JP2011500901A - マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒およびその製造 - Google Patents
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Abstract
この発明は、in-situ担持プロセスによって、触媒活性な金属化合物と非メタロセン配位子を含有するマグネシウム化合物とを直接的に反応させることによって、または非メタロセン配位子と触媒活性な金属を含有するマグネシウム化合物とを直接的に反応させることによって製造されるマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を提供する。この方法は簡単で容易に実施することができる。この方法において、触媒の重合活性を調節することに対応する多くの変数が存在しており、触媒の担持または触媒重合活性を調節するための範囲が広い。本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒は、オレフィンの単独重合／共重合に用いて（比較的少量の助触媒と組み合わせて）、比較的高い重合活性を達成することができる。更に、この方法によって得られるポリマー生成物は、高い嵩密度および調節可能な分子量分布を有することを特徴とする。
【選択図】なし
【選択図】なし
Description
本発明は、オレフィン重合用の担持非メタロセン触媒に関する。具体的には、本発明は、in-situ担持プロセスによって、触媒活性な金属化合物と非メタロセン配位子を含有するマグネシウム化合物とを直接的に反応させることによって、または非メタロセン配位子と触媒活性な金属を含有するマグネシウム化合物とを直接的に反応させることによって製造されるマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒に関する。 本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒は、アルミノキサンまたはアルキルアルミニウム等の助触媒と組み合わせて、オレフィンの単独重合／共重合に使用することができる。
ポスト−メタロセン触媒とも称される非メタロセン触媒は、1990年代の半ば及び終わりに見出されており、その中心原子には遷移金属元素のほぼすべてが含まれる。
非メタロセン触媒は、性能のいくつかの点に関して、メタロセン触媒に対比し得るかまたはそれを上回っており、チ−グラー触媒、チ−グラー・ナッタ触媒およびメタロセン触媒に続く、オレフィン重合用の第４世代触媒として分類されている。そのような触媒によって製造されたポリオレフィン生成物は、好適な特性を示し、そして生産コストの低いことを特徴とする。非メタロセン触媒の配位原子には、酸素、窒素、硫黄およびリンが含まれており、シクロペンタジエン基又はその誘導体（例えば、インデン基もしくはフロオレン基）は含まれていない。非メタロセン触媒は、その中心原子が比較的強い求電子性を示すということ、ならびに、σ−結合の移動およびオレフィンの挿入を促進する金属ハロゲン化物型もしくはシス−アルキル金属型の中心構造を有するということを特徴とする。従って、中心原子は容易にアルキル化に付されやすく、それ故、カチオン型活性中心の生成を容易にする。このように生成された錯体は、制限された幾何学配座を有しており、立体選択的であり、電気陰性およびキラル調整性（chiral adjustable）を有する。 更に、生成した金属−炭素結合は容易に分極し、従って、オレフィンの単独重合および共重合を更に容易にする。 これらの理由から、比較的高い重合温度下であっても、比較的高い分子量を有するオレフィンポリマーを得ることが可能である。
非メタロセン触媒は、性能のいくつかの点に関して、メタロセン触媒に対比し得るかまたはそれを上回っており、チ−グラー触媒、チ−グラー・ナッタ触媒およびメタロセン触媒に続く、オレフィン重合用の第４世代触媒として分類されている。そのような触媒によって製造されたポリオレフィン生成物は、好適な特性を示し、そして生産コストの低いことを特徴とする。非メタロセン触媒の配位原子には、酸素、窒素、硫黄およびリンが含まれており、シクロペンタジエン基又はその誘導体（例えば、インデン基もしくはフロオレン基）は含まれていない。非メタロセン触媒は、その中心原子が比較的強い求電子性を示すということ、ならびに、σ−結合の移動およびオレフィンの挿入を促進する金属ハロゲン化物型もしくはシス−アルキル金属型の中心構造を有するということを特徴とする。従って、中心原子は容易にアルキル化に付されやすく、それ故、カチオン型活性中心の生成を容易にする。このように生成された錯体は、制限された幾何学配座を有しており、立体選択的であり、電気陰性およびキラル調整性（chiral adjustable）を有する。 更に、生成した金属−炭素結合は容易に分極し、従って、オレフィンの単独重合および共重合を更に容易にする。 これらの理由から、比較的高い重合温度下であっても、比較的高い分子量を有するオレフィンポリマーを得ることが可能である。
しかしながら、オレフィン重合において、均一相触媒は、短い耐用年数、汚損（fouling）、メチルアルミノキサンの高い消費、およびポリマー生成物における望ましくない低分子量または高分子量などの問題点の影響を受けること、そして、溶液重合プロセスもしくは高圧重合プロセスにおいて限られた用途しか見出されず、それによって工業的により広い用途が阻害される、ということが知られている。
中国特許第ZL01126323.7号、第ZL02151294.9号及び第ZL02110844.7号ならびに国際公開WO03/010207号は、オレフィン重合において広い用途を見出す触媒または触媒系を開示している。しかしながら、その触媒または触媒系には、許容され得るオレフィン重合活性を達成するために、比較的多量の助触媒を伴わせる必要がある。更に、触媒または触媒系は、汚損（fouling）などの問題の影響を受ける。
常套の方法は、非メタロセン触媒を担持させることである。担持させることによって、均一相非メタロセン触媒におけるデュアル分子（dual molecular）の失活を回避し、それによってポリマー生成物の粒子形態（particle morphology）および重合における触媒の性能を向上させることができる。このことは、触媒の初期活性の穏やかな低減、触媒の耐用年数の延長、重合中におけるケーキングもしくはフラッシュ反応の排除もしくは緩和、ポリマー形態（polymer morphology）の向上、およびポリマーの見かけ密度の増大などに反映され、従って、その用途は他の重合方法、例えば、気相重合もしくはスラリー重合などへ拡がっている。
中国特許第ZL01126323.7号、第ZL02151294.9号および第ZL02110844.7号ならびに国際公開WO03/010207の触媒を目標として、中国特許出願公開第CN1539855A号、第CN1539856A号、第CN1789291A号、第CN1789292A号および第CN1789290A号、ならびに国際公開WO2006／063501および中国特許出願No.200510119401.xは、担体上に触媒を担持させて、担持された非メタロセン触媒を得るためのいくつかの方法を提供している。しかしながら、これらの適用はそれぞれ、処理された担体に遷移金属含有非メタロセン有機化合物（または非メタロセン触媒もしくは非メタロセン錯体とも称する）を担持させる技術に関するものである。しかしながら、非メタロセン触媒と担体との間の結合は多少制限されているか、または非メタロセン触媒の担体への担持（load）は比較的低い。
従来技術のオレフィン重合触媒の大部分は、例えば、米国特許US4808561およびUS5240894、中国特許出願公開CN1049439、CN1136239、CN1344749、CN1126480、CN1053673、CN1307594、CN1130932、CN1103069、CN1363537およびCN1060179、US574417、EP 685494、US4871705およびEP0206794によるもののように、メタロセン触媒をベースとするものである。再度述べるが、これらの出願はすべて、処理された担体に遷移金属含有メタロセン触媒を担持させる技術に関するものである。
EP708116は、気化させたZrCl4を160℃から450℃までの範囲の温度にて担体に接触させて担体上に担持させ、その後担持されたZrCl4を配位子のLi塩と反応させて、担持されたメタロセン触媒を得るための方法を開示しており、それは最終的に助触媒と組み合わせてオレフィン重合に使用される。その方法は、高い反応温度および高真空下で行なう必要があるため、あまり望ましいものではない。
中国特許第ZL01131136.3は、担持されたメタロセン触媒を製造する方法であって、標準圧力下にて、溶媒中で担体を第IVB族遷移金属ハロゲン化物と混合し、次いで配位子のカチオンと直接的に反応させることを含んでなり、メタロセン触媒の担持および合成を１工程に統合するための方法を開示している。しかしながら、この方法では、遷移金属と配位子とは１：１のモル比で用いられており、そしてプロトン受容体（例えば、ブチルリチウム）が必要である。更に、使用する配位子は、シクロペンタジエン基を含む、架橋されたもしくは非架橋のメタロセン配位子である。
Xiaoの論文「Study on a novel Ni(acac)2/TiCl4/L ligand composite catalyst in ethylene polymerization to produce branched polyethylene（エチレン重合において分枝ポリエチレンを製造するための新規なNi(acac)2/TiCl4/L配位子複合触媒の研究）」（Zhongshan Daxue Xuebao: Natural Science Edition, 2003, 42(3):28）によれば、無水MgCl2、Ni(acac)2およびLをテトラヒドロフランおよびエタノールの混合溶媒に溶解し、撹拌しながらそこにシリカゲルを添加する。 更に、所定量のTiCl4をそこに添加し、所定の時間で反応させる。 次いで、所定量のEt2AlClをそこに添加し、別の所定時間で反応させる。 最後に、得られたもの（生成物）を吸引しながら乾燥させて、担体としてのMgCl2-シリカと、α−ジイミン配位子L変性Ni(acac)2/TiCl4がそれに担持された複合触媒を得る。 エチレン単独重合に前述の触媒を使用することによって、分岐ポリエチレンを入手することができる。 具体的には、配位子L2の場合に、４〜１２の分岐鎖／１０００Ｃの分枝度を有する分岐ポリエチレンが得られる。
担体としてもしくは担体の成分としてシリカゲルを含む担持非メタロセン触媒を用いることによって、望ましい粒子形態（particle morphology）および制御されたポリマー粒子寸法分布を有するポリマー生成物を得ることができる。 しかしながら、このようにして得られた触媒は、比較的低い重合活性を有する。 更に、灰（ash）がシリカゲルを含むため、このようにして得られた重合体は、制限された用途しか見出されない。
EUROPEAN POLYMER JOURNAL（2005, 41, 941〜947）によれば、MgCl2(THF)2をクロロエチルアルミニウムで処理して、それをジルコノセンジクロリドに担持させることによって、担持メタロセン触媒を得ることができる。 具体的には、テトラヒドロフランにMgCl2を溶解し、ヘキサンによって沈殿させ、洗浄した後、このようにして得られた固体をクロロエチルアルミニウムによって処理し、その後、ジルコノセンジクロリドに担持させる。
Sunの論文「Study of an in-situ process for preparing CpTi(dbm)Cl2/MgCl2 type catalyst and its use for catalyzing ethylene polymerization（CpTi(dbm)Cl2/MgCl2型触媒のin-situ製造方法およびエチレン重合用触媒としてのその使用の研究）」 (Gaofenzi Xuebao, 2004, (1):138）によれば、（担体としての）塩化マグネシウムをグリニャール試薬プロセスにて製造し、そこに同時にCpTi(dbm)Cl2を添加して、前述のCpTi(dbm)Cl2/MgCl2型触媒を製造する。 上記論文によれば、単一の工程で、触媒のアルキル化および担持を行う。従って、触媒を製造するためのステップの数を大幅に減少させることができる。
中国特許ZL200510080210.7号は、オレフィン重合用の担持されたバナジウム系非メタロセン触媒をin-situで製造する方法であって、ジアルキルマグネシウムをアシルナフトールもしくはβ−ジオンと反応させて、マグネシウムアシルナフトールもしくはマグネシウムβ−ジオン化合物を生じさせ、その後、バナジウム(IV）の塩化物と反応させて、担体および活性な触媒成分を同時に生成させることを含んでなる方法、ならびにその使用を開示している。
中国特許ZL200610026765.8号は、オレフィン重合用の、シングルサイトZeigler−Natta触媒を開示している。 この触媒においては、配位基含有（coordination group-containing）サルチルアルデヒドもしくは置換サルチルアルデヒド誘導体が電子供与体として用いられている。 その触媒は、マグネシウム化合物（例えばMgCl2）／テトラヒドロフラン溶液の中へ、予備処理された担体（例えばシリカ）、金属化合物（例えばTiCl4）および電子供与体を導入すること、ならびにその後生成物を後処理することによって製造される。
中国特許ZL200610026766.2号は、この特許と同様に、ヘテロ原子を含有する有機化合物、ならびにZeigler−Natta触媒を製造するためにそれを使用することに関する。
上述した特許文献から理解できるように、従来技術における担持された非メタロセン触媒は、オレフィン重合活性が低いという問題点を伴っており、その問題点を調整するための簡単な方法は存在しない。 触媒活性を向上させようと試みる場合には、使用すべき助触媒の量を著しく増加させなければならない。 更に、従来技術の触媒は、シリカゲル等を担体として含んでいる。従って、それによって得られるポリマーは、シリカゲルに由来するもろい灰残渣（brittle ash remains）を含んでいる。 この理由から、このポリマーには、実際には限られた用途しか見出されていない。 更に、従来技術の触媒を用いることによって製造されるポリマー生成物（例えば、ポリエチレン）は、低いポリマー嵩密度という問題点を有している。
従って、従来技術の触媒に関連する問題点を伴わず、工業的規模でおよび単純な方法で製造することができる、担持された非メタロセン触媒についての必要性が依然として存在している。
従って、本発明の目的は、従来技術に基づいて、in-situ担持プロセスによって、触媒活性な金属化合物と非メタロセン配位子を含有するマグネシウム化合物とを直接的に接触させることによって、または非メタロセン配位子と触媒活性な金属を含有するマグネシウム化合物とを直接的に接触させることによって製造されるマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を提供することである。 その製造の間に、プロトン受容体および電子供与体は必要とされず、厳しい反応要求および反応条件も必要とされない。 これらの理由から、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒は、製造が容易であって、かつ工業規模での製造に好適である。
具体的には、本発明は、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を製造するための方法であって、
マグネシウム化合物に、化学的処理剤（chemical treating agent）および非メタロセン配位子の２者のうちの一方を接触させて、接触生成物を得る接触工程（ここで化学的処理剤は、第IVB族金属化合物の群から選ばれる）；ならびに
前記接触生成物（contact resultant）を、化学的処理剤および非メタロセン配位子の２者のうちの他方によって処理して、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を得る処理工程
を含む方法に関する。
マグネシウム化合物に、化学的処理剤（chemical treating agent）および非メタロセン配位子の２者のうちの一方を接触させて、接触生成物を得る接触工程（ここで化学的処理剤は、第IVB族金属化合物の群から選ばれる）；ならびに
前記接触生成物（contact resultant）を、化学的処理剤および非メタロセン配位子の２者のうちの他方によって処理して、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を得る処理工程
を含む方法に関する。
本発明の好ましい態様例によれば、非メタロセン配位子は、次の構造：
［式中、
qは0もしくは１であり；
dは0もしくは1であり；
Eは、窒素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基およびリン含有基からなる群から選ばれる基（ここで、N、O、S、SeおよびPはそれぞれ配位原子を表わす）であり；
Gは、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群から選ばれる基であり；
R1〜R3、R22〜R33およびR39は、水素、C1−C30炭化水素基、ハロゲン原子、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群からそれぞれ独立して選ばれ、ここでこれらの基は同じであってもよいし、または互いに異なっていてもよく、隣接するいずれかの基は互いに結合しまたは環を形成していてもよい。］
を有する化合物の群から選ばれる。
qは0もしくは１であり；
dは0もしくは1であり；
Eは、窒素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基およびリン含有基からなる群から選ばれる基（ここで、N、O、S、SeおよびPはそれぞれ配位原子を表わす）であり；
Gは、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群から選ばれる基であり；
を有する化合物の群から選ばれる。
本発明によれば、非メタロセン配位子は、次の化合物：
からなる群から選ばれることが好ましい。
本発明は、かくして製造したマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒に更に関する。
本発明の、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を製造する方法は、簡単であって容易に実施することができ、また、マグネシウム化合物上での非メタロセン配位子の担持量（load）を容易に調節することができ、従って担持を著しく増加させて、得られる触媒の重合活性を著しく向上させることができる。
更に、種々の量の化学的処理剤および／もしくは種々の量の予備処理剤（以下に詳細に説明する）を用いることによって、得られる担持された非メタロセン触媒の重合活性を、低い値から高い値までの必要な程度で自由に調節することによって、種々のオレフィン重合要求に適合させることができる。 この理由から、本発明の方法は、方法の高い柔軟性および方法の高い制御可能性によって特徴付けられる。
触媒系が、本発明の担持非メタロセン触媒と、助触媒（例えば、メチルアルミノキサンもしくはトリエチルアルミニウム）との組合せを使用することによって構成される場合、比較的高い重合活性を達成するためには、比較的少量の助触媒だけが必要とされる。 更に、本発明の担持非メタロセン触媒は、顕著な共重合効果（copolymerization effect）を有することを特徴とする。
触媒系が、オレフィン単独重合／共重合用の助触媒と組み合わせて本発明の担持非メタロセン触媒を用いることによって構成される場合、それによって得られるポリマー生成物は、高いポリマー嵩密度および自在に調整可能な分子量分布を有することを特徴とする。
（発明の詳細な説明）
第１に、本発明は、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を製造する方法であって、
マグネシウム化合物に、化学的処理剤および非メタロセン配位子の２者のうちの一方を接触させて、接触生成物を得る接触工程（ここで化学的処理剤は、第IVB族金属化合物の群から選ばれる）；ならびに
前記接触生成物を、化学的処理剤および非メタロセン配位子の２者のうちの他方によって処理して、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を得る処理工程
を含む方法に関する。
第１に、本発明は、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を製造する方法であって、
マグネシウム化合物に、化学的処理剤および非メタロセン配位子の２者のうちの一方を接触させて、接触生成物を得る接触工程（ここで化学的処理剤は、第IVB族金属化合物の群から選ばれる）；ならびに
前記接触生成物を、化学的処理剤および非メタロセン配位子の２者のうちの他方によって処理して、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を得る処理工程
を含む方法に関する。
本発明の担持非メタロセン触媒の担体として使用されるマグネシウム化合物は、マグネシウムハロゲン化物、アルコキシルマグネシウムハロゲン化物、アルコキシルマグネシウム、アルキルマグネシウム、アルキルマグネシウムハロゲン化物、アルキルアルコキシルマグネシウムまたはそれらの混合物から成る群から選ばれる。
具体的には、マグネシウムハロゲン化物は、塩化マグネシウム(MgCl2)、臭化マグネシウム(MgBr2)、ヨウ化マグネシウム(MgI2)およびフッ化マグネシウム(MgF2)などから成る群から選ぶことができ、塩化マグネシウムが好ましい。
アルコキシマグネシウムハロゲン化物は、例えば、メトキシマグネシウム塩化物（Mg(OCH3)Cl）、エトキシマグネシウム塩化物（Mg(OC2H5)Cl）、プロポキシマグネシウム塩化物（Mg(OC3H7)Cl）、n−ブトキシマグネシウム塩化物（Mg(OC4H9)Cl）、イソブトキシマグネシウム塩化物（Mg(i-OC4H9)Cl）、メトキシマグネシウム臭化物（Mg(OCH3)Br）、エトキマグネシウム臭化物（Mg(OC2H5)Br）、プロポキシマグネシウム臭化物（Mg(OC3H7)Br）、n−ブトキシマグネシウム臭化物（Mg(OC4H9)Br）、イソブトキシマグネシウム臭化物（Mg(i-OC4H9)Br）、メトキシマグネシウムヨウ化物（Mg(OCH3)I）、エトキシマグネシウムヨウ化物（Mg(OC2H5)I）、プロポキシマグネシウムヨウ化物（Mg(OC3H7)I）、n−ブトキシマグネシウムヨウ化物（Mg(OC4H9)I）およびイソブトキシマグネシウムヨウ化物（Mg(i-OC4H9)I）などの群から選ぶことができる。メトキシマグネシウム塩化物、エトキシマグネシウム塩化物およびイソブトキシマグネシウム塩化物が好ましい。
アルコキシマグネシウムは、例えば、メトキシマグネシウム（Mg(OCH3)2）、エトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)2）、プロポキシマグネシウム（Mg(OC3H7)2）、ブトキシマグネシウム（Mg(OC4H9)2）、イソブトキシマグネシウム（Mg(i-OC4H9)2）および２−エチルヘキシルオキシマグネシウム（Mg(OCH2CH(C2H5)C4H)2）などの群から選ぶことができ、エトキシマグネシウムおよびイソブトキシマグネシウムが好ましい。
アルキルマグネシウムは、例えば、メチルマグネシウム(Mg(CH3)2), エチルマグネシウム(Mg(C2H5)2), プロピルマグネシウム(Mg(C3H7)2), n-ブチルマグネシウム(Mg(C4H9)2) およびイソブチルマグネシウム(Mg(i-C4H9)2)からなる群から選ぶことができ、エチルマグネシウムおよびn-ブチルマグネシウムが好ましい。
アルキルマグネシウムハロゲン化物は、例えば、メチルマグネシウム塩化物(Mg(CH3)Cl)、エチルマグネシウム塩化物(Mg(C2H5)Cl)、プロピルマグネシウム塩化物(Mg(C3H7)Cl)、n-ブチルマグネシウム塩化物(Mg(C4H9)Cl)、イソブチル マグネシウム塩化物(Mg(i-C4H9)Cl)、メチルマグネシウム臭化物(Mg(CH3)Br)、エチルマグネシウム臭化物(Mg(C2H5)Br)、プロピルマグネシウム臭化物(Mg(C3H7)Br)、n-ブチルマグネシウム臭化物(Mg(C4H9)Br)、イソブチルマグネシウム臭化物(Mg(i-C4H9)Br)、メチルマグネシウムヨウ化物(Mg(CH3)I)、エチルマグネシウムヨウ化物(Mg(C2H5)I)、プロピルマグネシウムヨウ化物(Mg(C3H7)I)、n-ブチルマグネシウムヨウ化物(Mg(C4H9)I)およびイソブチルマグネシウムヨウ化物(Mg(i-C4H9)I)からなる群から選ぶことができ、メチルマグネシウム塩化物（クロリド）、エチルマグネシウム塩化物およびイソブチルマグネシウム塩化物が好ましい。
アルキルアルコキシマグネシウム化合物は、例えば、メチルメトキシマグネシウム(Mg(OCH3)(CH3)), メチルエトキシマグネシウム(Mg(OC2H5)(CH3)), メチルプロポキシマグネシウム(Mg(OC3H7)(CH3)), メチルn-ブトキシマグネシウム(Mg(OC4H9)(CH3)), メチルイソブトキシマグネシウム(Mg(i-OC4H9)(CH3)), エチルメトキシマグネシウム(Mg(OCH3)(C2H5)), エチルエトキシマグネシウム(Mg(OC2H5)(C2H5)), エチルプロポキシマグネシウム(Mg(OC3H7)(C2H5)), エチルn-ブトキシマグネシウム(Mg(OC4H9)(C2H5)), エチルイソブトキシマグネシウム(Mg(i-OC4H9)(C2H5)), プロピルメトキシマグネシウム(Mg(OCH3)(C3H7)), プロピルエトキシマグネシウム(Mg(OC2H5)(C3H7)), プロピルプロポキシマグネシウム(Mg(OC3H7)(C3H7)), プロピルn-ブトキシマグネシウム(Mg(OC4H9)(C3H7)), プロピルイソブトキシマグネシウム(Mg(i-OC4H9)(C3H7)), n-ブチルメトキシマグネシウム(Mg(OCH3)(C4H9)), n-ブチルエトキシマグネシウム(Mg(OC2H5)(C4H9)), n-ブチルプロポキシマグネシウム(Mg(OC3H7)(C4H9)), n-ブチルn-ブトキシマグネシウム(Mg(OC4H9)(C4H9)), n-ブチルイソブトキシマグネシウム(Mg(i-OC4H9)(C4H9)), イソブチルメトキシマグネシウム(Mg(OCH3)(i-C4H9)), イソブチルエトキシマグネシウム(Mg(OC2H5)(i-C4H9)), イソブチルプロポキシマグネシウム(Mg(OC3H7)(i-C4H9)), イソブチルn-ブトキシマグネシウム(Mg(OC4H9)(i-C4H9))およびイソブチルイソブトキシマグネシウム(Mg(i-OC4H9)(i-C4H9))からなる群から選ぶことができ、ブチルエトキシマグネシウムが好ましい。
マグネシウム化合物は、１種または２種もしくはそれ以上のものの混合物としてを使用することができ、特に制限されることはない。 例えば、２種以上のマグネシウム化合物を混合物として使用する場合、その混合物中において、１種のマグネシウム化合物の多種のマグネシウム化合物に対するモル比は、例えば、０.２５〜４、好ましくは０.５〜３、最も好ましくは１〜２であってよい。
１つの好ましい態様例によれば、本発明に使用されるマグネシウム化合物は、変性されたマグネシウム化合物であってよく、例えば、前記マグネシウム化合物のテトラヒドロフランおよびアルコールの混合溶媒中溶液の中に、沈殿剤を導入して沈殿させて得ることができる。 沈殿させた後、固体−液体分離プロセス（例えば、濾過）によって固体を分離して、変性されたマグネシウム化合物が得られる。
具体的には、マグネシウム化合物をテトラヒドロフランに加え、その後、そこにアルコールを添加する。 得られた物（生成物）を、２０℃から、テトラヒドロフランおよびアルコールの混合溶媒の沸点よりも５℃低い温度までの範囲の温度へ、マグネシウム化合物を十分に溶解させるのに十分な時間で、撹拌しながら加熱して、マグネシウム化合物溶液が得られる。 そして、沈殿剤を溶液に添加して、化合物を沈殿させる。 濾過、洗浄および乾燥の後で、変性されたマグネシウム化合物が得られる。
変性マグネシウム化合物の製造において、マグネシウム化合物を溶解させるための持続時間は、具体的には制限されておらず、通常は０．５〜２４時間である。 溶解が比較的低い温度で行われる場合には、比較的長い時間が必要とされ、溶解が比較的高い温度で行われる場合には、比較的短い時間が必要とされるということが知られている。 変性されたマグネシウム化合物の製造の間、混合溶媒へのマグネシウム化合物の溶解と、マグネシウム化合物溶液全体への沈殿剤の一様な分散とを促進し、ならびに、最終的に固体の沈殿を容易にするために、いずれかの撹拌手段を使用することができる。 撹拌手段はいずれの形態であってもよく、例えば、撹拌パドルであってよく、その回転速度は１０〜１０００回転／分（ｒｐｍ）であってよい。
変性されたマグネシウム化合物を製造するための方法において、使用されるアルコールは、脂肪族アルコール、芳香族アルコールおよび脂環式アルコールからなる群から選ばれる１種又はそれ以上のアルコールであってよい。ここで、アルコールは、場合により、アルキル基、ハロゲン原子およびアルコキシ基からなる群から選ばれる置換基によって置換されていてもよい。脂肪族アルコールが好ましい。
例えば、脂肪族アルコールは、メタノール、エタノール、プロパノール、２−プロパノール、ブタノール、ペンタノール、２−メチルペンタノール、２−エチルペンタノール、２−ヘキシルブタノール、ヘキサノール、２−エチルヘキサノールなどからなる群から選ぶことができ、エタノール、ブタノールおよび２−エチルヘキサノールが好ましい。 芳香族アルコールは、ベンジルアルコール、ベンゼンエタノールおよびメチルベンジルアルコールなどからなる群から選ぶことができ、フェニルエタノールが好ましい。 脂環式アルコールは、シクロヘキサノール、シクロペンタノールおよびシクロオクタノールなどからなる群から選ぶことができ、シクロヘキサノールが好ましい。 アルキル置換されたアルコールは、例えば、メチルシクロペンタノール、エチルシクロペンタノール、プロピルシクロペンタノール、メチルシクロヘキサノール、エチルシクロヘキサノール、プロピルシクロヘキサノール、メチルシクロオクタノール、エチルシクロオクタノールおよびプロピルシクロオクタノールなどであってよく、メチルヘキサノールが好ましい。 ハロゲン原子置換されたアルコールは、例えば、トリクロロメタノール、トリクロロエタノールおよびトリクロロヘキサノールなどであってよく、トリクロロメタノールが好ましい。 アルコキシ置換されたアルコールは、例えば、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールｎ−ブチルエーテルおよび１−ブトキシ−２−プロパノールなどであってよく、エチレングリコールエチルエーテルが好ましい。 これらのアルコールの中で、エタノールおよびブタノールがより好ましい。
アルコールは、１種でも、または２種もしくはそれ以上の種類の混合物としても使用することができる。
マグネシウム化合物溶液の調製において、マグネシウム化合物（Mg基準）のテトラヒドロフランに対するモル比は、１対５〜１００、好ましくは１対１０〜３０であってよく、一方、マグネシウム化合物（Mg基準）のアルコールに対するモル比は、１対０．５〜２０、好ましくは１対１〜８であってよい。
マグネシウム化合物溶液の調製において、マグネシウム化合物（Mg基準）のテトラヒドロフランに対するモル比は、１対５〜１００、好ましくは１対１０〜３０であってよく、一方、マグネシウム化合物（Mg基準）のアルコールに対するモル比は、１対０．５〜２０、好ましくは１対１〜８であってよい。
前記変性マグネシウム化合物の調製において、使用する沈殿剤は、マグネシウム化合物に対して貧溶媒（bad solvent）であり、および混合溶媒に対して良溶媒（good solvent）であるいずれかの溶媒であってよく、例えばアルカン、環式アルカン、ハロゲン化されたアルカンおよびハロゲン化された環式アルカンの１種又はそれ以上のものからなる群から選ぶことができる。
アルカンとしては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナンおよびデカンなどが例示され、ヘキサン、ヘプタンおよびデカンが好ましく、ヘキサンが最も好ましい。
環式アルカンとしては、シクロヘキサン、シクロペンタン、シクロヘプタン、シクロデカン、シクロノナンなどが例示され、シクロヘキサンが好ましい。
ハロゲン化されたアルカンとしては、ジクロロメタン、ジクロロヘキサン、ジクロロヘプタン、トリクロロメタン、トリクロロエタン、トリクロロブタン、ジブロモメタン、ジブロモエタン、ジブロモヘプタン、トリブロモメタン、トリブロモエタン、トリブロモブタンなどが例示される。
ハロゲン化された環式アルカンとしては、塩素化シクロヘキサン、塩素化シクロペンタン、塩素化シクロヘプタン、塩素化シクロデカン、塩素化シクロノナン、塩素化シクロオクタン、臭素化シクロヘキサン、臭素化シクロペンタン、臭素化シクロヘプタン、臭素化シクロデカン、臭素化シクロノナン、臭素化シクロオクタンなどが例示される。
沈殿剤は、１種のものまたは２種もしくはそれ以上の混合物として用いることができる。
使用する沈殿剤の量について特に制限はないが、沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比は、通常は１対０．５〜６であって、１対１〜４であることが好ましい。
使用する沈殿剤の量について特に制限はないが、沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比は、通常は１対０．５〜６であって、１対１〜４であることが好ましい。
沈殿剤の温度について特に制限はないが、室温が好ましい。更に、マグネシウム化合物溶液を室温まで冷却した後に、沈殿を生じさせることが好ましい。
更に、得られる変性マグネシウム化合物（生成物の沈殿）の上述した濾過、洗浄および乾燥については特に制限はなく、必要に応じて当業者が決定することができる。
更に、得られる変性マグネシウム化合物（生成物の沈殿）の上述した濾過、洗浄および乾燥については特に制限はなく、必要に応じて当業者が決定することができる。
本発明のマグネシウム化合物（以下において、「マグネシウム化合物」とは、マグネシウム化合物それ自体および変性マグネシウム化合物を意味する）は、接触工程を実施するために直接的に使用することもできるが、好ましい態様例では、接触工程の前に、マグネシウム化合物を、アルミノキサン、アルキルアルミニウムもしくはその組合せの群から選ばれる予備処理剤（pre-treating agent）によって、予備処理する（pre-treated）こともできる（以下、予備処理工程（pre-treating step）とも称する）。
本明細書において、「マグネシウム化合物それ自体」という用語は、本発明において言及したいずれの処理にも付されていないマグネシウム化合物を意味する。
アルミノキサンとしては、（以下の式（Ｉ）で示される）鎖状のアルミノキサンR2-Al-(Al(R)-O)n-O-AlR2と、（以下の式（II）で示される）環状のアルミノキサン(Al(R)-O-)n＋2とが例示される。
式（Ｉ）：
式（II）：
［式中、Ｒはそれぞれ独立して同一であってもまたは異なっていてもよく、同一であることが好ましく、Ｃ１−Ｃ８アルキルの群からそれぞれ独立して選ぶことができ、メチル、エチルおよびイソブチルが好ましく、メチルが最も好ましく、ｎは１〜５０の整数であって、１０〜３０であることが好ましい。］
式（Ｉ）：
具体的には、アルミノキサンは、メチルアルミノキサン、エチルアルミノキサン、イソブチルアルミノキサンおよびブチルアルミノキサンの群から選ぶことが好ましく、メチルアルミノキサン（ＭＡＯ）およびイソブチルアルミノキサン（ＩＢＡＯ）が好ましい。
アルミノキサンは、１種でも、または２種もしくはそれ以上の種類の混合物としても使用することができる。
アルキルアルミニウムは、以下の式（III）で示される化合物である。
式（III）：
Ａｌ(Ｒ)３ (III）
［式中、Ｒはそれぞれ独立して同一であってもまたは異なっていてもよく、同一であることが好ましく、Ｃ１−Ｃ８アルキルの群からそれぞれ独立して選ぶことができ、メチル、エチルおよびイソブチルが好ましく、メチルが最も好ましい。］
式（III）：
Ａｌ(Ｒ)３ (III）
［式中、Ｒはそれぞれ独立して同一であってもまたは異なっていてもよく、同一であることが好ましく、Ｃ１−Ｃ８アルキルの群からそれぞれ独立して選ぶことができ、メチル、エチルおよびイソブチルが好ましく、メチルが最も好ましい。］
具体的には、アルキルアルミニウムは、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)、トリエチルアルミニウム(Al(CH3CH2)3)、トリプロピルアルミニウム(Al(C3H7)3)、トリイソブチルアルミニウム(Al(i-C4H9)3)、トリｎ−ブチルアルミニウム(Al(C4H9)3)、トリイソアミルアルミニウム(Al(i-C5H11)3)、トリｎ−アミルアルミニウム(Al(C5H11)3)、トリヘキシルアルミニウム(Al(C6H13)3)、トリイソヘキシルアルミニウム(Al(i-C6H13)3)、ジエチルメチルアルミニウム(Al(CH3)(CH3CH2)2)およびエチルジメチルアルミニウム(Al(CH3CH2)(CH3)2)などの群から選ぶことができる。そこで好ましいものは、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムおよびトリプロピルアルミニウムであって、最も好ましいものはトリエチルアルミニウムおよびトリイソブチルアルミニウムである。
アルキルアルミニウムは、１種でも、または２種もしくはそれ以上の種類の混合物としても使用することができる。
本発明によれば、予備処理剤としては、アルキルアルミニウムのみ、もしくはアルミノキサンのみ、またはアルキルアルミニウムとアルミノキサンとの混合物を使用することができる。 組み合わせるアルキルアルミニウムとアルミノキサンとの比について特に制限はなく、当業者が必要に応じて決定することができる。
予備処理工程において、マグネシウム化合物（Mg基準）の予備処理剤（Al基準）に対する比は、１：０．５〜８、好ましくは１：０．５〜４、より好ましくは１： １〜４、および最も好ましくは１：、１〜２であってよい。
前記予備処理工程を実施するためには、例えば以下のようないずれかのプロセスを用いることができる。
前記予備処理工程を実施するためには、例えば以下のようないずれかのプロセスを用いることができる。
まず、溶媒中の前記予備処理剤の溶液を調製する。次に、（所定量の予備処理剤を含む）溶液の所定量を、室温から溶液中における溶媒の沸点よりも低い温度までの範囲の温度にて、マグネシウム化合物に添加する。 反応は、（必要な場合には、何らかの撹拌手段を伴って）０．５〜６時間続けられ、予備処理されたマグネシウム化合物を含む混合物物質が得られる。 予備処理されたマグネシウム化合物は、更に使用するために、上述のようにして得られた混合物物質から、濾過および洗浄（１〜６回、好ましくは１〜３回）、ならびに好ましくは最終的に乾燥することによって分離することができる。しかしながら、予備処理されたマグネシウム化合物を分離することなく、次の工程（例えば、接触工程）において混合物物質を直接的に使用することも許容される。
予備処理剤の溶液を調製するためには、溶媒が予備処理剤を溶解し得るのであれば、使用する溶媒について特に制限はない。 例えば、Ｃ５〜Ｃ１２アルカンもしくはハロゲン化されたＣ５〜Ｃ１２アルカン、Ｃ６〜Ｃ１２芳香族炭化水素もしくはハロゲン化されたＣ６〜Ｃ１２芳香族炭化水素などを例示することができる。ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、シクロヘキサン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、塩素化ペンタン、塩素化ヘキサン、塩素化ヘプタン、塩素化オクタン、塩素化ノナン、塩素化デカン、塩素化ウンデカン、塩素化ドデカン、塩素化シクロヘキサン、塩素化トルエン、塩素化エチルベンゼン、塩素化キシレンなどが好ましく、ペンタン、ヘキサン、デカン、シクロヘキサンおよびトルエンがより好ましく、ヘキサンおよびトルエンが最も好ましい。
マグネシウム化合物を溶解させ得るいずれの溶媒（例えば、エーテル系溶媒、もしくは特にテトラヒドロフラン）をも使用することができないということに注意されたい。
溶媒は、１種でもまたは２種もしくはそれ以上の混合物としても用いることができる。
溶媒は、１種でもまたは２種もしくはそれ以上の混合物としても用いることができる。
更に、溶液中での予備処理剤の濃度については、マグネシウム化合物を予備処理するための所定量（モル計算）の予備処理剤を溶液が供給するために十分であるのであれば、当業者が必要に応じて決定することができ、特に制限はない。
上述したように、本発明のマグネシウム化合物は、接触工程において直接的に用いることができるし、上述したように予備処理された後の接触工程において用いることもできる。
本発明によれば、化学的処理剤は第IVB族金属化合物の群から選ぶことができる。前記第IVB族金属化合物としては、第IVB族金属ハロゲン化物、第IVB族金属アルキレート、第IVB族金属アルコキシレート、第IVB族金属アルキルハロゲン化物および第IVB族金属アルコキシハロゲン化物が例示される。
第IVB族金属ハロゲン化物、第IVB族金属アルキレート、第IVB族金属アルコキシレート、第IVB族金属アルキルハロゲン化物および第IVB族金属アルコキシハロゲン化物としては、次の一般式（IV）：
［式中、
ｍは、０、１、２、３もしくは４であって、
ｎは、０、１、２、３もしくは４であって、
Ｍは、第IVB族金属、例えばチタン、ジルコニウム、ハフニウム等であって、
Ｘは、ハロゲン原子、例えばＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩであって、
Ｒ１およびＲ２は、C1-C30アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル等の群からそれぞれ独立して選ばれ、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して同じであっても異なってもよい。］
で示される化合物が含まれる。
ｍは、０、１、２、３もしくは４であって、
ｎは、０、１、２、３もしくは４であって、
Ｍは、第IVB族金属、例えばチタン、ジルコニウム、ハフニウム等であって、
Ｘは、ハロゲン原子、例えばＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩであって、
Ｒ１およびＲ２は、C1-C30アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル等の群からそれぞれ独立して選ばれ、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して同じであっても異なってもよい。］
で示される化合物が含まれる。
具体的には、前記第IVB族金属ハロゲン化物には、例えば、チタンテトラフルオリド（TiF4）、チタンテトラクロリド（TiCl4）、チタンテトラブロミド（TiBr4）、チタンテトラアイオダイド（TiI4）、ジルコニウムテトラフルオリド（ZrF4）、ジルコニウムテトラクロリド（ZrCl4）、ジルコニウムテトラブロミド（ZrBr4）、ジルコニウムテトラアイオダイド（ZrI4）、ハフニウムテトラフルオリド（HfF4）、ハフニウムテトラクロリド（HfCl4）、ハフニウムテトラブロミド（HfBr4）、ハフニウムテトラアイオダイド（HfI4）を使用することができる。
前記第IVB族金属アルキレートには、例えば、テトラメチルチタン(Ti(CH3)4)、テトラエチルチタン（(Ti(CH3CH2)4）、テトライソブチルチタン（Ti(i-C4H9)4）、テトラn-ブチルチタン（Ti(C4H9)4）、トリエチルメチルチタン（Ti(CH3)(CH3CH2)3）、ジエチルジメチルチタン（Ti(CH3)2(CH3CH2)2）、トリメチルエチルチタン（Ti(CH3)3(CH3CH2)）、トリイソブチルメチルチタン（Ti(CH3)(i-C4H9)3）、ジイソブチルジメチルチタン（Ti(CH3)2(i-C4H9)2）、トリメチルイソブチルチタン（Ti(CH3)3(i-C4H9)）、トリイソブチルエチルチタン（Ti(CH3CH2)(i-C4H9)3）、ジイソブチルジエチルチタン（Ti(CH3CH2)2(i-C4H9)2）、トリエチルイソブチルチタン（Ti(CH3CH2)3(i-C4H9)）、トリ-ｎ-ブチルメチルチタン（Ti(CH3)(C4H9)3）、ジ-ｎ-ブチルジメチルチタン（Ti(CH3)2(C4H9)2）、トリメチル-ｎ-ブチルチタン（Ti(CH3)3(C4H9)）、トリ-ｎ-ブチルメチルチタン（Ti(CH3CH2)(C4H9)3）、ジ-ｎ-ブチルジエチルチタン（Ti(CH3CH2)2(C4H9)2）、トリエチル-ｎ-ブチルチタン（Ti(CH3CH2)3(C4H9)）など、
テトラメチルジルコニウム(Zr(CH3)4）、テトラエチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)4）、テトライソブチルジルコニウム(Zr(i-C4H9)4）、テトラ-ｎ-ブチルジルコニウム(Zr(C4H9)4）、トリエチルメチルジルコニウム(Zr(CH3)(CH3CH2)3）、ジエチルジメチルジルコニウム(Zr(CH3)2(CH3CH2)2）、トリメチルエチルジルコニウム(Zr(CH3)3(CH3CH2)）、トリイソブチルメチルジルコニウム(Zr(CH3)(i-C4H9)3）、ジイソブチルジメチルジルコニウム(Zr(CH3)2(i-C4H9)2）、トリメチルイソブチルジルコニウム(Zr(CH3)3(i-C4H9)）、トリイソブチルエチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)(i-C4H9)3）、ジイソブチルジエチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)2(i-C4H9)2）、トリエチルイソブチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)3(i-C4H9)）、トリ-ｎ-ブチルメチルジルコニウム(Zr(CH3)(C4H9)3）、ジ-ｎ-ブチルジメチルジルコニウム(Zr(CH3)2(C4H9)2）、トリメチル-n-ブチルジルコニウム(Zr(CH3)3(C4H9)）、トリ-ｎ-ブチルメチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)(C4H9)3）、ジ-ｎ-ブチルジエチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)2(C4H9)2）、トリエチルn-ブチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)3(C4H9))など、
テトラメチルハフニウム(Hf(CH3)4）、テトラエチルハフニウム(Hf(CH3CH2)4）、テトライソブチルハフニウム(Hf(i-C4H9)4）、テトラ-ｎ-ブチルハフニウム(Hf(C4H9)4）、トリエチルメチルハフニウム(Hf(CH3)(CH3CH2)3）、ジエチルジメチルハフニウム(Hf(CH3)2(CH3CH2)2）、トリメチルエチルハフニウム(Hf(CH3)3(CH3CH2)）、トリイソブチルメチルハフニウム(Hf(CH3)(i-C4H9)3）、ジイソブチルジメチルハフニウム(Hf(CH3)2(i-C4H9)2）、トリメチルイソブチルハフニウム(Hf(CH3)3(i-C4H9)）、トリイソブチルエチルハフニウム(Hf(CH3CH2)(i-C4H9)3）、ジイソブチルジエチルハフニウム(Hf(CH3CH2)2(i-C4H9)2）、トリエチルイソブチルハフニウム(Hf(CH3CH2)3(i-C4H9)）、トリ-ｎ-ブチルメチルハフニウム(Hf(CH3)(C4H9)3）、ジ-ｎ-ブチルジメチルハフニウム(Hf(CH3)2(C4H9)2）、トリメチルn-ブチルハフニウム(Hf(CH3)3(C4H9)）、トリ-ｎ-ブチルメチルハフニウム(Hf(CH3CH2)(C4H9)3）、ジ-ｎ-ブチルジエチルハフニウム(Hf(CH3CH2)2(C4H9)2）、トリエチルn-ブチルハフニウム(Hf(CH3CH2)3(C4H9))など
を使用することができる。
テトラメチルジルコニウム(Zr(CH3)4）、テトラエチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)4）、テトライソブチルジルコニウム(Zr(i-C4H9)4）、テトラ-ｎ-ブチルジルコニウム(Zr(C4H9)4）、トリエチルメチルジルコニウム(Zr(CH3)(CH3CH2)3）、ジエチルジメチルジルコニウム(Zr(CH3)2(CH3CH2)2）、トリメチルエチルジルコニウム(Zr(CH3)3(CH3CH2)）、トリイソブチルメチルジルコニウム(Zr(CH3)(i-C4H9)3）、ジイソブチルジメチルジルコニウム(Zr(CH3)2(i-C4H9)2）、トリメチルイソブチルジルコニウム(Zr(CH3)3(i-C4H9)）、トリイソブチルエチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)(i-C4H9)3）、ジイソブチルジエチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)2(i-C4H9)2）、トリエチルイソブチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)3(i-C4H9)）、トリ-ｎ-ブチルメチルジルコニウム(Zr(CH3)(C4H9)3）、ジ-ｎ-ブチルジメチルジルコニウム(Zr(CH3)2(C4H9)2）、トリメチル-n-ブチルジルコニウム(Zr(CH3)3(C4H9)）、トリ-ｎ-ブチルメチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)(C4H9)3）、ジ-ｎ-ブチルジエチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)2(C4H9)2）、トリエチルn-ブチルジルコニウム(Zr(CH3CH2)3(C4H9))など、
テトラメチルハフニウム(Hf(CH3)4）、テトラエチルハフニウム(Hf(CH3CH2)4）、テトライソブチルハフニウム(Hf(i-C4H9)4）、テトラ-ｎ-ブチルハフニウム(Hf(C4H9)4）、トリエチルメチルハフニウム(Hf(CH3)(CH3CH2)3）、ジエチルジメチルハフニウム(Hf(CH3)2(CH3CH2)2）、トリメチルエチルハフニウム(Hf(CH3)3(CH3CH2)）、トリイソブチルメチルハフニウム(Hf(CH3)(i-C4H9)3）、ジイソブチルジメチルハフニウム(Hf(CH3)2(i-C4H9)2）、トリメチルイソブチルハフニウム(Hf(CH3)3(i-C4H9)）、トリイソブチルエチルハフニウム(Hf(CH3CH2)(i-C4H9)3）、ジイソブチルジエチルハフニウム(Hf(CH3CH2)2(i-C4H9)2）、トリエチルイソブチルハフニウム(Hf(CH3CH2)3(i-C4H9)）、トリ-ｎ-ブチルメチルハフニウム(Hf(CH3)(C4H9)3）、ジ-ｎ-ブチルジメチルハフニウム(Hf(CH3)2(C4H9)2）、トリメチルn-ブチルハフニウム(Hf(CH3)3(C4H9)）、トリ-ｎ-ブチルメチルハフニウム(Hf(CH3CH2)(C4H9)3）、ジ-ｎ-ブチルジエチルハフニウム(Hf(CH3CH2)2(C4H9)2）、トリエチルn-ブチルハフニウム(Hf(CH3CH2)3(C4H9))など
を使用することができる。
前記第IVB族金属アルコキシレートには、例えば、テトラメトキシチタン(Ti(OCH3)4）、テトラエトキシチタン(Ti(OCH3CH2)4）、テトライソブトキシチタン(Ti(i-OC4H9)4）、テトラ-n-ブトキシチタン(Ti(OC4H9)4）、トリエトキシメトキシチタン(Ti(OCH3)(OCH3CH2)3）、ジエトキシジメトキシチタン(Ti(OCH3)2(OCH3CH2)2）、トリメトキシエトキシチタン(Ti(OCH3)3(OCH3CH2)）、トリイソブトキシメトキシチタン(Ti(OCH3)(i-OC4H9)3）、ジイソブトキシジメトキシチタン(Ti(OCH3)2(i-OC4H9)2）、トリメトキシイソブトキシチタン(Ti(OCH3)3(i-OC4H9)）、トリイソブトキシエトキシチタン(Ti(OCH3CH2)(i-OC4H9)3）、ジイソブトキシジエトキシチタン(Ti(OCH3CH2)2(i-OC4H9)2）、トリエトキシイソブトキシチタン(Ti(OCH3CH2)3(i-OC4H9)）、トリ-n-ブトキシメトキシチタン(Ti(OCH3)(OC4H9)3）、ジ-n-ブトキシジメトキシチタン(Ti(OCH3)2(OC4H9)2）、トリメトキシ-n-ブトキシチタン(Ti(OCH3)3(OC4H9)）、トリ-n-ブトキシメトキシチタン(Ti(OCH3CH2)(OC4H9)3）、ジ-n-ブトキシジエトキシチタン(Ti(OCH3CH2)2(OC4H9)2）、トリエトキシ-n-ブトキシチタン(Ti(OCH3CH2)3(OC4H9))など、
テトラメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)4）、テトラエトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)4）、テトライソブトキシジルコニウム(Zr(i-OC4H9)4）、テトラ-n-ブトキシジルコニウム(Zr(OC4H9)4）、トリエトキシメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)(OCH3CH2)3）、ジエトキシジメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)2(OCH3CH2)2）、トリメトキシエトキシジルコニウム(Zr(OCH3)3(OCH3CH2)）、トリイソブトキシメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)(i-OC4H9)3）、ジイソブトキシジメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)2(i-OC4H9)2）、トリメトキシイソブトキシジルコニウム(Zr(OCH3)3(i-C4H9)）、トリイソブトキシエトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)(i-OC4H9)3）、ジイソブトキシジエトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)2(i-OC4H9)2）、トリエトキシイソブトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)3(i-OC4H9)）、トリ-n-ブトキシメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)(OC4H9)3）、ジ-n-ブトキシジメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)2(OC4H9)2）、トリメトキシ-n-ブトキシジルコニウム(Zr(OCH3)3(OC4H9)）、トリ-n-ブトキシメトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)(OC4H9)3）、ジ-n-ブトキシジエトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)2(OC4H9)2）、トリエトキシ-n-ブトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)3(OC4H9))など、
テトラメトキシハフニウム(Hf(OCH3)4）、テトラエトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)4）、テトライソブトキシハフニウム(Hf(i-OC4H9)4）、テトラ-n-ブトキシハフニウム(Hf(OC4H9)4）、トリエトキシメトキシハフニウム(Hf(OCH3)(OCH3CH2)3）、ジエトキシジメトキシハフニウム(Hf(OCH3)2(OCH3CH2)2）、トリメトキシエトキシハフニウム(Hf(OCH3)3(OCH3CH2)）、トリイソブトキシメトキシハフニウム(Hf(OCH3)(i-OC4H9)3）、ジイソブトキシジメトキシハフニウム(Hf(OCH3)2(i-OC4H9)2）、トリメトキシイソブトキシハフニウム(Hf(OCH3)3(i-OC4H9)）、トリイソブトキシエトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)(i-OC4H9)3）、ジイソブトキシジエトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)2(i-OC4H9)2）、トリエトキシイソブトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)3(i-C4H9)）、トリ-n-ブトキシメトキシハフニウム(Hf(OCH3)(OC4H9)3）、ジ-n-ブトキシジメトキシハフニウム(Hf(OCH3)2(OC4H9)2）、トリメトキシ-n-ブトキシハフニウム(Hf(OCH3)3(OC4H9)）、トリ-n-ブトキシメトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)(OC4H9)3）、ジ-n-ブトキシジエトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)2(OC4H9)2）、トリエトキシ-n-ブトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)3(OC4H9))など
を使用することができる。
テトラメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)4）、テトラエトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)4）、テトライソブトキシジルコニウム(Zr(i-OC4H9)4）、テトラ-n-ブトキシジルコニウム(Zr(OC4H9)4）、トリエトキシメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)(OCH3CH2)3）、ジエトキシジメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)2(OCH3CH2)2）、トリメトキシエトキシジルコニウム(Zr(OCH3)3(OCH3CH2)）、トリイソブトキシメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)(i-OC4H9)3）、ジイソブトキシジメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)2(i-OC4H9)2）、トリメトキシイソブトキシジルコニウム(Zr(OCH3)3(i-C4H9)）、トリイソブトキシエトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)(i-OC4H9)3）、ジイソブトキシジエトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)2(i-OC4H9)2）、トリエトキシイソブトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)3(i-OC4H9)）、トリ-n-ブトキシメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)(OC4H9)3）、ジ-n-ブトキシジメトキシジルコニウム(Zr(OCH3)2(OC4H9)2）、トリメトキシ-n-ブトキシジルコニウム(Zr(OCH3)3(OC4H9)）、トリ-n-ブトキシメトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)(OC4H9)3）、ジ-n-ブトキシジエトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)2(OC4H9)2）、トリエトキシ-n-ブトキシジルコニウム(Zr(OCH3CH2)3(OC4H9))など、
テトラメトキシハフニウム(Hf(OCH3)4）、テトラエトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)4）、テトライソブトキシハフニウム(Hf(i-OC4H9)4）、テトラ-n-ブトキシハフニウム(Hf(OC4H9)4）、トリエトキシメトキシハフニウム(Hf(OCH3)(OCH3CH2)3）、ジエトキシジメトキシハフニウム(Hf(OCH3)2(OCH3CH2)2）、トリメトキシエトキシハフニウム(Hf(OCH3)3(OCH3CH2)）、トリイソブトキシメトキシハフニウム(Hf(OCH3)(i-OC4H9)3）、ジイソブトキシジメトキシハフニウム(Hf(OCH3)2(i-OC4H9)2）、トリメトキシイソブトキシハフニウム(Hf(OCH3)3(i-OC4H9)）、トリイソブトキシエトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)(i-OC4H9)3）、ジイソブトキシジエトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)2(i-OC4H9)2）、トリエトキシイソブトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)3(i-C4H9)）、トリ-n-ブトキシメトキシハフニウム(Hf(OCH3)(OC4H9)3）、ジ-n-ブトキシジメトキシハフニウム(Hf(OCH3)2(OC4H9)2）、トリメトキシ-n-ブトキシハフニウム(Hf(OCH3)3(OC4H9)）、トリ-n-ブトキシメトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)(OC4H9)3）、ジ-n-ブトキシジエトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)2(OC4H9)2）、トリエトキシ-n-ブトキシハフニウム(Hf(OCH3CH2)3(OC4H9))など
を使用することができる。
前記第IVB族金属アルキルハロゲン化物には、例えば、トリメチルクロロチタン(TiCl(CH3)3）、トリエチルクロロチタン(TiCl(CH3CH2)3）、トリイソブチルクロロチタン(TiCl(i-C4H9)3）、トリ-n-ブチルクロロチタン(TiCl(C4H9)3）、ジメチルジクロロチタン(TiCl2(CH3)2）、ジエチルジクロロチタン(TiCl2(CH3CH2)2）、ジイソブチルジクロロチタン(TiCl2(i-C4H9)2）、トリ-n-ブチルクロロチタン(TiCl(C4H9)3）、メチルトリクロロチタン(Ti(CH3)Cl3）、エチルトリクロロチタン(Ti(CH3CH2)Cl3）、イソブチルトリクロロチタン(Ti(i-C4H9)Cl3）、n-ブチルトリクロロチタン(Ti(C4H9)Cl3）、
トリメチルブロモチタン(TiBr(CH3)3）、トリエチルブロモチタン(TiBr(CH3CH2)3）、トリイソブチルブロモチタン(TiBr(i-C4H9)3）、トリ-n-ブチルブロモチタン(TiBr(C4H9)3）、ジメチルジブロモチタン(TiBr2(CH3)2）、ジエチルジブロモチタン(TiBr2(CH3CH2)2）、ジイソブチルジブロモチタン(TiBr2(i-C4H9)2）、トリ-n-ブチルブロモチタン(TiBr(C4H9)3）、メチルトリブロモチタン(Ti(CH3)Br3）、エチルトリブロモチタン(Ti(CH3CH2)Br3）、イソブチルトリブロモチタン(Ti(i-C4H9)Br3）、n-ブチルトリブロモチタン(Ti(C4H9)Br3）、
トリメチルクロロジルコニウム(ZrCl(CH3)3）、トリエチルクロロジルコニウム(ZrCl(CH3CH2)3）、トリイソブチルクロロジルコニウム(ZrCl(i-C4H9)3）、トリ-n-ブチルクロロジルコニウム(ZrCl(C4H9)3）、ジメチルジクロロジルコニウム(ZrCl2(CH3)2）、ジエチルジクロロジルコニウム(ZrCl2(CH3CH2)2）、ジイソブチルジクロロジルコニウム(ZrCl2(i-C4H9)2）、トリ-n-ブチルクロロジルコニウム(ZrCl(C4H9)3）、メチルトリクロロジルコニウム(Zr(CH3)Cl3）、エチルトリクロロジルコニウム(Zr(CH3CH2)Cl3）、イソブチルトリクロロジルコニウム(Zr(i-C4H9)Cl3）、n-ブチルトリクロロジルコニウム(Zr(C4H9)Cl3）、
トリメチルブロモジルコニウム(ZrBr(CH3)3）、トリエチルブロモジルコニウム(ZrBr(CH3CH2)3）、トリイソブチルブロモジルコニウム(ZrBr(i-C4H9)3）、トリ-n-ブチルブロモジルコニウム(ZrBr(C4H9)3）、ジメチルジブロモジルコニウム(ZrBr2(CH3)2）、ジエチルジブロモジルコニウム(ZrBr2(CH3CH2)2）、ジイソブチルジブロモジルコニウム(ZrBr2(i-C4H9)2）、トリ-n-ブチルブロモジルコニウム(ZrBr(C4H9)3）、メチルトリブロモジルコニウム(Zr(CH3)Br3）、エチルトリブロモジルコニウム(Zr(CH3CH2)Br3）、イソブチルトリブロモジルコニウム(Zr(i-C4H9)Br3）、n-ブチルトリブロモジルコニウム(Zr(C4H9)Br3）、
トリメチルクロロハフニウム(HfCl(CH3)3）、トリエチルクロロハフニウム(HfCl(CH3CH2)3）、トリイソブチルクロロハフニウム(HfCl(i-C4H9)3）、トリ-n-ブチルクロロハフニウム(HfCl(C4H9)3）、ジメチルジクロロハフニウム(HfCl2(CH3)2）、ジエチルジクロロハフニウム(HfCl2(CH3CH2)2）、ジイソブチルジクロロハフニウム(HfCl2(i-C4H9)2）、トリ-n-ブチルクロロハフニウム(HfCl(C4H9)3）、メチルトリクロロハフニウム(Hf(CH3)Cl3）、エチルトリクロロハフニウム(Hf(CH3CH2)Cl3）、イソブチルトリクロロハフニウム(Hf(i-C4H9)Cl3）、n-ブチルトリクロロハフニウム(Hf(C4H9)Cl3）、
トリメチルブロモハフニウム(HfBr(CH3)3）、トリエチルブロモハフニウム(HfBr(CH3CH2)3）、トリイソブチルブロモハフニウム(HfBr(i-C4H9)3）、トリ-n-ブチルブロモハフニウム(HfBr(C4H9)3）、ジメチルジブロモハフニウム(HfBr2(CH3)2）、ジエチルジブロモハフニウム(HfBr2(CH3CH2)2）、ジイソブチルジブロモハフニウム(HfBr2(i-C4H9)2）、トリ-n-ブチルブロモハフニウム(HfBr(C4H9)3）、メチルトリブロモハフニウム(Hf(CH3)Br3）、エチルトリブロモハフニウム(Hf(CH3CH2)Br3）、イソブチルトリブロモハフニウム(Hf(i-C4H9)Br3）、n-ブチルトリブロモハフニウム(Hf(C4H9)Br3)
を使用することができる。
トリメチルブロモチタン(TiBr(CH3)3）、トリエチルブロモチタン(TiBr(CH3CH2)3）、トリイソブチルブロモチタン(TiBr(i-C4H9)3）、トリ-n-ブチルブロモチタン(TiBr(C4H9)3）、ジメチルジブロモチタン(TiBr2(CH3)2）、ジエチルジブロモチタン(TiBr2(CH3CH2)2）、ジイソブチルジブロモチタン(TiBr2(i-C4H9)2）、トリ-n-ブチルブロモチタン(TiBr(C4H9)3）、メチルトリブロモチタン(Ti(CH3)Br3）、エチルトリブロモチタン(Ti(CH3CH2)Br3）、イソブチルトリブロモチタン(Ti(i-C4H9)Br3）、n-ブチルトリブロモチタン(Ti(C4H9)Br3）、
トリメチルクロロジルコニウム(ZrCl(CH3)3）、トリエチルクロロジルコニウム(ZrCl(CH3CH2)3）、トリイソブチルクロロジルコニウム(ZrCl(i-C4H9)3）、トリ-n-ブチルクロロジルコニウム(ZrCl(C4H9)3）、ジメチルジクロロジルコニウム(ZrCl2(CH3)2）、ジエチルジクロロジルコニウム(ZrCl2(CH3CH2)2）、ジイソブチルジクロロジルコニウム(ZrCl2(i-C4H9)2）、トリ-n-ブチルクロロジルコニウム(ZrCl(C4H9)3）、メチルトリクロロジルコニウム(Zr(CH3)Cl3）、エチルトリクロロジルコニウム(Zr(CH3CH2)Cl3）、イソブチルトリクロロジルコニウム(Zr(i-C4H9)Cl3）、n-ブチルトリクロロジルコニウム(Zr(C4H9)Cl3）、
トリメチルブロモジルコニウム(ZrBr(CH3)3）、トリエチルブロモジルコニウム(ZrBr(CH3CH2)3）、トリイソブチルブロモジルコニウム(ZrBr(i-C4H9)3）、トリ-n-ブチルブロモジルコニウム(ZrBr(C4H9)3）、ジメチルジブロモジルコニウム(ZrBr2(CH3)2）、ジエチルジブロモジルコニウム(ZrBr2(CH3CH2)2）、ジイソブチルジブロモジルコニウム(ZrBr2(i-C4H9)2）、トリ-n-ブチルブロモジルコニウム(ZrBr(C4H9)3）、メチルトリブロモジルコニウム(Zr(CH3)Br3）、エチルトリブロモジルコニウム(Zr(CH3CH2)Br3）、イソブチルトリブロモジルコニウム(Zr(i-C4H9)Br3）、n-ブチルトリブロモジルコニウム(Zr(C4H9)Br3）、
トリメチルクロロハフニウム(HfCl(CH3)3）、トリエチルクロロハフニウム(HfCl(CH3CH2)3）、トリイソブチルクロロハフニウム(HfCl(i-C4H9)3）、トリ-n-ブチルクロロハフニウム(HfCl(C4H9)3）、ジメチルジクロロハフニウム(HfCl2(CH3)2）、ジエチルジクロロハフニウム(HfCl2(CH3CH2)2）、ジイソブチルジクロロハフニウム(HfCl2(i-C4H9)2）、トリ-n-ブチルクロロハフニウム(HfCl(C4H9)3）、メチルトリクロロハフニウム(Hf(CH3)Cl3）、エチルトリクロロハフニウム(Hf(CH3CH2)Cl3）、イソブチルトリクロロハフニウム(Hf(i-C4H9)Cl3）、n-ブチルトリクロロハフニウム(Hf(C4H9)Cl3）、
トリメチルブロモハフニウム(HfBr(CH3)3）、トリエチルブロモハフニウム(HfBr(CH3CH2)3）、トリイソブチルブロモハフニウム(HfBr(i-C4H9)3）、トリ-n-ブチルブロモハフニウム(HfBr(C4H9)3）、ジメチルジブロモハフニウム(HfBr2(CH3)2）、ジエチルジブロモハフニウム(HfBr2(CH3CH2)2）、ジイソブチルジブロモハフニウム(HfBr2(i-C4H9)2）、トリ-n-ブチルブロモハフニウム(HfBr(C4H9)3）、メチルトリブロモハフニウム(Hf(CH3)Br3）、エチルトリブロモハフニウム(Hf(CH3CH2)Br3）、イソブチルトリブロモハフニウム(Hf(i-C4H9)Br3）、n-ブチルトリブロモハフニウム(Hf(C4H9)Br3)
を使用することができる。
前記第IVB族金属アルコキシハロゲン化物には、例えば、
トリメトキシクロロチタン(TiCl(OCH3)3）、トリエトキシクロロチタン(TiCl(OCH3CH2)3）、トリイソブトキシクロロチタン(TiCl(i-OC4H9)3）、トリ-n-ブトキシクロロチタン(TiCl(OC4H9)3）、ジメトキシジクロロチタン(TiCl2(OCH3)2）、ジエトキシジクロロチタン(TiCl2(OCH3CH2)2）、ジイソブトキシジクロロチタン(TiCl2(i-OC4H9)2）、トリ-n-ブトキシクロロチタン(TiCl(OC4H9)3）、メトキシトリクロロチタン(Ti(OCH3)Cl3）、エトキシトリクロロチタン(Ti(OCH3CH2)Cl3）、イソブトキシトリクロロチタン(Ti(i-C4H9)Cl3）、n-ブトキシトリクロロチタン(Ti(OC4H9)Cl3）、
トリメトキシブロモチタン(TiBr(OCH3)3）、トリエトキシブロモチタン(TiBr(OCH3CH2)3）、トリイソブトキシブロモチタン(TiBr(i-OC4H9)3）、トリ-n-ブトキシブロモチタン(TiBr(OC4H9)3）、ジメトキシジブロモチタン(TiBr2(OCH3)2）、ジエトキシジブロモチタン(TiBr2(OCH3CH2)2）、ジイソブトキシジブロモチタン(TiBr2(i-OC4H9)2）、トリ-n-ブトキシブロモチタン(TiBr(OC4H9)3）、メトキシトリブロモチタン(Ti(OCH3)Br3）、エトキシトリブロモチタン(Ti(OCH3CH2)Br3）、イソブトキシトリブロモチタン(Ti(i-C4H9)Br3）、n-ブトキシトリブロモチタン(Ti(OC4H9)Br3）、
トリメトキシクロロジルコニウム(ZrCl(OCH3)3）、トリエトキシクロロジルコニウム(ZrCl(OCH3CH2)3）、トリイソブトキシクロロジルコニウム(ZrCl(i-OC4H9)3）、トリ-n-ブトキシクロロジルコニウム(ZrCl(OC4H9)3）、ジメトキシジクロロジルコニウム(ZrCl2(OCH3)2）、ジエトキシジクロロジルコニウム(ZrCl2(OCH3CH2)2）、ジイソブトキシジクロロジルコニウム(ZrCl2(i-OC4H9)2）、トリ-n-ブトキシクロロジルコニウム(ZrCl(OC4H9)3）、メトキシトリクロロジルコニウム(Zr(OCH3)Cl3）、エトキシトリクロロジルコニウム(Zr(OCH3CH2)Cl3）、イソブトキシトリクロロジルコニウム(Zr(i-C4H9)Cl3）、n-ブトキシトリクロロジルコニウム(Zr(OC4H9)Cl3）、
トリメトキシブロモジルコニウム(ZrBr(OCH3)3）、トリエトキシブロモジルコニウム(ZrBr(OCH3CH2)3）、トリイソブトキシブロモジルコニウム(ZrBr(i-OC4H9)3）、トリ-n-ブトキシブロモジルコニウム(ZrBr(OC4H9)3）、ジメトキシジブロモジルコニウム(ZrBr2(OCH3)2）、ジエトキシジブロモジルコニウム(ZrBr2(OCH3CH2)2）、ジイソブトキシジブロモジルコニウム(ZrBr2(i-OC4H9)2）、トリ-n-ブトキシブロモジルコニウム(ZrBr(OC4H9)3）、メトキシトリブロモジルコニウム(Zr(OCH3)Br3）、エトキシトリブロモジルコニウム(Zr(OCH3CH2)Br3）、イソブトキシトリブロモジルコニウム(Zr(i-C4H9)Br3）、n-ブトキシトリブロモジルコニウム(Zr(OC4H9)Br3）、
トリメトキシクロロハフニウム(HfCl(OCH3)3）、トリエトキシクロロハフニウム(HfCl(OCH3CH2)3）、トリイソブトキシクロロハフニウム(HfCl(i-OC4H9)3）、トリ-n-ブトキシクロロハフニウム(HfCl(OC4H9)3）、ジメトキシジクロロハフニウム(HfCl2(OCH3)2）、ジエトキシジクロロハフニウム(HfCl2(OCH3CH2)2）、ジイソブトキシジクロロハフニウム(HfCl2(i-OC4H9)2）、トリ-n-ブトキシクロロハフニウム(HfCl(OC4H9)3）、メトキシトリクロロハフニウム(Hf(OCH3)Cl3）、エトキシトリクロロハフニウム(Hf(OCH3CH2)Cl3）、イソブトキシトリクロロハフニウム(Hf(i-C4H9)Cl3）、n-ブトキシトリクロロハフニウム(Hf(OC4H9)Cl3）、
トリメトキシブロモハフニウム(HfBr(OCH3)3）、トリエトキシブロモハフニウム(HfBr(OCH3CH2)3）、トリイソブトキシブロモハフニウム(HfBr(i-OC4H9)3）、トリ-n-ブトキシブロモハフニウム(HfBr(OC4H9)3）、ジメトキシジブロモハフニウム(HfBr2(OCH3)2）、ジエトキシジブロモハフニウム(HfBr2(OCH3CH2)2）、ジイソブトキシジブロモハフニウム(HfBr2(i-OC4H9)2）、トリ-n-ブトキシブロモハフニウム(HfBr(OC4H9)3）、メトキシトリブロモハフニウム(Hf(OCH3)Br3）、エトキシトリブロモハフニウム(Hf(OCH3CH2)Br3）、イソブトキシトリブロモハフニウム(Hf(i-C4H9)Br3）、n-ブトキシトリブロモハフニウム(Hf(OC4H9)Br3)を使用することができる。
トリメトキシクロロチタン(TiCl(OCH3)3）、トリエトキシクロロチタン(TiCl(OCH3CH2)3）、トリイソブトキシクロロチタン(TiCl(i-OC4H9)3）、トリ-n-ブトキシクロロチタン(TiCl(OC4H9)3）、ジメトキシジクロロチタン(TiCl2(OCH3)2）、ジエトキシジクロロチタン(TiCl2(OCH3CH2)2）、ジイソブトキシジクロロチタン(TiCl2(i-OC4H9)2）、トリ-n-ブトキシクロロチタン(TiCl(OC4H9)3）、メトキシトリクロロチタン(Ti(OCH3)Cl3）、エトキシトリクロロチタン(Ti(OCH3CH2)Cl3）、イソブトキシトリクロロチタン(Ti(i-C4H9)Cl3）、n-ブトキシトリクロロチタン(Ti(OC4H9)Cl3）、
トリメトキシブロモチタン(TiBr(OCH3)3）、トリエトキシブロモチタン(TiBr(OCH3CH2)3）、トリイソブトキシブロモチタン(TiBr(i-OC4H9)3）、トリ-n-ブトキシブロモチタン(TiBr(OC4H9)3）、ジメトキシジブロモチタン(TiBr2(OCH3)2）、ジエトキシジブロモチタン(TiBr2(OCH3CH2)2）、ジイソブトキシジブロモチタン(TiBr2(i-OC4H9)2）、トリ-n-ブトキシブロモチタン(TiBr(OC4H9)3）、メトキシトリブロモチタン(Ti(OCH3)Br3）、エトキシトリブロモチタン(Ti(OCH3CH2)Br3）、イソブトキシトリブロモチタン(Ti(i-C4H9)Br3）、n-ブトキシトリブロモチタン(Ti(OC4H9)Br3）、
トリメトキシクロロジルコニウム(ZrCl(OCH3)3）、トリエトキシクロロジルコニウム(ZrCl(OCH3CH2)3）、トリイソブトキシクロロジルコニウム(ZrCl(i-OC4H9)3）、トリ-n-ブトキシクロロジルコニウム(ZrCl(OC4H9)3）、ジメトキシジクロロジルコニウム(ZrCl2(OCH3)2）、ジエトキシジクロロジルコニウム(ZrCl2(OCH3CH2)2）、ジイソブトキシジクロロジルコニウム(ZrCl2(i-OC4H9)2）、トリ-n-ブトキシクロロジルコニウム(ZrCl(OC4H9)3）、メトキシトリクロロジルコニウム(Zr(OCH3)Cl3）、エトキシトリクロロジルコニウム(Zr(OCH3CH2)Cl3）、イソブトキシトリクロロジルコニウム(Zr(i-C4H9)Cl3）、n-ブトキシトリクロロジルコニウム(Zr(OC4H9)Cl3）、
トリメトキシブロモジルコニウム(ZrBr(OCH3)3）、トリエトキシブロモジルコニウム(ZrBr(OCH3CH2)3）、トリイソブトキシブロモジルコニウム(ZrBr(i-OC4H9)3）、トリ-n-ブトキシブロモジルコニウム(ZrBr(OC4H9)3）、ジメトキシジブロモジルコニウム(ZrBr2(OCH3)2）、ジエトキシジブロモジルコニウム(ZrBr2(OCH3CH2)2）、ジイソブトキシジブロモジルコニウム(ZrBr2(i-OC4H9)2）、トリ-n-ブトキシブロモジルコニウム(ZrBr(OC4H9)3）、メトキシトリブロモジルコニウム(Zr(OCH3)Br3）、エトキシトリブロモジルコニウム(Zr(OCH3CH2)Br3）、イソブトキシトリブロモジルコニウム(Zr(i-C4H9)Br3）、n-ブトキシトリブロモジルコニウム(Zr(OC4H9)Br3）、
トリメトキシクロロハフニウム(HfCl(OCH3)3）、トリエトキシクロロハフニウム(HfCl(OCH3CH2)3）、トリイソブトキシクロロハフニウム(HfCl(i-OC4H9)3）、トリ-n-ブトキシクロロハフニウム(HfCl(OC4H9)3）、ジメトキシジクロロハフニウム(HfCl2(OCH3)2）、ジエトキシジクロロハフニウム(HfCl2(OCH3CH2)2）、ジイソブトキシジクロロハフニウム(HfCl2(i-OC4H9)2）、トリ-n-ブトキシクロロハフニウム(HfCl(OC4H9)3）、メトキシトリクロロハフニウム(Hf(OCH3)Cl3）、エトキシトリクロロハフニウム(Hf(OCH3CH2)Cl3）、イソブトキシトリクロロハフニウム(Hf(i-C4H9)Cl3）、n-ブトキシトリクロロハフニウム(Hf(OC4H9)Cl3）、
トリメトキシブロモハフニウム(HfBr(OCH3)3）、トリエトキシブロモハフニウム(HfBr(OCH3CH2)3）、トリイソブトキシブロモハフニウム(HfBr(i-OC4H9)3）、トリ-n-ブトキシブロモハフニウム(HfBr(OC4H9)3）、ジメトキシジブロモハフニウム(HfBr2(OCH3)2）、ジエトキシジブロモハフニウム(HfBr2(OCH3CH2)2）、ジイソブトキシジブロモハフニウム(HfBr2(i-OC4H9)2）、トリ-n-ブトキシブロモハフニウム(HfBr(OC4H9)3）、メトキシトリブロモハフニウム(Hf(OCH3)Br3）、エトキシトリブロモハフニウム(Hf(OCH3CH2)Br3）、イソブトキシトリブロモハフニウム(Hf(i-C4H9)Br3）、n-ブトキシトリブロモハフニウム(Hf(OC4H9)Br3)を使用することができる。
前記第IVB族金属化合物としては、第IVB族金属ハロゲン化物が好ましく、TiCl4、TiBr4、ZrCl4、ZrBr4、HfCl4、およびHfBr4がより好ましく、およびTiCl4およびZrCl4が最も好ましい。
第IVB族金属化合物は、１種でも、または２種もしくはそれ以上の混合物として用いることができる。
第IVB族金属化合物は、１種でも、または２種もしくはそれ以上の混合物として用いることができる。
本発明によれば、非メタロセン配位子は、次の構造：
を有する化合物である。
更なる態様例において、非メタロセン配位子は、次の構造（A）および（Ｂ）：
の群から選ばれる。
更にもう1つの態様例において、非メタロセン配位子は、次の構造A−１〜Ａ−４およびＢ−１〜Ｂ−４の群から選ばれる。
上述したすべての構造に関して、
qは0または1であり；
dは0または1であり；
Ｂは、窒素含有基、リン含有基およびC1−C30炭化水素基からなる群から選ばれ；
Ｅは、窒素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基およびリン含有基からなる群から選ばれ、ここでN、O、S、SeおよびPはそれぞれ配位原子を表わし；
Ｆは、窒素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基およびリン含有基からなる群から選ばれ、ここでN、O、S、SeおよびPはそれぞれ配位原子を表わし；
Ｇは、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群から選ばれ；
ＹおよびＺは、窒素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基およびリン含有基、例えば-NR23R24、-N(O)R25R26、-PR28R29、-P(O)R30R31、-OR34、-SR35、-S(O)R36、-SeR38および-Se(O)R39からなる群からそれぞれ独立して選ばれ、ここでN、O、S、SeおよびPはそれぞれ配位原子を表わし；
R1〜R4、R6〜R36およびR38〜R39は、水素、C1−C30炭化水素基、ハロゲン原子、置換C1−C30炭化水素基（好ましくは、対応するハロゲン化された炭化水素基、例えば、-CH2Clおよび-CH2CH2Cl）もしくは不活性な官能基の群からそれぞれ独立して選ばれ、ここでこれらの基は互いに同じであってもよいし、または異なっていてもよく、隣接するいずれかの基（例えば、R1とR2およびR3、R3とR4、R6、R7、R8およびR9、R23とR24、またはR25とR26）は互いに結合しまたは環を形成することができ；
R5は、窒素原子上の孤立電子対、水素、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基、酸素含有基（ヒドロキシル基およびアルコキシ基、例えば、-OR34もしくは-T-OR34を含む）、硫黄含有基（例えば、-SR35、-T-SR35）、セレン含有基、窒素含有基（例えば、-NR23R24、-T-NR23R24）、およびリン含有基（例えば、-PR28R29、-T-PR28R29、-T-P(O)R30R31）からなる群から選ばれる（但し、R5が、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、セレン含有基もしくはリン含有基の群から選ばれる場合には、R5基中のN、O、S、PおよびSeはそれぞれ配位原子を表わし、第IVB属遷移金属原子と配位結合し得ることを条件とする。）。
qは0または1であり；
dは0または1であり；
Ｆは、窒素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基およびリン含有基からなる群から選ばれ、ここでN、O、S、SeおよびPはそれぞれ配位原子を表わし；
Ｇは、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群から選ばれ；
ＹおよびＺは、窒素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基およびリン含有基、例えば-NR23R24、-N(O)R25R26、-PR28R29、-P(O)R30R31、-OR34、-SR35、-S(O)R36、-SeR38および-Se(O)R39からなる群からそれぞれ独立して選ばれ、ここでN、O、S、SeおよびPはそれぞれ配位原子を表わし；
R5は、窒素原子上の孤立電子対、水素、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基、酸素含有基（ヒドロキシル基およびアルコキシ基、例えば、-OR34もしくは-T-OR34を含む）、硫黄含有基（例えば、-SR35、-T-SR35）、セレン含有基、窒素含有基（例えば、-NR23R24、-T-NR23R24）、およびリン含有基（例えば、-PR28R29、-T-PR28R29、-T-P(O)R30R31）からなる群から選ばれる（但し、R5が、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、セレン含有基もしくはリン含有基の群から選ばれる場合には、R5基中のN、O、S、PおよびSeはそれぞれ配位原子を表わし、第IVB属遷移金属原子と配位結合し得ることを条件とする。）。
本発明に関して、
ハロゲン原子は、F、Cl、BrおよびIからなる群から選ばれ、
酸素含有基は、ヒドロキシル基およびアルコキシ基、例えば-OR34および-T-OR34からなる群から選ばれ、
硫黄含有基は、-SR35、 -T-SR35、 -S(O)R36 および-T-SO2R37からなる群から選ばれ、
セレン含有基は、-SeR38、 -T-SeR38、 -Se(O)R39 および-T-Se(O)R39からなる群から選ばれ、
前記T基は、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群から選ばれ、ならびに
R37は、水素、C1−C30炭化水素基、ハロゲン原子、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群から選ばれる。
ハロゲン原子は、F、Cl、BrおよびIからなる群から選ばれ、
硫黄含有基は、-SR35、 -T-SR35、 -S(O)R36 および-T-SO2R37からなる群から選ばれ、
セレン含有基は、-SeR38、 -T-SeR38、 -Se(O)R39 および-T-Se(O)R39からなる群から選ばれ、
前記T基は、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群から選ばれ、ならびに
R37は、水素、C1−C30炭化水素基、ハロゲン原子、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群から選ばれる。
本発明によれば、C1−C30炭化水素は、C1−C30アルキル基、C2−C30環状アルキル基、C2−C30アルケニル基、C2−C30アルキニル基、C6−C30アリール基、C8−C30縮合環基、もしくはC4−C30ヘテロ環基の群から選ばれ、
置換C1−C30炭化水素基は、１もしくはそれ以上の不活性な置換基を有するC1−C30炭化水素基を意味しており、ここで、不活性とは、置換基が中心金属原子の配位に対して実質的な干渉を示さないことを意味しており、特に断らない限り、置換C1−C30炭化水素基は、ハロゲン化されたC1−C30炭化水素基、ハロゲン化されたC6−C30アリール基、ハロゲン化されたC8−C30縮合環基、もしくはハロゲン化されたC4−C30ヘテロ環基を意味しており、
不活性な官能基とは、炭化水素基および置換炭化水素基以外の不活性な官能基を意味しており、本発明では、不活性な官能基は、例えば、ハロゲン原子、酸素含有基、窒素含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、硫黄含有基およびスズ含有基、例えばエーテル基（例えば、-OR34 もしくは -TOR35）、C1-C10エステル基、C1-C10アミン基、C1-C10アルコキシ基およびニトロ基などであってよい。
置換C1−C30炭化水素基は、１もしくはそれ以上の不活性な置換基を有するC1−C30炭化水素基を意味しており、ここで、不活性とは、置換基が中心金属原子の配位に対して実質的な干渉を示さないことを意味しており、特に断らない限り、置換C1−C30炭化水素基は、ハロゲン化されたC1−C30炭化水素基、ハロゲン化されたC6−C30アリール基、ハロゲン化されたC8−C30縮合環基、もしくはハロゲン化されたC4−C30ヘテロ環基を意味しており、
不活性な官能基とは、炭化水素基および置換炭化水素基以外の不活性な官能基を意味しており、本発明では、不活性な官能基は、例えば、ハロゲン原子、酸素含有基、窒素含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、硫黄含有基およびスズ含有基、例えばエーテル基（例えば、-OR34 もしくは -TOR35）、C1-C10エステル基、C1-C10アミン基、C1-C10アルコキシ基およびニトロ基などであってよい。
本発明によれば、不活性な官能基は、
（1）第IVB族金属原子の配位を阻害せず；
（2）構造中のA、D、E、F、YおよびZの各基とそれぞれ異なっており、および
（3）第IVB族金属原子との配位がA、D、E、F、YおよびZの各基よりも容易ではなく、従って、それらの基の代わりに第IVB族金属原子と配位するには至らない。
（1）第IVB族金属原子の配位を阻害せず；
（2）構造中のA、D、E、F、YおよびZの各基とそれぞれ異なっており、および
（3）第IVB族金属原子との配位がA、D、E、F、YおよびZの各基よりも容易ではなく、従って、それらの基の代わりに第IVB族金属原子と配位するには至らない。
シリコン含有基は、-SiR42R43R44および-T-SiR45の群から選ばれ、
ゲルマニウム含有基は、-GeR46R47R48および-T-GeR49の群から選ばれ、
スズ含有基は、-SnR50R51R52、-T-SnR53もしくは-T-Sn(O)R54の群から選ばれ、
R42〜R54は、水素、C1−C30炭化水素基、ハロゲン原子、置換C1−C30炭化水素基もしくは不活性な官能基の群からそれぞれ独立して選ばれる。
ゲルマニウム含有基は、-GeR46R47R48および-T-GeR49の群から選ばれ、
スズ含有基は、-SnR50R51R52、-T-SnR53もしくは-T-Sn(O)R54の群から選ばれ、
R42〜R54は、水素、C1−C30炭化水素基、ハロゲン原子、置換C1−C30炭化水素基もしくは不活性な官能基の群からそれぞれ独立して選ばれる。
非メタロセン配位子としては、次の化合物が例示される。
好ましい態様例において、非メタロセン配位子は次の化合物の群から選ばれる。
更に好ましい態様例において、非メタロセン配位子は次の化合物の群から選ばれる。
最も好ましい態様例において、非メタロセン配位子は次の2つの化合物の群から選ばれる。
非メタロセン配位子は、１種でも、または２種もしくはそれ以上の混合物としても使用することができる。
本発明の１つの態様例によれば、前記接触工程を行なうためには、化学的処理剤を用いてマグネシウム化合物（以下、「マグネシウム化合物」とは最も広い意味で用い、特に言及しない限り、マグネシウム化合物それ自体、変性したマグネシウム化合物、または更に、その予備処理したものを意味する。）に接触させて、接触生成物が得られる。
前記接触工程をどのように実施するかということに関しては、マグネシウム化合物を前記化学的処理剤に接触させて、例えば、以下のように接触生成物を得ることが可能である限り、特に制限がない。
固体の化学的処理剤（例えばZrCl4）を用いる場合には、最初に、前記化学的処理剤の溶液を調製し、次に、所定量の化学的処理剤を用いて、該化学的処理剤溶液をマグネシウム化合物に（好ましくは、滴下によって）添加する。 液状の化学的処理剤（例えばTiCl4）を用いる場合には、所定量の化学的処理剤それ自体を（または溶媒に溶解させた後で）、マグネシウム化合物に（好ましくは、滴下によって）添加する。接触反応は、（必要な場合には、いずれかの撹拌手段によって促進して）０．５〜２４時間、好ましくは１〜８時間、より好ましくは２〜６時間継続する。 その後、生成物を濾過、洗浄、および乾燥して、接触生成物が得られる。
濾過、洗浄（１〜８回、好ましくは２〜６回、最も好ましくは２〜４回）および乾燥は、常套の方法で行うことができ、その洗浄溶媒は、化学的処理剤を溶解させるために使用したものと同じであってよい。
接触工程において、化学的処理剤（第IVB族金属基準）のマグネシウム化合物（Mg基準）に対する比は、１対０．１−１００であってよく、１対０．５−５０であることが好ましい。
接触工程において、化学的処理剤（第IVB族金属基準）のマグネシウム化合物（Mg基準）に対する比は、１対０．１−１００であってよく、１対０．５−５０であることが好ましい。
化学的処理剤の溶液の製造おいて、使用する溶媒に関しては特に制限がない。 例えば、予備処理剤の溶液を調製するための溶媒を使用することもできる。 更に、１種または２種もしくはそれ以上の混合物としての溶媒を使用することもできる。
マグネシウム化合物を溶解させ得るいずれの溶媒（例えば、エーテル系溶媒、特にテトラヒドロフラン）をも、この工程においては使用することができないということに注意されたい。
溶液中の化学的処理剤の濃度について特に制限はなく、溶液が所定量の化学的処理剤を供給してマグネシウム化合物に接触するために十分であるならば、当業者が必要に応じて決定することができる。
本発明によれば、接触工程が行なわれる温度について特に制限はない。反応温度が高ければ、化学的処理剤とマグネシウム化合物との反応が促進され、従って反応時間を短縮することができる。異なる溶媒は異なる沸点を有するいうことを考慮して、反応温度は接触工程において使用する溶媒の沸点よりも低くする必要があるということが当業者に知られている。例えば、反応温度は、ヘキサンについては２０〜６５℃であってよく、トルエンについては２０〜１０５℃であってよい。従って、反応温度は溶媒に依存するので、この点に関して一様に規定することはできない。もっとも、一般的に言えば、反応温度の下限についての制限はなく、反応温度は溶媒の沸点よりも５〜１０℃低い温度とすることができる。反応時間については、特に制限はなく、一般に０．５〜２４時間であってよい。高い反応温度の場合には、従って反応時間を短くすることができる。
接触工程において、溶媒を用いることが必ずしも必要であるとは限らないということに注意する必要がある。すなわち、化学的処理剤とマグネシウム化合物との反応は、溶媒が存在しない状態で行なうことができる。この目的のためには、化学的処理剤が液状の状態であることが必要とされる。この場合、反応温度および反応時間は必要に応じて予め決めることができる。一般的に言えば、反応温度は、化学的処理剤の沸点よりも少なくとも５〜１０℃低くてよく、反応時間は２〜２４時間であってよい。原則として、化学的処理剤とマグネシウム化合物の間の反応が激しい程、反応温度をより低く設定して、延長された（または長めの）反応時間に設定すべきである。例えば、化学的処理剤がTiCl4である場合には、反応温度は−３０℃から１２６℃までの範囲であって、対応する反応時間は２〜１２時間の範囲とすることができる。
更に、本発明の態様例において、上述した予備接触工程にて得られた混合物物質は（そこから予備処理されたマグネシウム化合物を分離することなく）、接触工程において、マグネシウム化合物の代わりに使用することができる。この場合、混合物物質がある程度の量の溶媒を含んでいるので、接触工程で使用する溶媒を減少させるかまたは省略することができる。
本発明によれば、このようにして得られた接触生成物を非メタロセン配位子によって処理することによって、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を得ることができる。
本発明によれば、接触工程で得られる接触生成物を非メタロセン配位子によって処理することによって、前記非メタロセン配位子と、接触生成物に含まれている第IVB族金属との間で反応させて、非メタロセン錯体をin-situにて生じさせ（以下、in-situ担持反応と称する）、それによって本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒が得られる。
in-situ担持反応をどのように実施するかということについては、例えば、以下のように、接触生成物を非メタロセン配位子によって処理することができるのであれば、特に制限はない。
まず、溶媒中における前記非メタロセン配位子の溶液を調製する。溶媒における前記非メタロセン配位子の溶解を促進させるため、必要ならば、溶解の間に加熱を適用することができる。更に、必要な場合には、溶解中に何らかの撹拌手段を使用することができ、その回転速度は１０〜５００回転／分（ｒｐｍ）であってよい。最終的な担持された非メタロセン触媒における非メタロセン配位子の所定量を達成するため、この段階において溶媒の非メタロセン配位子に対する溶解能を考慮に入れて、溶液中の非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は、一般に、１０〜２５０ｇ／Ｌ、好ましくは５０〜１６０ｇ／Ｌである。
前記溶液を調製するために使用する溶媒については、非メタロセン配位子を溶解させることができるのであれば、特に制限はない。例えば、アルカン、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、もしくはデカンなど、環式アルカン、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロノナン、もしくはシクロデカンなど、ハロゲン化されたアルカン、例えば、ジクロロメタン、ジクロロヘキサン、ジクロロヘプタン、トリクロロメタン、トリクロロエタン、トリクロロブタン、ジブロモメタン、ジブロモエタン、ジブロモヘプタン、トリブロモメタン、トリブロモエタン、トリブロモブタンなど、ハロゲン化された環式アルカン、例えば、塩素化シクロヘキサン、塩素化シクロペンタン、塩素化シクロヘプタン、塩素化シクロデカン、塩素化シクロノナン、塩素化シクロオクタン、臭素化シクロヘキサン、臭素化シクロペンタン、臭素化シクロヘプタン、臭素化シクロデカン、臭素化シクロノナン、臭素化シクロオクタンなど、芳香族炭化水素、例えば、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼンなど、ならびにハロゲン化された芳香族炭化水素、例えば、塩素化トルエン、塩素化エチルベンゼン、臭素化エチルベンゼン、臭素化トルエンなどが例示される。
アルカン、ハロゲン化アルカンおよび芳香族炭化水素が好ましく、ヘキサン、ジクロロメタンおよびトルエンがより好ましい。
溶媒は、１種でも、または２種もしくはそれ以上の混合物としても用いることができる。
マグネシウム化合物を溶解させ得るいずれの溶媒（例えば、エーテル系溶媒、特にテトラヒドロフラン）をも、この工程においては使用することができないということに注意されたい。
その後、室温から、前記非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒の沸点よりも５℃低い温度までの範囲の温度にて、十分に撹拌しながら、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）で、０．０１−０．５０対１、好ましくは０．１０−０．３０対１となるように、接触生成物を非メタロセン配位子の溶液に添加する。 接触反応は０．５〜２４時間続ける。 撹拌手段は、リボン撹拌機、アンカー撹拌機などであってよい。 リボン撹拌機については、その速度は５〜５０ｒｐｍとすることができ、アンカー撹拌機については、５〜２００ｒｐｍとすることができる。
その後、反応の終わりに、生成した混合物を、濾過、洗浄および乾燥に付するか、または濾過および洗浄を行わずに直接的に乾燥に付すると、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒が得られる。一般的に言えば、得られる混合物の固形分濃度が低い場合には、前者の方法が好ましく、得られる混合物の固形分濃度が高い場合には、後者の方法が好ましい。必要な場合には、洗浄は１〜８回、好ましくは２〜６回、最も好ましくは２〜４回行うことができる。乾燥は、常套の方法で、例えば、不活性ガス雰囲気での乾燥、減圧乾燥（真空乾燥）または加熱しながらの減圧乾燥で行うことができ、減圧乾燥が好ましい。一般的に、乾燥時間は２〜２４時間であってよいが、実際には、乾燥中の混合物からサンプリングして、熱減量法によってサンプルの減量を分析することによって、乾燥の終了を決定することができる。特に、生成した混合物を乾燥させるための温度が、使用する溶媒の沸点よりも５〜４５℃低い温度である場合には、５％未満の減量を乾燥の終了時とすることができる。比較的低沸点の溶媒を使用する場合には、比較的短い乾燥時間が好ましく、一方、比較的高沸点の溶媒を使用する場合には、それに対応して比較的長い乾燥時間が好ましい。乾燥温度は、一般に、使用する溶媒の沸点よりも５〜４５℃低い。例えば、溶媒としてテトラヒドロフランを使用する場合には、乾燥温度は２３〜６３℃の範囲とすることができ、溶媒としてトルエンを使用する場合には、乾燥温度は６５℃〜１０５℃の範囲とすることができ、ジクロロメタンを使用する場合には、乾燥温度は０℃から３７℃の範囲とすることができる。
更に、接触生成物と非メタロセン配位子との相互作用を有利にするため、得られた生成物混合物は、通常、室温にて、シールされた状態で、０．５〜２４時間の間エージングして、それらの間の結合力を向上させる。
本発明の別の態様例によれば、接触工程を行うために、非メタロセン配位子を用いて、マグネシウム化合物（本明細書において、「マグネシウム化合物」という用語は最も広い意味で用いており、特に断らない限り、マグネシウム化合物それ自体、変性されたマグネシウム化合物、もしくは、前述した予備処理したものを意味する。）に接触させて、接触生成物が得られる。
接触工程をどのように実施するかという点に関しては、例えば、以下のように、接触生成物が得られるように、マグネシウム化合物を前記非メタロセン配位子と接触させることができるのであれば、特に制限はない。
まず、溶媒中における前記非メタロセン配位子の溶液を調製する。溶媒における前記非メタロセン配位子の溶解を促進させるため、必要ならば、溶解の間に加熱を適用することができる。更に、必要な場合には、溶解中に何らかの撹拌手段を使用することができ、その回転速度は１０〜５００回転／分（ｒｐｍ）であってよい。
本発明によれば、非メタロセン配位子を溶解させるために使用する溶媒の量については、特に制限はない。この点に関して、当業者は、一様な溶液を調製することができ、そしてマグネシウム化合物を混合して得られるスラリーおよび溶液が一様に保たれるのであれば、溶媒の非メタロセン配位子に対する溶解能または溶解性に基づいて、必要とされる好適な量を求めることができる。一般的に言って、溶液中における非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は、一般に１０〜２５０ｇ／Ｌであり、５０〜１６０ｇ／Ｌであることが好ましい。
接触工程の後で直接乾燥を行う場合には、使用する溶媒の量はそれに応じて減らすことができる。
本発明によれば、非メタロセン配位子を溶解させるために使用する溶媒の量については、特に制限はない。この点に関して、当業者は、一様な溶液を調製することができ、そしてマグネシウム化合物を混合して得られるスラリーおよび溶液が一様に保たれるのであれば、溶媒の非メタロセン配位子に対する溶解能または溶解性に基づいて、必要とされる好適な量を求めることができる。一般的に言って、溶液中における非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は、一般に１０〜２５０ｇ／Ｌであり、５０〜１６０ｇ／Ｌであることが好ましい。
接触工程の後で直接乾燥を行う場合には、使用する溶媒の量はそれに応じて減らすことができる。
前記溶液を調製するために、使用する溶媒については、溶媒が非メタロセン配位子を溶解させることができるのであれば、特に制限はない。例えば、アルカン、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、もしくはデカンなど、環式アルカン、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロノナン、もしくはシクロデカンなど、ハロゲン化されたアルカン、例えば、ジクロロメタン、ジクロロヘキサン、ジクロロヘプタン、トリクロロメタン、トリクロロエタン、トリクロロブタン、ジブロモメタン、ジブロモエタン、ジブロモヘプタン、トリブロモメタン、トリブロモエタン、トリブロモブタンなど、ハロゲン化された環式アルカン、例えば、塩素化シクロヘキサン、塩素化シクロペンタン、塩素化シクロヘプタン、塩素化シクロデカン、塩素化シクロノナン、塩素化シクロオクタン、臭素化シクロヘキサン、臭素化シクロペンタン、臭素化シクロヘプタン、臭素化シクロデカン、臭素化シクロノナン、臭素化シクロオクタンなど、芳香族炭化水素、例えば、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼンなど、ならびにハロゲン化された芳香族炭化水素、例えば、塩素化トルエン、塩素化エチルベンゼン、臭素化エチルベンゼン、臭素化トルエンなどが例示される。
アルカン、ハロゲン化アルカンおよび芳香族炭化水素が好ましく、ヘキサン、ジクロロメタンおよびトルエンがより好ましい。
マグネシウム化合物を溶解させ得るいずれの溶媒（例えば、エーテル系溶媒、特にテトラヒドロフラン）も使用することができないということに注意されたい。
溶媒は、１種でも、または２種もしくはそれ以上の混合物としても用いることができる。
マグネシウム化合物を溶解させ得るいずれの溶媒（例えば、エーテル系溶媒、特にテトラヒドロフラン）も使用することができないということに注意されたい。
溶媒は、１種でも、または２種もしくはそれ以上の混合物としても用いることができる。
次いで、３５℃に等しい温度かまたはそれ以下の温度にて、十分に撹拌しながら、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比が１対１〜１０、好ましくは１対３〜７となるように、マグネシウム化合物を非メタロセン配位子の溶液に添加する。接触反応を０．５〜２４時間継続する。反応時間が長くなることは、非メタロセン配位子とマグネシウム化合物との間のより緊密でより強い結合の達成に寄与するので、好ましい。
撹拌手段は、リボン撹拌機、アンカー撹拌機などであってよい。リボン撹拌機については、その速度は５〜５０ｒｐｍとすることができ、アンカー撹拌機については、５〜２００ｒｐｍとすることができる。
撹拌手段は、リボン撹拌機、アンカー撹拌機などであってよい。リボン撹拌機については、その速度は５〜５０ｒｐｍとすることができ、アンカー撹拌機については、５〜２００ｒｐｍとすることができる。
反応が終了すると、得られた混合物（生成物混合物）を、濾過および洗浄に付するか、もしくは濾過、洗浄および乾燥に付するか、または濾過および洗浄を伴わずに、直接乾燥に付するかすることによって、接触生成物を得る。
濾過および洗浄は、常套の方法で行うことができる。洗浄溶媒は、非メタロセン配位子を溶解させるのに使用したものと同じであってよい。例えば、洗浄は、１〜８回、好ましくは２〜６回、最も好ましくは２〜４回行うことができる。
濾過および洗浄は、常套の方法で行うことができる。洗浄溶媒は、非メタロセン配位子を溶解させるのに使用したものと同じであってよい。例えば、洗浄は、１〜８回、好ましくは２〜６回、最も好ましくは２〜４回行うことができる。
乾燥は、常套の方法、例えば、不活性な気相下での乾燥、真空乾燥または加熱下での真空乾燥、好ましくは真空乾燥または不活性な気相下での乾燥で行うことができる。
更に、本発明の１つの態様では、上述した予備接触工程において得られた混合物物質は（そこから予備処理されたマグネシウム化合物を分離することなく）、接触工程において、マグネシウム化合物の代わりに使用することができる。この場合、混合物物質がある程度の量の溶媒を含んでいるので、接触工程において使用する溶媒を減少させるかまたは省略することができる。
更に、本発明の１つの態様では、上述した予備接触工程において得られた混合物物質は（そこから予備処理されたマグネシウム化合物を分離することなく）、接触工程において、マグネシウム化合物の代わりに使用することができる。この場合、混合物物質がある程度の量の溶媒を含んでいるので、接触工程において使用する溶媒を減少させるかまたは省略することができる。
本発明によれば、このようにして得られた接触生成物を化学的処理剤で処理することによって、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を得ることができる。
本発明によれば、接触工程において得られる接触生成物を化学的処理剤（即ち、第IVB族金属化合物）によって処理することによって、第IVB族金属化合物と、接触生成物に含まれている非メタロセン配位子との間で反応をさせて、非メタロセン錯体をin-situで生じさせ（以下、in-situ担持反応と称する）、それによって本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒が得られる。
そのようなin-situ担持反応（in-situ supporting reaction）をどのように実施するかという点に関しては、例えば、以下のように、接触生成物を化学的処理剤によって処理することができるのであれば、特に制限はない。
固体の化学的処理剤（例えばZrCl4）を用いる場合には、最初に前記化学的処理剤の溶液を調製し、次いで所定量の化学的処理剤を用いて、該化学的処理剤溶液を接触生成物に（好ましくは、滴下によって）３５℃に等しいかまたはそれ以下の温度にて添加する。液状の化学的処理剤（例えばTiCl4）を用いる場合には、所定量の化学的処理剤それ自体を（または溶媒に溶解させた後で）、接触生成物に（好ましくは、滴下によって）添加する。接触反応は、（必要な場合には、いずれかの撹拌手段によって促進して）３５℃に等しいかまたはそれ未満の温度にて、１〜１２時間、好ましくは２〜８時間継続する。その後、生成物を濾過し、洗浄し、および乾燥して、または濾過および洗浄を行うことなく直接乾燥して、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒が得られる。
濾過、洗浄（１〜８回、好ましくは２〜６回、最も好ましくは２〜４回）および乾燥は、常套の方法で行うことができ、洗浄溶媒には、化学的処理剤の溶解に用いたものと同じ溶媒を用いることができる。
この工程において、好ましくは、化学的処理剤（第IVB族金属基準）の非メタロセン配位子に対する比は、モル比で、１対０．１〜１、好ましくは１：０．３〜０．９であってよい。
この工程において、好ましくは、化学的処理剤（第IVB族金属基準）の非メタロセン配位子に対する比は、モル比で、１対０．１〜１、好ましくは１：０．３〜０．９であってよい。
化学的処理剤の溶液の調製において、使用する溶媒に関しては、特に制限はない。例えば、予備処理剤の溶液を調製するための溶媒を使用することもできる。更に、溶媒は、１種で、または２種もしくはそれ以上の混合物としても用いることができる。
マグネシウム化合物を溶解させ得るいずれの溶媒（例えば、エーテル系溶媒、もしくは特にテトラヒドロフラン）をも、この工程においては使用することができないということに注意されたい。
溶液中での化学的処理剤の濃度については、溶液が接触生成物を処理するための所定量の化学的処理剤を供給するために十分であるのであれば、当業者が必要に応じて決定することができ、特に制限はない。
処理工程において、溶媒を常に用いることは必ずしも必要ではないということが指摘される必要がある。すなわち、化学的処理剤と接触生成物との反応は、溶媒の不存在下でも行うことができる。そのため、化学的処理剤は液状であることが必要である。
上述の方法および工程はすべて、酸素が存在しない実質的な無水条件下で行うことが必要であるということはよく知られている。酸素が存在しない実質的な無水条件とは、関与する系において、酸素および水のそれぞれの含量が１０ｐｐｍ未満に継続して制御されることを意味する。更に、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒は、製造された後であって、使用前において、通常、密封容器の中に、窒素シールによる軽い陽圧下にて貯蔵される。
１つの態様例において、本発明は、上述したようにして製造されるマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒に関する。
１つの態様例において、本発明は、上述したようにして製造されるマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒に関する。
本発明の更なる態様例において、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒は、助触媒と組み合わせられて、オレフィン単独重合／共重合を触媒する触媒系を構成する。
これに関連して、オレフィン単独重合／共重合の触媒として、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒が主触媒として使用され、アルミノキサン、アルキルアルミニウム、ハロゲン化アルキルアルミニウム、フルオロボラン、アルキルボラン、およびアルキルボランアンモニウム塩からなる群から選ばれる１又はそれ以上のものが助触媒として使用される。
これに関連して、オレフィン単独重合／共重合の触媒として、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒が主触媒として使用され、アルミノキサン、アルキルアルミニウム、ハロゲン化アルキルアルミニウム、フルオロボラン、アルキルボラン、およびアルキルボランアンモニウム塩からなる群から選ばれる１又はそれ以上のものが助触媒として使用される。
オレフィン単独重合／共重合をどのように実施するかという点に関しては、特に制限はなく、当業者に知られている常套の方法、例えば、スラリープロセス、エマルジョンプロセス、塊状プロセスまたは気相プロセスなどを用いることができる。
使用するオレフィンは、C2〜C10のモノオレフィン、ジオレフィン、環状オレフィンまたはその他のエチレン性不飽和化合物からなる群から選ばれる。例えば、C2〜C10のモノオレフィンとして、エチレン、プロペン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、4−メチル−1−ペンテン、１−オクテン、１−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−シクロペンテン、ノルボルネン、ノルボルナジエンおよびスチレンを例示することができ、ジオレフィンとしては、１,４−ブタジエン、２,５−ペンタジエン、１,６−ヘキサジエンおよび１,７−オクタジエンを例示することができ、その他のエチレン性不飽和化合物としては、酢酸ビニルおよび（メタ）アクリレートを例示することができる。本明細書において、単独重合とは、１種のオレフィンの重合を意味しており、共重合とは、２種もしくはそれ以上のオレフィンの重合を意味するということに注意する必要がある。
上述したように、助触媒は、アルミノキサン、アルキルアルミニウム、ハロゲン化されたアルキルアルミニウム、フルオロボラン、アルキルボロンおよびアルキルボロンアンモニウム塩の群から選ばれ、アルミノキサンおよびアルキルアルミニウムが好ましい。
アルミノキサンおよびアルキルアルミニウムとしては、予備処理剤として上述した物質を例示することができ、メチルアルミノキサン（MAO）およびトリエチルアルミニウムが好ましい。
本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を製造する方法は、簡単で容易に実施することができ、マグネシウム化合物への非メタロセン配位子の担持量（load）を調節することは容易であって、従って担持量を著しく増大させて、このようにして得られる触媒の著しく向上した重合活性を導くこともできる。
更に、種々の量の化学的処理剤および／または種々の量の予備処理剤（詳細は以下に説明する）を用いることによって、得られる担持された非メタロセン触媒の重合活性を低い値から高い値まで必要に応じて自在に調節し、その結果として、種々のオレフィン重合要求に適合させることもできる。この理由から、本発明の方法は、方法の高い柔軟性および方法の高い可制御性によって特徴付けられる。
触媒系が、本発明の担持非メタロセン触媒と、助触媒（例えば、メチルアルミノキサンもしくはトリエチルアルミニウム）との組み合わせを用いることによって構成される場合、比較的高い重合活性を達成するためには比較的少量の助触媒が必要とされる。更に、本発明の担持非メタロセン触媒は、著しい共重合効果を特徴とする。
触媒系が、オレフィン単独重合／共重合のための助触媒と組み合わせられた本発明の担持非メタロセン触媒を用いて構成される場合、このようにして得られたポリマー生成物は、ポリマー嵩密度および自在に調整可能な分子量分布を有することを特徴とする。
実施例
本発明について以下の実施例を用いて更に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本発明について以下の実施例を用いて更に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
ポリマーの嵩密度は、中国標準（Chinese Standard）GB 1636−79（単位：g/cm3）によって測定する。
マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒中のTiおよびMgのそれぞれの含量は、ICP−AES方法によって測定する。
触媒の重合活性は、以下のようにして計算される。
重合反応の終了時に、反応容器内のポリマー生成物を、濾過し、乾燥させて、その重量（質量に基準）を計測した。その後、触媒の重合活性は、ポリマー生成物の重量を、重合中に使用した触媒の量（質量基準）で除することによって得られる値（単位：触媒１ｇあたりのポリマーのｋｇ数）により表現する。
ポリマーの分子量分布は、１５０℃の温度にて、溶媒としてｏ−トリクロロベンゼンを用いて、GPC model V2000ゲル・パーミエーション・クロマトグラフ装置（WATERS Co., USA）によって測定する。
重合反応の終了時に、反応容器内のポリマー生成物を、濾過し、乾燥させて、その重量（質量に基準）を計測した。その後、触媒の重合活性は、ポリマー生成物の重量を、重合中に使用した触媒の量（質量基準）で除することによって得られる値（単位：触媒１ｇあたりのポリマーのｋｇ数）により表現する。
ポリマーの分子量分布は、１５０℃の温度にて、溶媒としてｏ−トリクロロベンゼンを用いて、GPC model V2000ゲル・パーミエーション・クロマトグラフ装置（WATERS Co., USA）によって測定する。
実施例I-1
無水塩化マグネシウムをマグネシウム化合物として使用し、TiCl4を化学的処理剤として使用した。
無水塩化マグネシウム５ｇを計量し、そこに接触生成物を調製するための溶媒としてヘキサン２５ｍｌを添加して、その中に塩化マグネシウムを分散させた。次いで、TiCl4を、撹拌しながら３０分の時間で滴下により添加し、６０℃にて４時間で反応させた。その後、生成物を濾過し、ヘキサンによって３回洗浄し（各回25 ml）、真空乾燥して、接触生成物を得た。
無水塩化マグネシウムをマグネシウム化合物として使用し、TiCl4を化学的処理剤として使用した。
無水塩化マグネシウム５ｇを計量し、そこに接触生成物を調製するための溶媒としてヘキサン２５ｍｌを添加して、その中に塩化マグネシウムを分散させた。次いで、TiCl4を、撹拌しながら３０分の時間で滴下により添加し、６０℃にて４時間で反応させた。その後、生成物を濾過し、ヘキサンによって３回洗浄し（各回25 ml）、真空乾燥して、接触生成物を得た。
この工程において、TiCl4のマグネシウム化合物に対する比は１：２であった。
構造：
の非メタロセン配位子を、（非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒としての）ヘキサン中に溶解させ、次に、撹拌しながら接触生成物をそこに加え、反応を４時間継続した。濾過後、ヘキサンで2回（各回25ml）洗浄し、25℃にて6時間乾燥した後、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒が得られた。
構造：
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１００g／Ｌであった。また、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１１：１であった。
得られた触媒をCAT-I-1と称する。その中のＴｉ含量（質量基準）は、８．４％であり、Ｍｇ含量（質量基準）は１３．７％であった。
得られた触媒をCAT-I-1と称する。その中のＴｉ含量（質量基準）は、８．４％であり、Ｍｇ含量（質量基準）は１３．７％であった。
実施例 I-1-1
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物を臭化マグネシウムに変更し、化学的処理剤をTiBr4に変更し、TiBr4のマグネシウム化合物に対するモル比を１：４．５とした。
接触生成物を調製するための溶媒をデカンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物を臭化マグネシウムに変更し、化学的処理剤をTiBr4に変更し、TiBr4のマグネシウム化合物に対するモル比を１：４．５とした。
接触生成物を調製するための溶媒をデカンに変更した。
非メタロセン配位子を、
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をデカンに変更した。
この実施例において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は５０ｇ／Ｌであった。また、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．２２：１であった。
この実施例において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は５０ｇ／Ｌであった。また、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．２２：１であった。
実施例I-1-2
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウムクロリド(MgCl(OC2H5))に変更し、化学的処理剤をZrCl4（トルエン中）に変更し、ZrCl4のマグネシウム化合物に対するモル比を１：１とし、接触生成物を調製するための溶媒をトルエンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウムクロリド(MgCl(OC2H5))に変更し、化学的処理剤をZrCl4（トルエン中）に変更し、ZrCl4のマグネシウム化合物に対するモル比を１：１とし、接触生成物を調製するための溶媒をトルエンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をトルエンに変更した。
この実施例において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１７０ｇ／Ｌであった。また、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．２９：１であった。
この実施例において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１７０ｇ／Ｌであった。また、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．２９：１であった。
実施例 I-1-3
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をブトキシマグネシウムブロミド（MgBr(OC4H9)）に変更し、化学的処理剤をZrBr4に変更し、ZrBr4のマグネシウム化合物に対するモル比を１：３０とし、接触生成物を調製するための溶媒をペンタンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をブトキシマグネシウムブロミド（MgBr(OC4H9)）に変更し、化学的処理剤をZrBr4に変更し、ZrBr4のマグネシウム化合物に対するモル比を１：３０とし、接触生成物を調製するための溶媒をペンタンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、および非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒はペンタンに変更した。
この実施例において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は９０ｇ／Ｌであった。また、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．４８：１であった。
この実施例において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は９０ｇ／Ｌであった。また、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．４８：１であった。
実施例I-1-4
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウム(Mg(OC2H5)2)に変更し、化学的処理剤をテトラエチルチタンに変更し、テトラエチルチタンのマグネシウム化合物に対するモル比を１：２５とし、接触生成物を調製するための溶媒をジクロロメタンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウム(Mg(OC2H5)2)に変更し、化学的処理剤をテトラエチルチタンに変更し、テトラエチルチタンのマグネシウム化合物に対するモル比を１：２５とし、接触生成物を調製するための溶媒をジクロロメタンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をジクロロメタンに変更した。
この実施例において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は２１４ｇ／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１５：１であった。
反応を終了すると、生成物を濾過することなく、真空下で２５℃にて直接乾燥させた。
この実施例において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は２１４ｇ／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１５：１であった。
反応を終了すると、生成物を濾過することなく、真空下で２５℃にて直接乾燥させた。
実施例 I-1-5
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をイソブトキシマグネシウム（Mg(i-OC4H9)2）に変更し、化学的処理剤をテトラブチルチタン(Ti(C4H9)4)に変更し、テトラブチルチタンのマグネシウム化合物に対するモル比を１：７．５とし、接触生成物を調製するための溶媒をキシレンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をイソブトキシマグネシウム（Mg(i-OC4H9)2）に変更し、化学的処理剤をテトラブチルチタン(Ti(C4H9)4)に変更し、テトラブチルチタンのマグネシウム化合物に対するモル比を１：７．５とし、接触生成物を調製するための溶媒をキシレンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒はキシレンに変更した。
実施例 I-1-6
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエチルマグネシウム（(Mg(C2H5)2）に変更し、化学的処理剤をトリブチルチタンクロリド(TiCl(C4H9)3)に変更し、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比を１：２０とし、接触生成物を調製するための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエチルマグネシウム（(Mg(C2H5)2）に変更し、化学的処理剤をトリブチルチタンクロリド(TiCl(C4H9)3)に変更し、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比を１：２０とし、接触生成物を調製するための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒はシクロヘキサンに変更した。
実施例 I-1-7
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をイソブチルマグネシウム（Mg(i-C4H9)2）に変更し、化学的処理剤をテトラブトキシチタン（Ti(i-C4H9)4）に変更し、接触生成物を調製するための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をイソブチルマグネシウム（Mg(i-C4H9)2）に変更し、化学的処理剤をテトラブトキシチタン（Ti(i-C4H9)4）に変更し、接触生成物を調製するための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をメチルシクロヘキサンに変更した。
実施例 I-1-8
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエチルマグネシウムクロリド（Mg(C2H5)Cl）に変更し、化学的処理剤をトリイソブトキシエチルジルコニウム（Zr(CH3CH2)(i-C4H9)3）に変更し、接触生成物を調製するための溶媒をクロロヘキサンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をクロロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエチルマグネシウムクロリド（Mg(C2H5)Cl）に変更し、化学的処理剤をトリイソブトキシエチルジルコニウム（Zr(CH3CH2)(i-C4H9)3）に変更し、接触生成物を調製するための溶媒をクロロヘキサンに変更した。
非メタロセン配位子を
実施例 I-1-9
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をブチルマグネシウムクロリド（Mg(C4H9)Cl）に変更し、化学的処理剤をジエトキシチタンジクロリド（(TiCl2(OCH3CH2)2）に変更し、接触生成物を調製するための溶媒をクロロトルエンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をクロロトルエンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をブチルマグネシウムクロリド（Mg(C4H9)Cl）に変更し、化学的処理剤をジエトキシチタンジクロリド（(TiCl2(OCH3CH2)2）に変更し、接触生成物を調製するための溶媒をクロロトルエンに変更した。
非メタロセン配位子を
実施例 I-1-10
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をブチルエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)(C4H9)）に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をブチルエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)(C4H9)）に変更した。
非メタロセン配位子を
実施例 I-1-11
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をマグネシウムクロリド（MgCl2）とエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)2）とのモル比１：２の組合せに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をマグネシウムクロリド（MgCl2）とエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)2）とのモル比１：２の組合せに変更した。
非メタロセン配位子を
実施例 I-1-12
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)2）とブチルマグネシウム（Mg(C4H9)2）とのモル比０．５：１の組合せに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)2）とブチルマグネシウム（Mg(C4H9)2）とのモル比０．５：１の組合せに変更した。
非メタロセン配位子を
実施例 I-1-13
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をマグネシウムクロリド（MgCl 2）とマグネシウムブロミド（MgBr2）とのモル比１：４の組合せに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をマグネシウムクロリド（MgCl 2）とマグネシウムブロミド（MgBr2）とのモル比１：４の組合せに変更した。
非メタロセン配位子を
実施例 I-1-14
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウムクロリド（Mg(OC2H5)Cl）とエチルブトキシマグネシウム（Mg(C2H5) (OC4H9)）とのモル比０．５：１の組合せに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウムクロリド（Mg(OC2H5)Cl）とエチルブトキシマグネシウム（Mg(C2H5) (OC4H9)）とのモル比０．５：１の組合せに変更した。
非メタロセン配位子を
参考実施例 I-1-1
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）を０．３０対１とした。
得られた触媒をCAT-I-Aと称する。その中のＴｉ含量（質量基準）は、７．９％であり、Ｍｇ含量（質量基準）は１２．３％であった。
この参考実施例から判るように、接触生成物を調製するために同じ方法を使用したが、生成物担持触媒中のTiおよびMg含量を低減させた。このことは、導入する非メタロセン配位子の担持量を増大させた結果として、担持非メタロセン触媒の担持量を増大させることによって達成された。この結果は、本発明の方法を使用することによって、マグネシウム化合物上の非メタロセン配位子の担持量を低い値から高い値まで自在に調節できることを示している。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）を０．３０対１とした。
得られた触媒をCAT-I-Aと称する。その中のＴｉ含量（質量基準）は、７．９％であり、Ｍｇ含量（質量基準）は１２．３％であった。
この参考実施例から判るように、接触生成物を調製するために同じ方法を使用したが、生成物担持触媒中のTiおよびMg含量を低減させた。このことは、導入する非メタロセン配位子の担持量を増大させた結果として、担持非メタロセン触媒の担持量を増大させることによって達成された。この結果は、本発明の方法を使用することによって、マグネシウム化合物上の非メタロセン配位子の担持量を低い値から高い値まで自在に調節できることを示している。
参考実施例 I-1-2
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
TiCl4のマグネシウム化合物に対する比は１：１であった。
得られた触媒をCAT-I-Bと称する。その中のＴｉ含量（質量基準）は、９．７％であり、Ｍｇ含量（質量基準）は１１．６％であった。
この参考実施例から判るように、導入する非メタロセン配位子を同じ量とすると、触媒中のTi含量を増加させ、およびMg含量を低下させることによって、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒の重合活性を向上させることができる。このことは、本発明の方法を使用することによって、用いる化学的処理剤の量を変えることによって、得られるマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒の重合活性を自在に（好ましくは高い程度に）調節することができるということを示している。
以下の変更点を除いて、実施例I-1と実質的に同じ操作を行った。
TiCl4のマグネシウム化合物に対する比は１：１であった。
得られた触媒をCAT-I-Bと称する。その中のＴｉ含量（質量基準）は、９．７％であり、Ｍｇ含量（質量基準）は１１．６％であった。
この参考実施例から判るように、導入する非メタロセン配位子を同じ量とすると、触媒中のTi含量を増加させ、およびMg含量を低下させることによって、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒の重合活性を向上させることができる。このことは、本発明の方法を使用することによって、用いる化学的処理剤の量を変えることによって、得られるマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒の重合活性を自在に（好ましくは高い程度に）調節することができるということを示している。
実施例 I-2
以下の実施例では、複合化学的処理剤（化学的処理剤および予備処理剤の組合せを称する）を使用した。
無水MgCl2はマグネシウム化合物として使用した。複合化学的処理剤は（化学的処理剤としての）TiCl4、および（予備処理剤としての）トリエチルアルミニウムの組合せであった。
無水塩化マグネシウム５ｇを計量し、ヘキサン２５ｍｌをそれに添加して、塩化マグネシウムをその中に分散させた。その後、その中にヘキサン中のトリエチルアルミニウム溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、反応を１時間継続させた。その後、生成物を濾過し、ヘキサンによって１回洗浄して、予備処理したマグネシウム化合物を得た。その中に撹拌しながらTiCl4を滴下により３０分間で添加し、反応を６０℃で２時間継続した。生成物を濾過し、ヘキサンで３回（各回２５ｍｌ）洗浄し、25℃にて６時間乾燥させて、接触生成物が得られた。
以下の実施例では、複合化学的処理剤（化学的処理剤および予備処理剤の組合せを称する）を使用した。
無水MgCl2はマグネシウム化合物として使用した。複合化学的処理剤は（化学的処理剤としての）TiCl4、および（予備処理剤としての）トリエチルアルミニウムの組合せであった。
無水塩化マグネシウム５ｇを計量し、ヘキサン２５ｍｌをそれに添加して、塩化マグネシウムをその中に分散させた。その後、その中にヘキサン中のトリエチルアルミニウム溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、反応を１時間継続させた。その後、生成物を濾過し、ヘキサンによって１回洗浄して、予備処理したマグネシウム化合物を得た。その中に撹拌しながらTiCl4を滴下により３０分間で添加し、反応を６０℃で２時間継続した。生成物を濾過し、ヘキサンで３回（各回２５ｍｌ）洗浄し、25℃にて６時間乾燥させて、接触生成物が得られた。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：２であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１であった。
構造
の非メタロセン配位子を、（非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒としての）ヘキサン中に溶解させ、次に、撹拌しながら接触生成物をそこに加え、反応を４時間継続した。濾過後、ヘキサンで2回（各回25ml）洗浄し、25℃にて6時間乾燥した後、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒が得られた。
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１００g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１１：１であった。
得られた触媒をCAT-I-2と称する。
構造
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１００g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１１：１であった。
得られた触媒をCAT-I-2と称する。
実施例 I-2-1
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物として臭化マグネシウム（MgBr2）を使用した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）メチルアルミノキサンの組合せであった。
メチルアルミノキサンのトルエン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、２時間反応させた。その後、生成物を濾過し、トルエンによって１回洗浄した。その中に撹拌しながらTiCl4を滴下により３０分間で添加し、反応を１０５℃で０．５時間継続した。生成物を濾過し、トルエンで２回洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：４．５であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１．８であった。
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物として臭化マグネシウム（MgBr2）を使用した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）メチルアルミノキサンの組合せであった。
メチルアルミノキサンのトルエン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、２時間反応させた。その後、生成物を濾過し、トルエンによって１回洗浄した。その中に撹拌しながらTiCl4を滴下により３０分間で添加し、反応を１０５℃で０．５時間継続した。生成物を濾過し、トルエンで２回洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：４．５であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１．８であった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をトルエンに変更した。
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は５０ｇ／Ｌであって、非メタロセン配位子の接触生成物に対するモル比は０．２２：１であった。
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は５０ｇ／Ｌであって、非メタロセン配位子の接触生成物に対するモル比は０．２２：１であった。
実施例 I-2-2
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物としてエトキシマグネシウムクロリド(MgCl(OC2H5))を使用した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）ZnCl4および（予備処理剤としての）トリエチルアルミニウムの組合せであった。
トリエチルアルミニウムのヘプタン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、２時間反応させた。その後、生成物を濾過し、ヘプタンによって２回洗浄した。撹拌しながらZrCl4のトルエン中溶液を滴下により３０分間で添加し、反応を１００℃で４時間継続した。生成物を濾過し、ヘプタンで１回洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：５であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１であった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をヘプタンに変更した。
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１７０ｇ／Ｌであって、非メタロセン配位子の接触生成物に対するモル比は０．２９：１であった。
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物としてエトキシマグネシウムクロリド(MgCl(OC2H5))を使用した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）ZnCl4および（予備処理剤としての）トリエチルアルミニウムの組合せであった。
トリエチルアルミニウムのヘプタン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、２時間反応させた。その後、生成物を濾過し、ヘプタンによって２回洗浄した。撹拌しながらZrCl4のトルエン中溶液を滴下により３０分間で添加し、反応を１００℃で４時間継続した。生成物を濾過し、ヘプタンで１回洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：５であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１であった。
非メタロセン配位子を
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１７０ｇ／Ｌであって、非メタロセン配位子の接触生成物に対するモル比は０．２９：１であった。
実施例 I-2-3
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiBr4および（予備処理剤としての）トリエチルアルミニウムの組合せであった。
トリエチルアルミニウムのデカン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、１時間反応させた。その後、TiBr4のデカン中溶液を撹拌しながら３０分間で滴下により添加し、１１０℃にて１時間で反応を継続した。生成物を濾過し、およびデカンで１回洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：２５であった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をデカンに変更した。
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は７９ｇ／Ｌであって、非メタロセン配位子の接触生成物に対するモル比は０．４８：１であった。
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiBr4および（予備処理剤としての）トリエチルアルミニウムの組合せであった。
トリエチルアルミニウムのデカン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、１時間反応させた。その後、TiBr4のデカン中溶液を撹拌しながら３０分間で滴下により添加し、１１０℃にて１時間で反応を継続した。生成物を濾過し、およびデカンで１回洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：２５であった。
非メタロセン配位子を
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は７９ｇ／Ｌであって、非メタロセン配位子の接触生成物に対するモル比は０．４８：１であった。
実施例 I-2-4
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）ZnBr4および（予備処理剤としての）トリイソブチルアルミニウムの組合せであった。
トリイソブチルアルミニウムのペンタン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、１時間反応させた。その後、撹拌しながらZrBr4のペンタン中溶液を滴下により３０分間で添加し、反応を３０℃で８時間継続した。生成物を濾過し、ペンタンで洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：５０であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：６であった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をジクロロメタンに変更した。
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は２１４ｇ／Ｌであって、非メタロセン配位子の接触生成物に対するモル比は０．１５：１であった。
乾燥は、真空下での直接乾燥によって行った。
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）ZnBr4および（予備処理剤としての）トリイソブチルアルミニウムの組合せであった。
トリイソブチルアルミニウムのペンタン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、１時間反応させた。その後、撹拌しながらZrBr4のペンタン中溶液を滴下により３０分間で添加し、反応を３０℃で８時間継続した。生成物を濾過し、ペンタンで洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：５０であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：６であった。
非メタロセン配位子を
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は２１４ｇ／Ｌであって、非メタロセン配位子の接触生成物に対するモル比は０．１５：１であった。
乾燥は、真空下での直接乾燥によって行った。
実施例 I-2-5
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物としてエトキシマグネシウムを使用した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）トリメチルアルミニウムの組合せであった。
洗浄はエチルベンゼンを用いて行った。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：３５であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１．２であった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をエチルベンゼンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物としてエトキシマグネシウムを使用した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）トリメチルアルミニウムの組合せであった。
洗浄はエチルベンゼンを用いて行った。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：３５であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１．２であった。
非メタロセン配位子を
実施例 I-2-6
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物としてイソブトキシマグネシウム（Mg(i-OC4H9)2）を使用した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）トリエトキシアルミニウムの組合せであった。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：１４であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：４であった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物としてイソブトキシマグネシウム（Mg(i-OC4H9)2）を使用した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）トリエトキシアルミニウムの組合せであった。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：１４であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：４であった。
非メタロセン配位子を
実施例 I-2-7
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物としてエチルマグネシウム（Mg(C2H5)Cl）を使用した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）イソブチルアルミニウムの組合せであった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をメチルシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物としてエチルマグネシウム（Mg(C2H5)Cl）を使用した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）イソブチルアルミニウムの組合せであった。
非メタロセン配位子を
実施例 I-2-8
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物としてブチルエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)(C4H9)）を使用した。
非メタロセン配位子を
に変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物としてブチルエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)(C4H9)）を使用した。
非メタロセン配位子を
実施例 I-2-9
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物としてブチルマグネシウムクロリド（Mg(C4H9)Cl）を使用した。
非メタロセン配位子を
に変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物としてブチルマグネシウムクロリド（Mg(C4H9)Cl）を使用した。
非メタロセン配位子を
実施例 I-2-10
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物として、MgCl2とエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)2）のモル比１：２の混合物を使用した。
非メタロセン配位子を
に変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-2と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物として、MgCl2とエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)2）のモル比１：２の混合物を使用した。
非メタロセン配位子を
実施例I-3
無水塩化マグネシウム（マグネシウム化合物として）５ｇを計量し、そこにテトラヒドロフランおよびエタノール（アルコールとして）の混合溶媒を添加した。混合物を撹拌しながら１．５時間で６０℃に加熱して溶液を生じさせた。次いで、ヘキサン（沈殿剤として）を添加して、固体を沈殿させた。その後、生成物を濾過し、ヘキサン25 mlで１回洗浄し、真空下８０℃で乾燥して、変性マグネシウム化合物を得た。
変性マグネシウム化合物にヘキサン５０mlを添加した。次いで、TiCl4（化学的処理剤として）TiCl4を撹拌しながら３０分間で滴下により添加し、６０℃で４時間反応させた。その後、生成物を濾過し、ヘキサンで３回洗浄して（各回２５ｍｌ）、９０℃にて２時間乾燥させて、接触生成物を得た。
構造：
の非メタロセン配位子を、（非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒としての）ヘキサン中に溶解させ、次に、撹拌しながら接触生成物をそこに加え、反応を４時間継続した。濾過後、ヘキサンで2回（各回25ml）洗浄し、25℃にて２時間乾燥した後、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒が得られた。
この実施例において、マグネシウム化合物のテトラヒドロフランに対するモル比は１：１２であり、マグネシウム化合物のアルコールに対するモル比は１：４であり、沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比は１：１．２５であり、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：２であり、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１００g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１１：１であった。
得られた触媒をCAT-I-3と称する。
無水塩化マグネシウム（マグネシウム化合物として）５ｇを計量し、そこにテトラヒドロフランおよびエタノール（アルコールとして）の混合溶媒を添加した。混合物を撹拌しながら１．５時間で６０℃に加熱して溶液を生じさせた。次いで、ヘキサン（沈殿剤として）を添加して、固体を沈殿させた。その後、生成物を濾過し、ヘキサン25 mlで１回洗浄し、真空下８０℃で乾燥して、変性マグネシウム化合物を得た。
変性マグネシウム化合物にヘキサン５０mlを添加した。次いで、TiCl4（化学的処理剤として）TiCl4を撹拌しながら３０分間で滴下により添加し、６０℃で４時間反応させた。その後、生成物を濾過し、ヘキサンで３回洗浄して（各回２５ｍｌ）、９０℃にて２時間乾燥させて、接触生成物を得た。
構造：
この実施例において、マグネシウム化合物のテトラヒドロフランに対するモル比は１：１２であり、マグネシウム化合物のアルコールに対するモル比は１：４であり、沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比は１：１．２５であり、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：２であり、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１００g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１１：１であった。
得られた触媒をCAT-I-3と称する。
実施例 I-3-1
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をマグネシウムブロミドに変更し、アルコールをプロパノールに変更し、化学的処理剤をTiBr4に変更し、沈殿剤をデカンに変更した。次いで、デカンを用いて２回洗浄を行った。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をデカンに変更した。
この実施例において、マグネシウム化合物のテトラヒドロフランに対するモル比は１：２０であり、マグネシウム化合物のアルコールに対するモル比は１：３であり、沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比は１：２であり、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：４．５であり、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は５０g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．２２：１であった。
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をマグネシウムブロミドに変更し、アルコールをプロパノールに変更し、化学的処理剤をTiBr4に変更し、沈殿剤をデカンに変更した。次いで、デカンを用いて２回洗浄を行った。
非メタロセン配位子を
この実施例において、マグネシウム化合物のテトラヒドロフランに対するモル比は１：２０であり、マグネシウム化合物のアルコールに対するモル比は１：３であり、沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比は１：２であり、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：４．５であり、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は５０g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．２２：１であった。
実施例 I-3-2
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウムクロリド（MgCl(OC2H5)）に変更し、アルコールをブタノールに変更し、沈殿剤をペンタンに変更した。次いで、ペンタンを用いて３回洗浄を行った。
化学的処理剤を、予めトルエン中に溶解させたZrCl4に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をトルエンに変更した。
この実施例において、マグネシウム化合物のテトラヒドロフランに対するモル比は１：２０であり、マグネシウム化合物のアルコールに対するモル比は１：６であり、沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比は１：４であり、化学的処理剤のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比は１：１であり、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１７０g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．２９：１であった。
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウムクロリド（MgCl(OC2H5)）に変更し、アルコールをブタノールに変更し、沈殿剤をペンタンに変更した。次いで、ペンタンを用いて３回洗浄を行った。
化学的処理剤を、予めトルエン中に溶解させたZrCl4に変更した。
非メタロセン配位子を
この実施例において、マグネシウム化合物のテトラヒドロフランに対するモル比は１：２０であり、マグネシウム化合物のアルコールに対するモル比は１：６であり、沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比は１：４であり、化学的処理剤のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比は１：１であり、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１７０g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．２９：１であった。
実施例 I-3-3
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をブトキシマグネシウムブロミド（MgBr(OC4H9)）に変更し、アルコールをヘキサノールに変更し、沈殿剤をシクロヘキサンに変更した。次いで、シクロヘキサンを用いて洗浄を行った。
化学的処理剤を、ZrBr4に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
この実施例において、マグネシウム化合物のテトラヒドロフランに対するモル比は１：１４であり、マグネシウム化合物のアルコールに対するモル比は１：１５であり、沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比は１：６であり、化学的処理剤のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比は１：３０であり、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は７９g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．４８：１であった。
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をブトキシマグネシウムブロミド（MgBr(OC4H9)）に変更し、アルコールをヘキサノールに変更し、沈殿剤をシクロヘキサンに変更した。次いで、シクロヘキサンを用いて洗浄を行った。
化学的処理剤を、ZrBr4に変更した。
非メタロセン配位子を
この実施例において、マグネシウム化合物のテトラヒドロフランに対するモル比は１：１４であり、マグネシウム化合物のアルコールに対するモル比は１：１５であり、沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比は１：６であり、化学的処理剤のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比は１：３０であり、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は７９g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．４８：１であった。
実施例 I-3-4
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)2）に変更し、マグネシウム化合物のテトラヒドロフランに対するモル比を１：１０に変更し、アルコールをヘプタノールに変更し、マグネシウム化合物のアルコールに対するモル比を１：６．３に変更し、化学的処理剤をテトラエチルチタンに変更し、テトラエチルチタンのマグネシウム化合物に対するモル比を１：２５とし、接触生成物を調製するための溶媒をジクロロメタンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をジクロロメタンに変更した。
この実施例において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は２１４g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１５：１であった。
反応が終了すると、生成物を濾過に付することなく、真空下で２５℃にて直接乾燥した。
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)2）に変更し、マグネシウム化合物のテトラヒドロフランに対するモル比を１：１０に変更し、アルコールをヘプタノールに変更し、マグネシウム化合物のアルコールに対するモル比を１：６．３に変更し、化学的処理剤をテトラエチルチタンに変更し、テトラエチルチタンのマグネシウム化合物に対するモル比を１：２５とし、接触生成物を調製するための溶媒をジクロロメタンに変更した。
非メタロセン配位子を
この実施例において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は２１４g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１５：１であった。
反応が終了すると、生成物を濾過に付することなく、真空下で２５℃にて直接乾燥した。
実施例 I-3-5
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をイソブトキシマグネシウム（Mg(i-OC4H9)2）に変更し、マグネシウム化合物のテトラヒドロフランに対するモル比を１：２５に変更し、アルコールをシクロヘキサノールに変更し、化学的処理剤をテトラブチルチタン（Ti(C4H9)4）に変更し、テトラブチルチタンのマグネシウム化合物に対するモル比を１：７．５とし、接触生成物を調製するための溶媒をキシレンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をキシレンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をイソブトキシマグネシウム（Mg(i-OC4H9)2）に変更し、マグネシウム化合物のテトラヒドロフランに対するモル比を１：２５に変更し、アルコールをシクロヘキサノールに変更し、化学的処理剤をテトラブチルチタン（Ti(C4H9)4）に変更し、テトラブチルチタンのマグネシウム化合物に対するモル比を１：７．５とし、接触生成物を調製するための溶媒をキシレンに変更した。
非メタロセン配位子を
実施例 I-3-6
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエチルマグネシウム（Mg(C2H5)2）に変更し、アルコールをフェニルブタノールに変更し、化学的処理剤をトリブチルチタンクロリド（TiCl(C4H9)3）に変更し、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比を１：２０とし、沈殿剤をシクロヘキサンに変更した。次いで、シクロヘキサンを用いて洗浄を行った。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエチルマグネシウム（Mg(C2H5)2）に変更し、アルコールをフェニルブタノールに変更し、化学的処理剤をトリブチルチタンクロリド（TiCl(C4H9)3）に変更し、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比を１：２０とし、沈殿剤をシクロヘキサンに変更した。次いで、シクロヘキサンを用いて洗浄を行った。
非メタロセン配位子を
実施例 I-3-7
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をイソブチルマグネシウム（Mg(i-C4H9)2）に変更し、化学的処理剤をテトライソブトキシチタン（Ti(i-C4H9)4）に変更し、接触生成物を調製するための溶媒をメチルシクロヘキサンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をメチルシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をイソブチルマグネシウム（Mg(i-C4H9)2）に変更し、化学的処理剤をテトライソブトキシチタン（Ti(i-C4H9)4）に変更し、接触生成物を調製するための溶媒をメチルシクロヘキサンに変更した。
非メタロセン配位子を
実施例 I-3-8
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエチルマグネシウムクロリド（Mg(C2H5)Cl）に変更し、化学的処理剤をトリイソブトキシエチルジルコニウム（Zr(CH3CH2)(i-C4H9)3）に変更し、接触生成物を調製するための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエチルマグネシウムクロリド（Mg(C2H5)Cl）に変更し、化学的処理剤をトリイソブトキシエチルジルコニウム（Zr(CH3CH2)(i-C4H9)3）に変更し、接触生成物を調製するための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
非メタロセン配位子を
実施例I-4
無水塩化マグネシウムMgCl2をマグネシウム化合物として使用した。実施例I-3に従って変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤はTiCl4（化学的処理剤として）およびトリエチルアルミニウム（予備処理剤として）の組合せであった。トリエチルアルミニウムのヘキサン中溶液（0.88mol/Lの濃度）を撹拌しながら１５分間で、変性マグネシウム化合物に滴下により添加し、反応を１時間継続した。次いで、撹拌しながら30分間でTiCl4を滴下により添加し、６０℃で２時間反応を継続した。その後、生成物を濾過し、ヘキサンで３回洗浄し（各回25 ml）、２５℃で６時間乾燥して、接触生成物を得た。
このステップにおいて、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：２であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１であった。
構造：
の非メタロセン配位子を、（非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒としての）ヘキサン中に溶解させ、次に、撹拌しながら接触生成物をそこに加え、反応を４時間継続した。濾過後、ヘキサンで2回（各回25ml）洗浄し、25℃にて６時間乾燥した後、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒が得られた。
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１００g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１１：１であった。
得られた触媒をCAT-I-4と称する。
無水塩化マグネシウムMgCl2をマグネシウム化合物として使用した。実施例I-3に従って変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤はTiCl4（化学的処理剤として）およびトリエチルアルミニウム（予備処理剤として）の組合せであった。トリエチルアルミニウムのヘキサン中溶液（0.88mol/Lの濃度）を撹拌しながら１５分間で、変性マグネシウム化合物に滴下により添加し、反応を１時間継続した。次いで、撹拌しながら30分間でTiCl4を滴下により添加し、６０℃で２時間反応を継続した。その後、生成物を濾過し、ヘキサンで３回洗浄し（各回25 ml）、２５℃で６時間乾燥して、接触生成物を得た。
このステップにおいて、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：２であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１であった。
構造：
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１００g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１１：１であった。
得られた触媒をCAT-I-4と称する。
実施例I-4-1
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-1に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）メチルアルミノキサンの組合せであった。
メチルアルミノキサンのトルエン中溶液（濃度１０重量％）を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、４時間で反応させた。生成物を濾過した。次いで、TiCl4を撹拌しながら３０分間で滴下により添加して、１０５℃にて０．５時間反応を継続した。生成物を濾過し、デカンで２回洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：６であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：２であった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をデカンに変更した。
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は５０g／Ｌであった。また、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．２２：１であった。
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-1に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）メチルアルミノキサンの組合せであった。
メチルアルミノキサンのトルエン中溶液（濃度１０重量％）を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、４時間で反応させた。生成物を濾過した。次いで、TiCl4を撹拌しながら３０分間で滴下により添加して、１０５℃にて０．５時間反応を継続した。生成物を濾過し、デカンで２回洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：６であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：２であった。
非メタロセン配位子を
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は５０g／Ｌであった。また、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．２２：１であった。
実施例I-4-2
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-2に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）ZrCl4および（予備処理剤としての）トリエチルアルミニウムの組合せであった。
トリエチルアルミニウムのトルエン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、２時間で反応させた。生成物を濾過し、トルエンで１回洗浄した。次いで、撹拌しながらZrCl4のトルエン中溶液を３０分間で滴下により添加して、１００℃にて４時間反応を継続した。生成物を濾過し、トルエンで洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：２．５であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：０．５であった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をトルエンに変更した。
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１７０g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．２９：１であった。
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-2に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）ZrCl4および（予備処理剤としての）トリエチルアルミニウムの組合せであった。
トリエチルアルミニウムのトルエン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、２時間で反応させた。生成物を濾過し、トルエンで１回洗浄した。次いで、撹拌しながらZrCl4のトルエン中溶液を３０分間で滴下により添加して、１００℃にて４時間反応を継続した。生成物を濾過し、トルエンで洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：２．５であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：０．５であった。
非メタロセン配位子を
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は１７０g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．２９：１であった。
実施例I-4-3
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-3に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。沈殿剤をシクロヘキサンに変更した。次いで、シクロヘキサンを用いて洗浄を行った。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiBr4および（予備処理剤としての）トリエチルアルミニウムの組合せであった。
トリエチルアルミニウムのデカン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、１時間で反応させた。次いで、撹拌しながらTiBr4のデカン中溶液を３０分間で滴下により添加し、１１０℃にて１時間反応を継続した。生成物を濾過し、デカンで４回洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：３５であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：６であった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をデカンに変更した。
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は７９g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．４８：１であった。
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-3に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。沈殿剤をシクロヘキサンに変更した。次いで、シクロヘキサンを用いて洗浄を行った。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiBr4および（予備処理剤としての）トリエチルアルミニウムの組合せであった。
トリエチルアルミニウムのデカン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、１時間で反応させた。次いで、撹拌しながらTiBr4のデカン中溶液を３０分間で滴下により添加し、１１０℃にて１時間反応を継続した。生成物を濾過し、デカンで４回洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：３５であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：６であった。
非メタロセン配位子を
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は７９g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．４８：１であった。
実施例I-4-4
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-4に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）トリメチルアルミニウムの組合せであった。
トリメチルアルミニウムのペンタン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、１時間で反応させた。次いで、撹拌しながらTiCl4のペンタン中溶液を３０分間で滴下により添加し、３０℃にて８時間反応を継続した。生成物を濾過し、ジクロロメタンで洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：１２であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：３であった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をジクロロメタンに変更した。
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は２１４g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１５：１であった。
反応を終了すると、生成物を濾過することなく、真空下で２５℃にて直接乾燥させた。
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-4に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）トリメチルアルミニウムの組合せであった。
トリメチルアルミニウムのペンタン中溶液を撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、１時間で反応させた。次いで、撹拌しながらTiCl4のペンタン中溶液を３０分間で滴下により添加し、３０℃にて８時間反応を継続した。生成物を濾過し、ジクロロメタンで洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：１２であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：３であった。
非メタロセン配位子を
この工程において、非メタロセン配位子の濃度（質量基準）は２１４g／Ｌであり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）は、０．１５：１であった。
反応を終了すると、生成物を濾過することなく、真空下で２５℃にて直接乾燥させた。
実施例I-4-5
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-5に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）ZrBr4および（予備処理剤としての）トリイソブチルアルミニウムの組合せであった。
トリイソブチルアルミニウムを撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、１時間で反応させた。次いで、撹拌しながらZrBr4のキシレン中溶液を３０分間で滴下により添加し、５０℃にて８時間反応を継続した。生成物を濾過し、キシレンで洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：４５であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１．４であった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をキシレンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-5に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）ZrBr4および（予備処理剤としての）トリイソブチルアルミニウムの組合せであった。
トリイソブチルアルミニウムを撹拌しながら１５分間で滴下により添加し、１時間で反応させた。次いで、撹拌しながらZrBr4のキシレン中溶液を３０分間で滴下により添加し、５０℃にて８時間反応を継続した。生成物を濾過し、キシレンで洗浄した。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：４５であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１．４であった。
非メタロセン配位子を
実施例I-4-6
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-6に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）トリエトキシアルミニウムの組合せであった。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：６０であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：５．７であった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-6に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）トリエトキシアルミニウムの組合せであった。
この工程において、化学的処理剤のマグネシウム化合物に対するモル比は１：６０であり、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：５．７であった。
非メタロセン配位子を
実施例I-4-7
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-7に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）イソブチルアルミノキサンの組合せであった。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をメチルシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-7に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。複合化学的処理剤は、（化学的処理剤としての）TiCl4および（予備処理剤としての）イソブチルアルミノキサンの組合せであった。
非メタロセン配位子を
実施例I-4-8
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-8に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。接触生成物を調製するための溶媒をクロロヘキサンに変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をクロロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例I-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-8に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。接触生成物を調製するための溶媒をクロロヘキサンに変更した。
非メタロセン配位子を
実施例 I-5 （適用）
実施例に従って製造した触媒CAT-I-1、CAT-I-2、CAT-I-3、およびCAT-I-4、ならびに参考実施例に従って製造した触媒CAT-I-AおよびCAT-I-Bのそれぞれを、助触媒としてのメチルアルミノキサンまたはトリエチルアルミニウムと組み合わせて、以下の条件にてエチレンの単独重合に使用して、使用する助触媒のタイプもしくは量（AlのTiに対するモル比）の、触媒の重合活性および得られるポリマーの嵩密度に対する影響を調べた。結果を以下の表I-1に示す。
反応装置：重合用の2Lオートクレーブ；
重合方法：スラリー重合；
条件；重合用の溶媒としてヘキサン、重合全圧0.8 MPa、重合温度85℃、水素ガス分圧0.2MPa、ならびに重合時間２時間。
実施例に従って製造した触媒CAT-I-1、CAT-I-2、CAT-I-3、およびCAT-I-4、ならびに参考実施例に従って製造した触媒CAT-I-AおよびCAT-I-Bのそれぞれを、助触媒としてのメチルアルミノキサンまたはトリエチルアルミニウムと組み合わせて、以下の条件にてエチレンの単独重合に使用して、使用する助触媒のタイプもしくは量（AlのTiに対するモル比）の、触媒の重合活性および得られるポリマーの嵩密度に対する影響を調べた。結果を以下の表I-1に示す。
反応装置：重合用の2Lオートクレーブ；
重合方法：スラリー重合；
条件；重合用の溶媒としてヘキサン、重合全圧0.8 MPa、重合温度85℃、水素ガス分圧0.2MPa、ならびに重合時間２時間。
表I-1中の実験番号１と２（または３と４）について得られた結果を対比すると判るように、使用する助触媒の量を増加させた場合、即ちアルミニウム：チタンのモル比を増加させた場合、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒の重合活性およびポリマー生成物の嵩密度は、実質的な程度での変化を示さなかった。このことは、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒をオレフィン重合に使用した場合に、この重合の活性を向上させるために、使用する助触媒の量を増加させることが必ずしも必要ではないということ、即ち、比較的少ない量の助触媒であっても、高い重合活性を達成することができるということを示している。
更に、表I-1中の実験番号１と５および６について得られた結果を対比すると判るように、使用する非メタロセン配位子の量または化学的処理剤の量を増加することによって、得られるマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒の重合活性を向上させることができ、ならびにポリマー嵩密度をも向上させることができる。このことによって、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒が、自在に調節することができる重合活性を有し、従って種々のオレフィン重合要求について適応することを特徴とすることが示される。
更に、表I-1中の実験番号７と８（または９と１０、もしくは１１と１２）について得られた結果を対比すると判るように、使用する助触媒の型は触媒の重合活性およびポリマー生成物の嵩密度に著しく影響を及ぼすものではない。このことは、本発明の触媒生成物が、使用される種々のタイプの助触媒と比較的親和性を有するということを示している。
実施例II-1
無水塩化マグネシウムをマグネシウム化合物として使用し、化学的処理剤としてTiCl4を使用した。
構造
の非メタロセン配位子の所定量を（非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒としての）ジクロロメタン２５mlに溶解させ、そこに無水塩化マグネシウム５gを添加し、３０℃で４時間反応を継続した。濾過後、ヘキサンで2回（各回25ml）洗浄し、真空乾燥した後、接触生成物を得た。
次いで、接触生成物にヘキサン２５mlを添加した。次いで、撹拌しながらTiCl4を滴下により１５分間で添加し、３０℃で４時間反応させた。生成物を濾過し、ヘキサンで３回洗浄し（各回２５ml）、真空乾燥して、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を得た。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．５であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：５であった。
得られた触媒をCAT-II-1と称する。
無水塩化マグネシウムをマグネシウム化合物として使用し、化学的処理剤としてTiCl4を使用した。
構造
次いで、接触生成物にヘキサン２５mlを添加した。次いで、撹拌しながらTiCl4を滴下により１５分間で添加し、３０℃で４時間反応させた。生成物を濾過し、ヘキサンで３回洗浄し（各回２５ml）、真空乾燥して、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を得た。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．５であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：５であった。
得られた触媒をCAT-II-1と称する。
実施例II-1-1
以下の変更点を除いて、実施例II-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をマグネシウムブロミドに変更し、化学的処理剤をZrCl4に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をトルエンに変更した。
トルエンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．３であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：３であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をマグネシウムブロミドに変更し、化学的処理剤をZrCl4に変更した。
非メタロセン配位子を
トルエンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．３であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：３であった。
実施例II-1-2
以下の変更点を除いて、実施例II-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウムクロリド（MgCl(OC2H5)）に変更し、化学的処理剤をTi(CH2CH3)4に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をヘキサンに変更した。
ヘキサンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．９であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：７であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウムクロリド（MgCl(OC2H5)）に変更し、化学的処理剤をTi(CH2CH3)4に変更した。
非メタロセン配位子を
ヘキサンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．９であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：７であった。
実施例II-1-3
以下の変更点を除いて、実施例II-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をブトキシマグネシウムブロミド（MgBr(OC4H9)）に変更し、化学的処理剤をトリイソブチルチタンクロリド（TiCl(i-C4H9)3）に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をジクロロメタンに変更した。
濾過および洗浄を行うことなく、真空乾燥プロセスにより乾燥を行った。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．７であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をブトキシマグネシウムブロミド（MgBr(OC4H9)）に変更し、化学的処理剤をトリイソブチルチタンクロリド（TiCl(i-C4H9)3）に変更した。
非メタロセン配位子を
濾過および洗浄を行うことなく、真空乾燥プロセスにより乾燥を行った。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．７であった。
実施例II-1-4
以下の変更点を除いて、実施例II-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウム(Mg(OC2H5)2)に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をクロロトルエンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例II-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウム(Mg(OC2H5)2)に変更した。
非メタロセン配位子を
実施例II-1-5
以下の変更点を除いて、実施例II-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をイソブトキシマグネシウム(Mg(i-OC4H9)2)に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例II-1と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をイソブトキシマグネシウム(Mg(i-OC4H9)2)に変更した。
非メタロセン配位子を
実施例II-1-6
以下の変更点を除いて、実施例II-1と実質的に同じ操作を行った。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をクロロシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例II-1と実質的に同じ操作を行った。
非メタロセン配位子を
実施例II-2
無水塩化マグネシウムをマグネシウム化合物として使用し、化学的処理剤としてTiCl4を使用し、構造
の化合物を非メタロセン配位子として使用した。
実施例I-3に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
所定量の非メタロセン配位子を、（非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒としての）ジクロロメタン２５mlに溶解させ、そこに変性マグネシウム化合物を添加し、３０℃で４時間反応を継続した。濾過後、ヘキサンで2回（各回25ml）洗浄し、真空乾燥した後、接触生成物を得た。
次いで、接触生成物にヘキサン２５mlを添加した。次いで、撹拌しながらTiCl4を滴下により３０分間で添加し、３０℃で４時間反応させた。生成物を濾過し、ヘキサンで３回洗浄し（各回２５ml）、真空乾燥して、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を得た。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．５であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：５であった。
得られた触媒をCAT-II-2と称する。
無水塩化マグネシウムをマグネシウム化合物として使用し、化学的処理剤としてTiCl4を使用し、構造
実施例I-3に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
所定量の非メタロセン配位子を、（非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒としての）ジクロロメタン２５mlに溶解させ、そこに変性マグネシウム化合物を添加し、３０℃で４時間反応を継続した。濾過後、ヘキサンで2回（各回25ml）洗浄し、真空乾燥した後、接触生成物を得た。
次いで、接触生成物にヘキサン２５mlを添加した。次いで、撹拌しながらTiCl4を滴下により３０分間で添加し、３０℃で４時間反応させた。生成物を濾過し、ヘキサンで３回洗浄し（各回２５ml）、真空乾燥して、本発明のマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を得た。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．５であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：５であった。
得られた触媒をCAT-II-2と称する。
実施例II-2-1
以下の変更点を除いて、実施例II-2と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-1に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。化学的処理剤をZrCl4に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をトルエンに変更した。
トルエンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．３であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：３であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-2と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-1に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。化学的処理剤をZrCl4に変更した。
非メタロセン配位子を
トルエンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．３であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：３であった。
実施例II-2-2
以下の変更点を除いて、実施例II-2と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-2に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をヘキサンに変更した。
ヘキサンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．９であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：７であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-2と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-2に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
ヘキサンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．９であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：７であった。
実施例II-2-3
以下の変更点を除いて、実施例II-2と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-3に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をジクロロメタンに変更した。
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．７であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-2と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-3に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
この実施例において、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．７であった。
実施例II-2-4
以下の変更点を除いて、実施例II-2と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-4に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をクロロトルエンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例II-2と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-4に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
実施例II-2-5
以下の変更点を除いて、実施例II-2と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-5に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例II-2と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-5に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
実施例II-2-6
以下の変更点を除いて、実施例II-2と実質的に同じ操作を行った。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をクロロシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例II-2と実質的に同じ操作を行った。
非メタロセン配位子を
実施例II-3
無水塩化マグネシウムをマグネシウム化合物として使用し、TiCl4を化学的処理剤として使用した。
無水塩化マグネシウム５ｇを計量し、そこにトルエン２５ｍｌを添加した。次いで、撹拌しながらメチルアルミノキサンを１５分間で滴下により添加し、９０℃にて２時間で反応させた。その後、生成物を濾過し、トルエンで２回洗浄し（各回25 ml）、９０℃で真空乾燥して、予備処理したマグネシウム化合物を得た。
構造：
の非メタロセン配位子の所定量を、（非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒としての）ジクロロメタン２５ml中に溶解させ、次に、撹拌しながら予備処理したマグネシウム化合物をそこに加え、３０℃で反応を４時間継続した。生成物を濾過後、ヘキサンで３回（各回25ml）洗浄し、真空乾燥した後、担持非メタロセン触媒が得られた。
このようにして得られた接触生成物に、溶媒として、ヘキサン２５mlを添加した。更に、撹拌しながらTiCl4を３０分間で滴下により添加し、３０℃にて４時間反応を継続した。生成物を濾過し、ヘキサンで３回洗浄し（各回25 ml）、真空乾燥して、担持された非メタロセン触媒を得た。
この実施例において、非メタロセン配位子の予備処理剤に対するモル比は１：１であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に例えば逸するモル比は１：０．５であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：５であった。
得られた触媒をCAT-II-3と称する。
無水塩化マグネシウムをマグネシウム化合物として使用し、TiCl4を化学的処理剤として使用した。
無水塩化マグネシウム５ｇを計量し、そこにトルエン２５ｍｌを添加した。次いで、撹拌しながらメチルアルミノキサンを１５分間で滴下により添加し、９０℃にて２時間で反応させた。その後、生成物を濾過し、トルエンで２回洗浄し（各回25 ml）、９０℃で真空乾燥して、予備処理したマグネシウム化合物を得た。
構造：
このようにして得られた接触生成物に、溶媒として、ヘキサン２５mlを添加した。更に、撹拌しながらTiCl4を３０分間で滴下により添加し、３０℃にて４時間反応を継続した。生成物を濾過し、ヘキサンで３回洗浄し（各回25 ml）、真空乾燥して、担持された非メタロセン触媒を得た。
この実施例において、非メタロセン配位子の予備処理剤に対するモル比は１：１であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に例えば逸するモル比は１：０．５であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：５であった。
得られた触媒をCAT-II-3と称する。
実施例II-3-1
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をマグネシウムブロミドに変更し、化学的処理剤をZrCl4に変更し、非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をトルエンに変更した。
マグネシウム化合物に溶媒としてベンゼンを添加した。次いで、撹拌しながらイソブチルアルミノキサンを１５分間で滴下により添加した後、反応を１００℃で２時間継続した。生成物を濾過し、ベンゼンで洗浄し、１００℃で真空乾燥して、予備処理したマグネシウム化合物を得た。
トルエンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：３であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．３であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：３であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をマグネシウムブロミドに変更し、化学的処理剤をZrCl4に変更し、非メタロセン配位子を
マグネシウム化合物に溶媒としてベンゼンを添加した。次いで、撹拌しながらイソブチルアルミノキサンを１５分間で滴下により添加した後、反応を１００℃で２時間継続した。生成物を濾過し、ベンゼンで洗浄し、１００℃で真空乾燥して、予備処理したマグネシウム化合物を得た。
トルエンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：３であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．３であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：３であった。
実施例II-3-2
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウムクロリド（MgCl(OC2H5)）に変更し、化学的処理剤をTi(CH2CH3)4に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をヘキサンに変更した。
マグネシウム化合物に溶媒としてヘキサンを添加した。次いで、撹拌しながらトリエチルアルミニウムを１５分間で滴下により添加した後、反応を６０℃で４時間継続した。生成物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、９０℃で真空乾燥して、予備処理したマグネシウム化合物を得た。
ヘキサンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：２であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．９であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：７であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウムクロリド（MgCl(OC2H5)）に変更し、化学的処理剤をTi(CH2CH3)4に変更した。
非メタロセン配位子を
マグネシウム化合物に溶媒としてヘキサンを添加した。次いで、撹拌しながらトリエチルアルミニウムを１５分間で滴下により添加した後、反応を６０℃で４時間継続した。生成物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、９０℃で真空乾燥して、予備処理したマグネシウム化合物を得た。
ヘキサンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：２であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．９であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：７であった。
実施例II-3-3
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をブトキシマグネシウムブロミド（MgBr(OC4H9)）に変更し、化学的処理剤をトリイソブチルチタンクロリド（TiCl(i-C4H9)3）に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をジクロロメタンに変更した。
マグネシウム化合物に溶媒としてジクロロメタンを添加した。次いで、撹拌しながらトリイソブチルアルミニウムを１５分間で滴下により添加した後、反応を３０℃で８時間継続した。生成物を濾過し、３０℃で直接的に真空乾燥して、予備処理したマグネシウム化合物を得た。
濾過および洗浄を行わず、真空乾燥を用いて乾燥を行った。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：４であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．７であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をブトキシマグネシウムブロミド（MgBr(OC4H9)）に変更し、化学的処理剤をトリイソブチルチタンクロリド（TiCl(i-C4H9)3）に変更した。
非メタロセン配位子を
マグネシウム化合物に溶媒としてジクロロメタンを添加した。次いで、撹拌しながらトリイソブチルアルミニウムを１５分間で滴下により添加した後、反応を３０℃で８時間継続した。生成物を濾過し、３０℃で直接的に真空乾燥して、予備処理したマグネシウム化合物を得た。
濾過および洗浄を行わず、真空乾燥を用いて乾燥を行った。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：４であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．７であった。
実施例II-3-4
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)2）に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をクロロトルエンに変更した。
マグネシウム化合物に溶媒としてクロロトルエンを添加した。次いで、撹拌しながらトリエチルアルミニウムおよびメチルアルミノキサンを１５分間で滴下により添加した後、反応を８０℃で０．５時間継続した。生成物を濾過し、クロロトルエンで洗浄し、８０℃で真空乾燥して、予備処理したマグネシウム化合物を得た。
この実施例において、メチルアルミノキサンのトリエチルアルミニウムに対するモル比は１：１であり、マグネシウム化合物のメチルアルミノキサンに対するモル比は１：０．５であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をエトキシマグネシウム（Mg(OC2H5)2）に変更した。
非メタロセン配位子を
マグネシウム化合物に溶媒としてクロロトルエンを添加した。次いで、撹拌しながらトリエチルアルミニウムおよびメチルアルミノキサンを１５分間で滴下により添加した後、反応を８０℃で０．５時間継続した。生成物を濾過し、クロロトルエンで洗浄し、８０℃で真空乾燥して、予備処理したマグネシウム化合物を得た。
この実施例において、メチルアルミノキサンのトリエチルアルミニウムに対するモル比は１：１であり、マグネシウム化合物のメチルアルミノキサンに対するモル比は１：０．５であった。
実施例II-3-5
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をイソブトキシマグネシウム（Mg(i-OC4H9)2）に変更した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物をイソブトキシマグネシウム（Mg(i-OC4H9)2）に変更した。
非メタロセン配位子を
実施例II-3-6
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をクロロシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
非メタロセン配位子を
実施例II-4
無水塩化マグネシウムをマグネシウム化合物として使用し、TiCl4を化学的処理剤として使用した。
実施例I-3に従って変性マグネシウム化合物を調製した。
無水塩化マグネシウム５ｇを計量し、そこにトルエン２５ｍｌを添加した。次いで、撹拌しながら１５分間でメチルアルミノキサンを滴下により添加し、９０℃で２時間反応を継続した。その後、生成物を濾過し、トルエンで２回洗浄し（各回25 ml）、９０℃で真空乾燥して、予備処理されたマグネシウム化合物を得た。
構造：
の非メタロセン配位子の所定量を（非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒としての）ジクロロメタン２５mlに溶解させ、そこに予備処理されたマグネシウム化合物を添加して、３０℃で４時間反応を継続した。濾過後、ヘキサンで2回（各回25ml）洗浄し、真空乾燥した後、接触生成物を得た。
次いで、このようにして得られた接触生成物に溶媒としてのヘキサン25mlを添加した。更に、撹拌しながらTiCl4を滴下により３０分間で添加し、３０℃で４時間反応させた。生成物を濾過し、ヘキサンで３回洗浄し（各回２５ml）、真空乾燥して、担持非メタロセン触媒を得た。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．５であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：５であった。
得られた触媒をCAT-II-4と称する。
無水塩化マグネシウムをマグネシウム化合物として使用し、TiCl4を化学的処理剤として使用した。
実施例I-3に従って変性マグネシウム化合物を調製した。
無水塩化マグネシウム５ｇを計量し、そこにトルエン２５ｍｌを添加した。次いで、撹拌しながら１５分間でメチルアルミノキサンを滴下により添加し、９０℃で２時間反応を継続した。その後、生成物を濾過し、トルエンで２回洗浄し（各回25 ml）、９０℃で真空乾燥して、予備処理されたマグネシウム化合物を得た。
構造：
次いで、このようにして得られた接触生成物に溶媒としてのヘキサン25mlを添加した。更に、撹拌しながらTiCl4を滴下により３０分間で添加し、３０℃で４時間反応させた。生成物を濾過し、ヘキサンで３回洗浄し（各回２５ml）、真空乾燥して、担持非メタロセン触媒を得た。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：１であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．５であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：５であった。
得られた触媒をCAT-II-4と称する。
実施例II-4-1
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-1に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。化学的処理剤をZrCl4に変更し、非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をトルエンに変更した。
変性されたマグネシウム化合物に、溶媒としてのエチルベンゼンを添加した。次いで、撹拌しながらイソブチルアルミノキサンを滴下により１５分間で添加し、１００℃で２時間反応させた。生成物を濾過し、エチルベンゼンで洗浄し、１００℃で真空乾燥して、予備処理されたマグネシウム化合物を得た。
トルエンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：３であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．３であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：３であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-1に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。化学的処理剤をZrCl4に変更し、非メタロセン配位子を
変性されたマグネシウム化合物に、溶媒としてのエチルベンゼンを添加した。次いで、撹拌しながらイソブチルアルミノキサンを滴下により１５分間で添加し、１００℃で２時間反応させた。生成物を濾過し、エチルベンゼンで洗浄し、１００℃で真空乾燥して、予備処理されたマグネシウム化合物を得た。
トルエンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：３であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．３であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：３であった。
実施例II-4-2
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-2に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をヘキサンに変更した。
変性されたマグネシウム化合物に、溶媒としてのヘキサンを添加した。次いで、撹拌しながらトリエチルアルミニウムを滴下により１５分間で添加し、６０℃で４時間反応させた。生成物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、９０℃で真空乾燥して、予備処理されたマグネシウム化合物を得た。
ヘキサンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：２であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．９であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：７であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-2に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
変性されたマグネシウム化合物に、溶媒としてのヘキサンを添加した。次いで、撹拌しながらトリエチルアルミニウムを滴下により１５分間で添加し、６０℃で４時間反応させた。生成物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、９０℃で真空乾燥して、予備処理されたマグネシウム化合物を得た。
ヘキサンを用いて洗浄を行い、その後真空乾燥を行った。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：２であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．９であり、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物に対するモル比は１：７であった。
実施例II-4-3
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-3に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をジクロロメタンに変更した。
変性されたマグネシウム化合物に、溶媒としてのジクロロメタンを添加した。次いで、撹拌しながらトリイソブチルアルミニウムを滴下により１５分間で添加し、３０℃で８時間反応させた。生成物を濾過し、３０℃で真空乾燥して、予備処理されたマグネシウム化合物を得た。
濾過および洗浄を行わずに、真空乾燥プロセスにて乾燥を行った。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：４であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．７であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-3に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
変性されたマグネシウム化合物に、溶媒としてのジクロロメタンを添加した。次いで、撹拌しながらトリイソブチルアルミニウムを滴下により１５分間で添加し、３０℃で８時間反応させた。生成物を濾過し、３０℃で真空乾燥して、予備処理されたマグネシウム化合物を得た。
濾過および洗浄を行わずに、真空乾燥プロセスにて乾燥を行った。
この実施例において、マグネシウム化合物の予備処理剤に対するモル比は１：４であり、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．７であった。
実施例II-4-4
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-4に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をクロロトルエンに変更した。
変性されたマグネシウム化合物に、溶媒としてのクロロトルエンを添加した。次いで、撹拌しながらトリエチルアルミニウムおよびメチルアルミノキサンを滴下により１５分間で添加し、８０℃で０．５時間反応させた。生成物を濾過し、クロロトルエンで洗浄し、８０℃で真空乾燥して、予備処理されたマグネシウム化合物を得た。
この実施例において、メチルアルミノキサンのトリエチルアルミニウムに対するモル比は１：１であり、マグネシウム化合物のメチルアルミノキサンに対するモル比は１：０．５であった。
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-4に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
変性されたマグネシウム化合物に、溶媒としてのクロロトルエンを添加した。次いで、撹拌しながらトリエチルアルミニウムおよびメチルアルミノキサンを滴下により１５分間で添加し、８０℃で０．５時間反応させた。生成物を濾過し、クロロトルエンで洗浄し、８０℃で真空乾燥して、予備処理されたマグネシウム化合物を得た。
この実施例において、メチルアルミノキサンのトリエチルアルミニウムに対するモル比は１：１であり、マグネシウム化合物のメチルアルミノキサンに対するモル比は１：０．５であった。
実施例II-4-5
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-5に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
実施例I-3-5に従って、変性マグネシウム化合物を調製した。
非メタロセン配位子を
実施例II-4-6
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
非メタロセン配位子を
に変更し、非メタロセン配位子を溶解させるための溶媒をクロロシクロヘキサンに変更した。
以下の変更点を除いて、実施例II-3と実質的に同じ操作を行った。
非メタロセン配位子を
実施例II-5 （適用）
担持触媒CAT-II-1〜CAT-II-4の各ケースについて、各担持触媒５０mgを助触媒と組み合わせて２Ｌのオートクレーブに添加した。次いで、そこに１Ｌのヘキサンを添加し、２５０ｒｐｍの速度にて撹拌を行った。温度が８５℃まで上昇する際に、エチレンを連続的に供給して、オートクレーブ内の全重合圧力を０．８ＭＰａに保持した。反応を２時間行った後、オートクレーブを大気圧に解放した。乾燥した後、ポリマー生成物を取り出して、計量した。結果を、以下の表II-１に示す。
担持触媒CAT-II-1〜CAT-II-4の各ケースについて、各担持触媒５０mgを助触媒と組み合わせて２Ｌのオートクレーブに添加した。次いで、そこに１Ｌのヘキサンを添加し、２５０ｒｐｍの速度にて撹拌を行った。温度が８５℃まで上昇する際に、エチレンを連続的に供給して、オートクレーブ内の全重合圧力を０．８ＭＰａに保持した。反応を２時間行った後、オートクレーブを大気圧に解放した。乾燥した後、ポリマー生成物を取り出して、計量した。結果を、以下の表II-１に示す。
実施例II-5-1
以下の変更点を除いて、実施例II-5と実質的に同じ操作を行った。
エチレンを供給する前に、圧力が０．２ＭＰａになるまで水素ガスを供給した。結果を以下の表II-１に示す。
以下の変更点を除いて、実施例II-5と実質的に同じ操作を行った。
エチレンを供給する前に、圧力が０．２ＭＰａになるまで水素ガスを供給した。結果を以下の表II-１に示す。
実施例II-5-2
以下の変更点を除いて、実施例II-5と実質的に同じ操作を行った。
エチレンを供給する前に、圧力が０．２ＭＰａになるまで水素ガスを供給した。エチレンを２分間連続して供給した後、計量ポンプにて、５０ｇの１−ヘキセンの全量を一度にコモノマーとして添加した。結果を以下の表II-１に示す。
以下の変更点を除いて、実施例II-5と実質的に同じ操作を行った。
エチレンを供給する前に、圧力が０．２ＭＰａになるまで水素ガスを供給した。エチレンを２分間連続して供給した後、計量ポンプにて、５０ｇの１−ヘキセンの全量を一度にコモノマーとして添加した。結果を以下の表II-１に示す。
参考実施例II-1-1
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
化学処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は1:0.25に変更され、得られた触媒はCAT II Aと称された。
重合プロセスは、実施例II-5-2に従って実施した。結果を以下の表II-1に示す。
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
化学処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は1:0.25に変更され、得られた触媒はCAT II Aと称された。
重合プロセスは、実施例II-5-2に従って実施した。結果を以下の表II-1に示す。
参考実施例II-1-2
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．７５であり、得られた触媒はCAT II Bと称された。
重合プロセスは、実施例II-5-2に従って進行した。結果を表II-1に示す
表II-1中の実験番号１３、１６および１７について得られた結果を対比すると判るように、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比を増大させたりまたは減少させたりすることによって、それに応じて触媒の重合活性が向上したりもしくは低減したりすることになり、ならびに分子量分布についてもある程度拡がらせたりもしくは狭めたりすることになる。
結果は、本発明の方法を用いることによって、化学的処理剤の量もしくは使用するメタロセン配位子の量を変動させることによって、このようにして得られるポリマー生成物の分子量分布および触媒の重合活性を自在に調節することができる。
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比は１：０．７５であり、得られた触媒はCAT II Bと称された。
重合プロセスは、実施例II-5-2に従って進行した。結果を表II-1に示す
表II-1中の実験番号１３、１６および１７について得られた結果を対比すると判るように、化学的処理剤の非メタロセン配位子に対するモル比を増大させたりまたは減少させたりすることによって、それに応じて触媒の重合活性が向上したりもしくは低減したりすることになり、ならびに分子量分布についてもある程度拡がらせたりもしくは狭めたりすることになる。
結果は、本発明の方法を用いることによって、化学的処理剤の量もしくは使用するメタロセン配位子の量を変動させることによって、このようにして得られるポリマー生成物の分子量分布および触媒の重合活性を自在に調節することができる。
参考実施例II-1-3
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物のメチルアルミノキサンに対するモル比を１：２に変更し、得られた触媒をCAT-II-Cと称する。
実施例 II-5-2に従って、重合プロセスを行った。結果を以下の表II-１に示す。
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物のメチルアルミノキサンに対するモル比を１：２に変更し、得られた触媒をCAT-II-Cと称する。
実施例 II-5-2に従って、重合プロセスを行った。結果を以下の表II-１に示す。
参考実施例II-1-4
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物のメチルアルミノキサンに対するモル比を１：０．５に変更し、得られた触媒はCAT-II-Dと称した。
実施例 II-5-2に従って、重合プロセスを行った。結果を以下の表II-１に示す。
表II-1中の実験番号１３、１８および１９について得られた結果を対比すると判るように、マグネシウム化合物のアルミノキサンに対するモル比を増大させたりもしくは減少させたりすると、それに応じて触媒の重合活性が向上したりもしくは低減したりすることになり、ならびに分子量分布についてもある程度拡がらせたりもしくは狭めたりすることになる。
結果は、本発明の方法を用いると、使用する予備処理剤の量を変動させることによって、かくして得られるポリマー生成物の分子量分布および触媒の重合活性を自在に調節することができるということを示している。
表II-1中の実験番号４と５（または７と８、もしくは１３と１４）について得られた結果を対比すると判るように、共重合の場合に、触媒は向上した重合活性を示すことおよび狭まった分子量分布が得られることを示している。このことは、本発明の担持非メタロセン触媒は、著しい共重合効果を有することを特徴とするということを示すものである。
以下の変更点を除いて、実施例II-4と実質的に同じ操作を行った。
マグネシウム化合物のメチルアルミノキサンに対するモル比を１：０．５に変更し、得られた触媒はCAT-II-Dと称した。
実施例 II-5-2に従って、重合プロセスを行った。結果を以下の表II-１に示す。
表II-1中の実験番号１３、１８および１９について得られた結果を対比すると判るように、マグネシウム化合物のアルミノキサンに対するモル比を増大させたりもしくは減少させたりすると、それに応じて触媒の重合活性が向上したりもしくは低減したりすることになり、ならびに分子量分布についてもある程度拡がらせたりもしくは狭めたりすることになる。
結果は、本発明の方法を用いると、使用する予備処理剤の量を変動させることによって、かくして得られるポリマー生成物の分子量分布および触媒の重合活性を自在に調節することができるということを示している。
表II-1中の実験番号４と５（または７と８、もしくは１３と１４）について得られた結果を対比すると判るように、共重合の場合に、触媒は向上した重合活性を示すことおよび狭まった分子量分布が得られることを示している。このことは、本発明の担持非メタロセン触媒は、著しい共重合効果を有することを特徴とするということを示すものである。
本発明の範囲または精神から離れることなく、本発明について種々の変更および変形を行うことができるということは、当業者には明らかであろう。従って、特許請求の範囲に記載された範囲およびその均等の範囲に含まれるのであれば、本発明についての種々の変更および変形も本発明の範囲内のものであると解されたい。
Claims (28)
- マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を製造する方法であって、
マグネシウム化合物に、化学的処理剤および非メタロセン配位子の２者のうちの一方を接触させて接触生成物を得る接触工程（ここで化学的処理剤は、第IVB族金属化合物の群から選ばれる）；ならびに
前記接触生成物を、化学的処理剤および非メタロセン配位子の２者のうちの他方によって処理して、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を得る処理工程
を含む方法。 - 前記接触工程の前に、マグネシウム化合物を、アルミノキサン、アルキルアルミニウムおよびその組合せからなる群から選ばれる予備処理剤によって予備処理することを特徴とする請求項１に記載の方法。
- マグネシウム化合物が、テトラヒドロフランおよびアルコールからなる混合溶媒中のマグネシウム化合物の溶液に沈殿剤を添加することによって沈殿させて生成する変性マグネシウム化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
- マグネシウム化合物が、マグネシウムハロゲン化物、エトキシマグネシウムハロゲン化物、エトキシマグネシウムおよびブトキシマグネシウムからなる群から選ばれる１種またはそれ以上の化合物であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 第IVB族金属化合物が、第IVB族金属ハロゲン化物であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 第IVB族金属ハロゲン化物が、チタンテトラクロリドおよびジルコニウムテトラクロリドからなる群から選ばれる１又はそれ以上であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
- 接触工程を、非メタロセン配位子を用いて行う場合に、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比が１対１−１０であり、化学的処理剤（第IVB族金属基準）の非メタロセン配位子に対するモル比が１対０．１−１であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 非メタロセン配位子のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比が１対３−７であり、化学的処理剤（第IVB族金属基準）の非メタロセン配位子に対するモル比が１対０．３−０．９であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
- 接触工程を、化学的処理剤を用いて行う場合に、化学的処理剤（第IVB族金属基準）のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比が１対０．１−１００であり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）が０．０１−０．５０対１であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 化学的処理剤（第IVB族金属基準）のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比が１対０．５−５０であり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）が０．１０−０．３０対１であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
- アルコールが脂肪族アルコールであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
- 脂肪族アルコールが、エタノールおよびブタノールからなる群から選ばれる１種又はそれ以上であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
- マグネシウム化合物（Mg基準）のテトラヒドロフランに対するモル比が１対５−１００であり、マグネシウム化合物（Mg基準）のアルコールに対するモル比が１対０．５−２０であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
- マグネシウム化合物（Mg基準）のテトラヒドロフランに対するモル比が１対１０−３０であり、マグネシウム化合物（Mg基準）のアルコールに対するモル比が１対１−８であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
- 沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比が１対０．５−６であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
- 沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比が１対１−４であることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
- 沈殿剤が、アルカンおよび環式アルカンからなる群から選ばれる１種又はそれ以上のものであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
- 沈殿剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、デカンおよびシクロヘキサンからなる群から選ばれる１種又はそれ以上のものであることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
- 予備処理剤が、メチルアルミノキサン、イソブチルアルミノキサン、トリエチルアルミニウムおよびトリイソブチルアルミニウムからなる群から選ばれる１種又はそれ以上のものであることを特徴とする請求項２に記載の方法。
- マグネシウム化合物（Mg基準）の予備処理剤（Al基準）に対するモル比が、１対０．５−８であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
- マグネシウム化合物（Mg基準）の予備処理剤（Al基準）に対するモル比が、１対１−２であることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
- 前記非メタロセン配位子が、以下の構造：
qは0もしくは１であり；
dは0もしくは1であり；
Eは、窒素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基およびリン含有基からなる群から選ばれる基（ここで、N、O、S、SeおよびPはそれぞれ配位原子を表わす）；
Gは、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基、および不活性な官能基からなる群から選ばれる基；
R1〜R3、R22〜R33およびR39は、水素、C1−C30炭化水素基、ハロゲン原子、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基の群からそれぞれ独立して選ばれ、ここでこれらの基は同じであってもよいし、また互いに異なっていてもよく、隣接するいずれか２つもしくはそれ以上の基は互いに結合しまたは環を形成していてもよい。］
を有する化合物からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 前記非メタロセン配位子が、次の構造（A）および（Ｂ）：
の群から選ばれることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
- 前記非メタロセン配位子が、次の構造A-1〜A-4およびB-1〜B-4：
[式中、
ＹおよびＺは、窒素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基およびリン含有基からなる群からそれぞれ独立して選ばれ、ここでN、O、S、SeおよびPはそれぞれ配位原子を表わし；
R4、およびR6〜R21は、水素、C1−C30炭化水素基、ハロゲン原子、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群からそれぞれ独立して選ばれ、ここでこれらの基は同じであってももしくは互いに異なっていてもよく、隣接するいずれか２つもしくはそれ以上の基は互いに結合してもまたは環を形成してもよく；
R5は、窒素原子上の孤立電子対、水素、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基、窒素含有基、およびリン含有基からなる群から選ばれ、R5が、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、セレン含有基およびリン含有基からなる群から選ばれる場合には、R5基中のN、O、S、PおよびSeはそれぞれ配位原子を表わしており、
その他の基は請求項２３の規定と同じである。]
の群から選ばれる請求項２３に記載の方法。 - ハロゲン原子は、F、Cl、BrおよびIからなる群から選ばれ、
-T-P(O)R30R31 および -T-P(O)R32(OR33) からなる群から選ばれ、
酸素含有基は、ヒドロキシル基、-OR34および-T-OR34からなる群から選ばれ、
硫黄含有基は、-SR35、 -T-SR35、 -S(O)R36および-T-SO2R37からなる群から選ばれ、
セレン含有基は、-SeR38、 -T-SeR38、 -Se(O)R39および-T-Se(O)R39からなる群から選ばれ、
前記T基は、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群から選ばれ、
前記C1−C30炭化水素基は、C1−C30アルキル基、C2−C30環状アルキル基、C2−C30アルケニル基、C2−C30アルキニル基、C6−C30アリール基、C8−C30 縮合環基およびC4−C30 ヘテロ環基からなる群から選ばれ、
前記置換C1−C30炭化水素基は、ハロゲン化C1−C30炭化水素基、ハロゲン化C6−C30アリール基、ハロゲン化C8−C30縮合環基およびハロゲン化C4−C30ヘテロ環基からなる群から選ばれ、
前記不活性な官能基は、ハロゲン原子、酸素含有基、窒素含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、硫黄含有基およびスズ含有基からなる群から選ばれ、
前記ケイ素含有基は、-SiR42R43R44および-T-SiR45からなる群から選ばれ、
前記ゲルマニウム含有基は、-GeR46R47R48および-T-GeR49からなる群から選ばれ、
前記スズ含有基は、-SnR50R51R52、 -T-SnR53および-T-Sn(O)R54からなる群から選ばれ、ならびに
R34〜R38およびR42〜R54は、水素、C1−C30炭化水素基、ハロゲン原子、置換C1−C30炭化水素基および不活性な基からなる群からそれぞれ独立して選ばれる基である
ことを特徴とする請求項２４に記載の方法。 - 非メタロセン配位子が、以下の化合物：
- 非メタロセン配位子が、以下の化合物：
- マグネシウム化合物および該マグネシウム化合物に担持された非メタロセン配位子を含んでなるマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒であって、請求項１〜２７のいずれかに記載の方法によって製造されたものであることを特徴とするマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒。
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