JP2011199256A - 基板処理方法、この基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体、基板処理装置及び差圧式流量計の異常検出方法 - Google Patents
基板処理方法、この基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体、基板処理装置及び差圧式流量計の異常検出方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011199256A JP2011199256A JP2010268389A JP2010268389A JP2011199256A JP 2011199256 A JP2011199256 A JP 2011199256A JP 2010268389 A JP2010268389 A JP 2010268389A JP 2010268389 A JP2010268389 A JP 2010268389A JP 2011199256 A JP2011199256 A JP 2011199256A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pressure
- processing
- processing liquid
- supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 276
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 209
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 210
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 15
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 67
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 43
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 25
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 18
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 12
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 11
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/05—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects
- G01F1/34—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by measuring pressure or differential pressure
- G01F1/36—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by measuring pressure or differential pressure the pressure or differential pressure being created by the use of flow constriction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
Abstract
【解決手段】処理液を供給する供給流路に設けられた差圧式流量計を介して接続された供給ノズルにより基板に処理液を供給し、供給された処理液により基板を処理する基板処理方法において、基板に処理液を供給していないときに、供給流路内の圧力を差圧式流量計内の圧力計測部により計測する計測工程S15と、計測工程S15を行って計測した圧力値と、所定の圧力値とを比較することによって、圧力計側部が正常に動作しているかを判定する判定工程S16と、判定工程S16において圧力計側部が正常に動作していると判定したときに、基板に処理液を供給する供給工程S11とを有する。
【選択図】図10
Description
。
(実施の形態)
始めに、図1から図3を参照し、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成について説明する。
薬液供給ユニット21hは、搬入出ステーション1側に設けられた、例えばアンモニア水と過酸化水素を混合したアンモニア過水(SC1)を貯留する第1薬液タンク101を有している。
ただし、A0は絞り部132aの断面積、ρx(xは流体の種類を示している)は、流体の比重、Cは流出係数である。本実施の形態では、圧力P1、P2は、演算部132cに入力され、演算部132cにおいて、式(1)に基づいた演算を行うことによって、流量演算値FMが求められる。
(実施の形態の変形例)
次に、図13を参照し、本発明の実施の形態の変形例に係る基板処理方法について説明する。図13は、本変形例に係る基板処理装置が流量の計測値の真の値からのずれを検知する工程を含む基板処理方法の各ステップの手順を説明するためのフローチャートである。
45 表面処理液供給ノズル
47 排気・排液部(カップ)
68a 供給流路
100 基板処理装置
131 第1のLFC
132 差圧式流量計
132a 絞り部
132b 圧力計測部
132d 第1の圧力計
132e 第2の圧力計
135 開閉バルブ
Claims (13)
- 処理液を供給する供給流路に設けられた差圧式流量計を介して接続された供給ノズルにより基板に処理液を供給し、供給された処理液により基板を処理する基板処理方法において、
基板に処理液を供給していないときに、前記供給流路内の圧力を前記差圧式流量計内の圧力計測部により計測する計測工程と、
前記計測工程を行って計測した圧力値と、所定の圧力値とを比較することによって、前記圧力計側部が正常に動作しているかを判定する判定工程と、
前記判定工程において前記圧力計側部が正常に動作していると判定したときに、基板に処理液を供給する供給工程と
を有する基板処理方法。 - 前記計測工程は、基板に処理液を供給していないときに、前記供給流路に設けられ、前記供給流路を絞る絞り部の、上流側及び下流側における前記供給流路内の圧力を、前記圧力計測部により計測するものであり、
前記判定工程は、前記計測工程を行って計測した前記上流側及び前記下流側における前記圧力の圧力差の絶対値と、所定の差圧上限値とを比較することによって、前記圧力計側部が正常に動作しているかを判定するものである請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記圧力計測部は、前記上流側における前記圧力を計測する第1の圧力計と、前記下流側における前記圧力を計測する第2の圧力計とを含み、
前記圧力差は、前記第1の圧力計が計測した第1の圧力計測値と前記第2の圧力計が計測した第2の圧力計測値との差であることを特徴とする請求項2に記載の基板処理方法。 - 前記圧力差の絶対値が前記差圧上限値より大きいときに、前記第1の圧力計測値又は前記第2の圧力計測値が所定の圧力基準値に等しくなるように、前記第1の圧力計のオフセット値又は前記第2の圧力計のオフセット値を補正するオフセット値補正工程を有する請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記基板は、基板に処理液が供給される処理ユニット内に、順次連続して搬入された後に処理液が供給され、
前記計測工程は、前記処理ユニット内にて基板に処理液を供給する基板処理の後に実施され、
前記判定工程において前記圧力計側部が正常に動作していると判定したときに、前記処理ユニット内に次に搬入される基板に処理液を供給する供給工程と
を有する請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記基板は、基板に処理液が供給される処理ユニット内に、順次連続して搬入された後に処理液が供給され、
前記計測工程は、前記処理ユニット内にて基板に処理液を供給する基板処理の後に実施され、
前記判定工程において前記圧力計側部が正常に動作していると判定したときに、前記処理ユニット内に次に搬入される基板に処理液を供給する供給工程と、
前記判定工程において前記圧力計側部が正常に動作していないと判定したときに、前記処理ユニット内に次に搬入される予定の基板を搬入しないこと、
を有する請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記計測工程及び前記判定工程時に前記基板から処理液を除去する乾燥工程が実施されることを有する請求項1に記載の基板処理方法。
- コンピュータに請求項1から請求項7のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
- 基板を処理液により処理する基板処理装置において、
基板を収容する処理ユニットと、
基板に処理液を供給する供給ノズルと、
前記供給ノズルに処理液を供給する供給系と前記供給ノズルとを接続する供給流路の途中に設けられた差圧式流量計と、
を有し、
基板に処理液を供給していないときに、前記差圧式流量計にて計測された圧力差の絶対値と、所定の差圧上限値とを比較することによって、前記差圧式流量計が正常に動作しているかを判定し、前記差圧式流量計が正常に動作していると判定したときに、基板に処理液を供給する基板処理装置。 - 前記差圧式流量計は、
前記供給流路を絞る絞り部と、
前記絞り部の上流側における前記供給流路内の圧力を計測する第1の圧力計と、
前記絞り部の下流側における前記圧力を計測する第2の圧力計と、
前記供給流路上に設けられた流量制御弁と、
前記第1の圧力計が計測した第1の圧力計測値と前記第2の圧力計が計測した第2の圧力計測値との差である圧力差に基づいて、前記流量制御弁の開度を制御する流量制御部と
を有し、
基板に処理液を供給していないときに、前記圧力差の絶対値と、所定の差圧上限値とを比較することによって、前記第1の圧力計及び前記第2の圧力計が正常に動作しているかを判定することにより前記差圧式流量計が正常に動作しているかを判定することを有する、請求項9記載の基板処理装置。 - 前記処理ユニットに順次基板を搬入する搬送機構をさらに有し、
前記処理ユニット内にて基板に処理液を供給する基板処理の後に前記供給流路内の圧力を計測し、
前記差圧式流量計が正常に動作していると判定したときに、前記処理ユニット内に前記搬送機構により基板が搬入され、搬入された基板に処理液を供給することを有する請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記処理ユニットに順次基板を搬入する搬送機構をさらに有し、
前記処理ユニット内にて基板に処理液を供給する基板処理の後に前記供給流路内の圧力を計測し、
前記差圧式流量計が正常に動作していると判定したときに、前記処理ユニット内に前記搬送機構により基板が搬入され、搬入された基板に処理液を供給し、
前記差圧式流量計が正常に動作していないと判定したときに、前記処理ユニット内に次に搬入される予定の基板を搬入しないことを有する請求項9に記載の基板処理装置。 - 処理液を供給する供給流路に設けられた差圧式流量計の異常検出方法において、
処理液を供給していないときに、前記供給流路内の圧力を前記差圧式流量計内の圧力計測部により計測する計測工程と、
前記計測工程を行って計測した圧力値と、所定の圧力値とを比較することによって、前記圧力計側部が正常に動作しているかを判定する判定工程と、
を有する差圧式流量計の異常検出方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010268389A JP5361847B2 (ja) | 2010-02-26 | 2010-12-01 | 基板処理方法、この基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
TW99143782A TWI467355B (zh) | 2010-02-26 | 2010-12-14 | 基板處理方法、記錄有用來執行此基板處理方法之程式的記錄媒體、基板處理裝置及差壓式流量計的異常檢測方法 |
KR1020110013287A KR101412095B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-15 | 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 기판 처리 장치 |
US13/035,010 US8393227B2 (en) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | Substrate processing method, storage medium storing program for executing the same, substrate processing apparatus, and fault detection method for differential pressure flowmeter |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010043023 | 2010-02-26 | ||
JP2010043023 | 2010-02-26 | ||
JP2010268389A JP5361847B2 (ja) | 2010-02-26 | 2010-12-01 | 基板処理方法、この基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011199256A true JP2011199256A (ja) | 2011-10-06 |
JP5361847B2 JP5361847B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=44504564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010268389A Active JP5361847B2 (ja) | 2010-02-26 | 2010-12-01 | 基板処理方法、この基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8393227B2 (ja) |
JP (1) | JP5361847B2 (ja) |
KR (1) | KR101412095B1 (ja) |
TW (1) | TWI467355B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015041751A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
US9373528B2 (en) | 2013-05-24 | 2016-06-21 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus |
WO2017051520A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | 株式会社フジキン | 圧力式流量制御装置及びその異常検知方法 |
JP2018098452A (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄薬液供給装置、洗浄ユニット、及びプログラムを格納した記憶媒体 |
WO2018110631A1 (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄薬液供給装置、洗浄ユニット、及びプログラムを格納した記憶媒体 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8820177B2 (en) * | 2012-02-29 | 2014-09-02 | Caterpillar Inc. | Flow measurement unit |
US8640441B2 (en) * | 2012-06-07 | 2014-02-04 | GM Global Technology Operations LLC | Method of monitoring a differential pressure sensor of an exhaust gas treatment system |
JP6407833B2 (ja) * | 2015-10-13 | 2018-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置 |
CN108369425B (zh) * | 2015-12-25 | 2021-03-02 | 株式会社富士金 | 流量控制装置以及使用流量控制装置的异常检测方法 |
JP6698446B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2020-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
KR101927920B1 (ko) * | 2016-11-24 | 2018-12-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US10770314B2 (en) * | 2017-05-31 | 2020-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device, tool, and method of manufacturing |
JP7203545B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2023-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007155350A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Nippon Applied Flow Kk | 流量計測装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4311436A (en) * | 1979-11-13 | 1982-01-19 | International Business Machines Corporation | Fluid pressure and velocity sensing apparatus |
US4476707A (en) * | 1982-04-08 | 1984-10-16 | Bear Medical Systems, Inc. | Gas flow measurement with detented chopper valve |
DE3544144A1 (de) * | 1985-12-13 | 1987-06-25 | Eduard Prof Dr Ing Igenbergs | Verfahren und vorrichtung zur ermittlung eines anstroemwinkels an fahrzeugen |
US4754651A (en) * | 1986-04-18 | 1988-07-05 | Shortridge Instruments, Inc. | Differential pressure apparatus for measuring flow and velocity |
US5293778A (en) * | 1993-05-27 | 1994-03-15 | General Electric Company | Fluid flow measuring system |
US6119710A (en) * | 1999-05-26 | 2000-09-19 | Cyber Instrument Technologies Llc | Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction |
JP4256999B2 (ja) | 1999-10-27 | 2009-04-22 | 株式会社堀場エステック | 液体流量制御機器 |
US6609431B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-08-26 | Xellogy, Inc. | Flow measuring device based on predetermine class of liquid |
US6917886B2 (en) * | 2000-11-06 | 2005-07-12 | Adam Cohen | Microflow based differential pressure sensor |
US6705173B1 (en) * | 2001-09-05 | 2004-03-16 | Autoquip, Inc. | Air flow rate meter |
WO2004010234A2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Celerity Group, Inc. | Methods and apparatus for pressure compensation in a mass flow controller |
JP4421393B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2010-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2006153677A (ja) | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 差圧式流量計、流量制御装置および基板処理装置 |
US20060225772A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Jones William D | Controlled pressure differential in a high-pressure processing chamber |
IL169132A (en) * | 2005-06-14 | 2008-12-29 | Yossi Dana | Magnetic controller for fluid flow |
JP4767783B2 (ja) | 2006-07-26 | 2011-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP2008196858A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 圧力センサ、差圧式流量計、流量コントローラおよび基板処理装置 |
-
2010
- 2010-12-01 JP JP2010268389A patent/JP5361847B2/ja active Active
- 2010-12-14 TW TW99143782A patent/TWI467355B/zh active
-
2011
- 2011-02-15 KR KR1020110013287A patent/KR101412095B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-25 US US13/035,010 patent/US8393227B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007155350A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Nippon Applied Flow Kk | 流量計測装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9373528B2 (en) | 2013-05-24 | 2016-06-21 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus |
JP2015041751A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
WO2017051520A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | 株式会社フジキン | 圧力式流量制御装置及びその異常検知方法 |
KR20170137880A (ko) * | 2015-09-24 | 2017-12-13 | 가부시키가이샤 후지킨 | 압력식 유량 제어 장치 및 그 이상 검지 방법 |
CN108027618A (zh) * | 2015-09-24 | 2018-05-11 | 株式会社富士金 | 压力式流量控制装置及其异常检测方法 |
JPWO2017051520A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2018-07-12 | 株式会社フジキン | 圧力式流量制御装置及びその異常検知方法 |
KR102028372B1 (ko) * | 2015-09-24 | 2019-10-04 | 가부시키가이샤 후지킨 | 압력식 유량 제어 장치 및 그 이상 검지 방법 |
US10883866B2 (en) | 2015-09-24 | 2021-01-05 | Fujikin Incorporated | Pressure-based flow rate control device and malfunction detection method therefor |
CN108027618B (zh) * | 2015-09-24 | 2021-01-29 | 株式会社富士金 | 压力式流量控制装置及其异常检测方法 |
JP2018098452A (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄薬液供給装置、洗浄ユニット、及びプログラムを格納した記憶媒体 |
WO2018110631A1 (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄薬液供給装置、洗浄ユニット、及びプログラムを格納した記憶媒体 |
US11358253B2 (en) | 2016-12-16 | 2022-06-14 | Ebara Corporation | Cleaning liquid supply device, cleaning unit, and storage medium storing program |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110098619A (ko) | 2011-09-01 |
JP5361847B2 (ja) | 2013-12-04 |
US20110209560A1 (en) | 2011-09-01 |
KR101412095B1 (ko) | 2014-06-26 |
US8393227B2 (en) | 2013-03-12 |
TWI467355B (zh) | 2015-01-01 |
TW201140272A (en) | 2011-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5361847B2 (ja) | 基板処理方法、この基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 | |
US9305817B2 (en) | Method for purging a substrate container | |
JP5391190B2 (ja) | 処理チャンバの排気ガス流量の制御方法及び処理装置 | |
TWI483306B (zh) | 基板製程系統中用於校準流量控制器的裝置及方法 | |
KR102570215B1 (ko) | 처리 장치, 처리 방법 및 기억 매체 | |
US8029874B2 (en) | Plasma processing apparatus and method for venting the same to atmosphere | |
JP5490659B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 | |
KR101478859B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 이 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 | |
JP2011171337A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5205045B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2011124343A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 | |
JP6356059B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP4712462B2 (ja) | 基板処理監視装置、基板処理監視システム、基板処理監視プログラム及び記録媒体 | |
US11572623B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR102670546B1 (ko) | 기판 처리 시스템에서 액체 유량계의 에러를 판단하는 장치 및 방법 | |
US20240053776A1 (en) | Method of controlling fluid flow | |
TWI802339B (zh) | 流體櫃的排氣控制方法以及基板處理裝置 | |
WO2022064814A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、異常予兆検知方法、異常予兆検知プログラム、及び基板処理装置 | |
KR20050015786A (ko) | 기판 이송 모듈의 상태 모니터링 장치 | |
JP2008251969A (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN115938976A (zh) | 基片处理装置和基片处理方法 | |
JP2020077885A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010283211A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120918 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20130305 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20130425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130702 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5361847 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |