JP2009256327A - シクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高収率で、シクロアルカンジカルボン酸モノエステルを得るためのシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法を提供する。
【解決手段】式（１）で表される化合物に含まれるカルボキシル基のうちいずれか１つをＹで保護して、式（２）で表される化合物を得る第１工程と、式（２）で表される化合物に含まれるカルボキシル基をＺで保護して、式（３）で表される化合物を得る第２工程と、式（３）で表される化合物のＹを脱保護して、式（４）で表される化合物を得る第３工程とを含むシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
【選択図】なし
【解決手段】式（１）で表される化合物に含まれるカルボキシル基のうちいずれか１つをＹで保護して、式（２）で表される化合物を得る第１工程と、式（２）で表される化合物に含まれるカルボキシル基をＺで保護して、式（３）で表される化合物を得る第２工程と、式（３）で表される化合物のＹを脱保護して、式（４）で表される化合物を得る第３工程とを含むシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
【選択図】なし
Description
本発明は、シクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法に関する。
近年、フラットパネル表示装置（ＦＰＤ）に用いられる、偏光板、位相差板などの光学フィルムに適用され得る液晶材料として、シクロアルカンに由来する構造を含む化合物が注目されている。
たとえば該液晶材料を製造する際の中間体として、シクロアルカンジカルボン酸モノエステルが好ましく用いられる。
シクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法としては、アルコールと過剰のシクロヘキサンジカルボン酸クロリドとを反応させる方法、又はアルコールと過剰のシクロヘキサンジカルボン酸とを、例えばジシクロヘキシルカルボジイミドなどの縮合剤を用いて脱水縮合させる方法が挙げられる（特許文献１参照）。
たとえば該液晶材料を製造する際の中間体として、シクロアルカンジカルボン酸モノエステルが好ましく用いられる。
シクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法としては、アルコールと過剰のシクロヘキサンジカルボン酸クロリドとを反応させる方法、又はアルコールと過剰のシクロヘキサンジカルボン酸とを、例えばジシクロヘキシルカルボジイミドなどの縮合剤を用いて脱水縮合させる方法が挙げられる（特許文献１参照）。
従来の製造方法で得られるシクロアルカンジカルボン酸モノエステルは、モノアルキルエステル化合物、モノフェニルエステル化合物などの、酸性下で安定なエステル化合物に限られる。また、収率が低かった。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、高収率で、従来の製造方法では製造することができないシクロアルカンジカルボン酸モノエステルを得るためのシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法を見出し、本発明に至った。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、高収率で、従来の製造方法では製造することができないシクロアルカンジカルボン酸モノエステルを得るためのシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法を見出し、本発明に至った。
本発明は、式（１）で表される化合物に含まれるカルボキシル基のうちいずれか１つをＹで保護して、式（２）で表される化合物を得る第１工程と、
式（２）で表される化合物に含まれるカルボキシル基をＺで保護して、式（３）で表される化合物を得る第２工程と、
式（３）で表される化合物のＹを脱保護して、式（４）で表される化合物を得る第３工程とを含むシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法である。
［式（１）〜式（４）中、Ｒ１は、メチル基を表す。
ｍは、０〜３の整数を表す。
Ｙは、−ＣＨ２Ｐｈ、−ＣＨＰｈ２、−ＣＰｈ３、−ＳｉＨ２Ｐｈ、−ＳｉＨＰｈ２又は−ＳｉＰｈ３を表す。
Ｐｈは、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。
Ｚは、炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｐｈ、−ＳｉＲ５Ｒ６Ｒ７、−ＳｉＲ８ ２Ｐｈ、−ＳｉＲ８Ｐｈ２、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｐｈ、−ＣＨ２−ＣＣｌ３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基を表す。
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基或いは−ＣＨ２Ｐｈ基を表す。
Ｒ８は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基或いは直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基を表す。
ｐは、０又は１の整数を表す。］
式（２）で表される化合物に含まれるカルボキシル基をＺで保護して、式（３）で表される化合物を得る第２工程と、
式（３）で表される化合物のＹを脱保護して、式（４）で表される化合物を得る第３工程とを含むシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法である。
ｍは、０〜３の整数を表す。
Ｙは、−ＣＨ２Ｐｈ、−ＣＨＰｈ２、−ＣＰｈ３、−ＳｉＨ２Ｐｈ、−ＳｉＨＰｈ２又は−ＳｉＰｈ３を表す。
Ｐｈは、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。
Ｚは、炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｐｈ、−ＳｉＲ５Ｒ６Ｒ７、−ＳｉＲ８ ２Ｐｈ、−ＳｉＲ８Ｐｈ２、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｐｈ、−ＣＨ２−ＣＣｌ３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基を表す。
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基或いは−ＣＨ２Ｐｈ基を表す。
Ｒ８は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基或いは直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基を表す。
ｐは、０又は１の整数を表す。］
本発明のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法によれば、高収率でシクロアルカンジカルボン酸モノエステルを得ることができる。
本発明は、式（１）で表される化合物（以下「化合物（１）」という場合がある）に含まれるカルボキシル基のうちいずれか１つをＹで保護して、式（２）で表される化合物（以下「化合物（２）」という場合がある）を得る第１工程と、化合物（２）に含まれるカルボキシル基をＺで保護して、式（３）で表される化合物（以下「化合物（３）」という場合がある）を得る第２工程と、化合物（３）のＹを脱保護して、式（４）で表される化合物（以下「化合物（４）」という場合がある）を得る第３工程とを含むシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法である。
［式（１）〜式（４）中、Ｒ１は、メチル基を表す。
ｍは、０〜３の整数を表す。
Ｙは、−ＣＨ２Ｐｈ、−ＣＨＰｈ２、−ＣＰｈ３、−ＳｉＨ２Ｐｈ、−ＳｉＨＰｈ２又は−ＳｉＰｈ３を表す。
Ｐｈは、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。
Ｚは、炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｐｈ、−ＳｉＲ５Ｒ６Ｒ７、−ＳｉＲ８ ２Ｐｈ、−ＳｉＲ８Ｐｈ２、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｐｈ、−ＣＨ２−ＣＣｌ３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基を表す。
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基或いは−ＣＨ２Ｐｈ基を表す。
Ｒ８は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基或いは直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基を表す。
ｐは、０又は１の整数を表す。］
ｍは、０〜３の整数を表す。
Ｙは、−ＣＨ２Ｐｈ、−ＣＨＰｈ２、−ＣＰｈ３、−ＳｉＨ２Ｐｈ、−ＳｉＨＰｈ２又は−ＳｉＰｈ３を表す。
Ｐｈは、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。
Ｚは、炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｐｈ、−ＳｉＲ５Ｒ６Ｒ７、−ＳｉＲ８ ２Ｐｈ、−ＳｉＲ８Ｐｈ２、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｐｈ、−ＣＨ２−ＣＣｌ３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基を表す。
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基或いは−ＣＨ２Ｐｈ基を表す。
Ｒ８は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基或いは直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基を表す。
ｐは、０又は１の整数を表す。］
化合物（１）〜化合物（４）は、それぞれ式（１−１）〜式（４−１）で表される化合物であることが好ましい。
［式（１−１）〜式（４−１）中、Ｒ１、ｍ、Ｙ、及びＺは、上記と同じ意味を表す。］
Ｐｈの芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、下記の基が挙げられる。
Ｐｈの芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、下記の基が挙げられる。
Ｐｈは、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよい芳香族炭化水素基であることが好ましく、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいフェニル基であることがより好ましく、無置換フェニル基が特に好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基などが挙げられる。
炭素数１〜８のアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基などが挙げられる。
炭素数１〜８のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基などが挙げられる。
炭素数１〜８のアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基などが挙げられる。
炭素数１〜８のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基などが挙げられる。
ｍは、０であることが好ましく、ｐは、０であることが好ましい。
Ｙは、−ＣＨ２Ｐｈであることが特に好ましい。
Ｚは、パラメトキシフェニル基、パラニトロフェニル基、トリメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基、ターシャリーブチルジフェニルシリル基、トリベンジルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジターシャリーブチルメチルシリル基、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基であることが好ましい。
Ｚは、ターシャリーブチルジメチルシリル基、ターシャリーブチルジフェニルシリル基、トリイソプロピルシリル基、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ又はテトラヒドロピラニル基であることがより好ましい。
ＹとＺとは、脱離条件が異なる基であることが好ましい。例えば、−ＣＯＯＺが酸性条件で安定であるとき、Ｙは酸性条件で容易に脱離する基であることが好ましく、また、−ＣＯＯＺが水素還元に不活性なとき、Ｙは水素還元で容易に脱離する基であることが好ましい。
化合物（４）は、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸モノエステルであることが好ましい。
（第１工程）
第１工程では、化合物（１）に含まれるカルボキシル基のうちいずれか１つをＹで保護して化合物（２）を得る。たとえば化合物（１）と、Ｙ−Ｗ又はＹ−ＯＨとを反応させて化合物（２）を得る。
化合物（１）とＹ−Ｗとを反応させて化合物（２）を得る場合は、化合物（１）を溶媒中で加熱して、塩基性条件下でＹに対応するハロゲン化物（Ｙ−Ｗ）と反応させることにより、モノエステル化することが好ましい。
化合物（１）とＹ−Ｗとを反応させて化合物（２）を得る場合は、化合物（１）を溶媒中で加熱して、塩基性条件下でＹに対応するハロゲン化物（Ｙ−Ｗ）と反応させることにより、モノエステル化することが好ましい。
Ｙ−ＷのＷは、ハロゲン原子を表し、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メシルオキシ基又はトシルオキシ基であることが好ましく、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることがより好ましく、塩素原子又は臭素原子であることが特に好ましい。Ｗが塩素原子又は臭素原子である場合、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム又はヨウ化セシウムを触媒として添加してもよい。
Ｙ−Ｗとしては、塩化ベンジル、臭化ベンジル、ヨウ化ベンジル、ジフェニルメチルクロライド、ジフェニルメチルブロマイド、トリチルクロライド、トリチルブロマイド、フェニルクロロシラン、フェニルブロモシラン、ジフェニルクロロシラン、ジフェニルブロモシラン、トリフェニルクロロシラン、トリフェニルブロモシラン等が挙げられる。
Ｙ−Ｗは、通常市販されているものが用いられる。
Ｙ−Ｗとしては、塩化ベンジル、臭化ベンジル、ヨウ化ベンジル、ジフェニルメチルクロライド、ジフェニルメチルブロマイド、トリチルクロライド、トリチルブロマイド、フェニルクロロシラン、フェニルブロモシラン、ジフェニルクロロシラン、ジフェニルブロモシラン、トリフェニルクロロシラン、トリフェニルブロモシラン等が挙げられる。
Ｙ−Ｗは、通常市販されているものが用いられる。
溶媒としては、非プロトン性極性溶媒であることが好ましく、例えばアセトン等のケトン溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶媒が挙げられる。エーテル溶媒、アミド溶媒及びスルホキシド溶媒が好ましく、アミド溶媒がより好ましい。これらの溶媒は、１種でも２種以上で用いてもよい。
化合物（１）とＹ−Ｗとは、モル比で好ましくは１：０．５〜１：１．２、より好ましくは１：０．７５〜１：１．１、特に好ましくは１：０．７５〜１：１．０５の割合で反応させる。溶媒の量は、化合物（１）とＹ−Ｗとの合計量に対して、重量比で好ましくは１００〜１５００％、より好ましくは３００〜１２００％、特に好ましくは３００〜８００％である。
反応温度は、好ましくは４０〜１５０℃、より好ましくは８０〜１５０℃、特に好ましくは８０〜１２０℃である。
反応時間は、好ましくは１〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜３２時間である。
反応温度は、好ましくは４０〜１５０℃、より好ましくは８０〜１５０℃、特に好ましくは８０〜１２０℃である。
反応時間は、好ましくは１〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜３２時間である。
塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリンなどの有機塩基；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムフッ化セシウム等のアルカリ金属炭酸水素塩などの無機塩基；が挙げられ、無機塩基が好ましく、アルカリ金属炭酸塩が特に好ましい。また、無機塩基を用いた場合には、１８−クラウン−６等のクラウンエーテル、テトラブチルアンモニウムブロミド等の第四級アンモニウム塩などの相間移動触媒を併用することもできる。塩基の添加量は、化合物（１）に対して１００〜３００モル％であることが好ましい。
Ｙ−ＯＨとしては、ベンジルアルコール、ジフェニルメタノール、トリフェニルメタノール、フェニルヒドロキシシラン、ジフェニルヒドロキシシラン、トリフェニルヒドロキシシラン等が挙げられる。
Ｙ−ＯＨは、通常市販されているものが用いられる。
Ｙ−ＯＨは、通常市販されているものが用いられる。
化合物（１）と、Ｙ−ＯＨとを反応させて化合物（２）を得る場合は、溶媒中で、化合物（１）とＹ−ＯＨとの脱水縮合反応により、化合物（２）を得ることが好ましい。脱水縮合反応により生成した水は、ディーン・スターク装置、真空ポンプ等により除去することが好ましい。
脱水縮合反応は、酸触媒存在下で行うことが好ましく、酸触媒としては、パラトルエンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸水和物、ピリジニウムパラトルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸、塩酸、硫酸等の無機酸が挙げられる。酸触媒の量は、化合物（１）に対して、好ましくは０．１〜３０ｍｏｌ％、より好ましくは１〜３０ｍｏｌ％、特に好ましくは５〜３０ｍｏｌ％である。
脱水縮合反応は、酸触媒存在下で行うことが好ましく、酸触媒としては、パラトルエンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸水和物、ピリジニウムパラトルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸、塩酸、硫酸等の無機酸が挙げられる。酸触媒の量は、化合物（１）に対して、好ましくは０．１〜３０ｍｏｌ％、より好ましくは１〜３０ｍｏｌ％、特に好ましくは５〜３０ｍｏｌ％である。
溶媒は、特に制限されないが、アルコール以外の水溶性溶媒と疎水性溶媒との混合溶媒であることが好ましい。アルコール以外の水溶性溶媒として、たとえば、アセトンの水溶性ケトン溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等の水溶性エーテル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の水溶性アミド溶媒、ジメチルスルホキシド等の水溶性スルホキシド溶媒が挙げられる。疎水性溶媒としては、例えば、トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、メチルイソブチルケトン等の疎水性ケトン溶媒等が挙げられる。
アルコール以外の水溶性溶媒と疎水性溶媒との混合比は、好ましくは１：９９〜９０：１０、より好ましくは１：９９〜７０：３０、特に好ましくは２０：８０〜５５：５０である。
アルコール以外の水溶性溶媒と疎水性溶媒との混合比は、好ましくは１：９９〜９０：１０、より好ましくは１：９９〜７０：３０、特に好ましくは２０：８０〜５５：５０である。
化合物（１）とＹ−ＯＨとは、モル比で好ましくは１：０．５〜１：１．５、より好ましくは１：０．７５〜１：１．２、特に好ましくは１：０．９〜１：１．２の割合で反応させる。溶媒の量は、化合物（１）とＹ−ＯＨとの合計量に対して、重量比で好ましくは１００〜１５００％、より好ましくは２００〜１２００％、特に好ましくは３００〜８００％である。
反応温度は、好ましくは４０〜１６０℃、より好ましくは６０〜１５０℃、特に好ましくは８０〜１５０℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは８〜４８時間である。
反応温度は、好ましくは４０〜１６０℃、より好ましくは６０〜１５０℃、特に好ましくは８０〜１５０℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは８〜４８時間である。
第１工程では、化合物（２）の他に、式（８）で表される化合物（以下「化合物（８）」という場合がある）が副生成物として生成する場合がある。また、未反応の化合物（１）が残る場合もある。
第１工程で得られた反応混合物をそのまま後述する第２工程に用いてもよい。また、反応混合物から、化合物（２）を取り出し、第２工程に用いてもよい。例えば、反応混合物と水とを混合し、濾過することにより、化合物（２）を含む粗結晶を取り出すことができる。また、反応混合物とクロロホルムと飽和炭化水素溶媒とを混合し、化合物（１）を含む不溶分を濾過により除去し、得られた濾液を濃縮することにより、化合物（２）を含む粗結晶を取り出すこともできる。取り出した化合物（２）を含む粗結晶を、第２工程に用いてもよいが、該粗結晶には、副生物である化合物（８）が含まれている場合があり、該粗結晶を、例えば、メタノール等のアルコール溶媒を用いた抽出、再結晶等により精製して、化合物（８）を除去した後、第２工程に用いてもよい。また、反応混合物をクロロホルムに溶解させて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（１）や化合物（８）を除去し、化合物（２）の結晶を得、第２工程に用いてもよい。
化合物（２）としては、１−カルボキシ−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−カルボキシ−４−ジフェニルメトキシカルボニルシクロヘキサン、１−カルボキシ−４−トリチルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−カルボキシ−４−フェニルシリルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−カルボキシ−４−ジフェニルシリルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−カルボキシ−４−トリフェニルシリルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−カルボキシ−３−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−カルボキシ−３−ジフェニルメトキシカルボニルシクロヘキサン、１−カルボキシ−３−トリチルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−カルボキシ−３−フェニルシリルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−カルボキシ−３−ジフェニルシリルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−カルボキシ−３−トリフェニルシリルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−カルボキシ−２−ベンジルオキシカルボニルシクロペンタン、１−カルボキシ−２−ジフェニルメトキシカルボニルシクロペンタン、１−カルボキシ−２−トリチルオキシカルボニルシクロペンタン、１−カルボキシ−２−フェニルシリルオキシカルボニルシクロペンタン、１−カルボキシ−２−ジフェニルシリルオキシカルボニルシクロペンタン、１−カルボキシ−２−トリフェニルシリルオキシカルボニルシクロペンタン等が挙げられる。
（第２工程）
第２工程では、化合物（２）に含まれるカルボキシル基をＺで保護して化合物（３）を得る。たとえば、化合物（２）とアルコール（Ｚ−ＯＨ）とを反応させる方法（第１の方法）、塩基性条件で化合物（２）とハロゲン化物又はスルホン酸エステル（Ｚ−Ｗ）とを反応させる方法（第２の方法）、化合物（２）とジヒドロピラン、ジヒドロチオピラン、ジヒドロフラン又はジヒドロチオフランとを反応させる方法（第３の方法）、などによって、化合物（２）から化合物（３）を得ることが好ましい。
第１の方法では、有機溶媒中で化合物（２）とＺ−ＯＨとを、脱水縮合すれば化合物（３）が得られる。脱水縮合反応においては、縮合剤を用いることが好ましい。
縮合剤としては、１−シクロヘキシル−３−（２−モルホリノエチル）カルボジイミドメト−パラ−トルエンスルホネート、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（水溶性カルボジイミド：ＷＳＣとして市販）、ビス（２、６−ジイソプロピルフェニル）カルボジイミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミドなどのカルボジイミド、２−メチル−６−ニトロ安息香酸無水物、２，２’−カルボニルビス−１Ｈ−イミダゾール、１，１’−オキサリルジイミダゾール、ジフェニルホスフォリルアジド、１（４−ニトロベンゼンスルフォニル）−１Ｈ−１、２、４−トリアゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−Ｏ−（Ｎ−スクシンイミジル）ウロニウムテトラフルオロボレート、Ｎ−（１，２，２，２−テトラクロロエトキシカルボニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−カルボベンゾキシスクシンイミド、Ｏ−（６−クロロベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムテトラフルオロボレート、Ｏ−（６−クロロベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート、２−ブロモ−１−エチルピリジニウムテトラフルオロボレート、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムクロリド、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムヘキサフルオロホスフェート、２−クロロ−１−メチルピリジニウムアイオダイド、２−クロロ−１−メチルピリジニウム パラートルエンスルホネート、２−フルオロ−１−メチルピリジニウム パラートルエンスルホネート、トリクロロ酢酸ペンタクロロフェニルエステル、が挙げられる。縮合剤の添加量は、化合物（２）に対して９０〜２００モル％であることが好ましい。
縮合反応の溶媒としては特に制限はないが、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン又はメチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒；ペンタン、ヘキサン又はヘプタンなどの脂肪族炭化水素溶媒；トルエン、キシレン、ベンゼン又はクロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒；テトラヒドロフラン、ジメトキシエタンなどのエーテル系溶媒；乳酸エチルなどのエステル系溶媒；クロロホルム、ジクロロメタンなどのハロゲン系溶媒；などが挙げられる。これら有機溶媒は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。
Ｚ−ＯＨとしては、ｐ−メトキシフェノール、ｐ−ニトロフェノール、トリメチルヒドロキシシラン、イソプロピルジメチルヒドロキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルヒドロキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルヒドロキシシラン、トリベンジルヒドロキシシラン、トリイソプロピルヒドロキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルメチルヒドロキシシラン、メトキシメタノール、エトキシメタノール、メチルチオメタノール、２−メトキシエトキシメタノール、エトキシエタノール、ＨＯ−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブトキシメタノール等が挙げられる。かかるＺ−ＯＨは通常市販されているものが用いられる。
化合物（２）とＺ−ＯＨとは、モル比で好ましくは１：０．９５〜１：４、より好ましくは１：０．９７〜１：２、特に好ましくは１：０．９９〜１：１．５の割合で反応させる。溶媒の量は、化合物（２）とＹ−ＯＨとの合計量に対して、重量比で好ましくは１００〜１５００％、より好ましくは１００〜８００％、特に好ましくは１００〜５００％である。
反応温度は、好ましくは−２０〜１２０℃、より好ましくは０〜８０℃、特に好ましくは１５〜４５℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜２４時間である。
反応温度は、好ましくは−２０〜１２０℃、より好ましくは０〜８０℃、特に好ましくは１５〜４５℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜２４時間である。
第２の方法では、有機溶媒中、塩基性条件で化合物（２）又は化合物（２）のカルボン酸陰イオンと、Ｚに対応するハロゲン化物又はスルホン酸エステル（Ｚ−Ｗ）とを反応させた後、生成する塩を除去することによって化合物（３）が得られる。
塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリンなどの有機塩基；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムム等のアルカリ金属炭酸水素塩、フッ化セシウムなどの無機塩基；が挙げられ、有機塩基が好ましく、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ジメチルアミノピリジンがより好ましい。また、無機塩基を用いた場合には、１８−クラウン−６等のクラウンエーテル、テトラブチルアンモニウムブロミド等の第四級アンモニウム塩などの相間移動触媒を併用することもできる。塩基の添加量は、化合物（２）に対して１００〜３００モル％であることが好ましい。
塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリンなどの有機塩基；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムム等のアルカリ金属炭酸水素塩、フッ化セシウムなどの無機塩基；が挙げられ、有機塩基が好ましく、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ジメチルアミノピリジンがより好ましい。また、無機塩基を用いた場合には、１８−クラウン−６等のクラウンエーテル、テトラブチルアンモニウムブロミド等の第四級アンモニウム塩などの相間移動触媒を併用することもできる。塩基の添加量は、化合物（２）に対して１００〜３００モル％であることが好ましい。
Ｗは、ハロゲン原子を表し、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることがより好ましく、塩素原子又は臭素原子であることが特に好ましい。Ｗが塩素原子又は臭素原子である場合、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム又はヨウ化セシウムを添加してもよい。
Ｚ−Ｗとしては、ｐ−メトキシフェニルクロリド、ｐ−ニトロフェニルクロリド、トリメチルクロロシラン、イソプロピルジメチルクロロシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルクロロシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルクロロシラン、トリベンジルクロロシラン、トリイソプロピルクロロシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルメチルクロロシラン、メトキシメチルクロリド、エトキシメチルクロリド、メチルチオメチルクロリド、２−メトキシエトキシメチルクロリド、エトキシエチルクロリド、Ｃｌ−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、ｔｅｒｔ−ブチルクロリド、ｔｅｒｔ−ブトキシメチルクロリド、ｐ−メトキシフェニルブロミド、ｐ−ニトロフェニルブロミド、トリメチルブロモシラン、イソプロピルジメチルブロモシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルブロモシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルブロモシラン、トリベンジルブロモシラン、トリイソプロピルブロモシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルメチルブロモシラン、メトキシメチルブロミド、エトキシメチルブロミド、メチルチオメチルブロミド、２−メトキシエトキシメチルブロミド、エトキシエチルブロミド、Ｂｒ−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、ｔｅｒｔ−ブチルブロミド、ｔｅｒｔ−ブトキシメチルブロミド等が挙げられる。かかるＺ−Ｗは通常市販されているものが用いられる。
有機溶媒としては特に制限はないが、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン又はメチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒；ペンタン、ヘキサン又はヘプタンなどの脂肪族炭化水素溶媒；トルエン、キシレン、ベンゼン又はクロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒；テトラヒドロフラン、ジメトキシエタンなどのエーテル系溶媒；乳酸エチルなどのエステル系溶媒；クロロホルム、ジクロロメタンなどのハロゲン系溶媒；などが挙げられる。これら有機溶媒は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。
化合物（２）とＺ−Ｗとは、モル比で好ましくは１：０．９５〜１：４、より好ましくは１：０．９７〜１：２、特に好ましくは１：０．９８〜１：１．５の割合で反応させる。溶媒の量は、化合物（２）とＺ−Ｗとの合計量に対して、重量比で好ましくは１００〜１５００％、より好ましくは１００〜１０００％、特に好ましくは２００〜６００％である。
反応温度は、好ましくは−２０〜１４０℃、より好ましくは０〜１００℃、特に好ましくは１５〜４５℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜２４時間である。
反応温度は、好ましくは−２０〜１４０℃、より好ましくは０〜１００℃、特に好ましくは１５〜４５℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜２４時間である。
第３の方法では、溶媒中で、化合物（２）とジヒドロピラン、ジヒドロチオピラン、ジヒドロフラン又はジヒドロチオフランとの縮合反応により、化合物（３）が得られる。縮合反応は、酸触媒存在下で行うことが好ましい。
酸触媒としては、パラトルエンスルホン酸、ピリジニウムパラトルエンスルホン酸、塩酸水溶液、硫酸、トリフルオロ酢酸が用いられる。酸触媒の添加量は、化合物（２）に対して３〜２０モル％であることが好ましい。
酸触媒としては、パラトルエンスルホン酸、ピリジニウムパラトルエンスルホン酸、塩酸水溶液、硫酸、トリフルオロ酢酸が用いられる。酸触媒の添加量は、化合物（２）に対して３〜２０モル％であることが好ましい。
有機溶媒としては特に制限はないが、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン又はメチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒；ペンタン、ヘキサン又はヘプタンなどの脂肪族炭化水素溶媒；トルエン、キシレン、ベンゼン又はクロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒；テトラヒドロフラン、ジメトキシエタンなどのエーテル系溶媒；乳酸エチルなどのエステル系溶媒；クロロホルム、ジクロロメタンなどのハロゲン系溶媒；などが挙げられる。これら有機溶媒は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。
化合物（２）とジヒドロピラン、ジヒドロチオピラン、ジヒドロフラン又はジヒドロチオフランとは、モル比で好ましくは１：１〜１：４、より好ましくは１：１．２〜１：４、特に好ましくは１：１．４〜１：３の割合で反応させる。溶媒の量は、化合物（２）とジヒドロピラン、ジヒドロチオピラン、ジヒドロフラン又はジヒドロチオフランとの合計量に対して、重量比で好ましくは１００〜１２００％、より好ましくは１００〜８００％、特に好ましくは２００〜６００％である。
反応温度は、好ましくは４０〜１６０℃、より好ましくは６０〜１５０℃、特に好ましくは８０〜１５０℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは８〜４８時間である。
かくして得られた化合物（３）を含む反応混合物をそのまま後述する第３工程に用いてもよいし、化合物（３）を取り出し、第３工程に用いてもよい。例えば、反応混合物を、必要に応じて濾過して、不溶分を除去した後、濃縮することにより、化合物（３）を取り出すことができる。
反応温度は、好ましくは４０〜１６０℃、より好ましくは６０〜１５０℃、特に好ましくは８０〜１５０℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは８〜４８時間である。
かくして得られた化合物（３）を含む反応混合物をそのまま後述する第３工程に用いてもよいし、化合物（３）を取り出し、第３工程に用いてもよい。例えば、反応混合物を、必要に応じて濾過して、不溶分を除去した後、濃縮することにより、化合物（３）を取り出すことができる。
化合物（３）としては、１−ｐ−メトキシフェノキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−ｐ−ニトロフェノキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−トリメチルシリルオキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−イソプロピルジメチルシリルオキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−トリベンジルシリルオキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−トリイソプロピルシリルオキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルメチルシリルオキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−メトキシメトキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−エトキシメトキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−メチルチオメトキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−（２−メトキシエトキシメトキシカルボニル）−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−エトキシエトキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−ベンジルオキシメトキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−ｔｅｒｔ−ブトキシメトキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−エトキシメトキシカルボニル−４−ジフェニルメトキシカルボニルシクロヘキサン、１−エトキシメトキシカルボニル−４−ジフェニルメトキシカルボニルシクロヘキサン、１−エトキシメトキシカルボニル−４−トリチルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−エトキシメトキシカルボニル−４−フェニルシリルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−エトキシメトキシカルボニル−４−ジフェニルシリルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−エトキシメトキシカルボニル−４−トリフェニルシリルオキシカルボニルシクロヘキサン、１−（２−テトラヒドロピラニル）オキシカルボニル−４−ベンジルオキシカルボニルシクロヘキサン等が挙げられる。
かかる化合物（３）のうち、式（３ａ）
［式（３ａ）中、Ｒａは、メチル基を表す。
ｍａは、０〜３の整数を表す。
Ｙａは、−ＣＨ２Ｐｈ、−ＣＨＰｈ２、−ＣＰｈ３、−ＳｉＨ２Ｐｈ、−ＳｉＨＰｈ２又は−ＳｉＰｈ３を表す。
Ｐｈは、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基又はトリフルオロメチル基で置換されていてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。
Ｚａは、−ＳｉＲ５ａＲ６ａＲ７ａ、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｐｈ、−ＣＨ２−ＣＣｌ３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基を表す。
Ｒ５ａ、Ｒ６ａ及びＲ７ａは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基或いは−ＣＨ２Ｐｈ基を表す。］
で示される化合物は新規な化合物であり、後述する重合性化合物の合成中間体として用いることができる。
ｍａは、０〜３の整数を表す。
Ｙａは、−ＣＨ２Ｐｈ、−ＣＨＰｈ２、−ＣＰｈ３、−ＳｉＨ２Ｐｈ、−ＳｉＨＰｈ２又は−ＳｉＰｈ３を表す。
Ｐｈは、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基又はトリフルオロメチル基で置換されていてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。
Ｚａは、−ＳｉＲ５ａＲ６ａＲ７ａ、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｐｈ、−ＣＨ２−ＣＣｌ３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基を表す。
Ｒ５ａ、Ｒ６ａ及びＲ７ａは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基或いは−ＣＨ２Ｐｈ基を表す。］
で示される化合物は新規な化合物であり、後述する重合性化合物の合成中間体として用いることができる。
（第３工程）
第３工程では、化合物（３）のＹを脱保護して、化合物（４）を得る。
Ｙの脱保護方法としては、ブレンステッド酸による脱保護、塩基による脱保護、フッ素イオンによる脱保護、接触水素還元による脱保護、電解による脱保護、ルイス酸による脱保護、熱をもちによる脱保護、酸化による脱保護等通常行われる脱保護方法が挙げられるが、簡便な操作で脱保護できることから、酸による脱保護、塩基による脱保護、フッ素イオンによる脱保護、接触水素還元による脱保護がより好ましい。さらに、化合物（３）のＺが安定で、かつ全ての化合物（３）について副反応が少ないことから接触水素還元によるＹの脱保護が最も好ましい。
脱保護は、例えば、「Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ−ＴＨＩＲＤ ＥＤＩＴＩＯＮ」（Ｇｒｅｅｎｅ Ｗｕｔｓ著、 ＷＩＬＥＹ−ＩＮＴＥＲＳＣＩＥＮＣＥ社）７２９頁に記載されている方法に準じて行う。
ブレンステッド酸を用いる方法におけるブレンステッド酸としては、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硝酸、硫酸等の無機ブレンステッド酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、メタンスルホン酸等の有機ブレンステッド酸が挙げられ、塩酸、ギ酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸が好ましく、ｐ−トルエンスルホン酸又はピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸がより好ましい。ブレンステッド酸の添加量は、化合物（３）に対して１００〜３００モル％であることが好ましい。
例えば塩酸を用いる場合、塩酸ガスを吹き込む方法で行っても、塩酸水溶液を用いて行ってもよい。
例えば塩酸を用いる場合、塩酸ガスを吹き込む方法で行っても、塩酸水溶液を用いて行ってもよい。
脱保護に使用する塩基にはとくに制限はないが、例えば、ピリジン、ジエチルアミン、ピペリジンなどの有機塩基が好ましい。中でも、ジエチルアミン、ピペリジンがより好ましい。塩基の添加量は、化合物（３）に対して１０〜２００モル％であることが好ましい。
フッ素イオンによる脱保護は、化合物（３）を溶媒に溶解させた後、フッ素含有化合物を加え、氷温〜室温で行う。フッ素含有化合物の添加量は、フッ素イオン濃度で、化合物（３）に対して１０〜２００モル％であることが好ましい。
フッ素含有化合物としては特に制限は無いが、テトラブチルアンモニウムフルオリド、フッ化カリウム、フッ化水素酸トリエチルアミン塩などが挙げられ、テトラブチルアンモニウムフルオリド又はフッ化水素酸トリエチルアミン塩が好ましい。フッ素含有化合物の添加量は、化合物（３）に対して１０〜２００モル％であることが好ましい。
酸による脱保護、塩基による脱保護、フッ素イオンによる脱保護に用いられる溶媒としては特に制限はないが、具体的には、水、メタノール、エタノール、エチレングリコール、イソプロピルアルコール、プロピレングリコール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、フェノールなどのアルコール系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒；ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素溶媒；トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒；乳酸エチルなどのエステル系溶媒；クロロホルムなどのハロゲン系溶媒；などが挙げられる。水溶性であり、脱保護反応が効率的に進行することから、水、メタノール、エタノール、エチレングリコール、イソプロピルアルコール、プロピレングリコール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブなどのアルコール、アセトン、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサンであることがより好ましい。テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタンであることが特に好ましい。これら有機溶媒は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。
溶媒の量は、化合物（３）に対して、重量比で好ましくは１００〜１２００％、より好ましくは１００〜１０００％、特に好ましくは２００〜８００％である。
反応温度は、好ましくは４０〜１６０℃、より好ましくは６０〜１５０℃、特に好ましくは８０〜１５０℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは８〜４８時間である。
反応温度は、好ましくは４０〜１６０℃、より好ましくは６０〜１５０℃、特に好ましくは８０〜１５０℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは８〜４８時間である。
接触水素還元による脱保護は、例えば、化合物（３）を溶媒に溶解させた後、窒素雰囲気中で触媒を加えて、水素源を導入することにより行うことが好ましい。
触媒としては、アダムス触媒（白金）、ロジウム−炭素、パラジウム−炭素等が挙げられ、パラジウム−炭素が好ましい。触媒の添加量は、化合物（３）に対して１〜１００重量％であることが好ましく、１〜１０重量％であることがより好ましい。
触媒としては、アダムス触媒（白金）、ロジウム−炭素、パラジウム−炭素等が挙げられ、パラジウム−炭素が好ましい。触媒の添加量は、化合物（３）に対して１〜１００重量％であることが好ましく、１〜１０重量％であることがより好ましい。
水素源としては、水素、シクロヘキサジエン、ギ酸アンモニウム又はギ酸が好ましく、水素、シクロヘキサジエン又はギ酸アンモニウムがより好ましく、水素又はギ酸アンモニウムが特に好ましい。
水素分圧は特に制限はないが、１〜１０気圧が好ましく、１〜２気圧がより好ましく、１〜１．２気圧が特に好ましい。
水素分圧は特に制限はないが、１〜１０気圧が好ましく、１〜２気圧がより好ましく、１〜１．２気圧が特に好ましい。
接触水素還元による脱保護に用いられる溶媒としては特に制限はないが、具体的には、水；メタノール、エタノール、エチレングリコール、イソプロピルアルコール、プロピレングリコール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、フェノールなどのアルコール系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒；トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒；乳酸エチルなどのエステル系溶媒が挙げられる。水溶性であり、脱保護反応が効率的に進行することから、メタノール、エタノール、エチレングリコール、イソプロピルアルコール、プロピレングリコール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブなどのアルコール、アセトン、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサンであることがより好ましい。反応速度が速いことから、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタンであることが特に好ましい。これら有機溶媒は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。
さらに溶媒に触媒として少量の酢酸、塩酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸などの酸を添加してもよい。加える酸の量は化合物（３）に対して０〜１００モル％が好ましく、０〜３０モル％がより好ましく、０〜５モル％が最も好ましい。
溶媒の量は、化合物（３）に対して、重量比で好ましくは１００〜１２００％、より好ましくは１００〜１０００％、特に好ましくは２００〜８００％である。
反応温度は、好ましくは０〜６０℃、より好ましくは０〜５０℃、特に好ましくは１５〜５０℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは８〜４８時間である。
溶媒の量は、化合物（３）に対して、重量比で好ましくは１００〜１２００％、より好ましくは１００〜１０００％、特に好ましくは２００〜８００％である。
反応温度は、好ましくは０〜６０℃、より好ましくは０〜５０℃、特に好ましくは１５〜５０℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは８〜４８時間である。
かくして、化合物（４）を含む反応混合物が得られ、例えば、必要に応じて不溶分を濾過により除去した後、濃縮することにより、化合物（４）を取り出すことができる。
第２工程において、化合物（８）を含む化合物（２）の粗結晶を用いた場合には、第３工程において、化合物（８）の脱保護も同時に進行し、化合物（１）と化合物（４）の混合物が得られる。得られた混合物を、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、メタノール等のアルコール溶媒を用いた再結晶等により精製することにより、化合物（１）を回収し、化合物（４）を取り出すことができる。回収した化合物（１）は、前記第１工程に再利用することができる。
第２工程において、化合物（８）を含む化合物（２）の粗結晶を用いた場合には、第３工程において、化合物（８）の脱保護も同時に進行し、化合物（１）と化合物（４）の混合物が得られる。得られた混合物を、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、メタノール等のアルコール溶媒を用いた再結晶等により精製することにより、化合物（１）を回収し、化合物（４）を取り出すことができる。回収した化合物（１）は、前記第１工程に再利用することができる。
化合物（４）としては、１−ｐ−メトキシフェノキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−ｐ−ニトロフェノキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−トリメチルシリルオキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−イソプロピルジメチルシリルオキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−トリベンジルシリルオキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−トリイソプロピルシリルオキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルメチルシリルオキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−メトキシメトキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−エトキシメトキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−メチルチオメトキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−（２−メトキシエトキシメトキシカルボニル）−４−カルボキシシクロヘキサン、１−エトキシエトキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−ベンジルオキシメトキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−ｔｅｒｔ−ブトキシメトキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン、１−エトキシメトキシカルボニル−４−カルボキシシクロヘキサン等が挙げられる。
かかる化合物（４）のうち、式（４ｂ）
［式（４ｂ）中、Ｒｂは、メチル基を表す。
ｍｂは、０〜３の整数を表す。
Ｚｂは、−ＳｉＲ５ｂＲ６ｂＲ７ｂ、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−ＣＯ−Ｐｈ、−ＣＨ２−ＣＣｌ３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基を表す。
Ｒ５ｂ、Ｒ６ｂ及びＲ７ｂは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基或いは−ＣＨ２Ｐｈ基を表す。
Ｐｈは、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基又はトリフルオロメチル基で置換されていてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。］
で示される化合物は新規な化合物であり、後述するように、重合性化合物の合成中間体として有用である。
ｍｂは、０〜３の整数を表す。
Ｚｂは、−ＳｉＲ５ｂＲ６ｂＲ７ｂ、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−ＣＯ−Ｐｈ、−ＣＨ２−ＣＣｌ３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基を表す。
Ｒ５ｂ、Ｒ６ｂ及びＲ７ｂは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基或いは−ＣＨ２Ｐｈ基を表す。
Ｐｈは、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基又はトリフルオロメチル基で置換されていてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。］
で示される化合物は新規な化合物であり、後述するように、重合性化合物の合成中間体として有用である。
本発明の重合性化合物の製造方法は、化合物（４）と、式（５）で表される化合物（以下、「化合物（５）」という場合がある）とを反応させて、式（６）で表される化合物（以下、「化合物（６）」という場合がある）を得る第４工程と、化合物（６）のＺを脱保護して、式（７）で表される重合性化合物（以下、「重合性化合物（７）」という場合がある）を得る第５工程とを含む。
Ｐ１−（Ｊ２−Ｋ１−Ｊ１）ｌ−（Ｂ１−Ａ１）ｋ−Ｘ−Ｈ （５）
［式（５）〜式（７）中、Ｒ１、ｍ、Ｚ及びｐは上記と同じ意味を表す。
Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−又は−Ｎ（Ｒ１７）−を表す。
Ａ１は、２価のヘテロ原子を含んでもよい脂環式炭化水素基又は２価のヘテロ原子を含んでもよい芳香族炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜４のアルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよい。
Ｂ１は、−ＣＲ１５Ｒ１６−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ１７）−、−Ｎ（Ｒ１７）−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＳＣＨ２−、−ＣＨ２Ｓ−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ１７）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２−Ｏ−、−Ｎ＝Ｎ−又は単結合を表す。
Ｒ１５及びＲ１６は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｒ１７は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｊ１及びＪ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキレン基を表す。該アルキレン基は、さらに、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基又はハロゲン原子を含んでいてもよい。
Ｋ１は、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ１７）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２−Ｏ−、又は単結合を表す。
ｋ及びｌは、それぞれ独立に、１〜３の整数を表す。ｋが２以上の整数であるとき、複数のＡ１及びＢ１は、同一であっても異なっていてもよい。ｌが２以上の整数であるとき、複数のＪ１、Ｊ２及びＫ１は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｐ１は、重合性基を表す。］
Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−又は−Ｎ（Ｒ１７）−を表す。
Ａ１は、２価のヘテロ原子を含んでもよい脂環式炭化水素基又は２価のヘテロ原子を含んでもよい芳香族炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜４のアルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよい。
Ｂ１は、−ＣＲ１５Ｒ１６−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ１７）−、−Ｎ（Ｒ１７）−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＳＣＨ２−、−ＣＨ２Ｓ−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ１７）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２−Ｏ−、−Ｎ＝Ｎ−又は単結合を表す。
Ｒ１５及びＲ１６は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｒ１７は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｊ１及びＪ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキレン基を表す。該アルキレン基は、さらに、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基又はハロゲン原子を含んでいてもよい。
Ｋ１は、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ１７）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２−Ｏ−、又は単結合を表す。
ｋ及びｌは、それぞれ独立に、１〜３の整数を表す。ｋが２以上の整数であるとき、複数のＡ１及びＢ１は、同一であっても異なっていてもよい。ｌが２以上の整数であるとき、複数のＪ１、Ｊ２及びＫ１は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｐ１は、重合性基を表す。］
２価のヘテロ原子を含んでもよい脂環式炭化水素基としては、式（ｇ−１）〜式（ｇ−１０）で示される基が挙げられる。５員環又は６員環の脂環式炭化水素基であることが好ましい。
２価のヘテロ原子を含んでもよい脂環式炭化水素基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜４のフルオロアルキル基；トリフルオロメトキシ基等の炭素数１〜４のフルオロアルコキシ基；シアノ基；ニトロ基；で置換されていてもよい。
２価のヘテロ原子を含んでもよい脂環式炭化水素基としては、式（ｇ−１）で表される６員環からなる脂環式炭化水素基であることが好ましく、１，４−シクロヘキシレン基であることがさらに好ましく、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロへキシレン基であることが特に好ましい。
２価のヘテロ原子を含んでもよい芳香族炭化水素基としては、式（ａ−１）〜式（ａ−８）で表される炭素数６〜２０程度の２価の芳香族炭化水素基が挙げられる。
２価のヘテロ原子を含んでもよい芳香族炭化水素基は、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基又はｔ−ブチル基などの炭素数１〜４程度のアルキル基；メトキシ基又はエトキシ基などの炭素数１〜４程度のアルコキシ基；トリフルオロメチル基；トリフルオロメチルオキシ基；シアノ基；ニトロ基；で置換されていてもよい。
２価のヘテロ原子を含んでもよい芳香族炭化水素基としては、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基であると好ましく、特に１，４−フェニレン基が好ましい。
ハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子をいう。
炭素数１〜１２のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デセン基等が挙げられる。
該アルキレン基は、さらに、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜５のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜５のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；で置換されていてもよい。
炭素数１〜１２のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デセン基等が挙げられる。
該アルキレン基は、さらに、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜５のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜５のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；で置換されていてもよい。
Ｂ１は、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｏ−又は単結合であることが好ましく、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−又はＯ−Ｃ（＝Ｏ）−がより好ましい。
Ｊ１及びＪ２は独立して、炭素数１〜８のアルキレン基であることが好ましい。
Ｋ１は、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−又は単結合であることが好ましい。
ｋは１また２であることが好ましく、１であることがより好ましい。ｌは１また２であることが好ましく、１であることがより好ましい。
Ｊ１及びＪ２は独立して、炭素数１〜８のアルキレン基であることが好ましい。
Ｋ１は、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−又は単結合であることが好ましい。
ｋは１また２であることが好ましく、１であることがより好ましい。ｌは１また２であることが好ましく、１であることがより好ましい。
Ｐ１は、重合性基である。重合性基とは、化合物（７）の重合反応に関与し得る基を含む基であり、具体的には、ビニル基、ｐ−スチルベン基、アクリロイル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイル基、メタクリロイルオキシ基、カルボキシル基、メチルカルボニル基、水酸基、カルバモイル基、炭素数１〜４のアルキルアミノ基、アミノ基、ホルミル基、−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、下記式
で示される基等が挙げられる。かかる重合性基としては、上記した基、上記した基とＢ１で示される基又はＫ１で示される基とが結合した基が挙げられる。なかでも、光重合に適するという点で、ラジカル重合性基又はカチオン重合性基が好ましく、取り扱いが容易で、製造も容易であるという点で、アクリロイル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイル基又はメタクリロイルオキシ基が好ましく、重合性が高いという点で、アクリロイル基又はアクリロイルオキシ基がより好ましい。
（第４工程）
第４工程では、化合物（４）と化合物（５）とを縮合剤を用いて縮合させ、化合物（６）を得ることが好ましい。
縮合剤としては、１−シクロヘキシル−３−（２−モルホリノエチル）カルボジイミドメト−パラ−トルエンスルホネート、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（水溶性カルボジイミド：ＷＳＣとして市販）、ビス（２、６−ジイソプロピルフェニル）カルボジイミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミドなどのカルボジイミド、２−メチル−６−ニトロ安息香酸無水物、２，２’−カルボニルビス−１Ｈ−イミダゾール、１，１’−オキサリルジイミダゾール、ジフェニルホスフォリルアジド、１（４−ニトロベンゼンスルフォニル）−１Ｈ−１、２、４−トリアゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−Ｏ−（Ｎ−スクシンイミジル）ウロニウムテトラフルオロボレート、Ｎ−（１，２，２，２−テトラクロロエトキシカルボニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−カルボベンゾキシスクシンイミド、Ｏ−（６−クロロベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムテトラフルオロボレート、Ｏ−（６−クロロベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート、２−ブロモ−１−エチルピリジニウムテトラフルオロボレート、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムクロリド、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムヘキサフルオロホスフェート、２−クロロ−１−メチルピリジニウムアイオダイド、２−クロロ−１−メチルピリジニウム パラートルエンスルホネート、２−フルオロ−１−メチルピリジニウム パラートルエンスルホネート、トリクロロ酢酸ペンタクロロフェニルエステル、が挙げられる。
縮合剤としては、１−シクロヘキシル−３−（２−モルホリノエチル）カルボジイミドメト−パラ−トルエンスルホネート、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（水溶性カルボジイミド：ＷＳＣとして市販）、ビス（２、６−ジイソプロピルフェニル）カルボジイミド、２，２’−カルボニルビス−１Ｈ−イミダゾール、１，１’−オキサリルジイミダゾール、ジフェニルホスフォリルアジド、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−Ｏ−（Ｎ−スクシンイミジル）ウロニウムテトラフルオロボレート、Ｎ−（１，２，２，２−テトラクロロエトキシカルボニルオキシ）スクシンイミド、Ｏ−（６−クロロベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムクロリド、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムヘキサフルオロホスフェート、２−クロロ−１−メチルピリジニウムアイオダイド、２−クロロ−１−メチルピリジニウム パラートルエンスルホネートが好ましい。
また縮合剤としては、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（水溶性カルボジイミド：ＷＳＣとして市販）、ビス（２、６−ジイソプロピルフェニル）カルボジイミド、２，２’−カルボニルビス−１Ｈ−イミダゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−Ｏ−（Ｎ−スクシンイミジル）ウロニウムテトラフルオロボレート、Ｏ−（６−クロロベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリニウムクロリド、２−クロロ−１−メチルピリジニウムアイオダイドがより好ましい。
ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（水溶性カルボジイミド：ＷＳＣとして市販）、ビス（２、６−ジイソプロピルフェニル）カルボジイミド、２，２’−カルボニルビス−１Ｈ−イミダゾール、２−クロロ−１−メチルピリジニウムアイオダイドが特に好ましい。縮合剤の添加量は、化合物（４）に対して１００〜３００モル％であることが好ましい。
ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（水溶性カルボジイミド：ＷＳＣとして市販）、ビス（２、６−ジイソプロピルフェニル）カルボジイミド、２，２’−カルボニルビス−１Ｈ−イミダゾール、２−クロロ−１−メチルピリジニウムアイオダイドが特に好ましい。縮合剤の添加量は、化合物（４）に対して１００〜３００モル％であることが好ましい。
上記縮合剤に、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド、ベンゾトリアゾール、パラニトロフェノール等を添加剤として加えてもよい。添加剤の添加量は、縮合剤に対して３〜１２０モル％であることが好ましい。
さらに、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジメチルアンモニウムペンタフルオロベンゼンスルフォナート等を触媒として加えてもよい。Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリンがより好ましく、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンが特に好ましい。触媒の添加量は、化合物（４）に対して１〜５０モル％であることが好ましい。
縮合反応の溶媒としては特に制限はないが、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン又はメチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒；ペンタン、ヘキサン又はヘプタンなどの脂肪族炭化水素溶媒；トルエン、キシレン、ベンゼン又はクロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒；テトラヒドロフラン、ジメトキシエタンなどのエーテル系溶媒；乳酸エチルなどのエステル系溶媒；クロロホルム、ジクロロメタンなどのハロゲン系溶媒；などが挙げられる。これら有機溶媒は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。
化合物（４）と化合物（５）とは、モル比で好ましくは１：０．８〜１：１．５、より好ましくは１：０．９〜１：１．２、特に好ましくは１：０．９８〜１：１．１の割合で反応させる。溶媒の量は、化合物（４）と化合物（５）との合計量に対して、重量比で好ましくは１００〜１４００％、より好ましくは１００〜９００％、特に好ましくは１００〜５００％である。
反応温度は、好ましくは−２０〜１２０℃、より好ましくは０〜８０℃、特に好ましくは１５〜４５℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜２４時間。
反応温度は、好ましくは−２０〜１２０℃、より好ましくは０〜８０℃、特に好ましくは１５〜４５℃である。
反応時間は、好ましくは１分〜７２時間、より好ましくは１〜４８時間、特に好ましくは１〜２４時間。
化合物（５）としては、下記式（５−１−ａ）〜（５−３６−ｅ）で示される化合物が挙げられる。
化合物（６）としては、下記式（６−１−ａ）〜（６−２０−ｅ）で示される化合物が挙げられる。
（第５工程）
第５工程では、化合物（６）のＺを脱保護して、重合性化合物（７）を得る。
Ｚの脱保護方法としては、第３工程と同様の方法が挙げられ、ブレンステッド酸酸による脱保護が好ましい。脱保護に使用する酸としては、特に、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素、硝酸、硫酸、パラトルエンスルホン酸、ピリジニウムパラトルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸及びメタンスルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
Ｚの脱保護方法としては、第３工程と同様の方法が挙げられ、ブレンステッド酸酸による脱保護が好ましい。脱保護に使用する酸としては、特に、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素、硝酸、硫酸、パラトルエンスルホン酸、ピリジニウムパラトルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸及びメタンスルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
化合物（７）としては、下記式（７−１−ａ）〜（７−３６−ｅ）で示される化合物が挙げられる。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。例中の「％」及び「部」は、特記ない限り、重量％及び重量部である。
（実施例１）
化合物（４−ａ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。化合物（４−ａ）とは化合物（４）の一例であることを示す（以下同様）。
第１工程（１）：
第１工程（２）：
第２工程：
第３工程：
化合物（４−ａ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。化合物（４−ａ）とは化合物（４）の一例であることを示す（以下同様）。
第１工程（１）：
＜第１工程（１）＞
化合物（１−ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）２００ｇ（１．１６１６ｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド６００ｍＬを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下で、攪拌しながら８０℃まで昇温して、得られた混合液に炭酸カリウム９６．３２ｇ（０．６９６９ｍｏｌ）を加えた後、ベンジルブロミド１８８．７３ｇ（１．１０３５ｍｏｌ）を加え、８０℃で４時間攪拌して反応させた。得られた反応溶液を室温まで放冷後、反応溶液を氷１５００ｇに注ぎ攪拌した。生成した結晶を濾取して、水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。真空乾燥により溶媒を除去し、残渣をクロロホルムに溶解させた。溶液をシリカゲルに吸着させ、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて、最初はヘプタン／クロロホルム３：１（ｖ／ｖ）、次いでヘプタン／クロロホルム１：１（ｖ／ｖ）、最後にクロロホルムで溶離して、化合物（２−ａ）１３８ｇを得た。収率は化合物（１−ａ）基準で４６％であった。
化合物（１−ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）２００ｇ（１．１６１６ｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド６００ｍＬを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下で、攪拌しながら８０℃まで昇温して、得られた混合液に炭酸カリウム９６．３２ｇ（０．６９６９ｍｏｌ）を加えた後、ベンジルブロミド１８８．７３ｇ（１．１０３５ｍｏｌ）を加え、８０℃で４時間攪拌して反応させた。得られた反応溶液を室温まで放冷後、反応溶液を氷１５００ｇに注ぎ攪拌した。生成した結晶を濾取して、水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。真空乾燥により溶媒を除去し、残渣をクロロホルムに溶解させた。溶液をシリカゲルに吸着させ、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて、最初はヘプタン／クロロホルム３：１（ｖ／ｖ）、次いでヘプタン／クロロホルム１：１（ｖ／ｖ）、最後にクロロホルムで溶離して、化合物（２−ａ）１３８ｇを得た。収率は化合物（１−ａ）基準で４６％であった。
＜第１工程（２）＞
化合物（１−ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）２００ｇ（１．１６１６ｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド１０００ｍＬを混合した。得られた混合液を窒素雰囲気下で、攪拌しながら８０℃まで昇温して、得られた混合液に炭酸カリウム９６．３２ｇ（０．６９６９ｍｏｌ）を加えた後、ベンジルクロリド１３９．６８ｇ（１．１０３５ｍｏｌ）及びヨウ化カリウム１．５ｇを加え、１２０℃で６時間攪拌して反応させた。得られた反応溶液を室温まで放冷後、反応溶液を氷１５００ｇに注ぎ攪拌した。生成した結晶を濾取して、水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。真空乾燥により溶媒を除去し、残渣をクロロホルムに溶解した。溶液をシリカゲルに吸着させ、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて、最初はヘプタン／クロロホルム３：１（ｖ／ｖ）、次いでヘプタン／クロロホルム１：１（ｖ／ｖ）、最後にクロロホルムで溶離し、化合物（２−ａ）１３０ｇを得た。収率は化合物（１−ａ）基準で４４％であった。
化合物（１−ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）２００ｇ（１．１６１６ｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド１０００ｍＬを混合した。得られた混合液を窒素雰囲気下で、攪拌しながら８０℃まで昇温して、得られた混合液に炭酸カリウム９６．３２ｇ（０．６９６９ｍｏｌ）を加えた後、ベンジルクロリド１３９．６８ｇ（１．１０３５ｍｏｌ）及びヨウ化カリウム１．５ｇを加え、１２０℃で６時間攪拌して反応させた。得られた反応溶液を室温まで放冷後、反応溶液を氷１５００ｇに注ぎ攪拌した。生成した結晶を濾取して、水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。真空乾燥により溶媒を除去し、残渣をクロロホルムに溶解した。溶液をシリカゲルに吸着させ、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて、最初はヘプタン／クロロホルム３：１（ｖ／ｖ）、次いでヘプタン／クロロホルム１：１（ｖ／ｖ）、最後にクロロホルムで溶離し、化合物（２−ａ）１３０ｇを得た。収率は化合物（１−ａ）基準で４４％であった。
化合物（２−ａ）の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１．４３〜１．５６（ｍ、４Ｈ）、２．０２〜２．１０（ｍ、４Ｈ）、２．２５〜２．３５（ｂｒ、ｍ、２Ｈ）、５．１１（ｓ、２Ｈ）、７．３０〜７．３７（ｍ、５Ｈ）
＜第２工程＞
化合物（２−ａ）６０ｇ（０．２２８７ｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物０．４４ｇ（２．３ｍｍｏｌ）及びクロロホルム２００ｍＬを混合した。得られた溶液を氷冷後、窒素雰囲気下で、得られた溶液にジヒドロピラン３８．４８ｇ（０．４５８ｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。反応溶液を室温、窒素雰囲気下で２時間攪拌して反応させた。溶液にトルエン６００ｍＬを加え、不溶成分を除去後、水１０００ｍＬで洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。得られた粗生成物を真空乾燥させ、化合物（３−ａ）７０ｇを得た。収率は化合物（２−ａ）基準で９１％、化合物（１−ａ）基準で４２％であった。
化合物（２−ａ）６０ｇ（０．２２８７ｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物０．４４ｇ（２．３ｍｍｏｌ）及びクロロホルム２００ｍＬを混合した。得られた溶液を氷冷後、窒素雰囲気下で、得られた溶液にジヒドロピラン３８．４８ｇ（０．４５８ｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。反応溶液を室温、窒素雰囲気下で２時間攪拌して反応させた。溶液にトルエン６００ｍＬを加え、不溶成分を除去後、水１０００ｍＬで洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。得られた粗生成物を真空乾燥させ、化合物（３−ａ）７０ｇを得た。収率は化合物（２−ａ）基準で９１％、化合物（１−ａ）基準で４２％であった。
化合物（３−ａ）の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１．４３〜１．５６（ｍ、４Ｈ）、１．６３〜１．６７（ｍ、３Ｈ）、１．６８〜１．８７（ｍ、３Ｈ）、２．０５〜２．１０（ｍ、４Ｈ）、２．２９〜２．３５（ｂｒ、ｍ、２Ｈ）、３．５８〜３．６２（ｔｔ、１Ｈ）、３．９１〜３．９９（ｄｔ、１Ｈ）、５．１１（ｓ、２Ｈ）、５．２７〜５．２９（ｔ、１Ｈ）、７．３０〜７．３７（ｍ、５Ｈ）
＜第３工程＞
化合物（３−ａ）７０ｇ及びテトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」という場合がある）２５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）３ｇを加えた。減圧後水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で、得られた溶液を６時間攪拌して反応させた。窒素置換後、窒素雰囲気下で溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。得られた残渣を水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。得られた結晶を濾別、真空乾燥することにより化合物（４−ａ）２１ｇを得た。収率は化合物（２−ａ）基準で３６％、化合物（１−ａ）基準で１７％であった。
化合物（３−ａ）７０ｇ及びテトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」という場合がある）２５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）３ｇを加えた。減圧後水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で、得られた溶液を６時間攪拌して反応させた。窒素置換後、窒素雰囲気下で溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。得られた残渣を水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。得られた結晶を濾別、真空乾燥することにより化合物（４−ａ）２１ｇを得た。収率は化合物（２−ａ）基準で３６％、化合物（１−ａ）基準で１７％であった。
化合物（４−ａ）の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１．４３〜１．５６（ｍ、４Ｈ）、１．６３〜１．６７（ｍ、３Ｈ）、１．６８〜１．８７（ｍ、３Ｈ）、２．０２〜２．１０（ｍ、４Ｈ）、２．２５〜２．３５（ｂｒ、ｍ、２Ｈ）、３．５９〜３．６２（ｍ、１Ｈ）、３．９０〜３．９９（ｄｔ、１Ｈ）、５．２５〜５．２８（ｔ、１Ｈ）、１１．３０（ｂｒ、１Ｈ）
（実施例２）
化合物（４−ｂ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第１工程：実施例１と同様。
第２工程：
第３工程：
化合物（４−ｂ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第１工程：実施例１と同様。
第２工程：
＜第１工程＞
実施例１と同様に行った。
＜第２工程＞
化合物（２−ａ）６０ｇ（０．２２８７ｍｏｌ）及びクロロホルム２００ｍＬを混合した。得られた溶液を氷冷し、窒素雰囲気下で、得られた溶液にエトキシクロロメタン４３．２５ｇ（０．４３２ｍｏｌ）及びトリエチルアミン６９．４４ｇ（０．６８６２ｍｏｌ）を滴下した。溶液を室温、窒素雰囲気下で４時間攪拌して反応させた。溶液にトルエン６００ｍＬを加え、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、濾液を回収し、水で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。得られた粗生成物を真空乾燥して、化合物（３−ｂ）７４ｇを得た。収率は化合物（２−ａ）基準で９５％、化合物（１−ａ）基準で（４４）％であった。
実施例１と同様に行った。
＜第２工程＞
化合物（２−ａ）６０ｇ（０．２２８７ｍｏｌ）及びクロロホルム２００ｍＬを混合した。得られた溶液を氷冷し、窒素雰囲気下で、得られた溶液にエトキシクロロメタン４３．２５ｇ（０．４３２ｍｏｌ）及びトリエチルアミン６９．４４ｇ（０．６８６２ｍｏｌ）を滴下した。溶液を室温、窒素雰囲気下で４時間攪拌して反応させた。溶液にトルエン６００ｍＬを加え、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、濾液を回収し、水で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。得られた粗生成物を真空乾燥して、化合物（３−ｂ）７４ｇを得た。収率は化合物（２−ａ）基準で９５％、化合物（１−ａ）基準で（４４）％であった。
化合物（３−ｂ）の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１．１８〜１．２３（ｔ、３Ｈ）、１．３７〜１．５６（ｍ、４Ｈ）、２．０６〜２．０９（ｍ、４Ｈ）、２．３０〜２．３３（ｂｒ、ｍ、２Ｈ）、３．６５〜３．７１（ｑ、２Ｈ）、５．１０（ｓ、２Ｈ）、５．２７（ｓ、２Ｈ）、７．２９〜７．３５（ｍ、５Ｈ）
＜第３工程＞
化合物（３−ｂ）６４ｇ及びＴＨＦ２５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）３．２ｇを加えた。減圧後、水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で得られた溶液を、室温で６時間攪拌して反応させた。窒素置換後、溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。残渣を水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。得られた結晶を濾別し、真空乾燥することにより化合物（４−ｂ）４５ｇを得た。収率は化合物（２−ａ）基準で８４％、化合物（１−ａ）基準で３９％であった。
化合物（３−ｂ）６４ｇ及びＴＨＦ２５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）３．２ｇを加えた。減圧後、水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で得られた溶液を、室温で６時間攪拌して反応させた。窒素置換後、溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。残渣を水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。得られた結晶を濾別し、真空乾燥することにより化合物（４−ｂ）４５ｇを得た。収率は化合物（２−ａ）基準で８４％、化合物（１−ａ）基準で３９％であった。
化合物（４−ｂ）の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１．２０〜１．２６（ｔ、３Ｈ）、１．４０〜１．５６（ｄｔ、４Ｈ）、２．０８〜２．１１（ｂｒ、ｄ、４Ｈ）、３．６４〜３．７２（ｑ、２Ｈ）、５．２９（ｓ、２Ｈ）
（実施例３）
化合物（４−ｂ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第１工程：
第２工程：
第３工程：
化合物（４−ｂ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第１工程：
＜第１工程＞
化合物（１−ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）２００ｇ（１．１６１６ｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド１０００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、攪拌しながら８０℃まで昇温して、得られた溶液に炭酸カリウム９６．３２ｇ（０．６９６９ｍｏｌ）を加えた後、ベンジルクロリド１３９．６８ｇ（１．１０３５ｍｏｌ）を加え、溶液を１２０℃で６時間攪拌して反応させた。溶液を室温まで放冷後、氷１５００ｇに注ぎ攪拌した。得られた結晶を濾取して、これを水／メタノール３：２（ｖ/ｖ）、次いで水で洗浄した。真空乾燥により溶媒を除去し、化合物（２−ａ）と化合物（８−ａ）とを含む粉末２５１ｇを得た。
化合物（１−ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）２００ｇ（１．１６１６ｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド１０００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、攪拌しながら８０℃まで昇温して、得られた溶液に炭酸カリウム９６．３２ｇ（０．６９６９ｍｏｌ）を加えた後、ベンジルクロリド１３９．６８ｇ（１．１０３５ｍｏｌ）を加え、溶液を１２０℃で６時間攪拌して反応させた。溶液を室温まで放冷後、氷１５００ｇに注ぎ攪拌した。得られた結晶を濾取して、これを水／メタノール３：２（ｖ/ｖ）、次いで水で洗浄した。真空乾燥により溶媒を除去し、化合物（２−ａ）と化合物（８−ａ）とを含む粉末２５１ｇを得た。
＜第２工程＞
化合物（２−ａ）と化合物（８−ａ）とを含む混合物２５１ｇ及びクロロホルム６００ｍＬを混合した。得られた溶液を氷冷し、窒素雰囲気下、得られた溶液にエトキシクロロメタン９３．５３ｇ（０．７６００ｍｏｌ）及びトリエチルアミン１４６．８３ｇ（１．４５１５ｍｏｌ）を滴下した。反応溶液を室温、窒素雰囲気下で３時間攪拌して反応させた。反応溶液にトルエン６００ｍＬを加え、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、濾液を回収し、水で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。得られた粗生成物を真空乾燥して、化合物（３−ｂ）と化合物（８−ａ）とを含む混合液体２４２ｇを得た。
化合物（２−ａ）と化合物（８−ａ）とを含む混合物２５１ｇ及びクロロホルム６００ｍＬを混合した。得られた溶液を氷冷し、窒素雰囲気下、得られた溶液にエトキシクロロメタン９３．５３ｇ（０．７６００ｍｏｌ）及びトリエチルアミン１４６．８３ｇ（１．４５１５ｍｏｌ）を滴下した。反応溶液を室温、窒素雰囲気下で３時間攪拌して反応させた。反応溶液にトルエン６００ｍＬを加え、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、濾液を回収し、水で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。得られた粗生成物を真空乾燥して、化合物（３−ｂ）と化合物（８−ａ）とを含む混合液体２４２ｇを得た。
＜第３工程＞
化合物（３−ｂ）と化合物（８−ａ）とを含む混合物２４２ｇ及びＴＨＦ２５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）１０．０ｇを加えた。減圧後、水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で得られた溶液を６時間攪拌して反応させた。窒素置換後、得られた溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。残渣をクロロホルムに溶解した。得られた溶液をシリカゲル濾過した。シリカゲル上の不溶物を、シリカゲルからさらにクロロホルムにて抽出した。クロロホルム溶液を回収し、これを減圧濃縮し、これにヘプタンを加えて結晶化させた。得られた結晶を濾別、真空乾燥することにより化合物（４−ｂ）１０６ｇを得た。収率は化合物（１−ａ）基準で３９％であった。
化合物（３−ｂ）と化合物（８−ａ）とを含む混合物２４２ｇ及びＴＨＦ２５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）１０．０ｇを加えた。減圧後、水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で得られた溶液を６時間攪拌して反応させた。窒素置換後、得られた溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。残渣をクロロホルムに溶解した。得られた溶液をシリカゲル濾過した。シリカゲル上の不溶物を、シリカゲルからさらにクロロホルムにて抽出した。クロロホルム溶液を回収し、これを減圧濃縮し、これにヘプタンを加えて結晶化させた。得られた結晶を濾別、真空乾燥することにより化合物（４−ｂ）１０６ｇを得た。収率は化合物（１−ａ）基準で３９％であった。
（実施例４）
化合物（４−ｂ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第１工程：
第２工程：
第３工程：
化合物（４−ｂ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第１工程：
＜第１工程＞
化合物（１−ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）２５０ｇ（１．４５２ｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド４００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、攪拌しながら８０℃まで昇温して、パラトルエンスルホン酸一水和物５５．２４ｇ（０．２９０ｍｍｏｌ）を加えて、９６．３２ｇ（０．６９６９ｍｏｌ）を加えた後、ベンジルクロリド１３９．６８ｇ（１．１０３５ｍｏｌ）を加え、化合物（１−ａ）が析出しないように徐々にトルエン８００ｍＬを加えた。得られた溶液にベンジルアルコール（１５７．０ｇ、１．４５２ｍｏｌ）を加えて、ディーン・スターク管を用いて生成する水を除去しながら１３０℃で２４時間攪拌して反応させた。高速液体クロマトグラフィー分析によると、化合物（３−ｂ）と化合物（８−ａ）が２：１の割合で生成したことがわかった。化合物を含む溶液を室温まで放冷後、減圧濃縮した。溶液を氷１５００ｇに注ぎ攪拌した。析出した結晶を濾取し、純水で洗浄後真空乾燥することによって白色粉末を得た。白色粉末とメタノール１０００ｍＬとを混合し、一時間攪拌した。混合液から、白色の不溶成分を除去したのちこれを氷１５００ｇに注ぎ結晶化させた。得られた結晶を濾過することにより、化合物（２−ａ）と化合物（８−ａ）とを４：１の割合で含む白色粉末２４０ｇを得た。
化合物（１−ａ）（トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）２５０ｇ（１．４５２ｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド４００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、攪拌しながら８０℃まで昇温して、パラトルエンスルホン酸一水和物５５．２４ｇ（０．２９０ｍｍｏｌ）を加えて、９６．３２ｇ（０．６９６９ｍｏｌ）を加えた後、ベンジルクロリド１３９．６８ｇ（１．１０３５ｍｏｌ）を加え、化合物（１−ａ）が析出しないように徐々にトルエン８００ｍＬを加えた。得られた溶液にベンジルアルコール（１５７．０ｇ、１．４５２ｍｏｌ）を加えて、ディーン・スターク管を用いて生成する水を除去しながら１３０℃で２４時間攪拌して反応させた。高速液体クロマトグラフィー分析によると、化合物（３−ｂ）と化合物（８−ａ）が２：１の割合で生成したことがわかった。化合物を含む溶液を室温まで放冷後、減圧濃縮した。溶液を氷１５００ｇに注ぎ攪拌した。析出した結晶を濾取し、純水で洗浄後真空乾燥することによって白色粉末を得た。白色粉末とメタノール１０００ｍＬとを混合し、一時間攪拌した。混合液から、白色の不溶成分を除去したのちこれを氷１５００ｇに注ぎ結晶化させた。得られた結晶を濾過することにより、化合物（２−ａ）と化合物（８−ａ）とを４：１の割合で含む白色粉末２４０ｇを得た。
＜第２工程＞
化合物（２−ａ）と化合物（８−ａ）とを含む混合物２４０ｇ及びトルエン６００ｍＬを混合した。得られた溶液を氷冷し、窒素雰囲気下、得られた溶液にエトキシクロロメタン１２９．５５ｇ（１．３７ｍｏｌ）及びトリエチルアミン２７７．３３ｇ（２．７４ｍｏｌ）を滴下した。反応溶液を室温、窒素雰囲気下で３時間攪拌して反応させた。反応溶液にトルエン１０００ｍＬを加え、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、濾液を回収し、水で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。得られた粗生成物を真空乾燥して、化合物（３−ｂ）と化合物（８−ａ）とを含む混合液体２８５ｇを得た。
化合物（２−ａ）と化合物（８−ａ）とを含む混合物２４０ｇ及びトルエン６００ｍＬを混合した。得られた溶液を氷冷し、窒素雰囲気下、得られた溶液にエトキシクロロメタン１２９．５５ｇ（１．３７ｍｏｌ）及びトリエチルアミン２７７．３３ｇ（２．７４ｍｏｌ）を滴下した。反応溶液を室温、窒素雰囲気下で３時間攪拌して反応させた。反応溶液にトルエン１０００ｍＬを加え、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、濾液を回収し、水で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。得られた粗生成物を真空乾燥して、化合物（３−ｂ）と化合物（８−ａ）とを含む混合液体２８５ｇを得た。
＜第３工程＞
化合物（３−ｂ）と化合物（８−ａ）とを含む混合物２８５ｇ及びＴＨＦ１２５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）２８．５ｇを加えた。減圧後、水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で得られた溶液を１８時間攪拌して反応させた。窒素置換後、得られた溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。残渣をクロロホルムに溶解した。得られた溶液をシリカゲル濾過した。シリカゲル上の不溶物を、シリカゲルからさらにクロロホルムにて抽出した。クロロホルム溶液を回収し、これを減圧濃縮し、これにヘプタンを加えて結晶化させた。得られた結晶を濾別、真空乾燥することにより化合物（４−ｂ）１２４ｇを得た。収率は化合物（１−ａ）基準で３７％であった。
化合物（３−ｂ）と化合物（８−ａ）とを含む混合物２８５ｇ及びＴＨＦ１２５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）２８．５ｇを加えた。減圧後、水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で得られた溶液を１８時間攪拌して反応させた。窒素置換後、得られた溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。残渣をクロロホルムに溶解した。得られた溶液をシリカゲル濾過した。シリカゲル上の不溶物を、シリカゲルからさらにクロロホルムにて抽出した。クロロホルム溶液を回収し、これを減圧濃縮し、これにヘプタンを加えて結晶化させた。得られた結晶を濾別、真空乾燥することにより化合物（４−ｂ）１２４ｇを得た。収率は化合物（１−ａ）基準で３７％であった。
（実施例５）
化合物（４−ｃ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第１工程：
第２工程：
第３工程：
化合物（４−ｃ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第１工程：
＜第１工程（１）＞
化合物（１−ｃ）（シス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）５０ｇ（０．２９０ｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド２００ｍＬを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下で、攪拌しながら８０℃まで昇温して、得られた混合液に炭酸カリウム２４．０８ｇ（０．１７４ｍｏｌ）を加えた後、ベンジルクロリド３４．９２ｇ（０．２７６ｍｏｌ）、ヨウ化カリウム２．５ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド２ｇを加え、１１０℃まで昇温して２時間攪拌して反応させた。得られた反応溶液を室温まで放冷後、反応溶液を氷１５００ｇに注ぎ攪拌した。生成した結晶を濾取して、水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。真空乾燥により溶媒を除去し、残渣をクロロホルムに溶解させた。溶液をシリカゲルに吸着させ、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて、最初はヘプタン／クロロホルム３：１（ｖ／ｖ）、次いでヘプタン／クロロホルム１：１（ｖ／ｖ）、最後にクロロホルムで溶離して、化合物（２−ｃ）３０ｇを得た。収率は化合物（１−ｃ）基準で４０％であった。
化合物（１−ｃ）（シス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸）５０ｇ（０．２９０ｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド２００ｍＬを混合した。得られた混合液を、窒素雰囲気下で、攪拌しながら８０℃まで昇温して、得られた混合液に炭酸カリウム２４．０８ｇ（０．１７４ｍｏｌ）を加えた後、ベンジルクロリド３４．９２ｇ（０．２７６ｍｏｌ）、ヨウ化カリウム２．５ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド２ｇを加え、１１０℃まで昇温して２時間攪拌して反応させた。得られた反応溶液を室温まで放冷後、反応溶液を氷１５００ｇに注ぎ攪拌した。生成した結晶を濾取して、水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。真空乾燥により溶媒を除去し、残渣をクロロホルムに溶解させた。溶液をシリカゲルに吸着させ、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて、最初はヘプタン／クロロホルム３：１（ｖ／ｖ）、次いでヘプタン／クロロホルム１：１（ｖ／ｖ）、最後にクロロホルムで溶離して、化合物（２−ｃ）３０ｇを得た。収率は化合物（１−ｃ）基準で４０％であった。
化合物（２−ｃ）の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１．６９〜１．７５（ｍ、４Ｈ）、１．８８〜１．９９（ｍ、４Ｈ）、２．５１（ｂｒ、ｍ、２Ｈ）、５．１１（ｓ、２Ｈ）、７．３０〜７．３３（ｍ、５Ｈ）
＜第２工程＞
化合物（２−ｃ）２９．２５ｇ（０．１１１５ｍｏｌ）及びクロロホルム１００ｍＬを混合した。得られた溶液を氷冷し、窒素雰囲気下で、得られた溶液にエトキシクロロメタン１５．８１ｇ（０．１６７ｍｏｌ）及びトリエチルアミン２４．８２ｇ（０．２４５ｍｏｌ）を滴下した。溶液を室温、窒素雰囲気下で４時間攪拌して反応させた。溶液にトルエン３００ｍＬを加え、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、濾液を回収し、水で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。得られた粗生成物を真空乾燥して、化合物（３−ｃ）３３ｇを得た。収率は化合物（２−ｃ）基準で９７％、化合物（１−ｃ）基準で３９％であった。
化合物（２−ｃ）２９．２５ｇ（０．１１１５ｍｏｌ）及びクロロホルム１００ｍＬを混合した。得られた溶液を氷冷し、窒素雰囲気下で、得られた溶液にエトキシクロロメタン１５．８１ｇ（０．１６７ｍｏｌ）及びトリエチルアミン２４．８２ｇ（０．２４５ｍｏｌ）を滴下した。溶液を室温、窒素雰囲気下で４時間攪拌して反応させた。溶液にトルエン３００ｍＬを加え、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、濾液を回収し、水で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。得られた粗生成物を真空乾燥して、化合物（３−ｃ）３３ｇを得た。収率は化合物（２−ｃ）基準で９７％、化合物（１−ｃ）基準で３９％であった。
化合物（３−ｃ）の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１．２０〜１．２３（ｔ、３Ｈ）、１．６８〜１．７７（ｍ、４Ｈ）、１．９０〜１．９８（ｍ、４Ｈ）、２．５０〜２．５３（ｂｒ、ｍ、２Ｈ）、３．６４〜３．７２（ｑ、２Ｈ）、５．１２（ｓ、２Ｈ）、５．３０（ｓ、２Ｈ）、７．３０〜７．３３（ｍ、５Ｈ）
＜第３工程＞
化合物（３−ｃ）３３ｇ及びＴＨＦ２５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）３．２ｇを加えた。減圧後、水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で得られた溶液を、室温で８時間攪拌して反応させた。窒素置換後、溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。残渣を水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。得られた結晶を濾別し、真空乾燥することにより化合物（４−ｃ）１９．８ｇを得た。収率は化合物（２−ｃ）基準で７７％、化合物（１−ｃ）基準で３０％であった。
化合物（３−ｃ）３３ｇ及びＴＨＦ２５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）３．２ｇを加えた。減圧後、水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で得られた溶液を、室温で８時間攪拌して反応させた。窒素置換後、溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。残渣を水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。得られた結晶を濾別し、真空乾燥することにより化合物（４−ｃ）１９．８ｇを得た。収率は化合物（２−ｃ）基準で７７％、化合物（１−ｃ）基準で３０％であった。
化合物（４−ｃ）の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１．２０〜１．２３（ｔ、３Ｈ）、１．６９〜１．７７（ｍ、４Ｈ）、１．９２〜１．９８（ｍ、４Ｈ）、２．５１〜２．５３（ｂｒ、ｍ、２Ｈ）、３．６４〜３．７１（ｑ、２Ｈ）、５．３０（ｓ、２Ｈ）、１１．８０（ｂｒ、１Ｈ）
（化合物（６）の合成）
（実施例６）
化合物（６−ａ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第４工程：
第５工程：
（実施例６）
化合物（６−ａ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第４工程：
＜化合物（Ａ）の製造例＞
尚、化合物（Ａ）の合成方法は下記のスキームにしたがって行った。
尚、化合物（Ａ）の合成方法は下記のスキームにしたがって行った。
＜化合物（Ａ−Ｉ）の製造例＞
化合物（Ａ−Ｉ）は原料としてジヒドロキノンを用いて、酸触媒下でジヒドロピランと反応させて製造した。反応条件、精製方法は特許文献（特開２００４−２６２８８４号公報）に記載されている方法に従った。
化合物（Ａ−Ｉ）は原料としてジヒドロキノンを用いて、酸触媒下でジヒドロピランと反応させて製造した。反応条件、精製方法は特許文献（特開２００４−２６２８８４号公報）に記載されている方法に従った。
＜化合物（Ａ−ＩＩ）の製造例＞
化合物（Ａ−Ｉ）１００．１ｇ（５１５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム９７．１ｇ（７０３ｍｍｏｌ）、６−クロロヘキサノール６４ｇ（４６８ｍｍｏｌ）及びジメチルアセトアミドを混合した。窒素雰囲気下、９０℃で、その後１００℃で得られた溶液を撹拌した。得られた溶液を室温まで冷却し、得られた溶液に純水、メチルイソブチルケトンを加え、回収した有機層を水酸化ナトリウム水溶液及び純水で洗浄し、濾過後に減圧濃縮した。残渣にメタノールを加えて、生成した沈殿を濾過、真空乾燥して、化合物（Ａ−ＩＩ）を１２６ｇ（４２８ｍｍｏｌ）得た。収率は６−クロロヘキサノール基準で９１％であった。
化合物（Ａ−Ｉ）１００．１ｇ（５１５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム９７．１ｇ（７０３ｍｍｏｌ）、６−クロロヘキサノール６４ｇ（４６８ｍｍｏｌ）及びジメチルアセトアミドを混合した。窒素雰囲気下、９０℃で、その後１００℃で得られた溶液を撹拌した。得られた溶液を室温まで冷却し、得られた溶液に純水、メチルイソブチルケトンを加え、回収した有機層を水酸化ナトリウム水溶液及び純水で洗浄し、濾過後に減圧濃縮した。残渣にメタノールを加えて、生成した沈殿を濾過、真空乾燥して、化合物（Ａ−ＩＩ）を１２６ｇ（４２８ｍｍｏｌ）得た。収率は６−クロロヘキサノール基準で９１％であった。
＜化合物（Ａ−ＩＩＩ）の製造例＞
化合物（Ａ−ＩＩ）１２６ｇ（４２８ｍｍｏｌ）、３、５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン１．４０ｇ（６．４２ｍｍｏｌ）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン１１６．７ｇ（９６３ｍｍｏｌ）、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノン１．００ｇ及びクロロホルムを混合した。窒素雰囲気、氷冷下で得られた溶液にアクイロイルクロリド５８．１ｇ（６４２ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに純水を加えて、得られた溶液を攪拌した。回収した有機層を塩酸水、飽和炭酸ナトリウム水溶液及び純水で洗浄した。有機層を乾燥し、濾過後、３、５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン１ｇを加えて減圧濃縮して、化合物（Ａ−ＩＩＩ）を得た。
化合物（Ａ−ＩＩ）１２６ｇ（４２８ｍｍｏｌ）、３、５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン１．４０ｇ（６．４２ｍｍｏｌ）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン１１６．７ｇ（９６３ｍｍｏｌ）、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノン１．００ｇ及びクロロホルムを混合した。窒素雰囲気、氷冷下で得られた溶液にアクイロイルクロリド５８．１ｇ（６４２ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに純水を加えて、得られた溶液を攪拌した。回収した有機層を塩酸水、飽和炭酸ナトリウム水溶液及び純水で洗浄した。有機層を乾燥し、濾過後、３、５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン１ｇを加えて減圧濃縮して、化合物（Ａ−ＩＩＩ）を得た。
＜化合物（Ａ）の製造例＞
化合物（Ａ−ＩＩＩ）にＴＨＦ２００ｍｌを加えクロロホルムを去留後、得られた溶液にＴＨＦ２００ｍｌを加えた。得られた溶液に塩酸水及び濃塩酸水を加えて、窒素雰囲気下６０℃で攪拌した。反応溶液に飽和食塩水５００ｍｌを加えて攪拌し、回収した有機層を脱水し、濾過後減圧濃縮した。さらにヘキサンを加えて氷冷下攪拌し、析出した粉末を濾過後真空乾燥して、化合物（Ａ）を９０ｇ（３３９ｍｍｏｌ）得た。二工程の収率は化合物（Ａ−ＩＩ）基準で、７９％であった。
化合物（Ａ−ＩＩＩ）にＴＨＦ２００ｍｌを加えクロロホルムを去留後、得られた溶液にＴＨＦ２００ｍｌを加えた。得られた溶液に塩酸水及び濃塩酸水を加えて、窒素雰囲気下６０℃で攪拌した。反応溶液に飽和食塩水５００ｍｌを加えて攪拌し、回収した有機層を脱水し、濾過後減圧濃縮した。さらにヘキサンを加えて氷冷下攪拌し、析出した粉末を濾過後真空乾燥して、化合物（Ａ）を９０ｇ（３３９ｍｍｏｌ）得た。二工程の収率は化合物（Ａ−ＩＩ）基準で、７９％であった。
＜第４工程＞
化合物（Ａ）５６．８ｇ（２１５ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン２．６５ｇ（２２ｍｍｏｌ）、化合物（４−ｂ）５０ｇ（２１７ｍｍｏｌ）及びクロロホルム３００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、氷冷して攪拌し、得られた溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド４８．７９ｇ（２３７ｍｏｌ）の５０ｍＬクロロホルム溶液を滴下した。滴下終了後、得られた溶液を室温にて４時間攪拌して反応させた。反応溶液にクロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、２Ｎ−塩酸水溶液で洗浄した。有機層を回収し、不溶成分を濾過後、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去、真空乾燥を経て、化合物（５−ａ）１００ｇを得た。
化合物（Ａ）５６．８ｇ（２１５ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン２．６５ｇ（２２ｍｍｏｌ）、化合物（４−ｂ）５０ｇ（２１７ｍｍｏｌ）及びクロロホルム３００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、氷冷して攪拌し、得られた溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド４８．７９ｇ（２３７ｍｏｌ）の５０ｍＬクロロホルム溶液を滴下した。滴下終了後、得られた溶液を室温にて４時間攪拌して反応させた。反応溶液にクロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、２Ｎ−塩酸水溶液で洗浄した。有機層を回収し、不溶成分を濾過後、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去、真空乾燥を経て、化合物（５−ａ）１００ｇを得た。
＜第５工程＞
化合物（５−ａ）１００ｇ、純水３．６４ｇ（２０２ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物３．８４ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ２００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、５０℃に加温後、３時間攪拌して反応させた。室温まで放冷後、ＴＨＦを除去し、残渣にヘプタン２００ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、純水で洗浄後、真空乾燥した。得られた粉末をクロロホルムに溶解し、シリカゲルを通して濾過した。濾液を回収しクロロホルム４００ｍＬに溶解して、濃縮後、トルエンに溶解した。得られた溶液を減圧濃縮したのち、ヘプタンを加えて結晶化させた。得られた粉末を濾取、真空乾燥して、化合物（６−ａ）６４．１ｇを得た。収率は化合物（Ａ）基準、二工程で７６％であった。高速液体クロマトグラフィーにて純度を定量した結果、純度は９２％であり、不純物は検出されなかった。
化合物（５−ａ）１００ｇ、純水３．６４ｇ（２０２ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物３．８４ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ２００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、５０℃に加温後、３時間攪拌して反応させた。室温まで放冷後、ＴＨＦを除去し、残渣にヘプタン２００ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、純水で洗浄後、真空乾燥した。得られた粉末をクロロホルムに溶解し、シリカゲルを通して濾過した。濾液を回収しクロロホルム４００ｍＬに溶解して、濃縮後、トルエンに溶解した。得られた溶液を減圧濃縮したのち、ヘプタンを加えて結晶化させた。得られた粉末を濾取、真空乾燥して、化合物（６−ａ）６４．１ｇを得た。収率は化合物（Ａ）基準、二工程で７６％であった。高速液体クロマトグラフィーにて純度を定量した結果、純度は９２％であり、不純物は検出されなかった。
（実施例７）
化合物（６−ｂ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第４工程：
第５工程：
化合物（６−ｂ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
第４工程：
＜化合物（Ｂ）の製造例＞
化合物（Ｂ）の合成は下記のスキームにしたがって行った。
化合物（Ｂ）の合成は下記のスキームにしたがって行った。
＜化合物（Ｂ−Ｉ）の製造例＞
化合物（Ａ−Ｉ）１６．９ｇ（８６．７ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン０．８５ｇ（７ｍｍｏｌ）、コハク酸（２−エチルオキシアクリレート）１５ｇ（６９．４ｍｍｏｌ）、３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン８０ｍｇ及びクロロホルム１００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を氷冷して攪拌し、溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド１９．６８ｇ（９５．４ｍｏｌ）の２０ｍＬクロロホルム溶液を滴下した。滴下終了後、攪拌した。反応溶液にクロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、２Ｎ−塩酸水溶液で洗浄した。有機層を回収し、不溶成分を濾過後、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去、真空乾燥を経て、化合物（Ｂ−Ｉ）２１ｇを得た。
化合物（Ａ−Ｉ）１６．９ｇ（８６．７ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン０．８５ｇ（７ｍｍｏｌ）、コハク酸（２−エチルオキシアクリレート）１５ｇ（６９．４ｍｍｏｌ）、３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン８０ｍｇ及びクロロホルム１００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を氷冷して攪拌し、溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド１９．６８ｇ（９５．４ｍｏｌ）の２０ｍＬクロロホルム溶液を滴下した。滴下終了後、攪拌した。反応溶液にクロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、２Ｎ−塩酸水溶液で洗浄した。有機層を回収し、不溶成分を濾過後、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去、真空乾燥を経て、化合物（Ｂ−Ｉ）２１ｇを得た。
＜化合物（Ｂ）の製造例＞
化合物（Ｂ−Ｉ）２１ｇ、純水１．１６ｇ（６４．２ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物１．０２ｇ（５．４ｍｍｏｌ）、３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン１００ｍｇ及びＴＨＦ２００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を３０℃に加温後、攪拌した。室温まで放冷後、溶液にトルエン２００ｍＬを加えた。得られた溶液を純水で洗浄後、有機層を回収しヘプタン２００ｍＬを加えた。不溶成分を濾別した後、これを室温で減圧濃縮後、溶媒をクロロホルムで置換しシリカゲルを通して濾過した。濾液を回収し、減圧濃縮、真空乾燥を経て、化合物（Ｂ）１６ｇを得た。収率は化合物（Ａ−Ｉ）基準、二工程で７５％であった。
化合物（Ｂ−Ｉ）２１ｇ、純水１．１６ｇ（６４．２ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物１．０２ｇ（５．４ｍｍｏｌ）、３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン１００ｍｇ及びＴＨＦ２００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を３０℃に加温後、攪拌した。室温まで放冷後、溶液にトルエン２００ｍＬを加えた。得られた溶液を純水で洗浄後、有機層を回収しヘプタン２００ｍＬを加えた。不溶成分を濾別した後、これを室温で減圧濃縮後、溶媒をクロロホルムで置換しシリカゲルを通して濾過した。濾液を回収し、減圧濃縮、真空乾燥を経て、化合物（Ｂ）１６ｇを得た。収率は化合物（Ａ−Ｉ）基準、二工程で７５％であった。
＜第４工程＞
化合物（Ｂ）１０．０５ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン０．４０ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、化合物（４−ｂ）−ｂ７．５ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）、３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン２０ｍｇ及びクロロホルム３００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を氷冷して攪拌し、溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド７．３９ｇ（３５．８ｍｏｌ）の２０ｍＬクロロホルム溶液を滴下した。滴下終了後、溶液を室温で３時間攪拌して反応させた。反応溶液にクロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、塩酸水溶液で洗浄した。有機層を回収し、不溶成分を濾過後、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去、真空乾燥を経て、化合物（５−ｂ）１４．２ｇを得た。
化合物（Ｂ）１０．０５ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン０．４０ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、化合物（４−ｂ）−ｂ７．５ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）、３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン２０ｍｇ及びクロロホルム３００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を氷冷して攪拌し、溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド７．３９ｇ（３５．８ｍｏｌ）の２０ｍＬクロロホルム溶液を滴下した。滴下終了後、溶液を室温で３時間攪拌して反応させた。反応溶液にクロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、塩酸水溶液で洗浄した。有機層を回収し、不溶成分を濾過後、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去、真空乾燥を経て、化合物（５−ｂ）１４．２ｇを得た。
＜第５工程＞
化合物（５−ｂ）１４．２ｇ、純水０．５９ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物０．６２ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン４０ｍｇ及びＴＨＦ８０ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を５０℃に加温後、３時間攪拌して反応させた。室温まで放冷後、ＴＨＦを除去し、残渣にヘプタン２００ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、これを純水で洗浄後、真空乾燥した。得られた粉末をクロロホルムに溶解し、シリカゲルを通して濾過した。濾液を回収しクロロホルム４００ｍＬに溶解して、濃縮後、トルエンを加えた。得られた溶液を減圧濃縮したのち、ヘプタン５００ｍＬを加えて結晶化させた。得られた粉末を濾取、真空乾燥を経て、化合物（６−ｂ）を１０．１ｇ得た。収率は化合物（Ｂ）基準、二工程で６７％であった。高速液体クロマトグラフィーによって確認したところ、不純物は検出されなかった。
化合物（５−ｂ）１４．２ｇ、純水０．５９ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物０．６２ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン４０ｍｇ及びＴＨＦ８０ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を５０℃に加温後、３時間攪拌して反応させた。室温まで放冷後、ＴＨＦを除去し、残渣にヘプタン２００ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、これを純水で洗浄後、真空乾燥した。得られた粉末をクロロホルムに溶解し、シリカゲルを通して濾過した。濾液を回収しクロロホルム４００ｍＬに溶解して、濃縮後、トルエンを加えた。得られた溶液を減圧濃縮したのち、ヘプタン５００ｍＬを加えて結晶化させた。得られた粉末を濾取、真空乾燥を経て、化合物（６−ｂ）を１０．１ｇ得た。収率は化合物（Ｂ）基準、二工程で６７％であった。高速液体クロマトグラフィーによって確認したところ、不純物は検出されなかった。
（実施例８）
化合物（６−ｃ）の製造を下記のスキームにしたがって行う。
第４工程：
第５工程：
化合物（６−ｃ）の製造を下記のスキームにしたがって行う。
第４工程：
＜化合物（Ｃ）の製造例＞
化合物（Ｃ）の合成は、化合物（Ｂ）と同様に下記のスキームにしたがって行う。
化合物（Ｃ）の合成は、化合物（Ｂ）と同様に下記のスキームにしたがって行う。
＜化合物（Ｃ−Ｉ）の製造例＞
化合物（Ａ−Ｉ）、ジメチルアミノピリジン、カプロン酸６−（２−エチルオキシアクリレート）、ジシクロヘキシルカルボジイミドを同様にクロロホルム中で、適宜、重合禁止剤として３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエンを加えながら反応させると、化合物（Ｂ−Ｉ）と同様に、化合物（Ｃ−Ｉ）が得られる。
化合物（Ａ−Ｉ）、ジメチルアミノピリジン、カプロン酸６−（２−エチルオキシアクリレート）、ジシクロヘキシルカルボジイミドを同様にクロロホルム中で、適宜、重合禁止剤として３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエンを加えながら反応させると、化合物（Ｂ−Ｉ）と同様に、化合物（Ｃ−Ｉ）が得られる。
＜化合物（Ｃ）の製造例＞
化合物（Ｃ−Ｉ）を、ＴＨＦ中、適宜、重合禁止剤として３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエンを加えつつ、純水、パラトルエンスルホン酸一水和物にて、脱テトラヒドロピラニル化すると、化合物（Ｂ）と同様に、化合物（Ｃ）が得られる。
化合物（Ｃ−Ｉ）を、ＴＨＦ中、適宜、重合禁止剤として３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエンを加えつつ、純水、パラトルエンスルホン酸一水和物にて、脱テトラヒドロピラニル化すると、化合物（Ｂ）と同様に、化合物（Ｃ）が得られる。
＜第４工程＞
化合物（Ｃ）と、ジメチルアミノピリジン、化合物（４−ｂ）、ジシクロヘキシルカルボジイミドをクロロホルム中で適宜、重合禁止剤として３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン加えながら反応させると、化合物（５−ｃ）が得られる。
化合物（Ｃ）と、ジメチルアミノピリジン、化合物（４−ｂ）、ジシクロヘキシルカルボジイミドをクロロホルム中で適宜、重合禁止剤として３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン加えながら反応させると、化合物（５−ｃ）が得られる。
＜第５工程＞
重合禁止剤として３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエンを加えながら、化合物（５−ｃ）を、純水、パラトルエンスルホン酸一水和物によって、窒素雰囲気下、５０℃の条件で、脱保護すると、化合物（６−ａ）、化合物（６−ｂ）と同様に、化合物（６−ｃ）が得られる。
重合禁止剤として３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエンを加えながら、化合物（５−ｃ）を、純水、パラトルエンスルホン酸一水和物によって、窒素雰囲気下、５０℃の条件で、脱保護すると、化合物（６−ａ）、化合物（６−ｂ）と同様に、化合物（６−ｃ）が得られる。
（実施例９）
化合物（６−ｄ）の製造を下記のスキームにしたがって行う。
化合物（６−ｄ）の製造を下記のスキームにしたがって行う。
＜化合物（Ｄ）の製造例＞
トランス−４−ヒドロキシシクロヘキサンカルボン酸（１２５ｇ（８６７ｍｍｏｌ））、炭酸カリウム１４３．８ｇ（１．０４ｍｏｌ）、ベンジルブロミド１４０．８７ｇ（８２４ｍｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド７００ｍｌを混合した。窒素雰囲気下、８０℃まで昇温して、攪拌した。反応溶液を室温まで放冷後、反応溶液を水１０００ｇ、メチルイソブチルケトン／ヘプタン（重量比３／２）５００ｇに注いだ。この溶液を攪拌後、水層を除去、さらに有機層を純水で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。残渣にヘプタンを加えて結晶化させ、濾過、真空乾燥を経て、化合物（Ｄ）を１５０ｇ得た。収率はトランス−４−ヒドロキシシクロヘキサンカルボン酸基準で７５％であった。
トランス−４−ヒドロキシシクロヘキサンカルボン酸（１２５ｇ（８６７ｍｍｏｌ））、炭酸カリウム１４３．８ｇ（１．０４ｍｏｌ）、ベンジルブロミド１４０．８７ｇ（８２４ｍｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド７００ｍｌを混合した。窒素雰囲気下、８０℃まで昇温して、攪拌した。反応溶液を室温まで放冷後、反応溶液を水１０００ｇ、メチルイソブチルケトン／ヘプタン（重量比３／２）５００ｇに注いだ。この溶液を攪拌後、水層を除去、さらに有機層を純水で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。残渣にヘプタンを加えて結晶化させ、濾過、真空乾燥を経て、化合物（Ｄ）を１５０ｇ得た。収率はトランス−４−ヒドロキシシクロヘキサンカルボン酸基準で７５％であった。
＜化合物（Ｅ）の製造例＞
化合物（Ｄ）を３０．５ｇ（１３０ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン１．５９ｇ（１３ｍｍｏｌ）、化合物（１）−ｂ３０ｇ（１３０ｍｍｏｌ）及びクロロホルム２００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を氷冷して攪拌し、溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド２９．５７ｇ（１４３ｍｏｌ）を一時間かけて滴下した。滴下終了後、攪拌した。反応溶液にクロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、純水で３回洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。残渣にメタノールを加えて攪拌し、得られた粉末を濾取後、さらにメタノールを加えて攪拌した。得られた粉末を濾取、真空乾燥を経て、化合物（Ｅ）を４２ｇ得た。収率は化合物（４−ｂ）基準で９０％であった。
化合物（Ｄ）を３０．５ｇ（１３０ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン１．５９ｇ（１３ｍｍｏｌ）、化合物（１）−ｂ３０ｇ（１３０ｍｍｏｌ）及びクロロホルム２００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を氷冷して攪拌し、溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド２９．５７ｇ（１４３ｍｏｌ）を一時間かけて滴下した。滴下終了後、攪拌した。反応溶液にクロロホルム２００ｍＬ及びヘプタン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、純水で３回洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。残渣にメタノールを加えて攪拌し、得られた粉末を濾取後、さらにメタノールを加えて攪拌した。得られた粉末を濾取、真空乾燥を経て、化合物（Ｅ）を４２ｇ得た。収率は化合物（４−ｂ）基準で９０％であった。
＜化合物（Ｆ）の製造例＞
化合物（Ｅ）、２３ｇ及びＴＨＦ１５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）１．２ｇを加えた。減圧後、水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で溶液を攪拌した。窒素置換後、溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。残渣をトルエンに溶解し、不溶成分を濾過にて除去後、溶媒を除去した。残渣を水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。得られた結晶を濾別、真空乾燥して化合物（Ｆ）１７．８ｇを得た。収率は化合物（Ｅ）基準で９７％であった。
化合物（Ｅ）、２３ｇ及びＴＨＦ１５０ｍｌを混合した。窒素雰囲気下で、得られた溶液に１０％パラジウム−炭素（５０％含水）１．２ｇを加えた。減圧後、水素置換し、室温、常圧、水素雰囲気下で溶液を攪拌した。窒素置換後、溶液を濾過し、触媒及び溶媒を除去した。残渣をトルエンに溶解し、不溶成分を濾過にて除去後、溶媒を除去した。残渣を水／メタノール１：１（ｖ／ｖ）、次いで水で洗浄した。得られた結晶を濾別、真空乾燥して化合物（Ｆ）１７．８ｇを得た。収率は化合物（Ｅ）基準で９７％であった。
＜第４工程＞
化合物（Ｆ）１６ｇ（４４．９ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン０．５５ｇ（１３ｍｍｏｌ）、４−ヒドロキシブチルアクリレート６．４７ｇ（４４．９ｍｍｏｌ）及びクロロホルム１００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、氷冷して攪拌し、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩１０．１９ｇ（４９．４ｍｍｏｌ）の５０ｍＬクロロホルム溶液を滴下した。滴下終了後、室温で２時間攪拌して反応させた。反応溶液にトルエン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、減圧濃縮、クロロホルムを除去し、トルエン溶液とした。トルエン溶液を１Ｎ−塩酸水溶液で３回洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。残渣の真空乾燥を経て、化合物（５−ｄ）を１８．５ｇ得た。
化合物（Ｆ）１６ｇ（４４．９ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン０．５５ｇ（１３ｍｍｏｌ）、４−ヒドロキシブチルアクリレート６．４７ｇ（４４．９ｍｍｏｌ）及びクロロホルム１００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、氷冷して攪拌し、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩１０．１９ｇ（４９．４ｍｍｏｌ）の５０ｍＬクロロホルム溶液を滴下した。滴下終了後、室温で２時間攪拌して反応させた。反応溶液にトルエン２００ｍＬを加えて沈殿を濾過した。濾液を回収して、減圧濃縮、クロロホルムを除去し、トルエン溶液とした。トルエン溶液を１Ｎ−塩酸水溶液で３回洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、溶媒を除去した。残渣の真空乾燥を経て、化合物（５−ｄ）を１８．５ｇ得た。
＜第５工程＞
化合物（５−ｄ）１８．５ｇ、純水０．９７ｇ（５３．９ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物０．８５ｇ（４．５ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ１００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を５０℃に加温後、３時間攪拌して反応させた。室温まで放冷後、ＴＨＦを除去し、残渣にヘプタン２００ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、これを純水で洗浄後、真空乾燥して、化合物（６−ｄ）１５．４ｇを得た。収率は化合物（Ｆ）基準、二工程で８１％であった。
化合物（５−ｄ）１８．５ｇ、純水０．９７ｇ（５３．９ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物０．８５ｇ（４．５ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ１００ｍＬを混合した。窒素雰囲気下、得られた溶液を５０℃に加温後、３時間攪拌して反応させた。室温まで放冷後、ＴＨＦを除去し、残渣にヘプタン２００ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、これを純水で洗浄後、真空乾燥して、化合物（６−ｄ）１５．４ｇを得た。収率は化合物（Ｆ）基準、二工程で８１％であった。
（比較例１、２）
化合物（６−ａ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
化合物（６−ａ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
（比較例１）
トランス−シクロヘキサンジカルボン酸２４．６８ｇ（１１８ｍｍｏｌ）及びトルエンを混合した。得られた溶液に二塩化オキサリル７４．９１ｇ（５９０ｍｍｏｌ）及びジメチルホルムアミド０．５ｍＬを加えて、窒素雰囲気下で溶液を攪拌した。トルエン、二塩化オキサリルを減圧除去して得られた溶液（シクロヘキサンジカルボン酸ジクロリド粗精製物）及びクロロホルムを混合した。
一方、化合物（Ａ）１２ｇ（４５．４ｍｍｏｌ）及びクロロホルムを混合した。化合物（Ａ）を含む溶液と、ピリジン１２．６ｇ（１５９ｍｍｏｌ）とを氷冷下で、シクロヘキサンジカルボン酸ジクロリド粗精製物を含む溶液に滴下した。反応溶液を窒素雰囲気下で攪拌して得られた沈殿を濾過により除去後、減圧濃縮した。これを水／メタノールの混合溶媒（体積比で１／１）に滴下し、生成した沈殿を粉砕後、純水で洗浄して、濾過後真空乾燥した。得られた粉末を再び粉砕後、ｎ−ヘプタンを加えて、攪拌した後、生成した沈殿を取り出しトルエンに溶解した。不溶成分を濾過して、濾液を減圧濃縮後、濃縮した濾液にｎ−ヘプタンを加えて再沈殿させた。沈殿を真空乾燥して、化合物（６−ａ）を７．８ｇ得た。収率は化合物（Ａ）基準で４０％であった。純度は７０％であった。
トランス−シクロヘキサンジカルボン酸２４．６８ｇ（１１８ｍｍｏｌ）及びトルエンを混合した。得られた溶液に二塩化オキサリル７４．９１ｇ（５９０ｍｍｏｌ）及びジメチルホルムアミド０．５ｍＬを加えて、窒素雰囲気下で溶液を攪拌した。トルエン、二塩化オキサリルを減圧除去して得られた溶液（シクロヘキサンジカルボン酸ジクロリド粗精製物）及びクロロホルムを混合した。
一方、化合物（Ａ）１２ｇ（４５．４ｍｍｏｌ）及びクロロホルムを混合した。化合物（Ａ）を含む溶液と、ピリジン１２．６ｇ（１５９ｍｍｏｌ）とを氷冷下で、シクロヘキサンジカルボン酸ジクロリド粗精製物を含む溶液に滴下した。反応溶液を窒素雰囲気下で攪拌して得られた沈殿を濾過により除去後、減圧濃縮した。これを水／メタノールの混合溶媒（体積比で１／１）に滴下し、生成した沈殿を粉砕後、純水で洗浄して、濾過後真空乾燥した。得られた粉末を再び粉砕後、ｎ−ヘプタンを加えて、攪拌した後、生成した沈殿を取り出しトルエンに溶解した。不溶成分を濾過して、濾液を減圧濃縮後、濃縮した濾液にｎ−ヘプタンを加えて再沈殿させた。沈殿を真空乾燥して、化合物（６−ａ）を７．８ｇ得た。収率は化合物（Ａ）基準で４０％であった。純度は７０％であった。
比較例１では、得られた化合物（６−ａ）の他に以下の式（ＩＩＩ）〜式（Ｘ）で表される不純物（以下「不純物（ＩＩＩ）」〜「不純物（Ｘ）」という場合がある）を含むことが、高速液体クロマトグラフィー、質量スペクトル分析によって明らかとなった。
（比較例２）
トランス−シクロヘキサンジカルボン酸２４．６８ｇ（１１８ｍｍｏｌ）、二塩化オキサリル７４．９１ｇ（５９０ｍｍｏｌ）及びジメチルホルムアミド０．５ｍＬを混合した。窒素雰囲気下で得られた溶液を攪拌した。トルエン及び二塩化オキサリルを減圧除去して得られたシクロヘキサンジカルボン酸ジクロリド粗精製物及びクロロホルムを混合した。
一方、化合物（Ａ）１２ｇ（４５．４ｍｍｏｌ）及びクロロホルムを混合した。化合物（Ａ）を含む溶液と、ピリジン１２．６ｇ（１５９ｍｍｏｌ）とを氷冷下で、シクロヘキサンジカルボン酸ジクロリド粗精製物を含む溶液に滴下した。反応溶液を窒素雰囲気下で攪拌して得られた沈殿を濾過により除去後、減圧濃縮した。これを水に滴下し、生成した沈殿を粉砕後、純水で攪拌し、沈殿を濾取後真空乾燥した。得られた粉末を再び粉砕後、水／メタノールの混合溶媒（体積比で１／１）に滴下し、生成した沈殿を粉砕、濾取後、ｎ−ヘプタンを加え、得られた混合液を攪拌して不溶成分を濾取した。さらに粉末をトルエンに再溶解して、さらに不溶成分を濾過して、濾液を減圧濃縮後、濃縮した濾液にｎ−ヘプタンを加えて再沈殿させた。沈殿を真空乾燥して、化合物（６−ａ）を２．１ｇ得た。収率は化合物（Ａ）基準で１２％であった。純度は８５％であった。
トランス−シクロヘキサンジカルボン酸２４．６８ｇ（１１８ｍｍｏｌ）、二塩化オキサリル７４．９１ｇ（５９０ｍｍｏｌ）及びジメチルホルムアミド０．５ｍＬを混合した。窒素雰囲気下で得られた溶液を攪拌した。トルエン及び二塩化オキサリルを減圧除去して得られたシクロヘキサンジカルボン酸ジクロリド粗精製物及びクロロホルムを混合した。
一方、化合物（Ａ）１２ｇ（４５．４ｍｍｏｌ）及びクロロホルムを混合した。化合物（Ａ）を含む溶液と、ピリジン１２．６ｇ（１５９ｍｍｏｌ）とを氷冷下で、シクロヘキサンジカルボン酸ジクロリド粗精製物を含む溶液に滴下した。反応溶液を窒素雰囲気下で攪拌して得られた沈殿を濾過により除去後、減圧濃縮した。これを水に滴下し、生成した沈殿を粉砕後、純水で攪拌し、沈殿を濾取後真空乾燥した。得られた粉末を再び粉砕後、水／メタノールの混合溶媒（体積比で１／１）に滴下し、生成した沈殿を粉砕、濾取後、ｎ−ヘプタンを加え、得られた混合液を攪拌して不溶成分を濾取した。さらに粉末をトルエンに再溶解して、さらに不溶成分を濾過して、濾液を減圧濃縮後、濃縮した濾液にｎ−ヘプタンを加えて再沈殿させた。沈殿を真空乾燥して、化合物（６−ａ）を２．１ｇ得た。収率は化合物（Ａ）基準で１２％であった。純度は８５％であった。
（参考例１、２）
化合物（４−ａ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
化合物（４−ａ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
（参考例１）
トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸１０ｇ（５７．９ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物０．１１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）及びＴＨＦを混合した。得られた溶液を攪拌しながら、溶液にジヒドロピラン７．３０ｇ（８６．８ｍｍｏｌ）を滴下し、攪拌した。溶液を減圧濃縮して、溶媒をトルエンで置換した。トルエンに不溶の成分を濾過にて除去し、減圧乾燥し、化合物（４−ａ）を含む粗精製物６．０ｇを得た。収率は、ジヒドロピラン基準で４０％であった。核磁気共鳴スペクトルより、化合物（４−ａ）と式（Ｉ）で表される不純物との比率は１：１２（純度８％）であった。化合物（４−ａ）の収率は３％であったが、化合物が分解してしまうために分離不可能であった。
トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸１０ｇ（５７．９ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物０．１１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）及びＴＨＦを混合した。得られた溶液を攪拌しながら、溶液にジヒドロピラン７．３０ｇ（８６．８ｍｍｏｌ）を滴下し、攪拌した。溶液を減圧濃縮して、溶媒をトルエンで置換した。トルエンに不溶の成分を濾過にて除去し、減圧乾燥し、化合物（４−ａ）を含む粗精製物６．０ｇを得た。収率は、ジヒドロピラン基準で４０％であった。核磁気共鳴スペクトルより、化合物（４−ａ）と式（Ｉ）で表される不純物との比率は１：１２（純度８％）であった。化合物（４−ａ）の収率は３％であったが、化合物が分解してしまうために分離不可能であった。
（参考例２）
トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸１０ｇ（５７．９ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物０．１１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）及びＴＨＦを混合した。反応溶媒を攪拌しながら、溶液にジヒドロピラン４．８７ｇ（５７．９ｍｍｏｌ）を室温で滴下し、攪拌した。反応溶液を減圧濃縮して、溶媒をトルエンで置換した。トルエンに不溶の成分を濾過にて除去し、減圧乾燥し、化合物（４−ａ）を含む粗精製物１．１５ｇを得た。収率は、ジヒドロピラン基準で８％であった。核磁気共鳴スペクトルより、化合物（４−ａ）と式（Ｉ）で表される不純物との比率は１：１（純度５０％）であった。化合物（４−ａ）の収率は４％であったが、化合物が分解してしまうために分離不可能であった。
トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸１０ｇ（５７．９ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物０．１１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）及びＴＨＦを混合した。反応溶媒を攪拌しながら、溶液にジヒドロピラン４．８７ｇ（５７．９ｍｍｏｌ）を室温で滴下し、攪拌した。反応溶液を減圧濃縮して、溶媒をトルエンで置換した。トルエンに不溶の成分を濾過にて除去し、減圧乾燥し、化合物（４−ａ）を含む粗精製物１．１５ｇを得た。収率は、ジヒドロピラン基準で８％であった。核磁気共鳴スペクトルより、化合物（４−ａ）と式（Ｉ）で表される不純物との比率は１：１（純度５０％）であった。化合物（４−ａ）の収率は４％であったが、化合物が分解してしまうために分離不可能であった。
（参考例３）
化合物（４−ｂ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
化合物（４−ｂ）の製造を下記のスキームにしたがって行った。
＜化合物（４−ｂ）の製造例＞
トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸１０ｇ（５７．９ｍｍｏｌ）及びクロロホルム１００ｍＬを混合した。反応溶媒を攪拌しながら、混合液にクロロメチルエチルエーテル５．４７ｇ（５７．９ｍｏｌ）及びトリエチルアミン１１．７１ｇ（１１６ｍｍｏｌ）を氷冷下で滴下し、攪拌した。反応溶液を減圧濃縮して、溶媒をトルエンで置換した。トルエンに不溶の成分を濾過にて除去し、減圧乾燥し、化合物（４−ｂ）を含む粗精製物１２ｇを得た。収率は、シクロヘキサンジカルボン酸基準で９０％であった。核磁気共鳴スペクトルより、化合物（４−ｂ）と式（ＩＩ）で表される不純物との比率は１：７（純度１３％）であった。化合物（４−ｂ）の収率は１２％であった。
トランス−１、４−シクロヘキサンジカルボン酸１０ｇ（５７．９ｍｍｏｌ）及びクロロホルム１００ｍＬを混合した。反応溶媒を攪拌しながら、混合液にクロロメチルエチルエーテル５．４７ｇ（５７．９ｍｏｌ）及びトリエチルアミン１１．７１ｇ（１１６ｍｍｏｌ）を氷冷下で滴下し、攪拌した。反応溶液を減圧濃縮して、溶媒をトルエンで置換した。トルエンに不溶の成分を濾過にて除去し、減圧乾燥し、化合物（４−ｂ）を含む粗精製物１２ｇを得た。収率は、シクロヘキサンジカルボン酸基準で９０％であった。核磁気共鳴スペクトルより、化合物（４−ｂ）と式（ＩＩ）で表される不純物との比率は１：７（純度１３％）であった。化合物（４−ｂ）の収率は１２％であった。
本発明のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法によれば、高収率でシクロアルカンジカルボン酸モノエステルを得ることができる。
Claims (14)
- 式（１）で表される化合物に含まれるカルボキシル基のうちいずれか１つをＹで保護して、式（２）で表される化合物を得る第１工程と、
式（２）で表される化合物に含まれるカルボキシル基をＺで保護して、式（３）で表される化合物を得る第２工程と、
式（３）で表される化合物のＹを脱保護して、式（４）で表される化合物を得る第３工程とを含むシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
［式（１）〜式（４）中、Ｒ１は、メチル基を表す。
ｍは、０〜３の整数を表す。
Ｙは、−ＣＨ２Ｐｈ、−ＣＨＰｈ２、−ＣＰｈ３、−ＳｉＨ２Ｐｈ、−ＳｉＨＰｈ２又は−ＳｉＰｈ３を表す。
Ｐｈは、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。
Ｚは、炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｐｈ、−ＳｉＲ５Ｒ６Ｒ７、−ＳｉＲ８ ２Ｐｈ、−ＳｉＲ８Ｐｈ２、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｐｈ、−ＣＨ２−ＣＣｌ３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基を表す。
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基或いは−ＣＨ２Ｐｈ基を表す。
Ｒ８は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基或いは直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基を表す。
ｐは、０又は１の整数を表す。］ - 式（１）〜式（４）で表される化合物が、それぞれ式（１−１）〜式（４−１）で表される化合物である請求項１記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
［式（１−１）〜式（４−１）中、Ｒ１、ｍ、Ｙ、及びＺは、上記と同じ意味を表す。］ - Ｚは、パラメトキシフェニル基、パラニトロフェニル基、トリメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基、ターシャリーブチルジフェニルシリル基、トリベンジルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジターシャリーブチルメチルシリル基、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基である請求項１又は２記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
［Ｐｈは上記と同じ意味を表す。］ - Ｚは、ターシャリーブチルジメチルシリル基、ターシャリーブチルジフェニルシリル基、トリイソプロピルシリル基、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ又はテトラヒドロピラニル基である請求項１〜３のいずれか記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
- ｍは、０である請求項１〜４のいずれか記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
- 式（４）で表される化合物は、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸モノエステルである請求項１〜５のいずれか記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
- Ｙは、−ＣＨ２Ｐｈである請求項１〜６のいずれか記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
- さらに、第３工程で不純物として生成する式（１）で表される化合物を回収して、次の第１工程で再利用する工程を含む請求項１〜７のいずれか記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法。
- 請求項１〜８のいずれか記載のシクロアルカンジカルボン酸モノエステルの製造方法によって製造される式（４）で表される化合物と、式（５）で表される化合物とを反応させて、式（６）で表される化合物を得る第４工程と、
式（６）で表される化合物のＺを脱保護して、式（７）で表される重合性化合物を得る第５工程とを含む重合性化合物の製造方法。
Ｐ１−（Ｊ２−Ｋ１−Ｊ１）ｌ−（Ｂ１−Ａ１）ｋ−Ｘ−Ｈ （５）
［式（５）〜式（７）中、Ｒ１、ｍ、Ｚ及びｐは上記と同じ意味を表す。
Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−又は−Ｎ（Ｒ１７）−を表す。
Ａ１は、２価のヘテロ原子を含んでもよい脂環式炭化水素基又は２価のヘテロ原子を含んでもよい芳香族炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基は、さらに、ハロゲン原子、ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜４のアルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよい。
Ｂ１は、−ＣＲ１５Ｒ１６−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ１７）−、−Ｎ（Ｒ１７）−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＳＣＨ２−、−ＣＨ２Ｓ−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ１７）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２−Ｏ−、−Ｎ＝Ｎ−又は単結合を表す。
Ｒ１５及びＲ１６は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｒ１７は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｊ１及びＪ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキレン基を表す。該アルキレン基は、さらに、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基又はハロゲン原子を含んでいてもよい。
Ｋ１は、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ１７）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２−Ｏ−、又は単結合を表す。
ｋ及びｌは、それぞれ独立に、１〜３の整数を表す。ｋが２以上の整数であるとき、複数のＡ１及びＢ１は、同一であっても異なっていてもよい。ｌが２以上の整数であるとき、複数のＪ１、Ｊ２及びＫ１は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｐ１は、重合性基を表す。］ - Ｐ１は、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基である請求項９記載の重合性化合物の製造方法。
- 第５工程が、酸性条件下で式（６）で表される化合物のＺを脱保護する工程である請求項９又は１０記載の重合性化合物の製造方法。
- 第５工程が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素、硝酸、硫酸、パラトルエンスルホン酸、ピリジニウムパラトルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸及びメタンスルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸の存在下で、式（５）で表される化合物のＺを脱保護する工程である請求項９〜１１のいずれか記載の重合性化合物の製造方法。
- 式（３ａ）で表される化合物。
［式（３ａ）中、Ｒａは、メチル基を表す。
ｍａは、０〜３の整数を表す。
Ｙａは、−ＣＨ２Ｐｈ、−ＣＨＰｈ２、−ＣＰｈ３、−ＳｉＨ２Ｐｈ、−ＳｉＨＰｈ２又は−ＳｉＰｈ３を表す。
Ｐｈは、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基又はトリフルオロメチル基で置換されていてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。
Ｚａは、−ＳｉＲ５ａＲ６ａＲ７ａ、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｐｈ、−ＣＨ２−ＣＣｌ３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基を表す。
Ｒ５ａ、Ｒ６ａ及びＲ７ａは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基或いは−ＣＨ２Ｐｈ基を表す。］ - 式（４ｂ）で表される化合物。
［式（４ｂ）中、Ｒｂは、メチル基を表す。
ｍｂは、０〜３の整数を表す。
Ｚｂは、−ＳｉＲ５ｂＲ６ｂＲ７ｂ、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈ、−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２−ＣＯ−Ｐｈ、−ＣＨ２−ＣＣｌ３、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロチオフラニル基を表す。
Ｒ５ｂ、Ｒ６ｂ及びＲ７ｂは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルキル基、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜８のアルコキシ基或いは−ＣＨ２Ｐｈ基を表す。
Ｐｈは、メチル基、ニトロ基、メトキシ基、チオメチル基、ハロゲン原子、シアノ基、メチルスルフィニル基、アジド基又はトリフルオロメチル基で置換されていてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。］
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