JP2002296096A - 処理方法及び処理装置 - Google Patents
処理方法及び処理装置Info
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
- G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
- G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
- G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
- G05D7/0641—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 流量制御装置の流量を診断するには、例えば
ロットの切替時や装置の起動時等の被処理体の処理が中
断した時点で流量診断専用の工程を設けて流量診断を行
わざるを得ず、それだけスループットが低下する。 【解決手段】 本発明の処理方法は、チャンバー３０内
にプロセスガスを所定流量で供給し、チャンバー３０内
でウエハＷを処理する際、プロセスガスでウエハＷを処
理する度毎にプロセスガスの流量を診断する。
ロットの切替時や装置の起動時等の被処理体の処理が中
断した時点で流量診断専用の工程を設けて流量診断を行
わざるを得ず、それだけスループットが低下する。 【解決手段】 本発明の処理方法は、チャンバー３０内
にプロセスガスを所定流量で供給し、チャンバー３０内
でウエハＷを処理する際、プロセスガスでウエハＷを処
理する度毎にプロセスガスの流量を診断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理方法及び処理
装置に関し、更に詳しくはプロセスガスを用いてウエハ
等の被処理体を一枚ずつ処理する度毎に、被処理体の処
理と並行してプロセスガスの流量を診断することができ
る処理方法及び処理装置に関する。
装置に関し、更に詳しくはプロセスガスを用いてウエハ
等の被処理体を一枚ずつ処理する度毎に、被処理体の処
理と並行してプロセスガスの流量を診断することができ
る処理方法及び処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程には種々のプロセスガス
を用いてウエハ等の被処理体に対してエッチングや成膜
等の種々の処理を施す工程がある。この工程で用いられ
る処理装置は、例えば、複数種のプロセスガスを個別に
供給するガス供給源と、これらのガス供給源とガス供給
ラインを介して連結された処理室と、この処理室内のガ
スを排気する排気ラインを介して連結された排気装置と
を備えている。ガス供給ラインにはプロセスガスの流量
を制御するマスフローコントローラ等の流量制御装置が
配設され、これらの流量制御装置を介してそれぞれのプ
ロセスガスを所定流量に制御して処理室内に供給してい
る。処理室内では流量制御された複数種のプロセスガス
を用いて被処理体にエッチング処理や成膜処理等の処理
を施している。
を用いてウエハ等の被処理体に対してエッチングや成膜
等の種々の処理を施す工程がある。この工程で用いられ
る処理装置は、例えば、複数種のプロセスガスを個別に
供給するガス供給源と、これらのガス供給源とガス供給
ラインを介して連結された処理室と、この処理室内のガ
スを排気する排気ラインを介して連結された排気装置と
を備えている。ガス供給ラインにはプロセスガスの流量
を制御するマスフローコントローラ等の流量制御装置が
配設され、これらの流量制御装置を介してそれぞれのプ
ロセスガスを所定流量に制御して処理室内に供給してい
る。処理室内では流量制御された複数種のプロセスガス
を用いて被処理体にエッチング処理や成膜処理等の処理
を施している。
【０００３】一方、集積回路の超微細化と薄膜化に伴っ
てエッチング処理や成膜処理等の処理におけるプロセス
ガスの流量制御が従来にも増して重要になって来ている
ため、従来にも増してプロセスガスを高精度に制御する
必要がある。
てエッチング処理や成膜処理等の処理におけるプロセス
ガスの流量制御が従来にも増して重要になって来ている
ため、従来にも増してプロセスガスを高精度に制御する
必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
処理装置の場合にはプロセスガスを流量制御装置で流量
制御を行っていることからプロセスガスは常に設定流量
で供給されているとの前提に立っているが、このような
流量制御装置であっても外乱の影響で被処理体の処理中
に常に設定流量でガス流量が制御されているとの保証は
なく、必要に応じてプロセスガスの制御流量をチェック
する、いわゆる流量診断が必要になって来る。ところ
が、流量制御装置の流量を診断するには、例えばロット
の切替時や装置の起動時等の被処理体の処理が中断した
時点で流量診断専用の工程を設けて流量診断を行わざる
を得ず、それだけスループットが低下するという課題が
あった。
処理装置の場合にはプロセスガスを流量制御装置で流量
制御を行っていることからプロセスガスは常に設定流量
で供給されているとの前提に立っているが、このような
流量制御装置であっても外乱の影響で被処理体の処理中
に常に設定流量でガス流量が制御されているとの保証は
なく、必要に応じてプロセスガスの制御流量をチェック
する、いわゆる流量診断が必要になって来る。ところ
が、流量制御装置の流量を診断するには、例えばロット
の切替時や装置の起動時等の被処理体の処理が中断した
時点で流量診断専用の工程を設けて流量診断を行わざる
を得ず、それだけスループットが低下するという課題が
あった。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、被処理体の処理を中断することなく流量の
自己診断を確実に行うことができ、スループットを低下
させることなく被処理体の処理を行うことができる処理
方法及び処理装置を提供することを目的としている。
れたもので、被処理体の処理を中断することなく流量の
自己診断を確実に行うことができ、スループットを低下
させることなく被処理体の処理を行うことができる処理
方法及び処理装置を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の処理方法は、処理室内にプロセスガスを所定流量で供
給し、上記処理室内で被処理体を処理する方法におい
て、上記プロセスガスで上記被処理体を処理する度毎に
上記プロセスガスの流量を診断することを特徴とするも
のである。
の処理方法は、処理室内にプロセスガスを所定流量で供
給し、上記処理室内で被処理体を処理する方法におい
て、上記プロセスガスで上記被処理体を処理する度毎に
上記プロセスガスの流量を診断することを特徴とするも
のである。
【０００７】また、本発明の請求項２に記載の処理方法
は、流量制御装置を介して流量制御したプロセスガスを
ガス供給ラインを介して処理室内に供給し、上記処理室
内で被処理体を処理する方法において、上記ガス流量制
御装置として自己診断可能な流量制御装置を設けると共
に上記ガス供給ラインに分岐ラインを設け、上記プロセ
スガスで上記被処理体を処理する度毎に上記ガス供給ラ
インを上記分岐ラインに切り替えて上記流量制御装置に
おいて上記プロセスガスの流量を自己診断することを特
徴とするものである。
は、流量制御装置を介して流量制御したプロセスガスを
ガス供給ラインを介して処理室内に供給し、上記処理室
内で被処理体を処理する方法において、上記ガス流量制
御装置として自己診断可能な流量制御装置を設けると共
に上記ガス供給ラインに分岐ラインを設け、上記プロセ
スガスで上記被処理体を処理する度毎に上記ガス供給ラ
インを上記分岐ラインに切り替えて上記流量制御装置に
おいて上記プロセスガスの流量を自己診断することを特
徴とするものである。
【０００８】また、本発明の請求項３に記載の処理方法
は、流量制御装置を介して流量制御したプロセスガスを
ガス供給ラインを介して処理室内に供給し、上記処理室
内で被処理体を処理する方法において、上記ガス供給ラ
インに分岐ラインを設けると共にこの分岐ラインに流量
検出器を設け、上記プロセスガスで上記被処理体を処理
する度毎に上記ガス供給ラインを上記分岐ラインに切り
替えて上記流量検出器において上記プロセスガスの流量
を診断することを特徴とするものである。
は、流量制御装置を介して流量制御したプロセスガスを
ガス供給ラインを介して処理室内に供給し、上記処理室
内で被処理体を処理する方法において、上記ガス供給ラ
インに分岐ラインを設けると共にこの分岐ラインに流量
検出器を設け、上記プロセスガスで上記被処理体を処理
する度毎に上記ガス供給ラインを上記分岐ラインに切り
替えて上記流量検出器において上記プロセスガスの流量
を診断することを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明の請求項４に記載の処理装置
は、流量制御装置を介して流量制御したプロセスガスを
ガス供給ラインを介して処理室内に供給し、上記処理室
内で被処理体を処理する処理装置において、上記流量制
御装置として自己診断可能な流量制御装置を設けると共
に上記ガス供給ラインに第１バルブを設け、また、上記
ガス供給ラインから分岐する分岐ラインを設けると共に
この分岐ラインに第２バルブを設け、上記プロセスガス
で上記被処理体を処理する度毎に上記第１バルブを閉止
すると共に上記第２バルブを開放して上記ガス供給ライ
ンから上記分岐ラインに切り替えて上記分岐ラインに上
記プロセスガスを流し、上記流量制御装置において上記
プロセスガスの流量を自己診断することを特徴とするも
のである。
は、流量制御装置を介して流量制御したプロセスガスを
ガス供給ラインを介して処理室内に供給し、上記処理室
内で被処理体を処理する処理装置において、上記流量制
御装置として自己診断可能な流量制御装置を設けると共
に上記ガス供給ラインに第１バルブを設け、また、上記
ガス供給ラインから分岐する分岐ラインを設けると共に
この分岐ラインに第２バルブを設け、上記プロセスガス
で上記被処理体を処理する度毎に上記第１バルブを閉止
すると共に上記第２バルブを開放して上記ガス供給ライ
ンから上記分岐ラインに切り替えて上記分岐ラインに上
記プロセスガスを流し、上記流量制御装置において上記
プロセスガスの流量を自己診断することを特徴とするも
のである。
【００１０】また、本発明の請求項５に記載の処理装置
は、流量制御装置を介して流量制御したプロセスガスを
ガス供給ラインを介して処理室内に供給し、上記処理室
内で被処理体を処理する処理装置において、上記ガス供
給ラインに第１バルブを設けると共に上記ガス供給ライ
ンから分岐する分岐ラインを設け、また、上記分岐ライ
ンに第２バルブ及び流量検出器を設け、上記プロセスガ
スで上記被処理体を処理する度毎に上記第１バルブを閉
止すると共に上記第２バルブを開放して上記ガス供給ラ
インから上記分岐ラインに切り替えて上記分岐ラインに
上記プロセスガスを流し、上記流量検出器において上記
プロセスガスの流量を診断することを特徴とするもので
ある。
は、流量制御装置を介して流量制御したプロセスガスを
ガス供給ラインを介して処理室内に供給し、上記処理室
内で被処理体を処理する処理装置において、上記ガス供
給ラインに第１バルブを設けると共に上記ガス供給ライ
ンから分岐する分岐ラインを設け、また、上記分岐ライ
ンに第２バルブ及び流量検出器を設け、上記プロセスガ
スで上記被処理体を処理する度毎に上記第１バルブを閉
止すると共に上記第２バルブを開放して上記ガス供給ラ
インから上記分岐ラインに切り替えて上記分岐ラインに
上記プロセスガスを流し、上記流量検出器において上記
プロセスガスの流量を診断することを特徴とするもので
ある。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。本実施形態の処理装置
は、例えば図１に示すように、複数種のプロセスガスの
流量を制御するガスボックス１０と、このガスボックス
１０とガス供給ライン２０を介して連結されたチャンバ
ー３０と、このチャンバー３０内を真空引きする真空排
気装置４０と、この真空排気装置４０を介してチャンバ
ー３０内のガスを排出する排気ガスライン５０とを備
え、ガスボックス１０を介して複数種のプロセスガスを
所定の流量に制御してチャンバー３０内へ供給すると共
に真空排気装置４０を介してチャンバー３０内を所定の
真空度に保持した状態で被処理体（例えば、ウエハＷ）
に対して所定の処理（例えば、エッチング）を行うよう
に構成されている。
に基づいて本発明を説明する。本実施形態の処理装置
は、例えば図１に示すように、複数種のプロセスガスの
流量を制御するガスボックス１０と、このガスボックス
１０とガス供給ライン２０を介して連結されたチャンバ
ー３０と、このチャンバー３０内を真空引きする真空排
気装置４０と、この真空排気装置４０を介してチャンバ
ー３０内のガスを排出する排気ガスライン５０とを備
え、ガスボックス１０を介して複数種のプロセスガスを
所定の流量に制御してチャンバー３０内へ供給すると共
に真空排気装置４０を介してチャンバー３０内を所定の
真空度に保持した状態で被処理体（例えば、ウエハＷ）
に対して所定の処理（例えば、エッチング）を行うよう
に構成されている。
【００１２】上記ガスボックス１０内には例えば同一構
成を有する６台の流量制御装置（ＦＣＳ）１１が配設さ
れ、これらの流量制御装置１１を介して所定のエッチン
グ処理で必要とされる複数種のプロセスガスを所定の流
量にそれぞれ制御している。これらの流量制御装置１１
は、後述のようにそれぞれの流量を自己診断可能に構成
され、ガス供給ライン２０から分岐した第１分岐ライン
２１〜２５及び第２分岐ライン２６にそれぞれ設けられ
ている。第２分岐ライン２１〜２５は残りの第２分岐ラ
イン２６よりも上流側でガス供給ライン２０から分岐し
ている。流量制御装置１１の上流側及び下流側にはそれ
ぞれ第１バルブ１２及び第２バルブ１３がそれぞれ設け
られ、第１、第２バルブ１２、１３を介してそれぞれの
分岐ライン２１〜２６を開閉する。これらの自己診断可
能な流量制御装置１１については後述する。更に、第２
分岐ライン２６からは第３分岐ライン２７が分岐し、第
３分岐ライン２７には第３バルブ１４が設けられてい
る。第２分岐ライン２６は、プロセス中、窒素ガス量を
調整する必要が生じた場合や、その他窒素ガスの流量を
適宜調整する必要がある時（例えば、ウエハの搬送時）
に窒素ガスを供給する配管として用いられ、第３分岐ラ
イン２７は例えば大気開放時等のように流量調整不要な
場合に窒素ガスを供給する配管として用いられる。ま
た、第１分岐ライン２１〜２５の合流点と第２分岐ライ
ン２６の合流点の間には第４バルブ６０が設けられ、プ
ロセスガスとしての窒素ガスは第４バルブ６０の下流側
で他のプロセスガスと合流する。
成を有する６台の流量制御装置（ＦＣＳ）１１が配設さ
れ、これらの流量制御装置１１を介して所定のエッチン
グ処理で必要とされる複数種のプロセスガスを所定の流
量にそれぞれ制御している。これらの流量制御装置１１
は、後述のようにそれぞれの流量を自己診断可能に構成
され、ガス供給ライン２０から分岐した第１分岐ライン
２１〜２５及び第２分岐ライン２６にそれぞれ設けられ
ている。第２分岐ライン２１〜２５は残りの第２分岐ラ
イン２６よりも上流側でガス供給ライン２０から分岐し
ている。流量制御装置１１の上流側及び下流側にはそれ
ぞれ第１バルブ１２及び第２バルブ１３がそれぞれ設け
られ、第１、第２バルブ１２、１３を介してそれぞれの
分岐ライン２１〜２６を開閉する。これらの自己診断可
能な流量制御装置１１については後述する。更に、第２
分岐ライン２６からは第３分岐ライン２７が分岐し、第
３分岐ライン２７には第３バルブ１４が設けられてい
る。第２分岐ライン２６は、プロセス中、窒素ガス量を
調整する必要が生じた場合や、その他窒素ガスの流量を
適宜調整する必要がある時（例えば、ウエハの搬送時）
に窒素ガスを供給する配管として用いられ、第３分岐ラ
イン２７は例えば大気開放時等のように流量調整不要な
場合に窒素ガスを供給する配管として用いられる。ま
た、第１分岐ライン２１〜２５の合流点と第２分岐ライ
ン２６の合流点の間には第４バルブ６０が設けられ、プ
ロセスガスとしての窒素ガスは第４バルブ６０の下流側
で他のプロセスガスと合流する。
【００１３】また、上記ガス供給ライン２０は第１分岐
ライン２１〜２５の合流点と第４バルブ６０の間で分岐
した第４分岐ライン２８を有している。この分岐ライン
２８の下流端は排気ガスライン５０の真空排気装置４０
の下流側に接続されている。第４分岐ライン２８には第
５バルブ７０が設けられ、流量制御装置１１の制御流量
を自己診断する際に第５バルブ７０を開放し、プロセス
ガスをガス排気ライン５０へ排出するようになってい
る。更に、ガス供給ライン２０の第２分岐ライン２６の
分岐点の下流側には第６バルブ８０が設けられ、このバ
ルブ８０は第５バルブ７０と同様に流量制御装置１１の
制御流量を自己診断する際に用いられる。
ライン２１〜２５の合流点と第４バルブ６０の間で分岐
した第４分岐ライン２８を有している。この分岐ライン
２８の下流端は排気ガスライン５０の真空排気装置４０
の下流側に接続されている。第４分岐ライン２８には第
５バルブ７０が設けられ、流量制御装置１１の制御流量
を自己診断する際に第５バルブ７０を開放し、プロセス
ガスをガス排気ライン５０へ排出するようになってい
る。更に、ガス供給ライン２０の第２分岐ライン２６の
分岐点の下流側には第６バルブ８０が設けられ、このバ
ルブ８０は第５バルブ７０と同様に流量制御装置１１の
制御流量を自己診断する際に用いられる。
【００１４】また、図１に示すように上記チャンバー３
０内には従来公知のように下部電極３１及び上部電極３
２が配設され、これら両電極３１、３２は隙間を介して
互いに対向している。下部電極３１には整合器３３を介
して高周波電源３４が接続され、上部電極３２は接地さ
れている。また、上部電極３２は中空状に形成され、そ
の下面には多数の孔が均等に分散して形成されている。
従って、ガスボックス１０内の流量制御装置１１を介し
て複数種のプロセスガスを所定の流量に制御して上部電
極３２内へ供給すると、複数種のプロセスガスが上部電
極３２内で均一に混合された後、下面の孔からチャンバ
ー３０内に供給され均等に拡散する。この状態で下部電
極３１に高周波電力を印加すると、下部電極３１上のウ
エハＷに所定のエッチングを施すことができる。
０内には従来公知のように下部電極３１及び上部電極３
２が配設され、これら両電極３１、３２は隙間を介して
互いに対向している。下部電極３１には整合器３３を介
して高周波電源３４が接続され、上部電極３２は接地さ
れている。また、上部電極３２は中空状に形成され、そ
の下面には多数の孔が均等に分散して形成されている。
従って、ガスボックス１０内の流量制御装置１１を介し
て複数種のプロセスガスを所定の流量に制御して上部電
極３２内へ供給すると、複数種のプロセスガスが上部電
極３２内で均一に混合された後、下面の孔からチャンバ
ー３０内に供給され均等に拡散する。この状態で下部電
極３１に高周波電力を印加すると、下部電極３１上のウ
エハＷに所定のエッチングを施すことができる。
【００１５】また、図示してないが、チャンバー３０は
従来公知のようにゲートバルブを介して搬送室に連結さ
れ、搬送室内のアームを介してチャンバー３０内にウエ
ハＷを搬入搬出する。チャンバー３０内では下部電極３
１に内蔵された昇降ピンを介してアームで搬送されるウ
エハＷの受け渡しを行う。下部電極３１には静電チャッ
クが設けられ、静電チャックに直流高電圧を印加するこ
とにより下部電極３１上でウエハＷを静電吸着する。更
に、下部電極３１はバックガス供給手段及び温度調節手
段を有し、バックガス供給手段を介してＨｅガス等の熱
伝達性に優れたバックガスをウエハＷと静電チャックの
間に供給すると共に温度調節手段を介して下部電極３１
上のウエハＷを所定温度に調節する。
従来公知のようにゲートバルブを介して搬送室に連結さ
れ、搬送室内のアームを介してチャンバー３０内にウエ
ハＷを搬入搬出する。チャンバー３０内では下部電極３
１に内蔵された昇降ピンを介してアームで搬送されるウ
エハＷの受け渡しを行う。下部電極３１には静電チャッ
クが設けられ、静電チャックに直流高電圧を印加するこ
とにより下部電極３１上でウエハＷを静電吸着する。更
に、下部電極３１はバックガス供給手段及び温度調節手
段を有し、バックガス供給手段を介してＨｅガス等の熱
伝達性に優れたバックガスをウエハＷと静電チャックの
間に供給すると共に温度調節手段を介して下部電極３１
上のウエハＷを所定温度に調節する。
【００１６】次いで、上記流量制御装置１１について図
２に基づいて説明する。この流量制御装置１１としては
例えば特開平１１−２２６０２３号公報で提案されてい
る圧力式流量制御装置を用いることができる。流量制御
装置１１は後述のように制御流量の自己診断回路を備え
ている。この自己診断回路は上記公報に記載の目詰検出
回路を転用したものである。従って、自己診断回路を備
えた流量制御装置１１の原理は上記公報に記載の圧力式
流量制御装置に基づいているため、以下では流量制御装
置１１の概要について説明する。
２に基づいて説明する。この流量制御装置１１としては
例えば特開平１１−２２６０２３号公報で提案されてい
る圧力式流量制御装置を用いることができる。流量制御
装置１１は後述のように制御流量の自己診断回路を備え
ている。この自己診断回路は上記公報に記載の目詰検出
回路を転用したものである。従って、自己診断回路を備
えた流量制御装置１１の原理は上記公報に記載の圧力式
流量制御装置に基づいているため、以下では流量制御装
置１１の概要について説明する。
【００１７】上記流量制御装置１１は、図２に示すよう
に、コントロールバルブ１１１、圧力検出器１１２、温
度検出器１１３、オリフィス１１４、演算制御部（ＣＰ
Ｕ）１１５、増幅器１１６、１１７、Ａ／Ｄ変換１１
８、１１９及び駆動部１２０を有し、オリフィス１１４
前後の圧力比Ｐ１／Ｐ２≧２を前提として機能する。即
ち、圧力検出器１１２及び温度検出器１１３を介して分
岐ライン２１のガス圧力Ｐ １及びガス温度Ｔ１を検出
し、これらの検出信号を増幅器１１６、１１７を介して
増幅した後、Ａ／Ｄ変換１１８、１１９を介してデジタ
ル信号に変換し、演算制御部１１５へ出力する。演算制
御部１１５は、ガス圧力及びガス温度の検出信号に基づ
いて分岐ライン２１のガス流量を温度補正した後、流量
設定回路１２１からの設定流量Ｑｓと温度補正後の演算
流量Ｑｃを比較し、設定流量Ｑｓと演算流量Ｑｃの差に
基づく演算制御信号Ｓ１を増幅器１２２を介して駆動部
１２０に出力し、コントロールバルブ１１１の開度を調
節して設定流量Ｑｓを維持するようにしている。
に、コントロールバルブ１１１、圧力検出器１１２、温
度検出器１１３、オリフィス１１４、演算制御部（ＣＰ
Ｕ）１１５、増幅器１１６、１１７、Ａ／Ｄ変換１１
８、１１９及び駆動部１２０を有し、オリフィス１１４
前後の圧力比Ｐ１／Ｐ２≧２を前提として機能する。即
ち、圧力検出器１１２及び温度検出器１１３を介して分
岐ライン２１のガス圧力Ｐ １及びガス温度Ｔ１を検出
し、これらの検出信号を増幅器１１６、１１７を介して
増幅した後、Ａ／Ｄ変換１１８、１１９を介してデジタ
ル信号に変換し、演算制御部１１５へ出力する。演算制
御部１１５は、ガス圧力及びガス温度の検出信号に基づ
いて分岐ライン２１のガス流量を温度補正した後、流量
設定回路１２１からの設定流量Ｑｓと温度補正後の演算
流量Ｑｃを比較し、設定流量Ｑｓと演算流量Ｑｃの差に
基づく演算制御信号Ｓ１を増幅器１２２を介して駆動部
１２０に出力し、コントロールバルブ１１１の開度を調
節して設定流量Ｑｓを維持するようにしている。
【００１８】また、上記流量制御装置１１は演算制御部
１１５の制御下にある自己診断回路１２３を有してい
る。この自己診断回路１２３は検定回路１２３Ａ及び増
幅器１２３Ｂを有する。検定回路１２２Ａは検定用信号
ΔＱの発生回路で、定常設定流量Ｑｓ０と検定用信号Δ
Ｑｓからなる設定流量Ｑｓ（ｔ）（＝Ｑｓ０＋ΔＱｓ）
を出力し、検定用信号ΔＱｓで自己診断を行う。この信
号は増幅器１２３Ｂを介して駆動部１２０を制御し、コ
ントロールバルブ１１１を開閉制御する。また、第２分
岐ライン２１〜２６のオリフィス１１４の上流側の圧力
Ｐ（ｔ）も定常圧力ＰＩ０と変動圧力ΔＰＩの加算値、
即ち、Ｐ（ｔ）＝ＰＩ０＋ΔＰＩとして与えられる。定
常圧力ＰＩ０は定常設定流量Ｑｓ０に対応し、変動圧力
ΔＰＩは検定用信号ΔＱｓに対応する。従って、検定用
信号ΔＱｓに所定の基準値を設定し、この基準値に基づ
いて制御流量変動が基準値内の許容できる制御流量であ
るか否かを診断することができる。そして、許容範囲を
逸脱した場合には、例えばアラーム回路１２５を介して
報知するようにしてある。アラーム回路１２５からの報
知に基づいていずれのプロセスガスが許容値を逸脱した
かを知ることができ、ひいてはその原因を究明すること
もできる。自己診断回路１２３が機能する時には、外部
回路１２４が自己診断信号を演算制御部１１５へ出力
し、演算制御部１１５はこの信号をトリガー信号として
増幅器１２２への制御信号の出力を中断し、流量制御装
置１１による流量制御を一時的に中断する。流量の自己
診断は短時間で終了するため、この間の流量制御は検定
回路１２２Ａの定常設定流量Ｑｓ０で保証するようにし
てある。
１１５の制御下にある自己診断回路１２３を有してい
る。この自己診断回路１２３は検定回路１２３Ａ及び増
幅器１２３Ｂを有する。検定回路１２２Ａは検定用信号
ΔＱの発生回路で、定常設定流量Ｑｓ０と検定用信号Δ
Ｑｓからなる設定流量Ｑｓ（ｔ）（＝Ｑｓ０＋ΔＱｓ）
を出力し、検定用信号ΔＱｓで自己診断を行う。この信
号は増幅器１２３Ｂを介して駆動部１２０を制御し、コ
ントロールバルブ１１１を開閉制御する。また、第２分
岐ライン２１〜２６のオリフィス１１４の上流側の圧力
Ｐ（ｔ）も定常圧力ＰＩ０と変動圧力ΔＰＩの加算値、
即ち、Ｐ（ｔ）＝ＰＩ０＋ΔＰＩとして与えられる。定
常圧力ＰＩ０は定常設定流量Ｑｓ０に対応し、変動圧力
ΔＰＩは検定用信号ΔＱｓに対応する。従って、検定用
信号ΔＱｓに所定の基準値を設定し、この基準値に基づ
いて制御流量変動が基準値内の許容できる制御流量であ
るか否かを診断することができる。そして、許容範囲を
逸脱した場合には、例えばアラーム回路１２５を介して
報知するようにしてある。アラーム回路１２５からの報
知に基づいていずれのプロセスガスが許容値を逸脱した
かを知ることができ、ひいてはその原因を究明すること
もできる。自己診断回路１２３が機能する時には、外部
回路１２４が自己診断信号を演算制御部１１５へ出力
し、演算制御部１１５はこの信号をトリガー信号として
増幅器１２２への制御信号の出力を中断し、流量制御装
置１１による流量制御を一時的に中断する。流量の自己
診断は短時間で終了するため、この間の流量制御は検定
回路１２２Ａの定常設定流量Ｑｓ０で保証するようにし
てある。
【００１９】次に、上記流量制御装置１１を用いた被処
理体の処理方法について説明する。まず、ガス供給ライ
ン２０の第４バルブ６０を閉じ、第２分岐ライン２７の
バルブ１４及びガス供給ライン２０の第６バルブ８０を
開いて窒素ガスを供給してチャンバー３０内の残留ガス
をパージした後、第２分岐ライン２７のバルブ１４及び
ガス供給ライン２０の第６バルブ８０を閉じチャンバー
３０のゲートバルブを開放し、搬送室内のアームを介し
てウエハＷをチャンバー３０内に搬送し、下部電極３１
の昇降ピンとの間でウエハＷの受け渡しを行う。引き続
き、昇降ピンが下部電極３１内に退没すると共に静電チ
ャックが働き、ウエハＷを下部電極３１上に固定する。
この間にアームがチャンバー３０から搬送室内へ後退し
てゲートバルブを閉じてウエハの搬入を終える。
理体の処理方法について説明する。まず、ガス供給ライ
ン２０の第４バルブ６０を閉じ、第２分岐ライン２７の
バルブ１４及びガス供給ライン２０の第６バルブ８０を
開いて窒素ガスを供給してチャンバー３０内の残留ガス
をパージした後、第２分岐ライン２７のバルブ１４及び
ガス供給ライン２０の第６バルブ８０を閉じチャンバー
３０のゲートバルブを開放し、搬送室内のアームを介し
てウエハＷをチャンバー３０内に搬送し、下部電極３１
の昇降ピンとの間でウエハＷの受け渡しを行う。引き続
き、昇降ピンが下部電極３１内に退没すると共に静電チ
ャックが働き、ウエハＷを下部電極３１上に固定する。
この間にアームがチャンバー３０から搬送室内へ後退し
てゲートバルブを閉じてウエハの搬入を終える。
【００２０】その後、Ｈｅガス等のバックガスをウエハ
Ｗの裏面へ供給すると共にチャンバー３０内の圧力制御
を開始する。圧力制御時にはガスボックス１０の第１、
第２バルブ１２、１３が開くと共にガス供給ライン２０
の第４、第６バルブ６０、８０を開き、第４分岐ライン
２８の第５バルブ７０を閉じた状態で流量制御装置１１
を介して流量を制御した所定のプロセスガスをガス供給
ライン２０を介してチャンバー３０内へ供給する。そし
て、高周波電源３４から下部電極３１に高周波電力を印
加してエッチング処理を開始する。この間ウエハＷはバ
ックガスの働きで所定の温度に制御されている。所定時
間経過した後高周波電力の印加を停止してエッチング終
了する。
Ｗの裏面へ供給すると共にチャンバー３０内の圧力制御
を開始する。圧力制御時にはガスボックス１０の第１、
第２バルブ１２、１３が開くと共にガス供給ライン２０
の第４、第６バルブ６０、８０を開き、第４分岐ライン
２８の第５バルブ７０を閉じた状態で流量制御装置１１
を介して流量を制御した所定のプロセスガスをガス供給
ライン２０を介してチャンバー３０内へ供給する。そし
て、高周波電源３４から下部電極３１に高周波電力を印
加してエッチング処理を開始する。この間ウエハＷはバ
ックガスの働きで所定の温度に制御されている。所定時
間経過した後高周波電力の印加を停止してエッチング終
了する。
【００２１】次いで、圧力制御を一時的に停止して第４
バルブ６０を閉じてチャンバー３０内へのプロセスガス
の供給を停止した後、第３分岐ライン２７の第３バルブ
１４及び第４分岐ライン２８の第５バルブ７０を開き、
プロセスガスを第４分岐ライン２８から排気ガスライン
５０を介して排気する。また、第２分岐ライン２６のバ
ルブ１３を開き、パージ用ガスとして窒素ガスをガス供
給ライン２０を介してチャンバー３０内へ供給してチャ
ンバー３０内の窒素ガスの圧力を一定に保つと共に静電
チャックの動作を止めてウエハＷを交換可能な状態にす
る。引き続き、ゲートバルブが開き、下部電極３１にお
いて昇降ピンとアームを介してウエハＷの受け渡しを行
ってチャンバー３０から搬送室へ搬出する。次いで、次
の未処理のウエハＷを上述したようにチャンバー３０内
へ搬入する。
バルブ６０を閉じてチャンバー３０内へのプロセスガス
の供給を停止した後、第３分岐ライン２７の第３バルブ
１４及び第４分岐ライン２８の第５バルブ７０を開き、
プロセスガスを第４分岐ライン２８から排気ガスライン
５０を介して排気する。また、第２分岐ライン２６のバ
ルブ１３を開き、パージ用ガスとして窒素ガスをガス供
給ライン２０を介してチャンバー３０内へ供給してチャ
ンバー３０内の窒素ガスの圧力を一定に保つと共に静電
チャックの動作を止めてウエハＷを交換可能な状態にす
る。引き続き、ゲートバルブが開き、下部電極３１にお
いて昇降ピンとアームを介してウエハＷの受け渡しを行
ってチャンバー３０から搬送室へ搬出する。次いで、次
の未処理のウエハＷを上述したようにチャンバー３０内
へ搬入する。
【００２２】而して、本実施形態ではウエハＷの処理後
から処理済みのウエハＷを未処理の次のウエハＷと交換
する間にプロセスガスの流路をガス供給ライン２０から
第４分岐ライン１８に切り替え、予め登録された自己診
断プログラムに基づいて自己診断を自動的に実施する。
即ち、窒素ガスでチャンバー３０内の残ガスをパージし
てから未処理のウエハＷを搬入するまでの間に、プロセ
スガスを第４分岐ライン２８から排気ガスライン５０へ
排気し、自己診断回路１２３を用いて流量制御装置１１
の制御流量を自己診断を実施する。そのために、外部回
路１２４から自己診断信号を演算制御部１１５へ出力す
る。演算制御部１１５はこの信号をトリガー信号として
増幅器１２２への制御信号の出力を中断し、流量制御装
置１１による流量制御を一時的に中断する。しかし、流
量の自己診断は短時間で終了するため、この間の流量制
御は検定回路１２２Ａの定常設定流量Ｑｓ０で保証され
ている。自己診断において制御流量が許容範囲を逸脱し
ている場合にはアラーム回路１２５を介してその旨知る
ことができる。自己診断はウエハＷを交換する間に行わ
れるため、ウエハＷの交換工程を自己診断工程として有
効に利用することができる。
から処理済みのウエハＷを未処理の次のウエハＷと交換
する間にプロセスガスの流路をガス供給ライン２０から
第４分岐ライン１８に切り替え、予め登録された自己診
断プログラムに基づいて自己診断を自動的に実施する。
即ち、窒素ガスでチャンバー３０内の残ガスをパージし
てから未処理のウエハＷを搬入するまでの間に、プロセ
スガスを第４分岐ライン２８から排気ガスライン５０へ
排気し、自己診断回路１２３を用いて流量制御装置１１
の制御流量を自己診断を実施する。そのために、外部回
路１２４から自己診断信号を演算制御部１１５へ出力す
る。演算制御部１１５はこの信号をトリガー信号として
増幅器１２２への制御信号の出力を中断し、流量制御装
置１１による流量制御を一時的に中断する。しかし、流
量の自己診断は短時間で終了するため、この間の流量制
御は検定回路１２２Ａの定常設定流量Ｑｓ０で保証され
ている。自己診断において制御流量が許容範囲を逸脱し
ている場合にはアラーム回路１２５を介してその旨知る
ことができる。自己診断はウエハＷを交換する間に行わ
れるため、ウエハＷの交換工程を自己診断工程として有
効に利用することができる。
【００２３】以上説明したように本実施形態によれば、
流量制御装置１１を介して流量制御したプロセスガスを
ガス供給ライン２０を介してチャンバー３０内に供給
し、このチャンバー３０内でウエハＷを処理する際に、
流量制御装置１１に自己診断回路１２３を設けて自己診
断可能にすると共にガス供給ライン２０にバルブ６０を
設け、また、ガス供給ライン２０から分岐する第４分岐
ライン２８設けると共にこの分岐ライン２８にバルブ７
０を設け、プロセスガスでウエハＷを処理する度毎にバ
ルブ６０を閉止すると共にバルブ７０を開放してガス供
給ライン２０から第４分岐ライン２８に切り替えて第４
分岐ライン２８にプロセスガスを流し、流量制御装置１
１の自己診断回路１２３においてプロセスガスの流量を
自己診断する処理装置を用い、ウエハＷをプロセスガス
で処理する度毎に、処理済みウエハＷと未処理ウエハＷ
を交換する時間を有効に利用してプロセスガスの流量を
流量制御装置１１の自己診断回路を用いて自己診断する
ようにしたため、ウエハＷの処理を中断することなく、
しかも枚葉単位で流量制御装置１１の自己診断を行うこ
とができ、エッチングのスループットを低下させること
がない。
流量制御装置１１を介して流量制御したプロセスガスを
ガス供給ライン２０を介してチャンバー３０内に供給
し、このチャンバー３０内でウエハＷを処理する際に、
流量制御装置１１に自己診断回路１２３を設けて自己診
断可能にすると共にガス供給ライン２０にバルブ６０を
設け、また、ガス供給ライン２０から分岐する第４分岐
ライン２８設けると共にこの分岐ライン２８にバルブ７
０を設け、プロセスガスでウエハＷを処理する度毎にバ
ルブ６０を閉止すると共にバルブ７０を開放してガス供
給ライン２０から第４分岐ライン２８に切り替えて第４
分岐ライン２８にプロセスガスを流し、流量制御装置１
１の自己診断回路１２３においてプロセスガスの流量を
自己診断する処理装置を用い、ウエハＷをプロセスガス
で処理する度毎に、処理済みウエハＷと未処理ウエハＷ
を交換する時間を有効に利用してプロセスガスの流量を
流量制御装置１１の自己診断回路を用いて自己診断する
ようにしたため、ウエハＷの処理を中断することなく、
しかも枚葉単位で流量制御装置１１の自己診断を行うこ
とができ、エッチングのスループットを低下させること
がない。
【００２４】また、図３は本発明の他の実施形態の処理
装置を示す構成図である。本実施形態の処理装置は、流
量制御装置１１が自己診断機能を有さず、流量診断用の
流量検出器を別途設けた点以外は、図１に示す処理装置
と同様に構成されている。従って、図１に示す処理装置
と同一または相当部分には同一符号を附して本実施形態
の特徴のみを説明する。本実施形態では第４分岐ライン
２８の第５バルブ７０の下流側に流量検出器９０が設け
られ、この流量検出器９０によって各流量制御装置１１
の制御流量をチェックするようにしている。尚、図３に
おいて、９１は流量検出器９０の容器内のガスを放出す
る際に用いられるバルブである。
装置を示す構成図である。本実施形態の処理装置は、流
量制御装置１１が自己診断機能を有さず、流量診断用の
流量検出器を別途設けた点以外は、図１に示す処理装置
と同様に構成されている。従って、図１に示す処理装置
と同一または相当部分には同一符号を附して本実施形態
の特徴のみを説明する。本実施形態では第４分岐ライン
２８の第５バルブ７０の下流側に流量検出器９０が設け
られ、この流量検出器９０によって各流量制御装置１１
の制御流量をチェックするようにしている。尚、図３に
おいて、９１は流量検出器９０の容器内のガスを放出す
る際に用いられるバルブである。
【００２５】上記流量検出器９０は、例えば、予め容量
の判っている小容量の容器と、この容器内の圧力を検出
する圧力計と、容器内のガス温度を検出する温度計と、
容器内にガスを所定圧力まで充填するのに要する時間を
計測するタイマーとを有している。そして、一定容量Ｖ
の容器内にガスを充填した時の一定時間（Δｔ）内に生
じる圧力上昇（ΔＰ）を測定し、下記の式に基づいてガ
ス流量Ｑを求める。勿論、ガス流量を求める際にはその
時の温度でガス流量を補正する。この流量検出器９０で
流量制御装置１１の制御流量をチェックする場合にはプ
ロセスガス毎に行う。 Ｑｓｃｃｍ＝［Ｖ・ΔＰ／Δｔ］・［温度補正係数］
の判っている小容量の容器と、この容器内の圧力を検出
する圧力計と、容器内のガス温度を検出する温度計と、
容器内にガスを所定圧力まで充填するのに要する時間を
計測するタイマーとを有している。そして、一定容量Ｖ
の容器内にガスを充填した時の一定時間（Δｔ）内に生
じる圧力上昇（ΔＰ）を測定し、下記の式に基づいてガ
ス流量Ｑを求める。勿論、ガス流量を求める際にはその
時の温度でガス流量を補正する。この流量検出器９０で
流量制御装置１１の制御流量をチェックする場合にはプ
ロセスガス毎に行う。 Ｑｓｃｃｍ＝［Ｖ・ΔＰ／Δｔ］・［温度補正係数］
【００２６】本実施形態の処理装置においても上記実施
形態と同様の手順で処理装置を操作することにより流量
制御装置１１の制御流量を流量検出器９０によってチェ
ックすることができる。従って、本実施形態においても
上記実施形態と同様の作用効果を期することができる。
形態と同様の手順で処理装置を操作することにより流量
制御装置１１の制御流量を流量検出器９０によってチェ
ックすることができる。従って、本実施形態においても
上記実施形態と同様の作用効果を期することができる。
【００２７】尚、上記実施形態ではウエハＷの処理毎に
自己診断を行う場合について説明したが、本発明の処理
装置を用いることにより、本発明の処理方法とは関係な
く、、自己診断のタイミングを適宜選択したり、複数種
のガスのうち適宜のガスを選択したりして自己診断する
ことができる。例えば、プロセスガスのレシピを変更す
る際に、次のレシピで使用するプロセスガスを直前に自
己診断したり、直前のレシピで使用したプロセスガスを
自己診断することができる。また、複数種のプロセスガ
スを使用する場合には、プロセス特性に大きく影響する
プロセスガスのみを選択的に自己診断するようにしても
良い。同一レシピの場合にはレシピ１回毎に自己診断し
たり、レシピが変わった一回目に複数種のガスの自己診
断を行い、以降は複数種のガスを順番に自己診断するよ
うにしても良い。本発明は、制御流量の自己診断行うタ
イミングは上記各実施形態に何等制限されるものではな
くい。要は、本発明はウエハＷを処理する度毎にウエハ
Ｗを交換する時間を有効に利用して流量診断を行う処理
方法であれば良い。また、上記各実施形態ではウエハの
エッチング処理を例に挙げて説明したが、被処理体はウ
エハ以外の液晶ＬＣＤ用基板等の他の基板について広く
適用することができ、処理内容のエッチング以外の成膜
処理等の処理について広く適用することができることは
云うまでもない。
自己診断を行う場合について説明したが、本発明の処理
装置を用いることにより、本発明の処理方法とは関係な
く、、自己診断のタイミングを適宜選択したり、複数種
のガスのうち適宜のガスを選択したりして自己診断する
ことができる。例えば、プロセスガスのレシピを変更す
る際に、次のレシピで使用するプロセスガスを直前に自
己診断したり、直前のレシピで使用したプロセスガスを
自己診断することができる。また、複数種のプロセスガ
スを使用する場合には、プロセス特性に大きく影響する
プロセスガスのみを選択的に自己診断するようにしても
良い。同一レシピの場合にはレシピ１回毎に自己診断し
たり、レシピが変わった一回目に複数種のガスの自己診
断を行い、以降は複数種のガスを順番に自己診断するよ
うにしても良い。本発明は、制御流量の自己診断行うタ
イミングは上記各実施形態に何等制限されるものではな
くい。要は、本発明はウエハＷを処理する度毎にウエハ
Ｗを交換する時間を有効に利用して流量診断を行う処理
方法であれば良い。また、上記各実施形態ではウエハの
エッチング処理を例に挙げて説明したが、被処理体はウ
エハ以外の液晶ＬＣＤ用基板等の他の基板について広く
適用することができ、処理内容のエッチング以外の成膜
処理等の処理について広く適用することができることは
云うまでもない。
【００２８】
【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項５に記載の発
明によれば、被処理体の処理を中断することなく流量の
自己診断を確実に行うことができ、スループットを低下
させることなく被処理体の処理を行うことができる処理
方法及び処理装置を提供することができる。
明によれば、被処理体の処理を中断することなく流量の
自己診断を確実に行うことができ、スループットを低下
させることなく被処理体の処理を行うことができる処理
方法及び処理装置を提供することができる。
【図１】本発明の処理装置の一実施形態を示す構成図で
ある。
ある。
【図２】図１に示す流量制御装置の構成を示すブロック
図である。
図である。
【図３】本発明の処理装置の他の実施形態を示す図１に
相当する図である。
相当する図である。
１０ ガスボックス １１ 流量制御装置 ２０ ガス供給ライン ２８ 第４分岐ライン（分岐ライン） ３０ チャンバー（処理室） ６０ 第４バルブ（第１バルブ） ７０ 第５バルブ（第２バルブ） ９０ 流量検出器 Ｗ ウエハ（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｆ 15/04 Ｇ０１Ｆ 15/04 Ｇ０５Ｂ 23/02 Ｇ０５Ｂ 23/02 Ｔ (72)発明者 廣瀬 潤 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 2F030 CA04 CD08 CD15 CF09 2F031 AA08 AC01 4K030 CA04 CA12 EA03 JA05 KA39 KA41 5H223 AA20 BB01 BB09 DD09 EE02
Claims (5)
- 【請求項１】 処理室内にプロセスガスを所定流量で供
給し、上記処理室内で被処理体を処理する方法におい
て、上記プロセスガスで上記被処理体を処理する度毎に
上記プロセスガスの流量を診断することを特徴とする処
理方法。 - 【請求項２】 流量制御装置を介して流量制御したプロ
セスガスをガス供給ラインを介して処理室内に供給し、
上記処理室内で被処理体を処理する方法において、上記
ガス流量制御装置として自己診断可能な流量制御装置を
設けると共に上記ガス供給ラインに分岐ラインを設け、
上記プロセスガスで上記被処理体を処理する度毎に上記
ガス供給ラインを上記分岐ラインに切り替えて上記流量
制御装置において上記プロセスガスの流量を自己診断す
ることを特徴とする処理方法。 - 【請求項３】 流量制御装置を介して流量制御したプロ
セスガスをガス供給ラインを介して処理室内に供給し、
上記処理室内で被処理体を処理する方法において、上記
ガス供給ラインに分岐ラインを設けると共にこの分岐ラ
インに流量検出器を設け、上記プロセスガスで上記被処
理体を処理する度毎に上記ガス供給ラインを上記分岐ラ
インに切り替えて上記流量検出器において上記プロセス
ガスの流量を診断することを特徴とする処理方法。 - 【請求項４】 流量制御装置を介して流量制御したプロ
セスガスをガス供給ラインを介して処理室内に供給し、
上記処理室内で被処理体を処理する処理装置において、
上記流量制御装置として自己診断可能な流量制御装置を
設けると共に上記ガス供給ラインに第１バルブを設け、
また、上記ガス供給ラインから分岐する分岐ラインを設
けると共にこの分岐ラインに第２バルブを設け、上記プ
ロセスガスで上記被処理体を処理する度毎に上記第１バ
ルブを閉止すると共に上記第２バルブを開放して上記ガ
ス供給ラインから上記分岐ラインに切り替えて上記分岐
ラインに上記プロセスガスを流し、上記流量制御装置に
おいて上記プロセスガスの流量を自己診断することを特
徴とする処理装置。 - 【請求項５】 流量制御装置を介して流量制御したプロ
セスガスをガス供給ラインを介して処理室内に供給し、
上記処理室内で被処理体を処理する処理装置において、
上記ガス供給ラインに第１バルブを設けると共に上記ガ
ス供給ラインから分岐する分岐ラインを設け、また、上
記分岐ラインに第２バルブ及び流量検出器を設け、上記
プロセスガスで上記被処理体を処理する度毎に上記第１
バルブを閉止すると共に上記第２バルブを開放して上記
ガス供給ラインから上記分岐ラインに切り替えて上記分
岐ラインに上記プロセスガスを流し、上記流量検出器に
おいて上記プロセスガスの流量を診断することを特徴と
する処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001100420A JP2002296096A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 処理方法及び処理装置 |
| PCT/JP2002/002539 WO2002082521A1 (fr) | 2001-03-30 | 2002-03-18 | Procede de traitement et processeur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001100420A JP2002296096A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 処理方法及び処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002296096A true JP2002296096A (ja) | 2002-10-09 |
Family
ID=18953863
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001100420A Pending JP2002296096A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 処理方法及び処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002296096A (ja) |
| WO (1) | WO2002082521A1 (ja) |
Cited By (5)
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| JP2008251969A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2009147182A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2010210528A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Horiba Stec Co Ltd | マスフローコントローラの検定システム、検定方法、検定用プログラム |
| JP2018004499A (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 株式会社フジキン | 流量制御機器、流量制御機器の流量校正方法、流量測定機器および流量測定機器を用いた流量測定方法 |
| US10316835B2 (en) | 2016-10-14 | 2019-06-11 | Tokyo Electron Limited | Method of determining output flow rate of gas output by flow rate controller of substrate processing apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001051724A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Tadahiro Omi | 圧力式流量制御装置における流量異常検知方法 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001100420A patent/JP2002296096A/ja active Pending
-
2002
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|
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