JP2011209475A - フェライト粒子及びそれを用いた電子写真現像用キャリア、電子写真用現像剤並びにフェライト粒子の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】所望の飽和磁化を有するとともに、高電気抵抗を有するフェライト粒子を提供すること。
【解決手段】MgとFeとをモル比xで0〜0.5の範囲を含有させ、格子定数f(x)が下記式(1)を満足するようにする。
0.525x3-0.19x2+0.064x+8.387≦f(x)≦0.525x3-0.19x2+0.064x+8.409 ・・・(1)
(式中、x:Mg/Feモル比)
このようなフェライト粒子の製造方法としては、Fe原料及びMg原料を媒体液中で混合してスラリーを得る工程と、スラリーを噴霧乾燥させて造粒物を得る工程と、前記造粒物を焼成して焼成物を得る工程とを有し、前記焼成を下記式(2)を満たす条件で行う製造方法が好ましい。
−5000≦T×logPO2≦0 ・・・・・・(2)
(式中、T:温度(℃),PO2=酸素圧力/全体圧力)
【選択図】図1

Description

本発明は、フェライト粒子及びそれを用いた電子写真現像用キャリア、電子写真用現像剤並びにフェライト粒子の製造方法に関するものである。
電子写真方式を用いたファクシミリやプリンタ、複写機などの画像形成装置では、現像剤である粉体のトナーを感光体上の静電潜像に付着させ、当該付着したトナー像を所定の用紙等へ転写した後、加熱・加圧して用紙等へ溶融定着させている。ここで、現像剤としては、トナーのみを含む一成分系現像剤を用いる一成分系現像法と、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤を用いる二成分系現像法とに大別される。そして、近年は、ほとんどの場合、トナーの荷電制御が容易で安定した高画質を得ることができ、高速現像が可能であることから二成分系現像法が用いられている。
二成分系現像法では、キャリアは現像スリーブ上でトナーを抱合した磁気ブラシを形成し、当該磁気ブラシを介して、感光体へトナーを移動させる働きをする。ここで、現像スリーブ上でキャリアが磁気ブラシを形成するにあたって、キャリアの磁力が重要となる。キャリアの磁力が低すぎると、キャリア‐現像スリーブ間、キャリア‐キャリア間の結合力が弱くなる。当該結合力が弱いと、磁気ブラシを形成するキャリアが、回転する現像スリーブの遠心力に耐え切れず、キャリアまでがトナーと一緒に感光体に飛散するために、感光体にキャリアが付着する現象(キャリア付着)が起き、画像異常となる。
他方、キャリアの磁力が高すぎると、キャリア同士の結合力が強くなり磁気ブラシが硬くなりすぎる。すると、当該磁気ブラシから感光体へトナーが移動する際に、一部に集中して移動するため、バラつきが多くなり、画質が悪くなるという現象が起きる。また、現像トルクが高いため、現像剤の劣化が早く、耐久性が悪くなる。
そこで、例えば特許文献1では、マグネシウム(以下「Mg」と記すことがある)フェライト粒子の表面を樹脂被覆したキャリアにおいて、Mgの含有量を所定範囲とし、窒素雰囲気、または窒素+酸素共存下で焼成することで所定の磁気特性を備えた電子写真用キャリアが提案されている。
特開2001-154416号公報
近年、画像形成装置における画像形成速度の高速化及び高画質化の市場要求に対応するため、キャリアとして使用するフェライト粒子の高電気抵抗化、高帯電化が求められている。
ところが、前記提案された電子写真用キャリアでは、飽和磁化は所定範囲に維持されると考えられるが、電気抵抗に関する検討がなされていないため、電気抵抗が低く、電荷のリークが生じ、画質劣化を引き起こすおそれがある。
本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、所望の飽和磁化を有するとともに、高電気抵抗を有するフェライト粒子及びその製造方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、高速化及び高画質化を満足する電子写真現像用キャリア及び電子写真用現像剤を提供することにある。
本発明者らは、所望の飽和磁化と高い電気抵抗と有するフェライト粒子を得るべく、鋭意検討を重ねた結果、組成としてはMgとFeとを含有するフェライト粒子が適していること、そしてフェライト粒子のスピネル格子の格子定数が変化すると、鉄の価数が変化し、飽和磁化を含む磁力及び電気抵抗が変化することを見出し、本発明をなすに至った。すなわち、本発明に係るフェライト粒子は、MgとFeとを含有し、Mg/Feのモル比xが0〜0.5の範囲であり、格子定数f(x)が下記式(1)を満足することをことを特徴とする。
0.525x3-0.19x2+0.064x+8.387≦f(x)≦0.525x3-0.19x2+0.064x+8.409 ・・・(1)
(式中、x:Mg/Feモル比)
また、本発明者等は、フェライト粒子における格子定数は、フェライト相におけるスピネル格子中の酸素量によって変化し、スピネル格子中の酸素量は焼成過程における酸素化学ポテンシャルμO2(以下「μO2」と記載する場合がある)で制御できること、また冷却過程におけるμO2を調整することで、フェライト粒子の内部まで均一に所定の格子定数となることを見出した。ここで、μO2はμO2=RTlnPO2の式で表すことができ、温度と酸素濃度によって変化させることができる。そこで、本発明に係るフェライト粒子の製造方法は、Mg/Feのモル比xが所定値のフェライト粒子が生成するように、成分調整されたFe原料及びMg原料を媒体液中で混合してスラリーを得る工程と、前記スラリーを噴霧乾燥させて造粒物を得る工程と、前記造粒物を焼成して焼成物を得る工程とを有し、前記焼成を下記式(2)を満たす条件で行うことを特徴とする。
−5000≦T×logPO2≦0 ・・・・・・(2)
(式中、T:温度(℃),PO2=酸素圧力/全体圧力)
ここで、フェライト粒子の平均粒子径としては、10μm〜100μmの範囲が好ましい。
また、本発明によれば、前記記載のフェライト粒子の表面を樹脂で被覆したことを特徴とする電子写真現像用キャリアが提供される。
さらに、本発明によれば、前記記載のキャリアとトナーとを含む電子写真用現像剤が提供される。
本発明のフェライト粒子は、フェライト相におけるスピネル格子の格子定数を所定範囲としたので、所望の飽和磁化を有すると同時に高電気抵抗を有する。
また、本発明の電子写真現像用キャリア及び電子写真用現像剤は、前記フェライト粒子を用いているので、画像形成の高速化及び高画質化に対応できる。
そしてまた、本発明の製造方法では、式(2)を満たす条件で焼成を行うので、フェライト粒子のスピネル格子中の格子定数を制御できるようになる。
Mg/Feモル比を変化させたときの好適な格子定数の範囲を示すグラフである。
まず、本発明に係るフェライト粒子について説明する。本発明に係るフェライト粒子の大きな特徴は、MgとFeとを含有し、Mg/Feのモル比xが0〜0.5の範囲であり、格子定数f(x)が前記式(1)を満足することにある。これにより、例えば、所定の飽和磁化σを維持しながら、電気抵抗も高く維持できるようになる。
本発明者等は、後述の実施例で説明するように、Mg/Feのモル比及び格子定数を種々変化させて、所望の飽和磁化と高電気抵抗のフェライト粒子が得られる範囲を調査した。図1に、調査結果を示す。図1は、縦軸として格子定数をとり、横軸としてMg/Feをとり、Mg/Feを変化させたときの好適な格子定数の範囲を示したものである。この調査結果からMg/Feと格子定数f(x)との相関関係式(図1の破線)を求め、この相関関係式に対して±0.011の範囲を、所望の飽和磁化と高電気抵抗のフェライト粒子が得られる範囲として規定した。
フェライト粒子の格子定数は、フェライト相におけるスピネル格子中の酸素量によって変化する。すなわち、スピネル格子中の酸素が過剰になると格子定数は小さくなり、スピネル格子中の酸素が欠損すると格子定数は大きくなる。一方、スピネル格子中の酸素量は、例えば、フェライト粒子の焼成過程における酸素化学ポテンシャルμO2によって制御できる。そこで、本発明のフェライト粒子の製造方法では、フェライト粒子の焼成過程における酸素化学ポテンシャルμO2を制御することによってフェライト粒子の格子定数を制御する。本発明に係るフェライト粒子の製造方法については後述する。
本発明に係るフェライト粒子の平均粒子径としては10μm〜100μmの範囲が好ましい。平均粒子径が10μm以上あることで、粒子のそれぞれに必要な磁力が確実に付与され、例えば、フェライト粒子を電子写真現像用キャリアとして用いた場合に、感光体へのキャリア付着が抑制されるようになる。一方、平均粒子径が100μm以下であることで、画像特性を良好に保つことができるようになる。フェライト粒子の平均粒子径を上記範囲とするには、フェライト粒子の製造工程中または製造工程後に篩等を用いて分級処理を行えばよい。
本発明に係るフェライト粒子の好ましい飽和磁化σは、20〜90emu/gの範囲である。飽和磁化σが20emu/g未満であると、例えば、フェライト粒子を電子写真現像用キャリアとして用いた場合に、感光体へのキャリア付着が頻繁に起きるおそれがある。一方、飽和磁化σが90emu/gを超えると、磁気ブラシの穂が硬くなり、電子写真現像における画質低下を招くおそれがある。フェライト粒子の、より好ましい飽和磁化σは30〜80emu/gの範囲であり、さらに好ましくは40〜70emu/gの範囲である。
本発明に係るフェライト粒子の好ましい電気抵抗は、印加電圧10Vにおいて1×10〜1×1012Ωcmの範囲である。電気抵抗が1×10Ωcm未満であると、電荷のリークが起きるおそれがある一方、電気抵抗が1×1012Ωcmを超えると、エッジ効果が大きくなり画像濃度の低下を招くおそれがある。フェライト粒子の、より好ましい電気抵抗は1×10〜1×1011Ωcmの範囲であり、さらに好ましくは1×10〜1×1010Ωcmの範囲である。
本発明のフェライト粒子は各種用途に用いることができ、例えば、電子写真現像用キャリアや電磁波吸収材、電磁波シールド材用材料粉末、ゴム、プラスチック用充填材・補強材、ペンキ、絵具・接着剤用艶消材、充填材、補強材等として用いることができる。これらの中でも特に電子写真現像用キャリアとして好適に用いられる。
本発明のフェライト粒子の製造方法に特に限定はないが、以下に説明する製造方法が好適である。
まず、Fe原料とMg原料とを秤量して分散媒中に投入し混合してスラリーを作製する。Fe原料としては、Fe粉、Fe酸化物、Fe水酸化物等が使用でき、Mg原料としては、MgFe仮焼粉、Mg酸化物、Mg水酸化物等が好適に使用できる。スラリーの固形分濃度は50〜90wt%の範囲が望ましい。原料であるFe原料、Mg原料を分散媒に投入する前に、必要により、粉砕混合処理しておいてもよい。
本発明で使用する分散媒としては水が好適である。分散媒には、前記Fe原料、Mg原料の他、必要によりバインダー、分散剤等を配合してもよい。バインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコールが好適に使用できる。バインダーの配合量としてはスラリー中の濃度が0.5〜2wt%程度とするのが好ましい。また、分散剤としては、例えば、ポリカルボン酸アンモニウム等が好適に使用できる。分散剤の配合量としてはスラリー中の濃度が0.5〜2wt%程度とするのが好ましい。その他、潤滑剤や焼結促進剤等を配合してもよい。
次に、以上のようにして作製されたスラリーを必要により湿式粉砕する。例えば、ボールミルや振動ミルを用いて所定時間湿式粉砕する。粉砕後の原材料の平均粒径は50μm以下が好ましく、より好ましくは10μm以下である。振動ミルやボールミルには、所定粒径のメディアを内在させるのがよい。メディアの材質としては、鉄系のクロム鋼や酸化物系のジルコニア、チタニア、アルミナなどが挙げられる。粉砕工程の形態としては連続式及び回分式のいずれであってもよい。粉砕物の粒径は、粉砕時間や回転速度、使用するメディアの材質・粒径などによって調整される。
そして、粉砕されたスラリーを噴霧乾燥させて造粒する。具体的には、スプレードライヤーなどの噴霧乾燥機にスラリーを導入し、雰囲気中へ噴霧することによって球状に造粒する。噴霧乾燥時の雰囲気温度は100〜300℃の範囲が好ましい。これにより、粒径10〜200μmの球状の造粒物が得られる。なお、得られた造粒物は、振動ふるい等を用いて、粗大粒子や微粉を除去し粒度分布をシャープなものとするのが望ましい。
次に、得られた造粒物を加熱した炉に投入して焼成し、磁性相を有する焼成物を得る。焼成温度は、目的となる磁性相が生成する温度範囲に設定すればよいが、本発明に係るフェライト粒子を製造する場合には、1000〜1400℃の温度範囲で焼成することが好ましい。より好ましくは、1100℃〜1350℃の温度範囲である。
ここで重要なことは、前記式(2)を満たす条件で焼成を行うことである。これにより、フェライト相におけるスピネル構造中の酸素量を制御でき、その結果、フェライト粒子の格子定数を制御できる。そして、適切な飽和磁化と高い電気抵抗を有するフェライト粒子が得られる。具体的には、例えば、炉内の酸素濃度を0.03%〜20.6%の範囲とし、μO2が1200℃において−100KJ/mоl以上、−19KJ/mоl以下、800℃において−74KJ/mоl以上、−14KJ/mоl以下、400℃において−45KJ/mоl以上、−8KJ/mоl以下の冷却過程を経るようにする。このような範囲となるように炉内の温度T及び酸素圧力PO2を制御することによって、粒子内部まで酸素過剰又は酸素欠損のフェライト粒子が得られる。また、焼成工程における冷却段階において、所望の飽和磁化、電気抵抗になるように制御したμO2のところで、炉内の焼成物を液体窒素や水などの冷却溶媒の中に浸漬させて焼成物を得るようにしてもよい。これにより温度降下中の反応が抑えられ、目的とするμO2での飽和磁化、電気抵抗が得られるようになる。後述の実施例では、冷却段階において急冷するこの方法で所定の格子定数のフェライト粒子を作製した。なお、炉内の酸素圧力の制御は、大気または大気と窒素の混合ガスを炉内にフローさせることにより行えばよい。
次に、得られた焼成物を解砕する。具体的には、例えば、ハンマーミル等によって焼成物を解砕する。解砕工程の形態としては連続式及び回分式のいずれであってもよい。そして、必要により、粒径を所定範囲に揃えるため分級を行ってもよい。分級方法としては、風力分級や篩分級など従来公知の方法を用いることができる。また、風力分級機で1次分級した後、振動篩や超音波篩で粒径を所定範囲に揃えるようにしてもよい。さらに、分級工程後に、磁場選鉱機によって非磁性粒子を除去するようにしてもよい。
以上のようにして作製した本発明のフェライト粒子を、電子写真現像用キャリアとして用いる場合、フェライト粒子をそのまま電子写真現像用キャリアとして用いることもできるが、帯電性等の観点からは、フェライト粒子の表面を樹脂で被覆して用いるのが好ましい。
フェライト粒子の表面を被覆する樹脂としては、従来公知のものが使用でき、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ−4−メチルペンテン−1、ポリ塩化ビニリデン、ABS(アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン)樹脂、ポリスチレン、(メタ)アクリル系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、並びにポリ塩化ビニル系やポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系等の熱可塑性エストラマー、フッ素シリコーン系樹脂などが挙げられる。
フェライト粒子の表面を樹脂で被覆するには、樹脂の溶液又は分散液をフェライト粒子に施せばよい。塗布溶液用の溶媒としては、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類溶媒;エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール系溶媒;エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒などの1種又は2種以上を用いることができる。塗布溶液中の樹脂成分濃度は、一般に0.001〜30wt%、特に0.001〜2wt%の範囲内にあるのがよい。
フェライト粒子への樹脂の被覆方法としては、例えばスプレードライ法や流動床法あるいは流動床を用いたスプレードライ法、浸漬法等を用いることができる。これらの中でも、少ない樹脂量で効率的に塗布できる点で流動床法が特に好ましい。樹脂被覆量は、例えば流動床法の場合には吹き付ける樹脂溶液量や吹き付け時間によって調整することができる。
本発明に係る電子写真用現像剤は、以上のようにして作製したキャリアとトナーとを混合してなる。キャリアとトナーとの混合比に特に限定はなく、使用する現像装置の現像条件などから適宜決定すればよい。一般に現像剤中のトナー濃度は1〜20wt%の範囲が好ましい。トナー濃度が1wt%未満の場合、画像濃度が薄くなりすぎ、他方トナー濃度が20wt%を超える場合、現像装置内でトナー飛散が発生し機内汚れや転写紙などの背景部分にトナーが付着する不具合が生じるおそれがあるからである。より好ましいトナー濃度は3〜15wt%の範囲である。
キャリアとトナーとの混合は、従来公知の混合装置を用いることができる。例えばヘンシェルミキサー、V型混合機、タンブラーミキサー、ハイブリタイザー等を用いることができる。
(実施例1)
Mg/Feのモル比xが0.5であるMgFe2O4仮焼粉を準備し、分散剤としてポリカルボン酸アンモニウムを、媒体液中濃度が1%となるように添加した純水中に、準備したMgFe2O4仮焼粉を分散させ、混合物とした。この混合物を湿式ボールミル(メディア径2mm)で粉砕処理し、スラリーを得た。
得られたスラリーをスプレードライヤーにて約150℃の熱風中に噴霧し、粒径10〜100μmの乾燥造粒物を得た。そして、篩を用いて粒径が100μmを超える造粒物を除去した。得られた乾燥造粒物を、電気炉に投入して、大気フロー雰囲気下にて、1200℃で3時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た(温度T:1200℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力):2.1×10−1、T×logPO2=−813)。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。なお、フェライト粒子の平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置(日機装株式会社製マイクロトラック、Model 9320−X100)を用いて測定したものである。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を下記方法で測定した。また、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(格子定数の測定)
格子定数は、X線回折装置(リガク製、RINT2000)を用いて測定した。X線源はコバルトを使用し、加速電圧40kV、電流30mAでX線を発生させた。粉末X線の測定条件は走査モード;FT、発散スリット;1/2°、散乱スピード;1/2°、受光スリット;0.15mm、回転速度;5.000rpm、走査範囲;66.000〜68.000°、測定間隔0.01°、計数時間5秒、積算回数3回で測定を行った。得られたXRDパターンから格子定数を算出した。
(飽和磁化測定)
フェライトの磁気特性は、VSM(東英工業株式会社製、VSM−P7)を用いて磁化率の測定を行い、印加磁場10kOeにおける飽和磁化σ(emu/g)を測定した。
(電気抵抗測定)
表面を電解研磨した厚さ2mmの電極としての真鍮板2枚を、距離2mm離して対向するように配置した。電極間にフェライト粒子200mgを装入した後、それぞれの電極の背後に、断面積240mmの磁石(表面磁束密度が1500ガウスのフェライト磁石)を配置して、電極間にフェライト粒子のブリッジを形成させた。そして、10Vから1000Vまでの直流電圧を電極間に印加し、フェライト粒子に流れる電流値を測定し、フェライト粒子の電気抵抗を算出した。
(画像評価)
シリコーン系樹脂(信越化学製、KR251)をトルエンに溶解させて被覆樹脂溶液を作製した。そして、フェライト粒子と被覆樹脂溶液とを重量比で9:1の割合にて撹拌機に投入し、フェライト粒子を樹脂溶液に浸漬しながら150〜250℃で3時間加熱撹拌した。この樹脂被覆されたフェライト粒子を、熱風循環式加熱装置にて250℃で5時間加熱し樹脂被覆層を硬化させてキャリアを得た。
得られたキャリア92重量%と、フルカラー複写機のトナー(シアン)8重量%をV型混合機で混合して電子写真現像剤とした。この電子写真現像剤を、現像バイアス電圧として交流バイアス電圧を印加する、デジタル反転現像方式の20枚/分の画像形成装置をベースにした評価機に投入して、初期、50K枚、100K枚、150K枚時にグレー画像を出力させた。そして、キャリア付着に起因するホワイトスポットの有無に着目して下記基準により画像評価を行った。
「◎」は非常に良好
「○」は良好
「△」は使用可能なレベル
「×」は使用不可
(実施例2)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが1000℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.1×10−1、T×logPO2=−678のところで急冷した以外は、実施例1と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例3)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが800℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.1×10−1、T×logPO2=−542のところで急冷した以外は、実施例1と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例4)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが600℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.1×10−1、T×logPO2=−407のところで急冷した以外は、実施例1と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例5)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが400℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.1×10−1、T×logPO2=−271のところで急冷した以外は、実施例1と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例6)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが25℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.1×10−1、T×logPO2=−17のところで焼成物を得たこと以外は、実施例1と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例7)
Mg/Feのモル比x=0.36となるように、FeとMgFe仮焼粉とを3:8(モル比)で配合した以外は、実施例1と同様にして造粒物を得た。そして、焼成工程において、酸素濃度1%の雰囲気下で造粒物を1200℃で3時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た(温度T:1200℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力):2.1×10−1、T×logPO2=−813)。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例8)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが1000℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.1×10−1、T×logPO2=−678のところで急冷した以外は、実施例1と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例9)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが800℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.1×10−1、T×logPO2=−542のところで急冷した以外は、実施例1と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例10)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが600℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.1×10−1、T×logPO2=−407のところで急冷した以外は、実施例1と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例11)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが400℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.1×10−1、T×logPO2=−271のところで急冷した以外は、実施例1と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例12)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが25℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.1×10−1、T×logPO2=−17のところで焼成物を得たこと以外は、実施例1と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例13)
Mg/Feのモル比x=0.25となるように、FeとMgFe仮焼粉とを1:1(モル比)で配合した以外は、実施例1と同様にして造粒物を得た。そして、焼成工程において、酸素濃度1%の雰囲気下で造粒物を1200℃で3時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た(温度T:1200℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力):1.0×10−2、T×logPO2=−2400)。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例14)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが1000℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が1.0×10−2、T×logPO2=−200のところで急冷した以外は、実施例7と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例15)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが800℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が1.0×10−2、T×logPO2=−1600のところで急冷した以外は、実施例7と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例16)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが600℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が1.0×10−2、T×logPO2=−1200のところで急冷した以外は、実施例7と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例17)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが400℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が1.0×10−2、T×logPO2=−800のところで急冷した以外は、実施例7と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例18)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが25℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が1.0×10−2、T×logPO2=−50のところで焼成物を得たこと以外は、実施例7と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例19)
Mg/Feのモル比x=0.15となるように、FeとMgFe仮焼粉とを9:4(モル比)で配合した以外は、実施例1と同様にして造粒物を得た。そして、焼成工程において、酸素濃度0.1%の雰囲気下で造粒物を1200℃で3時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た(温度T:1200℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力):1.0×10−3、T×logPO2=−3600)。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例20)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが1000℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が1.0×10−3、T×logPO2=−3000のところで急冷した以外は、実施例13と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例21)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが800℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が1.0×10−3、T×logPO2=−2400のところで急冷した以外は、実施例13と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例22)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが600℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が1.0×10−3、T×logPO2=−1800のところで急冷した以外は、実施例13と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例23)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが400℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が1.0×10−3、T×logPO2=−1200のところで急冷した以外は、実施例13と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例24)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが25℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が1.0×10−3、T×logPO2=−75のところで焼成物を得たこと以外は、実施例13と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例25)
Mg/Feのモル比x=0.07となるように、FeとMgFe仮焼粉とを6:1(モル比)で配合し、さらに還元剤としてのカーボンブラックをFe2O3とMgFe2O4仮焼粉の総量に対して0.75wt%配合したこと以外は、実施例1と同様にして造粒物を得た。そして、焼成工程において、酸素濃度0.03%の雰囲気下で造粒物を1200℃で3時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た(温度T:1200℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力):2.0×10−4、T×logPO2=−4439)。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例26)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが1000℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.0×10−4、T×logPO2=−3699のところで急冷した以外は、実施例19と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例27)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが800℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.0×10−4、T×logPO2=−2959のところで急冷した以外は、実施例19と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例28)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが600℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.0×10−4、T×logPO2=−2219のところで急冷した以外は、実施例19と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例29)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが400℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.0×10−4、T×logPO2=−1480のところで急冷した以外は、実施例19と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例30)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが25℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.0×10−4、T×logPO2=−92のところで焼成物を得たこと以外は、実施例19と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例31)
Feのみを準備し、秤量したこと、さらに還元剤としてのカーボンブラックをFeの総量に対して1wt%配合したこと以外は(Mg/Feのモル比0)、実施例1と同様にして造粒物を得た。そして、焼成工程において、酸素濃度0.03%の雰囲気下で造粒物を1200℃で3時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た(温度T:1200℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力):2.0×10−4、T×logPO2=−4439)。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例32)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが1000℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.0×10−4、T×logPO2=−3699のところで急冷した以外は、実施例25と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例33)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが800℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.0×10−4、T×logPO2=−2959のところで急冷した以外は、実施例25と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例34)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが600℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.0×10−4、T×logPO2=−2219のところで急冷した以外は、実施例25と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例35)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが400℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.0×10−4、T×logPO2=−1480のところで急冷した以外は、実施例25と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(実施例36)
焼成工程において、造粒物を1200℃で3時間焼成した後、冷却段階において温度Tが25℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力)が2.0×10−4、T×logPO2=−92のところで焼成物を得たこと以外は、実施例25と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
(比較例1)
Mg/Feのモル比x=0.07となるように、FeとMgFe仮焼粉とを6:1(モル比)で配合し、さらに還元剤としてのカーボンブラックを、FeとMgFe仮焼粉の総量に対して1.5wt%配合した以外は、実施例1と同様にして造粒物を得た。そして、焼成工程において、酸素濃度0.03%の雰囲気下で造粒物を1200℃で3時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た(温度T:1200℃、酸素分圧PO2(酸素圧力/全体圧力):2.0×10−4、T×logPO2=−4439)。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径45μmのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の格子定数、飽和磁化σs、電気抵抗を実施例1と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表1にまとめて示す。
実施例1〜36のフェライト粒子は、格子定数が前記式(1)を満足するものであり、所望の飽和磁化及び高い電気抵抗を有していた。また、これらのフェライト粒子を用いたキャリアでは、150Kの耐刷試験後でも、実使用上支障来すようなホワイトスポットは発生しなかった。これに対して、比較例1のフェライト粒子は、格子定数が前記式(1)の範囲よりも大きく、所望の飽和磁化及び電気抵抗が得られなかった。このため、比較例1のフェライト粒子を用いたキャリアでは、実使用上支障を来すようなホワイトスポットが発生した。
本発明のフェライト粒子は、所望の飽和磁化を有すると同時に高電気抵抗を有するので、例えば、本発明のフェライト粒子を電子写真現像用キャリアとして用いると、画像形成の高速化及び高画質化に対応できるようになる。

Claims (5)

  1. MgとFeとを含有し、Mg/Feのモル比xが0〜0.5の範囲のフェライト粒子であって、
    格子定数f(x)が下記式(1)を満足することをことを特徴とするフェライト粒子。
    0.525x3-0.19x2+0.064x+8.387≦f(x)≦0.525x3-0.19x2+0.064x+8.409 ・・・(1)
    (式中、x:Mg/Feモル比)
  2. 平均粒子径が10μm〜100μmの範囲であることを特徴とする請求項1記載のフェライト粒子。
  3. 請求項1又は2記載のフェライト粒子の表面を樹脂で被覆したことを特徴とする電子写真現像用キャリア。
  4. 請求項3記載のキャリアとトナーとを含む電子写真用現像剤。
  5. Mg/Feのモル比xが0〜0.5の範囲のフェライト粒子が生成するように成分調整されたFe原料及びMg原料を媒体液中で混合してスラリーを得る工程と、前記スラリーを噴霧乾燥させて造粒物を得る工程と、前記造粒物を焼成して焼成物を得る工程とを有し、
    前記焼成を下記式(2)を満たす条件で行うことを特徴とするフェライト粒子の製造方法。
    −5000≦T×logPO2≦0 ・・・・・・(2)
    (式中、T:温度(℃),PO2=酸素圧力/全体圧力)
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