JP2010069599A - Memsセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 機能層10は、シリコンウエハから分離された固定電極部と可動電極部と枠体層25を有している。固定電極部の支持導通部12と可動電極部の支持導通部17および枠体部25と、第1の基板1は、第1の絶縁層3a,3b,3cで固定されている。第2の基板2に第2の絶縁層30が形成され、その表面に接続電極部31,32およびシール電極部33が形成されており、これらが接続金属層41,42およびシール金属層43と共晶接合または拡散接合されている。その結果、錘部20の可動領域が金属シール層で封止されている。
【選択図】図4
Description
前記第1の基板の表面に、第1の絶縁層を介して、前記可動電極部および前記固定電極部のそれぞれの支持導通部が固定され、前記第2の基板の表面に、第2の絶縁層とこの第2の絶縁層の内部に埋設されたリード層と前記リード層に導通して前記支持導通部に個別に接続される接続電極部が設けられており、
前記第2の絶縁層には、前記可動電極部に対面する凹部が形成されていることを特徴とするものである。
前記第1の基板と前記枠体層とが、前記可動領域の外周において、前記第1の絶縁層と同じ絶縁層を介して接合されており、
前記第2の絶縁層の表面に、前記接続電極部と同じ金属材料で形成されたシール電極部が形成され、前記枠体層の表面に前記接続金属層と同じ金属材料で形成されたシール金属層が形成されており、前記シール電極部と前記シール金属層とが共晶接合または拡散接合されて、前記可動領域の外周を囲むシール層が形成されているものとして構成できる。
このMEMSセンサは、第2の基板2の代わりにICパッケージ100が使用されている。ICパッケージ100内には、対向電極と可動対向電極との静電容量の変化を検出する検出回路などが内蔵されている。
ヤング率(N/m2):Siを1.50E+11、SiO2を7.20E+10、Alを7.03E+10とした。
ポアッソン比(−):Siを0.17、SiO2を0.25、Alを0.35とした。
2 第2の基板
3a,3b,3c 第1の絶縁層
10 機能層
11 第1の固定電極部
12 支持導通部
11b,11c 対向電極
13 第2の固定電極部
14 支持導通部
13b,13c 対向電極
15 可動電極部
16 第1の支持腕部
17 支持導通部
18 第2の支持腕部
19 支持導通部
20 錘部
20a,20b,20c,20d 可動対向電極
21,22,23,24 弾性支持部
25 枠体層
30 第2の絶縁層
31,32 接続電極部
33 シール電極部
38 凹部
41,42 接続金属層
43 シール金属層
45 金属シール層
100 ICパッケージ
Claims (7)
- 第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置された可動電極部および固定電極部とを有するMEMSセンサにおいて、
前記第1の基板の表面に、第1の絶縁層を介して、前記可動電極部および前記固定電極部のそれぞれの支持導通部が固定され、前記第2の基板の表面に、第2の絶縁層とこの第2の絶縁層の内部に埋設されたリード層と前記リード層に導通して前記支持導通部に個別に接続される接続電極部が設けられており、
前記第2の絶縁層には、前記可動電極部に対面する凹部が形成されていることを特徴とするMEMSセンサ。 - それぞれの前記支持導通部の表面に接続金属層が形成されており、それぞれの前記接続電極部と前記接続金属層とが共晶接合または拡散接合されている請求項1記載のMEMSセンサ。
- 前記支持導通部には、前記接続電極部と前記接続金属層との接合層を囲む連続するまたは不連続の溝が形成されている請求項2記載のMEMSセンサ。
- 前記可動電極部および前記固定電極部と同じ材料で同じ厚さに形成された枠体層が設けられ、この枠体層が、前記可動電極部の可動領域を囲んでおり、
前記第1の基板と前記枠体層とが、前記可動領域の外周において、前記第1の絶縁層と同じ絶縁層を介して接合されており、
前記第2の絶縁層の表面に、前記接続電極部と同じ金属材料で形成されたシール電極部が形成され、前記枠体層の表面に前記接続金属層と同じ金属材料で形成されたシール金属層が形成されており、前記シール電極部と前記シール金属層とが共晶接合または拡散接合されて、前記可動領域の外周を囲むシール層が形成されている請求項2または3記載のMEMSセンサ。 - 前記第2の絶縁層の内部に埋設された前記リード層が、前記シール層の外部に引き出され、前記第2の基板に、前記リード層に導通する接続パッドが設けられている請求項4記載のMEMSセンサ。
- 前記第2の基板の代わりにICパッケージが使用され、前記リード層の代わりに、前記第2の絶縁層を貫通して形成された接続層により、前記接続電極部がICパッケージの電極パッドに接続されている請求項1ないし4のいずれかに記載のMEMSセンサ。
- 前記接続電極部の厚さが4μm以下である請求項1ないし6のいずれかに記載のMEMSセンサ。
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