JP2011216160A - 電子機器と、ディスク装置用サスペンション - Google Patents

Abstract

【課題】導電プレート部材と電装品とを導電性樹脂によって確実に導通させることができる電子機器を提供する。
【解決手段】金属製の導電プレート部材３１に、電装品の一例であるマイクロアクチュエータ素子３２が配置されている。導電プレート部材３１の通電部８１とマイクロアクチュエータ素子３２の導通部８２に導電性樹脂８０が設けられている。導電プレート部材３１の表面には、通電部８１を含む領域Ｓ１に、多数の金粒子からなる厚さ１００ｎｍ以下のポーラス状薄めっき層９０が形成されている。導電性樹脂８０はこのポーラス状金めっき層９０を介して導電プレート部材３１に固定され、かつ、導電性樹脂８０が導電プレート部材３１に電気的に導通している。
【選択図】図４

Description

この発明は、例えばマイクロアクチュエータ素子等の電装品を備えたディスク装置サスペンション等の電子機器に関する。

パーソナルコンピュータ等の情報処理装置に、ハードディスク装置（ＨＤＤ）が使用されている。ハードディスク装置は、スピンドルを中心に回転する磁気ディスクと、ピボット軸を中心に旋回するキャリッジなどを含んでいる。キャリッジはアクチュエータアームを有し、ボイスコイルモータ等のポジショニング用モータによって、ピボット軸を中心にディスクのトラック幅方向に旋回するように構成されている。

前記アクチュエータアームにサスペンションが取付けられている。サスペンションは、ロードビーム(load beam)と、ロードビームに重ねて配置されるフレキシャ(flexure)などを含んでいる。フレキシャの先端付近に形成されたジンバル部に、磁気ヘッドを構成するスライダが取付けられている。スライダには、データの読取りあるいは書込み等のアクセスを行なうための素子（トランスジューサ）が設けられている。

ディスクの高記録密度化に対応するためには、ディスクの記録面に対して磁気ヘッドをさらに高精度に位置決めできるようにすることが必要である。そのために、例えば特開２００１−３０７４４２号公報（特許文献１）や特開２００２−５０１４０号公報（特許文献２）に開示されているように、ポジショニング用モータ（ボイスコイルモータ）とマイクロアクチュエータ素子とを併用するＤＳＡサスペンションが開発されている。ＤＳＡはデュアルステージアクチュエータ（Dual Stage Actuator）の略である。

マイクロアクチュエータ素子は例えばＰＺＴ（ジルコンチタン酸鉛）などからなる圧電体によって構成されている。サスペンションの一部をなす導電プレート部材に素子収容部が形成され、この素子収容部に前記マイクロアクチュエータ素子が配置されている。前記マイクロアクチュエータ素子によって、サスペンションの先端側をスウェイ方向（トラック幅方向）に高速で微小量移動させることができる。

ＤＳＡサスペンションの圧電体は板状をなし、その厚み方向の一方の面に第１の電極が設けられ、他方の面に第２の電極が設けられている。第１の電極は、例えば銀ペースト等の導電性樹脂を介して前記導電プレート部材に電気的に接続されている。前記導電性樹脂は、樹脂材料中に混入された銀粒子等の導電フィラーを有している。

特開２００１−３０７４４２号公報 特開２００２−５０１４０号公報

前記導電性樹脂は、未硬化の状態で前記導電プレート部材と前記マイクロアクチュエータ素子との間に供給されたのち硬化する。しかし単に導電性樹脂を塗布して硬化させるだけでは、導電性樹脂と導電プレート部材との間の電気抵抗が小さくならないことがある。特に、高温高湿雰囲気中で導通試験を行なったときに、電性樹脂と導電プレート部材との間の電気抵抗が増大し、電装品（例えばマイクロアクチュエータ素子）に対する導通不良を生じることがあった。

そこで、導電性樹脂と導電プレート部材との導通を良くするために、導電プレート部材の一部（導電性樹脂を設ける箇所）に部分的に金めっきを設けることが提案されている。金めっきは酸化せず導電性樹脂との導通も良好である。しかし金は不活性な金属ゆえに導電性樹脂との密着性が良くない。このため金めっきを設けた箇所では、導電性樹脂の剥離強度が低下することがある。

従ってこの発明の目的は、マイクロアクチュエータ素子等の電装品と導電プレート部材とが導電性樹脂を介して接続される電子機器において、電装品と導電プレート部材との導通を確実になすことができる電子機器を提供することにある。

本発明の電子機器は、通電部を有する金属製の導電プレート部材と、前記導電プレート部材の前記通電部に電気的に接続される導通部を有した電装品と、多数の金粒子からなり前記導電プレート部材の少なくとも前記通電部の表面に形成された厚さ１００ｎｍ以下のポーラス状薄めっき層と、前記導電プレート部材の前記通電部と前記電装品の前記導通部とにわたって設けられ、前記導電プレート部材と前記電装品とを電気的に接続する導電性樹脂とを具備している。

本発明の１つの形態では、前記導電プレート部材と他の部材とを固定するためのレーザースポット溶接部を有し、前記ポーラス状薄めっき層が、前記導電プレート部材の前記通電部と前記レーザースポット溶接部とを含む領域に形成されている。また前記ポーラス状薄めっき層が、前記導電プレート部材の外面全体に形成されていてもよい。あるいは前記ポーラス状薄めっき層が、前記導電プレート部材の外面全体のうち前記通電部を含む領域のみに部分的に形成されていてもよい。

電子機器の一例は、マイクロアクチュエータを搭載したディスク装置用サスペンションである。このサスペンションは、ディスク装置のキャリッジのアームに固定されるベース部と、磁気ヘッドのスライダが配置されるロードビームと、前記ベース部と前記ロードビームとの間に設けられたマイクロアクチュエータ搭載部とを具備している。

このマイクロアクチュエータ搭載部は、通電部を有する金属製の導電プレート部材と、前記導電プレート部材に配置され前記通電部に電気的に接続される導通部を有するマイクロアクチュエータ素子と、多数の金粒子からなり前記導電プレート部材の少なくとも前記通電部の表面に形成された厚さ１００ｎｍ以下のポーラス状薄めっき層と、前記導電プレート部材の前記通電部と前記マイクロアクチュエータ素子の前記導通部とにわたって設けられ、前記導電プレート部材と前記マイクロアクチュエータ素子とを電気的に接続する導電性樹脂とを具備している。

本発明によれば、例えばマイクロアクチュエータ素子等の電装品を備えたディスク装置用サスペンション等の電子機器において、導電プレート部材と導電性樹脂との良好な導通を確保することができるとともに、導電性樹脂を導電プレート部材に確実に固定することができる。このためこの電子機器は導電プレート部材と電装品とを確実に導通させることができる。

ディスク装置の一例を示す斜視図。 図１に示されたディスク装置の一部の断面図。 本発明の第１の実施形態に係るマイクロアクチュエータ搭載部を備えたサスペンションの斜視図。 図３に示されたサスペンションのマイクロアクチュエータ搭載部の平面図。 図４中のＦ５−Ｆ５線に沿うマイクロアクチュエータ搭載部の断面図。 図３に示されたサスペンションの導電プレート部材の金粒子を示す拡大図。 本発明の第２の実施形態に係るマイクロアクチュエータ搭載部を備えたサスペンションの斜視図。

以下に本発明の第１の実施形態に係るディスク装置用サスペンションについて、図１から図６を参照して説明する。
図１に示すディスク装置（ＨＤＤ）１は、ケース２と、スピンドル３を中心に回転するディスク４と、ピボット軸５を中心に旋回可能なキャリッジ６と、キャリッジ６を駆動するためのポジショニング用モータ（ボイスコイルモータ）７などを有している。ケース２は、図示しない蓋によって密閉される。

図２はディスク装置１の一部を模式的に示す断面図である。図２に示されるように、キャリッジ６にアーム（キャリッジアーム）８が設けられている。アーム８の先端部にサスペンション１０が取付けられている。サスペンション１０の先端部に、磁気ヘッドを構成するスライダ１１が設けられている。ディスク４が高速で回転すると、ディスク４とスライダ１１との間にエアベアリングが形成される。

ポジショニング用モータ７によってキャリッジ６が旋回すると、サスペンション１０がディスク４の径方向に移動することにより、スライダ１１がディスク４の所望トラックまで移動する。スライダ１１の端部には、例えばＭＲ素子のように磁気信号と電気信号とを変換可能な素子が設けられている。この素子によって、ディスク４に対するデータの書込みあるいは読取り等のアクセスが行なわれる。

図３は、電子機器の一例であるサスペンション（ＤＳＡサスペンション）１０を示している。このサスペンション１０は、ベースプレート１８ａを含むベース部１８と、ロードビーム２０と、配線付きフレキシャ(flexure with conductors)２１と、マイクロアクチュエータ搭載部３０などを備えている。マイクロアクチュエータ搭載部３０については後に詳しく説明する。

ロードビーム２０は、ベース部１８を介してキャリッジ６のアーム８（図１と図２に示す）に固定される。ロードビーム２０の基部（後端部）に、厚さ方向に弾性的に撓むことができるヒンジ部２２が形成されている。図３と図４に矢印Ｘで示す方向がサスペンション１０の長手方向（前後方向）すなわちロードビーム２０の長手方向である。矢印Ｓがスウェイ方向である。

フレキシャ２１はロードビーム２０に沿って配置されている。フレキシャ２１は、後述するレーザースポット溶接等の固定手段によってロードビーム２０に固定されている。フレキシャ２１の先端部付近には、ジンバル部として機能するタング２１ａ（図３に示す）が形成されている。このタング２１ａにスライダ１１が取付けられている。すなわちロードビーム２０の先端部にタング２１ａを介して磁気ヘッド（スライダ１１）が配置されている。そしてこれらロードビーム２０と、フレキシャ２１と、スライダ１１等によってヘッドジンバルアセンブリが構成されている。

図４は、マイクロアクチュエータ搭載部３０を拡大して示している。マイクロアクチュエータ搭載部３０は、前記ベース部１８とロードビーム２０との間に配置されている。マイクロアクチュエータ搭載部３０は、サスペンション１０の一部をなす導電プレート部材３１と、電装品の一例であるマイクロアクチュエータ素子３２とを含んでいる。マイクロアクチュエータ素子３２は、ＰＺＴ等の圧電体からなる。

導電プレート部材３１は、例えばＳＵＳ３０４等のオーステナイト系ステンレス鋼からなる。ＳＵＳ３０４の化学成分は、Ｃ：０．０８以下、Ｓｉ：１．００以下、Ｍｎ：２．００以下、Ｎｉ：８．００〜１０．５０、Ｃｒ：１８．００〜２０．００、残部がＦｅである。

本実施形態の場合、ベースプレート１８ａと導電プレート部材３１とが互いに別体に構成され、ベースプレート１８ａと導電プレート部材３１とを厚さ方向に重ねることによってベース部１８が構成されている。ベースプレート１８ａには、プレスによってボス部１８ｂが形成されている。

ロードビーム２０と導電プレート部材３１とは、レーザースポット溶接部Ｗ１（図３と図４に一部を示す）によって互いに固定されている。またフレキシャ２１の一部である板状のメタルベース２１ｂと導電プレート部材３１とが、レーザースポット溶接部Ｗ２（図３に一部を示す）によって互いに固定されている。これら溶接部Ｗ１，Ｗ２は、図示しないレーザー溶接装置によってレーザー光を集光させることにより形成される。

導電プレート部材３１は、固定部３１ａと可動部３１ｂとを有している。固定部３１ａはベースプレート１８ａに固定されている。可動部３１ｂはロードビーム２０の基部（後端部）のヒンジ部２２付近に固定されている。この導電プレート部材３１には、マイクロアクチュエータ素子３２を収納可能な大きさの凹部である素子収容部４０が形成されている。素子収容部４０は、導電プレート部材３１の固定部３１ａと可動部３１ｂとの間に形成されている。素子収容部４０にマイクロアクチュエータ素子３２が配置されている。

導電プレート部材３１の両側部に腕部５０が形成されている。腕部５０の内側にスリット５５が形成されている。導電プレート部材３１の可動部３１ｂは、固定部３１ａに対して、腕部５０を介してスウェイ方向（図３と図４に矢印Ｓで示す方向）に、ある程度のストロークで移動することができる。

マイクロアクチュエータ素子３２は、図４に示す平面視において矩形をなしている。マイクロアクチュエータ素子３２の外周部に接着材６０が設けられている。接着材６０は電気絶縁性を有する高分子材料からなり、液状の状態で導電プレート部材３１とマイクロアクチュエータ素子３２との間に供給されたのち硬化する。マイクロアクチュエータ素子３２に電圧を印加したときに生じる歪みがロードビーム２０に伝達されることにより、ロードビーム２０が前記スウェイ方向に動くことができる。

図５に示すように板状のマイクロアクチュエータ素子３２の厚さ方向の一方の面（図５において上側の面）に、第１の電極７１が設けられている。マイクロアクチュエータ素子３２の他方の面（図５において下側の面）に第２の電極７２が設けられている。これらの電極７１，７２は、スパッタリングあるいはメッキ等によってマイクロアクチュエータ素子３２の前記両面に形成されている。

第１の電極７１は、導電性樹脂８０を介して導電プレート部材３１に電気的に接続されている。この導電性樹脂８０は、導電プレート部材３１の通電部８１とマイクロアクチュエータ素子３２の導通部８２とにわたって設けられている。導電性樹脂８０の一例は銀ペーストである。

銀ペーストは、樹脂材料８０ａと、樹脂材料８０ａ中に混入された多量の導電フィラー８０ｂとを有している。導電フィラー８０ｂの一例は銀粒子である。未硬化の導電性樹脂８０が導電プレート部材３１の通電部８１とマイクロアクチュエータ素子３２の導通部８２に供給され、樹脂材料８０ａが硬化することにより、導電性樹脂８０が通電部８１と導通部８２にわたって固定されている。この導電性樹脂８０がカバー層８５（図５に２点鎖線で示す）によって覆われてもよい。カバー層８５は、例えば光硬化形の樹脂（高分子材料）からなり、導電性樹脂８０を保護するために導電性樹脂８０の全面を覆っている。

図５に示すようにマイクロアクチュエータ素子３２の第２の電極７２は、ボンディングワイヤ８６を介して配線付きフレキシャ２１の回路部（図示せず）に接続されている。この回路部の一例は、配線付きフレキシャ２１に設けられた導体であるが、それ以外の導体が利用されてもよい。

導電プレート部材３１の外面全体に、厚さ１００ｎｍ以下のポーラス状薄めっき層９０が形成されている。ポーラス状薄めっき層９０は「フラッシュめっき」と称されることもある。図４においてポーラス状薄めっき層９０は散点模様（scattered-dotted pattern）で表されている。ポーラス状薄めっき層９０はあまりに薄いため、図５においては導電プレート部材３１の輪郭と共通の実線で表されている。

図６は、ポーラス状薄めっき層９０を電子顕微鏡によって５万倍に拡大した写真に基いて描いた拡大図である。図６に示すようにポーラス状薄めっき層９０は、導電プレート部材３１の表面に島状に付着した多数の金粒子９１からなる。導電プレート部材３１の表面全体のうち、金粒子９１が付着している箇所は金粒子９１によって導電プレート部材３１の表面が覆われているが、金粒子９１が付着していない箇所は導電プレート部材３１の表面が露出している。

このように厚さがナノレベルのきわめて薄いポーラス状薄めっき層９０は、金特有の色（レモンイエロー色）を発揮しないため、ポーラス状薄めっき層９０で覆われた導電プレート部材３１は、外見上、導電プレート部材３１の地金の色（ステンレス鋼の色）を呈している。

ポーラス状薄めっき層９０は、導電プレート部材３１の通電部８１とレーザースポット溶接部Ｗ１とを含む領域Ｓ１に形成されている。具体的には、導電プレート部材３１の外面全体にポーラス状薄めっき層９０が形成されている。この実施形態では、導電プレート部材３１の全面にポーラス状薄めっき層９０が形成されているため、めっき工程において部分めっきのようなマスキングが不要であり、その分、工程を簡略化することができる。

なお、導電プレート部材３１の外面のうち通電部８１を含む領域に、部分めっきによって、局部的にポーラス状薄めっき層９０を形成してもよい。部分めっきではマスキング工程が必要となるが、導電プレート部材３１の全体にポーラス状薄めっき層９０を形成する場合に比べると、金の使用量を少なくすることができる。

導電プレート部材３１の表面にポーラス状薄めっき層９０を形成するには、まず、導電プレート部材３１の表面をエッチング液によって化学研磨する。そののち、金めっき液を用いて所定時間（例えば数十秒間）電解めっきを行うことにより、金粒子９１を導電プレート部材３１の表面に島状に析出させる。こうして、例えば厚さ２０ｎｍのポーラス状金めっき層９０が形成される。金粒子９１の大きさは金めっき液の成分に応じて調整することができる。ポーラス状薄めっき層９０の厚さは２ｎｍ〜１００ｎｍが望ましい。このめっき層９０の厚さの表示は、例えば、めっき業界で通常使用されている蛍光Ｘ線膜厚計の測定値（０．１ｍｍ開口径での平均膜厚）に基く値である。

金は不活性な金属であるため、導電プレート部材３１の表面に通常の厚さ（１００ｎｍ以上）の金めっきを行うと、導電プレート部材３１の表面全体が金によって覆われてしまう。このため導電性樹脂８０が付着しにくくなり、導電性樹脂８０の剥離強度が不足することになる。そうかといって金めっきを行わずに導電プレート部材３１に導電性樹脂８０を設けると、導電プレート部材３１と導電性樹脂８０との導通が不十分となる。特に、高温高湿雰囲気中で導通試験を行なったときに、導電プレート部材３１とマイクロアクチュエータ素子３２との間に導通不良を生じることがある。

これに対し本実施形態のマイクロアクチュエータ搭載部３０では、導電プレート部材３１の表面にポーラス状薄めっき層９０の金粒子９１が島状に固着している。これらの金粒子９１の上から導電性樹脂８０を塗布し硬化させたことにより、導電プレート部材３１に対する導電性樹脂８０の食い付きを良好にすることができた。すなわちこの導電性樹脂８０は、いわゆるアンカー効果によって、導電プレート部材３１に対する導電性樹脂８０の固定強度を大きくすることができた。

レーザースポット溶接を行う箇所に通常の厚さの金めっきを形成すると、導電プレート部材３１の表面全体が金で覆われるため実質的に光反射面となる。このため導電プレート部材３１に向けて照射されたレーザー光が反射されてしまう。その場合にはレーザー光を導電プレート部材３１に集光させにくくなり、溶接不良の原因となる。

これに対し本実施形態では、導電プレート部材３１の表面のうち金粒子９１で覆われていない箇所は導電プレート部材３１の地金が露出している。このため、導電プレート部材３１に向けて照射されたレーザー光の反射率を小さくすることができ、導電プレート部材３１の溶接部にレーザー光を効果的に集光させることができた。このため導電プレート部材３１の外面全体にポーラス状薄めっき層９０が形成されていても、溶接不良を生じることなく健全な溶接部Ｗ１，Ｗ２を形成することができた。

本実施形態のポーラス状薄めっき層９０（厚さ７０ｎｍ）が形成された導電プレート部材と、金めっき無しの導電プレート部材（比較例１）と、厚さ１μｍ以上の部分めっきを有する導電プレート部材（比較例２）について、それぞれ、高温高湿雰囲気中で導電性樹脂に対する導通試験を行った。試験条件は、８５℃、８５％ＲＨ（相対湿度）の雰囲気中で、５００時間経過後の電気抵抗値（Ω）を測定した。

本実施形態のポーラス状薄めっき層９０を設けた導電プレート部材は、試験前の平均値が０．４Ω、試験後の平均値が２．２Ωと、安定した導通性能が発揮された。これに対し比較例１の導電プレート部材は、試験前の平均値が４９．２Ωであり、試験後の平均値が２．２×１０^６Ωと大きく増加した。比較例２の導電プレート部材は、試験前の平均値が０．８Ω、試験後の平均値が１．１Ωであった。このように本実施形態のポーラス状薄めっき層９０を設けた導電プレート部材は、通常の厚さの部分めっきを設けた導電プレート部材に匹敵する導通性を確保することができた。

導電性樹脂８０の接着強度に関しては、金めっき無しの比較例１の剥離強度（シェアモード剥離強度）が平均２６８．２ｇｆ（２．６２８Ｎ）であったのに対し、本実施形態のポーラス状薄めっき層９０（厚さ７０ｎｍ）を設けた導電プレート部材は、平均２７７．６ｇｆ（２．７２Ｎ）と、比較例１と同等の剥離強度を発揮することができた。これらの理由から、本実施形態のマイクロアクチュエータ搭載部３０は、高温高湿雰囲気中でも導電プレート部材３１とマイクロアクチュエータ素子３２との間に導通不良を生じることがなく、優れた耐久性を安定して発揮することができた。

以下に前記サスペンション１０の動作について説明する。
ポジショニング用モータ７によってキャリッジ６を旋回させると、サスペンション１０がディスク４の径方向に移動することにより、磁気ヘッドのスライダ１１がディスク４の記録面の所望トラックまで移動する。

マイクロアクチュエータ素子３２の第１の電極７１は、導電性樹脂８０と導電プレート部材３１を介して駆動回路の第１の端子に接続され、第２の電極７２はボンディングワイヤ８６を介して駆動回路の第２の端子に接続されている。この駆動回路によって供給される電圧が電極７１，７２を介してマイクロアクチュエータ素子３２に印加される。

マイクロアクチュエータ素子３２に電圧が印加されると、電圧に応じてマイクロアクチュエータ素子３２が歪むため、ロードビーム２０をスウェイ方向（図３と図４に矢印Ｓで示す方向）に微小量移動させることができる。このためスライダ１１をスウェイ方向に高速かつ高精度に位置決めすることができる。

図７は、第２の実施形態に係るマイクロアクチュエータ搭載部３０Ａを備えたサスペンション１０Ａを示している。このマイクロアクチュエータ搭載部３０Ａには、一対のマイクロアクチュエータ素子３２ａ，３２ｂが設けられている。ベースプレートを兼ねた導電プレート部材３１Ａに延出部１００が形成されている。延出部１００の先端に可動部３１ｂが設けられている。導電プレート部材３１Ａの固定部３１ａと可動部３１ｂとの間に、一対のマイクロアクチュエータ素子３２ａ，３２ｂが互いに平行に配置されている。

このサスペンション１０Ａでは、ベースプレートを兼ねた導電プレート部材３１Ａがプレス加工されることにより、ボス部１８ｂが形成されている。ボス部１８ｂは、ディスク装置１（図１と図２に示す）のキャリッジ６のアーム８に固定される。この導電プレート部材３１Ａには、導電性樹脂８０を設ける領域Ｓ２を含む外面全体に、第１の実施形態のマイクロアクチュエータ搭載部３０の導電プレート部材３１と同様に、ポーラス状の金めっき層９０が形成されている。

この導電プレート部材３１Ａには、ボス部１８ｂがプレスによって形成されている。この場合、プレス加工の際に導電プレート部材３１Ａが単品で扱われるため、マスキングが必要な部分めっきを行うことが困難である。そこで導電プレート部材３１Ａの外面全体にポーラス状薄めっき層９０を形成することにより、マスキングが不要となり、簡単な工程によってポーラス状薄めっき層９０を形成することができる。

導電プレート部材３１Ａの外面全体にポーラス状薄めっき層９０を形成する全面めっきの場合には、部分めっきと比較してめっきする面積がかなり広くなる。しかしポーラス状薄めっき層９０は、厚さが２〜１００ｎｍときわめて薄いため、プレート部材３１Ａの全体にめっきを行ったとしても、従来の一般的な厚さ（１μｍ以上）の部分めっきと比較して金の使用量がさほど増えない。むしろプレート部材３１Ａの全体にめっきを行なう全面めっきは、部分めっきと比較してマスキングが不要で工程が簡略化するため、比較的低コストで実施することができる。

前記マイクロアクチュエータ搭載部３０Ａを備えたサスペンション１０Ａは、マイクロアクチュエータ素子３２ａ，３２ｂに電圧が印加されたとき、電圧に応じてマイクロアクチュエータ素子３２ａ，３２ｂが互いに異なる方向に変形することにより、ロードビーム２０をスウェイ方向（図７に矢印Ｓで示す方向）に移動させることができる。例えば一方のマイクロアクチュエータ素子３２ａが伸び、他方のマイクロアクチュエータ素子３２ｂが縮むことにより、ロードビーム２０がスウェイ方向に移動する。それ以外の構成と効果は第１の実施形態（図１〜図５）のマイクロアクチュエータ搭載部３０と共通であるため、両者に共通の部位に共通の符号を付して説明を省略する。

前記実施形態では、電装品を備えた電子機器の一例として、マイクロアクチュエータを備えたディスク装置用サスペンションについて説明した。しかし本発明を実施するに当たって、電装品を備えた電子機器の具体的な態様をはじめとして、導電プレート部材や導電性樹脂、ポーラス状薄めっき層などの具体的な態様を種々に変更して実施できることは言うまでもない。

１…ディスク装置
１０，１０Ａ…サスペンション
１８…ベース部
２０…ロードビーム
３０，３０Ａ…マイクロアクチュエータ搭載部
３１，３１Ａ…導電プレート部材
３２，３２ａ，３２ｂ…マイクロアクチュエータ素子（電装品）
８０…導電性樹脂
８１…通電部
８２…導通部
９０…ポーラス状薄めっき層
９１…金粒子

Claims (8)

1. 通電部を有する金属製の導電プレート部材と、
   前記導電プレート部材の前記通電部に電気的に接続される導通部を有した電装品と、
   多数の金粒子からなり前記導電プレート部材の少なくとも前記通電部の表面に形成された厚さ１００ｎｍ以下のポーラス状薄めっき層と、
   前記導電プレート部材の前記通電部と前記電装品の前記導通部とにわたって設けられ、前記導電プレート部材と前記電装品とを電気的に接続する導電性樹脂と、
   を具備したことを特徴とする電子機器。
2. 前記導電プレート部材と他の部材とを固定するためのレーザースポット溶接部を有し、前記ポーラス状薄めっき層が、前記導電プレート部材の前記通電部と前記レーザースポット溶接部とを含む領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
3. 前記ポーラス状薄めっき層が、前記導電プレート部材の外面全体に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
4. 前記ポーラス状薄めっき層が、前記導電プレート部材の外面全体のうち前記通電部を含む領域のみに部分的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
5. ディスク装置のキャリッジのアームに固定されるベース部と、
   磁気ヘッドが配置されるロードビームと、
   前記ベース部と前記ロードビームとの間に設けられたマイクロアクチュエータ搭載部とを具備したディスク装置用サスペンションであって、
   前記マイクロアクチュエータ搭載部は、
   通電部を有する金属製の導電プレート部材と、
   前記導電プレート部材に配置され前記通電部に電気的に接続される導通部を有するマイクロアクチュエータ素子と、
   多数の金粒子からなり前記導電プレート部材の少なくとも前記通電部の表面に形成された厚さ１００ｎｍ以下のポーラス状薄めっき層と、
   前記導電プレート部材の前記通電部と前記マイクロアクチュエータ素子の前記導通部とにわたって設けられ、前記導電プレート部材と前記マイクロアクチュエータ素子とを電気的に接続する導電性樹脂と、
   を具備したことを特徴とするディスク装置用サスペンション。
6. 前記導電プレート部材と前記ロードビームとを固定するためのレーザースポット溶接部を有し、前記ポーラス状薄めっき層が、前記導電プレート部材の前記通電部と前記レーザースポット溶接部とを含む領域に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のディスク装置用サスペンション。
7. 前記ポーラス状薄めっき層が、前記導電プレート部材の外面全体に形成されていることを特徴とする請求項６に記載のディスク装置用サスペンション。
8. 前記ポーラス状薄めっき層が、前記導電プレート部材の外面全体のうち前記通電部を含む領域のみに部分的に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のディスク装置用サスペンション。

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