JP2011517090A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 発光ダイオード（ＬＥＤ）チップの製造方法であって、
   複数のＬＥＤを設けるステップと、
   前記ＬＥＤに、変換材料を、前記ＬＥＤからの光のうちの少なくとも一部が前記変換材料を通過して変換されるように塗布するステップと、
   前記ＬＥＤチップのうちの少なくともいくつかの発光特性を測定するステップと、
   前記ＬＥＤのうちの少なくともいくつかの上にある前記変換材料のうちの少なくとも一部を除去して、前記ＬＥＤチップが目標の発光特性の範囲内で発光するように前記ＬＥＤチップの発光特性を変更するステップと、
   を含む方法。
2. さらに、前記ＬＥＤの表面変動分布を作成するステップを含み、前記ＬＥＤ上においてどの程度の変換材料が除去されるかが決定されると、前記表面変動分布が相殺される請求項１記載の方法。
3. 除去される変換材料の量は、目標の発光特性の範囲に対する前記ＬＥＤチップの発光特性によって決定される請求項１又は請求項２に記載の方法。
4. 前記ＬＥＤチップは白色光を発光する請求項１〜３の何れか１項に記載の方法。
5. さらに、前記変換材料の除去後、前記ＬＥＤのうちの少なくともいくつかの発光特性に対して２度目の測定を行うステップを含み、
   さらに、前記ＬＥＤのうちの少なくともいくつかの上にある前記変換材料のうちの少なくとも一部に対して２度目の除去を行い、前記ＬＥＤチップの発光特性を変更するステップを含む、請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
6. さらに、前記複数のＬＥＤの発光特性のマップを作成するステップを含む請求項１〜５の何れか１項に記載の方法。
7. 前記変換材料の前記除去は、マクロ加工、微細加工、又は微細穴あけ加工を含む請求項１〜６の何れか１項に記載の方法。
8. さらに、前記被覆の表面の変化を測定するステップと、微細穴あけ加工時に前記表面の変化を相殺するステップと、を含む請求項７記載の方法。
9. 前記微細穴あけ加工は、マイクロドリルと連係して前記ウェハをサブミクロン刻みで移動させるステップを含む請求項７又は請求項８に記載の方法。
10. さらに、前記発光特性測定後に、同様の発光特性を有する領域のマップを作成するステップを含み、さらに、前記ＬＥＤのうちの少なくともいくつかのＬＥＤ上にある変換材料の前記除去の前に、前記領域上の変換材料の広範囲除去を行うステップを含む請求項１〜９の何れか１項に記載の方法。
11. 前記発光特性の前記測定は、前記変換材料のうちの少なくとも一部分の前記除去と同時に行われる請求項１〜１０の何れか１項に記載の方法。
12. さらに、前記発光特性の前記測定前に、前記ＬＥＤ上の前記被覆を平坦化するステップを含む請求項１〜１１の何れか１項に記載の方法。
13. 発光ダイオード（ＬＥＤ）チップウェハであって、
    ウェハ上にある複数のＬＥＤと、
    変換材料であって前記ＬＥＤを少なくとも部分的に被覆し、前記ＬＥＤからの光の少なくとも一部が変換材料を通過して変換される、変換材料とを備えており、
    前記ＬＥＤのうちの少なくともいくつかのＬＥＤ上にある前記変換材料は、前記ＬＥＤチップのうちの前記少なくともいくつかが、実質的に目標の発光特性の範囲内の発光特性を有する光を発光するように変成されている発光ダイオード（ＬＥＤ）チップウェハ。
14. 発光ダイオード（ＬＥＤ）チップであって、
    ＬＥＤと、
    前記ＬＥＤが発光した光のうちの少なくとも一部が蛍光物質によって変換されるように、前記ＬＥＤを少なくとも部分的に被覆する蛍光物質被覆とを備えており、
    前記被覆は、前記ＬＥＤチップが目標の発光特性の範囲内にある特性を有する光を発光するように加工されている発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ。
15. サブミクロンの深さの微細穴あけ加工を行うための工具であって、
    機械式ドリルと、
    対象物を前記機械式ドリルと連係してサブミクロン刻みで移動可能なナノステージとを備えており、
    前記移動により、前記機械式ドリルが前記対象物にサブミクロン刻みの深さで穴を形成することが可能になる、工具。
16. 発光ダイオード（ＬＥＤ）チップの製造方法であって、
    複数のＬＥＤを設けるステップと、
    前記ＬＥＤに、変換材料を、前記ＬＥＤからの光のうちの少なくとも一部が前記変換材料を通過して変換されるように塗布するステップと、
    前記ＬＥＤチップのうちの少なくともいくつかの発光特性を測定するステップと、
    前記ウェハ上の前記変換材料被覆の表面変動を測定するステップと、
    前記ＬＥＤのうちの少なくともいくつかの上にある前記変換材料の量を変化させ、前記ＬＥＤチップが目標の発光特性の範囲内で発光するように前記ＬＥＤチップの発光特性を変更するステップと、
    を含む方法。