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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4893270B2 (ja) * 2006-11-29 2012-03-07 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
US8989107B2 (en) 2009-04-30 2015-03-24 Qualcomm Incorporated Activation deactivation of secondary UL carrier in DC HSUPA
JP5783142B2 (ja) * 2011-07-25 2015-09-24 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
KR20130023560A (ko) * 2011-08-29 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 미세 패턴의 형성 방법
JP2013079230A (ja) * 2011-09-23 2013-05-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc カリックスアレーンおよびこれを含むフォトレジスト組成物
JP6136355B2 (ja) * 2012-02-27 2017-05-31 住友化学株式会社 レジストパターンの製造方法
US9012126B2 (en) * 2012-06-15 2015-04-21 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Positive photosensitive material
JP6287466B2 (ja) * 2013-04-08 2018-03-07 Jsr株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US9291909B2 (en) * 2013-05-17 2016-03-22 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Composition comprising a polymeric thermal acid generator and processes thereof
JP6292059B2 (ja) * 2013-08-13 2018-03-14 Jsr株式会社 基板の加工方法
WO2015141427A1 (ja) * 2014-03-20 2015-09-24 Dic株式会社 ノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂、その製造方法、硬化性組成物、レジスト用組成物及びカラーレジスト
CN109844641B (zh) * 2016-08-09 2022-10-11 默克专利有限公司 环境稳定的厚膜的化学放大抗蚀剂
TWI763715B (zh) * 2016-10-07 2022-05-11 日商迪愛生股份有限公司 含酚性羥基之樹脂及抗蝕劑材料
US12124166B2 (en) 2017-04-25 2024-10-22 Merck Patent Gmbh Negative resist formulation for producing undercut pattern profiles
KR102230622B1 (ko) * 2017-11-24 2021-03-22 주식회사 엘지화학 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 필름
CN108303851B (zh) * 2018-01-05 2019-09-10 湖北固润科技股份有限公司 包含聚对羟基苯乙烯类氧杂环丁烷树脂作为成膜树脂的光刻胶组合物
CN118377192A (zh) 2018-05-24 2024-07-23 默克专利股份有限公司 基于酚醛清漆/dnq的化学增幅型光致抗蚀剂
JP7475111B2 (ja) * 2018-11-14 2024-04-26 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法、レジスト組成物及びその製造方法
US20200356001A1 (en) * 2019-05-10 2020-11-12 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist compositions and methods of forming resist patterns with such compositions
US20210108065A1 (en) * 2019-10-15 2021-04-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Polymers and photoresist compositions
JP7539466B2 (ja) * 2019-11-19 2024-08-23 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Pag不含ポジ型化学増幅レジスト組成物及びそれの使用法
EP4066059B1 (en) * 2019-11-25 2024-02-28 Merck Patent GmbH Chemically amplified photoresist
CN121079290A (zh) 2023-04-27 2025-12-05 默克专利股份有限公司 光活性化合物

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58194834A (ja) 1982-06-17 1983-11-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd シクロヘキサノンの精製方法
JP2799610B2 (ja) 1989-12-15 1998-09-21 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP2970879B2 (ja) 1990-01-30 1999-11-02 和光純薬工業株式会社 化学増幅型レジスト材料
JPH05338843A (ja) * 1992-06-05 1993-12-21 Canon Inc 定着装置
JP3141365B2 (ja) 1992-07-24 2001-03-05 ジェイエスアール株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物溶液
EP0605089B1 (en) 1992-11-03 1999-01-07 International Business Machines Corporation Photoresist composition
JP3206989B2 (ja) 1992-11-13 2001-09-10 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性材料
JPH06230574A (ja) 1993-02-05 1994-08-19 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JPH06289614A (ja) 1993-04-06 1994-10-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ネガ型感放射線レジスト組成物
JPH07134412A (ja) 1993-11-11 1995-05-23 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ネガ型放射線感応性レジスト組成物
US5736296A (en) 1994-04-25 1998-04-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition comprising a mixture of two polyhydroxystyrenes having different acid cleavable groups and an acid generating compound
EP0718317B1 (en) 1994-12-20 2000-02-23 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Photoresist compositions
JP3046225B2 (ja) 1995-06-15 2000-05-29 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト膜形成用塗布液
JPH0968795A (ja) 1995-08-31 1997-03-11 Toshiba Corp 感光性組成物およびその製造方法
US5719003A (en) 1995-09-27 1998-02-17 Shipley Company, L.L.C. Method for increasing the differential solubility of an imaged photoresist through hydroxy group blocking via reaction with vinyl ethers
ATE199985T1 (de) * 1996-02-09 2001-04-15 Wako Pure Chem Ind Ltd Polymer und resistmaterial
JP3360267B2 (ja) 1996-04-24 2002-12-24 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP3528512B2 (ja) 1996-04-24 2004-05-17 信越化学工業株式会社 架橋基を有する高分子化合物の製造方法
US5942367A (en) 1996-04-24 1999-08-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition, pattern forming method, and method for preparing polymer having a crosslinking group
JPH1031309A (ja) 1996-07-17 1998-02-03 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
JPH10268508A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 部分水素化高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
TW550439B (en) 1997-07-01 2003-09-01 Ciba Sc Holding Ag New oxime sulfonates as latent acids and compositions and photoresists comprising said oxime sulfonates
US6284427B1 (en) 1997-09-22 2001-09-04 Clariant Finance (Bvi) Limited Process for preparing resists
US6027804A (en) 1997-11-18 2000-02-22 Solutia Inc. Superabsorbing compositions and processes for preparing same
US5985507A (en) 1998-02-18 1999-11-16 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Selected high thermal novolaks and positive-working radiation-sensitive compositions
US6303263B1 (en) 1998-02-25 2001-10-16 International Business Machines Machines Irradiation sensitive positive-tone resists using polymers containing two acid sensitive protecting groups
KR100524446B1 (ko) 1998-03-30 2005-10-26 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 포지티브형 포토레지스트 조성물
US6159653A (en) 1998-04-14 2000-12-12 Arch Specialty Chemicals, Inc. Production of acetal derivatized hydroxyl aromatic polymers and their use in radiation sensitive formulations
US6072006A (en) 1998-11-06 2000-06-06 Arch Specialty Chemicals, Inc. Preparation of partially cross-linked polymers and their use in pattern formation
US6900138B1 (en) * 1999-03-01 2005-05-31 Micron Technology, Inc. Oxygen plasma treatment for nitride surface to reduce photo footing
US6365321B1 (en) 1999-04-13 2002-04-02 International Business Machines Corporation Blends of hydroxystyrene polymers for use in chemically amplified positive resist formulations
JP4135276B2 (ja) 1999-10-12 2008-08-20 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP4070393B2 (ja) 2000-01-17 2008-04-02 富士フイルム株式会社 ネガ型レジスト組成物
EP1126321A1 (en) 2000-02-10 2001-08-22 Shipley Company LLC Positive photoresists containing crosslinked polymers
EP1136885B1 (en) 2000-03-22 2007-05-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition and patterning method
JP2002072477A (ja) 2000-06-12 2002-03-12 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
TWI253543B (en) 2000-07-19 2006-04-21 Shinetsu Chemical Co Chemically amplified positive resist composition
JP3956088B2 (ja) 2000-07-19 2007-08-08 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
ATE486301T1 (de) 2000-08-21 2010-11-15 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Vernetzte, positiv arbeitende photoresist- zusammensetzung
JP4144726B2 (ja) 2000-08-21 2008-09-03 東京応化工業株式会社 架橋形成ポジ型ホトレジスト組成物
KR100894244B1 (ko) 2001-07-13 2009-04-20 교와 핫꼬 케미칼 가부시키가이샤 에테르 화합물의 제조법
JP4554122B2 (ja) 2001-08-06 2010-09-29 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型液晶素子用レジスト組成物
JP2003084437A (ja) * 2001-09-11 2003-03-19 Toray Ind Inc ポジ型感放射線性組成物
JP4057807B2 (ja) 2001-12-03 2008-03-05 東京応化工業株式会社 微細レジストパターン形成方法
KR100944140B1 (ko) 2002-03-20 2010-02-24 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 조성물
JP3927854B2 (ja) 2002-04-23 2007-06-13 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッド
TWI307819B (en) 2002-05-28 2009-03-21 Arch Spec Chem Inc Acetal protected polymers and photoresist compositions thereof
WO2004059392A1 (ja) 2002-12-26 2004-07-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4306314B2 (ja) 2003-04-18 2009-07-29 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
KR100813458B1 (ko) 2003-05-20 2008-03-13 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트패턴형성방법
WO2005081062A1 (ja) 2004-02-20 2005-09-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. パターン形成材料用基材、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4249095B2 (ja) * 2004-02-20 2009-04-02 東京応化工業株式会社 パターン形成材料用基材、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4837323B2 (ja) * 2004-10-29 2011-12-14 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法および化合物
US7255970B2 (en) * 2005-07-12 2007-08-14 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoresist composition for imaging thick films
JP2008089871A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Fujifilm Corp レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP4893270B2 (ja) 2006-11-29 2012-03-07 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP2009063823A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法

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