523919 A JP2008523919 A JP 2008523919A JP 2008523919 A JP2008523919 A JP 2008523919A JP 4885956 B2 JP4885956 B2 JP 4885956B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- oxide seal
- seal ring
- plasma
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 91
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000005288 electromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000005676 thermoelectric effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
- B81C3/002—Aligning microparts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
Claims (8)
- ウェーハを電気的に相互接続する方法であって、
電気配線用のはんだボールを有する第1のウェーハを配設することと、
前記電気配線用のコンタクトを有する第2のウェーハを配設することと、
前記電気配線用の前記はんだボール及び前記コンタクトを位置合わせするように、プラズマ処理された酸化物シールによって、室温において前記第1のウェーハを前記第2のウェーハに接着することと、
前記接着することの後に、前記はんだをリフローして、前記電気配線を形成することとを含み、
前記酸化物シールは前記電気配線用の前記はんだボールと前記コンタクトとを封入することを特徴とするウェーハを電気的に相互接続する方法。 - 前記第1のウェーハと前記第2のウェーハとの間に間隙を設定することをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1のウェーハを配設することは、微小機械デバイスを含む機械的なウェーハを配設することを含み、前記第2のウェーハを配設することは、前記微小機械デバイスと相互接続する回路を含む電気的なウェーハを配設することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 第1のウェーハ上に第1の酸化物シール材料を堆積することと、
第1の酸化物シールリングを形成するために、前記第1の酸化物シール材料をパターニングすることと、
前記第1の酸化物シールリングをプラズマ処理することと、
前記第1のウェーハを第2のウェーハに接着するために、前記プラズマ処理された第1の酸化物シールリングを前記第2のウェーハと接触させることと、
前記接触させることの後に、はんだをリフローして、前記第1のウェーハと前記第2のウェーハとの間に電気配線を形成するために、前記第1のウェーハ及び前記第2のウェーハをアニールすることとを含み、
前記第1の酸化物シールリングは前記電気配線を封入することを特徴とする微小電気機械システムをパッケージングする方法。 - 前記第1の酸化物シールリングをプラズマ処理することは、前記第1の酸化物シールリングを酸素プラズマで処理することを含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記第1のウェーハ上に第1の酸化物シール材料を堆積することは、微小機械デバイスを備えている機械的なウェーハ上に第1の酸化物シール材料を堆積することを含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記プラズマ処理された第1の酸化物シールリングを前記第2のウェーハと接触させることは、前記プラズマ処理された第1の酸化物シールリングを前記微小機械デバイスと相互接続する回路を備えている電気的なウェーハと接触させることを含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記第2のウェーハ上に第2の酸化物シール材料を堆積することと、
第2の酸化物シールリングを形成するために、前記第2の酸化物シール材料をパターニングすることと、
前記第2の酸化物シールリングをプラズマ処理することとをさらに含み、
前記プラズマ処理された第1の酸化物シールリングを前記第2のウェーハに接触させることは、前記プラズマ処理された第1の酸化物シールリングを前記プラズマ処理された第2の酸化物シールリングに接触させることを含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/192,945 US8217473B2 (en) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | Micro electro-mechanical system packaging and interconnect |
US11/192,945 | 2005-07-29 | ||
PCT/US2006/027225 WO2007018955A1 (en) | 2005-07-29 | 2006-07-07 | Micro electro-mechanical system packaging and interconnect |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009502531A JP2009502531A (ja) | 2009-01-29 |
JP4885956B2 true JP4885956B2 (ja) | 2012-02-29 |
Family
ID=37309663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008523919A Expired - Fee Related JP4885956B2 (ja) | 2005-07-29 | 2006-07-07 | 微小電気機械システムのパッケージング及び配線 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8217473B2 (ja) |
EP (1) | EP1919821A1 (ja) |
JP (1) | JP4885956B2 (ja) |
CN (1) | CN101233073B (ja) |
WO (1) | WO2007018955A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7541209B2 (en) * | 2005-10-14 | 2009-06-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a device package having edge interconnect pad |
JP4559993B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-10-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
KR100772321B1 (ko) * | 2006-06-14 | 2007-10-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Mems 소자의 패키지 및 그 제조방법 |
US7955885B1 (en) | 2009-01-09 | 2011-06-07 | Integrated Device Technology, Inc. | Methods of forming packaged micro-electromechanical devices |
JP5985136B2 (ja) | 2009-03-19 | 2016-09-06 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製造方法、及び電子機器 |
US7902851B2 (en) * | 2009-06-10 | 2011-03-08 | Medtronic, Inc. | Hermeticity testing |
TW201126654A (en) * | 2010-01-22 | 2011-08-01 | Lingsen Precision Ind Ltd | Micro electro-mechanical package module |
EP2576428B1 (en) | 2010-06-07 | 2021-07-07 | Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives | Analysis device including a mems and/or nems network |
US8674518B2 (en) * | 2011-01-03 | 2014-03-18 | Shu-Ming Chang | Chip package and method for forming the same |
US9764946B2 (en) | 2013-10-24 | 2017-09-19 | Analog Devices, Inc. | MEMs device with outgassing shield |
JP6062393B2 (ja) * | 2014-05-12 | 2017-01-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
CN106159114A (zh) * | 2015-04-23 | 2016-11-23 | 上海和辉光电有限公司 | 柔性显示器的封装方法 |
EP3362291B1 (en) | 2015-10-12 | 2023-07-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printhead |
US11856800B2 (en) * | 2019-09-20 | 2023-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor devices with system on chip devices |
DE102020106799A1 (de) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Halbleiterbauelemente und verfahren zur herstellung |
US20220192042A1 (en) * | 2020-12-14 | 2022-06-16 | Intel Corporation | Hermetic sealing structures in microelectronic assemblies having direct bonding |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0832090A (ja) * | 1994-07-12 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 慣性力センサおよびその製造方法 |
JPH1167820A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-03-09 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000141300A (ja) * | 1998-04-17 | 2000-05-23 | Cp Clare Corp | 内部空洞を有する微小構造体の作製方法 |
JP2003523627A (ja) * | 2000-02-16 | 2003-08-05 | ジプトロニクス・インコーポレイテッド | 低温結合方法および結合構成物 |
US20040058476A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-03-25 | Ziptronix | Wafer bonding hermetic encapsulation |
JP2004209585A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2004304622A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
JP2005125447A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Hitachi Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
JP2005521244A (ja) * | 2002-03-19 | 2005-07-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 絶縁キャビティの構造 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3616380A (en) * | 1968-11-22 | 1971-10-26 | Bell Telephone Labor Inc | Barrier layer devices and methods for their manufacture |
US3599054A (en) * | 1968-11-22 | 1971-08-10 | Bell Telephone Labor Inc | Barrier layer devices and methods for their manufacture |
US5106827A (en) * | 1989-09-18 | 1992-04-21 | The Perkin Elmer Corporation | Plasma assisted oxidation of perovskites for forming high temperature superconductors using inductively coupled discharges |
US5260233A (en) * | 1992-11-06 | 1993-11-09 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device and wafer structure having a planar buried interconnect by wafer bonding |
US5510156A (en) * | 1994-08-23 | 1996-04-23 | Analog Devices, Inc. | Micromechanical structure with textured surface and method for making same |
US5963788A (en) * | 1995-09-06 | 1999-10-05 | Sandia Corporation | Method for integrating microelectromechanical devices with electronic circuitry |
FR2763745B1 (fr) | 1997-05-23 | 1999-08-27 | Sextant Avionique | Procede de fabrication d'un micro-capteur en silicium usine |
US6452238B1 (en) * | 1999-10-04 | 2002-09-17 | Texas Instruments Incorporated | MEMS wafer level package |
DE10003638A1 (de) * | 2000-01-28 | 2001-08-09 | Vacuumschmelze Gmbh | Kompensationsstromsensor |
EP1272422A2 (en) | 2000-02-02 | 2003-01-08 | Raytheon Company | Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components |
US6479320B1 (en) * | 2000-02-02 | 2002-11-12 | Raytheon Company | Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components |
US6384473B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-05-07 | Sandia Corporation | Microelectronic device package with an integral window |
US6621137B1 (en) * | 2000-10-12 | 2003-09-16 | Intel Corporation | MEMS device integrated chip package, and method of making same |
US20020096421A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-07-25 | Cohn Michael B. | MEMS device with integral packaging |
US6782616B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-08-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Connection arrangements for electrical devices |
US6592128B2 (en) * | 2001-05-10 | 2003-07-15 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated pneumatic o-ring gasket for mems devices |
DE20200885U1 (de) * | 2002-01-22 | 2003-05-28 | B. Braun Melsungen Ag, 34212 Melsungen | Spritzenpumpe mit Kolbenbremse |
US6660564B2 (en) * | 2002-01-25 | 2003-12-09 | Sony Corporation | Wafer-level through-wafer packaging process for MEMS and MEMS package produced thereby |
US6673697B2 (en) * | 2002-04-03 | 2004-01-06 | Intel Corporation | Packaging microelectromechanical structures |
JP4554357B2 (ja) * | 2002-05-07 | 2010-09-29 | マイクロファブリカ インク | 電気化学的に成型加工され、気密的に封止された微細構造および上記微細構造を製造するための方法および装置 |
JP4088120B2 (ja) * | 2002-08-12 | 2008-05-21 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US6964882B2 (en) * | 2002-09-27 | 2005-11-15 | Analog Devices, Inc. | Fabricating complex micro-electromechanical systems using a flip bonding technique |
US6949398B2 (en) * | 2002-10-31 | 2005-09-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Low cost fabrication and assembly of lid for semiconductor devices |
US7145229B2 (en) * | 2002-11-14 | 2006-12-05 | The Regents Of The University Of California | Silicone metalization |
US20040147056A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-07-29 | Mckinnell James C. | Micro-fabricated device and method of making |
JP3778445B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2006-05-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
FR2856844B1 (fr) * | 2003-06-24 | 2006-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre sur puce de hautes performances |
US7068072B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-06-27 | Xilinx, Inc. | Integrated circuit with interface tile for coupling to a stacked-die second integrated circuit |
US7508132B2 (en) * | 2003-10-20 | 2009-03-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Device having a getter structure and a photomask |
JP2007514555A (ja) | 2003-12-19 | 2007-06-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | Memsの部品を自己位置合わせさせるための方法およびシステム |
JP4271625B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2009-06-03 | 株式会社フジクラ | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
US7172978B2 (en) * | 2004-07-21 | 2007-02-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MEMS device polymer film deposition process |
US7262495B2 (en) * | 2004-10-07 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | 3D interconnect with protruding contacts |
US7563691B2 (en) * | 2004-10-29 | 2009-07-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for plasma enhanced bonding and bonded structures formed by plasma enhanced bonding |
US20060125084A1 (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-15 | Fazzio Ronald S | Integration of micro-electro mechanical systems and active circuitry |
US7202560B2 (en) * | 2004-12-15 | 2007-04-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry |
US7250353B2 (en) * | 2005-03-29 | 2007-07-31 | Invensense, Inc. | Method and system of releasing a MEMS structure |
US7482682B2 (en) * | 2005-04-12 | 2009-01-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-device packaging |
US7611919B2 (en) * | 2005-04-21 | 2009-11-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Bonding interface for micro-device packaging |
-
2005
- 2005-07-29 US US11/192,945 patent/US8217473B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-07 JP JP2008523919A patent/JP4885956B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-07 WO PCT/US2006/027225 patent/WO2007018955A1/en active Application Filing
- 2006-07-07 CN CN2006800278398A patent/CN101233073B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-07 EP EP06787167A patent/EP1919821A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0832090A (ja) * | 1994-07-12 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 慣性力センサおよびその製造方法 |
JPH1167820A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-03-09 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000141300A (ja) * | 1998-04-17 | 2000-05-23 | Cp Clare Corp | 内部空洞を有する微小構造体の作製方法 |
JP2003523627A (ja) * | 2000-02-16 | 2003-08-05 | ジプトロニクス・インコーポレイテッド | 低温結合方法および結合構成物 |
JP2005521244A (ja) * | 2002-03-19 | 2005-07-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 絶縁キャビティの構造 |
US20040058476A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-03-25 | Ziptronix | Wafer bonding hermetic encapsulation |
JP2004209585A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2004304622A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
JP2005125447A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Hitachi Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007018955A1 (en) | 2007-02-15 |
JP2009502531A (ja) | 2009-01-29 |
CN101233073B (zh) | 2012-07-04 |
EP1919821A1 (en) | 2008-05-14 |
CN101233073A (zh) | 2008-07-30 |
US20070128828A1 (en) | 2007-06-07 |
US8217473B2 (en) | 2012-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4885956B2 (ja) | 微小電気機械システムのパッケージング及び配線 | |
US6307260B1 (en) | Microelectronic assembly fabrication with terminal formation from a conductive layer | |
US7605466B2 (en) | Sealed wafer packaging of microelectromechanical systems | |
US7750462B1 (en) | Microelectromechanical systems using thermocompression bonding | |
US6838762B2 (en) | Water-level package with bump ring | |
US20100084752A1 (en) | Systems and methods for implementing a wafer level hermetic interface chip | |
US20130277836A1 (en) | Method and structure of sensors and mems devices using vertical mounting with interconnections | |
TWI683781B (zh) | 使用金屬矽化物形成的互補式金屬氧化物半導體微機電系統整合 | |
WO2011070627A1 (ja) | 半導体基板の接合方法およびmemsデバイス | |
US20150232329A1 (en) | Method for eutectic bonding of two carrier devices | |
US7605467B2 (en) | Package and electronic apparatus using the same | |
US8048804B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor package | |
JP5367841B2 (ja) | 半導体基板の接合方法およびmemsデバイス | |
JP3621182B2 (ja) | チップサイズパッケージの製造方法 | |
US6867060B2 (en) | Wafer-level packaging of electronic devices before singulation | |
US6716669B2 (en) | High-density interconnection of temperature sensitive electronic devices | |
JPH08306724A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびにその実装方法 | |
Kelvin et al. | C2W bonding method for MEMS applications | |
WO1998028955A2 (en) | Microelectric assembly fabrication with terminal formation | |
JPH1012757A (ja) | マイクロパッケージ | |
KR102274202B1 (ko) | 솔더볼을 이용한 mems 소자 웨이퍼의 웨이퍼레벨 패키징 방법 | |
Huang et al. | 3D self-aligned microassembled electrical interconnects for heterogeneous integration | |
TWI244148B (en) | Wafer-level package and manufacturing method thereof | |
JP2006162628A (ja) | センサシステム | |
Lo et al. | Design and Fabrication of MEMS Based Microphone Module by Using 3D Chip-on-Chip Package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111206 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111208 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141216 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4885956 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |