JP2011233222A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリセルに書き込まれたデータを読み出す読み出し回路を有する半導体装置に関する。読み出し回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1のスイッチと、第2のスイッチと、を有する。第1のトランジスタは、第1の端子がゲートに電気的に接続され、第2の端子が第1のスイッチを介して読み出し回路の出力に電気的に接続されている。第2のトランジスタは、第1の端子がゲートに電気的に接続され、第2の端子が第2のスイッチを介して読み出し回路の出力に電気的に接続されている。第1のトランジスタはチャネル形成領域が酸化物半導体により形成され、第2のトランジスタはチャネル形成領域がシリコンにより形成されたものを用いることができる。
【選択図】図1
Description
本実施の形態は、開示する発明の一態様である半導体装置の回路構成の例、半導体装置が有するトランジスタの特性の模式図、および半導体装置の回路動作の例について、図1〜図4を参照して説明する。
図1(A)には、読み出し回路102を有する半導体装置を示す。読み出し回路102は、第1のトランジスタ121と、第2のトランジスタ122と、第1のスイッチ131と、第2のスイッチ132と、を有する。
図1(B)には、半導体装置が有する第1のトランジスタ121と第2のトランジスタ122のId−Vg特性の模式図を示す。図1(B)に示すように、第1のトランジスタ121と第2のトランジスタ122とは、しきい値電圧Vthが異なるものを用いる。具体的には、第1のトランジスタ121のしきい値電圧Vth121は、第2のトランジスタ122のしきい値電圧Vth122より高いものを用いる。すなわち、Vth122<Vth121を満たす第1のトランジスタ121、第2のトランジスタ122を用いる。
図2(A)(B)には、図1(A)に示す半導体装置の回路動作の例を示す。
本実施の形態は、開示する発明の一態様である半導体装置が有するメモリセルの回路構成の例について、図5を参照して説明する。
本実施の形態は、開示する発明の一態様である半導体装置の回路構成の例について、図6を参照して説明する。図6は、第1のトランジスタ121の構成が図1(A)と異なる例である。それ以外の回路構成は図1(A)と同様である。
本実施の形態では、開示する発明の一態様である半導体装置が有するトランジスタの例について、図7を参照して説明する。図7に示すトランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体により形成されたものである。
本実施の形態では、開示する発明の一態様である半導体装置の使用例について、図8を参照して説明する。
102 読み出し回路
111 選択トランジスタ
112 メモリ素子
113 ビット線
114 ワード線
115 選択線
116 選択トランジスタ
117 OTPメモリ素子
118 ビット線
119 ワード線
121 第1のトランジスタ
122 第2のトランジスタ
131 第1のスイッチ
132 第2のスイッチ
133 第3のスイッチ
303 基板
307 半導体層
309 ゲート絶縁層
311 ゲート電極
313 トランジスタ
315 パッシベーション層
317 チャネル保護層
323 トランジスタ
333 トランジスタ
600 半導体装置
305a 導電層
305b 導電層
Claims (15)
- 読み出し回路を有し、
前記読み出し回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1のスイッチと、第2のスイッチと、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1の端子がゲートに電気的に接続され、第2の端子が前記第1のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、第1の端子がゲートに電気的に接続され、第2の端子が前記第2のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタが有する前記第1の端子に第1の電源電位が供給され、前記第2のトランジスタが有する前記第1の端子に第2の電源電位が供給され、
前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体により形成され、
前記第2のトランジスタは、チャネル形成領域がシリコンにより形成されることを特徴とする半導体装置。 - 読み出し回路を有し、
前記読み出し回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1のスイッチと、第2のスイッチと、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1の端子がゲートに電気的に接続され、第2の端子が前記第1のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、第1の端子がゲートに電気的に接続され、第2の端子が前記第2のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタが有する前記第1の端子に第1の電源電位が供給され、前記第2のトランジスタが有する前記第1の端子に第2の電源電位が供給され、
前記第1のトランジスタと、前記第2のトランジスタとは、しきい値電圧が異なることを特徴とする半導体装置。 - 読み出し回路を有し、
前記読み出し回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1のスイッチと、第2のスイッチと、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1の端子がゲートに電気的に接続され、第2の端子が前記第1のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、第1の端子がゲートに電気的に接続され、第2の端子が前記第2のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタが有する前記第1の端子に第1の電源電位が供給され、前記第2のトランジスタが有する前記第1の端子に第2の電源電位が供給され、
ベリファイ時には、前記第1のスイッチがオンすることで、前記第1のトランジスタが前記読み出し回路の出力と導通状態になり、
読み出し時には、前記第2のスイッチがオンすることで、前記第2のトランジスタが前記読み出し回路の出力と導通状態になり、
前記第1のトランジスタは、前記第2のトランジスタよりしきい値電圧が高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記読み出し回路は、メモリセルに書き込まれたデータを読み出すことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
読み出し時に外部から供給される前記第1の電源電位および前記第2の電源電位は、それぞれベリファイ時に外部から供給される前記第1の電源電位および前記第2の電源電位以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
前記読み出し時に外部から供給される前記第1の電源電位および前記第2の電源電位は、それぞれ前記ベリファイ時に外部から供給される前記第1の電源電位および前記第2の電源電位以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記第1の電源電位は前記第2の電源電位と等しい電位を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一において、
前記第1の電源電位および前記第2の電源電位は外部から無線で供給されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一において、
前記読み出し回路は、前記読み出し回路の出力に電気的に接続されるインバータまたはセンスアンプを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至9のいずれか一において、
前記第1のトランジスタは、バックゲートを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
メモリセルを有し、
前記メモリセルは、第3のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
メモリセルを有し、
前記メモリセルは、第3のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
ベリファイ時には、前記第1のスイッチと前記第3のスイッチとがオンすることで、前記第1のトランジスタと前記メモリセルとが前記読み出し回路の出力と導通状態になり、
読み出し時には、前記第2のスイッチと前記第3のスイッチとがオンすることで、前記第2のトランジスタと前記メモリセルとが前記読み出し回路の出力と導通状態になることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
メモリセルを有し、
前記メモリセルは、第3のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記ベリファイ時には、前記第1のスイッチと前記第3のスイッチとがオンすることで、前記第1のトランジスタと前記メモリセルとが前記読み出し回路の出力と導通状態になり、
前記読み出し時には、前記第2のスイッチと前記第3のスイッチとがオンすることで、前記第2のトランジスタと前記メモリセルとが前記読み出し回路の出力と導通状態になることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4、請求項11、請求項12または請求項13のいずれか一において、
前記メモリセルは、浮遊ゲートを有するメモリ素子を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項4、請求項11、請求項12または請求項13のいずれか一において、
前記メモリセルは、アンチヒューズ型のOTPメモリ素子を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011065191A JP5785751B2 (ja) | 2010-04-09 | 2011-03-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010090569 | 2010-04-09 | ||
JP2010090569 | 2010-04-09 | ||
JP2011065191A JP5785751B2 (ja) | 2010-04-09 | 2011-03-24 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012159306A Division JP5079163B1 (ja) | 2010-04-09 | 2012-07-18 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011233222A true JP2011233222A (ja) | 2011-11-17 |
JP2011233222A5 JP2011233222A5 (ja) | 2014-04-24 |
JP5785751B2 JP5785751B2 (ja) | 2015-09-30 |
Family
ID=44760824
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011065191A Expired - Fee Related JP5785751B2 (ja) | 2010-04-09 | 2011-03-24 | 半導体装置 |
JP2012159306A Expired - Fee Related JP5079163B1 (ja) | 2010-04-09 | 2012-07-18 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012159306A Expired - Fee Related JP5079163B1 (ja) | 2010-04-09 | 2012-07-18 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8441868B2 (ja) |
JP (2) | JP5785751B2 (ja) |
TW (1) | TWI517167B (ja) |
WO (1) | WO2011125456A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011125456A1 (en) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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-
2011
- 2011-03-14 WO PCT/JP2011/056511 patent/WO2011125456A1/en active Application Filing
- 2011-03-24 JP JP2011065191A patent/JP5785751B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-29 TW TW100110787A patent/TWI517167B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-04-01 US US13/078,019 patent/US8441868B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-07-18 JP JP2012159306A patent/JP5079163B1/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8441868B2 (en) | 2013-05-14 |
TW201209835A (en) | 2012-03-01 |
WO2011125456A1 (en) | 2011-10-13 |
JP2012238379A (ja) | 2012-12-06 |
JP5785751B2 (ja) | 2015-09-30 |
JP5079163B1 (ja) | 2012-11-21 |
TWI517167B (zh) | 2016-01-11 |
US20110249502A1 (en) | 2011-10-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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