JP2011520777A - 置換オリゴチオフェンまたはポリチオフェン - Google Patents

Abstract

置換２，２’−ジチオフェンを製造するための方法であって、工程（ａ）、（ｃ）ならびに任意の工程（ｂ）および（ｄ）、すなわちａ）式：（ＩＶ）［Ｈａｌは、水素またはハロゲン、特にＢｒを表し、Ｒ１およびＲ１’は、独立して水素または置換基であり、ｎは０から６、好ましくは０であり；Ｙは、存在すれば、置換または非置換フェニレン、チエン、１，２−エチレンであるか、または１，２−エチニレンであり；Ｒ２およびＲ２’は、独立して水素であるか、あるいはそれぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択される］の化合物と、好適なリチウム有機化合物、好ましくはＬｉ−アルキルまたはＬｉ−アルキルアミドとを反応させる工程と、ｂ）リチウムをＭｇ、ＺｎおよびＣｕから選択される別の金属と場合によって交換する工程と、ｃ）工程（ａ）または（ｂ）で得られた金属中間体と、ＣＯ₂もしくはアルデヒド（付加反応）、または化合物Ｙ’−Ｒ１７もしくはＹ’−Ｒ１８−Ｚ（置換反応）［Ｒ１７およびＲ１８は請求項１に定義されている通りである］である好適な求電子体とを反応させる工程と、場合によってｄ）例えば以上に定義されている１つまたは複数の共役部分Ｙの導入、好適な一価の残基Ｒ１７の間の閉環、Ｒ１７またはＲ１８におけるカルボニルへの付加またはカルボニルの置換などの官能基または置換基の交換または延長によって、工程（ｃ）で得られた生成物を改質する工程とを含む方法。ポリマーを含む、またはポリマーに対応する生成物は、例えば、有機電界効果トランジスタ、集積回路、薄膜トランジスタ、ディスプレイ、ＲＦＩＤタグ、エレクトロまたはフォトルミネセンス素子、ディスプレイ、光起電力またはセンサ素子、電荷注入層、ショットキーダイオード、記憶装置、平坦化層、帯電防止材、導電性基板またはパターン、光導体、あるいは電子写真用途または記録材料における用途の優れた導電性材料である。

Description

本出願は、新規の架橋２，２’−ジチオフェン誘導体および有機素子における有機半導体としてのそれらの使用、ならびに前記架橋ジチオフェン誘導体を含む半導体素子に関する。

例えば、軽量電池、エレクトロクロミックディスプレイ装置、発光ダイオード、光学スイッチの開発のための興味深い電子特性を示すため、多くのオリゴチオフェンおよびポリチオフェンが製造されてきた（例えば、Ｄｏｎａｔ−Ｂｏｕｉｌｌｕｄ ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．（１９９７）２８１５参照）。

これらの化合物の特性は、それらの置換基によって広く決定づけられるが、３，３’および／または４，４’−位が置換された２，２’−ジチオフェンなどのいくつかの置換パターンは、これまで容易に、または全く把握できなかった。

したがって、本発明は、置換２，２’−ジチオフェンを製造するための方法であって、
ａ）式

［式中、
Ｈａｌは、水素またはハロゲン、特にＢｒを表し、
Ｒ１およびＲ１’は、独立して水素または置換基であり、
ｎは０から６、好ましくは０であり；
Ｙは、存在すれば、置換または非置換フェニレン、チエン、１，２−エチレンであるか、または１，２−エチニレンであり；
Ｒ２およびＲ２’は、独立して水素であるか、あるいはそれぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択される］の化合物と、好適なリチウム有機化合物、好ましくはＬｉ−アルキルまたはＬｉ−アルキルアミドとを反応させる工程と、
ｂ）好適な金属塩または金属有機化合物との反応によって、リチウムをＭｇ、ＺｎおよびＣｕから選択される別の金属と場合によって交換する工程と、続いて
ｃ）工程（ａ）または（ｂ）で得られた金属中間体と、ＣＯ₂もしくはアルデヒド（付加反応）、または化合物Ｙ’−Ｒ１７もしくはＹ’−Ｒ１８−Ｚ（置換反応）［Ｒ１７は好適な炭化水素またはアシルもしくはシリル残基であり、Ｒ１８は、ＣＯ、ＣＯ−ＣＯ、

［式中、Ｒ４、Ｒ５およびＲ１０は、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択される］から選択され、
Ｙ’およびＺ’は、工程（ａ）または（ｂ）で形成された金属チエニル中間体との反応を可能にする好適な脱離基である］である好適な求電子体とを反応させる工程と、場合によって
ｄ）例えば以上に定義されている１つまたは複数の共役部分Ｙの導入、好適な一価の残基Ｒ１７の間の閉環、Ｒ１７またはＲ１８におけるカルボニルへの付加またはカルボニルの置換などの官能基または置換基の交換または延長によって、工程（ｃ）で得られた生成物を改質する工程とを含む方法に関する。

工程（ｄ）による改質反応は、通常、当該技術分野で周知の方法と同様にして実施される。

リチウムとＭｇ、ＺｎまたはＣｕとの交換のための金属試薬は、当該技術分野で周知であり、例は、Ｍｇ（ＩＩ）、Ｚｎ（ＩＩ）、Ｍｎ（ＩＩ）、Ｃｕ（ＩＩ）またはＣｕ（Ｉ）の臭化物、塩化物、ヨウ化物、炭酸塩、硫酸塩である。該反応を全く同様にして、金属交換反応に既知の条件下で実施することができる。

付加反応工程（ｃ）に使用されるアルデヒドは、ＯＣＨ−Ｒ２０［Ｒ２０は、ＨまたはＣ₁−Ｃ₁₂アルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₂アリールまたは−アリールアルキルである］からしばしば選択される。

炭化水素またはアシルもしくはシリル残基としてのＲ１７は、Ｃ₁−Ｃ₁₂アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₁₂アリール、Ｃ₅−Ｃ₁₂アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₁₂アラルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₂アシルおよびＳｉＲＲ’Ｒ"［Ｒ、Ｒ’およびＲ"は、以下にさらに説明されている］からしばしば選択される。

脱離基としてのＹ’およびＺ’は、独立して、Ｃ₁−Ｃ₁₂アルコキシ、Ｃ₁−Ｃ₁₂アアシルオキシ、ＮＨ₂、Ｃ₁−Ｃ₁₂アルキルアミノ、ヨードなどのハロゲンからしばしば選択され、Ｙ’およびＺ’は、一緒になって、Ｒ１８とともに５または６員複素環式環を形成する。結合された部分としての好適なＹ’およびＺ’としては、−ＮＨ−ＣＨ₂−ＣＨ₂−ＮＨ−、−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₃−Ｏ−およびそれらの置換形が挙げられる。

置換基は、存在すれば、主として、ハロゲン、ＯＲ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₂−Ｃ₁₈アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキルチオ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アシル、Ｃ₄−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈アシルオキシから、または残基ＣＯＲ、ＣＨ＝ＮＲ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ、ＣＯＯＲ、ＣＯＮＨＲ、ＣＯＮＲＲ’、ＣＯＮＨ−ＮＨＲ、ＣＯＮＨ−ＮＲＲ’、ＳＯ₂Ｒ、ＳＯ₃Ｒ、ＳＯ₂ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＲＲ’、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）Ｒ、Ｓ（Ｏ）ＯＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＲＲ’、ＳｉＲＲ’Ｒ"、ＰＯＲＲ’、ＰＯ（ＯＲ）Ｒ’、ＰＯ（ＯＲ）₂、ＰＯ（ＮＨＲ）₂、ＰＯ（ＮＲＲ’）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、ＮＨＲ、ＮＲＲ’、ＮＨ−ＮＨＲ、ＮＨ−ＮＲＲ’、ＣＯＮＲＯＨから選択され；
Ｒ、Ｒ’およびＲ"は、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈ハロアルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキルから、好ましくはＣ₁−Ｃ₆アルキル、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシルから独立して選択され；
Ｒは水素であってよい。

上記工程（ｃ）におけるＣＯ₂の付加は、主として、例えば化合物

［式中、
Ｘ’はＨまたはカチオンの同等物である］などのようなカルボン酸官能基の導入をもたらし；
アルデヒドＯＣＨ−Ｒ２０の付加は、

などのヒドロキシ化生成物をもたらし；得られたこれらのＯＨまたはＣＯＯＨ官能基を便利には後続の工程（ｄ）で変換することができる。

この方法によって入手可能な好適な生成物は、両方の３，３’位が置換されている（またはこの位置で相互結合して縮合三環モジュールを形成する）２，２’−ジチオフェンであり、過置換末端生成物、すなわち４，４’，５，５’位に置換基（または縮合環）をさらに担持するものが特に好適である。

この方法のいくつかの好適な末端生成物の例は、式

［式中、
Ｒ¹およびＲ¹’は、互いに独立して、Ｈもしくは置換基、ハロゲン、またはｎが０でない場合はＳｉＲ⁶Ｒ⁴Ｒ⁵であってよく；
Ｒ²およびＲ²’は、同じであるか、または異なっていてよく、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択され；Ｒ３およびＲ３’またはＲ７およびＲ７’は、一緒になって、架橋基

である場合は、Ｒ²およびＲ²’は、独立して水素であってもよく；
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’は、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから独立して選択され；隣接残基Ｒ４およびＲ５、ならびに対応するＲ４’およびＲ５’は、さらに相互結合して、置換および／または分断されてよい４から２５個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成することができ；
Ｒ３およびＲ３’は、独立して、Ｒ７、Ｒ７’について定義されている通りであり；
Ｒ７、Ｒ７’は、独立して、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルコキシカルボニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシルオキシ、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルであり；あるいは
Ｒ７およびＲ７’は、一緒になって、

から選択される架橋基であり、特に、
Ｒ３およびＲ３’は、一緒になって、架橋基

を形成することもでき；
ＭはＳｉまたはＧｅであり；
Ｙは、

から選択され；
ｎは、０から６の範囲であり；
Ｒ８およびＲ８’は、独立して、Ｈまたは置換基であり；
Ｒ９およびＲ９’は、一緒になって、

から選択される架橋基を形成し；
Ｒ１０は、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルであり；
Ｒ１１は、Ｒ８について定義されている通りであるか、またはＯＲ８であり；
Ｒ１２およびＲ１３の一方は水素であってよく、他方またはＲ１２およびＲ１３の両方が置換基であり；あるいはＲ１２およびＲ１３の両方が相互結合して、置換および／または分断されていてよい２から２５個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成し；
ｍは、０、１、２、３または４であり、Ｒ１４は置換基であり、あるいは２または３個の隣接残基Ｒ１４は、相互結合して、置換および／または分断されていてよい４から２５個の炭素原子の二価または三価炭化水素残基を形成することができ；
任意の置換基は、存在すれば、ハロゲン、ＯＲ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₂−Ｃ₁₈アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキルチオ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アシル、Ｃ₄−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈アシルオキシから、または残基ＣＯＲ、ＣＨ＝ＮＲ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ、ＣＯＯＲ、ＣＯＮＨＲ、ＣＯＮＲＲ’、ＣＯＮＨ−ＮＨＲ、ＣＯＮＨ−ＮＲＲ’、ＳＯ₂Ｒ、ＳＯ₃Ｒ、ＳＯ₂ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＲＲ’、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）Ｒ、Ｓ（Ｏ）ＯＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＲＲ’、ＳｉＲＲ’Ｒ"、ＰＯＲＲ’、ＰＯ（ＯＲ）Ｒ’、ＰＯ（ＯＲ）₂、ＰＯ（ＮＨＲ）₂、ＰＯ（ＮＲＲ’）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、ＮＨＲ、ＮＲＲ’、ＮＨ−ＮＨＲ、ＮＨ−ＮＲＲ’、ＣＯＮＲＯＨから選択され；
Ｒ、Ｒ’およびＲ"は、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈ハロアルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキルから、好ましくはＣ₁−Ｃ₆アルキル、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシルから独立して選択され；
Ｒは水素であってもよい］の生成物である。

Ｒ７およびＲ７’が、一緒になって、

から選択される架橋基である生成物は、便利には、上記改質／誘導体化工程で形成される。例えば、部分

を含む化合物を、アミンＨ₂Ｎ−Ｒ１１との反応によってカルボニル前駆体から形成することができ；
部分

を含む化合物を、カルボニル−Ｃ上への付加および形成されたＯＨまたはＯＲの置換をもたらすＲ１２およびＲ１３を導入する好適な試薬との反応によってカルボニル前駆体から形成することができ；
部分

を含む化合物を、無水物、チオ無水物またはイミドを形成する好適な反応によって上記ジカルボキシまたはジカルボキシレート前駆体から形成することができ；
部分

を含む化合物を、ジカルボニル前駆体（Ｒ７およびＲ７’は一緒になって架橋基

を形成する）から、好適なジアミン

との反応によって形成することができる。さらなる反応の詳細および変換／改質反応を以下および実施例に説明する。

特に工業的に興味深い方法において、式

の遊離体化合物から工程（ａ）または（ｂ）で得られた中間体と、

［式中、Ｒは、独立して、以上に定義されている通りである］とを工程（ｃ）で反応させて

を得、それを工程（ｄ）で場合によって例えば上記のようにしてさらに精製する。

本発明の方法で得られたいくつかの新規の化合物は、電気または電子用途に特に貴重な特性を有する。したがって、本発明は、式

［式中、
Ｒ¹およびＲ¹’は、互いに独立して、Ｈもしくは置換基、ハロゲン、またはｎが０でない場合はＳｉＲ⁶Ｒ⁴Ｒ⁵であってよく；
Ｒ²およびＲ²’は、同じであるか、または異なっていてよく、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択され；Ｒ３およびＲ３’またはＲ７およびＲ７’は、一緒になって、架橋基

である場合は、Ｒ²およびＲ²’は、独立して水素であってもよく；
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’は、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから独立して選択され；隣接残基Ｒ４およびＲ５、ならびに対応するＲ４’およびＲ５’は、さらに相互結合して、置換および／または分断されてよい４から２５個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成することができ；
Ｒ３およびＲ３’は、独立して、Ｒ７、Ｒ７’について定義されている通りであり；
Ｒ７、Ｒ７’は、独立して、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルコキシカルボニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシルオキシ、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルであり；あるいは
Ｒ７およびＲ７’は、一緒になって、

から選択される架橋基であり、特に、
Ｒ３およびＲ３’は、一緒になって、架橋基

を形成することもでき；
ＭはＳｉまたはＧｅであり；
Ｙは、

から選択され；
ｎは、０から６の範囲であり；
Ｒ８およびＲ８’は、独立して、Ｈまたは置換基であり；
Ｒ９およびＲ９’は、一緒になって、

から選択される架橋基を形成し；
Ｒ１０は、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルであり；
Ｒ１１は、Ｒ８について定義されている通りであるか、またはＯＲ８であり；
Ｒ１２およびＲ１３の一方は水素であってよく、他方またはＲ１２およびＲ１３の両方が置換基であり；あるいはＲ１２およびＲ１３の両方が相互結合して、置換および／または分断されていてよい２から２５個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成し；
ｍは、０、１、２、３または４であり、Ｒ１４は置換基であり、あるいは２または３個の隣接残基Ｒ１４は、相互結合して、置換および／または分断されていてよい４から２５個の炭素原子の二価または三価炭化水素残基を形成することができ；
任意の置換基は、存在すれば、ハロゲン、ＯＲ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₂−Ｃ₁₈アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキルチオ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アシル、Ｃ₄−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈アシルオキシから、または残基ＣＯＲ、ＣＨ＝ＮＲ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ、ＣＯＯＲ、ＣＯＮＨＲ、ＣＯＮＲＲ’、ＣＯＮＨ−ＮＨＲ、ＣＯＮＨ−ＮＲＲ’、ＳＯ₂Ｒ、ＳＯ₃Ｒ、ＳＯ₂ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＲＲ’、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）Ｒ、Ｓ（Ｏ）ＯＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＲＲ’、ＳｉＲＲ’Ｒ"、ＰＯＲＲ’、ＰＯ（ＯＲ）Ｒ’、ＰＯ（ＯＲ）₂、ＰＯ（ＮＨＲ）₂、ＰＯ（ＮＲＲ’）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、ＮＨＲ、ＮＲＲ’、ＮＨ−ＮＨＲ、ＮＨ−ＮＲＲ’、ＣＯＮＲＯＨから選択され；
Ｒ、Ｒ’およびＲ"は、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈ハロアルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキルから、好ましくはＣ₁−Ｃ₆アルキル、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシルから独立して選択され；
Ｒは水素であってもよく；
Ｒ７およびＲ７’は、一緒になって−ＣＯ−であれば、Ｒ２およびＲ２’の少なくとも一方は、少なくとも２個の炭素原子、特に４個以上の炭素原子を含む］の化合物を含む。

水素でないＲ１２、Ｒ１３は、最も好ましくは、Ｆ、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキルであるか、または互いに相互結合して、置換および／または分断されていてよい２から１２個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成する。

このクラスの特に貴重な化合物の例は、式

［式中、
Ｒ¹およびＲ¹’は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲンまたはＳｉＲ⁶Ｒ⁴Ｒ⁵であり；
Ｒ²およびＲ²’は、同じであるか、または異なっていてよく、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₄−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₅−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択され；Ｒ¹またはＲ¹’がＳｉＲ⁶Ｒ⁴Ｒ⁵であり、および／またはＸが架橋基

である場合は、Ｒ²およびＲ²’は、独立して、水素またはＣ₁−Ｃ₃アルキルであってもよく；
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’は、Ｃ₁−Ｃ₁₂アルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₂シクロアルキル、フェニルまたはＣ₇−Ｃ₁₂フェニルアルキルから独立して選択され；
Ｘは、

から選択される架橋基であり；
Ｙは、

から選択され、
ｎは、０から６の範囲であり；
Ｒ８およびＲ８’は、独立して、Ｈであるか、またはＲについて定義されている通りであり；
Ｒ９およびＲ９’は、一緒になって、

から選択される架橋基を形成し：
Ｒ１０は、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₁₂アルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₂シクロアルキル、フェニル、Ｃ₇−Ｃ₁₂アルキルフェニルまたはＣ₇−Ｃ₁₂フェニルアルキルであり；
Ｒ１１は、Ｒ８について定義されている通りであるか、またはＯＲ８であり；
Ｒ１２およびＲ１３の一方は水素であってよく、他方またはＲ１２およびＲ１３の両方が置換基であり；あるいはＲ１２およびＲ１３の両方が相互結合して、置換および／または分断されていてよい２から２５個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成し；
ｍは、０、１、２、３または４であり、Ｒ１４は置換基であり、あるいは２または３個の隣接残基Ｒ１４は、相互結合して、置換および／または分断されていてよい４から２５個の炭素原子の二価または三価炭化水素残基を形成することができ；
任意の置換基は、存在すれば、ハロゲン、ＯＲ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₂−Ｃ₁₈アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₁₂アルキルチオ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アシル、Ｃ₄−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈アシルオキシ、Ｃ₅−Ｃ₁₀アリールオキシ、Ｃ₅−Ｃ₁₂シクロアルキルオキシから、または残基ＣＯＲ、ＣＨ＝ＮＲ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ、ＣＯＯＲ、ＣＯＮＨＲ、ＣＯＮＲＲ’、ＣＯＮＨ−ＮＨＲ、ＣＯＮＨ−ＮＲＲ’、ＳＯ₂Ｒ、ＳＯ₃Ｒ、ＳＯ₂ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＲＲ’、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）Ｒ、Ｓ（Ｏ）ＯＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＲＲ’、ＳｉＲＲ’Ｒ"、ＰＯＲＲ’、ＰＯ（ＯＲ）Ｒ’、ＰＯ（ＯＲ）₂、ＰＯ（ＮＨＲ）₂、ＰＯ（ＮＲＲ’）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、ＮＨＲ、ＮＲＲ’、ＮＨ−ＮＨＲ、ＮＨ−ＮＲＲ’、ＣＯＮＲＯＨから選択され；
Ｒ、Ｒ’およびＲ"は、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシルから独立して選択され；Ｒは水素であってもよい］の化合物である。

好適な残基Ｒ¹およびＲ¹’は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲン、または特にｎが０でない場合は、ＳｉＲ⁶Ｒ⁴Ｒ⁵である。

いくつかのより好適な化合物は、
Ｒ¹およびＲ¹’が、互いに独立して、Ｈ、ハロゲンまたはＳｉＲ⁶Ｒ⁴Ｒ⁵であり；
Ｒ²およびＲ²’が、同じであるか、または異なっていてよく、Ｃ₄−Ｃ₁₈アルキルまたはＣ₅−Ｃ₂₅チエニルアルキルもしくはフェニルアルキルから選択され；Ｘが架橋基

である場合は、Ｒ²およびＲ²’が、独立して、水素またはＣ₁−Ｃ₃アルキルであってもよく；
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’が、独立して、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキルから選択され；
Ｒ３およびＲ３’またはＲ７およびＲ７’が一緒になって、かつＸが、

から選択される架橋基であり、特に、ＸまたはＲ３およびＲ３’が一緒になって、架橋基

を形成することもでき；
Ｙが

であり、
ｎが０から３の範囲であり；
Ｒ８およびＲ８’が、独立して、Ｈ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシルであり；
Ｒ９およびＲ９’が、一緒になって、

から選択される架橋基を形成し；
Ｒ１１がＨ、ＯＨ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキルまたはＣ₁−Ｃ₁₈アルコキシである化合物である。

特に工業的に興味深いのは、「対称」化合物、すなわちＲ１＝Ｒ１’であり、Ｙも指数ｎも同一であり、Ｒ２＝Ｒ２’であり、Ｒ３＝Ｒ３’であり、Ｒ４Ｒ５Ｒ６がＲ４’Ｒ５’Ｒ６’と同一であり、Ｒ７＝Ｒ７’等である化合物である。

上記式のようなジチオフェン単位は、導電性または半導電性ポリマーの製造のためのモノマーとして極めて好適である。したがって、本発明は、さらに、式

［式中、
Ｒ²およびＲ²’は、同じであるか、または異なっていてよく、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択され；Ｒ７およびＲ７’は、一緒になって架橋基

である場合は、Ｒ²およびＲ²’は、独立して水素であってもよく；
Ｒ７、Ｒ７’は、独立して、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルコキシカルボニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシルオキシ、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルであり；あるいは
Ｒ７およびＲ７’は、一緒になって、

から選択される架橋基であり、架橋基

を形成することもでき；
Ｍは、ＳｉまたはＧｅであり；
ＹおよびＹ"は、

から独立して選択され；
ｎおよびｐは、独立して、０から６の範囲であり；
Ｒ８およびＲ８’は、独立して、Ｈまたは置換基であり；
Ｒ９およびＲ９’は、一緒になって、

から選択される架橋基を形成し：
Ｒ１０は、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルであり；
Ｒ１１は、Ｒ８について定義されている通りであるか、またはＯＲ８であり；
Ｒ１２およびＲ１３の一方は水素であってよく、他方またはＲ１２およびＲ１３の両方が置換基であり；あるいはＲ１２およびＲ１３の両方が相互結合して、置換および／または分断されていてよい２から２５個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成し；
ｍは、０、１、２、３または４であり、Ｒ１４は置換基であり、あるいは２または３個の隣接残基Ｒ１４は、相互結合して、置換および／または分断されていてよい４から２５個の炭素原子の二価または三価炭化水素残基を形成することができ；
任意の置換基は、存在すれば、ハロゲン、ＯＲ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₂−Ｃ₁₈アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキルチオ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アシル、Ｃ₄−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈アシルオキシから、または残基ＣＯＲ、ＣＨ＝ＮＲ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ、ＣＯＯＲ、ＣＯＮＨＲ、ＣＯＮＲＲ’、ＣＯＮＨ−ＮＨＲ、ＣＯＮＨ−ＮＲＲ’、ＳＯ₂Ｒ、ＳＯ₃Ｒ、ＳＯ₂ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＲＲ’、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）Ｒ、Ｓ（Ｏ）ＯＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＲＲ’、ＳｉＲＲ’Ｒ"、ＰＯＲＲ’、ＰＯ（ＯＲ）Ｒ’、ＰＯ（ＯＲ）₂、ＰＯ（ＮＨＲ）₂、ＰＯ（ＮＲＲ’）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、ＮＨＲ、ＮＲＲ’、ＮＨ−ＮＨＲ、ＮＨ−ＮＲＲ’、ＣＯＮＲＯＨから選択され；
Ｒ、Ｒ’およびＲ"は、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈ハロアルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキルから、好ましくはＣ₁−Ｃ₆アルキル、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシルから独立して選択され；
Ｒは水素であってもよい］の少なくとも２つの構造単位を含むオリゴマーまたはポリマーに関する。

このクラスの好適なオリゴマーまたはポリマーは、本発明によって提供され、以上に定義されているジチオフェンについて定義されている残基を含む。

オリゴマーまたはポリマーの末端基は、通常、上記Ｒ１およびＲ１’について定義されている通りである。式（ＸＩＩＩ）の上記構造単位の他に、本発明のオリゴマーまたはポリマーは、さらなるモノマー単位、特に導電性または半導電性ポリマーの製造に有用なモノマー単位を含むことができる。例えばこれらの式（Ｘ）〜（ＸＩＩ）の好適なモノマーから出発する重合を、国際公開第０８／０００６６４号に記載されている反応と同様にして実施することができる。ジケトピロロピロール、ジチオフェンなどの好適なコモノマーおよび分枝単位、ならびに共重合のための方法も国際公開第０８／０００６６４号に記載されている（その５〜２６頁参照）。

アシルはスルホン酸、特に、正式には酸ＯＨの抽出によって形成される有機カルボン酸の残基を表す。例は、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ベンゾイルである。一般に、Ｃ₁−Ｃ₁₈アシルは、基Ｘ’−Ｒ₁₁を表し、Ｘ’はＣＯまたはＳＯ₂であり、Ｒ₁₁は、一価の脂肪族または芳香族有機残基から選択され、通常は分子量が３００までである。例えば、Ｒ₁₁は、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₂−Ｃ₁₈アルケニル、非置換であるか、またはＣ₁−Ｃ₈アルキルもしくはハロゲンもしくはＣ₁−Ｃ₈アルコキシで置換されていてよいＣ₅−Ｃ₁₀アリール、非置換であるか、芳香族部分がＣ₁−Ｃ₈アルキルもしくはハロゲンもしくはＣ₁−Ｃ₈アルコキシで置換されていてよいＣ₆−Ｃ₁₅アリールアルキル、Ｃ₄−Ｃ₁₂シクロアルキルから選択されてよく、Ｘ’がＣＯである場合は、Ｒ₁₁はＨであってもよい。アシルは、好ましくは、通常は１から３０炭素原子の有機酸−ＣＯ−Ｒ₁₁の脂肪族または芳香族残基であり、Ｒ₁₁は、それぞれが置換されているか、または非置換であってよく、かつ／または中でもアルキル残基について他の箇所に記載されているように分断されていてよいアリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキルを包含し、あるいはＲ’はＨであってよい（すなわちＣＯＲ’はホルミルである）。そのため、記載されているように、アリール、アルキル等が好ましい。より好適なアシル残基は、置換または非置換ベンゾイル、置換または非置換Ｃ₁−Ｃ₁₇アルカノイルまたはアルケノイル、例えばアセチルまたはプロピオニルまたはブタノイルまたはペンタノイルまたはヘキサノイル、置換または非置換Ｃ₅−Ｃ₁₂シクロアルキルカルボニル、例えばシクロヘキシルカルボニルである。

アリール（例えばＣ₄−Ｃ₂₅アリールまたはＣ₁−Ｃ₁₄アリール）が使用される場合は、これは、好ましくは、可能な限り多くの二重結合を有する単環式環または多環式環系、例えば、好ましくはフェニル、ナフチル、アントラキニル、アントラセニルまたはフルオレニルを含む。アリールという用語は、主として、環構造の一部として、主としてＯ、ＮおよびＳから選択される１つまたは複数のヘテロ原子を含む複素環式環（ヘテロアリールとも呼ばれる）であってよいＣ₁−Ｃ₁₈芳香族部分を包含する。炭化水素アリールの例は、主として、フェニル、ナフチル、アントラキニル、アントラセニル、フルオレニル、特にフェニルを含むＣ₆−Ｃ₁₈である。Ｃ₁−Ｃ₃ヘテロアリールまたはＣ₄−Ｃ₁₈ヘテロアリールなどのヘテロアリールは、芳香族環を形成する原子の中でも特にＮ、Ｏ、Ｓから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含むアリール基を表す。例としては、ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ピラジル、チエニル、ベンゾチエニル、ピリル、フリル、ベンゾフリル、インジル、カルバゾイル、ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、トリアジニル、テトラヒドロナフチル、チエニル、ピラゾリル、ジアゾリル、トリアゾリル、イミダゾリルが挙げられる。例えば、フェニル、ナフチル、ピリジル、テトラヒドロナフチル、フリル、チオフェニル、ピリル、キノリル、イソキノリル、アントラキニル、アントラセニル、フェナントリル、ピレニル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイソチアゾリル、ベンゾチエニル、特にＣ₆−Ｃ₁₀アリールから選択されるＣ₄−Ｃ₁₈アリールが好適である。フェニル、ナフチル、フリル、チエニルが最も好適である。

ハロゲンは、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ、好ましくはＣｌ、Ｂｒ、特にＢｒを表す。

アルキルは、任意の非環式飽和一価炭化水素基を表し、アルケニルは、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を含む当該基（アリルなど）を表す。同様に、アルキニルは、少なくとも１つの炭素−炭素三重結合を含む当該基（プロパルギルなど）を表す。アルケニルまたはアルキニル基が１つを超える二重結合を含む場合は、これらの結合は、通常は累積せず、−［ＣＨ＝ＣＨ−］_nまたは−［ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ₃）−］_n［ｎは、例えば、２〜５０であってよい］のように交互に配置され得る。他に指定する場合を除いて、好適なアルキルは、１〜２２個の炭素原子を含み、好適なアルケニルおよびアルキニルは、それぞれ２〜２２個の炭素原子、特に３〜２２個の炭素原子を含む。

分断されていることが示される場合は、１個を超える炭素原子、特に２個を超える炭素原子の任意のアルキル部分、または別の部分の一部である当該アルキルもしくはアルキレン部分が、Ｏ、Ｓ、ＣＯＯ、ＯＣＮＲ１０、ＯＣＯＯ、ＯＣＯＮＲ１０、ＮＲ１０ＣＮＲ１０またはＮＲ１０［Ｒ１０は、Ｈ、Ｃ₁−Ｃ₁₂アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、フェニルである］などのヘテロ官能基によって分断されていてよい。それらは、１つまたは複数のこれらのスペーサ基によって分断され、それぞれの場合における１つの基は、概して、アルキルまたはアルキレン部分の１つの炭素−炭素結合、あるいはその部分が結合している炭素−炭素結合に挿入され得る。ヘテロ−ヘテロ結合は、例えばＯ−Ｏ、Ｓ−Ｓ、ＮＨ−ＮＨ等は、通常は生じない。分断されたアルキルがさらに置換されている場合は、置換基は、一般にヘテロ原子に対するαでない。−Ｏ−、−ＮＲ１０−、−Ｓ−型の２つ以上の分断基が１つの基に存在する場合は、それらはしばしば同一である。分断されたシクロアルキルの例は、ジオキサニル、モルホリニル、ピペリジニル、ピペラジニルである。

したがって、アルキルという用語は、使用される場合は必ず、主として特に分断されておらず、適宜置換されたＣ₁−Ｃ₂₂アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、２−エチルブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、１−メチルペンチル、１，３−ジメチルブチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルヘキシル、ｎ−ヘプチル、イソヘプチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、１−メチルヘプチル、３−メチルヘプチル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、１，１，３−トリメチルヘキシル、１，１，３，３−テトラメチルペンチル、ノニル、デシル、ウンデシル、１−メチルウンデシル、ドデシル、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルヘキシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシルを包含する。アルコキシはアルキル−Ｏ−であり；アルキルチオはアルキル−Ｓ−である。

ハロアルキルは、ハロゲンで置換されたアルキルを表す、これは、過ハロゲン化アルキル、例えば過フルオロアルキル、特に、分枝状または非分枝状の基であるＣ₁−Ｃ₁₂過フルオロアルキル、例えば、−ＣＦ₃、−ＣＦ₂ＣＦ₃、−ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₃、−ＣＦ（ＣＦ₃）₂、−（ＣＦ₂）₃ＣＦ₃および−Ｃ（ＣＦ₃）₃を含む。

アラルキルは、所定の定義内で、通常、置換されていてよいＣ₇−Ｃ₂₄アラルキル基、好ましくはＣ₇−Ｃ₁₅アラルキル基、例えば、ベンジル、２−ベンジル−２−プロピル、β−フェネチル、α−メチルベンジル、α，α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチル、ω−フェニル−オクチル、ω−フェニル−ドデシル；またはフェニル環が１から３個のＣ₁−₂₄アルキルで置換されたフェニル−Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、例えば、２−メチルベンジル、３−メチルベンジル、４−メチルベンジル、２，４−ジメチルベンジル、２，６−ジメチルベンジルまたは４−ｔｅｒｔ−ブチルベンジルまたは３−メチル−５−（１’，１’，３’，３’−テトラメチルブチル）−ベンジルから選択される。

したがって、アルケニルという用語は、使用される場合は必ず、主として、分断されておらず、適宜置換されたＣ₂−Ｃ₂₂アルキル、例えばビニル、アリル等を包含する。

Ｃ_2-24アルキニルなどのアルキニルは、直鎖または分枝状であり、好ましくは、非置換であるか、または置換されていてよいＣ_2-8アルキル、例えば、エチニル、１−プロピン−３−イル、１−ブチン−４−イル、１−ペンチン−５−イル、２−メチル−３−ブチン−２−イル、１，４−ペンタジイン−３−イル、１，３−ペンタジイン−５−イル、１−ヘキシン−６−イル、シス−３−メチル−２−ペンテン−４−イン−１−イル、トランス−３−メチル−２−ペンテン−４−イン−１−イル、１，３−ヘキサジイン−５−イル、１−オクチン−８−イル、１−ノニン−９−イル、１−デシン−１０−イルまたは１−テトラコシン−２４−イルである。

脂肪族環式部分は、シクロアルキル、脂肪族複素環式部分、ならびにシクロアルケニルなどのそれらの不飽和形を含む。Ｃ₃−Ｃ₁₈シクロアルキルなどのシクロアルキルは、好ましくは、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、または１から３個のＣ₁−Ｃ₄アルキル基で置換された前記シクロアルキルであり、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、メチルシクロペンチル、ジメチルシクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、トリメチルシクロヘキシル、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、シクロドデシル、１−アダマンチルまたは２−アダマンチルを含む。シクロヘキシル、１−アダマンチルおよびシクロペンチルが最も好適である。Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキルは、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、シクロウンデシル、シクロドデシルを含む。これらの残基の中でもＣ₃−Ｃ₆シクロアルキルならびにシクロドデシル、特にシクロヘキシルが好適である。存在するさらなる環構造は、通常は５から７個の環員、それらの中でも、通常はＯ、Ｓ、ＮＲ１０［Ｒ１０はＮＲ１０基の分断について以上に説明されている］から選択される少なくとも１個、特に１〜３個のヘテロ部分を含む複素環式脂肪族環（ヘテロシクロアルキル）である。例としては、Ｓ、ＯまたはＮＲ１０によって分断されたＣ₄−Ｃ₁₈シクロアルキル、例えば、ピペリジル、テトラヒドロフラニル、ピペラジニルおよびモルホリニルが挙げられる。Ｃ₂−Ｃ₄ヘテロシクロアルキルの例としては、オキシラニル、オキセタニル、ピペラジニル、モルホリニルが挙げられる。２つの隣接環員上の水素原子を抽出して、それらの間に二重結合を形成することによって、これらの構造から不飽和形を導くことができる。当該部分の例はシクロヘキセニルである。

Ｃ₁−Ｃ₂₄アルコキシなどのアルコキシは、直鎖または分枝状の基、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシまたはｔｅｒｔ−アミルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、イソオクチル、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、テトラデシルオキシ、ペンタデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、ヘプタデシルオキシおよびオクタデシルオキシである。

Ｃ₆−Ｃ₁₈シクロアルコキシは、例えば、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ、シクロヘプチルオキシまたはシクロオクチルオキシ、あるいは１から３個のＣ₁−Ｃ₄アルキルで置換された前記シクロアルコキシ、例えば、メチルシクロペンチルオキシ、ジメチルシクロペンチルオキシ、メチルシクロヘキシルオキシ、ジメチルシクロヘキシルオキシ、トリメチルシクロヘキシルオキシまたはｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルオキシである。

Ｃ₆−Ｃ₂₄アリールオキシは、典型的には、フェノキシ、または１から３個のＣ₁−Ｃ₄アルキル基で置換されたフェノキシ、例えば、ｏ−、ｍ−またはｐ−メチルフェノキシ、２，３−ジメチルフェノキシ、２，４−ジメチルフェノキシ、２，５−ジメチルフェノキシ、２，６−ジメチルフェノキシ、３，４−ジメチルフェノキシ、３，５−ジメチルフェノキシ、２−メチル−６−エチルフェノキシ、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ、２−エチルフェノキシまたは２，６−ジエチルフェノキシである。

Ｃ₆−Ｃ₂₄アラルコキシは、典型的には、フェニル−Ｃ₁−Ｃ₉アルコキシ、例えば、ベンジルオキシ、α−メチルベンジルオキシ、α，α−ジメチルベンジルオキシまたは２−フェニルエトキシである。

Ｃ₁−Ｃ₂₄アルキルチオ基は、直鎖または分枝状アルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ｎ−ブチルチオ、イソブチルチオ、ペンチルチオ、イソペンチルチオ、ヘキシルチオ、ヘプチルチオ、オクチルチオ、デシルチオ、テトラデシルチオ、ヘキサデシルチオまたはオクタデシルチオである。

ＳｉＲＲ’Ｒ"などのシリルは、好ましくは、以上に定義されている非置換または置換ヒドロカルビルまたはヒドロカルビルオキシ（置換基は、好ましくは置換シリル以外である）から選択される２つまたは好ましくは３つの部分、あるいは非置換または置換ヘテロアリールでＳｉ置換されている。Ｓｉが２つの置換基を担持する場合、シリル基は、ＳｉＨ（Ｒ₂）型の基であり、Ｒ₂は、好ましくはヒドロカルビルまたはヒドロカルビルオキシである。好適なヒドロカルビル（オキシ）は、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル（オキシ）、フェニル（オキシ）などのアリール（オキシ）、Ｃ₁−Ｃ₉アルキルフェニル（オキシ）［「（オキシ）」は、存在してもしていなくてもよい任意のリンカ「−Ｏ−」を表す］である。３つのＣ₁−Ｃ₂₀−アルキルまたはアルコキシ置換基がより好適である。すなわち、置換シリルは、Ｒ１２がＣ₁−Ｃ₂₀−アルキルまたは−アルコキシ、特に３つのＣ₁−Ｃ₈−アルキル置換基、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチルまたはイソブチルである、Ｓｉ（Ｒ１２）₃である。

閉環、例えば、２つ以上の隣接残基を相互結合させて、置換および／または分断されていてよい２から２５個の炭素原子の炭化水素残基などのブリッジを形成することによって公式に形成された環式構造は、全部で５から１２個の環原子をしばしば含む。例は、炭化水素環、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、脂環式環、例えば、Ｃ₅−Ｃ₁₂シクロアルキル、以上により詳細に説明されているヘテロアリール、複素環式環、例えば、モルホリン、ピペリジン、ピペラジン、テトラヒドロフランである。

最初に言及されているように、本発明の目的は、置換ジチオフェンに至る新規の手法を提供することである。

本発明の方法の主要な工程は、中間体３，３’−ジチオ−２，２’−ジチオフェン

［式中、残基は以上にさらに定義されている通りである。ｎ＝０のものが特に好ましい。］の反応に関する。この中間体を、通常、ｉｎ ｓｉｔｕで形成し、以下のスキームに従って反応させて、所望の３，３’−二置換ジチオフェンを形成する：

上式において、Ｈａｌはハロゲン、特にＢｒを表し、さらなる残基は以上に定義されている通りであり、Ｒ１などの同様の名称の残基は、同一であるか、または異なっていてよい。Ｒ１は、通常、水素でなく、好ましくはハロゲン（Ｂｒなど）またはシリル（例えば、以上に定義されているＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６）である。Ｙ’およびＺは、有利には、チエニル−リチウムとの共有結合を形成することが可能な部分から選択され、好適な試薬Ｙ’−Ｒ７およびＹ’−Ｘ−Ｚの例は、ＤＭＦ、ＣＯ₂、エステル、アミド、アシル塩化物、カルバモイル塩化物、クロロシラン、ホウ酸塩等である。リチウム化剤は、ブチルリチウムなどのＬｉ−アルキルであってよい。反応は、通常、エーテル（ジエチルエーテル、ＴＨＦ、ジオキサン等）または炭化水素（例えばＣ₅−Ｃ₈アルカン）などの好適な溶媒を使用して、
当該技術分野で既知のリチウム反応と同様にして、例えば、酸素の不在下で（例えば、Ｎ₂、Ａｒを使用して）、低温（例えば−１００から０℃）にて実施される。

例は、３，３’−ジチオ−５，５’−ジ−トリメチルシリル−２，２’−ジチオフェンの反応：

である。

上記反応の生成物を、便利には、当該技術分野で既知の方法と全く同様にして誘導体化して、例えば、１つまたは複数の共役部分Ｙを導入し、上記スキームに示されるように閉環し、架橋要素または置換基を交換または延長し、ホモポリマーを得るために重合し、または以上にさらに説明されているようにさらなる好適なモノマーと共重合することによって、本発明のさらなる化合物を得ることができる。さらなる誘導体化の例を以下のスキームに示す：

上式において、Ｒ１４は、好ましくは、ビスチオフェン部分とともに１つまたは複数の二重結合（アリール、ビニル、１−エチニルなどのＹＨ）を含む残基である。

本発明の生成物をもたらし、本発明の新規の方法を包含する反応手順の例の概要を以下のスキームに示す：

本発明の化合物の前駆体の製造方法の多くが既知であるか、または既知の方法と同様にして実施され得る。したがって、２，２’，３，３’置換ビスチオフェンをＢｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｂｅｌｇ．，１９９６，６１５−６３４に従って得ることができる。例は、以下のスキームに示されている：

Ｒ２は、グリニャール相溶性官能基、あるいはスズキ（ホウ酸誘導体）またはＳｔｉｌｌｅ（トリアルキル錫誘導体）、Ｎｉｇｉｓｈｉ（ＺｎＣｌ誘導体）のような他のカップリング反応を含むグリニャール試薬に由来する任意の部分、好ましくはアルキルまたはアリールであってよい。触媒カップリング反応の例は、Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ，１９９６，７５５−７６６に記載されているソノガシラカップリングである：

その際、エチニルベンゼン試薬を他のアルキニル化合物で置き換えて、さらなる炭素結合置換基Ｒ２を得て、それらの初期三重結合をＣ，Ｃ二重結合もしくは一重結合に変換するか、または水素化もしくはさらなる付加反応などの周知の方法に従って１つまたは複数の置換基を導入するのに使用することができる。

あるいは、好適に置換されたジチオフェン前駆体を、以下の方法に従ってモノマー遊離体から得ることができる。
・少なくとも２当量の重金属（銅など）をカップリングに使用し、２当量の亜鉛を前駆体に使用する（例えば、テトラへドロンレター、２００６、２８２９−２８３３：

・クマダ型反応（例えば、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ，１９８７，１０２１−１０２３）：

・カップリングに少なくとも２当量の銀を用い、前駆体に２当量の亜鉛を用いてＩＩｃを製造することができる（ＪＡＣＳ２００６、１０９３０−１０９３３）：

上記物質ＩＩ（ＩＩａまたはＩＩｂ等）を対応する３，３’，５，５’−四臭化化合物ＩＩＩにさらに変換することができ、５−ブロモを置き換えてＩＶを得ることができる。この反応手順の例を以下のスキームに示す：

本発明の化合物の好適な例としては、
− Ｒ１＝Ｈであり、Ｂｒまたはシリルおよびすべての他のＲがＣ置換基を指すＶから誘導されたＶＩ型の化合物、例えば、式：

の化合物
− Ｒ１＝Ｈであり、Ｂｒまたはシリルおよびすべての他のＲがＣ置換基を指す記載のＶから誘導されたＶＩＩ型の構造。好適な例は、

シリルＲ２基の導入を、例えば、以下のスキームに従って行うことができる：

本発明の化合物およびポリマーを半導体装置で半導体層として使用することができる。したがって、本発明はまた、式（ＸＩ）、（ＸＩＩ）の化合物および／または式（ＸＩＩＩ）のオリゴマー／ポリマーを含む半導体装置に関する。半導体装置は、特にダイオード、有機電界効果トランジスタおよび／または太陽電池、あるいはダイオードおよび／または有機電界効果トランジスタおよび／または太陽電池を含む装置である。多くの種類の半導体装置が存在する。すべての共通点は、１つまたは複数の半導体材料の存在である。半導体装置は、例えば、Ｓ．Ｍ．Ｓｚｅ ｉｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ，２^nd ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ（１９８１）に記載されている。当該装置は、整流器、トランジスタ（ｐ−ｎ−ｐ、ｎ−ｐ−ｎおよび薄膜トランジスタを含む多くの種類が存在する）、発光半導体装置（例えば、ディスプレイ用途、または例えば液晶ディスプレイにおけるバックライトの有機発光ダイオード）、光導体、電流制限器、太陽電池、サーミスタ、ｐ−ｎ接合、電界効果ダイオードおよびショットキーダイオードなどを含む。それぞれの半導体装置において、半導体材料を１つまたは複数の金属および／または絶縁体と組み合わせて装置を形成する。半導体装置を既知の方法、例えば、Ｐｅｔｅｒ Ｖａｎ Ｚａｎｔ，Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，Ｆｏｕｒｔｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ，ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ（２０００）に記載されている方法によって調製または製造することができる。特に、有機電子部品をＤ． Ｒ． Ｇａｍｏｔａ ｅｔ ａｌ．，Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｋｌｕｖｅｒ Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｕｂｌ．，Ｂｏｓｔｏｎ，２００４に記載されているように製造することができる。

特に有用な種類のトランジスタ装置、すなわち薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、一般には、ゲート電極、ゲート電極上のゲート誘電体、ソース電極およびゲート誘電体に隣接するドレイン電極、ならびにゲート誘電体に隣接し、ソースおよびドレイン電極に隣接する半導体層を含む（例えば、Ｓ． Ｍ． Ｓｚｅ，Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ，２．ｓｕｐ．ｎｄ ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎｓ，ｐａｇｅ ４９２，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ（１９８１）参照）。これらの部品をトップゲート、ボトムゲートまたは縦形トランジスタなどの様々な構成で組み立てることができる。より具体的には、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、有機半導体層を有する。

典型的には、基板は、製造、試験および／または使用時にＯＴＦＴを支持する。場合によって、基板は、ＯＴＦＴに電気的機能を提供することができる。有用な基板材料は、有機材料および無機材料を含む。例えば、基板は、様々な適切な形のシリコンを含むシリコン材料、無機ガラス、セラミック箔、ポリマー材料（例えば、アクリル、ポリエステル、エポキシ、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリケトン、ポリ（オキシ−１，４−フェニレンオキシ−１，４−フェニレンカルボニル−１，４−フェニレン）（ポリ（エーテルエーテルケトン）またはＰＥＥＫとも称されることがある）、ポリノルボルネン、ポリフェニレンオキシド、ポリ（エチレンナフタレンジカルボキシレート）（ＰＥＮ）、ポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）、ポリ（フェニレンスルフィド）（ＰＰＳ））、充填ポリマー材料（例えば繊維強化プラスチック（ＦＲＰ））および被覆金属箔を含むことができる。

ゲート電極は、任意の有用な導電性材料であり得る。例えば、ゲート電極は、ドープシリコン、アルミニウム、クロミウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、プラチナ、タンタルおよびチタニウムなどの金属を含むことができる。導電性酸化物、例えばインジウム錫酸化物、あるいはカーボンブラック／グラファイトまたはコロイド銀分散体で構成され、ポリマーバインダを場合によって含む導電性インク／ペーストを使用することもできる。導電性ポリマー、例えば、ポリアニリンまたはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）を使用することもできる。加えて、合金、複合体およびこれらの材料の多層が有用であり得る。いくつかのＯＴＦＴにおいて、同じ材料がゲート電極機能を提供するとともに、基板の支持機能を提供することができる。例えば、ドープシリコンは、ゲート電極として機能し、ＯＴＦＴを支持することができる。

ゲート誘電体は、一般に、ゲート電極上に設けられる。このゲート誘電体は、ＯＴＦＴ装置の残りからゲート電極を電気的に絶縁する。ゲート誘電体の有用な材料は、例えば、無機電気絶縁材料を含むことができる。

ゲート誘電体（絶縁体）は、酸化物、窒化物などの材料であるか、または強誘電絶縁体（例えば、ポリ（フッ化ビニリデン／トリフルオロエチレンまたはポリ（ｍ−キシレンアジパミド））の群から選択される材料であるか、または例えばＪ．Ｖｅｒｅｓ ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔ．２００４，１６，４５４３またはＡ．Ｆａｃｃｈｅｔｔｉ ｅｔ ａｌ．，Ａｄｖ．Ｍａｔ．２００５，１７，１７０５に記載されている有機ポリマー絶縁体（例えば、ポリ（メタクリレート）、ポリ（アクリレート）、ポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、パリレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート）でありうる。ゲート誘電体に有用な材料としては、ＰｂＺｒ_xＴｉ_1-xＯ₃（ＰＺＴ）、Ｂｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂、ＢａＭｇＦ₄、Ｂａ（Ｚｒ_1-xＴｉ_x）Ｏ₃（ＢＺＴ）を含むが、それらに限定されないストロンチン酸塩、タンタル酸塩、チタン酸塩、ジルコン酸塩、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、窒化珪素、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコン酸チタン酸バリウム、セレン化亜鉛および硫化亜鉛が挙げられる。加えて、合金、ハイブリッド材料（例えば、ポリシロキサンまたはナノ粒子充填ポリマー）複合体、これらの材料の多層をゲート誘電体に使用することができる。誘電体層の厚さは、例えば、約１０から１０００ｎｍであり、より具体的な厚さは、０．１〜１００ナノファラド（ｎＦ）の範囲のキャパシタンスを与える約１００から５００ｎｍである。

ソース電極およびドレイン電極は、ゲート誘電体によってゲート電極から隔てられ、有機半導体層は、ソース電極およびドレイン電極の上または下に存在し得る。ソースおよびドレイン電極は、半導体層に低抵抗オーム接触を好適に与える任意の有用な導電性材料であり得る。有用な材料は、ゲート電極について以上に記載されている材料の大半、例えば、アルミニウム、バリウム、カルシウム、クロミウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、プラチナ、チタン、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、他の導電性ポリマー、それらの合金、それらの複合体およびそれらの多層を含む。これらの材料のいくつかは、ｎ型半導体材料に使用するのに適しており、他は、当該技術分野で既知のｐ型半導体に使用するのに適している。電荷注入を向上させるために、電極（表面）をドープするための様々な方法が文献に記載されている。

薄膜電極（すなわち、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極）を物理蒸着法（例えば熱蒸着またはスパッタリング）または（インクジェット）印刷法などの有用な手段によって得ることができる。これらの電極のパターン形成をシャドウマスキング、アディティブフォトリソグラフィー、サブトラクティブフォトリソグラフィー、印刷、ミクロ接触印刷およびパターンコーティングのような既知の方法によって達成することができる。

本発明は、さらに、
基板に配置された複数の導電性ゲート電極と、
前記導電性ゲート電極に配置されたゲート絶縁体層と、
集合体の各々が前記ゲート電極の各々と一直線になるように前記絶縁体層に配置された導電性ソースおよびドレイン電極の複数の集合体と、
前記ゲート電極を実質的に覆う前記絶縁体層上のソース電極とドレイン電極の間のチャネルに配置された有機半導体層とを含み、
前記有機半導体層が、式（ＸＩ）、（ＸＩＩ）の化合物および／または式（ＸＩＩＩ）のオリゴマー／ポリマー、あるいは１つまたは複数の当該化合物を含む混合物を含む薄層トランジスタ装置を提供する。

本発明は、さらに、薄層トランジスタ装置を製造するための方法であって、
複数の導電性ゲート電極を基板に配置する工程と、
ゲート絶縁体層を前記導電性ゲート電極に配置する工程と、
導電性ソース電極およびドレイン電極の複数の集合体を、前記集合体の各々が前記ゲート電極の各々と一直線になるように前記層に配置する工程と、
式（ＸＩ）、（ＸＩＩ）の化合物および／または式（ＸＩＩＩ）のオリゴマー／ポリマーの層を、本発明の化合物または当該化合物を含む混合物の前記層が前記ゲート電極を実質的に覆うように前記絶縁体層に配置することによって薄膜トランジスタ装置を得る工程とを含む方法を提供する。

式（ＸＩ）、（ＸＩＩ）の化合物および／または式（ＸＩＩＩ）をオリゴマー／ポリマーを含む混合物は、式（ＸＩ）、（ＸＩＩ）の化合物および／または式（ＸＩＩＩ）のオリゴマー／ポリマー（典型的には５質量％から９９．９９９９質量％、特に２０から８５質量％）ならびに少なくとも別の材料を含む半導電層をもたらす。他の材料は、異なる分子量の式（ＸＩＩＩ）の同じポリマーの一部、本発明の別の化合物、半導電性ポリマー、有機小分子、炭素ナノチューブ、フラーレン誘導体、無機粒子（量子点、量子棒、量子三脚、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ等）、導電性粒子（Ａｕ、Ａｇ等）、ゲート誘電体について記載されている材料のような絶縁体材料（ＰＥＴ、ＰＳ等）であり得るが、それらに限定されない。

ヘテロ接合太陽電池では、活性層は、好ましくは、質量比が１：１から１：３の式Ｉのポリマーと［６０］ＰＣＢＭ（＝６，６−フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル）または［７０］ＰＣＢＭなどのフラーレンとの混合物を含む。

任意の好適な基板を使用して、本発明の化合物および／またはポリマーの薄膜を調製することができる。好ましくは、上記薄膜を製造するのに使用される基板は、金属、シリコン、プラスチック、紙、被覆紙、繊維、ガラスまたは被覆ガラスである。

あるいは、ＴＦＴは、例えば、熱成長酸化物層で被覆された高度にドープされたシリコン基板上に本発明の化合物および／またはポリマーを溶液付着させた後、ソースおよびドレイン電極を真空蒸着し、パターン形成することによって作製される。

さらに別の手法において、ＴＦＴは、熱成長酸化物で被覆された高度にドープされたシリコン基板上にソースおよびドレイン電極を蒸着し、該化合物および／またはポリマーを溶液付着させて薄膜を形成することによって作製される。

ゲート電極は、基板上のパターン形成金属ゲート電極または導電性ポリマーなどの導電性材料でもあり得、次にそれは、溶液コーティングまたは真空蒸着によってパターン形成ゲート電極に塗布された絶縁体で被覆される。

不活性であり、従来の乾燥手段（例えば、加熱、減圧、気流等）によって基板から部分的または完全に除去され得るのであれば、任意の好適な溶媒を使用して、本発明の化合物および／またはポリマーを溶解および／または分散させることができる。本発明の半導体を処理するための好適な有機溶媒としては、芳香族または脂肪族炭化水素、ハロゲン化物、例えば塩素化またはフッ素化炭化水素、エステル、エーテルアミド、例えばクロロホルム、テトラクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、テトラリン、アニソール、キシレン、酢酸エチル、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）およびそれらの混合物が挙げられるが、それらに限定されない。次いで、溶液および／または分散体を、スピンコーティング、ディップコーティング、スクリーン印刷、ミクロ接触印刷、ドクターブレード法または当該技術分野で既知の他の溶液塗布技術によって基板に塗布し、半導電材料の薄膜を得る。

「分散体」という用語は、溶媒に完全には溶解しない本発明の半導体材料を含む任意の組成物を包含する。少なくとも式（ＸＩ）、（ＸＩＩ）の化合物および／または式（ＸＩＩＩ）のオリゴマー／ポリマー、あるいは当該化合物を含む混合物、ならびに溶媒を含む組成物であって、該化合物／ポリマーは、室温における溶媒の溶解度が比較的小さいが、高温における溶媒への溶解度が比較的大きく、該組成物は、撹拌することなく高温を第１のより低い温度まで下げるとゲル化する組成物を選択し；
−該化合物／ポリマーの少なくとも一部を高温で溶媒に溶解させ；該組成物の温度を高温から第１のより低い温度まで下げ；該組成物を撹拌してゲル化を中断し（撹拌は、該組成物の高温を第１のより低い温度まで下げる前、同時または後の任意の時点で開始する）；高温より低い第２のより低い温度である該組成物の層を堆積し；該層を少なくとも部分的に乾燥させて、分散を実施することができる。

（ａ）溶媒、バインダ樹脂および場合によって分散剤を含む連続相、ならびに（ｂ）式（ＸＩ）、（ＸＩＩ）の化合物および／または式（ＸＩＩＩ）のオリゴマー／ポリマー、あるいは本発明の化合物および／またはポリマーを含む混合物を含む分散相で分散体を構成することもできる。この化合物／ポリマーの溶媒への溶解度は、例えば、０％から約２０％溶解度、特に０％から約５％溶解度の範囲であってよい。

好ましくは、有機半導体層の厚さは、約５から約１０００ｎｍの範囲であり、特に、その厚さは、約１０から約１００ｎｍの範囲である。

本発明の化合物／ポリマーを半導体装置の有機半導体層として単独で、または組み合わせて使用することができる。該層を任意の有用な手段、例えば、蒸着（比較的低分子量の材料の場合）および印刷技術によって設けることができる。本発明の化合物は、有機溶媒に十分に可溶であってよく、（例えば、スピンコーティング、ディップコーティング、インクジェット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷、ミクロ接触（ウェーブ）印刷、ドロップもしくはゾーンキャスティングまたは他の既知の技術によって）溶液付着およびパターン形成され得る。

本発明の化合物／ポリマーを、複数のＯＴＦＴを含む集積回路、ならびに様々な電子製品に使用することができる。当該製品としては、例えば、高周波識別（ＲＦＩＤ）タグ、（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯電話または携帯機器に使用される）フレキシブルディスプレイのバックプレーン、スマートカード、記憶装置、センサ（例えば、光センサ、画像センサ、バイオセンサ、ケモセンサ、メカニカルセンサまたは温度センサ）、特にフォトダイオードまたはセキュリティ装置などが挙げられる。その両極性により、該材料を有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）に使用することもできる。

本発明は、本発明によるポリマーを含む有機光起電力（ＰＶ）装置（太陽電池）を提供する。

ＰＶ装置は、
（ａ）陽極（電極）、
（ｂ）場合によってアルカリハロゲン化物、特にフッ化リチウムなどの移行層、
（ｃ）光活性層、
（ｄ）場合によって平滑層、
（ｅ）陰極（電極）、
（ｆ）基板
をこの順序で含む。

光活性層は、本発明のポリマーを含む。好ましくは、光活性層は、フラーレンのような電子供与体および受容体材料、特に電子受容体としての官能化フラーレンＰＣＢＭとして本発明の共役ポリマーで構成される。

本発明に有用なフラーレンは、広範なサイズ（分子毎の炭素の数）を有することができる。本明細書に使用されているフラーレンという用語は、バックミンスターフラーレン（Ｃ₆₀）および関連する「球状」フラーレンならびに炭素ナノチューブを含む純粋の炭素の様々なケージ様分子を含む。フラーレンを、例えばＣ₂₀−Ｃ₁₀₀₀の範囲の当該技術分野で既知のものから選択することができる。好ましくは、フラーレンは、Ｃ₆₀からＣ₉₆の範囲から選択される。最も好ましくは、フラーレンは、［６０］ＰＣＢＭまたは［７０］ＰＣＢＭなどのＣ₆₀またはＣ₇₀である。修飾されたフラーレンが受容体型および電子移動特性を有するのであれば、化学的に修飾されたフラーレンを利用することも許容可能である。受容体材料は、また、本発明の別の化合物および／またはポリマー、あるいはポリマーが受容体型および電子移動特性を有するのであれば任意の半導電性ポリマー、有機小分子、炭素ナノチューブ、無機粒子（量子点、量子棒、量子三脚、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ等）から選択される材料であり得る。

電極は、好ましくは、金属または「金属置換基」で構成される。本明細書において、「金属」という用語は、元素として純粋の金属、例えばＭｇで構成される材料、および２つ以上の元素として純粋の金属で構成される材料である金属合金、例えば、Ｍｇ：Ａｇで表されるＭｇとＡｇが一体化したものの両方を包含するように使用される。ここで、「金属置換基」という用語は、通常の定義内の金属でなく、特定の適切な用途において所望される金属様特性を有する材料を指す。例は、国際公開第０８／１３５６３２号に記載されている印刷可能な導電性インクである。電極および電荷移動層に広く使用されている金属置換基は、ドープされた広バンドギャップ半導体、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムインジウム錫酸化物（ＧＩＴＯ）および亜鉛インジウム錫酸化物（ＺＩＴＯ）などの透明導電性酸化物を含む。別の好適な金属置換基は、透明導電性ポリマーポリアナリン（ＰＡＮＩ）およびその化学的類似体またはＰＥＤＯＴ：ＰＳＳである。金属置換基を、さらに、広範な非金属材料から選択することができ、「非金属性」という用語は、材料がその化学的に分離した形で金属を含まなければ、広範な材料を包含することを意味する。高度に透明な非金属性の低抵抗陰極、または高効率性の低抵抗金属／非金属化合物陰極は、例えば、ＵＳ−Ｂ−６，４２０，０３１およびＵＳ−Ｂ−５，７０３，４３６に開示されている。

基板は、例えば、プラスチック（フレキシブル基板）またはガラス基板であり得る。

本発明の別の好適な実施形態において、平滑層は、陽極と光活性層の間に位置する。この平滑層の好適な材料は、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）または３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン：ポリスチレン−スルホネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の膜を含む。

本発明の好適な実施形態において、光起電力電池は、例えばＵＳ−Ｂ−６，９３３，４３６に記載されているように、インジウム／錫酸化物（ＩＴＯ）で構成された電極層が塗布される透明ガラス担体を含む。この電極層は、一般には、比較的粗い表面構造を有するため、ドーピングを介して導電性が付与されたポリマー、典型的にはＰＥＤＯＴで構成された平滑層で被覆される。光活性層は、２つの成分で構成され、使用方法に応じて、例えば１００ｎｍから数μｍの厚さを有し、この平滑層に塗布される。光活性層は、電子供与体およびフラーレン、特に電子受容体としての官能化フラーレンＰＣＢＭとして、本発明の共役化合物および／またはポリマーで構成される。これら２つの成分は、溶媒と混合され、例えば、スピンコーティング法、キャスティング法、ラングミュア・ブロジェット（「ＬＢ」）法、インクジェット印刷法およびドリップ法によって平滑層に溶液の形で塗布される。スキージまたは印刷法を使用して、当該光活性層でより大きな表面を被覆することも可能である。典型的なトルエンの代わりに、クロロベンゼンなどの分散剤を溶媒として使用するのが好ましい。これらの方法のなかでも、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット印刷法およびキャスティング法が、作業の容易さおよび費用の点で特に好適である。

スピンコーティング法、キャスティング法およびインクジェット印刷法を使用することによって層を形成する場合は、該組成物を０．０１から９０質量％の濃度でベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトン、アセトニトリル、アニソール、ジクロロメタン、ジメチルスルホキシド、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼンおよびそれらの混合物などの適切な有機溶媒に溶解または分散させることによって調製された溶液および／または分散体を使用してコーティングを実施することができる。

対向電極を使用する場合は、事前に例えば０．６ｎｍの層厚を有する、電気絶縁性でなければならない薄い移行層を光活性層４に塗布する。この例示的な実施形態において、この移行層は、０．２ｎｍ／分の速度にて２・１０^-6ｔｏｒｒの真空中で蒸着されるアルカリハロゲン化物、例えばフッ化リチウムで構成される。

ＩＴＯが正孔収集電極として使用される場合は、電気絶縁移行層に蒸着されたアルミニウムは、電子収集電極として使用される。移行層の電気絶縁特性は、特に光活性層から移行層への移行領域において、電荷担体の交差が有効になることを妨害する影響を明らかに防止する。

本発明のさらなる実施形態において、それらの層の１つまたは複数を、次の層を堆積する前にプラズマで処理することができる。次の層の堆積の前に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層に軽いプラズマ処理を施すのが特に有利である。

光起電力（ＰＶ）装置は、また、太陽スペクトルをより多く吸収するために、互いの上部が処理される複数の接合太陽電池から構成され得る。当該構造は、例えば、Ａｐｐ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．９０，１４３５１２（２００７），Ａｄｖ．Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ．１６，１８９７−１９０３（２００６）および国際公開２００４／１１２１６１に記載されている。

所謂「積層型太陽電池」は、
（ａ）陽極（電極）、
（ｂ）場合によってアルカリハロゲン化物、特にフッ化リチウムなどの移行層、
（ｃ）光活性層、
（ｄ）場合によって平滑層、
（ｅ）中央電極（Ａｕ、Ａｌ、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂等）、
（ｆ）場合によって、エネルギーレベルを整合するための追加電極、
（ｇ）場合によってアルカリハロゲン化物、特にフッ化リチウムなどの移行層、
（ｈ）光活性層、
（ｉ）場合によって平滑層、
（ｊ）陽極（電極）、
（ｋ）基板
をこの順序で含む。

ＰＶ装置を、例えばＵＳ２００７００７９８６７およびＵＳ２００６００１３５４９に記載されているように繊維で処理することもできる。

それらの自己組織化特性が優れるため、発明の化合物、材料または膜を、例えばＵＳ２００３／００２１９１３に記載されているように、ＬＣＤまたはＯＬＥＤ装置におけるアラインメント層に、または当該層として単独で、または他の材料と一緒に使用することもできる。

以下の実施例は、例示のみを目的として含められているものであり、請求項の範囲を制限するものと見なされるべきではない。他に指定する場合を除いて、すべての部および百分率は、質量に基づき、室温は、１８〜２３℃の範囲を指す。分析データは、調製実施例の最後の表に集約されている。略語：
ＮＢＳ Ｎ−ブロモスクシンイミド
ＬＤＡ リチウムジイソプロピルアミド

実施例
実施例１

ａ）２００ｍｌの乾燥テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中４０ｇの化合物１の溶液をリチウムジイソプロピルアミド（ヘキサン中ブチリチウムの１００ｍｌの２．７Ｍ溶液および２００ｍｌの乾燥ＴＨＦ中２８．８ｇのジイソプロピルアミンから調製されたＬＤＡ）の溶液に−７０℃にて窒素雰囲気下で迅速に添加する。該混合物の色が橙色〜褐色になった後に、該混合物を−２０℃まで加温させ、次いで１００ｍｌの水を添加する。有機層を分離し、塩水で洗浄し、乾燥して蒸発させる。残渣をメタノールから再結晶させて、３６．５ｇの４，４’−ジブロモ−２，２’−ジチオフェンをオフホワイトの粉末として得た（収率９１．２％）。

（９ｇのマグネシウム粉および２００ｍｌのジエチルエーテル中８７．０ｇのｎ−ドデシル臭化物から調製された）エーテル中ｎ−ドデシル臭化マグネシウムの溶液を４０ｇの４，４’−ジブロモ−２，２’−ジチオフェンの溶液に徐々に添加する。２００ｍｌのジエチルエーテル中１ｍｏｌ％のＮｉＣｌ₂（ｄｐｐｐ）（ｄｐｐｐ＝Ｐｈ₂ＰＣＨ₂Ｃｈ₂ＣＨ₂ＰＰｈ₂）を、内部温度が２０℃を超えないように添加する。次いで、該混合物を室温で２時間撹拌し、２００ｍｌの水をそれに添加する。有機相を分離し、希塩酸および塩水で洗浄し、乾燥して蒸発させる。残渣をメタノールに懸濁させ、濾過によって５５．８ｇの４，４’−ｎ−ジドデシル−２，２−ジチオフェンをベージュ色の粉末として得る（収率７０％）。

１２．８ｇの臭素を１００ｍｌのクロロホルムおよび４０ｍｌの酢酸中１０．１ｇの４，４’−ｎ−ジドデシル−２，２−ジチオフェンの溶液に０℃にて窒素雰囲気下で滴加する。該混合物を６０℃で１６時間加熱する。室温まで冷却した後、該混合物を５０ｍｌの亜硫酸ナトリウムの飽和溶液で処理する。有機相を分離し、炭酸水素ナトリウムの飽和水溶液および塩水で洗浄し、乾燥して蒸発させる。残渣をメタノールに懸濁させ、濾過によって１４．５ｇの化合物２をベージュ色の粉末として得る（収率８８．４％）。

ｂ）１０ｇの化合物２を１５０ｍｌの乾燥ＴＨＦおよび７０ｍｌのヘプタンに窒素雰囲気下で溶解させ、該溶液を−２０℃まで冷却する。ヘプタン中ブチルリチウムの９．５ｍｌの２．７Ｍ溶液を添加した後、得られた溶液を−２０℃で１時間撹拌し、３ｍｌの塩化トリメチルシリル（ＴＭＳＣＩ）をそれに添加し、得られた混合物を−２０℃で１５分間撹拌し、次いで室温まで加温する。さらに１時間撹拌した後、５０ｍｌの水を添加する。有機相を分離し、塩水で洗浄し、乾燥して蒸発させて、９．９ｇの化合物３を橙色〜褐色の半固体の残渣として得る（収率１００％）。

ｃ）遊離体３を窒素雰囲気下で５００ｍｌの乾燥ＴＨＦに溶解させ、該溶液を−６０℃まで冷却する。ヘプタン中ＢｕＬｉの２．７Ｍ溶液を１回で添加し、該混合物を−３０℃まで加温した後、１１．５ｍｌの塩化ジメチルカルバミルを添加する。−２０℃で１５分間撹拌した後、該混合物を０℃まで加温させ、１００ｍｌの水をそれに添加する。有機相を分離し、塩水で洗浄し、乾燥して蒸発させて、化合物４を赤色残渣として得る（収率５８％）。

ｄ）化合物５に対するさらなる反応のために、化合物４を単離する必要はない。ｃ）の有機相を分離し、塩水で洗浄する。３７．４ｇのＮ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）を０℃でそれに添加し、該混合物を０℃で３０分間、そして室温でさらに１時間撹拌する。蒸発後、残渣を水で洗浄し、２００ｍｌのメタノールに懸濁させる。該混合物を還流下で１時間加熱し、冷却後、室温まで加熱する。濾過によって生成物５を暗紫色の薄片として得る（収率５５％）。

ｅ）０．９４ｇのテトラキストリフェニルホスフィノパラジウムを１００ｍｌのトルエン中１１．１３ｇの化合物５および１５．１ｇの化合物６の脱気溶液に添加し、還流下で１６時間加熱し、室温まで冷却し、シリカゲルで濾過する。濾液を蒸発させ、残渣を１００ｍｌのメタノールに懸濁させ、１時間撹拌し、濾過によって１０．５ｇの３，５−ジドデシル−２，６−ジ（チエン−２−イル）−シクロペンタ［２，１−ｂ；３，４−ｂ’］ジチオフェン−４−オン７を暗青色の固体として得る（収率９５％）。

１１．５ｇの先述の生成物を１００ｍｌのＴＨＦに溶解させ、該溶液を０℃まで冷却する。５．７ｇのＮＢＳをそれに添加し、得られた混合物を０℃で３０分、そして室温でさらに１時間撹拌する。溶媒を蒸発させ、残渣をメタノールに懸濁させ、濾過によって１３．０ｇの化合物７を暗青色の固体として得る（収率９５％）。

化合物６の代わりに４−アルキル化２（トリブチル錫）−チオフェン（アルキル＝ｎ−ブチル［７ａ］、２−エチルヘキシル［７ｂ］、ｎ−ドデシル［７ｃ］）を使用して、対応するジアルキル化形７ａ、７ｂまたは７ｃを同様の手順で得る。

ｆ）上記（ｅ）項に記載されている手順と同様のさらなる反応手順および以下のスキームｆｉまたはｆｉｉに示される試薬の使用により、生成物８または８’を得る。

実施例２

ａ）１５０ｍｌの乾燥ＴＨＦ中化合物３の溶液（上記実施例１ｂ参照）を−４０℃まで冷却する。ヘプタン中ＢｕＬｉの１６ｍｌの２．７Ｍ溶液を添加し、得られた溶液を−２０℃で１５分間撹拌する。２．５８ｇのジメチルジクロロシランをそれに添加し、該混合物を０℃で３０分間、そして室温でさらに１時間撹拌した後、５０ｍｌの１Ｎ塩酸を添加する。有機相を分離し、塩水で洗浄し、乾燥して蒸発させて、化合物９を無色液体として得る（収率９５％）。

ｂ）実施例１ｅに示されている方法と同様にＮＢＳを使用して臭素化し、化合物１０を得る。

ｃ）ジメチルジクロロシランの代わりに等量のジフェニルジクロロシランを使用することを除いて、上記セクション（ａ）および（ｂ）に示されているのと同じ反応手順により、９０％の全体収率の化合物３０を得る。

ｄ）対応する４，４’−ｎ−ジドデシル遊離体３でなく、４，４’−ジ−ｎ−ヘキシル−３，３’−ジブロモ−５，５’−ジ（トリメチルシリル）−２，２−ジチオフェン３’から出発する点を除いては、上記セクション（ａ）に示されているのと同じ反応手順により、化合物３８を得る。

ｅ）遊離体５でなく上記遊離体１０から出発する点を除いては、実施例１のセクション（ｅ）に示されているのと同じ反応手順により化合物４０を得る。

実施例３

ａ）ジクロロジメチルシランの代わりに３．２０ｇの１，４−ジメチルピペラジン−２，３−ジオンを使用する点を除いては実施例２ａに従って、化合物１１を赤色粉末（収率：４０％）として得る。

ｂ）実施例１ｅに示されている方法と同様にＮＢＳを使用して臭素化し、化合物１２を得る。

実施例４：３，３’−ジブロモ−５，５’−ジ−トリメチルシリル−２，２’−
ジチオフェン

新たに調製したＬＤＡ溶液（８２ｍｌブチルリチウム［ヘプタン中２．７ｍ］、２２．６ｇのジ−イソプロピルアミンおよび３００ｍｌの乾燥ＴＨＦ）に対して、１５０ｍｌの乾燥ＴＨＦ中３２．４ｇの３，３’−ジブロモ−２，２’−ジチオフェン１３の溶液を−７８℃にて窒素雰囲気下で徐々に添加する。該溶液を−２０℃まで徐々に加温し、１５分間撹拌し、次いで−７８℃まで再度冷却する。２７．２ｇのトリメチルシリルクロリドを一度に添加し、該溶液を０℃まで徐々に加温する。０℃で１時間撹拌した後、１００ｍｌの水を添加することによって反応混合物を失活させる。相を分離し、有機相を塩水で２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。残渣をメタノールに懸濁させ、形成した固体を濾過によって回収し、真空下で乾燥する。４３ｇ（９２％）の表題化合物１５をオフホワイトの粉末として得る。

実施例５：１，６ジ−トリメチルシリル−３，４−シクロペンタチオフェノンおよび１，６−ジブロモ−３，４−シクロペンタチオフェノン

４６．８ｇの３，３’−ジブロモ−５，５’−ジ−トリメチルシリル−２，２’−ジチオフェンを５００ｍｌの乾燥ＴＨＦに窒素雰囲気下で溶解させ、−６０℃まで冷却する。７８ｍｌのブチルリチウム（ヘプタン中２．７Ｍ）を一度に添加する。温度を約−４０℃まで上昇させる。乾燥した氷浴を除去し、反応混合物を−３０℃まで徐々に加温する。この時点で、２０ｍｌの乾燥ＴＨＦ中１１．５ｍｌのジメチルカルバモイルクロリドを一度に添加する。温度を約−２０℃まで上昇させ、反応混合物をその温度で１５分間撹拌し、次いで０℃まで徐々に加温する。１００ｍｌの水を添加することによって反応混合物を失活させる。相を分離し、有機相を塩水で２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を蒸発させて、約９０％の生成物１６を含む３３．１ｇの赤色残渣を得る（ＮＭＲ；８８．５％の収率に対応する）。フラッシュクロマトグラフィーまたはメタノールへの懸濁によって精製を達成することができる。

１，６ジブロモ−３，４−シクロペンタチオフェノン１７：１００ｍｌの水を添加することによって反応混合物を失活させる。相を分離し、有機相を塩水で１回洗浄する。相分離後、３７．４ｇのＮ−ブロモスクシンイミドを０℃で一度に有機相に添加する。反応混合物を０℃で３０分、そして室温で１時間撹拌する。蒸発して乾固させた後、残渣をそれぞれ２００ｍｌの水で２回洗浄し、それをデカントし、次いで２００ｍｌのメタノール中で１時間にわたって煮沸する。室温まで冷却した後、生成物を濾過によって回収する。３０．１ｇ（８５．２％）の表題化合物１７を暗紫色の薄片として得る。

実施例６：１，６ジブロモ−３，４−シクロペンタチオフェノンオキシム

５００ｍｌのエタノール中６０ｇの１，６ジブロモ−３，４−シクロペンタチオフェノン１７、４０ｇのヒドロキシルアミン塩酸塩および５０ｇのピリジンを２時間還流させ、赤色懸濁液を室温まで冷却し、２００ｍｌの水で希釈し、濾過する。フィルタケーキを水およびメタノールで順次洗浄し、真空下で乾燥する。６０ｇ（９６％）の表題化合物１８を暗赤色粉末として得る。

実施例７：７，７−ジメチル−２，５−ビス−トリメチルシラニル−７Ｈ−３，４−ジチア−７−シラ−シクロペンタ［ａ］ペンタレン

１５０ｍｌの乾燥ＴＨＦ中９．３７ｇの３，３’−ジブロモ−５，５’−ジ−トリメチルシリル−２，２’−ジチオフェンの溶液を−４０℃まで冷却する。１６ｍｌのブチルリチウム（ヘプタン中２．７Ｍ）を一度に添加し、得られた溶液を−２０℃で１５分間撹拌する。２．５８ｇのジメチルジクロロシランを一度に添加し、反応塊を０℃で３０分間、そして室温で１時間撹拌する。５０ｍｌの１ＮのＨＣｌを添加することによって反応混合物を失活させる。相を分離し、有機相を塩水で二回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を蒸発させて、ＮＭＲによって測定するとほぼ純粋である６．９５ｇ（９５％（理論値））の表題化合物を無色の液体として得る。

ジメチル二塩化ゲルマニウムを用いた同じ反応手順によりＹを７５％の全収率で得る：

実施例８：２，７−ビス−トリメチルシラニル−ベンゾ［２，１−ｂ；３，４−ｂ’］ジチオフェン−４，５−ジオンおよび誘導体

１５０ｍｌの乾燥ＴＨＦ中９．３７ｇの３，３’−ジブロモ−５，５’−ジ−トリメチルシリル−２，２’−ジチオフェンを−４０℃まで冷却する。１６ｍｌのブチルリチウム（ヘプタン中２．７Ｍ）を一度に添加し、得られた溶液を−２０℃で１５分間撹拌する。３．２０ｇの１，４−ジメチル−ピペラジン−２，３−ジオンを一回で添加し、反応混合物を室温まで加温させ、この温度でさらに１時間撹拌する。５０ｍｌの１ＮのＨＣｌを添加することによって反応混合物を失活させる。相を分離させ、有機相を塩水で２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を蒸発させて、赤色残渣を得、それをヘキサンに懸濁させる。得られたスラリーを１時間撹拌し、次いで濾過する。フィルタケーキをヘキサンで洗浄し、真空下で乾燥する。３．４ｇ（４６％（理論値））の表題化合物を暗赤色の粉末として得る。

ｂ）実施例８ａの上記生成物２１とｏ−ジアミノベンゼンとを反応させることによって、以下の化合物２２を得る。ｏ−ジアミノベンゼンの代わりに１，２−ジアミノ−４，５−ジ（２−エチルヘキシルオキシ）−ベンゼンを使用して２２ｂを得る。一般手順：１０ｍｍｏｌの化合物２１および１０ｍｍｏｌの芳香族オルト−ジアミンを５０ｍｌのエタノールに溶解させ、２時間還流させる。０℃まで冷却した後、黄色の析出物を濾過し、低温エタノールで洗浄し、真空オーブンにて乾燥して、対応するキノキサリン２２または２２ｂを得る。

１００ｍｌのＴＨＦ中化合物２２または２２ｂの溶液に対して、２当量のＮ−ブロモスクシンイミドを一回で添加し、反応混合物を４０℃に加熱し、この温度で１６時間撹拌する。次いで、溶媒を蒸発させ、残渣を水で数回洗浄し、次いでエタノールから再結晶させる。６０〜８０％の収率の対応するキノキサリン２２ａまたは２２ｃ（Ｒ＝Ｂｒ）。

実施例８ｃ

１．８２ｇ（５ｍｍｏｌ）の化合物２１および０．９４ｇ（５ｍｍｏｌ）の２−アミノ−４−ブロモアニリンを１０ｍｌのエタノール中で終夜還流させ、室温まで冷却し、生成物を濾別する。２．４ｇ（９３％）の生成物３８を得る。

２．４ｇ（４．６５ｍｍｏｌ）の生成物３８、０．９３ｇ（６．９７ｍｍｏｌ）のビニルトリフルオロホウ酸カリウム、０．４２ｇ（０．４６５ｍｍｏｌ）のトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、６．７ｇ（２３．２５ｍｍｏｌ）のテトラフルオロホウ酸トリ−ｔ−ブチルホスホニウムを２０ｍｌのＴＨＦ中で混合し、脱気し、５０℃に加熱する。リン酸カリウムの脱気水溶液を添加し、反応混合物を還流させながら３時間撹拌する。ヘキサン：酢酸エチル（１：２０）を用いたカラムクロマトグラフィーによって生成物を精製する。１．３ｇ（５９．１％）の生成物３９を得る。

実施例９：３，５−ジドデシル−２，６−ジ−（５−ブロモ）チオフェン−２−イル−シクロペンタ［２，１−ｂ；３，４−ｂ’］ジチオフェン−４−オン（ヤマモト重合）

１００ｍｌ反応器に窒素洗浄グローブボックスにて１．４８ｇのＮｉＣＯＤ₂および０．８４ｇの２，２’−ビピリジンを充填する。２０ｍｌのトルエン（脱気）を添加した後、反応器を隔膜で密閉し、反応混合物を、深青色のスラリーが得られるまで超音波浴にて均質化する。３ｇの３，５−ジドデシル−２，６−ジ−（５−ブロモ）チオフェン−２−イル−シクロペンタ［２，１−ｂ；３，４−ｂ’］ジチオフェン−４−オンを１５ｍｌのトルエンに溶解させ、脱気する。この溶液を、シリンジを介してニッケル溶液に上から添加し、混合物全体を８０℃に加熱する。３０分後、製造物を固体のゴム状の暗青色の塊として単離する。

テトラアルキル化出発材料７ａ、７ｂまたは７ｃを使用して、構造が化合物２４と類似するが、各モノマー単位に４つのアルキル基を含むポリマー２３、２５および２６を得る。

実施例１０：

５ｇの化合物１９および５当量のトリメチルクロロシランを５０ｍｌのＴＨＦに溶解させ、−１０℃まで冷却する。上記溶液に、（２０ｍｌのＴＨＦ中２．１当量のブチルリチウムおよび２．２当量のジイソプロピルアミンから）新たに調製したＬＤＡ溶液を徐々に滴下する。該溶液を−１０℃で１時間撹拌し、次いで０℃まで徐々に加温する。飽和ＮＨ₄Ｃｌ溶液を添加することによって反応物を失活させる。処理して、化合物３２を９０％の収率で得る。

実施例１１：

ａ）５ｍｌのＴＨＦ中０．５ｇの化合物４の溶液を−２０℃で１．１当量のブチルリチウムで処理し、次いで０℃まで徐々に加温する。１．１当量の無水トリフルオロ酢酸を添加することによって反応物を失活させ、室温でさらに１時間撹拌する。

１０ｍｌのｔｅｒｔ．ブチルメチルエーテルを添加し、反応混合物を重炭酸ナトリウムおよび塩水で洗浄する。有機相を分離し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発して乾固させる。残渣を５ｍｌのＤＭＳＯおよび０．１ｍｌのトリフルオロ酢酸に溶解させ、７０℃で５時間撹拌し、冷却し、重炭酸ナトリウム飽和溶液に注ぐ。水性スラリーをｔｅｒｔ．ブチル−メチルエーテルで２回抽出し、一緒にした有機相を塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発して乾固させる。０．３５ｇの化合物３３を灰色〜白色の固体として得る。

ｂ）トルエン中上記生成物の溶液を３当量のＲｅｄ−Ａｌ（ＴＨＦ中１Ｍ）で処理し、８０℃で２時間撹拌する。冷却後、続いて反応混合物を希ＨＣｌおよび塩水で洗浄する。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発して乾固させる。

上記残渣をＤＭＳＯに溶解させ、１．５当量の臭化ブチル、５当量のＫＯＨおよび触媒量のＫＩを添加後、室温で１６児間撹拌する。反応塊を希ＨＣｌに注ぎ、水性スラリーをヘキサンで２回抽出する。一緒にした有機相を塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発して乾固させる。残渣をフラッシュクロマトグラフィーによってさらに精製して、０．２９ｇの化合物３４を白色固体として得る。

ｃ）実施例８の最後の工程に記載されている方法による臭素化によって化合物３５を得る。

実施例１２：

ａ）１０ｇの化合物３を実施例１ｃ）に記載されているようにリチウム化し、次いで−７８℃まで冷却する。５ｇの固体の二酸化炭素を一回で添加し、該溶液を室温まで加温する。溶液を再び０℃まで冷却し、希ＨＣｌで失活させ、ＴＢＭＥで二回抽出する。一緒にした有機相を塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発して乾固させる。５０ｍｌの無水酢酸を残渣に添加し、該懸濁液を２時間還流させる。冷却後、スラリーをヘキサンで数回抽出し、一緒にしたヘキサン相を蒸発して乾固させ、さらに真空オーブンにて乾燥して、７．４ｇの化合物３６を赤〜白色固体として得る。

ｂ）上記生成物をＴＨＦに溶解させ、０℃にて２．２当量のヘキシルアミンで処理し、室温で１時間撹拌する。標準的な処理（ＴＢＭＥ、希ＨＣｌ、塩水）の後に、残渣を酢酸に懸濁させ、それぞれ１０当量の無水酢酸および酢酸ナトリウムで処理し、１６時間還流させる。次いで、溶媒の大部分を蒸発させ、残渣を重炭酸ナトリウム水溶液に懸濁させた後、ＴＢＭＥで抽出する。一緒にした有機層を塩水で洗浄し、乾燥し、蒸発して乾固させて、７．６ｇの化合物３７を黄色固体として得る。

調製したいくつかの化合物の物理データを以下の表にまとめる。

応用実施例：電界効果トランジスタ
ａ）実験
ｐ−Ｓｉゲートを有するボトムゲート薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造体をすべての実験に使用する。高品質の熱ＳｉＯ２層は、Ｃ_i＝３２．６ｎＦ／ｃｍ２キャパシタンス毎単位面積のゲート絶縁体として機能する。ソース電極およびドレイン電極をフォトリソグラフィーによって直接ゲート−酸化物上にパターン形成する（ボトム接触構成）。各基板上に、異なる長さのチャネルを定めるＡｕソース／ドレイン電極を有する１６個のトランジスタが存在する。有機半導体を堆積する前に、ＳｉＯ２表面をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）またはオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）で誘導体化する。実施例ｗ）、ｘ）、ｙ）で得られたポリマーを異なる溶媒にてスピンキャスティングまたはドロップキャスティングすることによって膜を調製する。トランジスタ挙動をＣＳＥＭ、トランジスタプローブＴＰ−１０によって作製された自動テスターで測定する。

ｂ）トランジスタ性能
実施例９の化合物２４を使用して調製された薄膜トランジスタは、ｐ型トランジスタ挙動を示す。トランジスタは、良好な電界効果移動および閾値電圧を示す。該トランジスタは、１０³のオン／オフ電流比を示す。

ポリマー２３、２５または２６を使用して調製された薄膜トランジスタを用いても良好な結果が得られる。

Claims (14)

1. 置換２，２’−ジチオフェンを製造するための方法であって、
   ａ）式
   

   

   ［式中、
   Ｈａｌは、水素またはハロゲン、特にＢｒを表し、
   Ｒ１およびＲ１’は、独立して水素または置換基であり、
   ｎは０から６、好ましくは０であり；
   Ｙは、存在すれば、置換または非置換フェニレン、チエン、１，２−エチレンであるか、または１，２−エチニレンであり；
   Ｒ２およびＲ２’は、独立して水素であるか、あるいはそれぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択され、Ｒ２および／またはＲ２’はハロゲンであってもよい］の化合物と、好適なリチウム有機化合物、好ましくはＬｉ−アルキルまたはＬｉ−アルキルアミドとを反応させる工程と、
   ｂ）好適な金属塩または金属有機化合物との反応によって、リチウムをＭｇ、ＺｎおよびＣｕから選択される別の金属と場合によって交換する工程と、続いて
   ｃ）工程（ａ）または（ｂ）で得られた金属中間体と、ＣＯ₂もしくはアルデヒド（付加反応）、または化合物Ｙ’−Ｒ１７もしくはＹ’−Ｒ１８−Ｚ（置換反応）［Ｒ１７は好適な炭化水素またはアシルもしくはシリル残基であり、Ｒ１８は、ＣＯ、ＣＯ−ＣＯ、
   

   

   ［式中、Ｒ４、Ｒ５およびＲ１０は、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択される］から選択され、
   Ｙ’およびＺ’は、工程（ａ）または（ｂ）で形成された金属チエニル中間体との反応を可能にする好適な脱離基である］である好適な求電子体とを反応させる工程と、場合によって
   ｄ）例えば以上に定義されている１つまたは複数の共役部分Ｙの導入、好適な一価の残基Ｒ１７の間の閉環、Ｒ１７またはＲ１８におけるカルボニルへの付加またはカルボニルの置換などの官能基または置換基の交換または延長によって、工程（ｃ）で得られた生成物を改質する工程とを含む方法。
2. 式
   

   

   ［式中、
   Ｒ¹およびＲ¹’は、互いに独立して、Ｈもしくは置換基、ハロゲン、またはｎが０でない場合はＳｉＲ⁶Ｒ⁴Ｒ⁵であってよく；
   Ｒ²およびＲ²’は、同じであるか、または異なっていてよく、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択され、Ｒ２および／またはＲ２’はハロゲンであってもよく；Ｒ３およびＲ３’またはＲ７およびＲ７’は、一緒になって、架橋基
   

   

   である場合は、Ｒ²およびＲ²’は、独立して水素であってもよく；
   Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’は、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから独立して選択され；隣接残基Ｒ４およびＲ５、ならびに対応するＲ４’およびＲ５’は、さらに相互結合して、置換および／または分断されてよい４から２５個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成することができ；
   Ｒ３およびＲ３’は、独立して、Ｒ７、Ｒ７’について定義されている通りであり；
   Ｒ７、Ｒ７’は、独立して、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルコキシカルボニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシルオキシ、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルであり；あるいは
   Ｒ７およびＲ７’は、一緒になって、
   

   

   から選択される架橋基であり、特に、
   Ｒ３およびＲ３’は、一緒になって、架橋基
   

   

   を形成することもでき；
   ＭはＳｉまたはＧｅであり；
   Ｙは、
   

   

   から選択され；
   ｎは、０から６の範囲であり；
   Ｒ８およびＲ８’は、独立して、Ｈまたは置換基であり；
   Ｒ９およびＲ９’は、一緒になって、
   

   

   から選択される架橋基を形成し；
   Ｒ１０は、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルであり；
   Ｒ１１は、Ｒ８について定義されている通りであるか、またはＯＲ８であり；
   Ｒ１２およびＲ１３の一方は水素であってよく、他方またはＲ１２およびＲ１３の両方が置換基であり；あるいはＲ１２およびＲ１３の両方が相互結合して、置換および／または分断されていてよい２から２５個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成し；
   ｍは、０、１、２、３または４であり、Ｒ１４は置換基であり、あるいは２または３個の隣接残基Ｒ１４は、相互結合して、置換および／または分断されていてよい４から２５個の炭素原子の二価または三価炭化水素残基を形成することができ；
   任意の置換基は、存在すれば、ハロゲン、ＯＲ、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキルチオ、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシル、Ｃ₄−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₁−Ｃ₉ヘテロアリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₂−Ｃ₁₁ヘテロシクロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシルオキシから、または残基ＣＯＲ、ＣＨ＝ＮＲ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ、ＣＯＯＲ、ＣＯＮＨＲ、ＣＯＮＲＲ’、ＣＯＮＨ−ＮＨＲ、ＣＯＮＨ−ＮＲＲ’、ＳＯ₂Ｒ、ＳＯ₃Ｒ、ＳＯ₂ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＲＲ’、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）Ｒ、Ｓ（Ｏ）ＯＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＲＲ’、ＳｉＲＲ’Ｒ"、ＰＯＲＲ’、ＰＯ（ＯＲ）Ｒ’、ＰＯ（ＯＲ）₂、ＰＯ（ＮＨＲ）₂、ＰＯ（ＮＲＲ’）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、ＮＨＲ、ＮＲＲ’、ＮＨ−ＮＨＲ、ＮＨ−ＮＲＲ’、ＣＯＮＲＯＨから選択され；
   Ｒ、Ｒ’およびＲ"は、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₁−Ｃ₂₅ハロアルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキルから、好ましくはＣ₁−Ｃ₆アルキル、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシルから独立して選択され；
   Ｒは水素であってもよい］に従う置換２，２’−ジチオフェンを調製するための請求項１に記載の方法。
3. 工程（ａ）または（ｂ）で得られた中間体と、
   

   

   ［式中、
   Ｒは、水素、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈ハロアルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキルから独立して選択される］
   とを工程（ｃ）にて反応させて、式
   

   

   の化合物を得、それを工程（ｄ）において場合によってさらに改質する請求項１に記載の方法。
4. 式
   

   

   ［式中、
   Ｒ¹およびＲ¹’は、互いに独立して、Ｈもしくは置換基、ハロゲン、またはｎが０でない場合はＳｉＲ⁶Ｒ⁴Ｒ⁵であってよく；
   Ｒ²およびＲ²’は、同じであるか、または異なっていてよく、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択され、Ｒ２および／またはＲ２’はハロゲンであってもよく；Ｒ３およびＲ３’またはＲ７およびＲ７’は、一緒になって、架橋基
   

   

   である場合は、Ｒ²およびＲ²’は、独立して水素であってもよく；
   Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’は、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから独立して選択され；隣接残基Ｒ４およびＲ５、ならびに対応するＲ４’およびＲ５’は、さらに相互結合して、置換および／または分断されてよい４から２５個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成することができ；
   Ｒ３およびＲ３’は、独立して、Ｒ７、Ｒ７’について定義されている通りであり；
   Ｒ７、Ｒ７’は、独立して、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルコキシカルボニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシルオキシ、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルであり；あるいは
   Ｒ７およびＲ７’は、一緒になって、
   

   

   から選択される架橋基であり、特に、
   Ｒ３およびＲ３’は、一緒になって、架橋基
   

   

   を形成することもでき；
   ＭはＳｉまたはＧｅであり；
   Ｙは、
   

   

   から選択され；
   ｎは、０から６の範囲であり；
   Ｒ８およびＲ８’は、独立して、Ｈまたは置換基であり；
   Ｒ９およびＲ９’は、一緒になって、
   

   

   から選択される架橋基を形成し；
   Ｒ１０は、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルであり；
   Ｒ１１は、Ｒ８について定義されている通りであるか、またはＯＲ８であり；
   Ｒ１２およびＲ１３の一方は水素であってよく、他方またはＲ１２およびＲ１３の両方が置換基であり；あるいはＲ１２およびＲ１３の両方が相互結合して、置換および／または分断されていてよい２から２５個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成し；
   ｍは、０、１、２、３または４であり、Ｒ１４は置換基であり、あるいは２または３個の隣接残基Ｒ１４は、相互結合して、置換および／または分断されていてよい４から２５個の炭素原子の二価または三価炭化水素残基を形成することができ；
   任意の置換基は、存在すれば、ハロゲン、ＯＲ、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキルチオ、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシル、Ｃ₄−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₁−Ｃ₉ヘテロアリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₂−Ｃ₁₁ヘテロシクロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシルオキシから、または残基ＣＯＲ、ＣＨ＝ＮＲ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ、ＣＯＯＲ、ＣＯＮＨＲ、ＣＯＮＲＲ’、ＣＯＮＨ−ＮＨＲ、ＣＯＮＨ−ＮＲＲ’、ＳＯ₂Ｒ、ＳＯ₃Ｒ、ＳＯ₂ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＲＲ’、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）Ｒ、Ｓ（Ｏ）ＯＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＲＲ’、ＳｉＲＲ’Ｒ"、ＰＯＲＲ’、ＰＯ（ＯＲ）Ｒ’、ＰＯ（ＯＲ）₂、ＰＯ（ＮＨＲ）₂、ＰＯ（ＮＲＲ’）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、ＮＨＲ、ＮＲＲ’、ＮＨ−ＮＨＲ、ＮＨ−ＮＲＲ’、ＣＯＮＲＯＨから選択され；
   Ｒ、Ｒ’およびＲ"は、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₁−Ｃ₂₅ハロアルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキルから、好ましくはＣ₁−Ｃ₆アルキル、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシルから独立して選択され；
   Ｒは水素であってもよく；
   Ｒ７およびＲ７’が一緒になって−ＣＯ−である場合は、Ｒ２およびＲ２’の少なくとも一方が少なくとも２個の炭素原子、特に４個以上の炭素原子を含む］の化合物。
5. 式
   

   

   ［式中、
   Ｒ¹およびＲ¹’は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲンまたはＳｉＲ⁶Ｒ⁴Ｒ⁵であり；
   Ｒ²およびＲ²’は、同じであるか、または異なっていてよく、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₄−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₅−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択され、Ｒ２および／またはＲ２’はハロゲンであってもよく；Ｒ¹およびＲ¹’がＳｉＲ⁶Ｒ⁴Ｒ⁵であり、かつ／またはＸが架橋基
   

   

   である場合は、Ｒ²およびＲ²’は、独立して、水素またはＣ₁−Ｃ₃アルキルであってもよく；
   Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’は、Ｃ₁−Ｃ₁₂アルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₂シクロアルキル、フェニルまたはＣ₇−Ｃ₁₂フェニルアルキルから独立して選択され；
   Ｘは、
   

   

   から選択される架橋基であり；
   Ｙは、
   

   

   から選択され、
   ｎは、０から６の範囲であり；
   Ｒ８およびＲ８’は、独立して、Ｈであるか、またはＲについて定義されている通りであり；
   Ｒ９およびＲ９’は、一緒になって、
   

   

   から選択される架橋基を形成し：
   Ｒ１０は、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₁₂アルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₂シクロアルキル、フェニル、Ｃ₇−Ｃ₁₂アルキルフェニルまたはＣ₇−Ｃ₁₂フェニルアルキルであり；
   Ｒ１１は、Ｒ８について定義されている通りであるか、またはＯＲ８であり；
   Ｒ１２およびＲ１３の一方は水素であってよく、他方またはＲ１２およびＲ１３の両方が置換基であり；あるいはＲ１２およびＲ１３の両方が相互結合して、置換および／または分断されていてよい２から２５個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成し；
   ｍは、０、１、２、３または４であり、Ｒ１４は置換基であり、あるいは２または３個の隣接残基Ｒ１４は、相互結合して、置換および／または分断されていてよい４から２５個の炭素原子の二価または三価炭化水素残基を形成することができ；
   任意の置換基は、存在すれば、ハロゲン、ＯＲ、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキルチオ、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシル、Ｃ₄−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₁−Ｃ₉ヘテロアリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₂−Ｃ₁₁ヘテロシクロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシルオキシ、Ｃ₅−Ｃ₁₀アリールオキシ、Ｃ₅−Ｃ₁₂シクロアルキルオキシから、または残基ＣＯＲ、ＣＨ＝ＮＲ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ、ＣＯＯＲ、ＣＯＮＨＲ、ＣＯＮＲＲ’、ＣＯＮＨ−ＮＨＲ、ＣＯＮＨ−ＮＲＲ’、ＳＯ₂Ｒ、ＳＯ₃Ｒ、ＳＯ₂ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＲＲ’、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）Ｒ、Ｓ（Ｏ）ＯＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＲＲ’、ＳｉＲＲ’Ｒ"、ＰＯＲＲ’、ＰＯ（ＯＲ）Ｒ’、ＰＯ（ＯＲ）₂、ＰＯ（ＮＨＲ）₂、ＰＯ（ＮＲＲ’）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、ＮＨＲ、ＮＲＲ’、ＮＨ−ＮＨＲ、ＮＨ−ＮＲＲ’、ＣＯＮＲＯＨから選択され；
   Ｒ、Ｒ’およびＲ"は、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシルから独立して選択され；Ｒは水素であってもよい］に従う請求項４に記載の化合物。
6. Ｒ¹およびＲ¹’は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲンまたはＳｉＲ⁶Ｒ⁴Ｒ⁵であり；
   Ｒ²およびＲ²’は、同じであるか、または異なっていてよく、Ｃ₄−Ｃ₁₈アルキルまたはＣ₅−Ｃ₂₅チエニルアルキルもしくはフェニルアルキルから選択され；Ｘが架橋基
   

   

   である場合は、Ｒ²およびＲ²’は、独立して、水素またはＣ₁−Ｃ₃アルキルであってもよく；
   Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’は、独立して、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキルから選択され；
   Ｒ３およびＲ３’またはＲ７およびＲ７’が一緒になって、かつＸは、
   

   

   から選択される架橋基であり、特に、ＸまたはＲ３およびＲ３’は一緒になって、架橋基
   

   

   を形成することもでき；
   Ｙは
   

   

   であり、
   ｎは０から３の範囲であり；
   Ｒ８およびＲ８’は、独立して、Ｈ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシルであり；
   Ｒ９およびＲ９’は、一緒になって、
   

   

   から選択される架橋基を形成し；
   Ｒ１１はＨ、ＯＨ、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキルまたはＣ₁−Ｃ₁₈アルコキシである請求項４または５に記載の化合物。
7. 式
   

   

   ［式中、
   Ｒ²およびＲ²’は、同じであるか、または異なっていてよく、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択され；Ｒ７およびＲ７’は、一緒になって架橋基
   

   

   である場合は、Ｒ²およびＲ²’は、独立して水素であってもよく；
   Ｒ７、Ｒ７’は、独立して、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルキニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルコキシカルボニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシルオキシ、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルであり；あるいは
   Ｒ７およびＲ７’は、一緒になって、
   

   

   から選択される架橋基であり、架橋基
   

   

   を形成することもでき；
   Ｍは、ＳｉまたはＧｅであり；
   ＹおよびＹ"は、
   

   

   から独立して選択され；
   ｎおよびｐは、独立して、０から６の範囲であり；
   Ｒ８およびＲ８’は、独立して、Ｈまたは置換基であり；
   Ｒ９およびＲ９’は、一緒になって、
   

   

   から選択される架橋基を形成し：
   Ｒ１０は、それぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルであり；
   Ｒ１１は、Ｒ８について定義されている通りであるか、またはＯＲ８であり；
   Ｒ１２およびＲ１３の一方は水素であってよく、他方またはＲ１２およびＲ１３の両方が置換基であり；あるいはＲ１２およびＲ１３の両方が相互結合して、置換および／または分断されていてよい２から２５個の炭素原子の二価炭化水素残基を形成し；
   ｍは、０、１、２、３または４であり、Ｒ１４は置換基であり、あるいは２または３個の隣接残基Ｒ１４は、相互結合して、置換および／または分断されていてよい４から２５個の炭素原子の二価または三価炭化水素残基を形成することができ；
   任意の置換基は、存在すれば、ハロゲン、ＯＲ、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキルチオ、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシル、Ｃ₄−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₁−Ｃ₉ヘテロアリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₂−Ｃ₁₁ヘテロシクロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシルオキシから、または残基ＣＯＲ、ＣＨ＝ＮＲ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ、ＣＯＯＲ、ＣＯＮＨＲ、ＣＯＮＲＲ’、ＣＯＮＨ−ＮＨＲ、ＣＯＮＨ−ＮＲＲ’、ＳＯ₂Ｒ、ＳＯ₃Ｒ、ＳＯ₂ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＲＲ’、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）Ｒ、Ｓ（Ｏ）ＯＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＲＲ’、ＳｉＲＲ’Ｒ"、ＰＯＲＲ’、ＰＯ（ＯＲ）Ｒ’、ＰＯ（ＯＲ）₂、ＰＯ（ＮＨＲ）₂、ＰＯ（ＮＲＲ’）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、ＮＨＲ、ＮＲＲ’、ＮＨ−ＮＨＲ、ＮＨ−ＮＲＲ’、ＣＯＮＲＯＨから選択され；
   Ｒ、Ｒ’およびＲ"は、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈ハロアルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキルから、好ましくはＣ₁−Ｃ₆アルキル、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシルから独立して選択され；
   Ｒは水素であってもよい］の少なくとも２つの構造単位を含むオリゴマーまたはポリマー。
8. 記号が請求項４から６のいずれかに定義されている通りである式（ＸＩＩＩ）の少なくとも２つの構造単位を含む請求項７に記載のオリゴマーまたはポリマー。
9. 式
   

   

   ［Ｈａｌはハロゲン、特にＢｒを表し、すべての他の記号は、請求項４に定義されている通りである］の化合物の単独重合、あるいは式（ＸＩＶ）の化合物と、特に、式
   

   

   の二ハロゲン化または二ホウ素化モノチオフェンまたはオリゴチオフェン、あるいは式
   

   

   のベンゾチアジアゾール［式中、Ｒｐはホウ酸またはそのエステルの残基、またはＨａｌを表し、Ｈａｌはハロゲン、特にＢｒを表し、ｑは、１から６の範囲であり、すべての他の記号は、請求項４に定義されている通りである］から選択される好適なさらなるモノマーとの共重合によって得られるポリマー。
10. 任意の置換基は、存在すれば、ハロゲン、ＯＲ、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₅アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アルキルチオ、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシル、Ｃ₄−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₁−Ｃ₉ヘテロアリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₂−Ｃ₁₁ヘテロシクロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₂₅アシルオキシから、または残基ＣＯＲ、ＣＨ＝ＮＲ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ、ＣＯＯＲ、ＣＯＮＨＲ、ＣＯＮＲＲ’、ＣＯＮＨ−ＮＨＲ、ＣＯＮＨ−ＮＲＲ’、ＳＯ₂Ｒ、ＳＯ₃Ｒ、ＳＯ₂ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＲＲ’、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＨＲ、ＳＯ₂ＮＨ−ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）Ｒ、Ｓ（Ｏ）ＯＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＲＲ’、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＨＲ、Ｓ（Ｏ）ＮＨ−ＮＲＲ’、ＳｉＲＲ’Ｒ"、ＰＯＲＲ’、ＰＯ（ＯＲ）Ｒ’、ＰＯ（ＯＲ）₂、ＰＯ（ＮＨＲ）₂、ＰＯ（ＮＲＲ’）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、ＮＨＲ、ＮＲＲ’、ＮＨ−ＮＨＲ、ＮＨ−ＮＲＲ’、ＣＯＮＲＯＨから選択され；
    Ｒ、Ｒ’およびＲ"は、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈ハロアルキル、Ｃ₅−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキルから、好ましくはＣ₁−Ｃ₆アルキル、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシルから独立して選択され；
    Ｒは水素であってもよい請求項４から９のいずれかに記載の化合物。
11. 請求項４から１０のいずれかに記載の化合物を含む半導体装置、特に、ダイオード、フォトダイオード、有機電界効果トランジスタおよび／または太陽電池、あるいはダイオードおよび／またはフォトダイオードおよび／または有機電界効果トランジスタおよび／または太陽電池を含む装置。
12. ５から１０００ｎｍの範囲の厚さを有する層として、請求項４に記載の式（ＸＩ）および／または（ＸＩＩ）の化合物および／または請求項７または９に記載のオリゴマーまたはポリマーを硬質または軟質固体基板上に含む請求項１１に記載の半導体装置。
13. 有機半導体装置を製造するための方法であって、溶媒中請求項４に記載の式（ＸＩ）および／または（ＸＩＩ）の化合物の溶液および／または分散液および／または請求項７または９に記載のオリゴマーまたはポリマーを好適な基板に塗布し、溶媒を除去する工程を含む方法。
14. 電池、アラインメント層、または有機電界効果トランジスタ、集積回路、薄膜トランジスタ、ディスプレイ、ＲＦＩＤタグ、エレクトロもしくはフォトルミネセンスデバイス、ディスプレイのバックライト、光起電力もしくはセンサデバイス、電荷注入層、ショットキーダイオード、記憶装置（例えばＦｅＦＥＴ）、平坦化層、静電防止装置、導電性基板もしくはパターン、光導体または電子写真用途における電荷輸送材料、半導電材料、導電材料、光伝導材料、発光材料、表面改質材料、電極材料、あるいは記録材料としての請求項４に記載の式（ＸＩ）および／または（ＸＩＩ）の化合物および／または請求項７または９に記載のオリゴマーまたはポリマーの使用。