TWI802339B - 流體櫃的排氣控制方法以及基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

流體櫃(120)的排氣控制方法係包含：標準排氣工序，係以標準排氣條件將流體櫃(120)內的氛圍排氣；異常偵測工序，係偵測流體櫃(120)內的異常；異常狀態判定工序，係基於異常偵測工序中的偵測結果來判定流體櫃(120)內的異常狀態；強制排氣條件決定工序，係基於異常狀態判定工序中的判定結果來決定被設定成比標準排氣條件的排氣量還大的排氣量的強制排氣條件；以及強制排氣工序，係以在強制排氣條件決定工序中所決定的強制排氣條件將流體櫃(120)內的氛圍排氣。

Description

流體櫃的排氣控制方法以及基板處理裝置

本發明係有關於一種流體櫃(fluid cabinet)的排氣控制方法以及基板處理裝置。

已知有一種用以處理基板之基板處理裝置。基板處理裝置係適合使用於半導體基板的處理。典型而言，基板處理裝置係使用藥液等處理液來處理基板。

在使用處理液之情形中，當在容器內產生壓力變動等，會有藥液與周邊大氣接觸從而導致藥液的特性變動之情形。因此，檢討藉由將特定氣體供給至藥液櫃來抑制藥液與周邊大氣接觸(參照專利文獻1)。於專利文獻1記載有一種基板洗淨裝置，係將已控制有機污染量的不含有機物的氣體供給至藥液調製櫃，藉此抑制藥液與周邊大氣接觸。在專利文獻1的基板洗淨裝置中，被供給至濃度溫度調整容器內的藥液液面上方的空間之不含有機物的氣體係從設置於濃度溫度調整容器的上部之配管經由排氣導管被排氣。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2010-56209號公報。

[發明所欲解決之課題]

在專利文獻1的基板洗淨裝置中，於藥液調製櫃配置有藥液配管以及濃度溫度調整容器。在藥液配管以及濃度溫度調整容器流通的藥液洩漏至藥液調製櫃內之情形中，會被排氣導管排氣。然而，若於排氣導管流動的排氣的排氣量低時，則無法將洩漏的藥液充分地排氣。另一方面，當排氣導管的排氣量被設定成較高時，變得需要高速地驅動送風機構，會對環境造成過度的負擔。

本發明係有鑑於上述課題而研創，目的在於提供一種流體櫃的排氣控制方法以及基板處理裝置，係能夠因應流體櫃內的狀態適當地將流體櫃內的氛圍(atmosphere)排氣。 [用以解決課題的手段]

本發明的一個實施形態為一種流體櫃的排氣控制方法，係用以將被流體櫃區劃的空間內的氛圍排氣，前述流體櫃係配置有流體配管，前述流體配管係供被供給至基板處理單元的流體流通；前述流體櫃的排氣控制方法係包含：標準排氣工序，係以標準排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣；異常偵測工序，係偵測前述流體櫃內的異常；異常狀態判定工序，係基於前述異常偵測工序中的偵測結果來判定前述流體櫃內的異常狀態；強制排氣條件決定工序，係基於前述異常狀態判定工序中的判定結果來決定被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大的排氣量的強制排氣條件；以及強制排氣工序，係以在前述強制排氣條件決定工序中所決定的前述強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣。

在實施形態之一中，前述異常偵測工序係包含：漏液偵測工序，係偵測在前述流體櫃內產生的漏液；前述異常狀態判定工序係包含：漏液狀態判定工序，係基於前述漏液偵測工序中的偵測結果來判定前述流體櫃內的漏液狀態。

在實施形態之一中，前述異常偵測工序係包含：排氣壓降低偵測工序，係偵測前述流體櫃內的排氣壓的降低；前述異常狀態判定工序係包含：排氣壓降低狀態判定工序，係基於前述排氣壓降低偵測工序中的偵測結果來判定前述流體櫃的排氣壓的降低狀態。

在實施形態之一中，前述強制排氣工序係包含：第一強制排氣工序，係從前述標準排氣工序移行，以第一強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣，前述第一強制排氣條件係被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大的第一強制排氣量；以及第二強制排氣工序，係從前述標準排氣工序移行至前述第一強制排氣工序後再經過預定時間後，在前述流體櫃內未偵測到異常時以第二強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣，前述第二強制排氣條件係被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大且比前述第一強制排氣量還小的第二強制排氣量。

在實施形態之一中，在前述標準排氣工序中，前述標準排氣條件係基於在前述流體櫃內的前述流體配管流動的流體的種類或者在前述流體配管流動的流體的流量來設定。

在實施形態之一中，前述強制排氣工序係包含下述工序：基於在前述強制排氣工序中所判定的前述流體櫃內的異常狀態的時間性變化來判定是否將用以將前述流體櫃內的氛圍排氣之排氣條件返回至前述標準排氣條件。

在實施形態之一中，前述流體櫃係包含：第一流體框體；以及第二流體框體，係連接於與前述第一流體框體共通的共通排氣配管；在前述異常偵測工序中偵測到前述第一流體框內的異常時，在前述強制排氣工序中以前述強制排氣條件將前述第一流體框體內的氛圍排氣。

在實施形態之一中，在前述強制排氣工序中使於前述共通排氣配管流通之排氣的排氣量增加。

在實施形態之一中，在前述異常偵測工序中偵測到前述第一流體框體內的異常時，在前述強制排氣工序中不變更於前述共通排氣配管流通之排氣的排氣量地使前述第一流體框體的排氣量增加。

在實施形態之一中，前述異常狀態判定工序係藉由比較既定的基準值與前述偵測結果來判定前述異常狀態；與前述第一流體框體對應的判定中之屬於基準值的第一基準值以及與前述第二流體框體對應的判定中之屬於基準值的第二基準值係不同。

在實施形態之一中，在前述強制排氣條件決定工序中決定與前述第一流體框體對應的第一框體強制排氣條件以及與前述第二流體框體對應的第二框體強制排氣條件；前述第一框體強制排氣條件與前述第二框體強制排氣條件係不同。

在實施形態之一中，在前述異常偵測工序中偵測到前述流體櫃內的異常時，在前述強制排氣工序中使連接於與前述流體櫃共通的共通排氣配管之仿真櫃(dummy cabinet)的排氣量降低至比前述標準排氣工序的排氣量還低，並且使前述流體櫃的排氣量增加至比前述標準排氣工序的排氣量還高。

本發明的另一個實施形態為一種基板處理裝置，係具備：基板處理單元，係處理基板；流體櫃，係配置有流體配管，前述流體配管係供被供給至前述基板處理單元的流體流通；異常偵測部，係偵測前述流體櫃內的異常；排氣部，係將前述流體櫃內的氛圍排氣；以及控制部，係控制前述排氣部。前述控制部係以下述方式控制前述排氣部：以標準排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣；前述控制部係基於前述異常偵測部偵測到前述流體櫃內的異常之偵測結果來判定前述流體櫃內的異常狀態；前述控制部係基於前述異常狀態的判定結果來決定被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大的排氣量的強制排氣條件；前述控制部係以下述方式控制前述排氣部：以前述強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣。

在實施形態之一中，前述異常偵測部係包含：漏液偵測部，係偵測前述流體櫃內的漏液。

在實施形態之一中，前述異常偵測部係包含：排氣壓偵測部，係偵測前述流體櫃內的排氣壓。

在實施形態之一中，前述控制部係以下述方式控制前述排氣部：從前述標準排氣條件移行，以第一強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣，前述第一強制排氣條件係被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大的第一強制排氣量；前述控制部並以下述方式控制前述排氣部：從前述標準排氣條件移行至前述第一強制排氣條件後再經過預定時間後，在前述流體櫃內未偵測到異常時以第二強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣，前述第二強制排氣條件係被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大且比前述第一強制排氣量還小的第二強制排氣量。

在實施形態之一中，前述控制部係基於在前述流體櫃內的前述流體配管流動的流體的種類或者在前述流體配管流動的流體的流量來設定前述標準排氣條件。

在實施形態之一中，前述控制部係基於在以前述強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣時所判定的前述流體櫃內的異常狀態的時間性變化來判定是否將用以將前述流體櫃內的氛圍排氣之排氣條件返回至前述標準排氣條件。

在實施形態之一中，前述流體櫃係包含：第一流體框體；以及第二流體框體，係連接於與前述第一流體框體共通的共通排氣配管；前述控制部係以下述方式控制前述排氣部：在前述異常偵測部偵測到前述第一流體框內的異常時，以前述強制排氣條件將前述第一流體框體內的氛圍排氣。

在實施形態之一中，前述控制部係在前述強制排氣條件中使於前述共通排氣配管流通之排氣的排氣量增加。

在實施形態之一中，前述控制部係在前述異常偵測部偵測到前述第一流體框體內的異常時，在前述強制排氣條件中不變更於前述共通排氣配管流通之排氣的排氣量地使前述第一流體框體的排氣量增加。

在實施形態之一中，前述控制部係藉由比較既定的基準值與偵測結果來判定前述異常狀態；與前述第一流體框體對應的判定中之屬於基準值的第一基準值以及與前述第二流體框體對應的判定中之屬於基準值的第二基準值係不同。

在實施形態之一中，前述控制部係決定與前述第一流體框體對應的第一框體強制排氣條件以及與前述第二流體框體對應的第二框體強制排氣條件作為前述強制排氣條件；前述第一框體強制排氣條件與前述第二框體強制排氣條件係不同。

在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步具備：仿真櫃；以及共通排氣配管，係分別連接於前述流體櫃以及前述仿真櫃；前述控制部係在前述異常偵測部偵測到前述流體櫃內的異常時，使前述仿真櫃的排氣量降低至比前述標準排氣條件的排氣量還低，並且使前述流體櫃的排氣量增加至比前述標準排氣條件的排氣量還高。 [發明功效]

依據本發明，能因應流體櫃內的漏液狀態適當地將流體櫃內的氛圍排氣。

以下，參照圖式說明本發明的流體櫃的排氣控制方法以及基板處理裝置的實施形態。此外，圖中針對相同或者相當的部分附上相同的元件符號且不重複說明。此外，為了容易理解本發明，在說明書中會有記載彼此正交的Ｘ軸、Y軸以及Z軸之情形。典型而言，X軸以及Y軸係與水平方向平行，Z軸係與鉛直方向平行。

首先，參照圖1說明本發明的基板處理裝置100的實施形態。圖1係本實施形態的基板處理裝置100的示意性的俯視圖。

基板處理裝置100係處理基板W。基板處理裝置100係以對基板W進行蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成、膜的至少一部分的去除以及洗淨中的至少一者之方式處理基板W。

基板W係作為半導體基板來使用。基板W係包含半導體晶圓。例如，基板W為略圓板狀。在此，基板處理裝置100係逐片地處理基板W。

如圖1所示，基板處理裝置100係具備複數個基板處理單元10、流體箱(fluid box)110、流體櫃120、複數個裝載埠(load port)LP、索引機器人(indexer robot)IR、中心機器人(center robot)CR以及控制裝置101。控制裝置101係控制裝載埠LP、索引機器人IR以及中心機器人CR。控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。

裝載埠LP係分別層疊並收容複數片基板W。索引機器人IR係在裝載埠LP與中心機器人CR之間搬運基板W。中心機器人CR係在索引機器人IR與基板處理單元10之間搬運基板W。流體櫃120係經由流體箱110將使用於基板W的處理之流體供給至基板處理單元10。例如，流體櫃120係經由流體箱110將處理液供給至基板處理單元10。基板處理單元10係分別對基板W噴出處理液並處理基板W。流體櫃120係收容處理液。

具體而言，複數個基板處理單元10係形成複數個塔TW(在圖1中為四個塔TW)，複數個塔TW係以俯視觀看時圍繞中心機器人CR之方式配置。各個塔TW係包含上下地層疊的複數個基板處理單元10(在圖1中為三個基板處理單元10)。流體箱110係分別與複數個塔TW對應。流體櫃120內的流體係經由某個流體箱110被供給至與流體箱110對應的塔TW。此外，亦可對基板處理單元10以及流體櫃120供給處理液或者氣體的任一者。

處理液亦可包含所謂的藥液。藥液係包含氫氟酸(hydrofluoric acid)。例如，氫氟酸係可被加熱至40℃以上至70℃以下，亦可被加熱至50℃以上至60℃以下。然而，氫氟酸亦可不被加熱。此外，藥液亦可包含水或者磷酸。

再者，藥液亦可包含過氧化氫水。此外，藥液亦可包含SC1(Standard clean-1；第一標準清洗液，亦即氨水過氧化氫水混合液(ammonia-hydrogen peroxide))、SC2(Standard clean-2；第二標準清洗液；亦即鹽酸過氧化氫水混合液(hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture))或者王水(濃鹽酸與濃硝酸的混合物)等。

或者，處理液亦可包含所謂的清洗(rinse)液。例如，清洗液亦可包含去離子水(DIW；deionized water)、碳酸水、電解離子水、臭氧水、氨水、稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水或者還原水(氫水)中的任一者。

藉由流體櫃120區劃基板處理裝置100內的特定的空間。在基板處理裝置100中，於設置有中心機器人CR以及基板處理單元10的區域與設置有流體櫃120的區域之間配置有交界壁BW。流體櫃120係區劃基板處理裝置100中的交界壁BW的外側部分的區域的一部分的空間。

流體櫃120係藉由框體區劃基板處理裝置100內的特定的空間。於流體櫃120的框體內具有供流體流通的流體配管。例如，於流體櫃120的框體內具有供處理液流通的處理液配管。此外，典型而言，流體櫃120係具有用以調製處理液之調製槽(筒槽(tank))。流體櫃120係可具有一種類的處理液用的調製槽，亦可具有複數種類的處理液用的調製槽。此外，流體櫃120亦可具有用以使處理液流通之泵、噴嘴以及／或者過濾器。

在此，流體櫃120係具有第一流體框體122a以及第二流體框體122b。第一流體框體122a以及第二流體框體122b係相互對向地配置。藉由第一流體框體122a以及第二流體框體122b區劃基板處理裝置100內的特定的空間。此外，在圖1中，為了避免圖式過於複雜，雖然顯示了第一流體框體122a內的流體經由某一個流體箱110被供給至與流體箱110對應的塔TW之流動，然而省略第二流體框體122b內的流體的流動。

控制裝置101係控制基板處理裝置100的各種動作。控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。控制部102係具有處理器(processor)。控制部102係具有例如中央處理運算器(亦即CPU(Central Processing Unit；中央處理單元))。或者，控制部102亦可具有泛用的運算器。

記憶部104係記憶資料以及電腦程式。資料係包含處方資料(recipe data)。處方資料係包含用以顯示複數個處方之資訊。複數個處方係分別規定基板W的處理內容以及處理順序。資料係包含用以將流體櫃120內的氛圍排氣之排氣條件。排氣條件亦可包含標準排氣條件以及強制排氣條件。

控制部102係依循記憶於記憶部104的排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。例如，控制部102係依循記憶於記憶部104的標準排氣條件或者強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。

例如，記憶部104亦可具有表(table)，表係因應與流體櫃120對應的流體的種類以及流體的流量中的至少一者而被分類。例如，記憶部104亦可具有下述表：因應與流體櫃120對應的流體的種類與流體的流量中的至少一者以及流體櫃120內的異常狀態的組合而被分類。此外，記憶部104亦可具有下述表：因應與流體櫃120對應的流體的種類與流體的流量中的至少一者以及流體櫃120內的漏液狀態的組合而被分類。

再者，記憶部104亦可記憶判定排氣條件時之成為基準的既定的基準值。既定的基準值係與流體櫃120內的異常的偵測結果進行比較，藉此判定流體櫃120內的異常狀態。例如，既定的基準值亦可為臨限值。

記憶部104係包含主記憶裝置以及輔助記憶裝置。主記憶裝置係例如為半導體記憶體。輔助記憶裝置係例如為半導體記憶體以及／或者硬碟機(Hard Disk Drive)。記憶部104亦可包含可移媒體(removable media)。控制部102係執行記憶部104所記憶的電腦程式並執行基板處理動作。

接著，參照圖2說明本實施形態的基板處理裝置100中的基板處理單元10。圖2係基板處理裝置100中的基板處理單元10的示意圖。

基板處理單元10係具備腔室(chamber)12、基板保持部20以及處理液供給部30。腔室12係收容基板W。基板保持部20係保持基板W。

腔室12為具有內部空間之略箱形狀。腔室12係收容基板W。在此，基板處理裝置100為用以逐片地處理基板W之葉片型，於腔室12逐片地收容基板W。基板W係被收容至腔室12內並在腔室12內被處理。於腔室12收容有基板保持部20以及處理液供給部30各者的至少一部分。

基板保持部20係保持基板W。基板保持部20係以將基板W的上表面(表面)Wa朝向上方並將基板W的背面(下表面)Wb朝向鉛直下方之方式水平地保持基板W。此外，基板保持部20係以保持著基板W的狀態使基板W旋轉。基板保持部20係在保持著基板W的狀態下直接使基板W旋轉。

例如，基板保持部20亦可為用以夾持基板W的端部之夾持式。或者，基板保持部20亦可具有用以從背面Wb保持基板W之任意的機構。例如，基板保持部20亦可為真空式。在此情形中，基板保持部20係使屬於非器件(non-device)形成面之基板W的背面Wb的中央部吸附於上表面，藉此水平地保持基板W。或者，基板保持部20亦可組合用以使複數個夾具銷(chuck pin)接觸至基板W的周端面之夾持式與真空式。

例如，基板保持部20係包含自轉基座(spin base)21、夾具(chuck)構件22、軸23、電動馬達24以及殼體(housing)25。夾具構件22係設置於自轉基座21。夾具構件22係夾持基板W。典型而言，於自轉基座21設置有複數個夾具構件22。

軸23為中空軸。軸23係沿著旋轉軸Ax於鉛直方向延伸。於軸23的上端結合有自轉基座21。基板W係被配置於自轉基座21的上方。

自轉基座21為圓板狀，用以水平地支撐基板W。軸23係從自轉基座21的中央部朝下方延伸。電動馬達24係對軸23賦予旋轉力。電動馬達24係使軸23於旋轉方向旋轉，藉此以旋轉軸Ax作為中心使基板W以及自轉基座21旋轉。殼體25係圍繞軸23以及電動馬達24。

處理液供給部30係對基板W供給處理液。典型而言，處理液供給部30係對基板W的上表面Wa供給處理液。

處理液供給部30係包含配管32、閥34以及噴嘴36。噴嘴36係對基板W的上表面Wa噴出處理液。噴嘴36係連接於配管32。從供給源對配管32供給處理液。閥34係將配管32內的流路打開以及關閉。噴嘴36係較佳為構成能夠相對於基板W移動。噴嘴36係能依循被控制部102控制的移動機構於水平方向以及／或者鉛直方向移動。此外，請注意為了避免圖式過於複雜而在本說明書中省略了移動機構。

閥34係調節配管32的開放度，並調整被供給至配管32的處理液的流量。具體而言，閥34係包含：閥本體(valve body)(未圖示)，係於內部設置有閥座；閥體，係將閥座打開以及關閉；以及致動器(actuator)(未圖示)，係使閥體在開放位置與關閉位置之間移動。

基板處理裝置100係進一步具備罩杯(cup)80。罩杯80係回收從基板W飛散的處理液。罩杯80係升降。例如，罩杯80係在整個處理液供給部30對基板W供給處理液之期間於鉛直上方上升至基板W的側方。在此情形中，罩杯80係回收藉由基板W的旋轉而從基板W飛散的處理液。此外，當處理液供給部30對基板W供給處理液之期間結束時，罩杯80係從基板W的側方朝鉛直下方下降。

如上所述，控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。控制部102係控制基板保持部20、處理液供給部30以及／或者罩杯80。在一例中，控制部102係控制電動馬達24以及閥34。

本實施形態的基板處理裝置100係適合使用於製作設置有半導體的半導體元件。典型而言，在半導體元件中於基材上層疊有導電層以及絕緣層。基板處理裝置100係在半導體元件的製造時適合使用於導電層以及／或者絕緣層的洗淨以及／或者加工(例如蝕刻、特性變化等)。

此外，在圖2所示的基板處理單元10中，雖然處理液供給部30能夠將一種類的處理液供給至基板W，然而處理液供給部30亦可將複數種類的處理液供給至基板W。例如，處理液供給部30亦可分別包含複數個配管32、複數個閥34以及複數個噴嘴36。

接著，參照圖1至圖3說明本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120。圖3係本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120的示意圖。

如圖3所示，流體櫃120係具有框體122、吸氣口123、排氣部124、異常偵測部130、處理液配管132以及調製槽134。

於框體122設置有吸氣口123以及排氣部124。此外，框體122係收容異常偵測部130。流體櫃120係被框體122區劃。

框體122係具有能夠打開以及關閉的門122d。打開門122d，藉此作業者係能進入至框體122內。

於框體122設置有吸氣口123。外部空氣係從吸氣口123被吸入至框體122內。在此，吸氣口123係設置於門122d。

排氣部124係將框體122內的氛圍排氣。排氣部124係能使每單位時間的排氣量變化並將框體122內的氛圍排氣。此外，在本說明書中會有將每單位時間的排氣量簡稱為「排氣量」之情形。

藉由框體122內的吸氣口123與排氣部124的位置於框體122內形成氣流。從吸氣口123被吸氣至框體122內的氣體係從排氣部124被排氣至外部。為了防止框體122內的氣體的沉澱，較佳為吸氣口123以及排氣部124配置於相互離開的位置。例如，在將吸氣口123以及排氣部124配置於對向的壁面之情形中，將佳為吸氣口123以及排氣部124的一者配置於較高的位置且吸氣口123以及排氣部124的另一者配置於較低的位置。在此，吸氣口123係配置於與調製槽134的底部相同程度的高度，排氣部124係配置於比調製槽134的上部還高的位置。

此外，亦可於框體122設置一個排氣部124且設置複數個吸氣口123。藉此，能在框體122內適當地抑制氣體的沉澱。

排氣部124亦可具有排氣配管125以及排氣量調整機構126。典型而言，流體櫃120內的氣壓係比隔著排氣配管125的外部氣壓還高。在將框體122內的氛圍排氣時，框體122內的氣體係於排氣配管125流動並被排出至外部。

排氣量調整機構126係調整於排氣配管125流動的氣體的流通量(排氣量)。能藉由排氣量調整機構126增加或者減少於排氣配管125流動的排氣量。排氣量調整機構126係可配置於流體櫃120內，亦可配置於流體櫃120的外部。例如，排氣量調整機構126亦可配置於排氣配管125的端部。或者，排氣量調整機構126亦可配置於排氣配管125內。

例如，排氣量調整機構126亦可包含用以調整排氣配管125的開放度之擋板(damper)。或者，排氣量調整機構126亦可包含風扇，該風扇係決定於排氣配管125內流通的排氣的流量。

異常偵測部130係偵測流體櫃120內的異常。控制部102係藉由異常偵測部130的偵測結果來判定流體櫃120內的異常。例如，異常偵測部130所偵測的異常為流體櫃120內的漏液。在此情形中，異常偵測部130亦可偵測流體櫃120內的漏液。或者，異常偵測部130所偵測的異常為流體櫃120內的排氣壓的降低。在此情形中，異常偵測部130亦可偵測排氣壓。

異常偵測部130亦可包含液體偵測感測器。典型而言，液體偵測感測器係偵測在流體櫃120內洩漏的處理液。

異常偵測部130亦可包含氣體偵測感測器。典型而言，氣體偵測感測器係偵測在流體櫃120內產生的處理液氣化所產生的氣體，藉此偵測在流體櫃120內產生的漏液。

異常偵測部130亦可包含照相機。照相機係具有拍攝元件。典型而言，照相機係拍攝流體櫃120內並將拍攝結果進行圖像解析，藉此偵測在流體櫃120內產生的漏液。

異常偵測部130亦可包含兩個以上的流量計。典型而言，亦可因應兩個以上的流量計的差分來偵測在流體櫃120內產生的漏液。

異常偵測部130係包含微差壓計(differential pressure cell)或者壓力計(manometer)。異常偵測部130亦可藉由流體櫃120內的氣壓與排氣配管125的氣壓之間的差分來偵測流體櫃120內的排氣壓的異常，該排氣配管125係連通流體櫃120與外部。

異常偵測部130亦可取得已將偵測結果數值化的偵測量。偵測量係因應異常的程度而變化。或者，控制部102亦可將來自異常偵測部130的偵測結果數值化，藉此取得用以顯示流體櫃120內的異常的程度之偵測量。

處理液配管132係供處理液流通。典型而言，處理液配管132係連通至基板處理單元10的處理液供給部30，供處理液流通至處理液供給部30。

調製槽134係儲留處理液。處理液係經由處理液配管132流動至調製槽134後，經由處理液配管132從調製槽134流動。

如上所述，控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。控制部102係控制排氣部124以及異常偵測部130。例如，控制部102係基於異常偵測部130的偵測結果來判定流體櫃120內的異常狀態。在一例中，控制部102係基於異常偵測部130的偵測結果來判定流體櫃120內的漏液狀態。或者，控制部102係基於異常偵測部130的偵測結果來判定流體櫃120內的排氣壓的降低狀態。控制部102係基於流體櫃120內的異常狀態來決定排氣條件，並依循所決定的排氣條件來控制排氣部124。

接著，參照圖1至圖4說明本實施形態的基板處理裝置100。圖4係基板處理裝置100的方塊圖。

如圖4所示，控制裝置101係控制基板處理裝置100的各種動作。控制裝置101係控制索引機器人IR、中心機器人CR、基板保持部20以及處理液供給部30。具體而言，控制裝置101係對索引機器人IR、中心機器人CR、基板保持部20以及處理液供給部30發送控制訊號，藉此控制索引機器人IR、中心機器人CR、基板保持部20、處理液供給部30、排氣部124以及異常偵測部130。

具體而言，控制部102係控制索引機器人IR，藉由索引機器人IR傳遞基板W。

控制部102係控制中心機器人CR，藉由中心機器人CR傳遞基板W。例如，中心機器人CR係接取未處理的基板W，並將基板W搬入至基板處理單元10中的任一個基板處理單元10。此外，中心機器人CR係從基板處理單元10接取經過處理的基板W並搬出基板W。

控制部102係控制基板保持部20，從而控制：開始旋轉基板W、變更旋轉速度以及停止旋轉基板W。例如，控制部102係能控制基板保持部20來變更基板保持部20的旋轉數。具體而言，控制部102係變更基板保持部20的電動馬達24的旋轉數，藉此能變更基板W的旋轉數。

控制部102係控制處理液供給部30的閥34，藉此能將閥34的狀態切換成開放狀態以及關閉狀態。具體而言，控制部102係控制處理液供給部30的閥34，將閥34設定成開放狀態，藉此能使朝向噴嘴36於配管32內流動的處理液通過。此外，控制部102係控制處理液供給部30的閥34，將閥34設定成關閉狀態，藉此能使朝向噴嘴36於配管32內流動的處理液停止供給。

控制部102係能切換用以將流體櫃120內的氛圍排氣之排氣條件，藉此能控制排氣部124的排氣。具體而言，控制部102係將排氣條件切換成標準排氣條件或者強制排氣條件的任一者，藉此能控制排氣部124。再者，控制部102係決定複數個強制排氣條件中的任一個強制排氣條件，並能依循所決定的強制排氣條件控制排氣部124。此外，控制部102亦可使排氣部124停止排氣。

控制部102係控制異常偵測部130，藉此能偵測流體櫃120內的異常。此外，控制部102係能基於異常偵測部130的偵測結果來判定流體櫃120內的異常狀態。

本實施形態的基板處理裝置100係適合使用於用以形成半導體元件。例如，基板處理裝置100係適合使用於用以處理作為層疊構造的半導體元件來使用的基板W。半導體元件為所謂的3D(three-dimensional；三維)構造的記憶體(記憶裝置)。作為一例，基板W係適合作為NAND(NOT-AND；反及閘)型快閃記憶體來使用。

接著，參照圖1至圖5說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖5中的(a)至圖5中的(c)係用以說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法之示意圖。此外，在圖5中的(a)至圖5中的(c)中，以簡化圖式作為目的而省略處理液配管132以及調製槽134。

如圖5中的(a)所示，流體櫃120內的氛圍係以設定成標準排氣量的標準排氣條件被排氣。控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件。例如，標準排氣條件係基於在流體櫃120內的處理液配管132流動的處理液的種類或者於配管流動的處理液的流量而被設定。

排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。伴隨著排氣部124的排氣，將空氣從吸氣口123吸氣至流體櫃120內。能藉由標準排氣來控制框體122內的氛圍洩漏至框體122的外部。

如圖5中的(b)所示，當在流體櫃120內偵測到異常時，排氣部124係以強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣，該強制排氣條件係被設定成排氣量比標準排氣量還大的強制排氣量。詳細而言，當在流體櫃120內產生異常時，異常偵測部130係偵測流體櫃120內的異常。控制部102係基於異常偵測部130的偵測結果來判定流體櫃120內的異常狀態。控制部102係因應異常狀態來決定強制排氣條件。例如，強制排氣條件係基於在流體櫃120內的處理液配管132流動的處理液的種類或者於處理液配管132流動的處理液的流量與異常狀態的組合而被設定。排氣部124係依循所決定的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。

在此，異常偵測部130係偵測在流體櫃120內較小的異常。在此情形中，控制部102係因應異常狀態來決定被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣部124，藉此排氣部124係將流體櫃120內的氛圍排氣。

如圖5中的(c)所示，當流體櫃120內產生較大的異常時，排氣部124係以被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，當異常偵測部130偵測到流體櫃120內較大的異常時，控制部102係因應異常狀態來決定被設定成更大的強制排氣量的強制排氣條件。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣部124，藉此排氣部124係能將流體櫃120內的氛圍強制性地排氣。

如上所述，依據本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法，能因應流體櫃120內的異常狀態來控制排氣部124的排氣量。因此，能因應流體櫃120內的異常狀態的程度適當地將流體櫃120內的氛圍排氣。

此外，在參照圖5的上述說明中，雖然流體櫃120內的異常狀態以及強制排氣條件被區分成兩個階段，然而本實施形態並未限定於此。流體櫃120內的異常狀態以及強制排氣條件亦可被區分成三個以上的多個階段。

接著，參照圖1至圖6說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖6係本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法的流程圖。

如圖6所示，在步驟S102中，以被設定成標準排氣量的標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件，排氣部124係依循標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。

在步驟S104中，判定是否在流體櫃120內偵測到異常。在流體櫃120內產生異常之情形中，異常偵測部130係偵測異常。

在流體櫃120內未偵測到異常之情形中(在步驟S104中為否)，處理係返回至步驟S102。藉此，排氣部124係能一邊依循標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣一邊反復異常的偵測判定。另一方面，在流體櫃120內偵測到異常之情形中(在步驟S104中為是)，處理係前進至步驟S106。

在步驟S106中，控制部102係判定流體櫃120內的異常狀態。控制部102係基於異常偵測部130的偵測結果來判定流體櫃120內的異常狀態。例如，控制部102亦可因應基於異常偵測部130的偵測結果之偵測量來判定流體櫃120內的異常狀態。

在步驟S108中，控制部102係決定強制排氣條件。控制部102係從複數個強制排氣條件來決定因應了異常狀態的強制排氣條件。複數個強制排氣條件係被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量。例如，控制部102係從兩個階段的強制排氣條件來決定因應了異常狀態的強制排氣條件。或者，控制部102係從三個以上的階段的強制排氣條件來決定因應了異常狀態的強制排氣條件。

在步驟S110中，控制部102係依循所決定的強制排氣條件來控制排氣部124並將流體櫃120內的氛圍排氣。因此，流體櫃120係被強制排氣。

在步驟S112中，再次判定是否在流體櫃120內偵測到異常。在處理櫃120內尚未完成處理液的排氣之情形中，異常偵測部130係偵測異常。

在流體櫃120內已偵測到異常之情形中(在步驟S112中為是)，處理係返回至步驟S110。在此情形中，排氣部124係持續流體櫃120的強制排氣。在流體櫃120內未偵測到異常之情形中(在步驟S112中為否)，處理係前進至步驟S114。

在步驟S114中，判定是否結束排氣處理。控制部102係在接受到用以表示結束排氣處理之意旨的指示時結束排氣處理。或者，在進行基板處理裝置100整體的維護之情形中，控制部102係結束排氣處理。

在未結束排氣處理之情形中(在步驟S114中為否)，處理係返回至步驟S102。在此情形中，排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。另一方面，在判定成結束排氣處理之情形中(在步驟S114中為是)，處理係結束。

如上所述，依據本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法，能因應流體櫃120內的異常狀態來變更流體櫃120的強制排氣條件。藉此，能因應流體櫃120內的異常的程度將流體櫃120內的氛圍排氣。

此外，在參照圖1至圖6的說明中，雖然異常偵測部130係偵測流體櫃120內的異常，然而異常偵測部130亦可偵測在流體櫃120內產生的漏液。

接著，參照圖1至圖7，說明本實施形態的基板處理裝置100。圖7係基板處理裝置100的方塊圖。圖7所示的基板處理裝置100係排除具備用以偵測在流體櫃120內產生的漏液之漏液偵測部130p來取代異常偵測部130之外，具有與圖4所示的基板處理裝置100同樣的構成，為了避免冗長故省略重複的說明。

如圖7所示，基板處理裝置100係具備漏液偵測部130p。漏液偵測部130p係偵測流體櫃120內的漏液。控制部102係藉由漏液偵測部130p的偵測結果來判定流體櫃120內的漏液狀態。

漏液偵測部130p亦可包含液體偵測感測器。典型而言，液體偵測感測器係偵測在流體櫃120內洩漏的處理液。

漏液偵測部130p亦可包含氣體偵測感測器。典型而言，氣體偵測感測器係偵測在流體櫃120內產生的處理液氣化所產生的氣體，藉此偵測在流體櫃120內產生的漏液。

漏液偵測部130p亦可包含照相機。照相機係具有拍攝元件。典型而言，照相機係拍攝流體櫃120內並對拍攝結果進行圖像解析，藉此偵測在流體櫃120內產生的漏液。

漏液偵測部130p亦可包含兩個以上的流量計。典型而言，亦可因應兩個以上的流量計的差分來偵測流體櫃120內產生的漏液。

漏液偵測部130p亦可取得已將偵測結果數值化的偵測量。或者，控制部102亦可將漏液偵測部130p的偵測結果數值化，藉此取得用以顯示流體櫃120內的漏液的程度之偵測量。

接著，參照圖1至圖8說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖8中的(a)至圖8中的(c)係用以說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法之示意圖。此外，在圖8中的(a)至圖8中的(c)中，為了簡化圖式，故省略處理液配管132以及調製槽134。

如圖8中的(a)所示，流體櫃120內的氛圍係以設定成標準排氣量的標準排氣條件被排氣。控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件。例如，標準排氣條件係基於在流體櫃120內的處理液配管132流動的處理液的種類或者於配管流動的處理液的流量而被設定。

排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。伴隨著排氣部124的排氣，空氣係從吸氣口123被吸氣至流體櫃120內。能藉由標準排氣來抑制框體122內的氛圍洩漏至框體122的外部。

如圖8中的(b)所示，當在流體櫃120內處理液洩漏時，排氣部124係以排氣量被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。詳細而言，當在流體櫃120內處理液洩漏時，漏液偵測部130p係在流體櫃120內偵測漏液。控制部102係基於漏液偵測部130p的偵測結果來判定流體櫃120內的漏液狀態。控制部102係因應漏液狀態來決定強制排氣條件。例如，強制排氣條件係基於在流體櫃120內的處理液配管132流動的處理液的種類或者在處理液配管132流動的處理液的流量與漏液狀態的組合而被設定。排氣部124係依循所決定的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。

在此，漏液偵測部130p係在流體櫃120內偵測少量的處理液。在此情形中，控制部102係因應漏液狀態來決定被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣部124，藉此排氣部124係將流體櫃120內的氛圍排氣。

如圖8中的(c)所示，當在流體櫃120內大量的處理液洩漏時，排氣部124係以被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，當漏液偵測部130p在流體櫃120內偵測到大量的漏液時，控制部102係因應漏液狀態來決定被設定成更大的強制排氣量的強制排氣條件。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣部124，藉此排氣部124係能將流體櫃120內的氛圍強制性地排氣。

如上所述，依據本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法，能因應流體櫃120內的漏液狀態來控制排氣部124的排氣量。因此，能因應在流體櫃120內洩漏的處理液的量適當地將流體櫃120內的氛圍排氣。

此外，在參照圖8的上述說明中，雖然流體櫃120內的漏液狀態以及強制排氣條件係被區分成兩個階段，然而本實施形態並未限定於此。流體櫃120內的漏液狀態以及強制排氣條件亦可被區分成三個以上的多個階段。

接著，參照圖1至圖9說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化以及排氣條件的變更。圖9中的(a)以及圖9中的(b)係顯示本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化之圖表。在圖9中的(a)以及圖9中的(b)的圖表中，橫軸係顯示時間，縱軸係顯示已將偵測狀態數值化的偵測量。流體櫃120內洩漏的處理液的量愈多則偵測量係顯示愈高的值。

如圖9中的(a)所示，在此，最初在流體櫃120內處理液未洩漏。此時，控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件，排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在標準排氣條件中，流體櫃120內的氛圍係以標準排氣量被排氣。

當經過預定時間且在流體櫃120內處理液開始洩漏時，偵測量係增加。當偵測量超過臨限值t1時，排氣條件係從標準排氣條件被變更成強制排氣條件。臨限值t1係被作為流體櫃120內有無漏液的基準來使用。臨限值t1為既定的基準值的一例。

控制部102係將排氣條件從標準排氣條件變更成強制排氣條件，排氣部124係依循強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。強制排氣條件的排氣量係比標準排氣量還大。之後，藉由依循了強制排氣條件的強制排氣，偵測量係開始減少。

當偵測量變得比臨限值t1還低時，排氣條件係從強制排氣條件返回至標準排氣條件。詳細而言，當偵測量變得比臨限值t1還低時，控制部102係將排氣條件從強制排氣條件變更成標準排氣條件，排氣部124係依循標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。標準排氣條件的排氣量係比強制排氣量還小。

在本實施形態中，因應用以顯示流體櫃120內的漏液狀態之偵測量來變更強制排氣條件，藉此能有效率地將流體櫃120內的氛圍排氣。如上所述，亦可因應偵測量是否超過臨限值t1將排氣條件切換成標準排氣條件以及強制排氣條件中的任一者。

此外，在圖9中的(a)中，雖然用以顯示在流體櫃120內處理液洩漏的量之偵測量係較少，然而會有在流體櫃120內有更多的處理液洩漏。例如，當更多的處理液從流體櫃120內的處理液配管132洩漏時，若排氣量不大則無法降低偵測量。

如圖9中的(b)所示，在此，最初在流體櫃120內處理液未洩漏。此時，控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件，排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在標準排氣條件中，流體櫃120內的氛圍係以標準排氣量被排氣。因此，偵測量係被維持在低的值。

當經過預定時間且在流體櫃120內處理液開始洩漏時，偵測量係增加。例如，當偵測量超過臨限值t1時，控制部102係將排氣條件從標準排氣條件變更成第一強制排氣條件，排氣部124係依循第一強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，排氣部124係以被設定成比標準排氣量還大的第一強制排氣量的第一強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。將排氣條件從標準排氣條件變更成第一強制排氣條件，藉此偵測量的增加的斜度會降低，然而偵測量本身會增加。

之後，當偵測量超過臨限值t2時，控制部102係將排氣條件從第一強制排氣條件變更成第二強制排氣條件，排氣部124係依循第二強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。臨限值t2為既定的基準值的一例。在此，排氣部124係以被設定成比第一強制排氣量還大的第二強制排氣量的第二強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。排氣條件從第一強制排氣條件變更成第二強制排氣條件，藉此偵測量本身亦開始減少。

之後，當偵測量變得比臨限值t2還低時，控制部102係將排氣條件從第二強制排氣條件變更成第三強制排氣條件，排氣部124係依循第三強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，排氣部124係以被設定成第三強制排氣量的第三強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。第三強制排氣量係比第二強制排氣量還小且比標準排氣量還大。此外，第三強制排氣量亦可與第一強制排氣量相等，第三強制排氣條件亦可與第一強制排氣條件相等。將排氣條件從第二強制排氣條件變更成第三強制排氣條件，藉此雖然偵測量本身的減少會持續，然而偵測量的減少的斜度會降低。

之後，當偵測量變得比臨限值t1還低時，控制部102係將排氣條件從第三強制排氣條件變更成標準排氣條件，排氣部124係依循標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，排氣部124係以被設定成比第三強制排氣量還小的標準排氣量的標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。排氣條件從第三強制排氣條件變更成標準排氣條件，藉此偵測量的減少的斜度係進一步降低。

如上所述，因應用以顯示流體櫃120內的漏液狀態之偵測量來變更強制排氣條件，藉此能因應流體櫃120的環境有效率地將流體櫃120內的氛圍排氣。

接著，參照圖1至圖10說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖10係本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法的流程圖。

如圖10所示，在步驟S102中，以被設定成標準排氣量的標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件，排氣部124係依循標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。

在步驟S104中，判定是否在流體櫃120內偵測到漏液。在流體櫃120內處理液洩漏之情形中，漏液偵測部130p係偵測漏液。

在漏液偵測部130p包含液體偵測感測器之情形中，漏液偵測部130p係偵測從處理液配管132洩漏的處理液。漏液偵測部130p亦可偵測接觸到液體偵測感測器的處理液的液量。

在漏液偵測部130p包含氣體偵測感測器之情形中，漏液偵測部130p係偵測在流體櫃120內產生的氣體。氣體偵測感測器亦可偵測在流體櫃120內產生的處理液的氣體的濃度。

在漏液偵測部130p包含照相機之情形中，漏液偵測部130p係拍攝流體櫃120內。照相機或者控制部102亦可處理拍攝的圖像，藉此偵測流體櫃120內的漏液。

會有使用溫度比室溫還高的液體作為處理液之情形。在此情形中，漏液偵測部130p亦可包含溫度感測器。在漏液偵測部130p包含溫度感測器之情形中，漏液偵測部130p係測量流體櫃120內的溫度。在此情形中，當在流體櫃120內處理液洩漏時，能藉由溫度感測器偵測漏液。溫度感測器係可為接觸型，亦可為非接觸型。溫度感測器亦可偵測處理液所發出的紫外線。

在流體櫃120內未偵測到漏液之情形中(在步驟S104為否)，處理係返回至步驟S102。藉此，排氣部124係能一邊依循標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣一邊反復漏液的偵測判定。另一方面，在流體櫃120內偵測到漏液之情形中(在步驟S104中為是)，處理係前進至步驟S106。

在步驟S106中，控制部102係判定流體櫃120內的漏液狀態。控制部102係基於漏液偵測部130p的偵測結果來判定流體櫃120內的漏液狀態。例如，控制部102亦可基於漏液偵測部130p的偵測結果的偵測量來判定流體櫃120內的漏液狀態。

在步驟S108中，控制部102係決定強制排氣條件。控制部102係從複數個強制排氣條件決定因應了漏液狀態的強制排氣條件。複數個強制排氣條件係被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量。例如，控制部102係從兩個階段的強制排氣條件決定因應了漏液狀態的強制排氣條件。或者，控制部102係從三個以上的階段的強制排氣條件決定因應了漏液狀態的強制排氣條件。

在步驟S110中，控制部102係依循所決定的強制排氣條件來控制排氣部124，將流體櫃120內的氛圍排氣。因此，流體櫃120係被強制排氣。

在步驟S112中，再次判定是否在流體櫃120內偵測到漏液。在流體櫃120內尚未結束處理液的排氣之情形中，漏液偵測部130p係偵測漏液。

在流體櫃120內偵測到漏液之情形中(在步驟S112中為是)，處理係返回至步驟S110。在此情形中，排氣部124係持續流體櫃120的強制排氣。在流體櫃120內未偵測到漏液之情形中(在步驟S112中為否)，處理係前進至步驟S114。

在步驟S114中，判定是否結束排氣處理。控制部102係在接受用以結束排氣處理之意旨的指示之情形中結束排氣處理。或者，在進行基板處理裝置100整體的維護之情形中，排氣部102係結束排氣處理。

在尚未結束排氣處理之情形中(在步驟S114中為否)，處理係返回至步驟S102。在此情形中，排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。另一方面，在判定成結束排氣處理之情形中(在步驟S114中為是)，結束處理。

如上所述，依據本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法，能因應流體櫃120內的漏液狀態來變更流體櫃120的強制排氣條件。藉此，能因應流體櫃120內的漏液的程度將流體櫃120內的氛圍排氣。

此外，在參照圖9中的(a)至圖9中的(b)的圖表之上述說明中，雖然因應偵測量的變化即時地變更排氣條件，然而本實施形態並未限定於此。亦可不因應偵測量的變化即時地變更排氣條件。

接著，參照圖1至圖11說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化以及排氣條件的變更。圖11中的(a)以及圖11中的(b)係顯示本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化之圖表。

如圖11中的(a)所示，在此，最初在流體櫃120內處理液未洩漏。此時，控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件，排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在標準排氣條件中，流體櫃120內的氛圍係以標準排氣量被排氣。因此，偵測量係被維持在低的值。

當經過預定時間且在流體櫃120內處理液開始洩漏時，偵測量係增加。在此，即使偵測量超過臨限值t1，亦不會立即變更排氣條件，而是在預定期間內持續取得偵測量。之後，依循偵測量超過臨限值t1後再經過預定時間Ta後的偵測量來控制排氣條件。在此，由於經過預定時間Ta後的偵測量係比臨限值t1還高且比臨限值t2還低，因此控制部102係將排氣條件變更成因應了偵測量的強制排氣條件，排氣部124係以排氣量被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。將排氣條件從標準排氣條件變更成強制排氣條件，藉此偵測量本身開始減少。

之後，當偵測量變得比臨限值t1還低時，控制部102係將排氣條件從強制排氣條件變更成標準排氣條件，排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。即使排氣條件從強制排氣條件變更成標準排氣條件，偵測量亦會進一步減少。然而，藉由排氣條件的變更，偵測量的減少的斜度係變小。

此外，在圖11中的(a)所示的圖表中，在偵測量超過臨限值t1後再經過預定時間後，雖然以排氣量增加之方式變更排氣條件，然而本實施形態並未限定於此。亦可在偵測量到達臨限值後以排量氣增加之方式變更排氣條件，並在變更排氣條件後再經過預定時間後以排氣量減少之方式變更排氣條件。

如圖11中的(b)所示，在此，最初在流體櫃120內處理液未洩漏。此時，控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件，排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在標準排氣條件中，流體櫃120內的氛圍係以標準排氣量被排氣。因此，偵測量係被維持在低的值。

當經過預定時間且在流體櫃120內處理液開始洩漏時，偵測量係增加。在此，即使偵測量超過臨限值t1，控制部102亦不會立即變更排氣條件，而是在預定時間內持續取得偵測量。之後，控制102係在偵測量超過臨限值t2後變更排氣條件。在此情形中，當偵測量超過臨限值t2時，控制部102係將排氣條件從標準排氣條件變更成第一強制排氣條件，排氣部124係依循第一強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，排氣部124係依循被設定成比標準排氣量還大的第一強制排氣量的第一強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。偵測量係在排氣條件從標準排氣條件變更成第一強制排氣條件後先暫時增加後再開始減少。

之後，即使偵測量減少並達至臨限值t2，控制部102亦不會立即變更排氣條件而是在預定時間內持續取得偵測量。之後，控制部102係依循偵測量到達至臨限值t1後再經過預定時間Tb後所取得的偵測量來控制排氣條件。在本實施形態中，由於經過預定時間Tb後的偵測量比臨限值t1還低，因此控制部102係將排氣條件從第一強制排氣條件變更成第二強制排氣條件，排氣部124係以第二強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，排氣部124係以被設定成比標準排氣量還大且比第一強制排氣量還小的第二強制排氣量之第二強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。即使排氣條件從第一強制排氣條件變更成第二強制排氣條件，偵測量本身的減少亦會持續。

之後，依循從第一強制排氣條件變更成第二強制排氣條件後再經過預定時間Tc後所取得的偵測量來控制排氣條件。在本實施形態中，由於經過預定時間Tc後的偵測量比臨限值t1還低，因此控制部102係將排氣條件從第二強制排氣條件變更成標準排氣條件，因此排氣部124係以被設定成比第二強制排氣量還小的標準排氣量的標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。典型而言，即使排氣條件從第二強制排氣條件變更成標準排氣條件，偵測量亦會進一步減少。然而，藉由排氣條件的變更，偵測量的減少的斜度會進一步變小。

接著，參照圖1至圖12(主要為圖11中的(b)以及圖12)說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖12係本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法的流程圖。圖12的流程圖係排除強制排氣工序(步驟S110)被區分成複數個步驟之外，具有與圖10所示的流程圖同樣的工序，為了避免冗長故省略重複的說明。

如圖12所示，步驟S102至步驟S106係與圖10所示的步驟S102至步驟S106同樣，故省略說明。

在步驟S108中，控制部102係決定強制排氣條件。控制部102係因應漏液狀態來決定強制排氣條件。例如，控制部102係因應漏液狀態從兩個階段以上的強制排氣條件來決定因應了漏液狀態的強制排氣條件。

在步驟S110中，控制部102係依循所決定的強制排氣條件來控制排氣部124，將流體櫃120內的氛圍排氣。因此，流體櫃120係以被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件被強制排氣。

詳細而言，在步驟S110a中，基於偵測量來控制排氣條件。例如，當偵測量超過臨限值t2時，控制部102係將排氣條件從標準排氣條件變更成第一強制排氣條件，排氣部124係以第一強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。第一強制排氣條件的排氣量係比標準排氣條件的排氣量還大。

在步驟S110b中，判定是否經過預定時間Tb。在尚未經過預定時間Tb之情形中(在步驟S110b中為否)，處理係返回至步驟S110a。因此，持續強制排氣直至經過預定時間Tb為止。在經過預定時間Tb之情形中(在步驟S110b中為是)，處理係前進至步驟S110c。

在步驟S110c中，判定是否在流體櫃120內偵測到漏液。在流體櫃120內產生漏液之情形中，漏液偵測部130p係偵測漏液。例如，控制部102係判定偵測量是否比臨限值t1還低。

在流體櫃120內偵測到漏液之情形中(在步驟S110c中為是)，處理係返回至步驟S110a。在此情形中，控制部102係持續流體櫃120的強制排氣。在流體櫃120內未偵測到漏液之情形中(在步驟S110c中為否)，處理係前進至步驟S110d。

在步驟S110d中，將排氣條件從第一強制排氣條件變更成第二強制排氣條件。在此，被設定成第二強制排氣條件的第二強制排氣量係比標準排氣量還大且比第一強制排氣量還小。

在步驟S110e中，判定是否經過預定時間Tc。在尚未經過預定時間Tc之情形中(在步驟S110e中為否)，處理係返回至步驟S110d。在此情形中，排氣部124係以第二強制排氣條件持續將流體櫃120內的氛圍排氣，直至經過預定時間Tc為止。在經過預定時間Tc之情形中(在步驟S110e中為是)，處理係前進至步驟S112。

步驟S112以後的步驟係與參照圖10的上述說明同樣。如此，依據本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法，能因應流體櫃120內的漏液狀態來控制流體櫃120的排氣量。此外，在本實施形態中，由於基於經過預定時間後的偵測量來變更排氣條件，因此能抑制因應偵測量的變動過度地變更排氣條件之情形。

此外，在參照圖9中的(a)、圖9中的(b)、圖11中的(a)以及圖11中的(b)所示的圖表之上述說明中，雖然排氣條件係基於偵測量以及／或者經過時間而被變更，然而本實施形態並未限定於此。排氣條件亦可基於偵測狀態的時間性變化而被變更。

接著，參照圖1至圖13說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化以及排氣條件的變更。圖13中的(a)以及圖13中的(b)係顯示本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化之圖表。

如圖13中的(a)所示，在此，最初在流體櫃120內處理液未洩漏。此時，控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件，排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在標準排氣條件中，流體櫃120內的氛圍係以標準排氣量被排氣。因此，偵測量係被維持在低的值。

當經過預定時間且在流體櫃120內處理液開始洩漏時，偵測量係增加。當偵測量超過臨限值t1時，控制部102係將排氣條件從標準排氣條件變更成強制排氣條件，排氣部124係以強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。強制排氣條件的排氣量係比標準排氣條件的排氣量還大。之後，藉由依循強制排氣條件的強制排氣，偵測量係開始減少。

在此，藉由強制排氣，偵測量係迅速地減少。例如，偵測量的峰值與臨限值t1之間的差分(ΔS)以及從到達至偵測量的峰值之時間至到達至臨限值t1為止之時間(ΔT)之間的比率(ΔS／ΔT)係比比率臨限值還大。

在此情形中，當偵測量變得比臨限值t1還低時，將排氣條件從強制排氣條件返回至標準排氣條件。詳細而言，控制部102係將排氣條件從強制排氣條件變更成標準排氣條件，排氣部124係依循標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，排氣部124係以被設定成比強制排氣量還小的標準排氣量的標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。即使排氣條件從強制排氣條件變更成標準排氣條件，偵測量亦會進一步減少。然而，藉由排氣條件的變更，偵測量的減少的斜度係變小。

此外，在參照圖13中的(a)所示的圖表之上述說明中，當偵測量變得比臨限值t1還低時，雖然變更排氣條件，然而本實施形態並未限定於此。排氣條件不僅基於偵測量而被變更，亦可基於偵測量的時間性變化而被變更。

如圖13中的(b)所示，在此，最初在流體櫃120內處理液未洩漏。此時，控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件，排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在標準排氣條件中，流體櫃120內的氛圍係以標準排氣量被排氣。因此，偵測量係被維持在低的值。

當經過預定時間且在流體櫃120內處理液開始洩漏時，偵測量係增加。當偵測量超過臨限值t1時，排氣條件係從標準排氣條件被變更成強制排氣條件。強制排氣條件的排氣量係比標準排氣量還大。之後，藉由依循了強制排氣條件的強制排氣，偵測量係開始減少。

在此，藉由強制排氣，偵測量係呈現減少的傾向。然而，偵測量係隨著時間的經過而大幅地變動，偵測量係一邊變動一邊緩緩地減少。偵測量的峰值與臨限值t1之間的差分(ΔS)以及從到達至偵測量的峰值之時間至到達至臨限值t1為止之時間(ΔT)之間的比率(ΔS／ΔT)係比比率臨限值還小。

在此情形中，即使偵測量到達臨限值t1，控制部102亦不會將排氣條件從強制排氣條件返回至標準排氣條件。因此，即使偵測量到達臨限值t1，控制部102亦會將排氣條件維持在強制排氣條件，排氣部124係以強制排氣條件持續將流體櫃120內的氛圍排氣。

在此，當偵測量到達比臨限值t1還低的臨限值t1s時，控制部102係將排氣條件從強制排氣條件變更成標準排氣條件，排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此情形中，排氣部124係以被設定成比強制排氣量還小的標準排氣量的標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。即使排氣條件從強制排氣條件變更成標準排氣條件，偵測量亦會進一步減少。然而，藉由排氣條件的變更，偵測量的減少的斜度係變小。

此外，如參照圖13中的(a)以及圖13中的(b)之上述說明般，亦可基於偵測量的峰值與臨限值t1之間的差分(ΔS)以及從到達至偵測量的峰值之時間至到達至臨限值t1為止之時間(ΔT)之間的比率(ΔS／ΔT)來變更用以變更排氣條件之條件。如此，亦可基於漏液狀態的時間性變化的圖案來判定是否將排氣條件從強制排氣條件返回至標準排氣條件。

此外，排氣量調整機構126亦可為擋板，用以在流體櫃120中調整排氣配管125的開放度。

接著，參照圖14說明實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖14中的(a)至圖14中的(c)係用以說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法之示意圖。

如圖14中的(a)所示，排氣部124係具有排氣配管125以及擋板127。在將框體122內的氛圍排氣時，框體122內的空氣係於排氣配管125流動。擋板127係控制排氣配管125的開放度。擋板127係作為排氣配管125的排氣量調整機構發揮作用。擋板127亦可藉由汽缸(cylinder)或者馬達來控制開放度。或者，擋板127亦可將鎖銷(lock pin)關閉，藉此控制開放度。

在此，擋板127係配置於排氣配管125的外側。詳細而言，擋板127係配置於覆蓋排氣配管125的端部之位置。擋板127的開放度係被控制部102控制。

在圖14中的(a)中，未在流體櫃120內偵測到漏液。因此，流體櫃120內的氛圍係以被設定成標準排氣量的標準排氣條件被排氣。控制部102係將擋板127的開放度控制成較狹窄，藉此排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。伴隨著排氣部124的排氣，空氣係從吸氣口123被吸氣至流體櫃120內。

如圖14中的(b)所示，當在流體櫃120內處理液洩漏時，排氣部124係以被設定成排氣量比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。詳細而言，當在流體櫃120內處理液洩漏時，漏液偵測部130p係在流體櫃120內偵測漏液。控制部102係基於漏液偵測部130p的偵測結果來判定流體櫃120內的漏液狀態。控制部102係因應漏液狀態來決定強制排氣條件，將擋板127的開放度設定成較寬。排氣部124係依循所決定的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。

在此，漏液偵測部130p係在流體櫃120內偵測少量的處理液。在此情形中，控制部102係因應漏液狀態來決定被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣部124，藉此排氣部124係將流體櫃120內的氛圍排氣。

如圖14中的(c)所示，當在流體櫃120內大量的處理液洩漏時，排氣部124係以被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，當漏液偵測部130p在流體櫃120內偵測大量的漏液時，控制部102係因應漏液狀態來決定被設定成更大的強制排氣量的強制排氣條件。在此情形中，控制部102係將擋板127的開放度進一步地增寬。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣部124，藉此排氣部124係能將流體櫃120內的氛圍強制性地排氣。

如上所述，依據本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法，因應流體櫃120內的漏液狀態來調整擋板127的開放度，藉此能控制排氣部124的排氣量。因此，能因應在流體櫃120內洩漏的處理液的量適當地將流體櫃120內的氛圍排氣。

此外，在參照圖1至圖14之上述說明中，雖然排氣部124係將流體櫃120內的氛圍排氣，藉此空氣係從吸氣口123被吸氣至流體櫃120內，然而本實施形態並未限定於此。亦可伴隨著排氣部124的排氣將氣體供給至流體櫃120內。

接著，參照圖1至圖15說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖15中的(a)至圖15中的(c)係用以說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法之示意圖。

如圖15中的(a)所示，排氣部124係進一步具備供氣部128。供氣部128係配置於框體112內。供氣部128係對流體櫃120供給氣體。在此，流體櫃120係未具有吸氣口123。如上所述，雖然擋板127係因應開放度將流體櫃120內的氛圍排氣，然而藉由供氣部128對流體櫃120供氣。供氣部128係對流體櫃120供氣，藉此即使擋板127的開放度固定，亦能控制用以將流體櫃120內的氛圍排氣至外部之排氣量。在一例中，即使在擋板127開放的狀態下將擋板127的開放度維持固定之情形中，亦能藉由供氣部128對流體櫃120供給預定量的氣體從而將流體櫃120內的氛圍進一步地排氣至外部。

供氣部128亦可供給惰性氣體。惰性氣體係包含氮。或者，供氣部128亦可供給空氣。在此情形中，供氣部128亦可供給被使用於無塵室的降流(down flow)之空氣。

流體櫃120未具有吸氣口123，藉此即使在流體櫃120內處理液洩漏，亦能抑制處理液洩漏至外部。此外，能抑制外部光線進入至流體櫃120內，從而能抑制處理液的特性變動。

例如，排氣部124係以標準排氣量將流體櫃120內的氛圍排氣，供氣部128係以標準供氣量對流體櫃120供氣。藉此，能將流體櫃120內維持在固定的氣壓。

如圖15中的(b)所示，當在流體櫃120內產生漏液時，排氣部124係以比標準排氣量還大的強制排氣量將流體櫃120內的氛圍排氣。

在此，漏液偵測部130p係在流體櫃120內偵測少量的漏液。在此情形中，控制部102係因應漏液狀態來決定被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件，排氣部124係以強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。此外，控制部102係因應漏液狀態設定成比標準供氣量還大的強制供氣量，供氣部128係以強制供氣量對流體櫃120內供氣。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣部124並以所設定的強制供氣量來控制供氣部128，藉此排氣部124係能淨化流體櫃120內的氛圍。

如圖15中的(c)所示，當在流體櫃120內較多的處理液洩漏時，排氣部124係以比標準排氣量還大的排氣量將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，漏液偵測部130p係在流體櫃120內偵測大量的漏液。在此情形中，控制部102係因應漏液狀態設定成比標準排氣量還大的強制排氣量。此外，供氣部128係因應漏液狀態以更大的供氣量對流體櫃120供氣。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣部124並以所設定的供氣量來控制供氣部128，藉此排氣部124係能將流體櫃120內的氛圍排氣。

此外，在參照圖15之上述說明中，雖然流體櫃120內的漏液狀態被區分成兩個階段，然而本實施形態並未限定於此。流體櫃120內的漏液狀態亦可被區分成三個以上的多個階段。

接著，參照圖16說明本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120。圖16係本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120的示意圖。

如圖16所示，流體櫃120係具備框體122、吸氣口123、排氣部124、漏液偵測部130p、處理液配管132以及調製槽134，並進一步具備泵136a、調溫機器136b以及過濾器136c。處理液配管132係對調製槽134供給處理液。此外，處理液配管132係將處理液從調製槽134流動至外部。

處理液配管132係從流體櫃120的外部延伸至流體櫃120的內部。此外，處理液配管132係從流體櫃120的內部延伸至流體櫃120的外部。在本說明書中，將處理液配管132中之處理液從流體櫃120的外部朝向流體櫃120的內部流通之交界部分稱為流入口132p，將處理液配管132中之處理液從流體櫃120的內部朝向流體櫃120的外部流通之交界部分稱為流出口132q。此外，在本說明書中會有將處理液配管132中之從流入口132p至調製槽134為止的部分稱為上流側處理液配管132a之情形，且會有將處理液配管132中之從調製槽134至流出口132q為止的部分稱為下游側處理液配管132b之情形。

泵136a、調溫機器136b以及過濾器136c係安裝於處理液配管132。詳細而言，泵136a、調溫機器136b以及過濾器136c係安裝於下游側處理液配管132b。

泵136a係將處理液輸送至處理液配管132。調溫機器136b係加熱於處理液配管132流動的處理液。藉由調溫機器136b來調整處理液的溫度。過濾器136c係過濾於處理液配管132流動的處理液。

漏液偵測部130p亦可配置於調製槽134的下方。或者，漏液偵測部130p亦可配置於處理液配管132的附近。

亦可於框體122的上部設置有用以配置電性設備構件之空間。

此外，亦可將複數種類的漏液偵測部130p配置於流體櫃120內。在此情形中，亦可基於複數種類的漏液偵測部130p的任一者的偵測結果或者複數個偵測結果的組合來判定流體櫃120內的漏液。

接著，參照圖17，說明本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120。圖17中的(a)係本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120的示意圖。圖17中的(a)所示的流體櫃120係排除漏液偵測部130p包含液體偵測感測器130a以及照相機130b之外，具有與圖16所示的流體櫃120同樣的構成，為了避免冗長故省略重複的說明。

如圖17中的(a)所示，漏液偵測部130p係包含液體偵測感測器130a以及照相機130b。液體偵測感測器130a係配置於框體122的下方。照相機130b係配置於框體122的上方。

漏液偵測部130p亦可基於液體偵測感測器130a以及照相機130b任一者的偵測結果來偵測流體櫃120的漏液。或者，漏液偵測部130p亦可基於液體偵測感測器130a以及照相機130b雙方的偵測結果來偵測流體櫃120的漏液。

此外，漏液偵測部130p亦可基於在處理液配管132流動的流量來偵測流體櫃120的漏液。

圖17中的(b)係本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120的示意圖。圖17中的(b)所示的流體櫃120係排除漏液偵測部130p包含流量計136d以及流量計136e來取代液體偵測感測器130a以及照相機130b之外，具有與圖17中的(a)所示的流體櫃120同樣的構成，為了避免冗長故省略重複的說明。

如圖17中的(b)所示，流體櫃120係進一步具備流量計136d以及流量計136e。流量計136d係安裝於上游側處理液配管132a，測量於上游側處理液配管132a流動的處理液的流量。流量計136e係安裝於下游側處理液配管132b，測量於下游側處理液配管132b流動的處理液的流量。

在一定量的處理液從處理液配管132的流入口132p流動至流出口132q之情形中，在流量計136d所測量的流量係與在流量計136e所測量的流量相等。典型而言，在處理液於流體櫃120循環之情形中，在流量計136d所測量的流量係與在流量計136e所測量的流量相等。

然而，當在上游側處理液配管132a以及下游側處理液配管132b的任一者中處理液洩漏時，在流量計136d所測量的流量係與在流量計136e所測量的流量會變得不相等。因此，能藉由流量計136d以及流量計136e偵測流體櫃120中的漏液，流量計136d以及流量計136e係能作為漏液偵測部130p發揮作用。

此外，在參照圖1至圖17之上述說明中，雖然流體櫃120具有一個被區劃的空間，然而流體櫃120亦可具有複數個被區劃的空間。

接著，參照圖18說明本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120。圖18中的(a)以及圖18中的(b)係本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120的示意性的俯視圖。

如圖18中的(a)所示，流體櫃120係具有第一流體框體122a以及第二流體框體122b。在此，第一流體框體122a以及第二流體框體122b係彼此鄰接地配置。流體櫃120係與其他的構件被區劃。此外，第一流體框體122a以及第二流體框體122b係分別被區劃。藉此，流體櫃120係具有複數個被區劃的空間。

於第一流體框體122a配置有處理液配管132以及調製槽134。此外，於第二流體框體122b配置有處理液配管132以及調製槽134。

此外，於第一流體框體122a流通的處理液係可與於第二流體框體122b流通的處理液相同，亦可與於第二流體框體122b流通的處理液不同。例如，第一流體框體122a的處理液亦可為與第二流體框體122b的處理液不同的種類。或者，第一流體框體122a的處理液的濃度亦可與第二流體框體122b的處理液的濃度不同。或者，亦可為第一流體框體122a以及第二流體框體122b的處理液的一方對基板處理單元10供給處理液，而在另一方對基板處理單元10供給處理液之前使處理液循環。

第一流體框體122a係具有排氣部124a。排氣部124a係具有排氣配管125a以及擋板127a。

第二流體框體122b係具有排氣部124b。排氣部124b係具有排氣配管125b以及擋板127b。

於流體櫃120安裝有共通排氣配管140。共通排氣配管140係與第一流體框體122a的排氣配管125a以及第二流體框體122b的排氣配管125b連接。因此，第一流體框體122a內的氛圍係經由排氣配管125a以及共通排氣配管140被排氣，第二流體框體122b內的氛圍係經由排氣配管125b以及共通排氣配管140被排氣。

共通排氣配管140係具有連通配管142以及主配管144。連通配管142係連接第一流體框體122a的排氣配管125a、第二流體框體122b的排氣配管125b以及主配管144。第一流體框體122a內的氛圍係經由排氣配管125a、連通配管142以及主配管144被排氣。第二流體框體122b內的氛圍係經由排氣配管125b、連通配管142以及主配管144被排氣。

如圖18中的(b)所示，當在第一流體框體122a內處理液洩漏時，第一流體框體122a的漏液偵測部130p係在流體櫃120內偵測漏液。控制部102係判定流體櫃120內的漏液狀態。控制部102係因應漏液狀態來設定強制排氣量。在此，控制部102係因應漏液狀態使擋板127a的開放度增加。

另一方面，在第二流體框體122b內處理液未洩漏。因此，第二流體框體122b的漏液偵測部130p係在流體櫃120內未偵測到漏液。因此，控制部102係因應漏液狀態將擋板127b的開放度維持在固定。

如此，經由共通排氣配管140將彼此不同的第一流體框體122a以及第二流體框體122b內的氛圍排氣，藉此能以較簡易的構成將彼此被區劃的第一流體框體122a以及第二流體框體122b內的氛圍一體性地排氣。此外，如上所述，分別於第一流體框體122a以及第二流體框體122b流通的處理液亦可不同。然而，由於分別於第一流體框體122a以及第二流體框體122b流通的處理液為酸性、鹼性以及有機溶劑的任一者，故較佳為共通。在此情形中，能將於共通排氣配管140流通的排氣統一處理。

此外，在第一流體框體122a以及第二流體框體122b的容積、於第一流體框體122a以及第二流體框體122b流動的處理液的種類、溫度、用途的任一者不同之情形中，第一流體框體122a以及第二流體框體122b中的漏液的判定基準以及／或者漏液狀態的判定基準亦可不同。此外，第一流體框體122a的強制排氣條件亦可與第二流體框體122b的強制排氣條件不同。

接著，參照圖1至圖19(主要為參照圖18以及圖19)說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化以及排氣條件的變更。圖19中的(a)係顯示本實施形態的流體櫃120的第一流體框體122a的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化之圖表，圖19中的(b)係顯示本實施形態的流體櫃120的第二流體框體122b的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化之圖表。

如圖19中的(a)所示，在此，最初在第一流體框體122a內處理液未洩漏。

當經過預定時間且在第一流體框體122a內處理液開始洩漏時，偵測量係增加。例如，當偵測量超過臨限值t1a時，控制部102係將排氣條件從標準排氣條件變更成第一強制排氣條件，排氣部124a係以第一強制排氣條件將第一流體框體122a內的氛圍排氣。在此，排氣部124a係以被設定成比標準排氣量還大的第一強制排氣量的第一強制排氣條件將第一流體框體122a內的氛圍排氣。

之後，當偵測量超過臨限值t2a時，控制部102係將排氣條件從第一強制排氣條件變更成第二強制排氣條件，排氣部124a係依循第二強制排氣條件將第一流體框體122a內的氛圍排氣。在此，排氣部124a係以被設定成比第一強制排氣量還大的第二強制排氣量的第二強制排氣條件將第一流體框體122a內的氛圍排氣。

之後，當偵測量變得比臨限值t2a還低時，控制部102係將排氣條件從第二強制排氣條件變更成第三強制排氣條件，排氣部124a係依循第三強制排氣條件將第一流體框體122a內的氛圍排氣。在此，排氣部124a係以被設定成比第二強制排氣量還小且比標準排氣量還大的第三強制排氣量的第三強制排氣條件將第一流體框體122a內的氛圍排氣。

之後，當偵測量變得比臨限值t1a還低時，控制部102係將排氣條件從第三強制排氣條件變更成標準排氣條件，排氣部124a係依循標準排氣條件將第一流體框體122a內的氛圍排氣。

此外，第二流體框體122b亦可被設定成與第一流體框體122a不同的排氣條件。此外，用以判定第二流體框體122b中的排氣條件之臨限值亦可與用以判定第一流體框體122a中的排氣條件之臨限值不同。

如圖19中的(b)所示，在此，最初在第二流體框體122b內處理液未洩漏。

當經過預定時間且在第二流體框體122b內處理液開始洩漏時，偵測量係增加。當偵測量超過臨限值t1b時，控制部102係將排氣條件從標準排氣條件變更成強制排氣條件，排氣部124b係依循強制排氣條件將第二流體框體122b內的氛圍排氣。此外，臨限值t1b亦可與臨限值t1a不同。此外，排氣部124b的強制排氣條件亦可與排氣部124a的第一強制排氣條件不同。

之後，當偵測量未超過臨限值t2b時，控制部102係將排氣條件維持在強制排氣條件，排氣部124b係依循強制排氣條件將第二流體框體122b內的氛圍排氣。此外，臨限值t2b亦可與臨限值t2a不同。

之後，當偵測量變得比臨限值t1b還低時，控制部102係將排氣條件從強制排氣條件變更成標準排氣條件，排氣部124b係依循標準排氣條件將第二流體框體122b內的氛圍排氣。

如上所述，控制部102亦可因應第一流體框體122a以及第二流體框體122b個別地設定漏液的偵測、漏液狀態的判定以及／或者排氣條件。

此外，在圖18所示的流體櫃120中，雖然第一流體框體122a以及第二流體框體122b係鄰接配置，然而本實施形態並未限定於此。第一流體框體122a以及第二流體框體122b亦可配置於不同的場所。此外，在第一流體框體122a以及第二流體框體122b連接於共通排氣配管140之情形中，亦可變更於共通排氣配管140流動的排氣的排氣量。

接著，參照圖1至圖20(尤其是參照圖18至圖20)說明本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120以及共通排氣配管140。圖20中的(a)以及圖20中的(b)係本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120以及共通排氣配管140的示意圖。

如圖20中的(a)所示，流體櫃120係連接於共通排氣配管140。流體櫃120係包含第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c。在此，第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c係分離地配置。第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c係分別具有相同的構成。此外，第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c亦可鄰接地配置。

於共通排氣配管140配置有送風機構146。送風機構146係以共通排氣配管140內的氣體朝從第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c離開的方向流動之方式送風。因此，藉由送風機構146，共通排氣配管140內的氣體流通，從而能將第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c分別排氣。例如，送風機構146係具有風扇。

在此，在第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c各者內未偵測到漏液。圖19中的(a)係顯示第一流體框體122a、第二流體框體122b、第三流體框體122c以及共通排氣配管140各者的排氣量。第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c的排氣量係分別為1.0、1.0、1.0，共通排氣配管140的排氣量為3.0。

如圖20中的(b)所示，當在第一流體框體122a內處理液洩漏時，第一流體框體122a的漏液偵測部130p係在第一流體框體122a內偵測漏液。另一方面，在第二流體框體122b以及第三流體框體122c內未偵測到漏液。

在此情形中，控制部102係判定第一流體框體122a內的漏液狀態。之後，控制部102係因應漏液狀態來決定第一流體框體122a的強制排氣條件，第一流體框體122a的排氣部124係以強制排氣條件將第一流體框體122a內的氛圍排氣。此外，控制部102係維持第二流體框體122b以及第三流體框體122c的標準排氣條件，第二流體框體122b以及第三流體框體122c各者的排氣部124係以標準排氣條件將第二流體框體122b以及第三流體框體122c內的氛圍排氣。

此時，控制部102係隨著第一流體框體122a的排氣部124的排氣量的增加而使送風機構146所為的共通排氣配管140的排氣量增加。在此情形中，第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c的排氣量係分別為1.5、1.0、1.0，共通排氣配管140的排氣量為3.5。

在本實施形態中，控制部102係因應第一流體框體122a內的漏液狀態使第一流體框體122a的排氣量增加，並且使共通排氣配管140的排氣量增加。藉此，能將產生漏液的第一流體框體122a有效率地排氣。

此外，在參照圖20之上述說明中，雖然因應漏液的產生來控制送風機構146並調整共通排氣配管140的排氣量，然而本實施形態並未限定於此。亦可為不論有無產生漏液皆可不調整共通排氣配管140的排氣量。

接著，參照圖21說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖21中的(a)以及圖21中的(b)係用以說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法之示意圖。

如圖21中的(a)所示，流體櫃120係連接於共通排氣配管140。流體櫃120係包含第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c。在此，在第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c各者內未偵測到漏液。

圖21中的(a)係顯示第一流體框體122a、第二流體框體122b、第三流體框體122c以及共通排氣配管140各者的排氣量。第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c的排氣量係分別為1.0、1.0、1.0，共通排氣配管140的排氣量為3.0。

如圖21中的(b)所示，當在第一流體框體122a內處理液洩漏時，第一流體框體122a的漏液偵測部130p係在第一流體框體122a內偵測漏液。另一方面，在第二流體框體122b以及第三流體框體122c內處理液未洩漏。

在此情形中，控制部102係判定第一流體框體122a內的漏液狀態。之後，控制部102係因應漏液狀態來決定第一流體框體122a的強制排氣條件，第一流體框體122a的排氣部124係以強制排氣條件將第一流體框體122a內的氛圍排氣。此外，控制部102係維持第二流體框體122b以及第三流體框體122c的標準排氣條件，第二流體框體122b以及第三流體框體122c各者的排氣部124係以標準排氣條件將第二流體框體122b以及第三流體框體122c內的氛圍排氣。

在此，控制部102係不使送風機構146所為的共通排氣配管140的排氣量增加。因此，第一流體框體122a的排氣量係增加，第二流體框體122b以及第三流體框體122c的排氣量係減少。例如，第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c的排氣量係分別為1.4、0.8、0.8，共通排氣配管140的排氣量係被維持在3.0。

在本實施形態中，控制部102係因應第一流體框體122a內的漏液狀態使第一流體框體122a的排氣量增加，並且使第二流體框體122b以及第三流體框體122c的排氣量減少。藉此，能將產生漏液的第一流體框體122a有效率地排氣而不會使送風機構146的負擔增加。

此外，在參照圖20以及圖21之上述說明中，雖然第一流體框體122a至第三流體框體122c具有同樣的構成，然而本實施形態並未限定於此。第一流體框體122a至第三流體框體122c亦可具有不同的構成。例如，第一流體框體122a至第三流體框體122c的容積亦可不同。

此外，在參照圖20以及圖21之上述說明中，雖然於共通排氣配管140連接有具備處理液配管132的第一流體框體122a至第三流體框體122c，然而本實施形態並未限定於此。亦可於共通排氣配管140連接有未具備處理液配管132的櫃(cabinet)。

接著，參照圖22說明本實施形態的基板處理裝置100。圖22中的(a)以及圖22中的(d)係本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120、共通排氣配管140以及仿真櫃150的示意圖。圖22中的(b)係本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120的示意圖，圖22中的(c)係本實施形態的基板處理裝置100中的仿真櫃150的示意圖。

如圖22中的(a)所示，於共通排氣配管140連接有流體櫃120以及仿真櫃150。能藉由共通排氣配管140將流體櫃120內的氛圍以及仿真櫃150內的氛圍排氣。

流體櫃120係包含第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c。第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c係至少具有處理液配管132。另一方面，仿真櫃150係未具備處理液配管132。

在此，第一流體框體122a至第三流體框體122c係具有相同的構成。因此，第一流體框體122a至第三流體框體122c的容積係彼此相等。另一方面，仿真櫃150的容積係比第一流體框體122a至第三流體框體122c的容積還小。在此，在第一流體框體122a、第二流體框體122b以及第三流體框體122c各者內未偵測到漏液。

圖22中的(a)係顯示第一流體框體122a、第二流體框體122b、第三流體框體122c、仿真櫃150以及共通排氣配管140各者的排氣量。例如，第一流體框體122a、第二流體框體122b、第三流體框體122c以及仿真櫃150的排氣量係分別為1.0、1.0、1.0、0.5，共通排氣配管140的排氣量為3.5。

如圖22中的(b)所示，第一流體框體122a係具備框體122、吸氣口123、排氣部124、漏液偵測部130p、處理液配管132以及調製槽134，還進一步具備泵136a、調溫機器136b以及過濾器136c。此外，第一流體框體122a的構成係與參照圖16所述的流體櫃120相同，因此在此省略詳細的說明。此外，第二流體框體122b以及第三流體框體122c的構成亦與第一流體框體122a的構成相同。

如圖22中的(c)所示，仿真櫃150係具備框體152、吸氣口153以及排氣部154。在此，與第一流體框體122a至第三流體框體122c不同，於仿真櫃150並未流通處理液。

排氣部154係具有排氣配管155以及排氣量調整機構156。在將框體152內的氛圍排氣時，框體152內的氣體係於排氣配管155流動並被排出至外部。

排氣量調整機構156係調整於排氣配管155流動的氣體的流通量(排氣量)。能藉由排氣量調整機構156將於排氣配管155流動的排氣量增加或者少。

然而，仿真櫃150亦可具備漏液偵測部130p。在仿真櫃150具備漏液偵測部130p之情形中，能偵測處理液已經由吸氣口153進入至仿真櫃150內。

如圖22中的(d)所示，當在第一流體框體122a內處理液洩漏時，第一流體框體122a的漏液偵測部130p係在第一流體框體122a內偵測漏液。另一方面，在第二流體框體122b以及第三流體框體122c內處理液未洩漏。

在此情形中，控制部102係判定第一流體框體122a內的漏液狀態。之後，控制部102係因應漏液狀態來決定第一流體框體122a的強制排氣條件，第一流體框體122a的排氣部124係以強制排氣條件將第一流體框體122a內的氛圍排氣。此外，控制部102係維持第二流體框體122b以及第三流體框體122c的標準排氣條件，第二流體框體122b以及第三流體框體122c各者的排氣部124係以標準排氣條件將第二流體框體122b以及第三流體框體122c內的氛圍排氣。

再者，控制部102係伴隨著將第一流體框體122a的排氣條件從標準排氣條件變更成強制排氣條件，停止驅動仿真櫃150的排氣部154。因此，即使控制部102不使送風機構146的共通排氣配管140的排氣量增加，亦能增加第一流體框體122a的排氣量。例如，如圖22中的(d)所示，第一流體框體122a、第二流體框體122b、第三流體框體122c以及仿真櫃150的排氣量係分別為1.5、1.0、1.0、0.5，共通排氣配管140的排氣量被維持在3.5。

在本實施形態中，控制部102係因應第一流體框體122a內的漏液狀態使第一流體框體122a的排氣量增加，另一方面則是使仿真櫃150的排氣量減少。藉此，能將產生漏液的第一流體框體122a有效率地排氣而不會使送風機構146的負擔增加。

此外，在圖18、圖20至圖22所示的基板處理裝置100中，雖然流體櫃120係直接連接於共通排氣配管140，然而本實施形態並未限定於此。流體櫃120亦可經由仿真櫃150連接於共通排氣配管140。

接著，參照圖23說明本實施形態的基板處理裝置100。圖23係本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120、共通排氣配管140以及仿真櫃150的示意圖。

如圖23所示，於共通排氣配管140連接有仿真櫃150，於仿真櫃150連接有流體櫃120。在此，流體櫃120係包含第一流體框體122a至第三流體框體122c。第一流體框體122a至第三流體框體122c係連接於仿真櫃150。如此，流體櫃120係經由仿真櫃150連接於共通排氣配管140，藉此共通排氣配管140亦可與流體櫃120以及仿真櫃150各者連接。

接著，參照圖1至圖24(主要為參照圖23以及圖24)說明本實施形態的基板處理裝置100。圖24中的(a)以及圖24中的(b)係本實施形態的基板處理裝置100中之連接有第一流體框體122a至第三流體框體122c的排氣配管125a至125c之仿真櫃150的示意圖。

如圖24中的(a)所示，仿真櫃150係連接於第一流體框體122a至第三流體框體122c。詳細而言，仿真櫃150係連接於第一流體框體122a至第三流體框體122c。此外，仿真櫃150係連接於共通排氣配管140。

排氣部154係具有排氣配管155以及擋板157。排氣配管155係配置於框體152內。將框體152內的氛圍排氣時，框體152內的空氣係於排氣配管155流動。擋板157係控制排氣配管155的開放度。擋板157係作為排氣配管155的排氣量調整機構而發揮作用。

於第一流體框體122a至第三流體框體122c的排氣配管125a至125c流動的排氣係流入至仿真櫃150的框體152內的排氣配管155。因此，排氣配管155係將經由第一流體框體122a至第三流體框體122c的排氣配管125a至125c流入的氣體與經由擋板157流入的氣體一起排出至外部。

例如，第一流體框體122a、第二流體框體122b、第三流體框體122c以及經由擋板157之排氣配管155的排氣量係分別為1.0、1.0、1.0、0.5，共通排氣配管140的排氣量為3.5。

如圖24中的(b)所示，當在第一流體框體122a內處理液洩漏時，第一流體框體122a的漏液偵測部130p係在第一流體框體122a內偵測漏液。另一方面，在第二流體框體122b以及第三流體框體122c內處理液未洩漏。

在此情形中，控制部102係判定第一流體框體122a內的漏液狀態。之後，控制部102係因應漏液狀態來決定第一流體框體122a的強制排氣條件，第一流體框體122a的排氣部124係以強制排氣條件將第一流體框體122a內的氛圍排氣。此外，控制部102係維持第二流體框體122b以及第三流體框體122c的標準排氣條件，第二流體框體122b以及第三流體框體122c各者的排氣部124係以標準排氣條件將第二流體框體122b以及第三流體框體122c內的氛圍排氣。

再者，控制部102係伴隨著將第一流體框體122a的排氣條件從標準排氣條件變更成強制排氣條件，而將經由擋板157之排氣配管155的排氣量減少。控制部102係進一步地將擋板157的開放度控制成較窄，藉此排氣部154係能維持整體的排氣量，控制部102亦可不使送風機構146所為之共通排氣配管140的排氣量增加。例如，第一流體框體122a、第二流體框體122b、第三流體框體122c以及經由擋板157之排氣配管155的排氣量係分別為1.4、1.0、1.0、0.1，共通排氣配管140的排氣量亦可維持在3.5。藉此，能將產生漏液的第一流體框體122a有效率地排氣而不會使送風機構146的負擔增加。

此外，在參照圖7至圖24之上述說明中，雖然說明了偵測到漏液作為在流體櫃120內產生的異常之形態，然而亦可偵測到排氣壓的降低作為流體櫃120內的異常。

接著，參照圖1至圖25說明本實施形態的基板處理裝置100。圖25係基板處理裝置100的方塊圖。圖25所示的基板處理裝置100係排除具備用以偵測流體櫃120內的排氣壓之排氣壓偵測部130q來取代異常偵測部130之外，具有與圖4所示的基板處理裝置100同樣的構成，為了避免冗長故省略重複的說明。

如圖25所示，基板處理裝置100係具備排氣壓偵測部130q。排氣壓偵測部130q係偵測流體櫃120內的排氣壓。例如，在外部配管產生問題之情形中，會有流體櫃120內的排氣壓降低之情形。或者，在增加連接於共通配管之配管的數量之情形中，會有流體櫃120內的排氣壓降低之情形。在此情形中，能藉由排氣壓偵測部130q偵測流體櫃120內的排氣壓的降低。

例如，排氣壓偵測部130q係包含微差壓計或者壓力計。排氣壓偵測部130q亦可藉由流體櫃120內的氣壓與用以連通流體櫃120與外部之排氣配管125的氣壓之間的差分來偵測流體櫃120內的排氣壓的降低。

此外，在參照圖7至圖24之上述說明中，雖然說明偵測到漏液作為在流體櫃120內產生的異常之形態，然而不用說同樣能夠應用於偵測排氣壓的降低作為在流體櫃120內的異常之形態。

接著，參照圖1至圖26說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖26係本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法之流程圖。

如圖26所示，在步驟S102中，以被設定成標準排氣量的標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件，排氣部124係依循標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。

在步驟S104中，判定是否在流體櫃120內偵測到排氣壓的降低。在流體櫃120內的排氣壓已經降低之情形中，排氣壓偵測部130q係偵測流體櫃120內的排氣壓的降低。

在流體櫃120內未偵測到排氣壓的降低之情形中(在步驟S104中為否)，處理係返回至步驟S102。藉此，排氣部124係能依循標準排氣條件一邊將流體櫃120內的氛圍排氣一邊反復異常的偵測判定。另一方面，在流體櫃120內偵測到排氣壓的降低之情形中(在步驟S104為是)，處理係前進至步驟S106。

在步驟S106中，控制部102係判定流體櫃120內的排氣壓的降低狀態。控制部102係基於排氣壓偵測部130q的偵測結果來判定流體櫃120內的排氣壓的降低狀態。例如，控制部102亦可因應基於排氣壓偵測部130q的偵測結果的偵測量來判定流體櫃120內的排氣壓的降低狀態。

在步驟S108中，控制部102係決定強制排氣條件。控制部102係從複數個強制排氣條件決定因應了排氣壓的降低狀態的強制排氣條件。複數個強制排氣條件係被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量。例如，控制部102係從兩個階段的強制排氣條件決定因應了排氣壓的降低狀態的強制排氣條件。或者，控制部102係從三個以上的階段的強制排氣條件決定因應了排氣壓的降低狀態的強制排氣條件。

在步驟S110中，控制部102係依循所決定的強制排氣條件來控制排氣部124，將流體櫃120內的氛圍排氣。因此，流體櫃120係被強制排氣。

在步驟S112中，再次判定是否在流體櫃120內偵測排氣壓的降低。在流體櫃120內尚未完成處理液的排氣之情形中，排氣壓偵測部130q係偵測排氣壓的降低。

在流體櫃120內偵測到排氣壓的降低之情形中(在步驟S112中為是)，處理係返回至步驟S110。在此情形中，排氣部124係持續流體櫃120的強制排氣。在流體櫃120內未偵測到排氣壓的降低之情形中(在步驟S112中為否)，處理係前進至步驟S114。

在步驟S114中，判定是否結束排氣處理。控制部102係在接到用以結束排氣處理之意旨的指示之情形中，結束排氣處理。或者，在進行基板處理裝置100整體的維護之情形中，控制部102係結束排氣處理。

在尚未結束排氣處理之情形中(在步驟S114中為否)，處理係返回至步驟S102。在此情形中，排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。另一方面，在判定成結束排氣處理之情形中(在步驟S114中為是)，結束處理。

接著，參照圖27說明實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖27中的(a)係本實施形態的基板處理裝置100中的流體櫃120的示意圖，圖27中的(b)係顯示本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法中的排氣壓的時間性變化之圖表。

如圖27中的(a)所示，流體櫃120係具有框體122、吸氣口123、排氣部124以及排氣壓偵測部130q。藉由框體122區劃流體櫃120。於框體122設置有吸氣口123以及排氣部124。此外，框體122係收容排氣壓偵測部130q。排氣壓偵測部130q係偵測流體櫃120內的排氣壓。

框體122係具有能夠開閉的門122d。打開門122d，藉此作業者能進入至框體122內。

於框體122設置有吸氣口123。外部空氣係從吸氣口123被吸入至框體122內。在此，吸氣口123係設置於門122d。

排氣部124係將框體122內的氛圍排氣。排氣部124係能使每單位時間的排氣量變化並將框體122內的氛圍排氣。

排氣部124係具有排氣配管125以及排氣量調整機構126。典型而言，流體櫃120內的氣壓係比經由排氣配管125之外部的氣壓還高。在將框體122內的氛圍排氣時，框體122內的氣體係於排氣配管125流動並被排出至外部。在此，排氣壓偵測部130q係配置於排氣配管125。排氣壓偵測部130q係位於比排氣量調整機構126還上游側。排氣壓偵測部130q係偵測從框體122經由排氣量調整機構126於排氣配管125流動的排氣的排氣壓。

排氣量調整機構126係調整於排氣配管125流動的氣體的流通量(排氣量)。能藉由排氣量調整機構126增加或者降低於排氣配管125流動的排氣量。例如，調整排氣量調整機構126使排氣配管125的開放度增加，藉此能增加於排氣配管125流動的排氣量。

如圖27中的(b)所示，排氣壓係在標準排氣條件中被設定成目標值Gv。理想來說，在標準排氣條件中排氣壓係被維持在目標值Gv。然而，即使在此種情形中，排氣壓亦可相對於目標值Gv稍微地變動。

當與流體櫃120的排氣配管125連接的排氣源產生問題時，流體櫃120內的排氣壓會降低。例如，當排氣壓低於第一臨限值Tv1時，控制部102係將排氣條件從標準排氣條件變更成第一強制排氣條件，排氣部124係依循第一強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，排氣部124係以被設定成比標準排氣量還使排氣配管125的開放度增加的第一強制排氣量之第一強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。

之後，當排氣壓低於第二臨限值Tv2時，控制部102係將排氣條件從第一強制排氣條件變更成第二強制排氣條件，排氣部124係依循第二強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，排氣部124係以被設定成使排氣配管125的開放度進一步地增大的第二強制排氣量之第二強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。

如此，當排氣壓偵測部130q偵測到排氣壓變成比第一臨限值Tv1還低時，控制部102係判定異常狀態並以排氣配管125的開放度增大之方式控制排氣量調整機構126。此外，當排氣壓偵測部130q偵測到排氣壓變成比第二臨限值Tv2還低時，控制部102係判定異常狀態並以排氣配管125的開放度進一步地增大之方式控制排氣量調整機構126。此外，在排氣配管125的開放度增加從而排氣壓返回至目標值Gv之情形中，控制部102亦可以恢復排氣配管125的開放度之方式控制排氣量調整機構126。

接著，參照圖28說明實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖28中的(a)至圖28中的(c)係用以說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法之示意圖。

接著，參照圖1至圖28說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖28中的(a)至圖28中的(c)係用以說明本實施形態的流體櫃120的排氣之示意圖。

如圖28中的(a)所示，流體櫃120內的氛圍係以被設定成標準排氣量的標準排氣條件被排氣。控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件。例如，標準排氣條件係基於在流體櫃120內的處理液配管132流動的處理液的種類或者在配管流動的處理液的流量而被設定。

排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。隨著排氣部124的排氣，空氣係從吸氣口123被吸氣至流體櫃120內。能藉由標準排氣抑制框體122內的氛圍洩漏至框體122的外部。

如圖28中的(b)所示，當流體櫃120內排氣壓降低時，排氣部124係以被設定成排氣量比標準排氣量還大的強制排氣量之強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。詳細而言，當在流體櫃120內排氣壓降低時，排氣壓偵測部130q係偵測流體櫃120內的排氣壓的降低。控制部102係基於排氣壓偵測部130q的偵測結果來判定流體櫃120內的排氣壓的降低狀態。控制部102係因應排氣壓的降低狀態來決定強制排氣條件。例如，強制排氣條件係基於在流體櫃120內的處理液配管132流動的處理液的種類或者在處理液配管132流動的處理液的流量以及排氣壓的降低狀態的組合而被設定。排氣部124係依循所決定的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。

在此，排氣壓偵測部130q係在流體櫃120內偵測較小程度的排氣壓的降低。在此情形中，控制部102係因應排氣壓的降低狀態來決定被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣部124，藉此排氣部124係將流體櫃120內的氛圍排氣。

如圖28中的(c)所示，當在流體櫃120內排氣壓大幅地降低時，排氣部124係以被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，當排氣壓偵測部130q在流體櫃120內偵測到排氣壓大幅地降低時，控制部102係因應排氣壓的降低狀態來決定被設定成更大的強制排氣量的強制排氣條件。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣部124，藉此排氣部124係將流體櫃120內的氛圍強制性地排氣。

如上所述，依據本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法，能因應流體櫃120內的排氣壓的降低狀態來控制排氣部124的排氣量。因此，能因應流體櫃120內排氣壓的降低適當地將流體櫃120內的氛圍排氣。

此外，在參照圖28之上述說明中，雖然流體櫃120內的排氣壓的降低狀態以及強制排氣條件係被區分成兩個階段，然而本實施形態並未限定於此。流體櫃120內的排氣壓的降低狀態以及強制排氣條件亦可被區分成三個以上的多個階段。

接著，參照圖29說明本實施形態的基板處理裝置100中的排氣部124的動作。圖29中的(a)至圖29中的(d)係用以說明本實施形態的基板處理裝置100中的排氣部124以及／或者流體櫃120之示意圖。

如圖29中的(a)所示，排氣部124係具有排氣配管125以及排氣量調整機構126。排氣量調整機構126係配置於排氣配管125內。在此，排氣壓偵測部130q亦配置於排氣配管125內。排氣壓偵測部130q係偵測相對於排氣量調整機構126的旋轉軸126r為框體122側的氣壓。排氣量調整機構126係以旋轉軸126r作為中心旋轉。能藉由排氣量調整機構126的旋轉來調整排氣配管125的開放度。

此外，排氣量調整機構126亦可滑動，而不是以旋轉軸126r作為中心旋轉。

如圖29中的(b)所示，排氣部124係具有排氣配管125以及排氣量調整機構126，排氣量調整機構126係能夠相對於排氣配管125滑動。排氣量調整機構126係配置於排氣配管125內。排氣量調整機構126係以局部地遮住排氣配管125的至少一部分之方式配置。在此，排氣壓偵測部130q係相對於排氣量調整機構126的旋轉軸126r位於框體122側。排氣量調整機構126滑動，藉此能調整排氣配管125的開放度。

此外，在參照圖15之上述說明中，雖然排氣部124係具有位於框體122的下方側的供氣部128，然而本實施形態並未限定於此。

如圖29中的(c)所示，排氣部124係具有排氣配管125以及供氣部128u。供氣部128u係位於框體122的上方。供氣部128u係對框體122供給氣體。供氣部128u亦可形成所謂的降流。供氣部128u係基於排氣壓偵測部130q的偵測結果來變更供氣量。因應來自供氣部128u的供氣量來變更排氣部124的排氣壓。

在流體櫃120內的排氣壓為目標值Gv之情形中，供氣部128u係以標準供氣量對流體櫃120內供給氣體。在此情形中，流體櫃120內的氛圍係以被設定成標準排氣量的標準排氣條件被排氣。

當在流體櫃120內偵測到排氣壓的降低時，供氣部128u係以供氣量比標準供氣量還大的強制供氣量供氣。在此情形中，流體櫃120係以被設定成排氣量比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件被排氣。

例如，當排氣壓偵測部130q在流體櫃120內偵測到較小程度的排氣壓的降低時，控制部102係因應排氣壓的降低狀態來決定被設定成比標準供氣量還大的強制供氣量的強制供氣條件。控制部102係以所決定的強制供氣條件來控制排氣部124，藉此排氣部124係將流體櫃120內的氛圍排氣。

再者，當排氣壓偵測部130q在流體櫃120內偵測到較大程度的排氣壓的降低時，控制部102係因應排氣壓的降低狀態來決定被設定成更大的強制供氣量的強制供氣條件。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣部124，藉此排氣部124係將流體櫃120內的氛圍強制性地排氣。

此外，在上述說明中，雖然排氣配管125係直線狀地延伸，然而本實施形態並未限定於此。排氣配管125亦可從中途分支。

如圖29中的(d)所示，排氣部124係具有排氣配管125以及排氣量調整機構126。排氣配管125係具有本體配管125p以及分支配管125q。本體配管125p係於鉛直方向直線狀地延伸。本體配管125p係從本體配管125p分支。本體配管125p與分支配管125q之間的分支點係位於比排氣量調整機構126還下游側。因此，能藉由排氣量調整機構126調整於本體配管125p流動的排氣量，另一方面藉由分支配管125q將固定量的氣體排氣而不會受到排氣量調整機構126的影響。

分支配管125q係從本體配管125p朝斜上方延伸。分支配管125q的通路的剖面積係比本體配管125p的通路的剖面積還小。此外，亦可於分支配管125q另外設置送風機構。

在參照圖27以及圖28之上述說明中，雖然排氣部124變更用以連通流體櫃120與外部之排氣配管125的開放度，然而本實施形態並未限定於此。排氣部124亦可具有用以對流體櫃120供給氣體之供氣部。

接著，參照圖30說明實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖30中的(a)至圖30中的(c)係用以說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法之示意圖。

接著，參照圖1至圖30說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖30中的(a)至圖30中的(c)係用以說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法之示意圖。圖30所示的流體櫃120係排除進一步地具備供氣部128之外，具有與圖28所示的流體櫃120同樣的構成，為了避免冗長故省略重複的說明。

如圖30中的(a)所示，在此，排氣部124係具有排氣配管125、排氣量調整機構126以及供氣部128。供氣部128係安裝於吸氣口123。供氣部128係包含例如風扇。排氣量調整機構126係能調整排氣配管125的開放度。控制排氣量調整機構126以及供氣部128的至少一者，藉此能調整從流體櫃120排氣至外部的排氣量。此外，排氣量調整機構126亦可在開始驅動基板處理裝置100後將排氣配管125的開放度維持成固定。

流體櫃120內的氛圍係以被設定成標準排氣量的標準排氣條件被排氣。控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件。在流體櫃120的排氣壓被維持在目標值Gv之情形中，供氣部128係以標準供氣量對流體櫃120供給氣體。此外，供氣部128亦可不被驅動。

排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。伴隨著排氣部124的排氣，空氣係從吸氣口123被吸氣至流體櫃120內。能藉由標準排氣來抑制框體122內的氛圍洩漏至框體122的外部。

如圖30中的(b)所示，當在流體櫃120內來自流體櫃120的排氣壓降低時，排氣部124係以被設定成排氣量比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。詳細而言，當流體櫃120內的排氣壓降低時，排氣壓偵測部130q係偵測流體櫃120內的排氣壓的降低。控制部102係基於排氣壓偵測部130q的偵測結果來判定流體櫃120內的排氣壓的降低狀態。控制部102係因應排氣壓的降低狀態來決定強制排氣條件。詳細而言，控制部102係控制供氣部128，使供氣部128以比標準供氣量還大的強制供氣量供給氣體。藉此，排氣部124係將流體櫃120內的氛圍排氣。

在此，排氣壓偵測部130q係在流體櫃120內偵測排氣壓較小地降低。在此情形中，控制部102係因應排氣壓的降低狀態來決定被設定成比標準供氣量還大的強制供氣量的強制供氣條件。控制部102係以所決定的強制供氣條件來控制供氣部128，藉此流體櫃120內的氛圍係被強制性地排氣。

如圖30中的(c)所示，當在流體櫃120內排氣壓大幅地降低時，排氣部124係以被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量的強制供氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，當排氣壓偵測部130q偵測到在流體櫃120內排氣壓大幅地降低時，控制部102係因應排氣壓的降低狀態來決定被設定成更大的強制供氣量的強制供氣條件。控制部102係以所決定的強制供氣條件來控制供氣部128。藉此，能將流體櫃120內的氛圍強制性地排氣。

如上所述，依據本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法，能因應流體櫃120內的排氣壓的降低狀態來控制排氣部124的排氣量。因此，能因應流體櫃120內的排氣壓的降低適當地將流體櫃120內的氛圍排氣。

接著，參照圖31說明實施形態的流體櫃120的排氣控制方法。圖31中的(a)至圖31中的(c)係用以說明本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法之示意圖。圖31所示的流體櫃120係排除進一步具備分支配管125q以及排氣風扇129之外，具有與圖28所示的流體櫃120同樣的構成，為了避免冗長故省略重複的說明。

如圖31中的(a)所示，在此，排氣部124係具有排氣配管125、排氣量調整機構126以及排氣風扇129。排氣配管125係具有本體配管125p以及分支配管125q。本體配管125p係直線狀地延伸。分支配管125q係從本體配管125p的中途分支。排氣量調整機構126係調整排氣配管125的開放度。排氣量調整機構126係位於比本體配管125p的分支點還上游側。排氣風扇129係使來自流體櫃120的排氣量增加。排氣風扇129係位於分支配管125q。控制排氣量調整機構126以及排氣風扇129的至少一者，藉此能調整從流體櫃120排氣至外部的排氣量。此外，排氣量調整機構126亦可在開始驅動基板處理裝置100後將排氣配管125的開放度維持成固定。

流體櫃120內的氛圍係以被設定成標準排氣量的標準排氣條件被排氣。控制部102係將排氣條件設定成標準排氣條件。在流體櫃120的排氣壓被維持在目標值Gv之情形中，排氣風扇129係以標準排氣量將流體櫃120內的氛圍排氣。此外，在此情形中，排氣風扇129亦可不驅動。

排氣部124係以標準排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。伴隨著排氣部124的排氣，空氣係從吸氣口123被吸氣至流體櫃120內。能藉由標準排氣抑制框體122內的氛圍洩漏至框體122的外部。

如圖31中的(b)所示，當在流體櫃120內來自流體櫃120的排氣壓降低時，排氣部124係以被設定成排氣量比標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。詳細而言，當流體櫃120內的排氣壓降低時，排氣壓偵測部130q係偵測流體櫃120內的排氣壓的降低。控制部102係基於排氣壓偵測部130q的偵測結果來判定流體櫃120內的排氣壓的降低狀態。控制部102係因應排氣壓的降低狀態來決定被設定成比排氣風扇129的標準排氣量還大的強制排氣量的強制排氣條件。詳細而言，控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣風扇129，藉此排氣部124係將流體櫃120內的氛圍排氣。排氣部124係依循所決定的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。

在此，排氣壓偵測部130q係偵測在流體櫃120內排氣壓較小地降低。在此情形中，控制部102係因應排氣壓的降低狀態來決定被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量之排氣風扇129的強制排氣條件。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣風扇129，藉此排氣風扇129係將流體櫃120內的氛圍排氣。

如圖31中的(c)所示，當在流體櫃120內排氣壓大幅地降低時，排氣部124係以被設定成比標準排氣量還大的強制排氣量之排氣風扇129的強制排氣條件將流體櫃120內的氛圍排氣。在此，當排氣壓偵測部130q在流體櫃120內偵測到排氣壓大幅地降低時，控制部102係因應排氣壓的降低狀態來決定被設定成更大的強制排氣量之排氣風扇129的強制排氣條件。控制部102係以所決定的強制排氣條件來控制排氣風扇129，藉此排氣風扇129係能將流體櫃120內的氛圍強制性地排氣。

如上所述，依據本實施形態的流體櫃120的排氣控制方法，能因應流體櫃120內的排氣壓的降低狀態來控制排氣部124的排氣量。因此，能因應在流體櫃120內洩漏的處理液的量適當地將流體櫃120內的氛圍排氣。

以上已參照圖式說明本發明的實施形態。然而，本發明並未限定於上述實施形態，在未逸離本發明的精神範圍內可在各種態樣中實施。此外，藉由適當地組合上述實施形態所揭示之複數個構成要素，可形成各種發明。例如，亦可將實施形態所示的全部的構成要素中的某幾個構成要素刪除。再者，亦可適當地組合不同的實施形態中的構成要素。為了容易理解本發明，圖式係將各個構成要素主體性且示意性地顯示，且所圖示的各個構成要素的厚度、長度、個數、間隔等亦會有因為圖式繪製的關係而與實際不同之情形。此外，上述實施形態所示的各個構成要素的材質、形狀、尺寸等係一例，並未特別限定，在未實質性地逸離本發明的功效之範圍內可進行各種變更。 [產業可利用性]

本發明適合使用於流體櫃的排氣。

10:基板處理單元 12:腔室 20:基板保持部 21:自轉基座 22:夾具構 23:軸 24:電動馬達 25:殼體 30:處理液供給部 32:配管 34:閥 36:噴嘴 80:罩杯 100:基板處理裝置 101:控制裝置 102:控制部 104:記憶部 110:流體箱 120:流體櫃 122,152:框體 122a:第一流體框體 122b:第二流體框體 122c:第三流體框體 122d:門 123:吸氣口 124,124a.124b,154:排氣部 125,125a,125b,155:排氣配管 125p:本體配管 125q:分支配管 126:排氣量調整機構 126r:旋轉軸 127,127a,127b,157:擋板 128:供給部 128u:供氣部 129:排氣風扇 130:異常偵測部 130p:漏液偵測部 130q:排氣壓偵測部 132:處理液配管 132a:上游側處理液配管 132b:下游側處理液配管 132p:流入口 132q:流出口 134:調製槽 136a:泵 136b:調溫機器 136c:過濾器 136d:流量計 136e:流量計 140:共通排氣配管 142:連通配管 144:主配管 146:送風機構 150:仿真櫃 Ax:旋轉軸 BW:交界壁 CR:中心機器人 Gv:目標值 IR:索引機器人 LP:裝載埠 t1,t1s,t2,t2s:臨限值 Ta,Tb,Tc:預定時間 Tv1:第一臨限值 Tv2:第二臨限值 TW:塔 W:基板 Wa:上表面 Wb:背面

[圖1]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。 [圖2]係本實施形態的基板處理裝置中的基板處理單元的示意圖。 [圖3]係本實施形態的基板處理裝置中的流體櫃的示意圖。 [圖4]係本實施形態的基板處理裝置的方塊圖。 [圖5]中的(a)至(c)係用以說明本實施形態的流體櫃的排氣控制方法之示意圖。 [圖6]係本實施形態的流體櫃的排氣控制方法的流程圖。 [圖7]係本實施形態的基板處理裝置的方塊圖。 [圖8]中的(a)至(c)係用以說明本實施形態的流體櫃的排氣控制方法之示意圖。 [圖9]中的(a)以及(b)係顯示本實施形態的流體櫃的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化之圖表。 [圖10]係本實施形態的流體櫃的排氣控制方法的流程圖。 [圖11]中的(a)以及(b)係顯示本實施形態的流體櫃的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化之圖表。 [圖12]係本實施形態的流體櫃的排氣控制方法的流程圖。 [圖13]中的(a)以及(b)係顯示本實施形態的流體櫃的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化之圖表。 [圖14]中的(a)至(c)係用以說明本實施形態的流體櫃的排氣控制方法之示意圖。 [圖15]中的(a)至(c)係用以說明本實施形態的流體櫃的排氣控制方法之示意圖。 [圖16]係本實施形態的基板處理裝置中的流體櫃的示意圖。 [圖17]中的(a)以及(b)係本實施形態的基板處理裝置中的流體櫃的示意圖。 [圖18]中的(a)以及(b)為本實施形態的基板處理裝置中的流體櫃的示意圖。 [圖19]中的(a)以及(b)係顯示本實施形態的流體櫃的排氣控制方法中的偵測量的時間性變化之圖表。 [圖20]中的(a)以及(b)係本實施形態的基板處理裝置中的流體櫃以及共通排氣配管的示意圖。 [圖21]中的(a)以及(b)係本實施形態的基板處理裝置中的流體櫃以及共通排氣配管的示意圖。 [圖22]中的(a)係本實施形態的基板處理裝置中的流體櫃、仿真櫃以及共通排氣配管的示意圖，(b)係本實施形態的基板處理裝置中的流體櫃的示意圖，(c)係本實施形態的基板處理裝置中的仿真櫃的示意圖，(d)係本實施形態的基板處理裝置中的流體櫃、仿真櫃以及共通排氣配管的示意圖。 [圖23]係本實施形態的基板處理裝置中的流體櫃、仿真櫃以及共通排氣配管的示意圖。 [圖24]中的(a)以及(b)係本實施形態的基板處理裝置中的仿真櫃的示意圖。 [圖25]係本實施形態的基板處理裝置的方塊圖。 [圖26]係本實施形態的流體櫃的排氣控制方法的流程圖。 [圖27]中的(a)係本實施形態的基板處理裝置中的流體櫃的示意圖，(b)係本實施形態的流體櫃的排氣控制方法中的排氣壓的時間性變化之圖表。 [圖28]中的(a)至(c)係用以說明本實施形態的流體櫃的排氣之示意圖。 [圖29]中的(a)至(d)係用以說明本實施形態的基板處理裝置中的排氣部的動作之示意圖。 [圖30]中的(a)至(c)係用以說明本實施形態的流體櫃的排氣控制方法之示意圖。 [圖31]中的(a)至(c)係用以說明本實施形態的流體櫃的排氣控制方法之示意圖。

Claims (22)

1. 一種流體櫃的排氣控制方法，係用以將被流體櫃區劃的空間內的氛圍排氣，前述流體櫃係配置有流體配管，前述流體配管係供被供給至基板處理單元的流體流通；前述流體櫃的排氣控制方法係包含：標準排氣工序，係以標準排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣；異常偵測工序，係偵測前述流體櫃內的氛圍的異常；異常狀態判定工序，係基於前述異常偵測工序中的偵測結果來判定前述流體櫃內的氛圍的異常狀態；強制排氣條件決定工序，係基於前述異常狀態判定工序中的判定結果來決定被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大的排氣量的強制排氣條件；以及強制排氣工序，係以在前述強制排氣條件決定工序中所決定的前述強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣；前述強制排氣工序係包含：第一強制排氣工序，係從前述標準排氣工序移行，以第一強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣，前述第一強制排氣條件係被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大的第一強制排氣量；以及第二強制排氣工序，係從前述標準排氣工序移行至前述第一強制排氣工序後再經過預定時間後，在前述流體櫃內未偵測到氛圍的異常時以第二強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣，前述第二強制排氣條件係被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大且比前述第一強制排氣量還小的第二強制排氣量。
2. 如請求項1所記載之流體櫃的排氣控制方法，其中前述異常偵測工序係包含：漏液偵測工序，係偵測在前述流體櫃內產生的漏液；前述異常狀態判定工序係包含：漏液狀態判定工序，係基於前述漏液偵測工序中的偵測結果來判定前述流體櫃內的漏液狀態。
3. 如請求項1所記載之流體櫃的排氣控制方法，其中前述異常偵測工序係包含：排氣壓降低偵測工序，係偵測前述流體櫃內的排氣壓的降低；前述異常狀態判定工序係包含：排氣壓降低狀態判定工序，係基於前述排氣壓降低偵測工序中的偵測結果來判定前述流體櫃的排氣壓的降低狀態。
4. 如請求項1至3中任一項所記載之流體櫃的排氣控制方法，其中在前述標準排氣工序中，前述標準排氣條件係基於在前述流體櫃內的前述流體配管流動的流體的種類或者在前述流體配管流動的流體的流量來設定。
5. 如請求項1至3中任一項所記載之流體櫃的排氣控制方法，其中前述強制排氣工序係包含下述工序：基於在前述強制排氣工序中所判定的前述流體櫃內的氛圍的異常狀態的時間性變化來判定是否將用以將前述流體櫃內的氛圍排氣之排氣條件返回至前述標準排氣條件。
6. 如請求項1至3中任一項所記載之流體櫃的排氣控制方法，其中在前述異常偵測工序中偵測到前述流體櫃內的氛圍的異常時，在前述強制排氣工序中使連接於與前述流體櫃共通的共通排氣配管之仿真櫃的排氣量降低至比前述標準排氣工序的排氣量還低，並且使前述流體櫃的排氣量增加至比前述標準排氣工序的排氣量還高。
7. 一種流體櫃的排氣控制方法，係用以將被流體櫃區劃的空間內的氛圍排氣，前述流體櫃係配置有流體配管，前述流體配管係供被供給至基 板處理單元的流體流通；前述流體櫃的排氣控制方法係包含：標準排氣工序，係以標準排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣；異常偵測工序，係偵測前述流體櫃內的氛圍的異常；異常狀態判定工序，係基於前述異常偵測工序中的偵測結果來判定前述流體櫃內的氛圍的異常狀態；強制排氣條件決定工序，係基於前述異常狀態判定工序中的判定結果來決定被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大的排氣量的強制排氣條件；以及強制排氣工序，係以在前述強制排氣條件決定工序中所決定的前述強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣；前述流體櫃係包含：第一流體框體；以及第二流體框體，係連接於與前述第一流體框體共通的共通排氣配管；在前述異常偵測工序中偵測到前述第一流體框內的氛圍的異常時，在前述強制排氣工序中以前述強制排氣條件將前述第一流體框體內的氛圍排氣。
8. 如請求項7所記載之流體櫃的排氣控制方法，其中在前述強制排氣工序中使於前述共通排氣配管流通之排氣的排氣量增加。
9. 如請求項7所記載之流體櫃的排氣控制方法，其中在前述異常偵測工序中偵測到前述第一流體框體內的氛圍的異常時，在前述強制排氣工序中不變更於前述共通排氣配管流通之排氣的排氣量地使前述第一流體框體的排氣量增加。
10. 如請求項7所記載之流體櫃的排氣控制方法，其中前述異常狀態判定工序係藉由比較既定的基準值與前述偵測結果來判定前述異常狀態；與前述第一流體框體對應的判定中之屬於基準值的第一基準值以及與前述第二流體框體對應的判定中之屬於基準值的第二基準值係不同。
11. 如請求項7所記載之流體櫃的排氣控制方法，其中在前述強制排氣條件決定工序中決定與前述第一流體框體對應的第一框體強制排氣條件以及與前述第二流體框體對應的第二框體強制排氣條件；前述第一框體強制排氣條件與前述第二框體強制排氣條件係不同。
12. 一種基板處理裝置，係具備：基板處理單元，係處理基板；流體櫃，係配置有流體配管，前述流體配管係供被供給至前述基板處理單元的流體流通；異常偵測部，係偵測前述流體櫃內的氛圍的異常；排氣部，係將前述流體櫃內的氛圍排氣；以及控制部，係控制前述排氣部；前述控制部係以下述方式控制前述排氣部：以標準排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣；前述控制部係基於前述異常偵測部偵測到前述流體櫃內的氛圍的異常之偵測結果來判定前述流體櫃內的氛圍的異常狀態；前述控制部係基於前述異常狀態的判定結果來決定被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大的排氣量的強制排氣條件；前述控制部係以下述方式控制前述排氣部：以前述強制排氣條件將前述流 體櫃內的氛圍排氣；前述控制部係以下述方式控制前述排氣部：從前述標準排氣條件移行，以第一強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣，前述第一強制排氣條件係被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大的第一強制排氣量；前述控制部並以下述方式控制前述排氣部：從前述標準排氣條件移行至前述第一強制排氣條件後再經過預定時間後，在前述流體櫃內未偵測到異常時以第二強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣，前述第二強制排氣條件係被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大且比前述第一強制排氣量還小的第二強制排氣量。
13. 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中前述異常偵測部係包含：漏液偵測部，係偵測前述流體櫃內的漏液。
14. 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中前述異常偵測部係包含：排氣壓偵測部，係偵測前述流體櫃內的排氣壓。
15. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係基於在前述流體櫃內的前述流體配管流動的流體的種類或者在前述流體配管流動的流體的流量來設定前述標準排氣條件。
16. 如請求項12至14中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係基於在以前述強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣時所判定的前述流體櫃內的氛圍的異常狀態的時間性變化來判定是否將用以將前述流體櫃內的氛圍排氣之排氣條件返回至前述標準排氣條件。
17. 如請求項12至14中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步具備： 仿真櫃；以及共通排氣配管，係分別連接於前述流體櫃以及前述仿真櫃；前述控制部係在前述異常偵測部偵測到前述流體櫃內的氛圍的異常時，使前述仿真櫃的排氣量降低至比前述標準排氣條件的排氣量還低，並且使前述流體櫃的排氣量增加至比前述標準排氣條件的排氣量還高。
18. 一種基板處理裝置，係具備：基板處理單元，係處理基板；流體櫃，係配置有流體配管，前述流體配管係供被供給至前述基板處理單元的流體流通；異常偵測部，係偵測前述流體櫃內的氛圍的異常；排氣部，係將前述流體櫃內的氛圍排氣；以及控制部，係控制前述排氣部；前述控制部係以下述方式控制前述排氣部：以標準排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣；前述控制部係基於前述異常偵測部偵測到前述流體櫃內的氛圍的異常之偵測結果來判定前述流體櫃內的氛圍的異常狀態；前述控制部係基於前述異常狀態的判定結果來決定被設定成比前述標準排氣條件的排氣量還大的排氣量的強制排氣條件；前述控制部係以下述方式控制前述排氣部：以前述強制排氣條件將前述流體櫃內的氛圍排氣；前述流體櫃係包含：第一流體框體；以及 第二流體框體，係連接於與前述第一流體框體共通的共通排氣配管；前述控制部係以下述方式控制前述排氣部：在前述異常偵測部偵測到前述第一流體框內的氛圍的異常時，以前述強制排氣條件將前述第一流體框體內的氛圍排氣。
19. 如請求項18所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述強制排氣條件中使於前述共通排氣配管流通之排氣的排氣量增加。
20. 如請求項18所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述異常偵測部偵測到前述第一流體框體內的氛圍的異常時，在前述強制排氣條件中不變更於前述共通排氣配管流通之排氣的排氣量地使前述第一流體框體的排氣量增加。
21. 如請求項18所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係藉由比較既定的基準值與偵測結果來判定前述異常狀態；與前述第一流體框體對應的判定中之屬於基準值的第一基準值以及與前述第二流體框體對應的判定中之屬於基準值的第二基準值係不同。
22. 如請求項18所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係決定與前述第一流體框體對應的第一框體強制排氣條件以及與前述第二流體框體對應的第二框體強制排氣條件作為前述強制排氣條件；前述第一框體強制排氣條件與前述第二框體強制排氣條件係不同。

Images