CN104731116B - 半导体加工设备中气路控制的方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半导体加工设备中气路控制的方法及系统。其中方法包括判断工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值是否相同；当非零气路流量值不同时，在每一工艺步骤中，根据工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所有工艺步骤；当非零气路流量值相同时，对所有气路的气路流量值进行异步设置，并在每一工艺步骤中，根据工艺表单中的气路流量值是否为零打开或关闭气路与工艺腔室之间的阀门；气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所有工艺步骤。本发明实现气路控制方式的智能选择，缩短气路流量设置时间，提高生产效率。

Description

半导体加工设备中气路控制的方法及系统

技术领域

本发明涉及半导体控制领域，尤其涉及一种半导体加工设备中气路控制的方法及系统。

背景技术

在3D IC（Integrated Circuit,集成电路，半导体元件产品的统称）的制造过程中，TSV（Through Silicon Via，通过硅片通道）刻蚀是必不可少的一个步骤，这种高深宽比的刻蚀要求，普通工艺是无法达到的，常用的一种方法是采用BOSCH工艺来实现。由于BOSCH工艺的沉积步和刻蚀步的持续时间都很短，某些情况下单步甚至只有1秒钟时间，这就要求工艺步骤之间切换速度非常快，各个步骤中的工艺条件就需要在更短时间内实现切换并稳定，比如气体流量。工艺气体的种类和流量是工艺步骤的主要参数之一。

BOSCH工艺要求工艺过程中的沉积步和刻蚀步可以循环多次，在步与步之间气体流量的切换会很频繁。对气体流量快速切换的要求很高，因此气体流量切换的时间受到越来越广泛的关注。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够缩短气路流量切换时间的半导体加工设备中气路控制的方法及系统。

为实现本发明目的提供的一种半导体加工设备中气路控制的方法，包括以下步骤：

S100，读取工艺表单Recipe中所有气路的气体流量值，判断所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值是否相同，并得到第一判断结果；

S200，根据所述第一判断结果，当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值不同时，执行步骤S300；当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值相同时，执行步骤S400；

S300，在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤；

S400，遍历所述工艺表单中的气路流量值，根据每一气路的非零气路流量值对所有气路的气路流量值进行异步设置，并在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的气路流量值，当气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的阀门；否则关闭所述气路与工艺腔室之间的阀门，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

在其中一个实施例中，步骤S300中包括以下步骤：

S310，在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置；

S320，检测半导体加工设备中气路的气路流量是否稳定，并得到检测结果；

S330，根据所述检测结果，当所述半导体加工设备中气路的气路流量值稳定时，则执行步骤S340；否则，等待预定时间后，返回执行步骤S320;

S340，半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

在其中一个实施例中，步骤S400包括以下步骤：

S410，遍历所述工艺表单中的气路流量值，读取每一气路的非零气路流量值，并记录所述每一气路的非零气路流量值；

S420，根据所记录的每一气路的非零气路流量值，对所述工艺表单中的所有气路的气路流量值进行异步设置；

S430，在每一工艺步骤中，判断每一气路流量值是否为零，并得到第二判断结果；

S440，根据所述第二判断结果，当气路的气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的阀门，关闭所述气路通向废气侧的阀门；

S450，根据所述第二判断结果，当气路的气路流量值为零时，打开所述气路通向废气侧的阀门，关闭所述气路与工艺腔室之间的阀门；

S460，当气路流量稳定后，半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

在其中一个实施例中，所述预定时间为100ms。

在其中一个实施例中，本发明的半导体加工设备中气路控制的方法还包括以下步骤：

S500，根据所述工艺表单中的工艺步骤，当半导体加工设备完成所述工艺表单中的所有工艺步骤时，将所有气路的气路流量值异步设置为零。

基于同一发明构思的一种半导体加工设备中气路控制的系统，包括第一判断模块，第二执行模块，第三控制模块以及第四控制模块，以及安装在半导体加工设备的气路的流量控制器与工艺腔室之间的控制气体是否流入所述工艺腔室的第一控制阀门，和控制气体是否流入废气侧的第二控制阀门，其中：

所述第一判断模块，用于读取工艺表单Recipe中所有气路的气体流量值，判断所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值是否相同，并得到第一判断结果

所述第二执行模块，用于根据所述第一判断模块得到的第一判断结果，当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值不同时，利用第三控制模块对气路的气路流量进行控制；当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值相同时，利用第四控制模块对气路的气路流量进行控制；

所述第三控制模块，用于在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤；

所述第四控制模块，用于遍历所述工艺表单中的气路流量值，根据每一气路的非零气路流量值对所有气路的气路流量值进行异步设置，并在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的气路流量值，当气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，关闭第二控制阀门；否则关闭所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，打开第二控制阀门，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

在其中一个实施例中，所述第三控制模块包括第三流量设置子模块，第三流量检测子模块，第三判断子模块，以及第三加工子模块，其中：

所述第三流量设置子模块，用于在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置；

所述第三流量检测子模块，用于检测半导体加工设备中气路的气路流量是否稳定，并得到检测结果；

所述第三判断子模块，用于根据所述第三流量检测子模块的检测结果，当所述半导体加工设备中气路的气路流量值稳定时，则利用第三加工子模块进行进一步处理；否则，等待预定时间后，返回所述第三流量检测子模块进行进一步处理；

所述第三加工子模块，用于半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

在其中一个实施例中，所述第四控制模块包括第四流量记录子模块，第四流量设置子模块，第四流量判断子模块，第四流量打开子模块，第四流量关闭子模块，以及第四加工子模块，其中：

所述第四流量记录子模块，用于遍历所述工艺表单中的气路流量值，读取每一气路的非零气路流量值，并记录所述每一气路的非零气路流量值；

所述第四流量设置子模块，用于根据所记录的每一气路的非零气路流量值，对所述工艺表单中的所有气路的气路流量值进行异步设置；

所述第四流量判断子模块，用于在每一工艺步骤中，判断每一气路流量值是否为零，并得到第二判断结果；

所述第四流量打开子模块，用于根据所述第四流量判断子模块得到的第二判断结果，当气路的气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，关闭所述气路通向废气侧的第二控制阀门；

所述第四流量关闭子模块，用于根据所述第四流量判断子模块得到的第二判断结果，当气路的气路流量值为零时，打开所述气路通向废气侧的第二控制阀门，关闭所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门；

所述第四加工子模块，用于当气路流量稳定后，半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

在其中一个实施例中，本发明的半导体加工设备中气路控制的系统，还包括第五设置模块；

所述第五设置模块，用于根据所述工艺表单中的工艺步骤，当半导体加工设备完成所述工艺表单中的所有工艺步骤时，将所有气路的气路流量值异步设置为零。

本发明的有益效果包括：

本发明提供的一种半导体加工设备中气路控制的方法及系统，根据工艺表单中气路流量值是否固定可智能选择不同的方式进行气路切换，采用异步的方式对对气路的气路流量进行设置，大大缩短了半导体加工工艺中气路流量设置的时间，提高半导体加工的生产效率，针对气路非零气路流量值相同的工艺表单采用增加阀门，直接控制阀门开关的形式对气路流量进行控制，结合气路流量的异步设置，进一步减小了用于气路设置的时间，对半导体加工生成具有重要意义。

附图说明

图1为本发明一种半导体加工设备中气路控制的方法的一具体实施例的流程图；

图2为本发明一种半导体加工设备中气路控制的系统的一具体实施例的系统结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本发明实施例的半导体加工设备中气路控制的方法及系统进行说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例的半导体加工设备中气路控制的方法，如图1所示，包括以下步骤：

S100，读取工艺表单Recipe中所有气路的气体流量值，判断所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值是否相同，并得到第一判断结果。

在半导体加工工艺开始时，首先读取预先设定的进行半导体加工工艺的工艺表单Recipe中所涉及到的所有气路的气体流量值，并对工艺表单中每一气路在不同步骤中的气路流量值是否相同进行判断。如在表1中，在Recipe1中，气路1（Gas1）在步骤1（Step1）中的气路流量值为10，在步骤2（Step2）中的气路流量值为20，在步骤3（Step3）中的气路流量值为30，所以说气路1在不同步骤中的非零气路流量值不相同，同样气路2在步骤1、步骤2、步骤3中的气路流量值分别为20、30、10，气路2在不同步骤中的非零气路流量值也不相同，同理由表1可得到气路3在不同步骤的气路流量值不相同；而在表1中的Recipe2中，气路1在步骤1、2、3中的气路流量值分别为5、0、5，步骤1和步骤3中的非零流量值都为5，所以说气路1在不同步骤中的非零气路流量值相同，同理，在Recipe2中气路2在步骤1和步骤3中的气路流量值非零，且都为15，气路3在步骤2和步骤3中的气路流量值非零，且都为20，因此可以得出结论：在Recipe2中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值都相同。

表1 Recipe流量

S200，根据所述第一判断结果，当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值不同时，执行步骤S300；当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值相同时，执行步骤S400；

根据步骤S100的判断结果，当半导体加工中工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值不同时执行步骤S300，如在上述表1中，Recipe1中气路1、2、3在不同步骤中的气路流量值都不同，因此执行步骤S300；当工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值相同时，执行步骤S400，在上述表1中，Recipe2中的气路1在所有工艺步骤1、2、3中的非零气路流量值都为5，气路2在所有工艺步骤1、2、3中的非零气路流量值都为15，气路3在所有工艺步骤1、2、3中的非零气路流量值都为20，因此，对工艺表单Recipe2执行步骤S400。如此，根据工艺表单中气路的气路流量是否固定可智能选择气路控制操作的方式，如选择步骤S300中的气路控制操作，或步骤S400中的气路控制操作。

作为一种可实施方式，对工艺表单中每一气路在不同工艺步骤中的非零气路流量值进行判断，只要任意一气路存在两个或者两个以上的不同非零气路流量值，则执行步骤S300。

S300，在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

作为一种可实施方式，步骤S300具体包括以下步骤：

S310，在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置。

根据工艺表单中的工艺步骤，在工艺腔室进行工艺加工前，根据工艺表单中的气路流量值对气路的气路流量进行设置，在本发明实施例中采用异步设置的方式对同一步骤中不同气路的气路流量进行设置。

此处需要说明的是，在传统气路控制方法中，在每一工艺步骤中对气路的流量进行同步设置，如对于在表1中任意一个工艺表单，在任意步骤中首先对气路1的气路流量进行设置，气路1的气路流量设置完成后再对下一气路流量，即气路2的气路流量进行设置，气路2的气路流量设置完成后再对气路3的气路流量进行设置，设从流量控制器（MFC）接收到流量控制命令到流量设置完成平均需要时间t，则根据表1中的工艺表单，在每一步骤中完成3个气路的气路流量设置需要3t时间，因此完成任一工艺表单中所有工艺步骤时，花在气路流量设置上的时间为9t。

在本发明实施例中根据工艺表单中气路的气路流量值对气路进行异步设置，即对每一气路对应的流量控制器（MFC）下发流量控制命令后，不管本气路的流量控制器是否完成流量设置立即执行下一个操作，即对下一气路流量进行设置，直至完成对所有气路流量的设置。对于表1中，则完成每一步骤的3路气路流量的设置需要时间t，完成工艺表单中所有工艺任务时，用在气路流量设置上的时间约为3t。相对于传统气路控制方法在不改变任何硬件的基础上，大大节省了气路设置的时间，对半导体加工工艺具有重要意义。

此处需要说明的是，对于气路流量的异步设置，在每一工艺步骤中对所有气路的气路流量进行异步设置时，每一气路完成流量设置所需要的时间会有所不同，此时完成所有气路的气路流量设置所需要的时间为单个气路流量设置中用时最长的时间。如对表1中的工艺表单，在每一步骤中对每一气路的气路流量进行异步设置时，完成气路流量设置用时为气路1、2、3中气路流量设置用时最长的时间，所有时间相对于平均时间t略有差别，但远小于传统气路流量设置中的用时3t。

S320，检测半导体加工设备中气路的气路流量是否稳定，并得到检测结果。

S330，根据所述检测结果，当所述半导体加工设备中气路的气路流量稳定时，则执行步骤S340；否则，等待预定时间后，返回执行步骤S320;

检测半导体加工设备中气路的气路流量是否稳定，当气路流量值稳定后则执行下一步操作，保证工艺腔室中的气体比例。

当半导体加工设备中气路的气路流量不稳定时，等待预定时间后，返回执行步骤S320，再次检测半导体加工设备中气路的气路流量是否稳定，此步骤保证对气路流量是否稳定进行准确的判断。

较佳地，作为一种可实施方式，所述预定时间为100ms，即当所述半导体加工设备中气路流量不稳定时，等待100ms后，返回执行步骤S320。

S340，半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

当半导体加工设备中气路的气路流量稳定后，半导体加工设备执行相应的工艺加工步骤。完成本次工艺加工步骤之后，则对工艺表单中的下一工艺步骤的气路流量进行异步设置，并相应执行后续步骤，直至完成工艺表单中所有工艺步骤。

S400，遍历所述工艺表单中的气路流量值，根据每一气路的非零气路流量值对所有气路的气路流量值进行异步设置，并在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的气路流量值，当气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的阀门；否则关闭所述气路与工艺腔室之间的阀门，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

作为一种可实施方式，本发明实施例中的步骤S400具体包括以下步骤：

S410，遍历所述工艺表单中的气路流量值，读取每一气路的非零气路流量值，并记录所述每一气路的非零气路流量值。

当工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值相同时，首先遍历所述工艺表单中的气路流量值，记录每一气路的非零气路流量值，以便后续使用。

S420，根据所记录的每一气路的非零气路流量值，对所述工艺表单中的所有气路的气路流量值进行异步设置。

本步骤与步骤S310类似，对半导体加工设备中的所有气路的气路流量进行异步设置，异步设置缩短气路流量设置的时间花费，提高半导体加工的效率。

S430，在每一工艺步骤中，判断每一气路流量值是否为零，并得到第二判断结果。

S440，根据所述第二判断结果，当气路的气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的阀门，关闭所述气路通向废气侧的阀门。

S450，根据所述第二判断结果，当气路的气路流量值为零时，打开所述气路通向废气侧的阀门，关闭所述气路与工艺腔室之间的阀门。

在每一工艺步骤开始时，根据工艺表单中的气路流量值，查看对每一气路查看其气路流量是否为零，当气路流量不为零时，则说明需要将这一气路中的气体通入到进行半导体加工的工艺腔室中，因此，打开所述气路与工艺腔室之间的阀门，同时关闭所述气路通向废气侧的阀门。

在步骤S420中，已经根据气路的非零气路流量值对每一气路对应的流量控制器进行了设置，在步骤S440中无需在对气路流量值进行设置，只需直接打开通向工艺腔室的阀门，而开关阀门耗时非常短，相对于操作流量控制器的时间可忽略不计，省掉了在每一工艺步骤开始时对气路流量进行设置的时间，提高了半导体加工的工作效率。

当根据工艺表单中的气路流量，在某一步骤中某一气路的气路流量值为零时，则打开所述气路通向废气侧的阀门，关闭所述气路与工艺腔室之间的阀门，此时气体直接通入到废气侧，不流入到进行加工工艺的工艺腔室中。

S460，当气路流量稳定后，半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

根据工艺表单中的气路流量值对每一气路对应的阀门进行相应的打开或者关闭操作之后，工艺腔室开始进行加工工艺。

此处需要说明的是在步骤S420中对气路的气路流量进行设置时，每一气路的气路流量都已经处于稳定状态之后才会执行下一步骤的操作，因此可以认为，打开通向工艺腔室的阀门之后，通入到工艺腔室的气体流量基本稳定。

作为一种可实施方式，本发明实施例的一种半导体加工设备中气路控制的方法，还包括以下步骤：

S500，根据所述工艺表单中的工艺步骤，当半导体加工设备完成所述工艺表单中的所有工艺步骤时，将所有气路的气路流量值异步设置为零。

加工工艺完成之后，采用异步的方式将所有气路的气路流量值设置为零，减少资源的浪费，降低生产成本。

在本发明一个实施例中，在步骤S100之前还包括以下步骤：

S010，在半导体加工设备的气路的流量控制器与工艺腔室之间增加控制气体是否流入所述工艺腔室的第一控制阀门，以及控制气体是否流入废气侧的第二控制阀门。

在传统半导体加工设备的基础上增加用于气路控制的阀门，以便当同一气路在工艺表单的所有步骤中非零气路流量值相同时，使用所述阀门对气路进行控制。

本发明实施例的半导体加工设备中气路控制的方法，根据工艺表单中气路流量值是否固定可智能选择气路切换的方式，采用异步的方式对对气路的气路流量进行设置，大大缩短了半导体加工工艺中气路流量设置的时间，提高半导体加工的生产效率，针对气路非零气路流量值相同的工艺表单采用增加阀门，直接控制开关的形式对气路流量进行控制，结合气路流量的异步设置，进一步减小了用于气路设置的时间。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种半导体加工设备气路控制的系统，由于此系统解决问题的原理与前述一种半导体加工设备气路控制的方法相似，因此，该系统的实施可以通过前述方法的具体步骤实现，重复之处不再赘述。

本发明实施例的一种半导体加工设备中气路控制的系统，如图2所示，包括第一判断模块100，第二执行模块200，第三控制模块300以及第四控制模块400，以及安装在半导体加工设备的气路的流量控制器与工艺腔室之间的控制气体是否流入所述工艺腔室的第一控制阀门002，和控制气体是否流入废气侧的第二控制阀门004。

第一判断模块100，用于读取工艺表单Recipe中所有气路的气体流量值，判断所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值是否相同，并得到第一判断结果

第二执行模块200，用于根据所述第一判断模块得到的第一判断结果，当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值不同时，利用第三控制模块对气路的气路流量进行控制；当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值相同时，利用第四控制模块对气路的气路流量进行控制；

第三控制模块300，用于在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤；

第四控制模块400，用于遍历所述工艺表单中的气路流量值，根据每一气路的非零气路流量值对所有气路的气路流量值进行异步设置，并在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的气路流量值，当气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，关闭所述第二控制阀门；否则关闭所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，打开所述第二控制阀门，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

作为一种可实施方式，所述第三控制模块300包括第三流量设置子模块310，第三流量检测子模块320，第三判断子模块330，以及第三加工子模块340.

所述第三流量设置子模块310，用于在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置。

根据工艺表单中的工艺步骤，在工艺腔室进行工艺加工前，根据工艺表单中的气路流量值对气路的气路流量进行设置，在本发明实施例中采用异步设置的方式对同一步骤中不同气路的气路流量进行设置。

在本发明实施例中根据工艺表单中气路的气路流量值对气路进行异步设置，即对每一气路对应的流量控制器（MFC）下发流量控制命令后，不管本气路的流量控制器是否完成流量设置立即执行下一个操作，即对下一气路流量进行设置，直至完成对所有气路流量的设置。对于表1中，则完成每一步骤的3路气路流量的设置需要时间t，完成工艺表单中所有工艺任务时，用在气路流量设置上的时间约为3t。而传统工艺中完成每一步骤的气路流量设置需用时3t，完成表1中的工艺表单中的3个加工步骤总用时要达到9t，因此，本发明实施例的半导体加工设备中气路控制的方法相对于传统气路控制方法在不改变任何硬件的基础上，大大节省了气路设置的时间，提高半导体加工效率，对半导体加工工艺具有重要意义。

所述第三流量检测子模块320，用于检测半导体加工设备中气路的气路流量是否稳定，并得到检测结果；

所述第三判断子模块330，用于根据所述第三流量检测子模块的检测结果，当所述半导体加工设备中气路的气路流量值稳定时，则利用第三加工子模块进行进一步处理；否则，等待预定时间后，返回所述第三流量检测子模块进行进一步处理。

作为一种可实施方式，所述预定时间为100ms，即当所述半导体加工设备中气路流量不稳定时，等待100ms后，返回第三流量检测子模块进行进一步处理。

所述第三加工子模块340，用于半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

当半导体加工设备中气路的气路流量稳定后，半导体加工设备执行相应的工艺加工步骤。完成本次工艺加工步骤之后，则对工艺表单中的下一工艺步骤的气路流量进行异步设置，并相应执行后续步骤，直至完成工艺表单中所有工艺步骤。

作为一种可实施方式，所述第四控制模块400包括第四流量记录子模块410，第四流量设置子模块420，第四流量判断子模块430，第四流量打开子模块440，第四流量关闭子模块450，以及第四加工子模块460。

所述第四流量记录子模块410，用于遍历所述工艺表单中的气路流量值，读取每一气路的非零气路流量值，并记录所述每一气路的非零气路流量值；

所述第四流量设置子模块420，用于根据所记录的每一气路的非零气路流量值，对所述工艺表单中的所有气路的气路流量值进行异步设置；

所述第四流量判断子模块430，用于在每一工艺步骤中，判断每一气路流量值是否为零，并得到第二判断结果；

所述第四流量打开子模块440，用于根据所述第四流量判断子模块得到的第二判断结果，当气路的气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，关闭所述气路通向废气侧的第二控制阀门。

在每一工艺步骤开始时，第四流量判断子模块根据工艺表单中的气路流量值，查看对每一气路查看其气路流量是否为零，当气路流量不为零时，则说明需要将这一气路中的气体通入到进行半导体加工的工艺腔室中，因此，第四流量打开子模块打开所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，同时关闭所述气路通向废气侧的第二控制阀门。

此处需要说明的是，第四流量设置子模块已经根据气路的非零气路流量值对每一气路对应的流量控制器进行了设置，第四流量打开子模块无需在对气路流量值进行设置，只需直接打开通向工艺腔室的阀门，而开关阀门耗时非常短，相对于操作流量控制器的时间可忽略不计，省掉了在每一工艺步骤开始时对气路流量进行设置的时间，提高了半导体加工的工作效率。

所述第四流量关闭子模块450，用于根据所述第四流量判断子模块得到的第二判断结果，当气路的气路流量值为零时，打开所述气路通向废气侧的第二控制阀门，关闭所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门。

当气路流量为零时，则说明不需要将这一气路中的气体通入到进行半导体加工的工艺腔室中，因此，第四流量关闭子模块关闭所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，同时打开所述气路通向废气侧的第二控制阀门。

所述第四加工子模块460，用于当气路流量稳定后，半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

作为一种可实施方式，本发明实施例的一种半导体加工设备中气路控制的系统，还包括第五设置模块500。

所述第五设置模块500，用于根据所述工艺表单中的工艺步骤，当半导体加工设备完成所述工艺表单中的所有工艺步骤时，将所有气路的气路流量值异步设置为零。

加工工艺完成之后，采用异步的方式将所有气路的气路流量值设置为零，减少资源的浪费，降低生产成本。

本发明实施例的半导体加工设备中气路控制的系统，根据工艺表单中气路流量值是否固定可智能选择不同的控制模块对气路进行不通过方式的切换，采用异步的方式对对气路的气路流量进行设置，大大缩短了半导体加工工艺中气路流量设置的时间，提高半导体加工的生产效率，针对气路非零气路流量值相同的工艺表单采用增加阀门，直接控制阀门开关的形式对气路流量进行控制，结合气路流量的异步设置，进一步减小了用于气路设置的时间。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种半导体加工设备中气路控制的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S100，读取工艺表单Recipe中所有气路的气体流量值，判断所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值是否相同，并得到第一判断结果；

S200，根据所述第一判断结果进一步判断，当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值不同时，执行步骤S300；当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值相同时，执行步骤S400；

S300，在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤；

S400，遍历所述工艺表单中的气路流量值，根据每一气路的非零气路流量值对所有气路的气路流量值进行异步设置，并在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的气路流量值，当气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的阀门；否则关闭所述气路与工艺腔室之间的阀门，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

2.根据权利要求1所述的半导体加工设备中气路控制的方法，其特征在于，步骤S300中包括以下步骤：

S310，在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置；

S320，检测半导体加工设备中气路的气路流量是否稳定，并得到检测结果；

S330，根据所述检测结果判断，当所述半导体加工设备中气路的气路流量值稳定时，则执行步骤S340；否则，等待预定时间后，返回执行步骤S320;

S340，执行半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

3.根据权利要求1所述的半导体加工设备中气路控制的方法，其特征在于，步骤S400包括以下步骤：

S410，遍历所述工艺表单中的气路流量值，读取每一气路的非零气路流量值，并记录所述每一气路的非零气路流量值；

S420，根据所记录的每一气路的非零气路流量值，对所述工艺表单中的所有气路的气路流量值进行异步设置；

S430，在每一工艺步骤中，判断每一气路流量值是否为零，并得到第二判断结果；

S440，根据所述第二判断结果，当气路的气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的阀门，关闭所述气路通向废气侧的阀门；

S450，根据所述第二判断结果，当气路的气路流量值为零时，打开所述气路通向废气侧的阀门，关闭所述气路与工艺腔室之间的阀门；

S460，当气路流量稳定后，半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

4.根据权利要求2所述的半导体加工设备中气路控制的方法，其特征在于，所述预定时间为100ms。

5.根据权利要求1所述的半导体加工设备中气路控制的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

S500，根据所述工艺表单中的工艺步骤，当半导体加工设备完成所述工艺表单中的所有工艺步骤时，将所有气路的气路流量值异步设置为零。

6.一种半导体加工设备中气路控制的系统，其特征在于，包括第一判断模块，第二执行模块，第三控制模块以及第四控制模块，以及安装在半导体加工设备的气路的流量控制器与工艺腔室之间的控制气体是否流入所述工艺腔室的第一控制阀门，和控制气体是否流入废气侧的第二控制阀门，其中：

所述第一判断模块，用于读取工艺表单Recipe中所有气路的气体流量值，判断所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值是否相同，并得到第一判断结果；

所述第二执行模块，用于根据所述第一判断模块得到的第一判断结果，当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值不同时，利用第三控制模块对气路的气路流量进行控制；当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值相同时，利用第四控制模块对气路的气路流量进行控制；

所述第三控制模块，用于在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤；

所述第四控制模块，用于遍历所述工艺表单中的气路流量值，根据每一气路的非零气路流量值对所有气路的气路流量值进行异步设置，并在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的气路流量值，当气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，关闭第二控制阀门；否则关闭所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，打开第二控制阀门，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

7.根据权利要求6所述的半导体加工设备中气路控制的系统，其特征在于，所述第三控制模块包括第三流量设置子模块，第三流量检测子模块，第三判断子模块，以及第三加工子模块，其中：

所述第三流量设置子模块，用于在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置；

所述第三流量检测子模块，用于检测半导体加工设备中气路的气路流量是否稳定，并得到检测结果；

所述第三判断子模块，用于根据所述第三流量检测子模块的检测结果，当所述半导体加工设备中气路的气路流量值稳定时，则利用第三加工子模块进行进一步处理；否则，等待预定时间后，返回所述第三流量检测子模块进行进一步处理；

所述第三加工子模块，用于半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

8.根据权利要求6所述的半导体加工设备中气路控制的系统，其特征在于，所述第四控制模块包括第四流量记录子模块，第四流量设置子模块，第四流量判断子模块，第四流量打开子模块，第四流量关闭子模块，以及第四加工子模块，其中：

所述第四流量记录子模块，用于遍历所述工艺表单中的气路流量值，读取每一气路的非零气路流量值，并记录所述每一气路的非零气路流量值；

所述第四流量设置子模块，用于根据所记录的每一气路的非零气路流量值，对所述工艺表单中的所有气路的气路流量值进行异步设置；

所述第四流量判断子模块，用于在每一工艺步骤中，判断每一气路流量值是否为零，并得到第二判断结果；

所述第四流量打开子模块，用于根据所述第四流量判断子模块得到的第二判断结果，当气路的气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，关闭所述气路通向废气侧的第二控制阀门；

所述第四流量关闭子模块，用于根据所述第四流量判断子模块得到的第二判断结果，当气路的气路流量值为零时，打开所述气路通向废气侧的第二控制阀门，关闭所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门；

所述第四加工子模块，用于当气路流量稳定后，半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。

9.根据权利要求6所述的半导体加工设备中气路控制的系统，其特征在于，还包括第五设置模块；

所述第五设置模块，用于根据所述工艺表单中的工艺步骤，当半导体加工设备完成所述工艺表单中的所有工艺步骤时，将所有气路的气路流量值异步设置为零。