JP2011500525A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011500525A5
JP2011500525A5 JP2010528357A JP2010528357A JP2011500525A5 JP 2011500525 A5 JP2011500525 A5 JP 2011500525A5 JP 2010528357 A JP2010528357 A JP 2010528357A JP 2010528357 A JP2010528357 A JP 2010528357A JP 2011500525 A5 JP2011500525 A5 JP 2011500525A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
materials
resist
printing plates
image recording
recording materials
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010528357A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5473921B2 (ja
JP2011500525A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/EP2008/062988 external-priority patent/WO2009047151A1/en
Publication of JP2011500525A publication Critical patent/JP2011500525A/ja
Publication of JP2011500525A5 publication Critical patent/JP2011500525A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5473921B2 publication Critical patent/JP5473921B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2010528357A 2007-10-10 2008-09-29 スルホニウム塩開始剤 Active JP5473921B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07118195.2 2007-10-10
EP07118195 2007-10-10
PCT/EP2008/062988 WO2009047151A1 (en) 2007-10-10 2008-09-29 Sulphonium salt initiators

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011500525A JP2011500525A (ja) 2011-01-06
JP2011500525A5 true JP2011500525A5 (enExample) 2014-01-23
JP5473921B2 JP5473921B2 (ja) 2014-04-16

Family

ID=39473146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010528357A Active JP5473921B2 (ja) 2007-10-10 2008-09-29 スルホニウム塩開始剤

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8512934B2 (enExample)
EP (1) EP2197840B1 (enExample)
JP (1) JP5473921B2 (enExample)
KR (1) KR101571911B1 (enExample)
CN (1) CN101952248B (enExample)
TW (1) TWI439446B (enExample)
WO (1) WO2009047151A1 (enExample)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5313873B2 (ja) * 2006-04-13 2013-10-09 チバ ホールディング インコーポレーテッド スルホニウム塩開始剤
EP2288599A1 (en) * 2008-06-12 2011-03-02 Basf Se Sulfonium derivatives and the use thereof as latent acids
WO2010046240A1 (en) 2008-10-20 2010-04-29 Basf Se Sulfonium derivatives and the use therof as latent acids
JP5387181B2 (ja) * 2009-07-08 2014-01-15 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法
WO2011075555A1 (en) 2009-12-17 2011-06-23 Dsm Ip Assets, B.V. Led curable liquid resin compositions for additive fabrication
AU2011207304B2 (en) 2010-01-22 2014-07-17 Stratasys, Inc. Liquid radiation curable resins capable of curing into layers with selective visual effects and methods for the use thereof
JP5749631B2 (ja) * 2010-12-07 2015-07-15 東京応化工業株式会社 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法
US8816211B2 (en) * 2011-02-14 2014-08-26 Eastman Kodak Company Articles with photocurable and photocured compositions
EP2502728B1 (en) 2011-03-23 2017-01-04 DSM IP Assets B.V. Lightweight and high strength three-dimensional articles producible by additive fabrication processes
CN102608866A (zh) * 2012-02-15 2012-07-25 潍坊星泰克微电子材料有限公司 一种丙烯酸正性光刻胶及其制备方法
JP5673784B2 (ja) * 2013-02-21 2015-02-18 Jsr株式会社 感光性組成物、硬化膜およびその製造方法ならびに電子部品
KR102066311B1 (ko) * 2015-10-30 2020-01-14 주식회사 엘지화학 접착제 조성물, 이를 이용하여 형성된 접착제층을 포함하는 편광판
JP6583136B2 (ja) * 2016-05-11 2019-10-02 信越化学工業株式会社 新規スルホニウム化合物及びその製造方法、レジスト組成物、並びにパターン形成方法
CN107698477B (zh) 2016-08-08 2020-05-12 常州强力电子新材料股份有限公司 一种新型阳离子型光引发剂及其制备方法和应用
US11142495B2 (en) 2016-10-17 2021-10-12 Toyo Gosei Co., Ltd. Composition and method for manufacturing device using same
US10520813B2 (en) 2016-12-15 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Extreme ultraviolet photoresist with high-efficiency electron transfer
CN109135392B (zh) * 2017-06-15 2021-11-02 常州强力电子新材料股份有限公司 一种双硫鎓盐光引发剂
CN109134710B (zh) * 2017-06-15 2021-08-03 常州强力电子新材料股份有限公司 一种芳基硫鎓盐肟酯类光引发剂及其合成与应用
CN109134711B (zh) * 2017-06-15 2021-08-03 常州强力电子新材料股份有限公司 一种硫鎓盐光引发剂及其制备与应用
UY37806A (es) 2017-07-11 2020-01-31 Vertex Pharma Carboxamidas como moduladores de los canales de sodio
WO2019032425A1 (en) * 2017-08-10 2019-02-14 Sun Chemical Corporation UV-CURABLE COMPOSITIONS COMPRISING ACYLPHOSPHINE OXIDE PHOTO-INITIATORS
CN109456242B (zh) * 2017-09-06 2021-02-12 常州强力电子新材料股份有限公司 硫鎓盐光引发剂、其制备方法、包含其的光固化组合物及其应用
US11281099B2 (en) * 2018-05-28 2022-03-22 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern, compound, acid generator, and method of producing compound
US12228858B2 (en) * 2018-10-31 2025-02-18 Dupont Specialty Materials Korea Ltd Coating composition for forming resist underlayer film for EUV lithography process
KR20200052090A (ko) * 2018-11-06 2020-05-14 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
WO2020146612A1 (en) 2019-01-10 2020-07-16 Vertex Pharmaceuticals Incorporated Esters and carbamates as modulators of sodium channels
US12441703B2 (en) 2019-01-10 2025-10-14 Vertex Pharmaceuticals Incorporated Carboxamides as modulators of sodium channels
JP2022550833A (ja) 2019-10-03 2022-12-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー フリーラジカル媒介硬化によるシリコーンエラストマー
CN110922346A (zh) * 2019-11-12 2020-03-27 上海鑫响实业有限公司 一种三(4-乙酰联苯硫醚)硫醚鎓六氟磷酸盐及其合成方法
US20230311473A1 (en) * 2022-04-01 2023-10-05 Dupont Electronics, Inc. Printing form precursor and printing form thereof

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ZA805273B (en) 1979-09-28 1981-11-25 Gen Electric Process of deep section curing photocurable compositions
US4304941A (en) 1980-08-01 1981-12-08 Hoechst Roussel Pharmaceuticals, Inc. Method of preparing poly-substituted acylbenzenes
US4451409A (en) 1982-02-08 1984-05-29 The Dow Chemical Company Sulfonium organosulfonates
US4694029A (en) 1985-04-09 1987-09-15 Cook Paint And Varnish Company Hybrid photocure system
DE3924299A1 (de) * 1989-07-22 1991-01-31 Basf Ag Neue sulfoniumsalze und deren verwendung
US5220037A (en) 1989-07-22 1993-06-15 Basf Aktiengesellschaft Sulfonium salts and use thereof
US5254760A (en) 1992-07-29 1993-10-19 Ciba-Geigy Corporation Inhibiting polymerization of vinyl aromatic monomers
US6025406A (en) 1997-04-11 2000-02-15 3M Innovative Properties Company Ternary photoinitiator system for curing of epoxy resins
JP4204113B2 (ja) * 1997-12-04 2009-01-07 株式会社Ａｄｅｋａ 新規な芳香族スルホニウム化合物、これからなる光酸発生剤およびこれを含む光重合性組成物、光造形用樹脂組成物ならびに光学的立体造形法
US5973020A (en) 1998-01-06 1999-10-26 Rhodia Inc. Photoinitiator composition including hindered amine stabilizer
US6337426B1 (en) 1998-11-23 2002-01-08 Nalco/Exxon Energy Chemicals, L.P. Antifoulant compositions and processes
US6444733B1 (en) 1999-03-01 2002-09-03 Ciba Specialty Chemicals Corporation Stabilizer combination for the rotomolding process
JP2001228612A (ja) 2000-02-15 2001-08-24 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2001235863A (ja) 2000-02-22 2001-08-31 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP4475372B2 (ja) 2000-03-22 2010-06-09 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
EP1143300A1 (en) 2000-04-03 2001-10-10 Shipley Company LLC Photoresist compositions and use of same
JP2001290274A (ja) 2000-04-07 2001-10-19 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2002072477A (ja) 2000-06-12 2002-03-12 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2002030118A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法
JP2002030116A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法
JP2002082437A (ja) 2000-09-06 2002-03-22 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
US6468595B1 (en) 2001-02-13 2002-10-22 Sigma Technologies International, Inc. Vaccum deposition of cationic polymer systems
JP3915895B2 (ja) 2001-03-01 2007-05-16 信越化学工業株式会社 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4534371B2 (ja) 2001-03-16 2010-09-01 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
KR20030076225A (ko) 2001-04-04 2003-09-26 아치 스페셜티 케미칼즈, 인코포레이티드 규소 함유 아세탈 보호된 중합체 및 이의 포토레지스트조성물
ATE438638T1 (de) 2001-07-19 2009-08-15 Lamberti Spa Sulfoniumsalze als photoinitiatoren für strahlungshärtbare systeme
JP4281305B2 (ja) 2001-07-31 2009-06-17 住友化学株式会社 ３層レジスト中間層用樹脂組成物
JP2003066626A (ja) 2001-08-30 2003-03-05 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物及びサーマルフローパターン形成方法
WO2003021357A1 (en) 2001-08-31 2003-03-13 Arch Specialty Chemicals, Inc. Free-acid containing polymers and their use in photoresists
JP4221988B2 (ja) 2001-09-27 2009-02-12 住友化学株式会社 ３層レジスト中間層用樹脂組成物
JP3476082B2 (ja) 2001-11-05 2003-12-10 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
JP4057807B2 (ja) 2001-12-03 2008-03-05 東京応化工業株式会社 微細レジストパターン形成方法
JP2003207896A (ja) 2002-01-16 2003-07-25 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
GB0204467D0 (en) 2002-02-26 2002-04-10 Coates Brothers Plc Novel fused ring compounds, and their use as cationic photoinitiators
JP3813890B2 (ja) 2002-03-22 2006-08-23 富士写真フイルム株式会社 ３層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法
KR20050113549A (ko) 2002-05-29 2005-12-02 가부시키가이샤 와타나베 쇼코 기화기 및 이를 사용한 각종 장치 그리고 기화방법
GB0213724D0 (en) 2002-06-14 2002-07-24 Turner Christopher G G Electronic identification system
US7611817B2 (en) * 2002-09-25 2009-11-03 Adeka Corporation Aromatic sulfonium salt compound, photo-acid generator comprising the same and photopolymerizable composition containing the same, resin composition for optical three-dimensional shaping, and method of optically forming three-dimensional shape
JP3841742B2 (ja) 2002-11-14 2006-11-01 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法
EP1789188A2 (en) 2004-07-21 2007-05-30 CIBA SPECIALTY CHEMICALS HOLDING INC. Patent Departement Process for the photoactivation and use of a catalyst by an inverted two-stage procedure
DE102004044085A1 (de) 2004-09-09 2006-03-16 Tesa Ag Haftklebemasse mit dualem Vernetzungsmechanismus
JP4696009B2 (ja) * 2005-03-22 2011-06-08 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
ATE473209T1 (de) 2005-07-01 2010-07-15 Basf Se Sulfoniumsalzinitiatoren
JP2007238828A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Cmet Inc 光学的立体造形用樹脂組成物
JP5313873B2 (ja) * 2006-04-13 2013-10-09 チバ ホールディング インコーポレーテッド スルホニウム塩開始剤
US8012672B2 (en) 2006-10-04 2011-09-06 Basf Se Sulphonium salt photoinitiators
CN101558110B (zh) 2006-10-24 2012-06-13 西巴控股有限公司 热稳定的可阳离子光固化组合物
WO2009047105A1 (en) * 2007-10-10 2009-04-16 Basf Se Sulphonium salt initiators
CN102026967B (zh) * 2007-10-10 2013-09-18 巴斯夫欧洲公司 锍盐引发剂

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011500525A5 (enExample)
JP2008509967A5 (enExample)
US9134614B2 (en) Photoimaging
JP2008506749A5 (enExample)
JP2008310332A (ja) 液晶表示素子用フォトマスクおよびこれを用いたカラーフィルタの製造方法
JP2010530344A (ja) ネガティブフォトレジストを用いたガラスまたは金属エッチング方法およびこれを用いたクリシェの製造方法
JPWO2008078707A1 (ja) 光重合性樹脂積層体及びブラックマトリックスパターン付き基板の製造方法
CN101738861B (zh) 感光性树脂组合物以及使用其的印刷电路板的制造方法
WO2007032195A1 (ja) パターン形成材料、並びにパターン形成装置及びパターン形成方法
KR20210137102A (ko) 감광성 전사 재료, 수지 패턴의 제조 방법, 회로 배선의 제조 방법, 및, 터치 패널의 제조 방법
CN115486211A (zh) 结构体的制造方法及结构体
JP4075428B2 (ja) 電気泳動表示パネル用前面基板及びその製造方法
WO2021033451A1 (ja) 感光性転写部材、回路配線の製造方法、タッチパネルの製造方法
JP4591223B2 (ja) 版および版の再生方法
JP2009137085A (ja) 高精細樹脂凸版印刷版
WO2021171718A1 (ja) 導電性パターンの製造方法、タッチセンサー、電磁波シールド、アンテナ、配線基板、導電性加熱素子、及び構造体
JPH0357697A (ja) 印刷用メタルマスクおよびその製造方法
JP2023097347A (ja) 蒸着マスクの製造方法
JPH07329441A (ja) 凹版およびこれを用いた印刷方法
WO2022181016A1 (ja) 導電パターンの製造方法、及び、電子デバイスの製造方法
WO2023068555A1 (ko) 보호 브리지가 구비된 미세 패턴 인쇄용 스텐실 제조방법
WO2022181456A1 (ja) 転写フィルム及び導体パターンの製造方法
JP2023020693A (ja) 感光性転写材料、遮光材、ｌｅｄアレイ、及び、電子機器
JP4250448B2 (ja) 両面露光方法
KR20120118291A (ko) 인쇄회로기판의 제조방법