JP2011222716A - 研磨用組成物及び研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、研磨促進剤と、ジシアンジアミドなどのグアニジン構造を有する重合性化合物に由来する構成単位を含んだ水溶性ポリマーと、酸化剤とを含有する。水溶性ポリマーは、ジシアンジアミドに由来する構成単位と、ホルムアルデヒド、ジアミン又はポリアミンに由来する構成単位とを含むものであってもよい。
【選択図】なし
Description
本発明の別の態様では、上記態様に係る研磨用組成物を用いて、銅又は銅合金からなる導体層を有する研磨対象物の表面を研磨することからなる研磨方法を提供する。
本実施形態の研磨用組成物は、研磨促進剤、特定の水溶性ポリマー、及び酸化剤を、好ましくは砥粒及び保護膜形成剤とともに、水に混合して調製される。従って、研磨用組成物は、研磨促進剤、特定の水溶性ポリマー、及び酸化剤を含有し、好ましくは砥粒及び保護膜形成剤をさらに含有する。
研磨用組成物中に含まれる研磨促進剤は、研磨対象物の表面を化学的にエッチングする働きを有し、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度を向上させる。
無機酸の具体例としては、例えば、硫酸、硝酸、ホウ酸、炭酸、次亜リン酸、亜リン酸及びリン酸が挙げられる。
研磨用組成物中に含まれる水溶性ポリマーは、研磨対象物の導体層表面に保護膜を形成することにより、研磨用組成物を用いた研磨により形成される配線の脇に凹みが生じるのを抑制する働きをする。
研磨用組成物中に含まれる酸化剤は、研磨対象物の表面を酸化する働きを有し、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度を向上させる。
研磨用組成物中に任意で含まれる砥粒は、研磨対象物を機械的に研磨する働きを有し、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度を向上させる。
研磨用組成物中に保護膜形成剤を加えた場合には、研磨用組成物を用いた研磨により形成される配線の脇に凹みが生じるのをより抑えることができる。また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にディッシングが生じるのをより抑えることもできる。したがって、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面の平坦性はより向上する。
インダゾールの例には、例えば、1H−インダゾール、5−アミノ−1H−インダゾール、5−ニトロ−1H−インダゾール、5−ヒドロキシ−1H−インダゾール、6−アミノ−1H−インダゾール、6−ニトロ−1H−インダゾール、6−ヒドロキシ−1H−インダゾール、及び3−カルボキシ−5−メチル−1H−インダゾールが含まれる。
陰イオン性界面活性剤の例には、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキル硫酸、アルキル硫酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、及びそれらの塩が含まれる。
非イオン性界面活性剤の例には、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、及びアルキルアルカノールアミドが含まれる。
研磨用組成物のpHは3以上であることが好ましく、より好ましくは5以上である。研磨用組成物のpHが大きくなるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物表面の過剰なエッチングが起こる虞を少なくすることができる。
本実施形態によれば以下の利点が得られる。
本実施形態の研磨用組成物は、グアニジン構造を有する重合性化合物に由来する構成単位を含んだ水溶性ポリマーを含有している。従って、この水溶性ポリマーの働きにより、研磨用組成物を用いた研磨により形成される半導体デバイスの配線の脇に凹みが生じるのを抑制することができる。よって、本実施形態の研磨用組成物は、半導体デバイスの配線を形成するための研磨で好適に使用することができる。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、二種類以上の研磨促進剤を含有してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、二種類以上の水溶性ポリマーを含有してもよい。この場合、一部の水溶性ポリマーについては、グアニジン構造を有する重合性化合物に由来する構成単位を必ずしも含んだものである必要はない。そのような水溶性ポリマーの具体例としては、例えば、アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、カードラン、プルランなどの多糖類、ポリカルボン酸及びその塩、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクロレインなどのビニル系ポリマー、ポリグリセリン、及びポリグリセリンエステルが挙げられる。グアニジン構造を有する重合性化合物に由来する構成単位を含まない水溶性ポリマーを研磨用組成物に添加した場合には、当該水溶性ポリマーが砥粒の表面または研磨対象物の表面に吸着して研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度をコントロールすることが可能であることに加え、研磨中に生じる不溶性の成分を水溶性ポリマーにより研磨用組成物中で安定化することができる点で有利である。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、二種類以上の砥粒を含有してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、二種類以上の保護膜形成剤を含有してもよい。この場合、例えば、二種類以上の複素環式化合物を使用してもよいし、二種類以上の界面活性剤を使用してもよい。あるいは、複素環式化合物と界面活性剤を組み合わせて使用してもよい。複素環式化合物と界面活性剤を組み合わせて使用した場合、すなわち、研磨用組成物が複素環式化合物及び界面活性剤を含有する場合には、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度の向上と研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面の平坦性の向上の両立が容易である。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水などの希釈液を使って例えば10倍以上に希釈することによって調製されてもよい。
次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
各例の研磨用組成物を用いて、銅パターンウェーハ(ATDF754マスク、研磨前の銅膜厚700nm、トレンチ深さ300nm)の表面を、表3に記載の第1の研磨条件で銅膜厚が250nmになるまで研磨した。その後、研磨後の銅パターンウェーハの表面を、同じ研磨用組成物を用いて、表4に記載の第2の研磨条件でバリア膜が露出するまで研磨した。こうして2段階の研磨が行われた後の銅パターンウェーハの表面を、レビューSEM(株式会社日立ハイテクノロジーズ製のRS−4000)を使って観察し、0.18μm幅の配線と0.18μm幅の絶縁膜が交互に並んだ領域及び100μm幅の配線と100μm幅の絶縁膜が交互に並んだ領域において、配線脇の凹みの有無を確認した。そして、いずれの領域においても配線脇の凹みが確認されなかった場合には◎(優)、いずれか一方の領域においてのみ幅5nm未満の配線脇の凹みが確認された場合には○(良)、両方の領域において幅5nm未満の配線脇の凹みが確認された場合には□(可)、少なくともいずれか一方の領域において幅5nm以上20nm未満の配線脇の凹みが確認された場合には△(やや不良)、少なくともいずれか一方の領域において幅20nm以上の配線脇の凹みが確認された場合には×(不良)と評価した。この評価の結果を表5及び表6の“配線脇の凹み”欄に示す。
各例の研磨用組成物を用いて、銅ブランケットウェーハの表面を、表3に記載の第1の研磨条件及び表4に記載の第2の研磨条件で60秒間研磨したときの第1の条件及び第2の条件のそれぞれにおける研磨速度を表5及び表6の“研磨速度”欄に示す。研磨速度の値は、株式会社日立国際電気製のシート抵抗測定器“VR−120SD/8”を用いて測定される研磨前後の銅ブランケットウェーハの厚みの差を研磨時間で除することにより求めた。
60℃で1週間保管してから室温に戻した各例の研磨用組成物を用いて、上記と同様の方法で配線脇の凹みの評価及び研磨速度の測定を行い、保管前の研磨用組成物のそれと比較した。また、砥粒の分散性を評価するべく、同じく60℃で1週間保管してから室温に戻した各例の研磨用組成物について、株式会社島津製作所製の分光光度計“UV−2450”を用いて、190nm〜900nmの波長領域での透過率を測定し、保管前の研磨用組成物のそれと比較をした。そして、配線脇の凹みの評価結果、研磨速度の測定結果、及び砥粒の分散性の評価結果がいずれも保管の前後でほとんど差が無かった場合には◎(優)、配線脇の凹みの評価結果及び砥粒の分散性の評価結果については保管の前後でほとんど差が無かったが、保管後に研磨速度の値が5%以上10%未満だけ低下した場合には○(良)、研磨速度の測定結果及び砥粒の分散性の評価結果については保管の前後でほとんど差が無かったが、保管後に配線脇の凹みの評価結果が一段階だけ下がった場合には□(可)、保管後に砥粒の分散性の評価結果に悪化が見られた場合には△(やや不良)、保管後に研磨速度の値が10%以上低下した場合又は配線脇の凹みの評価結果が二段階以上下がった場合には×(不良)と評価した。この評価の結果を表5及び表6の“保存安定性”欄に示す。
各例の研磨用組成物を用いて、銅パターンウェーハ(ATDF754マスク、研磨前の銅膜厚700nm、トレンチ深さ300nm)の表面を、表3に記載の第1の研磨条件で銅膜厚が250nmになるまで研磨した。その後、研磨後の銅パターンウェーハの表面を、同じ研磨用組成物を用いて、表4に記載の第2の研磨条件でバリア膜が露出するまで研磨した。こうして2段階の研磨が行われた後の銅パターンウェーハにおける100μm幅の孤立配線部の中央付近の表面粗さRaを、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製の走査型プローブ顕微鏡“S−image”を用いて測定した。この表面粗さRaの測定は、Siプローブを用いてDFMモードで行い、1μm四方の領域内において縦横各256点、0.5Hzのスキャン速度で行った。測定されたRaの値が0.5nm未満であった場合には○(良)、0.5nm以上1.0nm未満であった場合には△(やや不良)、1.0nm以上であった場合には×(不良)と評価した。この評価の結果を表5及び表6の“表面あれ”欄に示す。
各例の研磨用組成物を用いて、銅パターンウェーハ(ATDF754マスク、研磨前の銅膜厚700nm、トレンチ深さ300nm)の表面を、表3に記載の第1の研磨条件で銅残膜が250nmになるまで研磨した。その後、研磨後の銅パターンウェーハ表面を、同じ研磨用組成物を用いて、表4に記載の第2の研磨条件でバリア膜が露出するまで研磨した。こうして2段階の研磨が行われた後の銅パターンウェーハの9μm幅の配線と1μm幅の絶縁膜が交互に並んだ第1の領域及び5μm幅の配線と1μm幅の絶縁膜が交互に並んだ第2の領域において、日立建機ファインテック株式会社製のワイドエリアAFM“WA−1300”を用いてディッシング量(ディッシング深さ)を測定した。この測定の結果を表5及び表6の“ディッシング”欄に示す。
Claims (5)
- 研磨促進剤と、
グアニジン構造を有する重合性化合物に由来する構成単位を含んだ水溶性ポリマーと、
酸化剤と
を含有することを特徴とする研磨用組成物。 - 前記水溶性ポリマーは、グアニジン構造を有する重合性化合物であるジシアンジアミドに由来する構成単位と、ホルムアルデヒドに由来する構成単位とを含む、請求項1又は2に記載の研磨用組成物。
- 前記水溶性ポリマーは、ジシアンジアミドに由来する構成単位と、ジアミン又はポリアミンに由来する構成単位とを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、銅又は銅合金からなる導体層を有する研磨対象物の表面を研磨することからなる研磨方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010089698A JP5774283B2 (ja) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | 研磨用組成物及び研磨方法 |
TW099142610A TWI593789B (zh) | 2010-04-08 | 2010-12-07 | Polishing composition and polishing method |
CN201110041743.XA CN102212315B (zh) | 2010-04-08 | 2011-02-18 | 研磨用组合物及研磨方法 |
KR1020110020179A KR20110113131A (ko) | 2010-04-08 | 2011-03-08 | 연마용 조성물 및 연마 방법 |
US13/075,791 US20110250754A1 (en) | 2010-04-08 | 2011-03-30 | Polishing Composition and Polishing Method |
EP11161123.2A EP2374852B1 (en) | 2010-04-08 | 2011-04-05 | A method of polishing an object having a conductor layer made of copper or a copper alloy |
US15/004,424 US20160136784A1 (en) | 2010-04-08 | 2016-01-22 | Polishing Composition and Polishing Method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010089698A JP5774283B2 (ja) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | 研磨用組成物及び研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011222716A true JP2011222716A (ja) | 2011-11-04 |
JP5774283B2 JP5774283B2 (ja) | 2015-09-09 |
Family
ID=44246606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010089698A Active JP5774283B2 (ja) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | 研磨用組成物及び研磨方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20110250754A1 (ja) |
EP (1) | EP2374852B1 (ja) |
JP (1) | JP5774283B2 (ja) |
KR (1) | KR20110113131A (ja) |
CN (1) | CN102212315B (ja) |
TW (1) | TWI593789B (ja) |
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TW201137097A (en) | 2011-11-01 |
EP2374852A1 (en) | 2011-10-12 |
JP5774283B2 (ja) | 2015-09-09 |
US20110250754A1 (en) | 2011-10-13 |
EP2374852B1 (en) | 2017-04-05 |
KR20110113131A (ko) | 2011-10-14 |
CN102212315A (zh) | 2011-10-12 |
TWI593789B (zh) | 2017-08-01 |
CN102212315B (zh) | 2015-05-13 |
US20160136784A1 (en) | 2016-05-19 |
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Legal Events
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