CN115938976A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明说明基片处理装置和基片处理方法，其在利用多种处理液的液处理部中进行基片处理时能够抑制从液处理部排出的排气流入与该排气所对应的独立排气管不同的独立排气管。基片处理装置包括：将种类不同的多个处理液分别供给到基片的表面的液处理部；和将从液处理部排出的排气排出到外部的排气部。排气部包括：包含第一部分和第二部分的主排气管；第一独立排气管；第二独立排气管；切换部；以及外气导入部。切换部包括：第一切换机构；第二切换机构；配置于主排气管中的第一部分与第二部分之间的第三切换机构；与第二部分连接以将外气导入第二部分的外气导入管；和配置于外气导入管的第四切换机构。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
专利文献1公开了一种基片处理装置，其包括：液处理部，其构成为能够将多种处理液单独地供给到基片来对基片进行处理；和排气部，其构成为能够将液处理部内的气氛排出到外部。排气部包括：与处理液的种类对应的多个独立排气管；和切换部，其构成为能够将从液处理部排出的气体引导到任意的独立排气管。例如，在液处理部中伴随对基片供给规定的处理液而产生了气体、雾等的情况下，切换部切换流路以使得将液处理部与该规定的处理液的种类所对应的独立排气管连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-092144号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明说明基片处理装置和基片处理方法，其在利用多种处理液的液处理部中进行基片处理时，能够抑制从液处理部排出的排气流入与该排气所对应的独立排气管不同的独立排气管。
用于解决技术问题的技术方案
基片处理装置的一个例子包括：液处理部，其将包含第一处理液和与第一处理液种类不同的第二处理液的多个处理液分别供给到基片的表面；以及排气部，其构成为能够将从液处理部排出的排气排出到外部，排气包括：伴随利用第一处理液进行的基片的处理而从液处理部排出的第一排气；和伴随利用第二处理液进行的基片的处理而从液处理部排出的第二排气。排气部包括：主排气管，其构成为能够供排气流通，并包括位于上游侧的第一部分和位于比第一部分靠下游侧的位置的第二部分；第一独立排气管，其构成为能够供第一排气流通；第二独立排气管，其构成为能够供第二排气流通；以及切换部，其构成为能够将主排气管与第一独立排气管和第二独立排气管中的一者有选择地连通。切换部包括：第一切换机构，其构成为配置于第一部分与第一独立排气管之间，能够切换第一连通状态和第一非连通状态，其中，第一连通状态是在从液处理部排出第一排气的情况下第一部分与第一独立排气管连通的状态，第一非连通状态是在从液处理部排出第一排气以外的排气的情况下第一部分与第一独立排气管不连通的状态；第二切换机构，其构成为配置于第二部分与第二独立排气管之间，能够切换第二连通状态和第二非连通状态，其中，第二连通状态是在从液处理部排出第二排气的情况下第二部分与第二独立排气管连通的状态，第二非连通状态是在从液处理部排出第二排气以外的排气的情况下第二部分与第二独立排气管不连通的状态；第三切换机构，其构成为配置于主排气管中的第一部分与第二部分之间，能够切换第一关闭状态和第一开放状态，其中，第一关闭状态是从液处理部排出第一排气的情况下截止第一排气向第二部分流通的状态，第一开放状态是在从液处理部排出第一排气以外的排气的情况下容许第一排气以外的排气向第二部分流通的状态；外气导入管，其与第二部分连接以将外气导入第二部分；以及第四切换机构，其构成为配置于外气导入管，能够切换第二开放状态和第二关闭状态，其中，第二开放状态是在从液处理部排出第一排气的情况下容许外气向第二部分导入的状态，第二关闭状态是在从液处理部排出第一排气以外的排气的情况下截止外气向第二部分导入的状态。
发明效果
依照本发明的基片处理装置和基片处理方法，在利用多种处理液的液处理部中进行基片处理时，能够抑制从液处理部排出的排气流入与该排气所对应的独立排气管不同的独立排气管。
附图说明
图1是示意性地表示基片处理系统的一个例子的俯视图。
图2是示意性地表示图1的基片处理系统的侧视图。
图3是示意性地表示液处理单元的一个例子的侧视图。
图4是示意性地表示液处理单元和排气单元的一个例子的图。
图5是示意性地表示图4的排气单元的局部放大图，是表示主排气管与有机类排气的独立排气管连通的状态的图。
图6是表示基片处理系统的主要部分的一个例子的框图。
图7是表示控制器的硬件结构的一个例子的概略图。
图8是示意性地表示图4的排气单元的局部放大图，是表示主排气管与碱类排气的独立排气管连通的状态的图。
图9是示意性地表示图4的排气单元的局部放大图，是表示主排气管与酸类排气的独立排气管连通的状态的图。
图10是示意性地表示排气单元的另一个例子的图。
图11是示意性地表示排气单元的另一个例子的图。
图12是示意性地表示排气单元的另一个例子的图。
附图标记说明
1…基片处理系统(基片处理装置)；100…液处理单元(液处理部)；200…排气单元(排气部)；210、220、230…独立排气管；240…主排气管；241…第一部分；242…第二部分；243…第三部分；300…切换单元(切换部)；340…外气导入管；350…调节部；Ctr…控制器(控制部)；G1…排气(第二排气或第三排气)；G2…排气(第二排气或第三排气)、G3…排气(第一排气)；L1…处理液(第二处理液或第三处理液)；L2…处理液(第二处理液或第三处理液)；L3…处理液(第一处理液)；SE1…传感器(第一传感器)；SE2…传感器(第二传感器)；V1…阀(第一切换机构)；V2…阀(第二切换机构)；V3…阀(第五切换机构)；V4…阀(第三切换机构)；V5…阀(第四切换机构)；V6…阀(第六切换机构)；W…基片。
具体实施方式
在以下的说明中，对相同要素或具有相同功能的要素使用相同附图标记，并省略重复的说明。另外，在本说明书中，在指图的上、下、右、左时，以图中的附图标记的朝向为基准。
[基片处理系统]
首先，参照图1和图2，说明构成为能够对基片W进行处理的基片处理系统1(基片处理装置)。基片处理系统1包括送入送出站2、处理站3、控制器Ctr(控制部)。送入送出站2和处理站3例如也可以在水平方向上排列成一排。
基片W可以呈圆板状，也可以呈多边形等圆形以外的板状。基片W也可以具有一部分被切去的切口部。切口部例如可以是凹口(U字形、V字形等槽)，也可以是呈直线状延伸的直线部(所谓的定向平面(orientation flat))。基片W例如也可以是半导体基片(硅晶片)、玻璃基片、掩模基片、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)基片等各种基片。基片W的直径例如可以为200mm～450mm程度。
送入送出站2包括载置部4、送入送出部5和搁架单元6。载置部4包括在宽度方向(图1的上下方向)上排列的多个载置台(未图示)。各载置台构成为能够载置承载器7(收纳容器)。承载器7构成为以密封状态收纳至少一个基片W。承载器7包括用于使基片W出入的开闭门(未图示)。
送入送出部5在送入送出站2和处理站3排列的方向(图1的左右方向)上与载置部4相邻地配置。送入送出部5包括对载置部4设置的开闭门(未图示)。在承载器7载置于载置部4上的状态下，通过将承载器7的开闭门和送入送出部5的开闭门一起开放，而送入送出部5内与承载器7内连通。
送入送出部5内置有臂A1和搁架单元6。输送臂A1构成为能够进行送入送出部5的宽度方向(图1的上下方向)上的水平移动、铅垂方向(图2的上下方向)上的上下移动和绕铅垂轴的旋转动作。输送臂A1构成为能够从承载器7取出基片W并将其交送到搁架单元6，而且从搁架单元6接收基片W并将其送回承载器7内。搁架单元6位于处理站3的附近，进行送入送出部5与处理站3之间的基片W的交接。
处理站3包括输送部8、多个液处理单元100(液处理部)和排气单元200(排气部)。输送部8例如在送入送出站2和处理站3排列的方向(图1的左右方向)上水平地延伸。输送部8内置有输送臂A2。输送臂A2构成为能够进行输送部8的长度方向(图1的左右方向)上的水平移动、铅垂方向上的上下移动和绕铅垂轴的旋转动作。输送臂A2构成为能够从搁架单元6取出基片W并将其交送到液处理单元100，而且从液处理单元100接收基片W并将其送回搁架单元6内。
[液处理单元]
接着，参照图3和图4，对液处理单元100详细地进行说明。液处理单元100构成为能够对基片W进行规定的液处理(例如污垢、异物的去除处理、蚀刻处理等)。液处理单元100例如可以是通过旋转清洗逐片地清洗基片W的单片式清洗装置。
液处理单元100包括腔室110、送风部120、旋转保持部130、供给部140和杯状体150。
腔室110是能够在其内部送入送出基片W的壳体。在腔室110的侧壁形成有未图示的送入送出口。由输送臂A2通过该送入送出口将基片W输送到腔室110的内部而且从腔室110送出到外部。
送风部120安装于腔室110的顶壁。送风部120构成为能够基于来自控制器Ctr的信号，在腔室110内形成朝向下方的下降流。
旋转保持部130包括驱动部131、轴132和保持部133。驱动部131构成为能够基于来自控制器Ctr的工作信号进行工作，使轴132旋转。驱动部131例如也可以是电动机等动力源。
保持部133设置于轴132的前端部。保持部133例如构成为能够通过吸附等来吸附保持基片W的背面。即，旋转保持部130也可以构成为能够在基片W的姿势为大致水平的状态下，使基片W绕与基片W的表面(正面)垂直的中心轴(旋转轴)旋转。
供给部140构成为能够从喷嘴N向基片W的表面供给种类不同的多个处理液。如图4所示，供给部140包括液源141～144、阀145～148和配管D1～D5。
液源141可以构成为处理液L1(第二处理液或第三处理液)的供给源。处理液L1例如可以是酸类处理液。酸类处理液例如可以包含SC-2液(盐酸、过氧化氢和纯水的混合液)、SPM(硫酸和过氧化氢水的混合液)、HF液(氢氟酸)、DHF液(稀氢氟酸)、HNO3+HF液(硝酸和氢氟酸的混合液)等。液源141经由配管D1、D5与喷嘴N连接。
液源142可以构成为处理液L2(第二处理液或第三处理液)的供给源。处理液L2例如可以是碱类处理液。碱类处理液例如可以包含SC-1液(氨、过氧化氢和纯水的混合液)、过氧化氢水等。液源142经由配管D2、D5与喷嘴N连接。
液源143可以构成为处理液L3(第一处理液)的供给源。处理液L3例如可以是有机类处理液。有机类处理液例如可以包含IPA(异丙醇)等。液源143经由配管D3、D5与喷嘴N连接。
液源144可以构成为处理液L4的供给源。处理液L4例如可以是冲洗液。冲洗液例如可以包含纯水(DIW：deionized water)、臭氧水、碳酸水(CO2水)、氨水等。液源144经由配管D4、D5与喷嘴N连接。
阀145～148分别设置于配管D1～D4。阀145～148分别构成为能够基于来自控制器Ctr的工作信号进行开闭。
喷嘴N可以以释放口朝向基片W的表面的方式配置于基片W的上方。喷嘴N可以构成为能够利用未图示的驱动源在基片W的上方水平移动或上下移动。
返回图3，杯状体150以包围保持部133的周围的方式设置。杯状体150构成为能够利用旋转保持部130对基片W进行保持和旋转，由此收集从基片W的外周缘向周围飞散的处理液。在杯状体150的底部设置有排液口151和排气口152。排液口151构成为能够将由杯状体150收集到的处理液L1～L4排出到液处理单元100的外部。
排气口152构成为能够将利用送风部120在基片W的周围形成的下降流排出到液处理单元100的外部。伴随在液处理单元100中向基片W供给处理液L1～L4而基片W被处理液L1～L4处理，在基片W的周围产生的气体作为排气从排气口152被排出。即，排气包含伴随利用处理液L1进行的基片W的处理而从液处理单元100的排气口152排出的酸类的排气G1(第二排气或第三排气)、伴随利用处理液L2进行的基片W的处理而从液处理单元100的排气口152排出的碱类的排气G2(第二排气或第三排气)、和伴随利用处理液L3进行的基片W的处理而从液处理单元100的排气口152排出的有机类的排气G3(第一排气)。另外，从液处理单元100的排气口152排出的排气G1～G3中也可以伴随着处理液L1～L3的雾。
[排气单元]
接着，参照图2、图4和图5，对排气单元200详细地进行说明。如图2所示，排气单元200的主要部分配置于送入送出站2和处理站3的上方。如图2、图4和图5所示，排气单元200包括独立排气管210、220、230、多个主排气管240和多个切换单元300(切换部)。
如图2和图4所示，独立排气管210、220、230配置于送入送出站2和处理站3的上方。独立排气管210构成为将排气G3引导至基片处理系统1的外部的排气路径。独立排气管220构成为将排气G2引导至基片处理系统1的外部的排气路径。独立排气管230构成为将排气G1引导至基片处理系统1的外部的排气路径。如图4所示，在独立排气管210、220、230分别设置有泵P1～P3。即，排气G1～G3分别通过不同的独立排气管210、220、230被送气，被排出到基片处理系统1之外。
多个主排气管240分别与设置于处理站3的多个液处理单元100对应。多个切换单元300分别与设置于处理站3的多个液处理单元100对应。即，多个主排气管240中的一个主排气管240构成为能够使从多个液处理单元100中的一个液处理单元100排出的排气流向多个切换单元300中的一个切换单元300。各主排气管240的结构均相同，各切换单元300的结构均相同。因此，以下，对与一个液处理单元100对应的一个主排气管240和一个切换单元300进行说明，省略关于其他主排气管240和其他切换单元300的说明。
如图2和图4所示，主排气管240在液处理单元100与切换单元300之间沿上下方向延伸。即，主排气管240的主排气管240的上游端部(下端部)与排气口152连接。主排气管240的下游端部(上端部)到达切换单元300。
主排气管240的上游端部(下端部)与未图示的排液部连接。在排气G1～G3中伴随着雾的情况下，雾比气体重，因此排气G1～G3在主排气管240中上升，而雾难以在主排气管240中上升。雾在排气G1～G3在主排气管240中上升的过程中被冷却而成为液滴，在主排气管240中下落。其结果，来源于雾的液滴从排液部被排出到基片处理系统1之外。即，在主排气管240中进行气液分离。
如图5所示，主排气管240的下游端部包括第一部分241、第二部分242和第三部分243。第一部分241、第二部分242和第三部分243从上游侧去往下游侧依次串联排列。
如图2和图4所示，切换单元300配置于送入送出站2和处理站3的上方。即，切换单元300配置于比液处理单元100靠上方的位置。切换单元300构成为能够有选择地将主排气管240与独立排气管210、220、230中的任一者连通。如图5所示，切换单元300包括阀V1～V5、流入管311～313、流出管321～323、外气导入管330～333、外气导入管340、调节部350和传感器SE1、SE2。
阀V1(第一切换机构)包括流入口V1a、V1b和流出口V1c。阀V1构成为能够基于来自控制器Ctr的工作信号进行工作。阀V1配置于主排气管240的第一部分241与独立排气管210之间。阀V1能够切换流入口V1a与流出口V1c连通但流入口V1b与流出口V1c不连通的状态(参照图5)、以及流入口V1b与流出口V1c连通但流入口V1a与流出口V1c不连通的状态(参照图8和图9)。
阀V2(第二切换机构)包括流入口V2a、V2b和流出口V2c。阀V2构成为能够基于来自控制器Ctr的工作信号进行工作。阀V2配置于主排气管240的第二部分242与独立排气管220之间。阀V2能够切换流入口V2a与流出口V2c连通但流入口V2b与流出口V2c不连通的状态(参照图8)、以及流入口V2b与流出口V2c连通但流入口V2a与流出口V2c不连通的状态(参照图5和图9)。
阀V3(第五切换机构)包括流入口V3a、V3b和流出口V3c。阀V3构成为能够基于来自控制器Ctr的工作信号进行工作。阀V3配置于主排气管240的第三部分243与独立排气管230之间。阀V3能够切换流入口V3a与流出口V3c连通但流入口V3b与流出口V3c不连通的状态(参照图9)、以及流入口V3b与流出口V3c连通但流入口V3a与流出口V3c不连通的状态(参照图5和图8)。
阀V4(第三切换机构)构成为能够基于来自控制器Ctr的工作信号进行开闭。阀V4能够切换排气可流通的开放状态和排气的流通被截止的关闭状态。阀V4配置于主排气管240的第一部分241与第二部分242之间。换言之，主排气管240的第二部分242和第三部分243位于比阀V4靠下游侧的位置。
阀V5(第四切换机构)构成为能够基于来自控制器Ctr的工作信号进行开闭。阀V5能够切换外气可流通的开放状态和外气的流通被截止的关闭状态。阀V5配置于外气导入管340。
流入管311以连接主排气管240的第一部分241与阀V1的流入口V1a的方式延伸。流入管312以连接主排气管240的第二部分242与阀V2的流入口V2a的方式延伸。流入管313以连接主排气管240的第三部分243与阀V3的流入口V3a的方式延伸。
流出管321以将独立排气管210与阀V1的流出口V1c连接的方式延伸。流出管322以将独立排气管220与阀V2的流出口V2c连接的方式延伸。流出管323以连接独立排气管230与阀V3的流出口V3c的方式延伸。
外气导入管330～333构成为能够向独立排气管210、220、230供给外气。外气导入管330包括与外气流体地连接的上端部。外气导入管331以将外气导入管330与阀V1的流入口V1b连接的方式延伸。外气导入管332以将外气导入管330与阀V2的流入口V2b连接的方式延伸。外气导入管333以将外气导入管330与阀V3的流入口V3b连接的方式延伸。
外气导入管340构成为能够向主排气管240的第二部分242供给外气。外气导入管340以将流体地连接于外气的上端部与主排气管240的第二部分242连接的方式延伸。
调节部350配置于外气导入管340中的比阀V5靠上游侧的位置。调节部350构成为能够基于来自控制器Ctr的工作信号进行工作。调节部350构成为能够通过使例如外气导入管340的开口面积变化，来调节在外气导入管340中流动的外气的流量，调节与外气导入管340连通的主排气管240的第二部分242的压力。
传感器SE1(第一传感器)构成为能够测量主排气管240的第一部分241的压力。传感器SE1构成为能够将测量出的压力的数据发送至控制器Ctr。传感器SE2(第二传感器)构成为能够测量主排气管240的第二部分242的压力。传感器SE2构成为能够将测量出的压力的数据发送至控制器Ctr。
[控制器的详情]
控制器Ctr构成为能够部分或整体地控制基片处理系统1。如图6所例示，控制器Ctr作为功能模块具有读取部M1、存储部M2、处理部M3和指示部M4。这些功能模块只不过是为了方便而将控制器Ctr的功能划分为多个模块的划分方式，并不一定意味着构成控制器Ctr的硬件被分为这样的模块。各功能模块不限于通过执行程序来实现，也可以通过专用的电路(例如逻辑电路)、或者集成了该电路的集成电路(ASIC：Application SpecificIntegrated Circuit，专用集成电路)来实现。
读取部M1构成为能够从计算机可读取的记录介质RM读取程序。记录介质RM记录有用于使基片处理系统1的各部工作的程序。记录介质RM例如可以是半导体存储器、光记录盘、磁记录盘、光磁记录盘。此外，以下，基片处理系统1的各部能够包括送风部120、旋转保持部130、供给部140、阀V1～V5、泵P1～P3和调节部350的各部。
存储部M2构成为能够存储各种数据。存储部M2例如可以存储在读取部M1中从记录介质RM读出的程序、经由外部输入装置(未图示)由操作员输入的设定数据等。存储部M2例如可以存储用于基片W的处理的处理条件(处理方案)的数据。存储部M2例如也可以存储由传感器SE1、SE2获取到的压力的数据。
处理部M3构成为能够对各种数据进行处理。处理部M3例如可以基于存储于存储部M2的各种数据，生成用于使基片处理系统1的各部进行工作的信号。处理部M3例如也可以基于由传感器SE1、SE2获取到的压力的数据，计算使得第二部分242比第一部分241的压力高的外气导入管340的开口面积。处理部M3也可以基于计算出的该开口面积来生成用于使调节部350工作的信号。
指示部M4构成为能够将在处理部M3中生成的工作信号发送到基片处理系统1的各部。
控制器Ctr的硬件例如可以由一个或多个控制用的计算机构成。如图7所例示的那样，控制器Ctr也可以包含电路C1作为硬件上的结构。电路C1也可以由电路要素(circuitry)构成。电路C1例如可以包括处理器C2、内存C3、存储器C4、驱动器C5和输入输出端口C6。
处理器C2可以构成为能够通过与内存C3和存储器C4中的至少一者协作来执行程序，执行经由输入输出端口C6的信号的输入输出，由此实现上述的各功能模块。内存C3和存储器C4可以作为存储部M2发挥功能。驱动器C5可以是构成为能够分别驱动基片处理系统1的各部的电路。输入输出端口C6可以构成为能够在驱动器C5与基片处理系统1的各部之间对信号的输入输出进行中转处理。
基片处理系统1可以包括一个控制器Ctr，也可以包括由多个控制器Ctr构成的控制器组(控制部)。在基片处理系统1包括控制器组的情况下，上述的功能模块可以分别由一个控制器Ctr实现，也可以由2个以上的控制器Ctr的组合来实现。在控制器Ctr由多个计算机(电路C1)构成的情况下，上述功能模块可以分别由一个计算机(电路C1)来实现，也可以由2个以上的计算机(电路C1)的组合来实现。控制器Ctr也可以具有多个处理器C2。在该情况下，上述的功能模块可以分别由一个处理器C2实现，也可以由2个以上的处理器C2的组合来实现。
[基片处理方法]
接着，参照图1～图5、图8和图9，对基片W的处理方法进行说明。在此，作为切换单元300的初始状态，如图8所示，阀V1～V5处于下述状态。
·阀V1：流入口V1b与流出口V1c连通的状态(第一部分241与独立排气管210不连通的状态)
·阀V2：流入口V2a与流出口V2c连通的状态(第二部分242与独立排气管220连通的状态)
·阀V3：流入口V3b与流出口V3c连通的状态(第三部分243与独立排气管230不连通的状态)
·阀V4：开放状态
·阀V5：关闭状态
首先，控制器Ctr控制输送臂A1、A2，将基片W从承载器7输送至液处理单元100(参照图1和图2)。接着，使液处理单元100的旋转保持部130保持基片W(参照图3)。接着，控制器Ctr控制旋转保持部130，利用旋转保持部130使基片W以规定的转速旋转。在该状态下，控制器Ctr控制供给部140，从喷嘴N向基片W的表面的中央部供给例如碱类的处理液L2(参照图4)。
供给到基片W的表面的处理液L2通过基片W的旋转而从基片W的中央部朝向外周缘流过整个表面之后，从外周缘向外侧被甩掉。因此，在持续从喷嘴N供给处理液L2的期间，在基片W的表面形成处理液L2的液膜。由此，基片W的表面被处理液L2处理。
从基片W的外周缘向外侧甩掉的处理液L2被杯状体150收集。伴随利用处理液L2进行的基片W的处理而产生的气体从液处理单元100的排气口152被排出。从液处理单元100排出的碱类的排气G2通过主排气管240被导入切换单元300(参照图4)。
导入到切换单元300的排气G2在主排气管240的第一部分241及第二部分242、流入管312、阀V2和流出管322中流动，从独立排气管220被排出到基片处理系统1之外(参照图8)。从外气导入管330导入的外气在外气导入管331、阀V1和流出管321中流动，从独立排气管210被排出到基片处理系统1之外(参照图8)。从外气导入管330导入的外气在外气导入管333、阀V3和流出管323中流动，从独立排气管230被排出到基片处理系统1之外(参照图8)。另外，阀V5处于关闭状态，因此，不会将外气从外气导入管340导入主排气管240的第二部分242。
接着，控制器Ctr控制供给部140，从喷嘴N向基片W的表面的中央部供给处理液L4(冲洗液)(参照图4)。由此，残留在基片W的表面的处理液L2被处理液L4冲走。
接着，控制器Ctr控制切换单元300，将阀V1～V5变更为下述的状态(参照图9)。
·阀V1：流入口V1b与流出口V1c连通的状态(第一部分241与独立排气管210不连通的状态)
·阀V2：流入口V2b与流出口V2c连通的状态(第二部分242与独立排气管220不连通的状态)
·阀V3：流入口V3a与流出口V3c连通的状态(第三部分243与独立排气管230连通的状态)
·阀V4：开放状态
·阀V5：关闭状态
接着，在利用旋转保持部130使基片W旋转的状态下，控制器Ctr控制供给部140，从喷嘴N向基片W的表面的中央部供给例如酸类的处理液L1(参照图4)。
供给到基片W的表面的处理液L1通过基片W的旋转而从基片W的中央部朝向外周缘流过整个表面之后，从外周缘向外侧被甩掉。因此，在持续从喷嘴N供给处理液L1的期间，在基片W的表面形成处理液L1的液膜。由此，基片W的表面被处理液L1处理。
从基片W的外周缘向外侧甩掉的处理液L1被杯状体150收集。伴随利用处理液L1进行的基片W的处理而产生的气体从液处理单元100的排气口152被排出。从液处理单元100排出的酸类的排气G1通过主排气管240被导入切换单元300(参照图4)。
导入切换单元300的排气G1在主排气管240的第一部分241、第二部分242和第三部分243、流入管313、阀V3、流出管323中流动，从独立排气管230被排出到基片处理系统1之外(参照图9)。从外气导入管330导入的外气在外气导入管331、阀V1和流出管321中流动，从独立排气管210被排出到基片处理系统1之外(参照图9)。从外气导入管330导入的外气在外气导入管332、阀V2和流出管322中流动，从独立排气管220被排出到基片处理系统1之外(参照图9)。另外，阀V5处于关闭状态，因此，不会将外气从外气导入管340导入主排气管240的第二部分242。
接着，控制器Ctr控制供给部140，从喷嘴N向基片W的表面的中央部供给处理液L4(冲洗液)(参照图4)。由此，残留在基片W的表面的处理液L1被处理液L4冲走。
接着，控制器Ctr控制切换单元300，将阀V1～V5变更为下述的状态(参照图5)。
·阀V1：流入口V1a与流出口V1c连通的状态(第一部分241与独立排气管210连通的状态)
·阀V2：流入口V2b与流出口V2c连通的状态(第二部分242与独立排气管220不连通的状态)
·阀V3：流入口V3b与流出口V3c连通的状态(第三部分243与独立排气管230不连通的状态)
·阀V4：关闭状态
·阀V5：开放状态
接着，在利用旋转保持部130使基片W旋转的状态下，控制器Ctr控制供给部140，从喷嘴N向基片W的表面的中央部供给例如有机类的处理液L3(参照图4)。
供给到基片W的表面的处理液L3通过基片W的旋转而从基片W的中央部朝向外周缘流过整个表面之后，从外周缘向外侧被甩掉。因此，在持续从喷嘴N供给处理液L3的期间，在基片W的表面形成处理液L3的液膜。由此，基片W的表面被处理液L3处理。
从基片W的外周缘向外侧甩掉的处理液L3被杯状体150收集。伴随利用处理液L3进行的基片W的处理而产生的气体从液处理单元100的排气口152被排出。从液处理单元100排出的有机类的排气G3通过主排气管240被导入切换单元300(参照图4)。
导入到切换单元300的排气G3在主排气管240的第一部分241、流入管311、阀V1和流出管321中流动，从独立排气管210被排出到基片处理系统1之外(参照图5)。从外气导入管330导入的外气在外气导入管332、阀V2和流出管322中流动，从独立排气管220被排出到基片处理系统1之外(参照图5)。从外气导入管330导入的外气在外气导入管333、阀V3和流出管323中流动，从独立排气管230被排出到基片处理系统1之外(参照图5)。
在此，阀V4为关闭状态且阀V5为开放状态，外气从外气导入管340被导入主排气管240的第二部分242。由此，可以为第二部分242的压力高于第一部分241的压力。或者，也可以基于传感器SE1、SE2的压力的测量结果，控制器Ctr控制调节部350，由此使外气导入管340的开口面积变化，以使得第二部分242的压力比第一部分241的压力高。
之后，控制器Ctr控制旋转保持部130，使基片W以规定的转速旋转。由此，基片W的表面干燥。而且，控制器Ctr控制输送臂A1、A2，将干燥后的基片W从液处理单元100输送到承载器7(参照图1和图2)。通过以上所述，基片W的处理完成。
[作用]
依照以上的例子，由于在主排气管240中的第一部分241与第二部分242之间配置有阀V4，因此在从液处理单元100排出排气G3时，使阀V4为关闭状态，由此排气G3难以流向比阀V4靠下游侧的第二部分242。另外，依照以上的例子，在从液处理单元100排出排气G3时，外气经由阀V5从外气导入管340被导入第二部分242。因此，即使是在由于阀V4的构造(例如尺寸精度等)而阀V4存在微小的间隙的情况下，也能够利用从外气导入管340导入的外气抑制排气G3通过该间隙而在第二部分242中流动。因此，排气G3难以到达独立排气管220、230。其结果，在利用多种处理液的液处理单元100中进行基片处理时，能够抑制从液处理单元100排出的排气G3流入与对应的独立排气管210不同的独立排气管220、230。
依照以上的例子，有机类的排气G3难以流入独立排气管220、230。因此，能够抑制挥发性有机化合物混入酸类排气或碱类排气中。因此，能够抑制由通过独立排气管220、230排出的气体引起的大气污染。
依照以上的例子，能够将第二部分242的压力设定得比第一部分241的压力高。在该情况下，即使在阀V4存在微小的间隙的情况下，排气G3也几乎不会通过该间隙而流向第二部分242。因此，排气G3极难到达独立排气管220、230。
依照以上的例子，调节部350能够基于传感器SE1、SE2的压力的测量结果，调节外气向第二部分242的导入量，以使得第二部分242的压力比第一部分241的压力高。在该情况下，例如，即使第一部分241的压力因液处理单元100中的处理条件的变更等而变化，也能够利用调节部350调节第二部分242和第三部分243的压力，以使得第二部分242的压力比第一部分241的压力大。因此，能够在不受第一部分241的压力变动的影响而抑制排气G3向第二部分242的流入。
依照以上的例子，切换单元300配置于比液处理单元100靠上方的位置。因此，在来自液处理单元100的排气中伴随着雾的情况下，分离了雾后的排气到达切换单元300。因此，能够抑制由雾引起的污垢、杂质等附着到切换单元300。
[变形例]
本说明书中的公开在所有方面均是例示而不应认为是限制性。在不脱离发明范围(权利要求书)及其主旨的范围内，也可以对以上的例子进行各种省略、替换、变更等。
(1)在用于处理基片W的处理液的种类为2种的情况下(例如，酸类的处理液L1、碱类的处理液L2和有机类的处理液L3中的任意2者)，如图10所示，排气单元200也可以不包含独立排气管230。相应地，切换单元300也可以不包含第三部分243、流入管313、外气导入管333、流出管323、阀V3。在用于处理基片W的处理液的种类为4种以上的情况下，虽然未图示，但排气单元200也可以根据处理液的种类的数量而包含独立排气管及其附带的部件。
(2)如图11所示，切换单元300还可以包括配置于流入管311的阀V6(第六切换机构)。阀V6构成为能够基于来自控制器Ctr的工作信号进行开闭。阀V6能够切换排气可流通的开放状态和排气的流通被截止的关闭状态。在该情况下，由于在第一部分241与阀V1之间配置有阀V6，因此在从液处理单元100排出排气G1、G2时使阀V6为关闭状态，由此排气G3难以从独立排气管210经由阀V1而逆流。因此，排气G3更难以到达独立排气管220、230。
(3)如图12所示，切换单元300还可以包括配置于第三部分243的阀V7。阀V7构成为能够基于来自控制器Ctr的工作信号进行开闭。阀V7能够切换排气可流通的开放状态和排气的流通被截止的关闭状态。在该情况下，在从液处理单元100排出排气G3时，阀V7成为关闭状态，由此排气G3更加难以到达独立排气管230。
另外，如图12所示，切换单元300还可以包括与第三部分243连接的外气导入管360和配置于外气导入管360的阀V8。外气导入管360构成为能够向第三部分243供给外气。阀V8构成为能够基于来自控制器Ctr的工作信号进行开闭。阀V8能够切换外气可流通的开放状态和外气的流通被截止的关闭状态。在该情况下，在从液处理单元100排出排气G3时，阀V8处于开放状态，由此能够利用从外气导入管360导入的外气抑制排气G3在第三部分243中流动。
而且，如图12所示，切换单元300还可以包括配置于外气导入管360中的比阀V8靠上游侧的位置的调节部370。调节部370与调节部350同样，构成为能够基于来自控制器Ctr的工作信号进行工作。调节部370通过使例如外气导入管360的开口面积改变，来调节在外气导入管360中流动的外气的流量，调节与外气导入管360连通的主排气管240的第三部分243的压力。在该情况下，能够利用调节部370调节外气导入管360的开口面积，以使得第三部分243的压力比第一部分241的压力高。虽未图示，但切换单元300还可以包括构成为能够测量主排气管240的第三部分243的压力的传感器。也可以基于该传感器和传感器SE1的压力的测量结果，控制器Ctr控制调节部370，由此使外气导入管360的开口面积变化，以使得第三部分243的压力比第一部分241的压力高。
(4)在利用控制器Ctr控制调节部350以使得外气导入管340的开口面积成为规定大小之后，也可以不利用调节部350进行该开口面积的调节。或者，也可以基于传感器SE1、SE2的压力的测量结果，始终或以规定的时间间隔利用调节部350进行外气导入管340的开口面积的调节。
[其他例]
例1.基片处理装置的一个例子包括：液处理部，其构成为能够将包含种类与第一处理液和与第一处理液种类不同的第二处理液的多个处理液分别供给到基片的表面；以及排气部，其构成为能够将从液处理部排出的排气排出到外部，排气包括：伴随利用第一处理液进行的基片的处理而从液处理部排出的第一排气；和伴随利用第二处理液进行的基片的处理而从液处理部排出的第二排气。排气部包括：主排气管，其构成为能够供排气流通，包括位于上游侧的第一部分和位于比第一部分靠下游侧的第二部分；第一独立排气管，其构成为能够供第一排气流通；第二独立排气管，其构成为能够供第二排气流通；以及切换部，其构成为能够将主排气管与第一独立排气管和第二独立排气管中的一者有选择地连接。切换部包括：第一切换机构，其构成为配置于第一部分与第一独立排气管之间，能够切换第一连通状态和第一非连通状态，其中，第一连通状态是在从液处理部排出第一排气的情况下第一部分与第一独立排气管连通的状态，第一非连通状态是在从液处理部排出第一排气以外的排气的情况下第一部分与第一独立排气管不连通的状态；第二切换机构，其构成为配置于第二部分与第二独立排气管之间，能够切换第二连通状态和第二非连通状态，其中，第二连通状态是在从液处理部排出第二排气的情况下第二部分与第二独立排气管连通的状态，第二非连通状态是在从液处理部排出第二排气以外的排气的情况下第二部分与第二独立排气管不连通的状态；第三切换机构，其构成为配置于主排气管中的第一部分与第二部分之间，能够切换第一关闭状态和第一开放状态，其中，第一关闭状态是在从液处理部排出第一排气的情况下截止第一排气向第二部分流通的状态，第一开放状态是在从液处理部排出第一排气以外的排气的情况下容许第一排气以外的排气向第二部分流通的状态；外气导管，其与第二部分连接以将外气导入第二部分；以及第四切换机构，其配置于外气导入管，能够切换第二开放状态和第二关闭状态，其中，第二开放状态是在从液处理部排出第一排气的情况下容许外气向第二部分导入的状态，第二关闭状态是在从液处理部排出第一排气以外的排气的情况下截止外气向第二部分导入的状态。
在例1的情况下，由于在主排气管中的第一部分与第二部分之间配置有第三切换机构，因此在从液处理部排出第一排气时使第三切换机构为关闭状态，由此第一排气难以向比第三切换机构靠下游侧的第二部分流动。另外，在例1的情况下，在从液处理部排出第一排气时，经由第四切换机构从外气导入管向第二部分导入外气。因此，即使在由于第三切换机构的构造(例如尺寸精度等)而第三切换机构存在微小的间隙的情况下，能够利用被导入第二部分的外气来抑制第一排气通过该间隙而在第二部分中流动。因此，第一排气难以到达第二独立排气管。其结果，在利用多种处理液的液处理部中进行基片处理时，能够抑制从液处理部排出的排气流入与该排气所对应的独立排气管不同的独立排气管。
例2.在例1的基片处理装置中，也可以为，多个处理液还包括与第一处理液和第二处理液种类不同的第三处理液，排气还包括伴随利用第三处理液进行的基片的处理而从液处理部排出的第三排气，排气部还包括构成为能够供第三排气流通的第三独立排气管，主排气管还包括位于比第三切换机构靠下游侧的第三部分，切换部还包括第五切换机构，第五切换机构配置在第三部分与第三独立排气管之间，能够切换第三连通状态和第三非连通状态，其中，第三连通状态是在从液处理部排出第三排气的情况下第三部分与第三独立排气管连通的状态，第三非连通状态是在从液处理部排出第三排气以外的排气的情况下第三部分与第三独立排气管不连通的状态，切换部构成为能够将主排气管与第一独立排气管、第二独立排气管和第三独立排气管中的任一者有选择地连通。在该情况下，与例1的基片处理装置同样地，第一排气难以到达第二独立排气管和第三独立排气管。
例3.例1或例2的基片处理装置中，也可以为，第一处理液为有机类处理液，第二处理液为酸类处理液或碱类处理液。在该情况下，能够抑制挥发性有机化合物混入酸类排气或碱类排气中。因此，能够抑制由通过第二独立排气管排出的气体引起的大气污染。
例4.在例1～例3中的任一基片处理装置中，也可以，在从液处理部排出第一排气的情况下，第三切换机构成为第一关闭状态且第四切换机构成为第二开放状态，由此第二部分的压力被设定得比第一部分的压力高。在该情况下，即使在第三切换机构存在微小的间隙的情况下，第一排气也几乎不会通过该间隙流向第二部分。因此，第一排气极难到达第二独立排气管。
例5.在例1～例4中的任一基片处理装置中，也可以为：切换部还包括：第一传感器，其构成为能够测量第一部分的压力；第二传感器，其构成为能够测量第二部分的压力；和调节部，其设置于外气导入管中的比第四切换机构靠上游侧的位置，调节部构成为能够调节外气向第二部分的导入量，以使得由第二传感器测量出的压力的大小大于由第一传感器测量出的压力的大小。在该情况下，能够得到与例4的基片处理装置同样的作用效果。另外，在该情况下，例如，即使第一部分的压力因液处理部中的处理条件的变更等而变化，也能够利用调节部调节第二部分的压力，以使得第二部分的压力比第一部分的压力大。因此，能够在不受第一部分的压力变动的影响的情况下抑制第一排气向第二部分的流入。
例6.在例1～例5中的任一基片处理装置中，也可以为，切换部配置于比液处理部靠上方的位置。然而，有时排气中伴随着处理液的雾。但是，雾比气体重，因此即使排气上升，雾也难以上升。即，在例6的情况下，即使在刚从液处理部排出后的排气中伴随着处理液的雾，在排气朝向切换部流动的过程中，雾也会液化而下落。因此，分离了雾后的排气到达切换部。因此，能够抑制由雾引起的污垢、杂质等附着到切换部。
例7.在例1～例6中的任一基片处理装置中，也可以为，切换部还包括第六切换机构，第六切换机构配置在第一部分与第一切换机构之间，能够切换第四连通状态和第四非连通状态，其中，第四连通状态是在从液处理部排出第一排气的情况下第一部分与第一切换机构连通的状态，第四非连通状态是在从液处理部排出第一排气以外的排气的情况下第一部分与第一切换机构不连通的状态。在该情况下，由于在第一部分与第一切换机构之间配置有第六切换机构，因此在从液处理部排出第二排气时使第六切换机构为关闭状态，由此第一排气难以从第一独立排气管经由第一切换机构而逆流。因此，第一排气更难以到达第二独立排气管。
例8.基片处理方法的一个例子是使用例1～例7中的任一基片处理装置对基片进行处理的方法，其包括：使第一切换机构为第一连通状态，使第二切换机构为第二非连通状态，使第三切换机构为第一关闭状态，且使第四切换机构为第二开放状态的第一步骤；在第一步骤之后，在液处理部中利用第一处理液处理基片的第二步骤；使第一切换机构为第一非连通状态，使第二切换机构为第二连通状态，使第三切换机构为第一开放状态，且使第四切换机构为第二关闭状态的第三步骤；和在第三步骤之后，在液处理部中利用第二处理液处理基片的第四步骤。在该情况下，能够得到与例1的基片处理装置同样的作用效果。

Claims (8)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
液处理部，其将包含第一处理液和与所述第一处理液种类不同的第二处理液的多个处理液分别供给到基片的表面；以及
排气部，其构成为能够将从所述液处理部排出的排气排出到外部，所述排气包括：伴随利用所述第一处理液进行的所述基片的处理而从所述液处理部排出的第一排气；和伴随利用所述第二处理液进行的所述基片的处理而从所述液处理部排出的第二排气，
所述排气部包括：
主排气管，其构成为能够供所述排气流通，并包括位于上游侧的第一部分和位于比所述第一部分靠下游侧的位置的第二部分；
第一独立排气管，其构成为能够供所述第一排气流通；
第二独立排气管，其构成为能够供所述第二排气流通；以及
切换部，其构成为能够将所述主排气管与所述第一独立排气管和所述第二独立排气管中的一者有选择地连通，
所述切换部包括：
第一切换机构，其构成为配置于所述第一部分与所述第一独立排气管之间，能够切换第一连通状态和第一非连通状态，其中，所述第一连通状态是在从所述液处理部排出所述第一排气的情况下所述第一部分与所述第一独立排气管连通的状态，所述第一非连通状态是在从所述液处理部排出所述第一排气以外的所述排气的情况下所述第一部分与所述第一独立排气管不连通的状态；
第二切换机构，其构成为配置于所述第二部分与所述第二独立排气管之间，能够切换第二连通状态和第二非连通状态，其中，所述第二连通状态是在从所述液处理部排出所述第二排气的情况下所述第二部分与所述第二独立排气管连通的状态，所述第二非连通状态是在从所述液处理部排出所述第二排气以外的所述排气的情况下所述第二部分与所述第二独立排气管不连通的状态；
第三切换机构，其构成为配置于所述主排气管中的所述第一部分与第二部分之间，能够切换第一关闭状态和第一开放状态，其中，所述第一关闭状态是从所述液处理部排出所述第一排气的情况下截止所述第一排气向所述第二部分流通的状态，所述第一开放状态是在从所述液处理部排出所述第一排气以外的所述排气的情况下容许所述第一排气以外的所述排气向所述第二部分流通的状态；
外气导入管，其与所述第二部分连接以将外气导入所述第二部分；以及
第四切换机构，其构成为配置于所述外气导入管，能够切换第二开放状态和第二关闭状态，其中，所述第二开放状态是在从所述液处理部排出所述第一排气的情况下容许外气向所述第二部分导入的状态，所述第二关闭状态是在从所述液处理部排出所述第一排气以外的所述排气的情况下截止外气向所述第二部分导入的状态。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个处理液还包括与所述第一处理液和所述第二处理液种类不同的第三处理液，
所述排气还包括伴随利用所述第三处理液进行的所述基片的处理而从所述液处理部排出的第三排气，
所述排气部还包括构成为能够供所述第三排气流通的第三独立排气管，
所述主排气管还包括位于比所述第三切换机构靠下游侧的第三部分，
所述切换部还包括第五切换机构，所述第五切换机构构成为配置于所述第三部分与所述第三独立排气管之间，能够切换第三连通状态和第三非连通状态，其中，所述第三连通状态是在从所述液处理部排出所述第三排气的情况下所述第三部分与所述第三独立排气管连通的状态，所述第三非连通状态是在从所述液处理部排出所述第三排气以外的所述排气的情况下所述第三部分与所述第三独立排气管不连通的状态，所述切换部构成为能够将所述主排气管与所述第一独立排气管、所述第二独立排气管和所述第三独立排气管中的任一者有选择地连通。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一处理液是有机类处理液，
所述第二处理液是酸类处理液或碱类处理液。
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
在从所述液处理部排出所述第一排气的情况下，所述第三切换机构成为所述第一关闭状态且所述第四切换机构成为所述第二开放状态，由此所述第二部分的压力被设定得比所述第一部分的压力高。
5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述切换部还包括：
第一传感器，其构成为能够测量所述第一部分的压力；
第二传感器，其构成为能够测量所述第二部分的压力；和
调节部，其设置于所述外气导入管中的比所述第四切换机构靠上游侧的位置，
所述调节部构成为能够调节外气向所述第二部分的导入量，以使得由所述第二传感器测量出的压力的大小大于由所述第一传感器测量出的压力的大小。
6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述切换部配置于比所述液处理部靠上方的位置。
7.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述切换部还包括第六切换机构，所述第六切换机构构成为配置于所述第一部分与所述第一切换机构之间，能够切换第四连通状态和第四非连通状态，其中，所述第四连通状态是在从所述液处理部排出所述第一排气的情况下所述第一部分与所述第一切换机构连通的状态，所述第四非连通状态是在从所述液处理部排出所述第一排气以外的所述排气的情况下所述第一部分与所述第一切换机构不连通的状态。
8.一种基片处理方法，其特征在于：
所述基片处理方法使用权利要求1～7中任一项所述的基片处理装置对所述基片进行处理，并包括：
使所述第一切换机构为所述第一连通状态，使所述第二切换机构为所述第二非连通状态，使所述第三切换机构为所述第一关闭状态，且使所述第四切换机构为所述第二开放状态的第一步骤；
在所述第一步骤之后，在所述液处理部中利用所述第一处理液处理所述基片的第二步骤；
使所述第一切换机构为所述第一非连通状态，使所述第二切换机构为所述第二连通状态，使所述第三切换机构为所述第一开放状态，且使所述第四切换机构为所述第二关闭状态的第三步骤；和
在所述第三步骤之后，在所述液处理部中利用所述第二处理液处理所述基片的第四步骤。
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