JP5205045B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
上記実施例1に示したプラズマ処理装置において、特に、処理室220に試料Wを搬入する、あるいは、処理室220から処理後の試料を搬出する間(以降、「試料Wの搬送中」)にガス流量調節器216の検定を実施する変形例を図3を用いて説明する。本変形例では、試料Wの搬送中はプラズマを用いた処理は実施していないため、処理用に処理用ガスを処理室220に導入していない。そこで、試料Wの搬送中にガス流量調節器216の所定の調節器を検定する。
ガス供給ラインの構成の異なる例として変形例2を図5に示す。処理に使用するガスはガス1からガス12まで12種類のガスを使用する構成としている。ガス1からガス5までのガスラインはそれぞれガス流量調節器216−1からガス流量調節器216−5の下流で合流して一つのガスラインの配管としている。また、ガス6からガス12のガスラインは各々ガス流量調節器216−6乃至12の下流側で一つのガスラインに合流されている。
102 真空側ブロック
103 処理容器
104 真空搬送室
105 ロック室
106 筐体
107 カセット台
108 真空搬送ロボット
109 大気側搬送ロボット
201 真空容器
202 ガス拡散板
203 試料台
204 コンダクタンス可変バルブ
205 真空排気ポンプ
206 搬送室
209 ソレノイドコイル
210 高周波電源
211 高周波バイアス電源
212 モータ
214,308 真空計
215 ガス排気ライン
216 ガス流量調節器
217,218,301,302,303,304,306,501,502,503,504 バルブ
219 ガス流量計測器
305 真空搬送室容器
307 真空ロボット
401 ガス流量調節器検定時間
402 試料搬送時間
403 プラズマ処理時間
Claims (6)
- 真空容器内に配置された処理室と、この処理室内部を排気して所定の圧力に減圧する排気装置と、前記処理室内に処理用のガスを供給し、前記処理用のガスを用いて形成したプラズマによりこの処理室内に配置された試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記処理室内と連通して前記処理用のガスとして供給される複数種類のガスが各々通流する複数の供給用のガスラインと、これら供給用のガスラインの各々上に配置され各々の前記複数のガス流量を各々調節する複数のガス流量調節器と、前記複数のガスラインが前記ガス流量調節器の下流側で一つに合流する合流部と、この合流部と前記ガス流量調節器との間において前記複数のガスラインの各々に連結されて前記処理室外に配置されこのガス流量調節器からのガスの流量を検定する検定器が配置された検定用のガス流路とを有し、
前記複数種類のガスのうちの一部の種類のガスを前記処理用のガスとして前記処理室に供給しつつ前記複数種類のガスのうち前記処理用のガスとして使用されていないガスをこのガスに対応するガスラインから前記検定用のガス流路に流して当該ガスライン上の前記ガス流量調節器の検定を行うプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、前記ガス流量調節器の検定は排他的に選択された前記複数のガスのうちの特定のガス用のガスラインが前記検定用のガスラインに連結されこの検定用のガスライン上の前記検定器により行われるプラズマ処理装置。
- 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置であって、前記複数のガスの供給用のガスラインが複数のグループに分けられて、一方のグループによる処理室へのガスの供給と並行して他方のグループのガスラインの検定を行うプラズマ処理装置。
- 真空容器内に配置され減圧された処理室内に処理対象の試料を配置し、前記処理室内と連通して複数種類のガスが各々通流する複数の供給用のガスラインであって各々の上に前記複数種類のガスの各々の流量を調節する複数のガス流量調節器を備えたガスラインのうち少なくとも一部を通して前記複数種類のガスの少なくとも一部を流量を各々調節して前記処理室内に処理用のガスとして供給し、前記処理用のガスを用いて形成したプラズマによりこの処理室内に配置された試料を処理するプラズマ処理方法であって、
前記複数の供給用のガスラインが前記ガス流量調節器の下流側で一つに合流する合流部を有し、この合流部と前記ガス流量調節器との間において前記複数のガスラインの各々と連結されて前記処理室外に配置されこのガス流量調節器からのガスの流量を検定する検定器が配置された検定用のガス流路とを有し、
前記処理用のガスを前記処理室に供給しつつ前記複数種類のガスのうち前記処理用のガスとして使用されていないガスをこのガスに対応するガスラインから前記検定用のガス流路に流して当該ガスライン上の前記ガス流量調節器の検定を行うプラズマ処理方法。 - 請求項4に記載のプラズマ処理方法であって、前記ガス流量調節器の検定は排他的に選択された前記複数のガスのうちの特定のガス用のガスラインが前記検定用のガスラインに連結されこの検定用のガスライン上の前記検定器により行われるプラズマ処理方法。
- 請求項4または5に記載のプラズマ処理方法であって、前記複数のガスの供給用のガスラインが複数のグループに分けられて、一方のグループによる処理室へのガスの供給と並行して他方のグループのガスラインの検定を行うプラズマ処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007324160A JP5205045B2 (ja) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US12/040,011 US8148268B2 (en) | 2007-12-17 | 2008-02-29 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007324160A JP5205045B2 (ja) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009147182A JP2009147182A (ja) | 2009-07-02 |
JP5205045B2 true JP5205045B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=40751838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007324160A Expired - Fee Related JP5205045B2 (ja) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8148268B2 (ja) |
JP (1) | JP5205045B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4943047B2 (ja) | 2006-04-07 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP5337185B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2013-11-06 | 株式会社東芝 | 圧力制御装置 |
US20120244685A1 (en) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Nuflare Technology, Inc. | Manufacturing Apparatus and Method for Semiconductor Device |
CN104731116B (zh) * | 2013-12-24 | 2017-09-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体加工设备中气路控制的方法及系统 |
US20220020570A1 (en) * | 2020-07-19 | 2022-01-20 | Applied Materials, Inc. | Switchable delivery for semiconductor processing system |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62143427A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | 処理ガス供給装置 |
JP2542695B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1996-10-09 | 九州日本電気株式会社 | プラズマエッチング装置 |
JP2659334B2 (ja) | 1994-05-12 | 1997-09-30 | シーケーディ株式会社 | マスフローコントローラ流量検定システム |
JP2002296096A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
US7794617B2 (en) * | 2006-03-23 | 2010-09-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method, plasma processing apparatus, control program and computer readable storage medium |
JP4908045B2 (ja) * | 2006-04-17 | 2012-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
-
2007
- 2007-12-17 JP JP2007324160A patent/JP5205045B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2008
- 2008-02-29 US US12/040,011 patent/US8148268B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8148268B2 (en) | 2012-04-03 |
JP2009147182A (ja) | 2009-07-02 |
US20090152242A1 (en) | 2009-06-18 |
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