JPH11354454A - ガス供給装置および方法 - Google Patents
ガス供給装置および方法Info
- Publication number
- JPH11354454A JPH11354454A JP16234398A JP16234398A JPH11354454A JP H11354454 A JPH11354454 A JP H11354454A JP 16234398 A JP16234398 A JP 16234398A JP 16234398 A JP16234398 A JP 16234398A JP H11354454 A JPH11354454 A JP H11354454A
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- JP
- Japan
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- gas
- reaction chamber
- flow rate
- gas supply
- microcomputer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応室内に吹き出すガス流量を効果的に制御
することにより、反応室内のガス分布を均一にすること
ができるガス供給装置および方法を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置における反応室１内にガ
スを導入する複数のガス吹き出し装置５，６と、それぞ
れのガス吹き出し装置５，６にガスを供給するガス供給
装置７，８と、反応室１内の複数箇所におけるガス圧力
を測定する複数のガス圧力計９，１０，１１，１２と、
ガス供給装置７，８のガス流量を制御するマイクロコン
ピュータ１３を備え、複数のガス圧力計９，１０，１
１，１２の各々の測定値が略同等になるようにマイクロ
コンピュータ１３によりガス供給装置７，８の供給ガス
流量を制御するようにしたものである。
することにより、反応室内のガス分布を均一にすること
ができるガス供給装置および方法を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置における反応室１内にガ
スを導入する複数のガス吹き出し装置５，６と、それぞ
れのガス吹き出し装置５，６にガスを供給するガス供給
装置７，８と、反応室１内の複数箇所におけるガス圧力
を測定する複数のガス圧力計９，１０，１１，１２と、
ガス供給装置７，８のガス流量を制御するマイクロコン
ピュータ１３を備え、複数のガス圧力計９，１０，１
１，１２の各々の測定値が略同等になるようにマイクロ
コンピュータ１３によりガス供給装置７，８の供給ガス
流量を制御するようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置にお
ける反応室内にガスを導入するガス供給装置および方法
に関するものである。
ける反応室内にガスを導入するガス供給装置および方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、図面を参照しながら従来のガス供
給装置について説明する。図２は従来のガス供給装置の
構成を示すブロック図であり、ガス供給ボックス２０か
ら複数のガスラインをガス流量制御器２１を通して混合
器２２で１つにまとめ、反応室２３内のガス吹き出し手
段２４から反応室２３内に供給する。この際、反応室２
３内のガス分布を均一にするために反応室２３内の排気
口の配置や反応室２３自体の形状が対称形になるように
構成している。
給装置について説明する。図２は従来のガス供給装置の
構成を示すブロック図であり、ガス供給ボックス２０か
ら複数のガスラインをガス流量制御器２１を通して混合
器２２で１つにまとめ、反応室２３内のガス吹き出し手
段２４から反応室２３内に供給する。この際、反応室２
３内のガス分布を均一にするために反応室２３内の排気
口の配置や反応室２３自体の形状が対称形になるように
構成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
製造に使用するシリコン基板の大型化対応と半導体製造
装置自体の小型化が同時に求められる昨今の情勢下にお
いては、このような構成では、真空ポンプ等の設置場所
の問題から、反応室内の排気口の形状や反応室自体の形
状を対称形に構成することができなくなってきており、
そのため、反応室内のガス分布が均一にならず、シリコ
ン基板の加工精度の分布にばらつきが発生したり、加工
形状が正常にならないという問題点があった。
製造に使用するシリコン基板の大型化対応と半導体製造
装置自体の小型化が同時に求められる昨今の情勢下にお
いては、このような構成では、真空ポンプ等の設置場所
の問題から、反応室内の排気口の形状や反応室自体の形
状を対称形に構成することができなくなってきており、
そのため、反応室内のガス分布が均一にならず、シリコ
ン基板の加工精度の分布にばらつきが発生したり、加工
形状が正常にならないという問題点があった。
【０００４】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
であり、反応室内に吹き出すガス流量を効果的に制御す
ることにより、反応室内のガス分布を均一にすることが
できるガス供給装置および方法を提供することを目的と
する。
であり、反応室内に吹き出すガス流量を効果的に制御す
ることにより、反応室内のガス分布を均一にすることが
できるガス供給装置および方法を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のガス供給装置
は、半導体製造装置における反応室内にガスを導入する
複数のガス吹き出し手段と、前記それぞれのガス吹き出
し手段にガスを供給するガス供給手段と、反応室内の複
数箇所におけるガス圧力を測定する複数のガス圧力測定
手段と、前記ガス供給手段のガス流量を制御するマイク
ロコンピュータを備え、前記複数のガス圧力測定手段の
各々の測定値が略同等になるように前記マイクロコンピ
ュータにより前記ガス供給手段のガス流量を制御するよ
うにしたものであり、また、ガス供給方法は半導体製造
装置における反応室内に吹き出すガスを供給するステッ
プと、供給されたガスを複数箇所から前記反応室内に吹
き出すステップと、反応室内の複数箇所におけるガス圧
力を測定するステップと、前記ガスを供給するステップ
におけるガス流量を制御するステップを備え、前記複数
箇所におけるガス圧力を測定するステップの各々の測定
値が略同等になるように前記複数箇所から吹き出すガス
の供給ガス流量を制御するようにしたものである。
は、半導体製造装置における反応室内にガスを導入する
複数のガス吹き出し手段と、前記それぞれのガス吹き出
し手段にガスを供給するガス供給手段と、反応室内の複
数箇所におけるガス圧力を測定する複数のガス圧力測定
手段と、前記ガス供給手段のガス流量を制御するマイク
ロコンピュータを備え、前記複数のガス圧力測定手段の
各々の測定値が略同等になるように前記マイクロコンピ
ュータにより前記ガス供給手段のガス流量を制御するよ
うにしたものであり、また、ガス供給方法は半導体製造
装置における反応室内に吹き出すガスを供給するステッ
プと、供給されたガスを複数箇所から前記反応室内に吹
き出すステップと、反応室内の複数箇所におけるガス圧
力を測定するステップと、前記ガスを供給するステップ
におけるガス流量を制御するステップを備え、前記複数
箇所におけるガス圧力を測定するステップの各々の測定
値が略同等になるように前記複数箇所から吹き出すガス
の供給ガス流量を制御するようにしたものである。
【０００６】この発明によれば、反応室内に吹き出すガ
ス流量を効果的に制御することができ、反応室内のガス
分布を均一にすることが可能となる。
ス流量を効果的に制御することができ、反応室内のガス
分布を均一にすることが可能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
【０００８】図１は本発明のガス供給装置の一実施の形
態における構成を示すブロック図であり、図中、１は反
応室、２はガス供給ボックス、３はガス流量制御器、４
は混合器、５，６は反応室１内にガスを導入する２つの
ガス吹き出し装置、７，８は２つのガス吹き出し装置
５，６にガスを供給するガス供給装置、９，１０，１
１，１２は反応室１内の４箇所の圧力を測定する圧力
計、１３はガス供給装置７，８のガス流量を制御するマ
イクロコンピュータ、１４は記憶装置である。
態における構成を示すブロック図であり、図中、１は反
応室、２はガス供給ボックス、３はガス流量制御器、４
は混合器、５，６は反応室１内にガスを導入する２つの
ガス吹き出し装置、７，８は２つのガス吹き出し装置
５，６にガスを供給するガス供給装置、９，１０，１
１，１２は反応室１内の４箇所の圧力を測定する圧力
計、１３はガス供給装置７，８のガス流量を制御するマ
イクロコンピュータ、１４は記憶装置である。
【０００９】次にその動作を説明する。まず、マイクロ
コンピュータ１３が予め記憶装置１４に設定した流量の
ガスをガス吹き出し装置５，６に供給するようガス供給
装置７，８に指令を出す。ガス供給装置７，８はこの指
令に基づきガスをガス吹き出し装置５，６に供給し、反
応室１内はこのガスで充たされる。ここで、反応室１内
の４箇所に配置されている圧力計９，１０，１１，１２
によりそれぞれの位置のガス圧力を測定し、その各々の
値をマイクロコンピュータ１３に取り込む。
コンピュータ１３が予め記憶装置１４に設定した流量の
ガスをガス吹き出し装置５，６に供給するようガス供給
装置７，８に指令を出す。ガス供給装置７，８はこの指
令に基づきガスをガス吹き出し装置５，６に供給し、反
応室１内はこのガスで充たされる。ここで、反応室１内
の４箇所に配置されている圧力計９，１０，１１，１２
によりそれぞれの位置のガス圧力を測定し、その各々の
値をマイクロコンピュータ１３に取り込む。
【００１０】ここで、マイクロコンピュータ１３に取り
込まれたガス圧力の値が、例えば、圧力計９側の圧力が
低いときは、ガス吹き出し装置５のガス流量を増やし、
また、圧力計１２側の圧力が低いときは、ガス吹き出し
装置６のガス流量を増やすようにマイクロコンピュータ
１３によるガス供給装置７，８のガス流量制御を行う。
この際、２つのガス吹き出し装置５，６の合計ガス流量
は予め設定した流量になるように調整される。このよう
にして、反応室１内の４箇所に配置された圧力計の各々
の値が略同等になるようにマイクロコンピュータ１３に
よりガス流量を制御することにより反応室１内のガス分
布は均一なものとなる。
込まれたガス圧力の値が、例えば、圧力計９側の圧力が
低いときは、ガス吹き出し装置５のガス流量を増やし、
また、圧力計１２側の圧力が低いときは、ガス吹き出し
装置６のガス流量を増やすようにマイクロコンピュータ
１３によるガス供給装置７，８のガス流量制御を行う。
この際、２つのガス吹き出し装置５，６の合計ガス流量
は予め設定した流量になるように調整される。このよう
にして、反応室１内の４箇所に配置された圧力計の各々
の値が略同等になるようにマイクロコンピュータ１３に
よりガス流量を制御することにより反応室１内のガス分
布は均一なものとなる。
【００１１】以上のように本実施の形態によれば、反応
室内の複数箇所に配置された圧力計の各々の値が略同等
になるように、マイクロコンピュータにより複数のガス
吹き出し装置のガス流量を制御することにより、反応室
内のガス分布は均一なものとなる。これに付随して反応
室内の排気口の配置や、反応室自体の形状を対称形にす
る必要がなくなるので、その設計の自由度も大幅に向上
する。
室内の複数箇所に配置された圧力計の各々の値が略同等
になるように、マイクロコンピュータにより複数のガス
吹き出し装置のガス流量を制御することにより、反応室
内のガス分布は均一なものとなる。これに付随して反応
室内の排気口の配置や、反応室自体の形状を対称形にす
る必要がなくなるので、その設計の自由度も大幅に向上
する。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、反応室内
の複数箇所におけるガス圧力の各々の値が略同等になる
ように複数箇所の吹き出しガス流量を制御することによ
り反応室内のガス分布を均一にすることができるという
有利な効果が得られる。
の複数箇所におけるガス圧力の各々の値が略同等になる
ように複数箇所の吹き出しガス流量を制御することによ
り反応室内のガス分布を均一にすることができるという
有利な効果が得られる。
【図１】本発明のガス供給装置の一実施の形態における
構成を示すブロック図
構成を示すブロック図
【図２】従来のガス供給装置の構成を示すブロック図
１ 反応室 ２ ガス供給ボックス ３ ガス流量制御器 ４ 混合器 ５，６ ガス吹き出し装置 ７，８ ガス供給装置 ９，１０，１１，１２ 圧力計 １３ マイクロコンピュータ １４ 記憶装置
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体製造装置における反応室内にガス
を導入する複数のガス吹き出し手段と、前記それぞれの
ガス吹き出し手段にガスを供給するガス供給手段と、反
応室内の複数箇所におけるガス圧力を測定する複数のガ
ス圧力測定手段と、前記ガス供給手段のガス流量を制御
するマイクロコンピュータを備え、前記複数のガス圧力
測定手段の各々の測定値が略同等になるように前記マイ
クロコンピュータにより前記ガス供給手段の供給ガス流
量を制御することを特徴とするガス供給装置。 - 【請求項２】 半導体製造装置における反応室内に吹き
出すガスを供給するステップと、供給されたガスを複数
箇所から前記反応室内に吹き出すステップと、反応室内
の複数箇所におけるガス圧力を測定するステップと、前
記ガスを供給するステップにおけるガス流量を制御する
ステップを備え、前記複数箇所におけるガス圧力を測定
するステップの各々の測定値が略同等になるように前記
複数箇所から吹き出すガスの供給ガス流量を制御するこ
とを特徴とするガス供給方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16234398A JPH11354454A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | ガス供給装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16234398A JPH11354454A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | ガス供給装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354454A true JPH11354454A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15752759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16234398A Pending JPH11354454A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | ガス供給装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354454A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068711A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置および真空処理方法 |
-
1998
- 1998-06-10 JP JP16234398A patent/JPH11354454A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068711A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置および真空処理方法 |
| JP4731760B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2011-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置および真空処理方法 |
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