JP2011231098A - シクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】収率の高いシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法を提供する。
【解決手段】式（１−Ａ）で表される化合物に含まれる２つのカルボキシ基を、Ｚで表される基で保護して、式（２−Ａ）で表される化合物を得る第一工程と、
第一工程で得られた式（２−Ａ）で表される化合物に含まれるＺで表される基のいずれか一方を、酸で脱保護して、式（３−Ａ）で表される化合物を得る第二工程とを含むシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。

（ｍは、０〜３の整数を表す。Ｚは、酸で脱離する基を表す。ｐは、０又は１を表す。）
【選択図】なし

Description

本発明は、シクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法に関する。

近年、フラットパネル表示装置（ＦＰＤ）に用いられる、偏光板、位相差板などの光学フィルムに適用され得る液晶材料として、シクロアルカンに由来する構造を含む化合物が注目されている。
例えば該液晶材料を製造する際の中間体として、シクロアルカンジカルボン酸モノエステルが好ましく用いられる。
シクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法としては、アルコールと過剰のシクロヘキサンジカルボン酸クロリドとを反応させる方法、又はアルコールと過剰のシクロヘキサンジカルボン酸とを、例えばジシクロヘキシルカルボジイミドなどの縮合剤を用いて脱水縮合させる方法が知られている（特許文献１参照）。

特開昭６２−２８９５４５号公報

従来のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法では、収率が低かった。

本発明は、以下の［１］〜［１８］を提供するものである。

［１］式（１−Ａ）で表される化合物に含まれる２つのカルボキシ基を、Ｚで表される基で保護して、式（２−Ａ）で表される化合物を得る第一工程と、
第一工程で得られた式（２−Ａ）で表される化合物に含まれるＺで表される基のいずれか一方を、酸で脱保護して、式（３−Ａ）で表される化合物を得る第二工程とを含むシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。

［式（１−Ａ）、式（２−Ａ）及び式（３−Ａ）中、ｍは、０〜３の整数を表す。
Ｚは、メチルスルファニルメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基、４−ペンテニルオキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、１−エトキシエチル基、ベンジルオキシメチル基、４−メトキシベンジルオキシメチル基、２−メトキシベンジルオキシメチル基、４−ニトロベンジルオキシメチル基、１−メチル−１−ベンジルオキシ−２−フルオロエチル基、１−メチル−１−フェノキシエチル基、１−メチル−１−メトキシエチル基、１−メチル−１−ベンジルオキシエチル基、２，２，２−トリクロロエトキシメチル基、１−［２−（トリメチルシリル）エトキシ］エチル基、テトラヒドロピラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリチル基、ベンジル基、４−メトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、４−ニトロベンジル基、１，３−ベンゾジチオラン−２−イル基、２，２，２−トリクロロエチル基、２−フェニル−２−エタノン−１−イル、シクロプロピルメチル基、−ＣＨ_２−Ｏ−ＳｉＲ^５Ｒ^６Ｒ^７又は−ＳｉＲ^５Ｒ^６Ｒ^７を表す。
Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、フェニル基又はベンジル基を表す。
ｐは、０又は１を表す。］

［２］第二工程における脱保護が、脂肪族炭化水素を含む溶媒中で行われる前記［１］記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
［３］脂肪族炭化水素を含む溶媒中、脂肪族炭化水素の含有量が３０質量％以上１００質量％以下である前記［２］記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
［４］脂肪族炭化水素が、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン及びオクタンからなる群から選ばれる少なくとも１種である前記［２］又は［３］記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。

［５］酸が、ブレンステッド酸である前記［１］〜［４］のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
［６］酸が、トリフルオロ酢酸又はトリクロロ酢酸である前記［１］〜［５］のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
［７］酸の使用量が、式（２−Ａ）で表される化合物１モルに対して、０．１モル以上３モル以下である前記［１］〜［６］のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。

［８］第二工程において不純物として生成する式（１−Ａ）で表される化合物を回収する工程をさらに含み、当該工程において回収した式（１−Ａ）で示される化合物を第一工程で再利用する前記［１］〜［７］のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
［９］さらに、第二工程において未反応の式（２−Ａ）で表される化合物を回収する工程をさらに含み、当該工程において回収した式（２−Ａ）で示される化合物を第二工程で再利用する前記［１］〜［８］のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。

［１０］第一工程が、式（１−Ａ）で表される化合物と、式（４−Ａ）又は式（４−Ｂ）で表される化合物とを反応させて式（２−Ａ）で表される化合物を得る工程である前記［１］〜［９］のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。

［式（１−Ａ）、式（４−Ａ）及び式（４−Ｂ）中、Ｗ^１は、ハロゲン原子、トシル基、又はメシチル基を表す。
Ｑは、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
ｑは、０又は１を表す。
Ｚ、ｐ及びｍは、前記におけるものと同じ意味を表す。］

［１１］Ｚで表される基が、メチルスルファニルメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、１−エトキシエチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリイソプロピルシリル基、テトラヒドロピラニル基又はテトラヒドロチオピラニル基である前記［１］〜［１０］のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。

［１２］式（１−Ａ）で表される化合物が式（１−Ｂ）で表される化合物であり、式（２−Ａ）で表される化合物が式（２−Ｂ）で表される化合物であり、かつそ式（３−Ａ）で表される化合物が式（３−Ｂ）で表される化合物である前記［１］〜［１１］のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。

［式（１−Ｂ）、式（２−Ｂ）及び式（３−Ｂ）中、ｍ及びＺは、前記におけるものと同じ意味を表す。］

［１３］ｍが０である前記［１］〜［１２］のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
［１４］式（３−Ａ）で表される化合物が、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸モノエステルである前記［１］〜［１３］のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。

［１５］前記［１］〜［１４］のいずれか記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法によって製造される式（３−Ａ）で表される化合物と、式（５）で表される化合物とを反応させて、式（６）で表される化合物を得る第三工程と、
式（６）で表される化合物のＺで表される基を脱保護して、式（７）で表される重合性化合物を得る第四工程とを含む重合性化合物の製造方法。
Ｐ^１−（Ｊ^２−Ｋ^１−Ｊ^１）_ｌ−（Ｂ^１−Ａ^１）_ｋ−Ｘ−Ｈ （５）

［式（５）〜式（７）中、ｍ、Ｚ及びｐは上記と同じ意味を表す。
Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｎ（Ｒ^１７）−を表す。
Ａ^１は、炭素数３〜１０の２価の脂環式炭化水素基、又は炭素数６〜２０の２価の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基又は該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｎ（Ｒ^１７）−で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ（−）−は、−Ｎ（−）−で置き換わっていてもよい。
Ｂ^１は、−ＣＲ^１５Ｒ^１６−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ^１７）−、−Ｎ（Ｒ^１７）−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ^１７）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−、−Ｎ＝Ｎ−又は単結合を表す。
Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｒ^１７は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｊ^１及びＪ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、炭素数１〜５のアルコキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
Ｋ^１は、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ^１７）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−、又は単結合を表す。
ｋ及びｌは、それぞれ独立に、１〜３の整数を表す。ｋが２以上の整数である場合、複数のＡ^１及びＢ^１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｌが２以上の整数である場合、複数のＪ^１、Ｊ^２及びＫ^１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｐ^１は、重合性基を表す。］

［１６］Ｐ^１が、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基である前記［１５］記載の重合性化合物の製造方法。
［１７］第四工程が、酸で脱保護する工程である前記［１５］又は［１６］記載の重合性化合物の製造方法。
［１８］酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素、硝酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸及びメタンスルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種である前記［１７］記載の重合性化合物の製造方法。

本発明のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法によれば、高収率でシクロアルカンジカルボン酸モノエステルを得ることができる。

本発明のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法は、式（１―Ａ）で表される化合物（以下「化合物（１−Ａ）」という場合がある）に含まれるシクロアルカンジカルボン酸の２つのカルボキシ基をともにＺで表される基で保護して、式（２―Ａ）で表される化合物（以下「化合物（２−Ａ）」という場合がある）を得る第一工程と、化合物（２−Ａ）に含まれる２つのＺで表される基のうちいずれか一方を酸で脱保護して式（３−Ａ）で表される化合物（以下「化合物（３−Ａ）」という場合がある）を得る第二工程を含むシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法である。

式（１−Ａ）〜式（３−Ａ）中、ｍは０〜３の整数であり、好ましくは０である。ｐは０又は１であり、好ましくは１である。
Ｚで表される基は、メチルスルファニルメチル基（−ＣＨ_２−ＳＣＨ_３）、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基、４−ペンテニルオキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、１−エトキシエチル基、ベンジルオキシメチル基、４−メトキシベンジルオキシメチル基、２−メトキシベンジルオキシメチル基、４−ニトロベンジルオキシメチル基、１−メチル−１−ベンジルオキシ−２−フルオロエチル基、１−メチル−１−フェノキシエチル基、１−メチル−１−メトキシエチル基、１−メチル−１−ベンジルオキシエチル基、２，２，２−トリクロロエトキシメチル基、１−［２−（トリメチルシリル）エトキシ］エチル基、テトラヒドロピラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリチル基、ベンジル基、４−メトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、４−ニトロベンジル基、１，３−ベンゾジチオラン−２−イル基、２，２，２−トリクロロエチル基、２−フェニル−２−エタノン−１−イル、シクロプロピルメチル基、−ＣＨ_２−Ｏ−ＳｉＲ^５Ｒ^６Ｒ^７又は−ＳｉＲ^５Ｒ^６Ｒ^７である。
Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、フェニル基又はベンジル基である。

炭素数１〜８のアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基などが挙げられる。
炭素数１〜８のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基及びオクチルオキシ基などが挙げられる。

−ＣＨ_２−Ｏ−ＳｉＲ^５Ｒ^６Ｒ^７で表される基としては、例えば、例えば、トリメチルシリルオキシメチル基、イソプロピルジメチルシリルオキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシメチル基、トリベンジルシリルオキシメチル基、トリイソプロピルシリルオキシメチル基、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルメチルシリルオキシメチル基等が挙げられる。
−ＳｉＲ^５Ｒ^６Ｒ^７で表される基としては、例えば、トリメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリベンジルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルメチルシリル基等が挙げられる。

中でも、メチルスルファニルメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、１−エトキシエチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリイソプロピルシリル基、テトラヒドロピラニル基又はテトラヒドロチオピラニル基が好ましい。Ｚで表される基がこれらの基であると、温和な条件で化合物（２−Ａ）を得ることができる。

化合物（１−Ａ）〜化合物（３−Ａ）は、それぞれ式（１−Ｂ）〜式（３−Ｂ）で表される化合物であることが好ましい。

［式（１−Ｂ）〜式（３−Ｂ）中、ｍ、及びＺは、上記と同じ意味を表す。］

化合物（１−Ｂ）は、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸であり、化合物（２−Ｂ）は、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジエステルであり、化合物（３−Ｂ）は、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸モノエステルであることが好ましい。
化合物（１−Ｂ）として、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸を用いると、化合物（２−Ｂ）として、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジエステルが得られ、化合物（３−Ｂ）として、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸モノエステルが得られる。

第一工程は、式（１−Ａ）で表される化合物に含まれる２つのカルボキシ基を、Ｚで表される基で保護して、式（２−Ａ）で表される化合物を得る工程である。

［式（１−Ａ）及び式（２−Ａ）中、Ｚ、ｍ及びｐは上記と同じ意味を表す。］
化合物（１−Ａ）に含まれる２つのカルボキシ基をＺで表される基で保護する方法としては。例えば、塩基存在下で化合物（１−Ａ）と式（４−Ａ）で表される化合物（以下「化合物（４―Ａ）」という場合がある）とを反応させる方法（第１の方法）、化合物（２−Ａ）と、式（４−Ｂ）で表される化合物（以下「化合物（４−Ｂ）」という場合がある）又は式（４−Ｂ’）で表される化合物（以下「化合物（４−Ｂ’）」という場合がある）とを反応させる方法（第２の方法）、化合物（２−Ａ）と式（４−Ｃ）で表される化合物（以下「化合物（４―Ｃ）」という場合がある）とを反応させる方法（第３の方法）、化合物（１−Ａ）と塩基とから塩（１−Ａ’）を得た後、塩（１−Ａ’）と化合物（４―Ａ）とを反応させる方法（第４の方法）が挙げられる。

Ｚ−Ｗ^１ （４−Ａ）
［式（４−Ａ）中、Ｗ^１は、ハロゲン原子、トシル基、又はメシチル基を表す。］

［式（４−Ｂ）中、ｑは、０又は１を表す。］

［式（４−Ｂ’）中、Ｒ^Ｌ１は、メチル基、エチル基、フェニル基、ベンジル基又はトリメチルシリルエチル基を表す。Ｒ^Ｌ２は、水素原子、メチル基又はフッ素原子を表す。］

Ｚ−ＯＨ （４−Ｃ）
［式（４−Ｃ）中、Ｚは、前記におけるものと同じ意味を表す。］

［式（１−Ａ’）中、Ｍは、アルカリ金属原子を表す。Ｚ、ｐおよびｍは、前記におけるものと同じ意味を表す。］

第１の方法は、有機溶媒中、塩基存在下で化合物（１−Ａ）と、化合物（４―Ａ）とを反応させ、必要に応じて、反応で生成する不純物の塩を除去することによって化合物（２−Ａ）が得られる。

前記塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリンなどの有機塩基；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩、フッ化セシウムなどの無機塩基；が挙げられる。塩基として有機塩基を用いる場合、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ジメチルアミノピリジンが好ましく、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジンがより好ましい。無機塩基を用いる場合、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムが好ましく、水酸化カリウム、炭酸カリウムがより好ましい。また、無機塩基を用いる場合には、１８−クラウン−６等のクラウンエーテル、テトラブチルアンモニウムブロミド等の第四級アンモニウム塩などの相間移動触媒を併用することもできる。
塩基の添加量は、化合物（１−Ａ）１モルに対して２〜５モルであることが好ましい。
式（４−Ａ）において、Ｗ^１は、ハロゲン原子であることが好ましく、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子であることがより好ましく、塩素原子または臭素原子であることが特に好ましい。

化合物（４−Ａ）としては、メチルスルファニルクロロメタン、メチルスルファニルブロモメタン、メトキシクロロメタン、メトキシブロモメタン、クロロメトキシエタン、ブロモメトキシエタン、２−メトキシエトキシメチルクロリド、２−メトキシエトキシメチルブロミド、エトキシエチルクロリド、エトキシエチルブロミド、ベンジルオキシメチルクロリド、ベンジルオキシメチルブロミド、４−メトキシベンジルオキシメチルクロリド、４−ニトロベンジルオキシメチルクロリド、２−メトキシフェニルオキシメチルクロリド、ｔｅｒｔ−ブトキシメチルクロリド、ｔｅｒｔ−ブトキシメチルブロミド、４−ペンテニルオキシメチルクロリド、１−［２−（トリメチルシリル）エトキシ］エチルクロリド、１−クロロメトキシ−２，２，２−トリクロロエタン、１−［２−（トリメチルシリル）エトキシ］エチルクロリド、１−メチル−１−メトキシエチルクロリド、１−メチル−１−ベンジルオキシエチルクロリド、１−メチル−１−ベンジルオキシ−２−フルオロエチルクロリド、１−メチル−１−フェノキシエチルクロリド、ｔｅｒｔ−ブチルクロリド、ｔｅｒｔ−ブチルブロミド、トリチルクロリド、トリチルブロミド、１，３−ベンゾジチオラン−２−クロリド、トリメチルクロロシラン、トリメチルブロモシラン、イソプロピルジメチルクロロシラン、イソプロピルジメチルブロモシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルクロロシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルブロモシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルクロロシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルブロモシラン、トリベンジルクロロシラン、トリベンジルブロモシラン、トリイソプロピルクロロシラン、トリイソプロピルブロモシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルメチルクロロシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルメチルブロモシラン、トリメチルシリルオキシクロロメタン、２−フェニル−２−エタノン−１−イルクロリド、１，１，１，２−テトラクロロエタン、クロロメチルシクロプロパン等が挙げられる。これらは、市販されているものを用いることができる。

反応の溶媒としては、アルコール溶媒以外の水溶性溶媒又は疎水性溶媒が好ましい。アルコール溶媒以外の水溶性溶媒としては、アセトン等の水溶性ケトン溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等の水溶性エーテル溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の水溶性アミド溶媒、ジメチルスルホキシド等の水溶性スルホキシド溶媒等が挙げられる。疎水性溶媒としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素溶媒、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトン等の疎水性ケトン溶媒、ペンタン、ヘキサン又はヘプタン等の脂肪族炭化水素溶媒、アセトニトリル等のニトリル系溶媒；乳酸エチル、酢酸エチル等のエステル系溶媒；クロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン等のハロゲン系溶媒；などが挙げられる。
中でも、水溶性エーテル溶媒、水溶性アミド溶媒水溶性スルホキシド溶媒、芳香族炭化水素溶媒、疎水性ケトン溶媒、ハロゲン系溶媒が好ましく、ハロゲン系溶媒がより好ましい。
これら有機溶媒は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。

化合物（４−Ａ）の使用量は、化合物（１−Ａ）１モルに対して、好ましくは１．８〜３モル、より好ましくは１．９７〜２．７モル、特に好ましくは２〜２．７モルである。溶媒の量は、化合物（１−Ａ）と化合物（４−Ａ）との合計量に対して、好ましくは１００〜１５００質量％、より好ましくは１００〜１０００質量％、特に好ましくは２００〜６００質量％である。

反応温度は、好ましくは−２０〜１４０℃、より好ましくは０〜１００℃、特に好ましくは１５〜４５℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜２４時間である。

第２の方法では、有機溶媒中で、化合物（１−Ａ）と、化合物（４−Ｂ）又は化合物（４−Ｂ）’との反応により、化合物（２−Ａ）が得られる。反応は、酸触媒存在下で行うことが好ましい。
酸触媒としては、ｐ−トルエンスルホン酸、ピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸、塩酸水溶液、硫酸、トリフルオロ酢酸が用いられる。酸触媒の添加量は、化合物（１−Ａ）１モルに対して０．００５〜０．２モルであることが好ましい。

ｑは、０又は１である。Ｑは−Ｏ−、又は−Ｓ−である。
Ｒ^Ｌ１は、メチル基、エチル基、フェニル基、ベンジル基又はトリメチルシリルエチル基である。
Ｒ^Ｌ２は、水素原子、メチル基又はフッ素原子である。

反応に用いられる有機溶媒としては具体的に、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン又はメチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒；ペンタン、ヘキサン又はヘプタンなどの脂肪族炭化水素溶媒；トルエン、キシレン、ベンゼン又はクロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒；テトラヒドロフラン、ジメトキシエタンなどのエーテル系溶媒；乳酸エチルなどのエステル系溶媒；クロロホルム、ジクロロメタンなどのハロゲン系溶媒；などが挙げられる。これら有機溶媒は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。

化合物（４−Ｂ）としては、具体的に、ジヒドロピラン、３−ブロモジヒドロピラン、ジヒドロチオピラン、ジヒドロフラン、ジヒドロチオフラン等が挙げられる。
化合物（４−Ｂ’）としては、具体的に、ビニルメチルエーテルビニルエチルエーテル、ビニルフェニルエーテル、ビニルベンジルエーテル、トリメチルシリルエチルビニルエーテル等が挙げられる。

化合物（４−Ｂ）又は化合物（４−Ｂ’）の使用量は、化合物（１−Ａ）１モルに対して、好ましくは１．９〜５モル、より好ましくは１．９〜４モル、特に好ましくは２．２〜４モルである。溶媒の使用量は、化合物（１−Ａ）と化合物（４−Ｂ）又は化合物（４−Ｂ’）との合計量に対して、好ましくは１００〜１２００質量％、より好ましくは１００〜８００質量％、特に好ましくは２００〜６００質量％である。
反応温度は、好ましくは０〜１２０℃、より好ましくは０〜６０℃、特に好ましくは０〜４０℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜２４時間である。

第３の方法では、有機溶媒中で化合物（１−Ａ）と化合物（４−Ｃ）とを、脱水縮合すれば化合物（２−Ａ）が得られる。脱水縮合反応においては、縮合剤を用いることが好ましい。
Ｚ−ＯＨ （４−Ｃ）
［式（４−Ｃ）中、Ｚは上記と同じ意味を表す。］

縮合剤としては、１−シクロヘキシル−３−（２−モルホリノエチル）カルボジイミドメト−パラ−トルエンスルホネート、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（水溶性カルボジイミド：ＷＳＣとして市販）、ビス（２、６−ジイソプロピルフェニル）カルボジイミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミドなどのカルボジイミド、２−メチル−６−ニトロ安息香酸無水物、２，２’−カルボニルビス−１Ｈ−イミダゾール、１，１’−オキサリルジイミダゾール、ジフェニルホスフォリルアジド、１（４−ニトロベンゼンスルフォニル）−１Ｈ−１、２、４−トリアゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−Ｏ−（Ｎ−スクシンイミジル）ウロニウムテトラフルオロボレート、Ｎ−（１，２，２，２−テトラクロロエトキシカルボニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−カルボベンゾキシスクシンイミド、Ｏ−（６−クロロベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムテトラフルオロボレート、Ｏ−（６−クロロベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート、２−ブロモ−１−エチルピリジニウムテトラフルオロボレート、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムクロリド、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムヘキサフルオロホスフェート、２−クロロ−１−メチルピリジニウムアイオダイド、２−クロロ−１−メチルピリジニウム パラートルエンスルホネート、２−フルオロ−１−メチルピリジニウム パラートルエンスルホネート、トリクロロ酢酸ペンタクロロフェニルエステル等が挙げられる。縮合剤の使用量は、化合物（２−Ａ）の量に対して、１５０〜２５０モル％であることが好ましい。

縮合反応の溶媒としては、第１の方法と同様の溶媒が挙げられる。これら有機溶媒は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。

化合物（４−Ｃ）の使用量は、化合物（１−Ａ）１モルに対して、好ましくは１．８〜３モル、より好ましくは１．９７〜２．７モル、特に好ましくは２〜２．７モルである。溶媒の使用量は、化合物（１−Ａ）と化合物（４−Ｃ）との合計量に対して、好ましくは１００〜１５００質量％、より好ましくは１００〜８００質量％、特に好ましくは１００〜５００質量％である。
反応温度は、好ましくは−２０〜１２０℃、より好ましくは０〜８０℃、特に好ましくは０〜４５℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜２４時間である。

第４の方法では、化合物（１−Ａ）と塩基（第一の塩基）とから塩（１−Ａ’）を得た後、塩（１−Ａ’）と化合物（４―Ａ）とを反応させることにより化合物（２―Ａ）を得ることができる。塩（１−Ａ’）と化合物（４―Ａ）との反応は、第二の塩基存在下で行ってもよい。

［式（１−Ａ’）中、Ｚ、ｐ及びｍは、前記と同じ意味を表す。Ｍは、アルカリ金属を表す。］
Ｍとしては、ナトリウム、カリウム、セシウムが好ましく、カリウムがより好ましい。

化合物（１−Ａ）と第一の塩基との反応は、溶媒中で両者を混合することにより行われる。該溶媒としては、水、メタノール、エタノールなど第一の塩基を溶解する溶媒が好ましい。中でもメタノール、エタノールがより好ましい。

前記第一の塩基としては、無機塩基が好ましい。無機塩基としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム等のアルカリ金属水酸化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属炭酸塩；炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩；フッ化セシウムなどが挙げられる。中でも、第一の塩基としては、化合物（１−Ａ）のカルボキシ基と効率よく反応するため、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムがより好ましく、溶媒への溶解性が高いため、水酸化カリウムが特に好ましい。また第一の塩基との反応の際には、１８−クラウン−６等のクラウンエーテル、テトラブチルアンモニウムブロミド等の第四級アンモニウム塩などの相間移動触媒を併用することもできる。
第一の塩基の添加量は、化合物（１−Ａ）１モルに対して２〜３．５モルであることが好ましい。

反応温度は、好ましくは−２０〜８０℃、より好ましくは−５〜８０℃、特に好ましくは０〜４５℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜２４時間である。

反応終了後、得られた反応混合物を濃縮する方法、塩（１−Ａ’）の貧溶媒と反応混合物とを混合し、得られた混合物を濾取する方法により、塩（１−Ａ’）を取り出すこともできる。操作が容易であることから、塩（１−Ａ’）の貧溶媒と反応混合物とを混合し、得られた混合物を濾取する方法が好ましい。塩（１−Ａ’）の貧溶媒としては、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒；クロロホルム、ジクロロメタンなどのハロゲン溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタンなどのエーテル溶媒などが挙げられ、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエンである。

得られた塩（１−Ａ’）が水分を含有する場合、得られた塩（１−Ａ’）を乾燥し、乾燥後の塩（１−Ａ’）と化合物（４−Ａ）とを反応させてもよいし、得られた塩（１−Ａ’）をそのまま化合物（４−Ａ）と反応させてもよい。製造工程が簡略化されるので、得られた塩（１−Ａ’）を乾燥することなく、そのまま化合物（４−Ａ）と反応させることが好ましい。

続いて、塩（１−Ａ’）と化合物（４―Ａ）とを溶媒中で反応させる。化合物（４−Ａ）の使用量は、塩（１−Ａ’）１モルに対して、好ましくは１．８〜３モル、より好ましくは１．９７〜２．７モル、特に好ましくは２〜２．３モルである。溶媒の使用量は、塩（１−Ａ’）と化合物（４−Ａ）との合計量に対して、好ましくは１００〜１５００質量％、より好ましくは１００〜１０００質量％、特に好ましくは２００〜８００質量％である。

反応温度は、好ましくは−２０〜１４０℃、より好ましくは０〜１００℃、特に好ましくは０〜４５℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜２４時間である。

塩（１−Ａ’）と化合物（４―Ａ）との反応で用いられる溶媒としては、アルコール溶媒以外の水溶性溶媒又は疎水性溶媒が好ましい。アルコール溶媒以外の水溶性溶媒としては、アセトン等の水溶性ケトン溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等の水溶性エーテル溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の水溶性アミド溶媒；ジメチルスルホキシド等の水溶性スルホキシド溶媒等が挙げられる。疎水性溶媒としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素溶媒；メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトン等の疎水性ケトン溶媒；ペンタン、ヘキサン又はヘプタン等の脂肪族炭化水素溶媒；アセトニトリル等のニトリル溶媒；乳酸エチル、酢酸エチル等のエステル溶媒；クロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン等のハロゲン溶媒；などが挙げられる。
中でも、芳香族炭化水素溶媒、疎水性ケトン溶媒、ハロゲン溶媒などの疎水性溶媒がより好ましく、トルエン、キシレン、ジクロロメタン、クロロホルムが特に好ましく、トルエン、キシレンがさらに好ましい。これらの疎水性溶媒を用いることにより、水分を含有する塩（１−Ａ’）を用いても、収率よく、化合物（２−Ａ）を得ることができる。
これら有機溶媒は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。

また該反応の際には、１８−クラウン−６等のクラウンエーテル、テトラブチルアンモニウムブロミド等の第四級アンモニウム塩などの相間移動触媒を併用することもできる。

水分を含む塩（１−Ａ’）を用いる場合、当該水分による起因する副反応（例えば、化合物（４−Ａ）と水との反応）の進行を抑制するため、無水硫酸ナトリウム、無水硫酸マグネシウム、モレキュラーシーブ等の脱水剤の存在下で、塩（１−Ａ’）と化合物（４―Ａ）との反応を行ってもよい。
また、塩（１−Ａ’）と化合物（４−Ａ）との反応を塩基（第二の塩基）存在下で行ってもよい。水分を含む塩（１−Ａ’）を用いた場合、化合物（４−Ａ）と水との反応により、酸が生成するが、塩（１−Ａ’）と化合物（４−Ａ）との反応を第二の塩基存在下で行うことにより、生成した酸が第二の塩基により中和され、酸による化合物（２―Ａ）の分解を抑制することができ、化合物（２−Ａ）を収率よく得ることができる。

前記第二の塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリンなどの有機塩基；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩、フッ化セシウムなどの無機塩基；が挙げられる。塩基としては無機塩基がより好ましい。第二の塩基として有機塩基を用いる場合、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ジメチルアミノピリジンがより好ましく、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジンが特にこのましい。第二の塩基として無機塩基を用いる場合には、炭酸カリウム、炭酸セシウムがより好ましく、炭酸カリウムが特に好ましい。また無機塩基を用いる場合には、１８−クラウン−６等のクラウンエーテル、テトラブチルアンモニウムブロミド等の第四級アンモニウム塩などの相間移動触媒を併用することもできる。
第二の塩基の添加量は、塩（１−Ａ’）１モルに対して０．５〜２モルであることが好ましい。

第１の方法、第２の方法、第３の方法及び第４の方法のいずれかにより、シクロアルカンジカルボン酸に含まれるカルボキシ基をＺで表される基で保護できる。
中でも、反応条件がより温和であることから、第１の方法、第２の方法又は第４の方法が好ましい。
また、Ｚで表される基としては、第１の方法、第２の方法又は第４の方法で保護できる基が好ましい。

かかるＺで表される基としては、メチルスルファニルメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、１−エトキシエチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリイソプロピルシリル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基が挙げられる。

また生成した化合物（２−Ａ）が安定性に優れることから第１の方法又は第４の方法で保護できる基であることがより好ましい。

かかるＺで表される基としては、メチルスルファニルメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリイソプロピルシリル基が挙げられる。

化合物（２−Ａ）の好ましい例として、具体的に、式（２−Ａ−１）〜式（２−Ａ−３８）で表される化合物が挙げられる。中でも、式（２−Ａ−１）〜式（２−Ａ−５）で表される化合物が好ましい。

第二工程は、第一工程で得られた式（２−Ａ）で表される化合物に含まれるＺで表される基のいずれか一方を、酸で脱保護して、式（３−Ａ）で表される化合物を得る工程である。

［式（２−Ａ）及び式（３−Ａ）中、Ｚ、ｍ及びｐは上記と同じ意味を表す。］

脱保護に用いられる酸としては、ブレンステッド酸、及びルイス酸が挙げられる。
ブレンステッド酸としては、具体的に、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硝酸、硫酸等の無機ブレンステッド酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、メタンスルホン酸、トリフロオロメタンスルホン酸等の有機ブレンステッド酸が挙げられる。

ルイス酸としては、五フッ化リン、三フッ化ホウ素、三臭化ホウ素、塩化アルミニウム、塩化チタン、塩化スズ、塩化アンチモン、三塩化鉄、臭化亜鉛、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体などが挙げられる。取り扱いが容易であることから、塩化アルミニウム、塩化チタン、塩化スズ、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体がより好ましく、安価であることから塩化アルミニウム、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体がより好ましい。

前記酸としては、ブレンステッド酸が好ましく、これらの酸であると、有機溶媒への溶解性が高く、有機溶媒を用いて均一系で脱保護することができることから、有機ブレンステッド酸がより好ましい。
中でも、有機溶媒への溶解性が高く、かつ高い酸性度を有することから、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、メタンスルホン酸、トリフロオロメタンスルホン酸がさらに好ましく、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、メタンスルホン酸が特に好ましい。
また、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、メタンスルホン酸であると、取り扱いが容易で安価であり、反応液からの除去が容易であることから特に好ましい。

脱保護は、例えば、「Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ−ＴＨＩＲＤ ＥＤＩＴＩＯＮ」（Ｇｒｅｅｎｅ Ｗｕｔｓ著、 ＷＩＬＥＹ−ＩＮＴＥＲＳＣＩＥＮＣＥ社）に記載されている方法を用いてもよい。

酸の使用量は、化合物（２−Ａ）１モルに対して０．１モル以上３モル以下が好ましく、０．１モル以上２．０モル以下がより好ましく、０．１モル以上１．８モル以下が特に好ましい。

酸に加えて、脱保護を促進するために、チオアニソール、トリエチルシラン、アニソール等を添加剤として併用してもよい。

化合物（２−Ａ）の脱保護反応は、溶媒中で行われる。該溶媒としては、脂肪族炭化水素を含む溶媒が好ましい。ここで、脂肪族炭化水素とは、直鎖状、分枝鎖状及び環式の脂肪族炭化水素を意味する。
例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、メチルシクロヘキサン等が挙げられる。
中でも、飽和脂肪族炭化水素が好ましく、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンがより好ましい。
溶媒が脂肪族炭化水素を含む溶媒であると、得られる化合物（３−Ａ）の反応混合物への溶解性が低くなる傾向があり、精製が容易になるため好ましい。
脂肪族炭化水素としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンがより好ましく、取り扱いが容易であることから、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンがさらに好ましく、安価であることからヘプタンが特に好ましい。

脂肪族炭化水素以外の溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒；乳酸エチルなどのエステル系溶媒；クロロホルムなどのハロゲン系溶媒；などが挙げられる。またこれらの溶媒を単独で用いても、２種以上混合して用いてもよい。

脂肪族炭化水素以外の溶媒は、脂肪族炭化水素と混合して用いることが好ましい。脂肪族炭化水素以外の溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒が好ましい。溶媒中、脂肪族炭化水素の含有量がが３０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、７５質量％以上１００質量％以下であることが特に好ましい。

溶媒の使用量は、化合物（２−Ａ）の量に対して、好ましくは１００〜１２００質量％、より好ましくは１００〜１０００質量％、特に好ましくは２００〜８００質量％である。
反応温度は、好ましくは−８０〜１６０℃、より好ましくは−１５〜１００℃、特に好ましくは０〜６０℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは３〜４８時間である。

化合物（３−Ａ）の好ましい例として、具体的に、式（３−Ａ−１）〜式（３−Ａ−３８）が挙げられる。

後述するように、化合物（３−Ａ）は重合性化合物の合成中間体として有用である。

第二工程で化合物（２−Ａ）を酸と作用させると、２つのＺで表される基がともに脱保護された化合物（１−Ａ）と、目的化合物である一方のＺで表される基が脱保護された化合物（３−Ａ）と、未反応の化合物（２−Ａ）とを含む反応混合物（以下「混合物（Ａ）」という場合がある）が得られる。得られた混合物（Ａ）を、例えば、濃縮することにより、化合物（３−Ａ）を含む残渣が得られ、該残渣を、混合物（Ａ）から精製された化合物（３−Ａ）を得るためには、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、ヘキサン、ヘプタンなど脂肪族炭化水素溶媒への再沈殿精製、メタノール、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、アセトン、Ｎ−メチルピロリドンなどの水溶性有機溶媒あるいは該水溶性有機溶媒と水の混合溶媒による洗浄、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素溶媒、トルエンなどの芳香族溶媒等による抽出などの方法を用いればよい。上記方法は単独で用いても、複数組み合わせてもよい。

さらに上記の精製方法において、混合物（Ａ）から化合物（１−Ａ）を回収し、回収された化合物（１−Ａ）を第一工程で再利用することもできる。
また、混合物（Ａ）から化合物（２−Ａ）を回収し、回収された化合物（２−Ａ）を第二工程で再利用することもできる。

混合物（Ａ）から化合物（２−Ａ）を回収する方法としては、第二工程終了後、反応溶液を冷却し、析出した化合物（３−Ａ）及び化合物（１−Ａ）を含む固形分を濾過により分離し、得られた濾液を濃縮する方法が挙げられる。また、第二工程で、化合物（３−Ａ）の溶解度が高い溶媒を用いた場合、濃縮等により、反応混合物中の溶媒を、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素に置換した後、析出した化合物（３−Ａ）および化合物（１−Ａ）を含む固形分を濾過により分離し、得られた濾液を濃縮することによって、化合物（２−Ａ）を回収することができる。

一方、混合物（Ａ）から化合物（１−Ａ）を回収する方法としては、混合物（Ａ）と非極性有機溶媒とを混合することにより、化合物（１−Ａ）を固体として析出させ、析出した化合物（１−Ａ）を濾過等により取り出す方法が挙げられる。非極性有機溶媒としては、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素溶媒、トルエンなどの芳香族炭化水素溶媒を用いることが好ましい。これら非極性有機溶媒への化合物（１−Ａ）の溶解度が低く、濾液への化合物（１−Ａ）の溶解を抑制することができ、化合物（１−Ａ）を、高い回収率で回収することができる。

化合物（１−Ａ）の濾過する場合、セライト、シリカゲル等を濾過助剤として用いてもよい。この場合、濾過助剤と化合物（１−Ａ）との混合物から、アセトンなどの極性溶媒により化合物（１−Ａ）を抽出し、得られる抽出液を濃縮することにより、化合物（１−Ａ）を回収できる。混合物（Ａ）から、化合物（２−Ａ）を回収した後、化合物（１−Ａ）を回収してもよいし、混合物（Ａ）から化合物（１−Ａ）を回収した後、化合物（２−Ａ）を回収してもよい。

混合物（Ａ）からまず化合物（２−Ａ）を回収した後化合物（１−Ａ）を回収し、化合物（３−Ａ）を得る方法としては、以下に示す方法が挙げられる。混合物（Ａ）への化合物（３−Ａ）の溶解度が高い場合は、混合物（Ａ）に含まれる第二工程のの溶媒をヘプタン、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒に置換し、化合物（１−Ａ）と化合物（３−Ａ）とを含む固形分と、化合物（２−Ａ）を含む濾液とが得られる。該濾液を濃縮することにより、化合物（２−Ａ）を回収することができる。得られた前記固形分とクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素溶媒又はトルエンなどの芳香族炭化水素溶媒とを混合し、得られた混合物を濾過することにより、固体の化合物（１−Ａ）を取り出すことができる。濾過により得られた濾液を濃縮することにより、化合物（３−Ａ）を回収することができる。

混合物（Ａ）からまず化合物（１−Ａ）を回収した後化合物（２−Ａ）を回収し、化合物（３−Ａ）を得る方法としては、以下に示す方法が挙げられる。混合物（Ａ）を濃縮し、得られる濃縮残渣と、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素溶媒又はトルエンなどの芳香族炭化水素溶媒とを混合し、濾過することにより固体の化合物（１−Ａ）を回収することができる。濾過により得られた濾液を濃縮し、得られた濃縮残渣と、ヘプタン、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒とを混合し、濾過することにより固体の化合物（３−Ａ）を取り出すことができ、濾液を濃縮することにより化合物（２−Ａ）を回収することができる。脂肪族炭化水素溶媒は、化合物（３−Ａ）の溶解性が低い傾向がある一方で、化合物（２−Ａ）の溶解度が高い傾向があるため、化合物（２−Ａ）と化合物（３−Ａ）とを分離回収するために好ましく用いられる。

本発明の重合性化合物の製造方法は、前記第一工程および第二工程を含む製造方法によって製造された化合物（３−Ａ）と、式（５）で表される化合物（以下「化合物（５）」という場合がある）とを反応させて、式（６）で表される化合物（以下「化合物（６）」という場合がある）を得る第三工程と、第三工程で得られた化合物（６）のＺで表される基を脱保護して、式（７）で表される重合性化合物（以下「重合性化合物（７）」という場合がある）を得る第四工程とを含む。

Ｐ^１−（Ｊ^２−Ｋ^１−Ｊ^１）_ｌ−（Ｂ^１−Ａ^１）_ｋ−Ｘ−Ｈ （５）

式（５）〜式（７）中、ｍ、Ｚ及びｐは上記と同じ意味を表す。
Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｎ（Ｒ^１７）−であり、好ましくは−Ｏ−である。
Ｐ^１は、重合性基を表す。

Ａ^１は、炭素数３〜１０の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜２０の２価の芳香族炭化水素基であり、該脂環式炭化水素基又は該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｎ（Ｒ^１７）−で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ（−）−は、−Ｎ（−）−で置き換わっていてもよい。

２価の脂環式炭化水素基としては、式（ｇ−１）〜式（ｇ−４）で表される基が挙げられる。脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｎ（Ｒ^１７）−に置き換わった２価の脂環式炭化水素基としては、式（ｇ−５）〜式（ｇ−８）で表される基が挙げられる。脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ（−）−が、−Ｎ（−）−に置き換わった２価の脂環式炭化水素基としては、式（ｇ−９）〜式（ｇ−１０）で表される基が挙げられる。５員環又は６員環の脂環式炭化水素基であることが好ましい。

２価の脂環式炭化水素基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜４のフルオロアルキル基；トリフルオロメトキシ基等の炭素数１〜４のフルオロアルコキシ基；シアノ基；ニトロ基；で置換されていてもよい。

２価の脂環式炭化水素基としては、式（ｇ−１）で表される基であることが好ましく、１，４−シクロヘキサンジイル基であることがさらに好ましく、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロへキサンジイル基であることが特に好ましい。

炭素数６〜２０の２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、式（ａ−１）〜式（ａ−８）で表される基が挙げられる。

２価の芳香族炭化水素基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの炭素数１〜４のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基などの炭素数１〜４のアルコキシ基；トリフルオロメチル基；トリフルオロメチルオキシ基；シアノ基；ニトロ基；で置換されていてもよい。

２価の芳香族炭化水素基としては、１，４−フェニレン基が好ましい。

Ｂ^１は、−ＣＲ^１５Ｒ^１６−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ^１７）−、−Ｎ（Ｒ^１７）−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ^１７）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−、−Ｎ＝Ｎ−又は単結合である。
中でも、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−又は単結合であることが好ましく、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−又はＯ−Ｃ（＝Ｏ）−がより好ましい。

Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｒ^１７は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、前記と同じものが挙げられる。

Ｊ^１及びＪ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、炭素数１〜５のアルコキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
炭素数１〜１２のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基、ヘキサンジイル基、オクタンジイル基、デカンジイル基等が挙げられる。
該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜５のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；で置換されていてもよい。
Ｊ^１及びＪ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルカンジイル基であることが好ましい。

Ｋ^１は、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ^１７）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−又は単結合である。
Ｋ^１は、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−又は単結合であることが好ましい。

ｋ及びｌは、それぞれ独立に、１〜３の整数である。ｋが２以上の整数である場合、複数のＡ^１及びＢ^１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｌが２以上の整数である場合、複数のＪ^１、Ｊ^２及びＫ^１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｋは、１又は２であることが好ましく、１であることがより好ましい。
ｌは、１又は２であることが好ましく、１であることがより好ましい。

Ｐ^１は、重合性基である。重合性基とは、重合反応に関与し得る基を含む基である。重合反応に関与し得る基としては具体的には、ビニル基、ｐ−（２−フェニルエテニル）フェニル基、アクリロイル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイル基、メタクリロイルオキシ基、カルボキシ基、メチルカルボニル基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、炭素数１〜４のアルキルアミノ基、アミノ基、ホルミル基、−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、オキシラニル基、オキセタニル基等が挙げられる。かかる重合性基としては、重合反応に関与し得る基、並びに、重合反応に関与し得る基及びＢ^１で表される基又はＫ^１で表される基が結合した基が挙げられる。中でも、光重合に適するという点で、ラジカル重合性基又はカチオン重合性基が好ましく、取り扱いが容易で、製造も容易であるという点で、アクリロイル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイル基又はメタクリロイルオキシ基が好ましく、重合性が高いという点で、アクリロイル基又はアクリロイルオキシ基がより好ましい。

前記第一工程および第二工程を含む製造方法によって製造された化合物（３−Ａ）と化合物（５）とを反応させて、化合物（６）を得る工程である。

［式（２−Ａ）及び式（３−Ａ）中、Ｚ、ｍ、ｐ、Ｘ、Ａ^１、Ｂ^１、Ｊ^１、Ｊ^２、Ｋ^１、ｋ及びｌは上記と同じ意味を表す。］

化合物（３−Ａ）と化合物（５）との反応は、縮合剤の存在下で行うことが好ましい。

縮合剤としては、１−シクロヘキシル−３−（２−モルホリノエチル）カルボジイミドメト−パラ−トルエンスルホネート、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（水溶性カルボジイミド：ＷＳＣとして市販）、ビス（２、６−ジイソプロピルフェニル）カルボジイミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミドなどのカルボジイミド、２−メチル−６−ニトロ安息香酸無水物、２，２’−カルボニルビス−１Ｈ−イミダゾール、１，１’−オキサリルジイミダゾール、ジフェニルホスフォリルアジド、１（４−ニトロベンゼンスルフォニル）−１Ｈ−１、２、４−トリアゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−Ｏ−（Ｎ−スクシンイミジル）ウロニウムテトラフルオロボレート、Ｎ−（１，２，２，２−テトラクロロエトキシカルボニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−カルボベンゾキシスクシンイミド、Ｏ−（６−クロロベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムテトラフルオロボレート、Ｏ−（６−クロロベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート、２−ブロモ−１−エチルピリジニウムテトラフルオロボレート、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムクロリド、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムヘキサフルオロホスフェート、２−クロロ−１−メチルピリジニウムアイオダイド、２−クロロ−１−メチルピリジニウム パラートルエンスルホネート、２−フルオロ−１−メチルピリジニウム パラートルエンスルホネート、トリクロロ酢酸ペンタクロロフェニルエステル等が挙げられる。

中でも縮合剤としては、１−シクロヘキシル−３−（２−モルホリノエチル）カルボジイミドメト−パラ−トルエンスルホネート、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（水溶性カルボジイミド：ＷＳＣとして市販）、ビス（２、６−ジイソプロピルフェニル）カルボジイミド、２，２’−カルボニルビス−１Ｈ−イミダゾール、１，１’−オキサリルジイミダゾール、ジフェニルホスフォリルアジド、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−Ｏ−（Ｎ−スクシンイミジル）ウロニウムテトラフルオロボレート、Ｎ−（１，２，２，２−テトラクロロエトキシカルボニルオキシ）スクシンイミド、Ｏ−（６−クロロベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムクロリド、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムヘキサフルオロホスフェート、２−クロロ−１−メチルピリジニウムアイオダイド、２−クロロ−１−メチルピリジニウム パラートルエンスルホネートが好ましい。

また縮合剤としては、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（水溶性カルボジイミド：ＷＳＣとして市販）、ビス（２、６−ジイソプロピルフェニル）カルボジイミド、２，２’−カルボニルビス−１Ｈ−イミダゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−Ｏ−（Ｎ−スクシンイミジル）ウロニウムテトラフルオロボレート、Ｏ−（６−クロロベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムクロリド、２−クロロ−１−メチルピリジニウムアイオダイドがより好ましい。

ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（水溶性カルボジイミド：ＷＳＣとして市販）、ビス（２、６−ジイソプロピルフェニル）カルボジイミド、２，２’−カルボニルビス−１Ｈ−イミダゾール、２−クロロ−１−メチルピリジニウムアイオダイドが特に好ましい。
縮合剤の使用量は、化合物（３−Ａ）１モルに対して１〜３モルであることが好ましい。

上記縮合剤に、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド、ベンゾトリアゾール、パラニトロフェノール等をさらに添加剤として加えてもよい。
添加剤の使用量は、縮合剤１モルに対して０．０３〜１．２モルであることが好ましい。

さらに、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジメチルアンモニウムペンタフルオロベンゼンスルホナート等を触媒として加えてもよい。中でも、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリンが好ましく、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンがより好ましい。
触媒の使用量は、化合物（３―Ａ）１モルに対して０．０１〜０．５モルであることが好ましい。

化合物（３−Ａ）と化合物（５）との反応は、溶媒の存在下で行うことが好ましい。
該溶媒としては特に制限はないが、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン又はメチルイソブチルケトンなどのケトン溶媒；ペンタン、ヘキサン又はヘプタンなどの脂肪族炭化水素溶媒；トルエン、キシレン、ベンゼン又はクロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトニトリルなどのニトリル溶媒；テトラヒドロフラン、ジメトキシエタンなどのエーテル溶媒；乳酸エチルなどのエステル溶媒；クロロホルム、ジクロロメタンなどのハロゲン化炭化水素溶媒；などが挙げられる。これら有機溶媒は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。溶媒の使用量は、化合物（３−Ａ）と化合物（５）との合計量に対して、好ましくは１００〜１４００質量％、より好ましくは１００〜９００質量％、特に好ましくは１００〜５００質量％である。

化合物（５）の使用量は、化合物（３−Ａ）１モルに対して、好ましくは０．８〜１．５モル、より好ましくは０．９〜１．２モル、特に好ましくは０．９８〜１．１モルである。
反応温度は、好ましくは−２０〜１２０℃、より好ましくは０〜８０℃、特に好ましくは１５〜４５℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜２４時間である。

化合物（５）としては、具体的に、下記式（５−１−ａ）〜（５−３６−ｅ）で表される化合物が挙げられる。

化合物（６）としては、具体的に、下記式（６−１−ａ）〜（６−２０−ｅ）で表される化合物が挙げられる。

第四工程は、化合物（６）のＺで示される基を脱保護して、重合性化合物（７）を得る工程である。

Ｚで表される基の脱保護方法としては、第二工程と同様の、酸で脱保護する方法が挙げられ、第二工程と同様の条件で実施することができる。酸としては、ブレンステッド酸が好ましく、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素、硝酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸及びメタンスルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。

化合物（７）としては、具体的に、下記式（７−１−ａ）〜（７−３６−ｅ）で表される化合物が挙げられる。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。例中の「％」及び「部」は、特記ない限り、質量％及び質量部である。

（実施例１）
化合物（３−Ａ−３）の製造を下記のスキームにしたがって行った。化合物（３−Ａ−３）とは化合物（３―Ａ）の一例であることを示す（以下同様）。
第一工程：

第二工程：

＜第一工程＞
化合物（１−Ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）２００ｇ（１．１６１６ｍｏｌ）及びクロロホルム１０００ｍＬを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下で、攪拌しながら氷冷して、トリエチルアミン１７６．３１ｇ（１．７４２２ｍｏｌ）を加えて攪拌した。均一な溶液が得られたら、氷冷下で、ｐＨ＝７以上を維持させながらエトキシキクロロメタン２３０．６１ｇ（２．４３９８ｍｏｌ）及びトリエチルアミン１７６．３１ｇ（１．７４２２ｍｏｌ）を滴加した。反応溶液を氷冷下５時間攪拌した後、析出した白色沈殿を濾別した。濾液を回収し、純水５００ｍＬと２回分液した。有機層を回収し、エバポレータにて減圧濃縮させた。残渣にヘプタンを加えてさらに減圧乾燥させて、化合物（２−Ａ−３）３０４．３７ｇを得た。収率は化合物（１−Ａ）基準で９１％であった。

化合物（２−Ａ−３）の^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）１．２０〜１．２６（ｔ、６Ｈ）、１．４１〜１．５７（ｍ、４Ｈ）、２．０８〜２．１１（ｄ、４Ｈ）、２．３２（ｂｒ、２Ｈ），（３．６４〜３．７２（ｑ、４Ｈ）、５．２９（ｓ、４Ｈ）。

＜第二工程：反応＞
化合物（２−Ａ−３）２０８ｇ（０．７２１４ｍｏｌ）及びｎ−ヘプタン１２００ｍＬを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下で、４０℃で攪拌して化合物（２−Ａ−３）を溶解させた。一方、トリフルオロ酢酸８２．２５ｇ（０．７２１４ｍｏｌ）とｎ−ヘプタン３７０ｍＬの混合溶液を調製し、該溶液を該反応液に４０℃で攪拌させながら滴加した。滴加中に反応液が白濁し始めたら、反応液を室温まで戻して、さらに該溶液を滴加させた。トリフルオロ酢酸溶液は計４時間かけて滴加した。得られた分散液を減圧濃縮した。残渣にクロロホルム８００ｍＬ、シリカゲル４３ｇを加えてセライトを通して濾過し、副生物である式（１−Ａ）で表される化合物を含む固形分と式（３−Ａ−３）で表される化合物を含む濾液を得た。

次に下記操作によって化合物（１−Ａ）’と（２−Ａ−３）’を回収した。ここで化合物（１−Ａ）’とは化合物（１−Ａ）の回収品であることを意味し、化合物（２−Ａ−３）’は化合物（２−Ａ−３）の回収品であることを意味する。

＜第二工程：化合物（１−Ａ）’の回収＞
上記濾過操作によって得られた固形分にアセトン４００ｍＬを加えて一時間攪拌した。得られた分散液を濾過して、濾液を回収した。濾液を減圧濃縮させて残渣を真空乾燥させることにより、化合物（１−Ａ）’を３０ｇ回収した。収率は化合物（２−Ａ−３）を基準として２４．２％であった。

＜第二工程：化合物（２−Ａ−３）’の回収＞
上記濾過操作によって得られた濾液を減圧濃縮し、残渣にヘプタン４００ｍＬを加えてで１５分攪拌し抽出操作し、混合物を濾過した。同様の操作を計３回繰り返し、３回分の濾液をまとめて回収した。濾液を減圧濃縮させて残渣を真空乾燥させることにより、未反応の化合物（２−Ａ−３）’を３９．５ｇ回収した。回収率は化合物（２−Ａ−３）を基準として１９．０％であった。

＜第二工程：化合物（３−Ａ−３）の精製＞
上記（２−Ａ−３）’の回収工程の濾過で得られた固形分を真空乾燥させることにより、白色粉末として化合物（３−Ａ−３）を８９．５ｇ回収した。収率は化合物（２−Ａ−３）を基準として５３．９％であった。

化合物（３−Ａ−３）の^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）１．２０〜１．２６（ｔ、３Ｈ）、１．４５〜１．５６（ｄｔ、４Ｈ）、２．０９〜２．１２（ｂｒ、ｄ、４Ｈ）、２．３２（ｂｒ，２Ｈ）、３．６４〜３．７２（ｑ、２Ｈ）、５．２９（ｓ、２Ｈ）。

上記第二工程において、シクロヘキサン利用率は、９７．１モル％であった。ここで、シクロヘキサン利用率とは、式（３−Ａ−３）で表される化合物の収率と副生物である式（１−Ａ）で表される化合物の収率と未反応の式（２−Ａ−３）’で表される化合物の回収率との合計のことをいう。
シクロヘキサン利用率のうち２４．２モル％の化合物（１−Ａ）’は第一工程に、１９．０モル％の化合物（２−Ａ−３）’は第二工程に再利用できることがわかった。
以下に（２−Ａ−３）’を再利用した化合物（３−Ａ−３）の合成例を示す。

（実施例２）
＜第二工程―（２）：（２−Ａ−３）’を再利用した反応＞
化合物（２−Ａ−３）’を１５２．４２ｇ（０．５２８６ｍｏｌ）及びｎ−ヘプタン９００ｍＬを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下で、４０℃で攪拌して化合物（２−Ａ−３）’を溶解させた。一方、トリフルオロ酢酸４８．２２ｇ（０．４２２９ｍｏｌ）とｎ−ヘプタン２５０ｍＬの混合溶液を調製し、該溶液を該反応液に４０℃で攪拌させながら滴加した。滴加中に反応液が白濁し始めたら、反応液を室温まで戻して、さらに該溶液を滴加させた。トリフルオロ酢酸溶液は計４時間かけて滴加した。得られた分散液を減圧濃縮した。

次に下記操作によって化合物（１−Ａ）’’と（２−Ａ−３）’’を回収した。ここで化合物（１−Ａ）’’とは化合物（１−Ａ）の回収品であることを意味し、化合物（２−Ａ−３）’’は化合物（２−Ａ−３）’を用いた第二工程で未反応として残ったものの回収品であることを意味する。

＜第二工程−（２）：化合物（２−Ａ−３）’’の再回収＞
上記反応後の減圧濃縮によって得られた残渣にヘプタン４００ｍＬを加えて１５分攪拌し抽出操作をし、混合物を濾過した。同様の操作を計３回繰り返し、３回分の濾液をまとめて回収した。濾液を減圧濃縮させて残渣を真空乾燥させることにより、化合物（２−Ａ−３）’を４３．５ｇ回収した。回収率は化合物（２−Ａ−３）を基準として２８．５％であった。

＜第二工程−（２）：化合物（１−Ａ）’’の再回収＞
上記濾過によって回収した固形分にクロロホルム５００ｍＬ、シリカゲル３６ｇを加えてセライトを通して濾過した。濾過操作によって得られたシリカゲル、セライトを含む固形分にアセトン４００ｍＬを加えて一時間攪拌した。得られた混合物を濾過して、濾液を回収した。濾液を減圧濃縮させて残渣を真空乾燥させることにより、化合物（１−Ａ）’を１．８ｇ回収した。回収率は化合物（２−Ａ−３）’を基準として１．９％であった。

＜第二工程：化合物（３−Ａ−３）の精製＞
上記（１−Ａ）’’の回収工程で得られた濾液を減圧濃縮・真空乾燥させることにより、白色粉末として化合物（３−Ａ−３）を８１．８ｇ回収した。収率は化合物（２−Ａ−３）’を基準として６７．２％であった。

上記第二工程において、シクロヘキサン利用率は、９７．６モル％であり、うち１．９％の化合物（１−Ａ）’’は第一工程に、２８．５％の化合物（２−Ａ−３）’’は第二工程に再利用できることがわかった。
以下に化合物（２−Ａ−３）’’を、新しく第一工程で合成した化合物（２−Ａ−３）と混合して再利用した化合物（３−Ａ−３）の合成例を示す。

（実施例３）
＜第二工程―（３）：（２−Ａ−３）’’を再利用した反応＞
化合物（２−Ａ−３）’’を４３．５０ｇ（０．１５０９ｍｏｌ）、化合物（２−Ａ−３）を７８．６４ｇ（０．２７２７ｍｏｌ）及びｎ−ヘプタン７２０ｍＬを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下で、４０℃で攪拌して化合物（２−Ａ−３）、化合物（２−Ａ−３）’’を溶解させた。一方、トリフルオロ酢酸４８．３ｇ（０．４２３６ｍｏｌ）とｎ−ヘプタン２３０ｍＬの混合溶液を調製し、該溶液を該反応液に４０℃で攪拌させながら滴加した。滴加中に反応液が白濁し始めたら、反応液を室温まで戻して、さらに該溶液を滴加させた。トリフルオロ酢酸溶液は計４時間かけて滴加した。得られた分散液を減圧濃縮した。

次に下記操作によって化合物（１−Ａ）’’’と化合物（２−Ａ−３）’’’を回収した。ここで化合物（１−Ａ）’’’とは化合物（１−Ａ）の回収品であることを意味し、化合物（２−Ａ−３）’’’は化合物（２−Ａ−３）’’を用いた第二工程で未反応として残ったものの回収品であることを意味する。

＜第二工程−（２）：化合物（２−Ａ−３）’’’の再回収＞
上記反応後の減圧濃縮によって得られた残渣にヘプタン４００ｍＬを加えてで１５分攪拌し抽出操作をし、混合物を濾過した。同様の操作を計３回繰り返し、３回分の濾液をまとめて回収した。濾液を減圧濃縮させて残渣を真空乾燥させることにより、化合物（２−Ａ−３）’’’を２４．９ｇ回収した。回収率は化合物（２−Ａ−３）と化合物（２−Ａ−３）’’を基準として２０．４％であった。

＜第二工程−（２）：化合物（１−Ａ）’’’の再回収＞
上記濾過によって回収した固形分にクロロホルム５００ｍＬ、シリカゲル３６ｇを加えてセライトを通して濾過した。濾過操作によって得られたシリカゲル、セライトを含む固形分にアセトン４００ｍＬを加えて一時間攪拌した。得られた混合物を濾過して、濾液を回収した。濾液を減圧濃縮させて残渣を真空乾燥させることにより、化合物（１−Ａ）’’’を７．８ｇ回収した。回収率は化合物（２−Ａ−３）と化合物（２−Ａ−３）’’を基準として１０．７％であった。

＜第二工程：化合物（３−Ａ−３）の精製＞
上記（１−Ａ）’’の回収工程で得られた濾液を減圧濃縮・真空乾燥させることにより、白色粉末として化合物（３−Ａ−３）を６４．００ｇ回収した。回収率は化合物（２−Ａ−３）と化合物（２−Ａ−３）’’を基準として６５．６％であった。

上記第二工程において、シクロヘキサン利用率は、９６．４モル％であり、うち１０．７％の化合物（１−Ａ）’’’は第一工程に、２０．４％の化合物（２−Ａ−３）’’’は第二工程に再利用できることがわかった。

以上の結果を表１にまとめる。

表１中、化合物（３−Ａ−３）の１バッチあたりの収率とは、化合物（１−Ａ）の使用量に対する、第一工程及び第二工程を経て得られた化合物（３−Ａ−３）の収率を表す。
また、反応液から、各工程の原料となる化合物を、濃縮（溶媒留去）、冷却による結晶化、貧溶媒添加による晶析、濾過などの簡便な操作により回収できた場合、回収は「容易」であると判断した。

実施例１〜３では、化合物（３−Ａ−３）の収率が良好である。また、反応段数も少なく製造に有利である。さらに、実施例１〜３で示したように本発明の製法ではシクロヘキサンジカルボン酸の回収・再利用は容易である。
さらに、シクロヘキサンの利用率等を表２に示す。

表２に示したように、実施例１〜３では第二工程で原料シクロヘキサンジカルボン酸、中間体化合物（２−Ａ−３）を回収再利用できるので、工程全体でのシクロヘキサンジカルボン酸の利用率は、良好である。

実施例４〜７では、化合物（３−Ａ）の有用性を示すため、化合物（３−Ａ−３）を原料として用いた時の、化合物（６）を経由した液晶化合物の中間体である重合性化合物（７）の製造例を示す。重合性化合物（７−Ａ）の製造方法は下記スキームに従った。

（実施例４）
（重合性化合物（７）の合成）
重合性化合物（７−Ａ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第三工程：

第四工程：

＜化合物（Ａ）の製造例＞
尚、化合物（Ａ）の合成方法は下記のスキームにしたがって行った。

＜化合物（Ａ−Ｉ）の製造例＞
化合物（Ａ−Ｉ）は原料としてジヒドロキノンを用いて、酸触媒下でジヒドロピランと反応させて製造した。反応条件、精製方法は特許文献（特開２００４−２６２８８４号公報）に記載されている方法に従った。

＜化合物（Ａ−ＩＩ）の製造例＞
化合物（Ａ−Ｉ）１００．１ｇ（５１５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム９７．１ｇ（７０３ｍｍｏｌ）、６−クロロヘキサノール６４ｇ（４６８ｍｍｏｌ）及びジメチルアセトアミドを混合した。窒素雰囲気下、９０℃で、その後１００℃で得られた溶液を撹拌した。得られた溶液を室温まで冷却し、得られた溶液に純水、メチルイソブチルケトンを加え、回収した有機層を水酸化ナトリウム水溶液及び純水で洗浄し、濾過後に減圧濃縮した。残渣にメタノールを加えて、生成した沈殿を濾過、真空乾燥して、化合物（Ａ−ＩＩ）を１２６ｇ（４２８ｍｍｏｌ）得た。収率は６−クロロヘキサノール基準で９１％であった。

＜化合物（Ａ−ＩＩＩ）の製造例＞
化合物（Ａ−ＩＩ）１２６ｇ（４２８ｍｍｏｌ）、３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエン１．４０ｇ（６．４２ｍｍｏｌ）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン１１６．７ｇ（９６３ｍｍｏｌ）、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノン１．００ｇ及びクロロホルムを混合した。窒素雰囲気、氷冷下で得られた溶液にアクイロイルクロリド５８．１ｇ（６４２ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに純水を加えて、得られた溶液を攪拌した。回収した有機層を塩酸水、飽和炭酸ナトリウム水溶液及び純水で洗浄した。有機層を乾燥し、濾過後、３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエン１ｇを加えて減圧濃縮して、化合物（Ａ−ＩＩＩ）を得た。

＜化合物（Ａ）の製造例＞
化合物（Ａ−ＩＩＩ）にテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍｌを加え濃縮した後、得られた溶液にＴＨＦ２００ｍｌを加えた。得られた溶液に塩酸水及び濃塩酸水を加えて、窒素雰囲気下６０℃で攪拌した。反応溶液に飽和食塩水５００ｍｌを加えて攪拌し、回収した有機層を脱水し、濾過後減圧濃縮した。さらにヘキサンを加えて氷冷下攪拌し、析出した粉末を濾過後真空乾燥して、化合物（Ａ）を９０ｇ（３３９ｍｍｏｌ）得た。２工程の収率は化合物（Ａ−ＩＩ）基準で、７９％であった。

＜第三工程＞
化合物（Ａ）５６．８ｇ（２１５ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン２．６５ｇ（２２ｍｍｏｌ）、化合物（３−Ａ−３）５０ｇ（２１７ｍｍｏｌ）及びクロロホルム３００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、氷冷して攪拌し、得られた溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド４８．７９ｇ（２３７ｍｏｌ）の５０ｍＬクロロホルム溶液を滴下した。滴下終了後、得られた溶液を室温にて４時間攪拌して反応させた。反応溶液にクロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、２Ｎ−塩酸水溶液で洗浄した。有機層を回収し、不溶成分を濾過後、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去、真空乾燥を経て、化合物（６−Ａ）１００ｇを得た。

＜第四工程＞
化合物（６−Ａ）１００ｇ、純水３．６４ｇ（２０２ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物３．８４ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ２００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、５０℃に加温後、３時間攪拌して反応させた。室温まで放冷後、ＴＨＦを除去し、残渣にヘプタン２００ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、純水で洗浄後、真空乾燥した。得られた粉末をクロロホルムに溶解し、シリカゲルを通して濾過した。濾液を回収しクロロホルム４００ｍＬに溶解して、濃縮後、トルエンに溶解した。得られた溶液を減圧濃縮したのち、ヘプタンを加えて結晶化させた。得られた粉末を濾取、真空乾燥して、重合性化合物（７−Ａ）６４．１ｇを得た。収率は化合物（Ａ）基準、２工程で７６％であった。高速液体クロマトグラフィーにて純度を定量した結果、純度は９２％であり、不純物は検出されなかった。

（実施例５）
重合性化合物（７−Ｂ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第三工程：

第四工程：

＜化合物（Ｂ）の製造例＞
化合物（Ｂ）の合成は下記のスキームにしたがって行った。

＜化合物（Ｂ−Ｉ）の製造例＞
化合物（Ａ−Ｉ）１６．９ｇ（８６．７ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン０．８５ｇ（７ｍｍｏｌ）、コハク酸（２−エチルオキシアクリレート）１５ｇ（６９．４ｍｍｏｌ）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエン８０ｍｇ及びクロロホルム１００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を氷冷して攪拌し、溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド１９．６８ｇ（９５．４ｍｏｌ）の２０ｍＬクロロホルム溶液を滴下した。滴下終了後、攪拌した。反応溶液にクロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、２Ｎ−塩酸水溶液で洗浄した。有機層を回収し、不溶成分を濾過後、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去、真空乾燥を経て、化合物（Ｂ−Ｉ）２１ｇを得た。

＜化合物（Ｂ）の製造例＞
化合物（Ｂ−Ｉ）２１ｇ、純水１．１６ｇ（６４．２ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１．０２ｇ（５．４ｍｍｏｌ）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエン１００ｍｇ及びＴＨＦ２００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を３０℃に加温後、攪拌した。室温まで放冷後、溶液にトルエン２００ｍＬを加えた。得られた溶液を純水で洗浄後、有機層を回収しヘプタン２００ｍＬを加えた。不溶成分を濾別した後、これを室温で減圧濃縮後、溶媒をクロロホルムで置換しシリカゲルを通して濾過した。濾液を回収し、減圧濃縮、真空乾燥を経て、化合物（Ｂ）１６ｇを得た。収率は化合物（Ａ−Ｉ）基準、２工程で７５％であった。

＜第三工程＞
化合物（Ｂ）１０．０５ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン０．４０ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、化合物（３−Ａ−３）７．５ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエン２０ｍｇ及びクロロホルム３００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を氷冷して攪拌し、溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド７．３９ｇ（３５．８ｍｏｌ）の２０ｍＬクロロホルム溶液を滴下した。滴下終了後、溶液を室温で３時間攪拌して反応させた。反応溶液にクロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、塩酸水溶液で洗浄した。有機層を回収し、不溶成分を濾過後、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去、真空乾燥を経て、化合物（６−Ｂ）１４．２ｇを得た。

＜第四工程＞
化合物（６−Ｂ）１４．２ｇ、純水０．５９ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．６２ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエン４０ｍｇ及びＴＨＦ８０ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を５０℃に加温後、３時間攪拌して反応させた。室温まで放冷後、ＴＨＦを除去し、残渣にヘプタン２００ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、これを純水で洗浄後、真空乾燥した。得られた粉末をクロロホルムに溶解し、シリカゲルを通して濾過した。濾液を回収しクロロホルム４００ｍＬに溶解して、濃縮後、トルエンを加えた。得られた溶液を減圧濃縮したのち、ヘプタン５００ｍＬを加えて結晶化させた。得られた粉末を濾取、真空乾燥を経て、重合性化合物（７−Ｂ）を１０．１ｇ得た。収率は化合物（Ｂ）基準、２工程で６７％であった。高速液体クロマトグラフィーによって確認したところ、不純物は検出されなかった。

（実施例６）
重合性化合物（７−Ｃ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第三工程：

第四工程：

＜化合物（Ｃ）の製造例＞
化合物（Ｃ）の合成は、化合物（Ｂ）と同様に下記のスキームにしたがって行った。

＜化合物（Ｃ−Ｉ）の製造例＞
化合物（Ａ−Ｉ）１０．０ｇ（５１．５ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン５．１４ｇ（５．１５ｍｍｏｌ）、カプロン酸６−（２−エチルオキシアクリレート）１０．５ｇ（５６．６ｍｍｏｌ）、重合禁止剤として３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエン０．１ｇをクロロホルム１００ｍＬに溶解させた。窒素雰囲気、氷冷下で、５０ｍＬに溶解させたジシクロヘキシルカルボジイミド１０．７２ｇ（５１．９９ｍｍｏｌ）を滴加し、室温で２時間反応させた。反応液を濾過して濾液を回収し、シリカゲル１５ｇを加えた。室温で１時間攪拌後、濾過して濾液を回収、エバポレータにて減圧濃縮した。残渣をテトラヒドロフランに溶かし、不溶成分を濾過により除去さらに濾液を回収して減圧濃縮して粘稠液体として化合物（Ｃ−Ｉ）１７．５５ｇが得られた。収率は化合物（Ａ−Ｉ）を基準として９４％であった。

＜化合物（Ｃ）の製造例＞
化合物（Ｃ−Ｉ）１４．００ｇ（３８．６ｍｍｏｌ）、重合禁止剤として３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエン０．１ｇ、純水０．７０ｇ（３８．６ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．３６７ｇ（１．９３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１００ｍＬに溶解させた。混合液を窒素雰囲気下、３０℃で１時間、６０℃で３０分攪拌した。反応液を３０℃以下で３倍に減圧濃縮して、溶液を８００ｇの氷と混合させた。析出した白色粉末を濾取し、さらに純水２００ｍＬで２回洗浄、真空乾燥させることにより、白色粉末として化合物（Ｃ）９．１１ｇが得られた。収率は化合物（Ｃ−Ｉ）基準で８５％であった。

＜第三工程＞
化合物（Ｃ）８．００ｇ（２８．７ｍｍｏｌ）と、ジメチルアミノピリジン０．２４５ｇ（２．０１ｍｍｏｌ）、重合禁止剤として３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエン０．１ｇ、化合物（３−Ａ−３）６．６２ｇ（２８．７ｍｍｏｌ）をクロロホルム８０ｍＬに溶解させた。混合液に、３０ｍＬのクロロホルムに溶解させたジシクロヘキシルカルボジイミド６．０５ｇ（２９．３ｍｍｏｌ）を氷冷下で滴加し、室温で３時間攪拌した。得られた反応液を濾過し、濾液を回収した。濾液にシリカゲル１０ｇを加えて室温で一時間攪拌し濾過した。濾液を減圧濃縮して残渣にテトラヒドロフラン６０ｍＬを加えた。不溶成分を濾別し、濾液を減圧濃縮、真空乾燥させることにより、粘稠液体として化合物（６−ｃ）１３．５６ｇが得られた。収率は化合物（Ｃ）基準で９６％であった。

＜第四工程＞
重合禁止剤として３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエン０．１ｇ、化合物（６−Ｃ）１３．５６ｇ（２７．６ｍｍｏｌ）を、純水０．５１２ｇ（２８．４ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．６３１ｇ（３．３１ｍｍｏｌ）を混合した。反応液を、窒素雰囲気下、５０℃で二時間攪拌させた。得られた反応液を３０℃以下で減圧濃縮した。残渣に氷４００ｇを加えて結晶化させた。得られた白色結晶を濾取後、純水３００ｍＬで二回、純水１００ｍＬとメタノール５０ｍＬの混合溶媒で３回洗浄して真空乾燥させることにより、重合性化合物（７−Ｃ）９．９８ｇが得られた。収率は化合物（６−Ｃ）基準で８４％であった。

（実施例７）
重合性化合物（７−Ｄ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。

第三工程：

第四工程：

＜化合物（Ｄ）の製造例＞
トランス−４−ヒドロキシシクロヘキサンカルボン酸（１２５ｇ（８６７ｍｍｏｌ））、炭酸カリウム１４３．８ｇ（１．０４ｍｏｌ）、ベンジルブロミド１４０．８７ｇ（８２４ｍｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド７００ｍｌを混合した。窒素雰囲気下、８０℃まで昇温して、攪拌した。反応溶液を室温まで放冷後、反応溶液を水１０００ｇ、メチルイソブチルケトン／ヘプタン（重量比３／２）５００ｇに注いだ。この溶液を攪拌後、水層を除去、さらに有機層を純水で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。残渣にヘプタンを加えて結晶化させ、濾過、真空乾燥を経て、化合物（Ｄ）を１５０ｇ得た。収率はトランス−４−ヒドロキシシクロヘキサンカルボン酸基準で７５％であった。

＜化合物（Ｅ）の製造例＞
化合物（Ｄ）を３０．５ｇ（１３０ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン１．５９ｇ（１３ｍｍｏｌ）、化合物（４−ｂ）３０ｇ（１３０ｍｍｏｌ）及びクロロホルム２００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を氷冷して攪拌し、溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド２９．５７ｇ（１４３ｍｏｌ）を一時間かけて滴下した。滴下終了後、攪拌した。反応溶液にクロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、純水で３回洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。残渣にメタノールを加えて攪拌し、得られた粉末を濾取後、さらにメタノールを加えて攪拌した。得られた粉末を濾取、真空乾燥を経て、化合物（Ｅ）を４２ｇ得た。収率は化合物（４−ｂ）基準で９０％であった。

＜化合物（Ｆ）の製造例＞
化合物（Ｅ）、２３ｇ及びＴＨＦ１５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）１．２ｇを加えた。減圧後、水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で溶液を攪拌した。窒素置換後、溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。残渣をトルエンに溶解し、不溶成分を濾過にて除去後、溶媒を除去した。残渣を水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。得られた結晶を濾別、真空乾燥して化合物（Ｆ）１７．８ｇを得た。収率は化合物（Ｅ）基準で９７％であった。

＜第三工程＞
化合物（Ｆ）１６ｇ（４４．９ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン０．５５ｇ（１３ｍｍｏｌ）、４−ヒドロキシブチルアクリレート６．４７ｇ（４４．９ｍｍｏｌ）及びクロロホルム１００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、氷冷して攪拌し、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩１０．１９ｇ（４９．４ｍｍｏｌ）の５０ｍＬクロロホルム溶液を滴下した。滴下終了後、室温で２時間攪拌して反応させた。反応溶液にトルエン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、減圧濃縮、クロロホルムを除去し、トルエン溶液とした。トルエン溶液を１Ｎ−塩酸水溶液で３回洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。残渣の真空乾燥を経て、化合物（６−Ｄ）を１８．５ｇ得た。

＜第四工程＞
化合物（６−Ｄ）１８．５ｇ、純水０．９７ｇ（５３．９ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．８５ｇ（４．５ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ１００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を５０℃に加温後、３時間攪拌して反応させた。室温まで放冷後、ＴＨＦを除去し、残渣にヘプタン２００ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、これを純水で洗浄後、真空乾燥して、重合性化合物（７−Ｄ）１５．４ｇを得た。収率は化合物（Ｆ）基準、２工程で８１％であった。

（比較例２、３）
重合性化合物（７−Ａ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。

（比較例１）
トランス−シクロヘキサンジカルボン酸２４．６８ｇ（１１８ｍｍｏｌ）及びトルエンを混合した。得られた溶液に二塩化オキサリル７４．９１ｇ（５９０ｍｍｏｌ）及びジメチルホルムアミド０．５ｍＬを加えて、窒素雰囲気下で溶液を攪拌した。トルエン、二塩化オキサリルを減圧除去して得られた溶液（シクロヘキサンジカルボン酸ジクロリド粗精製物）及びクロロホルムを混合した。
一方、化合物（Ａ）１２ｇ（４５．４ｍｍｏｌ）及びクロロホルムを混合した。化合物（Ａ）を含む溶液と、ピリジン１２．６ｇ（１５９ｍｍｏｌ）とを氷冷下で、シクロヘキサンジカルボン酸ジクロリド粗精製物を含む溶液に滴下した。反応溶液を窒素雰囲気下で攪拌して得られた沈殿を濾過により除去後、減圧濃縮した。これを水／メタノールの混合溶媒（体積比で１／１）に滴下し、生成した沈殿を粉砕後、純水で洗浄して、濾過後真空乾燥した。得られた粉末を再び粉砕後、ｎ−ヘプタンを加えて、攪拌した後、生成した沈殿を取り出しトルエンに溶解した。不溶成分を濾過して、濾液を減圧濃縮後、濃縮した濾液にｎ−ヘプタンを加えて再沈殿させた。沈殿を真空乾燥して、重合性化合物（７−Ａ）を７．８ｇ得た。収率は化合物（Ａ）基準で４０％であった。純度は７０％であった。

比較例１では、得られた重合性化合物（７−Ａ）の他に以下の式（ＩＩＩ）〜式（Ｘ）で表される不純物（以下「不純物（ＩＩＩ）」〜「不純物（Ｘ）」という場合がある）を含むことが、高速液体クロマトグラフィー、質量スペクトル分析によって明らかとなった。

（比較例２）
トランス−シクロヘキサンジカルボン酸２４．６８ｇ（１１８ｍｍｏｌ）、二塩化オキサリル７４．９１ｇ（５９０ｍｍｏｌ）及びジメチルホルムアミド０．５ｍＬを混合した。窒素雰囲気下で得られた溶液を攪拌した。トルエン及び二塩化オキサリルを減圧除去して得られたシクロヘキサンジカルボン酸ジクロリド粗精製物及びクロロホルムを混合した。
一方、化合物（Ａ）１２ｇ（４５．４ｍｍｏｌ）及びクロロホルムを混合した。化合物（Ａ）を含む溶液と、ピリジン１２．６ｇ（１５９ｍｍｏｌ）とを氷冷下で、シクロヘキサンジカルボン酸ジクロリド粗精製物を含む溶液に滴下した。反応溶液を窒素雰囲気下で攪拌して得られた沈殿を濾過により除去後、減圧濃縮した。これを水に滴下し、生成した沈殿を粉砕後、純水で攪拌し、沈殿を濾取後真空乾燥した。得られた粉末を再び粉砕後、水／メタノールの混合溶媒（体積比で１／１）に滴下し、生成した沈殿を粉砕、濾取後、ｎ−ヘプタンを加え、得られた混合液を攪拌して不溶成分を濾取した。さらに粉末をトルエンに再溶解して、さらに不溶成分を濾過して、濾液を減圧濃縮後、濃縮した濾液にｎ−ヘプタンを加えて再沈殿させた。沈殿を真空乾燥して、重合性化合物（７−Ａ）を２．１ｇ得た。収率は化合物（Ａ）基準で１２％であった。純度は８５％であった。

（実施例８）
化合物（３−Ａ−３）は下記スキームによっても合成可能である。

第一工程：

第二工程：

＜第一工程＞
＜第一工程＞
水酸化カリウム９．７８ｇ（１７４ｍｍｏｌ）、１８−クラウン−６を０．４６ｇ（２ｍｍｏｌ）及びメタノール３０ｇを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下で攪拌しながら氷冷して、化合物（１−Ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）１０ｇ（５８．１ｍｏｌ）を加えて室温で８時間攪拌した。得られた分散液にトルエン３０ｇを加えて沈殿を濾取した。沈殿をトルエンで洗浄し、化合物（１−Ａ’）を得た。化合物（１−Ａ’）を全量そのまま使用した。（１−Ａ’）をトルエン５０ｇに分散させて、炭酸カリウム１６．０６ｇ（１１６ｍｍｏｌ）を加えた。得られた分散液に、ｐＨ＝７以上に維持されていることを確認しながらエトキシキクロロメタン１０．９８ｇ（１１６ｍｍｏｌ）を滴加した。反応溶液を室温で３時間攪拌した後、析出した白色沈殿を濾別した。濾液を回収した。濾液を減圧濃縮させ、残渣に氷２０ｇ、純水８０ｍＬを加えて結晶化させた。得られた白色結晶を濾取しさらに純水で２回洗浄後、真空乾燥させて、化合物（２−Ａ−３）１４．７ｇを得た。収率は化合物（１−Ａ）基準で８８％であった。

＜第二工程＞
第二工程は前記と同様に実施すれば、化合物（３−Ａ−３）が得られる。

（実施例９）
化合物（３−Ａ−３）は下記スキームによっても合成可能である。

第一工程：

第二工程：

＜第一工程＞
＜第一工程＞
水酸化カリウム８．１５ｇ（１４５ｍｍｏｌ）、１８−クラウン−６を０．４６ｇ（２ｍｍｏｌ）及びエタノール５０ｇを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下で攪拌しながら氷冷して、化合物（１−Ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）１０ｇ（５８．１ｍｍｏｌ）を加えて室温で８時間攪拌した。得られた分散液にテトラヒドロフラン５０ｇを加えて沈殿を濾取した。沈殿をトルエン、およびテトラヒドロフランで洗浄し、化合物（１−Ａ’）を得た。化合物（１−Ａ’）を全量そのまま使用した。（１−Ａ’）をトルエン５０ｇに分散させて、炭酸カリウム１６．０６ｇ（１１６ｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド１．０ｇを加えた。得られた分散液に、ｐＨ＝７以上をｐＨメータで確認しながらエトキシキクロロメタン１０．９８ｇ（１１６ｍｏｌ）を滴加した。反応溶液を室温で３時間攪拌した後、析出した白色沈殿を濾別した。濾液を回収した。濾液を減圧濃縮させ、残渣に氷２０ｇ、純水８０ｍＬを加えて結晶化させた。得られた白色結晶を濾取しさらに純水で２回洗浄後、真空乾燥させて、化合物（２−Ａ−３）１５．６ｇを得た。収率は化合物（１−Ａ）基準で９３％であった。

＜第二工程＞
第二工程は前記と同様に実施すれば、化合物（３−Ａ−３）が得られる。

（実施例１０）
化合物（３−Ａ−１）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第一工程：

第二工程：

＜第一工程＞
化合物（１−Ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）１０ｇ（５８．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１６．０５ｇ（１１６ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム２．７０ｇ（１６．３ｍｍｏｌ）、１８−クラウン−６を４．３ｇ（１６．３ｍｍｏｌ）及びトルエン５０ｇを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下で、攪拌しながら６０℃に加温して、メチルチオメチルクロリド１３．４６ｇ（１３９ｍｍｏｌ）を滴加した。６０℃で７時間攪拌し、室温まで冷却後、純水３００ｍＬを加え分液した。有機層を回収し、さらに純水１００ｍＬで２回洗浄後、有機層を取り、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を回収し減圧濃縮した。残渣を０℃に冷却してヘプタン４０ｍＬを加えた。０℃で１５分攪拌して析出した白色結晶を濾取した。白色結晶を真空乾燥させて、化合物（２−Ａ−１）１３．５ｇを得た。収率は化合物（１−Ａ）基準で７９％であった。

化合物（２−Ａ−１）の^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）１．４１〜１．５８（ｍ、４Ｈ）、２．０４〜２．１４（ｂｒ、ｄ、４Ｈ）、２．２４（ｓ、６Ｈ），２．２７〜２．３８（ｍ、２Ｈ）、５．１３（ｓ、４Ｈ）。

＜第二工程＞
第二工程では反応温度を６０℃、溶媒をヘプタンとトルエン（重量比８０：２０）として前記と同様に実施すれば、化合物（３−Ａ−１）が得られた。収率は化合物（２−Ａ−１）基準で４８％。また化合物（１−Ａ−１）は２５％、未反応として残った化合物（２−Ａ−１）は２７％であった。

化合物（３−Ａ−１）の^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）１．４０〜１．５９（ｍ、４Ｈ）、２．０３〜２．１４（ｂｒ、ｄ、４Ｈ）、２．２５（ｓ、３Ｈ），２．２５〜２．３６（ｍ、２Ｈ）、５．１２（ｓ、２Ｈ）。

（実施例１１）
化合物（３−Ａ−４）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第一工程：

第二工程：

＜第一工程＞
化合物（１−Ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）７ｇ（４０．７ｍｍｏｌ）及びクロロホルム３５ｍＬを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下で、攪拌しながら氷冷して、トリエチルアミン１２．３４ｇ（１２２ｍｍｏｌ）を加えて攪拌した。均一な溶液が得られたら、氷冷下で、ｐＨ＝７以上を維持させながらメトキシエトキシキクロロメタン１２．１５ｇ（９７．６ｍｏｌ）及びトリエチルアミン４．０８ｇ（３１ｍｍｏｌ）を滴加した。反応溶液を氷冷下５時間攪拌した後、析出した白色沈殿を濾別した。濾液を回収し、純水５００ｍＬと２回分液した。有機層を回収し、エバポレータにて減圧濃縮させた。残渣にヘプタンを加えてさらに減圧乾燥させて、化合物（２−Ａ−４）１２．６ｇを得た。収率は化合物（１−Ａ）基準で８９％であった。

化合物（２−Ａ−４）の^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）１．４１〜１．５６（ｍ、４Ｈ）、２．０８〜２．１１（ｄ、４Ｈ）、２．３３（ｂｒ、２Ｈ），３．３９（ｓ、６Ｈ）、３．５４〜３．５８（ｍ、４Ｈ）、３．７６〜３．８０（ｍ、４Ｈ）、５．３３（ｓ、４Ｈ）。

＜第二工程＞
第二工程は脱保護溶媒としてｎ−ヘプタンとトルエンの混合溶媒（重量比８：２）を用いて前記と同様の操作を実施して、化合物（３−Ａ−４）が得られた。収率は化合物（２−Ａ−４）基準で４２％。また化合物（１−Ａ−１）は３５％、未反応として残った化合物（２−Ａ−１）は２３％であった。

化合物（３−Ａ−４）の^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：１．４１〜１．５６（ｄｔ、４Ｈ）、２．０８〜２．１１（ｄ、４Ｈ）、２．２８（ｂｒ、２Ｈ），３．３８（ｓ、３Ｈ）、３．５６〜３．５８（ｍ、２Ｈ）、３．７６〜３．８１（ｍ、２Ｈ）、５．３５（ｓ、２Ｈ）。

本発明の重合性化合物の製造方法による実施例４〜１１の結果から、高い収率で重合性化合物が得られることが確認された。また、純度も高いことが確認された。

本発明のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法によれば、液晶化合物の中間体として有用なシクロアルカンジカルボン酸モノエステルを高収率で得ることができる。

Claims (18)

1. 式（１−Ａ）で表される化合物に含まれる２つのカルボキシ基を、Ｚで表される基で保護して、式（２−Ａ）で表される化合物を得る第一工程と、
   第一工程で得られた式（２−Ａ）で表される化合物に含まれるＺで表される基のいずれか一方を、酸で脱保護して、式（３−Ａ）で表される化合物を得る第二工程とを含むシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
   

   

   
   ［式（１−Ａ）、式（２−Ａ）及び式（３−Ａ）中、ｍは、０〜３の整数を表す。
   Ｚは、メチルスルファニルメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基、４−ペンテニルオキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、１−エトキシエチル基、ベンジルオキシメチル基、４−メトキシベンジルオキシメチル基、２−メトキシベンジルオキシメチル基、４−ニトロベンジルオキシメチル基、１−メチル−１−ベンジルオキシ−２−フルオロエチル基、１−メチル−１−フェノキシエチル基、１−メチル−１−メトキシエチル基、１−メチル−１−ベンジルオキシエチル基、２，２，２−トリクロロエトキシメチル基、１−［２−（トリメチルシリル）エトキシ］エチル基、テトラヒドロピラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリチル基、ベンジル基、４−メトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、４−ニトロベンジル基、１，３−ベンゾジチオラン−２−イル基、２，２，２−トリクロロエチル基、２−フェニル−２−エタノン−１−イル、シクロプロピルメチル基、−ＣＨ_２−Ｏ−ＳｉＲ^５Ｒ^６Ｒ^７又は−ＳｉＲ^５Ｒ^６Ｒ^７を表す。
   Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、フェニル基又はベンジル基を表す。
   ｐは、０又は１を表す。］
2. 第二工程における脱保護が、脂肪族炭化水素を含む溶媒中で行われる請求項１記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
3. 脂肪族炭化水素を含む溶媒中、脂肪族炭化水素の含有量が３０質量％以上１００質量％以下である請求項２記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
4. 脂肪族炭化水素が、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン及びオクタンからなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項２又は３記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
5. 酸が、ブレンステッド酸である請求項１〜４のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
6. 酸が、トリフルオロ酢酸又はトリクロロ酢酸である請求項１〜５のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
7. 酸の使用量が、式（２−Ａ）で表される化合物１モルに対して、０．１モル以上３モル以下である請求項１〜６のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
8. 第二工程において不純物として生成する式（１−Ａ）で表される化合物を回収する工程をさらに含み、当該工程において回収した式（１−Ａ）で示される化合物を第一工程で再利用する請求項１〜７のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
9. さらに、第二工程において未反応の式（２−Ａ）で表される化合物を回収する工程をさらに含み、当該工程において回収した式（２−Ａ）で示される化合物を第二工程で再利用する請求項１〜８のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
10. 第一工程が、式（１−Ａ）で表される化合物と、式（４−Ａ）又は式（４−Ｂ）で表される化合物とを反応させて式（２−Ａ）で表される化合物を得る工程である請求項１〜９のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
    

    

    ［式（１−Ａ）、式（４−Ａ）及び式（４−Ｂ）中、Ｗ^１は、ハロゲン原子、トシル基、又はメシチル基を表す。
    Ｑは、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
    ｑは、０又は１を表す。
    Ｚ、ｐ及びｍは、前記におけるものと同じ意味を表す。］
11. Ｚで表される基が、メチルスルファニルメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、１−エトキシエチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリイソプロピルシリル基、テトラヒドロピラニル基又はテトラヒドロチオピラニル基である請求項１〜１０のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
12. 式（１−Ａ）で表される化合物が式（１−Ｂ）で表される化合物であり、式（２−Ａ）で表される化合物が式（２−Ｂ）で表される化合物であり、かつそ式（３−Ａ）で表される化合物が式（３−Ｂ）で表される化合物である請求項１〜１１のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
    

    

    ［式（１−Ｂ）、式（２−Ｂ）及び式（３−Ｂ）中、ｍ及びＺは、前記におけるものと同じ意味を表す。］
13. ｍが０である請求項１〜１２のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
14. 式（３−Ａ）で表される化合物が、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸モノエステルである請求項１〜１３のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
15. 請求項１〜１４のいずれかに記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法によって製造される式（３−Ａ）で表される化合物と、式（５）で表される化合物とを反応させて、式（６）で表される化合物を得る第三工程と、
    式（６）で表される化合物のＺで表される基を脱保護して、式（７）で表される重合性化合物を得る第四工程とを含む重合性化合物の製造方法。
    Ｐ^１−（Ｊ^２−Ｋ^１−Ｊ^１）_ｌ−（Ｂ^１−Ａ^１）_ｋ−Ｘ−Ｈ （５）
    

    

    ［式（５）〜式（７）中、ｍ、Ｚ及びｐは上記と同じ意味を表す。
    Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｎ（Ｒ^１７）−を表す。
    Ａ^１は、炭素数３〜１０の２価の脂環式炭化水素基、又は炭素数６〜２０の２価の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基又は該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｎ（Ｒ^１７）−で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ（−）−は、−Ｎ（−）−で置き換わっていてもよい。
    Ｂ^１は、−ＣＲ^１５Ｒ^１６−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ^１７）−、−Ｎ（Ｒ^１７）−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ^１７）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−、−Ｎ＝Ｎ−又は単結合を表す。
    Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
    Ｒ^１７は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
    Ｊ^１及びＪ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、炭素数１〜５のアルコキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
    Ｋ^１は、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ^１７）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−、又は単結合を表す。
    ｋ及びｌは、それぞれ独立に、１〜３の整数を表す。ｋが２以上の整数である場合、複数のＡ^１及びＢ^１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｌが２以上の整数である場合、複数のＪ^１、Ｊ^２及びＫ^１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
    Ｐ^１は、重合性基を表す。］
16. Ｐ^１が、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基である請求項１５記載の重合性化合物の製造方法。
17. 第四工程が、酸で脱保護する工程である請求項１５又は１６記載の重合性化合物の製造方法。
18. 酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素、硝酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸及びメタンスルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１７記載の重合性化合物の製造方法。