KR102274202B1 - 솔더볼을 이용한 mems 소자 웨이퍼의 웨이퍼레벨 패키징 방법 - Google Patents

솔더볼을 이용한 mems 소자 웨이퍼의 웨이퍼레벨 패키징 방법 Download PDF

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Abstract

솔더볼을 이용한 MEMS 소자 웨이퍼의 패키징 방법이 제공된다.
본 발명의 솔더볼을 이용한 웨이퍼 레벨 패키징 방법은, 일면에 MEMS 구조물이 형성되어 있으며, 상기 MEMS 구조물 주변에 희생층과 젖음층이 형성되어 있는 MEMS 소자 웨이퍼를 마련하는 공정; 상기 희생층을 제거하는 공정; 상기 젖음층을 따라 소정의 간격으로 솔더볼을 형성하는 공정; 및 상기 솔더볼이 형성된 MEMS 웨이퍼상에 캡 웨이퍼를 적치한 후, 가압함으로써 MEMS 소자 웨이퍼와 캡 웨이퍼를 접합하는 공정;을 포함하다.

Description

솔더볼을 이용한 MEMS 소자 웨이퍼의 웨이퍼레벨 패키징 방법{Wafer level packaging method with solderball for MEMS device}
본 발명은 솔더볼을 이용한 MEMS 소자 웨이퍼의 패키징에 관한 것으로, 보다 상세하게는, MEMS 소자 웨이퍼의 젖음층을 따라 소정의 간격으로 솔더볼을 형성한 후, 캡 웨이퍼 또는 캡 다이와 접합시키는 MEMS 소자 웨이퍼의 패키징 방법에 관한 것이다.
MEMS(Micro-Electro_Mechanical System)는 초소형 정밀 전자기계 시스템을 말하는 것으로, 반도체 제조공정 등의 일괄 공정을 사용하여 제조된다. 그리고 상기 공정은 수 ㎛크기에서 수 mm 크기 수준의 3차원 구조물을 기판상에 제작할 수 있는 마이크로 공정기술로서, 기판 상에 초소형 정밀 전기 기계 시스템으로 구현되어 외부의 물리적, 화학적, 생물학적 변화를 감지하여 전기 신호로 변화해 주는 장치를 제작가능하게 해 준다.
이러한 일례로, 기계적 움직임이 있게 제작된 3차원 구조물로서 압력센서, 가속도센서, 자이로센서, 음향센서 등과 같은 액추에이터와, 기계적 움직이없이 제작된 3차원 구조물로서 적외선센서, 자기센서, 유량센서 등과 같은 센서를 들 수 있다.
상기 MEMS 구조물은 반도체 제작공정과 동일한 공정방법을 사용하기 ‹š문에 센서의 감지부를 초소형으로 제작 가능할 뿐 아니라 일괄 공정에 의한 대량 생산이 가능하므로 제조되는 소자의 크기와 단가 및 소비 전력을 크게 낮출 수 있는 장점이 있다. 또한 기계부품, 센서, 전자회로 등을 한 칩에 집적하여 높은 성능과 신뢰도를 얻을 수 있으며, 작은 소자를 이용하여 초미량의 물질을 다루거나 분석할 수 있으며, 나아가 다수의 소자를 함께 집적하여 다중분석 등을 통해 분석 시간을 줄일 수 있는 장점이 있으므로 일찍부터 이에 대한 연구 개발이 계속되어 오고 있는 실정이다.
이러한 MEMS 구조물이 형성된 웨이퍼를 상부 캡 웨이퍼와 패키징 하기 위해서는 상기 MEMS 웨이퍼나 캡 웨이퍼에 접합을 위한 솔더층 형성이 필요하다.
이와 같은 MEMS 구조물이 형성된 웨이퍼상에 솔더층을 형성하는 방법으로는, 크게, Lift -off 방식, Etching 방식, 그리고 도금(plating) 방식을 들 수 있다.
상기 Lift -off 방식은 금속의 선택적 증착 공정을 말하는 것으로, 기판상에 마스킹 물질(일반적으로 photoresist(PR))을 패턴한 후, 기판에 원하는 금속을 증착한다, 이어, 상기 마스킹 물질을 솔벤트와 같은 제거액으로 제거한 후, 기판상에 원하는 금속 패턴만 남기는 방법이다.
도 1은 일반적인 Lift-off 방식을 이용하여 MEMS 웨이퍼를 제작하는 과정을 보이는 공정도이다.
도 1(a)에 나타난 바와 같이, 그 표면에 희생층(13)과 젖음층(15)이 형성된 MEMS 구조물(11)이 형성된 웨이퍼(10)를 준비한다. 그리고 도 1(b-c)와 같이, 솔더링을 위해 웨이퍼상에 포토레지스터 패턴을 형성한 후, 금속 솔더층을 증착한다. 이어, 도 1(d)와 같이, 웨이퍼상의 마스킹 물질을 솔벤트와 같은 제거액으로 제거하고, 도 1(e)와 같이, 금속 솔더층(17)을 젖음층(15)상에 형성한다. 이후, 잘 알려진 건식 식각 방식의 산소 플라즈마나 습식 식각 방식의 BOE 등을 이용하여 희생층(13)을 제거함으로써 최종 MEMS 소자 웨이퍼를 제작된다.
한편 상기 Etching 방식은 금속의 패터닝 공정을 말하는 것으로, 먼저, 기판상에 원하는 금속을 증착한다. 이어, 상기 금속이 증착된 기판상에 마스킹 물질(일반적으로 photoresist(PR))을 패턴한 후, 물리적 및/또는 화학적 방법을 이용하여 증착된 금속을 식각한다, 후속하여, 마스킹 물질을 솔벤트와 같은 제거액으로 제거함으로써 기판상에 원하는 금속 패턴만 남기는 방법이다.
그리고 상기 도금방식은 금속의 패터닝 공정을 말하는 것으로, 기판상에 도금을 위한 씨앗층(seed layer) 금속을 증착한 후, 씨앗층 금속이 증착된 기판상에 마스킹 물질(일반적으로 photoresist(PR))을 패턴하고, 이어, 원하는 금속을 성장시킬 수 있게 마련된 도금조에 웨이퍼를 넣는다. 그리고 웨이퍼 씨앗층 금속에 바이어스를 가하여 원하는 금속 솔더를 씨앗층 상단에 성장시킨 후, 마스킹 물질을 솔벤트와 같은 제거액으로 제거한다. 후속하여, 건식 식각방식으로 기판 전면에 증착된 도금을 위한 씨앗층을 식각함으로써 기판상에 원하는 금속 패턴만 남기는 방식이다.
그런데 웨이퍼레벨 패키징을 위하여, 상술한 바와 같은 제조공정을 이용할 경우, 다음과 같은 문제가 있다. 첫째 복합한 반도체공정을 불가피하게 이용하므로 공정수가 증가할 뿐만 아니라 제조 비용 또한 증가될 우려가 있다. 둘째, 에칭. lift-off, evaporation 공정 등을 통하여 고가의 금속 재료가 패턴에 상관없이 소모되므로 생산 비용 상승을 야기한다. 셋째, 솔더층의 조성관리도 어렵다. 넷째, 상술한 방법을 이용하여 금속 솔더층을 형성할 경우, 솔더층의 높이 조절이 어렵다.
따라서 본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결할 수 있는 간단하고 경제성 있는 솔더볼을 이용한 웨이퍼레벨 패키징 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
또한 본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들에 한정되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일측면은,
일면에 MEMS 구조물이 형성되어 있으며, 상기 MEMS 구조물 주변에 희생층과 젖음층이 형성되어 있는 MEMS 소자 웨이퍼를 마련하는 공정;
상기 희생층을 제거하는 공정;
상기 젖음층을 따라 소정의 간격으로 솔더볼을 형성하는 공정; 및
상기 솔더볼이 형성된 MEMS 소자 웨이퍼상에 캡 웨이퍼를 적치한 후, 가압함으로써 MEMS 소자 웨이퍼와 캡 웨이퍼를 접합하는 공정;을 포함하는 솔더볼을 이용한 웨이퍼레벨 패키징 방법에 관한 것이다.
또한 본 발명은,
일면에 MEMS 구조물이 형성되어 있으며, 상기 MEMS 구조물 주변에 희생층과 젖음층이 형성되어 있는 MEMS 소자 웨이퍼를 마련하는 공정;
상기 희생층을 패터닝하여 그 하부의 젖음층을 개방하는 공정;
상기 젖음층을 따라 소정의 간격으로 솔더볼을 형성하는 공정;
상기 희생층을 제거하는 공정; 및
상기 솔더볼이 형성된 MEMS 소자 웨이퍼상에 캡 웨이퍼를 적치한 후, 가압함으로써 MEMS 소자 웨이퍼와 캡 웨이퍼를 접합하는 공정;을 포함하는 솔더볼을 이용한 웨이퍼레벨 패키징 방법에 관한 것이다.
상기 MEMS 소자 웨이퍼는 상기 젖음층의 하부에 형성된 확산방지층을 추가로 포함할 수 있다.
상기 캡 웨이퍼는 캐비티를 포함하며, 상기 캐비티의 외주를 따라 소정의 패턴으로 형성된 젖음층을 포함할 수 있다.
상기 젖음층의 하부에는 확산방지층이 형성될 수 있다.
상기 캡 웨이퍼를 대신하여 상기 MEMS 소자 웨이퍼의 개개의 다이에 대응되도록 구성된 하나 이상의 캡 다이(cap die)를 이용할 수 있다.
상기와 같은 구성의 본 발명에 따르면, 솔더볼을 이용하여 상하부 웨이퍼를 접합함으로써 종래 필요로 하던 복잡한 반도체공정을 단계를 줄일 수 있으므로 생산성을 제고할 수 있을 뿐만 아니라 제조비용 또한 저감할 수 있다. 또한 에칭 등을 통하여 고가의 금속 재료가 손실되는 것을 방지할 수 있으며, 접합제로서 솔더층의 조성도 효과적으로 제어 가능하다. 나아가. 종래 솔더층 형성 방법에서는 솔더의 높이 조절이 어렵지만, 본 발명에서는 솔더볼의 간격을 조절함으로써 접합 솔더의 높이를 효과적으로 제어할 수 있는 장점이 있다.
도 1(a-e)은 통상적인 Lift-off 방식으로 솔더층을 형성하는 방법으로 MEMS 소자 웨이퍼를 제조하는 과정을 보이는 공정 개략도이다.
도 2는 종래 솔더볼이 일반적으로 적용되고 있는 PCB기판의 단면 개략도이다.
도 3(a-d)은 본 발명의 일실시예에 따른 솔더볼을 이용한 웨이퍼레벨 패키징 공정을 나타내는 공정 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일시예에서 MEMS 소자 웨이퍼의 젖음층을 따라 솔더볼이 형성되어 있는 모습을 보이는 그림이다.
도 5는 본 발명의 일시예에서 캡 웨이퍼를 대신하여 사용되는 캡 다이(cap die)를 나타내는 그림이다.
도 6(a-c)는 본 발명의 일실시예에서 금속 솔더볼을 이용하여 상하부 웨이퍼가 접합되는 상세 과정을 보이는 공정 개략도이다.
도 7(a-d)는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 솔더볼을 이용한 MEMS 소자 웨이퍼의 웨이퍼레벨 패키징 공정을 나타내는 공정 개략도이다.
이하, 본 발명을 설명한다.
본 발명자들은 종래 일반적인 웨이퍼레벨 패키징 공정에서 접착을 위해 솔더층을 형성함에 많은 시간과 비용이 소요됨을 인식하고, 이를 해소하기 위한 다양한 방안에 대하여 연구와 실험을 거듭하였다. 그 결과, 통상의 PCB 공정에서 전기적 신호의 연결을 위해 이용하는 솔더볼을 MEMS 소자 웨이퍼와 캡 웨이퍼 간의 접착에 이용할 수 있음을 확인하고 본 발명을 제시한다.
도 2는 종래 솔더볼이 일반적으로 적용되고 있는 PCB기판의 단면 개략도이다. 도 2에 나타난 바와 같이, 기존 PCB에서 사용하는 솔더볼은 전기적 신호의 연결을 위한 것으로, 솔더볼 상호간에 연결되면 단락이 유발되므로 상호간의 연결이 엄격히 금지되는 특징이 있다. 이에 반하여, 본 발명에서는 상기 PCB 공정과는 달리, MEMS 소자 웨이퍼의 젖음층(wetting layer)을 프레임 모양으로 형성하고, 그 위에 소정의 간격으로 솔더볼을 형성한 후, 상기 MEMS 소자 웨이퍼와 상부 캡 웨이퍼를 열과 압력을 가하여 접합시킴으로써 솔더볼 상호간을 의도적으로 연결시켜 완전한 밀봉 패키지를 형성하는 특징이 있다. 즉, 본원발명은 종래 PCB 공정과는 전혀 별개의 기술사상에 근거하여, 솔더볼을 이용함을 알 수 있으며, 이에 착안하여 본 발명을 완성한 것이다.
따라서 본 발명의 일실시예에 의한 솔더볼을 이용한 MEMS 소자 웨이퍼의 웨이퍼레벨 패키징 방법은, 일면에 MEMS 구조물이 형성되어 있으며, 상기 MEMS 구조물 주변에 희생층과 젖음층이 형성되어 있는 MEMS 소자 웨이퍼를 마련하는 공정; 상기 희생층을 제거하는 공정; 상기 젖음층을 따라 소정의 간격으로 솔더볼을 형성하는 공정; 및 상기 솔더볼이 형성된 MEMS 소자 웨이퍼상에 캡 웨이퍼를 적치한 후, 가압함으로써 MEMS 소자 웨이퍼와 캡 웨이퍼를 접합하는 공정;을 포함한다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 3(a-d)은 본 발명의 일실시예에 따른 솔더볼을 이용한 웨이퍼레벨 패키징 공정을 나타내는 공정 개략도이다.
도 3(a)에 나타난 바와 같이, 본 발명에서는, 그 일면에 MEMS 구조물(110)이 형성되어 있으며, 상기 MEMS 구조물(110) 주변에 희생층(130)과 젖음층(150)이 형성되어 있는 MEMS 소자 웨이퍼(100)를 마련한다.
본 발명에서는 상기와 같은 MEMS 소자 웨이퍼를 제조하는 구체적인 제조방식에 제한되지 않으며, 잘 알려진 다양한 반도체 제조공정을 이용할 수 있다. 그 일례로, 통상의 반도체 공정을 이용하여 MEMS 구조물(110)을 형성하고, 그 MEMS 구조물이 형성된 웨이퍼 표면에 소정의 패턴을 갖는 희생층(130)과 젖음층(150)을 형성한다. 그리고 상기 젖음층(150)은 상기 MEMS 구조물(110)의 주위를 따라 형성되며, 상기 젖음층(150)의 양측면을 따라서는 후속하는 접합 공정에서 솔더 리플로우(reflow)를 방지할 수 있는 오버플로우 방지막(155)을 형성할 수도 있다.
본 발명에서는 필요에 따라, 상기 젖음층(150)의 하부에 도시되지 않은 확산방지층을 형성함이 바람직하다.
또한 본 발명에서는 상기 희생층(130)은 SiO2, Al, polyimide 또는 Si로 이루어질 수 있다.
이어, 본 발명에서는 도 3(b)와 같이, 상기 희생층(130)을 제거한다. 상기 희생층(130)은 그 재료가 SiO2, Al 또는 Si일 경우 소정의 식각용액을 이용하는 습식방법을 이용하여 제거할 수 있으며, 상기 재료가 polyimide일 경우 건식 방법인 산소 플라즈마를 이용하여 제거할 수 있다.
다음으로, 도 3(c)와 같이, 본 발명에서는 상기 젖음층(150)을 따라 소정의 간격으로 솔더볼(170)을 형성한다. 이러한 솔더볼(170)은 잘 알려진 laser jetting 법이나 ball plaser를 이용하여 효과적으로 형성할 수 있다. 상기 솔더볼의 일례로 AuSn 솔더볼을 이용할 수 있으며, 이때, Au:Sn=80wt%:20wt%인 솔더볼을 이용함이 바람직하나, 이에 제한되지 않는다.
도 4는 본 발명의 일시예에서 MEMS 소자 웨이퍼의 젖음층을 따라 솔더볼이 형성되어 있는 모습을 보이는 그림이다.
후속하여, 도 3(d)와 같이, 본 발명에서는 상기 솔더볼(170)이 형성된 MEMS 소자 웨이퍼상에 캡 웨이퍼(200)를 적치한 후, 가압함으로써 MEMS 소자 웨이퍼와 캡 웨이퍼를 접합한다.
본 발명에서 상기 캡 웨이퍼(200)는 캐비티를 포함하며, 상기 캐비티의 외주를 따라 소정의 패턴으로 형성된 젖음층(210)을 포함할 수 있다. 그리고 상기 젖음층(210)의 하부에는 도시되지 않은 확산방지층이 형성될 수 있다. 또한 상기 캐비티의 내부에는 게터(230)가 형성될 수도 있다.
본 발명에서는 상기 캡 웨이퍼(200)를 대신하여 상기 MEMS 소자 웨이퍼의 개개의 다이에 대응되도록 구성된, 도 5와 같은, 하나 이상의 캡 다이(cap die:200')를 이용할 수도 있다. 도 5에서 도면 부호 210'는 젖음층을, 그리고 230'는 게터를 나타내며, 상기 젖음층(210')의 하부에는 도시되지 않은 확산방지층을 포함할 수 있다.
도 6(a-c)는 본 발명의 일실시예에서 금속 솔더볼을 이용하여 MEMS 소자 웨이퍼와 캡 웨이퍼가 접합되는 과정을 보이는 공정 개략도이다.
즉, 도 6(a-b)에 나타난 바와 같이, 하부 MEMS 소자 웨이퍼(100)의 젖음층을 따라 금속 솔더볼(170)을 소정의 간격으로 형성한 후, 캡 웨이퍼(200)와 함께 고온 고압으로 압착하면 솔더볼은 압착 용해되어 젖음층을 따라 인접하는 솔더볼과 상호 연결된다. 그리고 도 6(c)와 같이, 상기 MEMS 소자 웨이퍼(100)와 캡 웨이퍼(200)가 솔더볼(170)을 통하여 빈틈없이 연결되어 완전 밀봉 솔더(Hermetic solder)를 형성함을 확인할 수 있다.
또한 본 발명의 솔더볼을 이용한 MEMS 소자 웨이퍼의 웨이퍼레벨 패키징 방법은, 일면에 MEMS 구조물이 형성되어 있으며, 상기 MEMS 구조물 주변에 희생층과 젖음층이 형성되어 있는 MEMS 소자 웨이퍼를 마련하는 공정; 상기 희생층을 패터닝하여 그 하부의 젖음층을 개방하는 공정; 상기 젖음층을 따라 소정의 간격으로 솔더볼을 형성하는 공정; 상기 희생층을 제거하는 공정; 및 상기 솔더볼이 형성된 MEMS 소자 웨이퍼상에 캡 웨이퍼를 적치한 후, 가압함으로써 MEMS 소자 웨이퍼와 캡 웨이퍼를 접합하는 공정;을 포함한다.
도 7(a-d)는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 솔더볼을 이용한 웨이퍼레벨 패키징 공정을 나타내는 공정 개략도이다.
도 7의 웨이퍼레벨 패키징 공정은 희생층(230)를 제거하는 순서만 전술한 도 3의 패키징 공정과 차이가 있으며, 나머지 사항은 동일하다. 구체적으로, 본 실시예에서는 도 7(a)와 같이, 상기 희생층(230)을 패터닝하여 희생층 하부의 젖음층(250)을 개방한다. 이후, 도 7(b-d)와 같이, MEMS 소자 웨이퍼(200)의 젖음층(250)을 따라 솔더볼(270)을 형성한 후, 희생층(230)을 제거하고, 후속하여 캡 웨이퍼(300)과 고온에서 압착함으로써 최종 제품을 제작한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에서는 MEMS 소자 웨이퍼의 젖음층을 따라 솔더볼을 소정의 간격으로 형성한 후, 상기 MEMS 소자 웨이퍼와 캡 웨이퍼를 고온에서 압착함으로써 기존 PCB 기판과는 달리 솔더볼 상호간을 의도적으로 연결시켜 완전 밀봉패키지를 형성함을 특징으로 한다.
따라서 도 1에 나타난 바와 같은 종래 솔더층 형성 방법 대비 공정 수를 효과적으로 감소시켜 비용절감과 생산성 향상에 기여할 수 있다.
또한 종래 방법에서는 솔더의 높이 조절이 어렵지만, 본 발명에서는 솔더볼의 간격을 조절함으로써 접합 솔더의 높이 조절이 용이한 장점이 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 청구범위뿐만 아니라, 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100...........MEMS 소자 웨이퍼
110...........MEMS 구조물
130...........희생층
150...........젖음층
170...........솔더볼
200...........캡 웨이퍼
200'..........캡 다이

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 일면에 MEMS 구조물이 형성되어 있으며, 상기 MEMS 구조물 주변에 희생층과 젖음층이 형성되어 있는 MEMS 소자 웨이퍼를 마련하는 공정;
    상기 희생층을 패터닝하여 그 하부의 젖음층을 개방하는 공정;
    상기 젖음층을 따라 소정의 간격으로 솔더볼을 형성하는 공정;
    상기 희생층을 제거하는 공정; 및
    상기 솔더볼이 형성된 MEMS 소자 웨이퍼상에 캡 웨이퍼를 적치한 후, 가압함으로써 MEMS 웨이퍼와 캡 웨이퍼를 접합하는 공정;을 포함하는 솔더볼을 이용한 웨이퍼 레벨 패키징 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 MEMS 소자 웨이퍼는 상기 젖음층의 하부에 형성된 확산방지층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더볼을 이용한 웨이퍼 레벨 패키징 방법.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 캡 웨이퍼는 캐비티를 포함하며, 상기 캐비티의 외주를 따라 소정의 패턴으로 형성된 젖음층을 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더볼을 이용한 웨이퍼 레벨 패키징 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 젖음층의 하부에는 확산방지층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 솔더볼을 이용한 웨이퍼 레벨 패키징 방법.
  6. 제 2항에 있어서, 상기 캡 웨이퍼를 대신하여 상기 MEMS 소자 웨이퍼의 개개의 다이에 대응되도록 구성된 하나 이상의 캡 다이(cap die)를 이용하는 것을 특징으로 하는 솔더볼을 이용한 웨이퍼 레벨 패키징 방법.
  7. 제 2항에 있어서, 상기 MEMS 소자 웨이퍼에는 상기 젖음층의 좌우 측면을 따라 솔더 오버플로우 방지막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 솔더볼을 이용한 웨이퍼 레벨 패키징 방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101118627B1 (ko) * 2011-05-12 2012-03-06 한국기계연구원 Ｍｅｍｓ 마이크로폰 및 제조방법
JP2019047349A (ja) * 2017-09-01 2019-03-22 太陽誘電株式会社 電子部品

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100680731B1 (ko) * 2000-09-01 2007-02-09 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 제조방법
CN1874955B (zh) * 2003-10-31 2011-03-30 爱普科斯公司 电子器件的制造方法和电子器件

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101118627B1 (ko) * 2011-05-12 2012-03-06 한국기계연구원 Ｍｅｍｓ 마이크로폰 및 제조방법
JP2019047349A (ja) * 2017-09-01 2019-03-22 太陽誘電株式会社 電子部品

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