JP2011187557A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】形状制御性良く、タングステンを含む導電層のエッチングを行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層上にタングステンを含む導電層を形成する工程と、導電層を選択的にエッチングし、導電層の表面から下地層に達する深さよりも浅い溝を形成する工程と、溝を形成した後、臭素を含むガスを用いて、溝内の導電層の側面及び底面にタングステンと臭素との化合物を含む保護膜を形成する工程と、導電層の底面の保護膜を除去する工程と、導電層の底面の保護膜を除去した後、導電層の側面に保護膜が形成された状態で、導電層における溝より下の部分をエッチングする工程と、を備えた。
【選択図】図8
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層上にタングステンを含む導電層を形成する工程と、導電層を選択的にエッチングし、導電層の表面から下地層に達する深さよりも浅い溝を形成する工程と、溝を形成した後、臭素を含むガスを用いて、溝内の導電層の側面及び底面にタングステンと臭素との化合物を含む保護膜を形成する工程と、導電層の底面の保護膜を除去する工程と、導電層の底面の保護膜を除去した後、導電層の側面に保護膜が形成された状態で、導電層における溝より下の部分をエッチングする工程と、を備えた。
【選択図】図8
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
新しい不揮発性メモリとして、抵抗変化メモリや相変化メモリが期待されている。例えば特許文献1には、ワード線と、ビット線と、これらに挟持されるように設けられた記録層としての抵抗変化素子とを含む要素メモリ層を複数積み重ねた構造が提案されている。また、特許文献1には、ワード線やビット線としてタングステンを用いることが記載されている。
このような不揮発性メモリにおいては、ワード線やビット線となるタングステン及び抵抗変化材料等をエッチングして、一般に記録層がワード線とビット線とのクロスポイントに配置されるように加工が行われる。
このような不揮発性メモリにおいては、ワード線やビット線となるタングステン及び抵抗変化材料等をエッチングして、一般に記録層がワード線とビット線とのクロスポイントに配置されるように加工が行われる。
本発明は、形状制御性良く、タングステンを含む導電層のエッチングを行える半導体装置の製造方法を提供する。
本発明の一態様によれば、下地層上に、タングステンを含む導電層を形成する工程と、前記導電層を選択的にエッチングし、前記導電層の表面から前記下地層に達する深さよりも浅い溝を形成する工程と、前記溝を形成した後、臭素を含むガスを用いて、前記溝内の前記導電層の側面及び底面に、前記タングステンと前記臭素との化合物を含む保護膜を形成する工程と、前記導電層の前記底面の前記保護膜を除去する工程と、前記導電層の前記底面の前記保護膜を除去した後、前記導電層の前記側面に前記保護膜が形成された状態で、前記導電層における前記溝より下の部分をエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、形状制御性良く、タングステンを含む導電層のエッチングを行える半導体装置の製造方法が提供される。
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
図1(a)は、本発明の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示する模式斜視図である。
図1(a)は、本発明の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示する模式斜視図である。
本実施形態に係る半導体装置は、第1の電極11と、第1の電極11に対して3次元的に交差するようにして設けられた第2の電極12と、第1の電極11と第2の電極12との間に挟持されるように設けられ、記録層(抵抗変化層または相変化層)13を含む積層構造体17とを有する。これらを含む要素メモリ層が、図1(b)に示すように複数積み重ねられている。積み重ねられる要素メモリ層の数は任意である。
図1(a)における第1の電極11が図1(b)におけるワード線WLに対応し、図1(a)における第2の電極12が図1(b)におけるビット線BLに対応する。あるいは、第1の電極11がビット線BLに対応し、第2の電極12がワード線WLに対応する。ワード線WLとビット線BLの数は任意である。
ワード線WLとビット線BLとがそれぞれ交差するクロスポイントに、記録層13を含む積層構造体17が設けられている。積層構造体17は、例えば、記録層13と、第1のバリアメタル14と、第2のバリアメタル15と、整流素子(例えばダイオード)16とを有している。記録層13は、第1のバリアメタル14と第2のバリアメタル15との間に設けられている。
本実施形態に係る半導体装置は、不揮発性のメモリデバイスである。例えば、記録層13に抵抗変化層を用いた場合には、第1の電極11と第2の電極12を介して抵抗変化層に電圧を印加することで抵抗変化層の抵抗値を変化させることができ、その後電圧の印加を止めても高抵抗状態と低抵抗状態の2つの安定状態のどちらかが維持される。それぞれの状態が、データの”0”または”1”に対応する。記録層13として相変化層を用いた場合には、電圧の印加により相変化層の結晶状態を制御する。
次に、図2(a)〜図6を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。これらの各図において、左側の図はビット線BLの延在方向に垂直な平面で切断した断面図を表し、右側の図はワード線WLの延在方向に垂直な平面で切断した断面図を表す。
まず、図2(a)に示すように、下地層21上に、導電層22、中間層23及び導電層24を順に形成する。導電層22は、タングステン層であり、ワード線WLとなる。なお、本明細書で、タングステン層とは、タングステンのみから構成される層に限らず、タングステンを主成分として含む合金層、化合物層も含む。中間層23は、記録層13を含む積層構造体17に対応する。導電層24は、タングステン層であり、ビット線BLの一部となる。
次に、ワード線WLの延在方向に垂直な平面で切断した断面を表す図2(b)右図に示すように、導電層22、中間層23及び導電層24の積層体に、例えばRIE(Reactive Ion Etching)法で溝25を形成する。溝25は下地層21に達し、導電層22、中間層23及び導電層24の積層体は下地層21上で、溝25によってビット線BLの延在方向に複数に分断される。
次に、図3(a)右図に示すように、溝25内に層間絶縁膜26を埋め込み、平坦化する。導電層24の上面は、層間絶縁膜26から露出する。
次に、図3(b)に示すように、導電層24及び層間絶縁膜26上に、導電層27、中間層28及び導電層29を順に形成する。導電層27は、タングステン層であり、導電層24と共にビット線BLを構成する。中間層28は、記録層13を含む積層構造体17に対応する。導電層29は、タングステン層であり、ワード線WLの一部となる。
次に、ビット線BLの延在方向に垂直な平面で切断した断面を表す図4(a)左図に示すように、導電層29、中間層28、導電層27、導電層24、中間層23及び導電層22の積層体に、例えばRIE法で溝30を形成する。溝30は導電層22に達し、導電層22の表面側の一部も加工される。導電層29、中間層28、導電層27、導電層24及び中間層23の積層体は、導電層22上で溝30によってワード線WLの延在方向に複数に分断される。
次に、図4(b)左図に示すように、溝30内に層間絶縁膜31を埋め込み、平坦化する。導電層29の上面は、層間絶縁膜31から露出する。
次に、図5(a)に示すように、導電層29及び層間絶縁膜31上に、導電層32を形成する。導電層32は、タングステン層であり、導電層29と共にワード線WLを構成する。
次に、ワード線WLの延在方向に垂直な平面で切断した断面を表す図5(b)右図に示すように、導電層32、導電層29、中間層28及び導電層27の積層体に、例えばRIE法で溝33を形成する。溝33は導電層27に達し、導電層27の表面側の一部も加工される。導電層32、導電層29及び中間層28の積層体は、導電層27上で溝33によってビット線BLの延在方向に複数に分断される。
次に、図6右図に示すように、溝33内に層間絶縁膜34を埋め込み、平坦化する。そして、さらに積層数を積み重ねる場合には、同様の工程が繰り返される。
図6に示す構造において、導電層22は下地層21側から見て1層目のワード線WLを構成し、導電層29及び導電層32は2層目のワード線WLを構成する。導電層24及び導電層27はビット線BLを構成する。ワード線WLとビット線BLとは、記録層を含む中間層23、28を介在させて交互に積層され、ワード線WLとビット線BLとが交差するクロスポイントに記録層を含む中間層23、28が設けられている。
前述したように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、タングステン層を複数積層させ、それらタングステン層を選択的にエッチングしてパターニングする工程を有する。このとき、下層のタングステン層のエッチング中に、既にエッチングされた上層のタングステン層に対してサイドエッチングが進行することがある。電極として機能するタングステン層の過剰なサイドエッチングは、電極形状や寸法変動によるデバイス特性の変動につながるおそれがある。
そこで、本実施形態では、図7(a)〜図8(c)を参照して、以下に説明するように、既に加工されたタングステン層の側面を臭化し保護してから、下層のタングステン層をエッチングする。図7(a)〜図8(c)の工程は、前述した図2(b)右図、図4(a)左図、図5(b)右図に示す溝を形成する工程に対応する。
まず、図7(a)に示すように、下地層41上に、第1の導電層42、中間層43及び第2の導電層44を順に形成する。これらは、例えばCVD(chemical vapor deposition)法もしくはPVD(physical vapor deposition)法により形成される。
第1の導電層42及び第2の導電層44はタングステン層であり、前述したメモリデバイスにおけるワード線WLまたはビット線BLとなる。中間層43は、記録層13、整流素子16などを含む積層構造体17に対応する。
その後、エッチングマスクとなる例えばTEOS(tetraethoxysilane)などの絶縁膜45を第2の導電層44上に形成する。さらに絶縁膜45上にレジスト46を形成し、そのレジスト46をパターニングする。
次に、レジスト46をマスクにして絶縁膜45をRIE法で加工する。この後、レジスト46を例えば酸素ガスを用いたプラズマ処理で除去し、残った絶縁膜45をマスクにして、図7(b)に示すように、第2の導電層44をRIE法で加工する。
第2の導電層44のエッチングは、例えば、フッ素(F)を含むガス(NF3ガス、SF6ガス等)と、Arガスなどを導入した処理室内にプラズマを励起した状態で行われ、主にフッ素(F)との化学的作用によるタングステン(W)の除去が支配的となる。また、下地層41側にバイアスパワーとして例えば高周波電力を印加することで、下地層41側に向けて加速されたArイオンによるスパッタエッチングによっても第2の導電層44はエッチングされる。下地層41及びその上の積層体はウェーハ状態で処理室内の保持部に保持され、その保持部に対してバイアスパワーが印加される。
続いて同じ処理室内で、導入ガス種、圧力、電力等のエッチング条件を変えて、中間層43のRIEを行う。例えば、中間層43が多結晶シリコンであれば、HBrガス、Cl2ガスなどのガスを用いることができる。これにより、図7(c)に示すように、第2の導電層44及び中間層43を貫通して第1の導電層42の表面に達する溝51が形成される。この段階では、第1の導電層42は加工されていないので、溝51は下地層41には達していない。
次に、溝51を形成するエッチング時に第2の導電層44の側面に堆積した堆積物を除去する。これは、第2の導電層44の側面の堆積物によって、次に説明するタングステンの臭化が阻害されないようにするためである。例えば、Cl2ガスやCF4ガスを用いて、第2の導電層44の側面の堆積物を除去する。
次に、処理室内に臭素を含むガス(例えばHBrガス)を導入してプラズマを生起し、タングステンを臭化させる。これにより、図8(a)に示すように、溝51内に露出する第2の導電層44の側面及び第1の導電層42の上面(溝51の底面)に、タングステン(W)と臭素(Br)との化合物(WBrx)を含む保護膜47が形成される。
この保護膜47で、既に加工された第2の導電層44の側面を保護しつつ、未加工の第1の導電層42に対するエッチングを行う。第1の導電層42の上面(溝51の底面)に形成された保護膜47は第1の導電層42のエッチングを阻害するため、第1の導電層42のエッチング前に、その上面の保護膜47を図8(b)に示すように除去する。
例えば、ClまたはFを含むガス(Cl2ガス、BCl3ガス、CF4ガス等)に、Arなどの比較的重い原子のガスを添加した上で、下地層41側に例えば200W以上のバイアスパワー(高周波電力)を印加することで、溝51の底面に対するスパッタリング作用を強くした異方性のエッチングを行う。
これにより、第2の導電層44の側面の保護膜47に対するサイドエッチングを抑制しつつ、溝51の底面の保護膜47を確実に除去することができる。また、このとき、処理室内のガス圧力が高すぎると、横方向に散乱する活性種やイオンなどが多くなり、第2の導電層44の側面に形成された保護膜47に対するサイドエッチングが促進するおそれがある。したがって、溝51の底面の保護膜47を除去するときは、保護膜47を形成するときよりは、処理室内のガス圧力を低くすることが望ましい。
また、第2の導電層44の側面の保護膜47に対するサイドエッチングを抑制するためには、溝51の底面の保護膜47の除去に要する時間は短い方がよい。したがって、溝51の底面に形成される保護膜47は薄い方がよい。保護膜47を形成するとき、下地層41側に印加するバイアスパワーが大きいと溝51の底面に厚く保護膜47が形成されるため、下地層41側にはバイアスパワーを印加しない、あるいは、バイアスパワーを印加するとしてもできるだけ小さい方が望ましい。すなわち、保護膜47を形成するときは、下地層41側を接地する、あるいは溝51の底面の保護膜47を除去するときよりは小さい電力を印加する。
溝51の底面の保護膜47を除去した後、第2の導電層44の側面に保護膜47が形成された状態で、溝51より下の第1の導電層42に対するRIEを行う。このときの条件は、第2の導電層44のエッチング時と同じであり、例えばフッ素(F)を含むガスを用いて、タングステン(W)を含む第1の導電層42をエッチングする。
このとき、第2の導電層44の側面に形成された保護膜47は、タングステン(W)と臭素(Br)との化合物WBrxを含み、この化合物WBrxはフッ素に対して耐性が強い。また、第2の導電層44の側面のタングステン(W)が臭素(Br)と結合していることで、第2の導電層44の側面においてはタングステン(W)とフッ素(F)との反応を抑制することができる。この結果、第2の導電層44の側面のサイドエッチングを抑制できる。
以上説明した処理の結果、図8(c)に示すように、第2の導電層44、中間層43及び第1の導電層42を貫通して、下地層41に達する溝52が形成される。すなわち、第2の導電層44、中間層43及び第1の導電層42の積層体は、下地層41上で溝52によって複数に分断される。
前述した絶縁膜45、第2の導電層44、中間層43及び第1の導電層42の加工、保護膜47の形成、および溝51底面の保護膜47の除去は、処理室内への導入ガス種、ガス導入量、圧力、電力等の条件を切り替えつつ、減圧下の同じ処理室内で続けて行われる。
3層以上のタングステン層を含む積層体を加工する際にも、上層のタングステン層を加工する工程と、その加工済みのタングステン層の側面に上記保護膜47を形成する工程と、加工済みのタングステン層の側面に保護膜47が形成された状態で下層のタングステン層を加工する工程とを繰り返すことで、上層の加工済みタングステン層のサイドエッチングを抑制しつつ、複数層のタングステン層の加工を行うことができる。
なお、タングステン層のエッチング時に原料ガス中にBrを含むガスを添加してタングステン層の側面をエッチング時に臭化させる方法も考えられる。しかし、この場合、タングステンの除去も同時に進行していることになるため、タングステン層の確実な保護は期待できない。また、タングステン層のエッチングと保護との両立を図るための条件設定が難しくなる。また、保護膜の形成だけを考慮した条件での処理ではないため、条件によってはタングステン層の側面が過剰に臭化され、タングステン層の加工形状や加工寸法の悪化をまねくことも懸念される。
これに対して、本実施形態では、タングステン層(第1の導電層42、第2の導電層44)をエッチングするときとは条件(ガス種、ガス流量、電力等)を変えて保護膜47の形成を行う。すなわち、タングステン層のエッチング工程とは別の工程として保護膜47の形成を行う。これにより、加工済みタングステン層の側面を確実に臭化でき、また、過剰な膜厚の増大を抑えて薄く且つ強固な保護膜47を形成できる。この結果、タングステン層の加工形状や加工寸法の制御と、サイドエッチングに対する保護との両立が容易になる。タングステン層の加工形状や加工寸法の制御性の向上は、デバイス特性のばらつきを抑制する。
次に、図9(a)〜図10(c)を参照して、タングステン層の加工方法の他具体例について説明する。
まず、図9(a)に示すように、下地層41上に、タングステン層である導電層61を、例えばCVD法もしくはPVD法により形成する。その後、エッチングマスクとなる例えばTEOSなどの絶縁膜45を導電層61上に形成する。さらに絶縁膜45上にレジスト46を形成し、そのレジスト46をパターニングする。
次に、レジスト46をマスクにして絶縁膜45をRIE法で加工する。この後、レジスト46を例えば酸素ガスを用いたプラズマ処理で除去し(図9(b))、残った絶縁膜45をマスクにして、図9(c)に示すように、導電層61をRIE法で加工し、溝53を形成する。
導電層61のエッチングは、例えば、フッ素(F)を含むガス(NF3ガス、SF6ガス等)と、Arガスなどを導入した処理室内にプラズマを励起した状態で行われ、主にフッ素(F)との化学的作用によるタングステン(W)の除去が支配的となる。また、下地層41側にバイアスパワーとして例えば高周波電力を印加することで、下地層41側に向けて加速されたArイオンによるスパッタエッチングによっても導電層61はエッチングされる。下地層41及びその上の積層体はウェーハ状態で処理室内の保持部に保持され、その保持部に対してバイアスパワーが印加される。
本実施形態では、凹凸パターンに加工された導電層61が相対的に密に存在する密部71と、加工された導電層61が相対的に疎または孤立して存在する疎部(または孤立部)72とが、ウェーハの面方向に混在する場合を考える。
タングステンのエッチング時には、マイクロローディング効果が比較的顕著に現れる傾向があり、密部71と疎部72の両方に対して同時にエッチングを進めると、疎部72のタングステンの方が速くエッチングが進む。すなわち、疎部72に形成された溝53が下地層41に達した時点で、密部71においては溝53がまだ下地層41に達していないことがある。そして、そのままエッチングを進めると、疎部72における加工済みの導電層61の側面に対して過剰なサイドエッチングが生じてしまう。
なお、疎部72のサイドエッチングを抑制するために、エッチング時に導電層61の側面に堆積する堆積物の生成源となるガスを増やすことも考えられる。しかし、その場合、密部71の導電層61に対しては過剰にその側面に堆積物が堆積し、形状や寸法を悪化させてしまう。したがって、タングステン層の加工に際して、密部71と疎部72とを形状制御性よく同時に加工するのは困難であった。
そこで、本実施形態では、疎部72の溝53が下地層41に達した時点で、ガス種、電力等を切り替えて、導電層61のエッチングを一旦中断し、保護膜の形成工程へと切り替える。
具体的には、前述した実施形態と同様に、処理室内に臭素を含むガス(例えばHBrガス)を導入してプラズマを生起し、タングステンを臭化させる。これにより、図10(a)に示すように、溝53の側面及び底面に、タングステン(W)と臭素(Br)との化合物(WBrx)を含む保護膜62が形成される。なお、本実施形態においても、保護膜62の形成前に、溝53の形成時に導電層61の側面に堆積した堆積物を除去する処理を必要に応じて行うことができる。
溝53の底面に形成された保護膜62は、密部71における溝53よりも下に残っている導電層61のエッチングを阻害するため、導電層61に対して再度のエッチングを行う前に、図10(b)に示すように除去する。
例えば、ClまたはFを含むガス(Cl2ガス、BCl3ガス、CF4ガス等)に、Arなどの比較的重い原子のガスを添加した上で、下地層41側に例えば200W以上のバイアスパワー(高周波電力)を印加することで、溝53の底面に対するスパッタリング作用を強くした異方性のエッチングを行う。
これにより、溝53の側面、すなわち導電層61の側面に形成された保護膜62に対するサイドエッチングを抑制しつつ、溝53の底面の保護膜62を確実に除去することができる。また、このとき、処理室内のガス圧力が高すぎると、横方向に散乱する活性種やイオンなどが多くなり、導電層61の側面に形成された保護膜62に対するサイドエッチングが促進するおそれがある。したがって、溝53の底面の保護膜62を除去するときは、保護膜62を形成するときよりは、処理室内のガス圧力を低くすることが望ましい。
また、導電層61の側面の保護膜62に対するサイドエッチングを抑制するためには、溝53の底面の保護膜62の除去に要する時間は短い方がよい。したがって、溝53の底面に形成される保護膜62は薄い方がよい。保護膜62を形成するとき、下地層41側に印加するバイアスパワーが大きいと溝53の底面に厚く保護膜62が形成されるため、下地層41側にはバイアスパワーを印加しない、あるいは、バイアスパワーを印加するとしてもできるだけ小さい方が望ましい。すなわち、保護膜62を形成するときは、下地層41側を接地する、あるいは溝53の底面の保護膜62を除去するときよりは小さい電力を印加する。
溝53の底面の保護膜62を除去した後、既に加工された導電層61の側面に保護膜62が形成された状態で、溝53より下にまだ残っている導電層61に対するRIEを行う。このときの条件は、先に行った導電層61のエッチング時と同じであり、例えばフッ素(F)を含むガスを用いて、タングステン(W)を含む導電層61をエッチングする。
このとき、導電層61の側面に形成された保護膜62は、タングステン(W)と臭素(Br)との化合物WBrxを含み、この化合物WBrxはフッ素に対して耐性が強い。また、導電層61の側面のタングステン(W)が臭素(Br)と結合していることで、導電層61の側面においてはタングステン(W)とフッ素(F)との反応を抑制することができる。この結果、導電層61の側面のサイドエッチングを抑制できる。
以上説明した処理の結果、図10(c)に示すように、密部71及び疎部72における導電層61を貫通して、下地層41に達する溝54が形成される。すなわち、導電層61は、下地層41上で溝54によって複数に分断される。
そして、本実施形態によれば、エッチングの進行が相対的に速い疎部72の導電層61に対するサイドエッチングを抑制しつつ、密部71の導電層61に対する加工を確実に行うことができる。この結果、密部71及び疎部72共に導電層61の加工形状や加工寸法を良好に制御できる。
本実施形態においても、前述した絶縁膜45及び導電層61の加工、保護膜62の形成、および溝53底面の保護膜62の除去は、処理室内への導入ガス種、ガス導入量、圧力、電力等の条件を切り替えつつ、減圧下の同じ処理室内で続けて行われる。
また、導電層61をエッチングするときとは条件(ガス種、ガス流量、電力等)を変え、導電層61のエッチング工程とは別の工程として保護膜62の形成を行う。これにより、加工済み導電層61の側面を確実に臭化でき、また、過剰な膜厚の増大を抑えて薄く且つ強固な保護膜62を形成できる。この結果、導電層61の加工形状や加工寸法の制御と、サイドエッチングに対する保護との両立が容易になる。導電層61の加工形状や加工寸法の制御性の向上は、デバイス特性のばらつきを抑制する。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
21,41…下地層、22,24,27,29,32,61…導電層、23,28,43…中間層、42…第1の導電層、44…第2の導電層、47,62…保護膜、51,53…溝、71…密部、72…疎部
Claims (5)
- 下地層上に、タングステンを含む導電層を形成する工程と、
前記導電層を選択的にエッチングし、前記導電層の表面から前記下地層に達する深さよりも浅い溝を形成する工程と、
前記溝を形成した後、臭素を含むガスを用いて、前記溝内の前記導電層の側面及び底面に、前記タングステンと前記臭素との化合物を含む保護膜を形成する工程と、
前記導電層の前記底面の前記保護膜を除去する工程と、
前記導電層の前記底面の前記保護膜を除去した後、前記導電層の前記側面に前記保護膜が形成された状態で、前記導電層における前記溝より下の部分をエッチングする工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記導電層の前記底面の前記保護膜を除去するとき、前記下地層側に電力を印加することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記保護膜を形成するとき、前記下地層側を接地する、もしくは前記導電層の前記底面の前記保護膜を除去するときよりは小さい電力を前記下地層側に印加することを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電層は、第1の導電層と、前記第1の導電層上に中間層を介して設けられた第2の導電層とを有し、
前記溝は、前記第2の導電層及び前記中間層を貫通して前記第1の導電層に達し、
前記保護膜は、前記溝に露出する前記第2の導電層の側面に形成され、
前記第2の導電層の前記側面に前記保護膜が形成された状態で、前記溝より下の前記第1の導電層をエッチングすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜を形成する前に、前記溝を形成するときに前記導電層の前記側面に堆積した堆積物を除去する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
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