JP2011159974A5 - - Google Patents
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- 機能回路と、
前記機能回路に第1の電圧を供給する第1の配線と、
前記機能回路に第2の電圧を供給する第2の配線と、を有し、
前記第1の電圧は前記第2の電圧より高く、
前記第1の配線は、第1の方向に延びた第1の部分と、前記第1の方向と交わる第2の方向に前記第1の部分から延びた複数の第2の部分とを有し、
前記第2の配線は、第3の方向に延びた第3の部分と、前記第3の方向と交わる第4の方向に前記第3の部分から延びた複数の第4の部分とを有し、
前記第1の配線と前記第2の配線とは、前記第1の配線の複数の前記第2の部分と前記第2の配線の複数の前記第4の部分とが交互に隣り合うように配置され、
前記第1の配線の複数の前記第2の部分同士は、第3の配線により電気的に接続され、
前記第2の配線の複数の前記第4の部分同士は、第4の配線により電気的に接続され、
前記第3の配線及び前記第4の配線は、第1の配線層でなり、
前記第1の配線及び前記第2の配線は、第2の配線層でなり、
前記第3の配線は前記第3の方向に沿って前記第3の部分と重なり、前記第4の配線は前記第1の方向に沿って前記第1の部分と重なることを特徴とする半導体装置。 - 機能回路と、
前記機能回路に第1の電圧を供給する第1の配線と、
前記機能回路に第2の電圧を供給する第2の配線と、を有し、
前記第1の電圧は前記第2の電圧より高く、
前記第1の配線は、第1の方向に延びた第1の部分と、前記第1の方向と交わる第2の方向に前記第1の部分から延びた複数の第2の部分とを有し、
前記第2の配線は、第3の方向に延びた第3の部分と、前記第3の方向と交わる第4の方向に前記第3の部分から延びた複数の第4の部分とを有し、
前記第1の配線と前記第2の配線とは、前記第1の配線の複数の前記第2の部分と前記第2の配線の複数の前記第4の部分とが交互に隣り合うように配置され、
前記第1の配線の複数の前記第2の部分同士は、前記第2の配線の前記第3の部分と交差する第3の配線と、前記第3の部分に沿って前記第3の方向に延びる第4の配線とにより電気的に接続され、
前記第2の配線の複数の前記第4の部分同士は、前記第1の配線の前記第1の部分と交差する第5の配線と、前記第1の部分に沿って前記第1の方向に延びる第6の配線とにより電気的に接続され、
前記第3の配線及び前記第5の配線は、第1の配線層でなり、
前記第4の配線、前記第6の配線、前記第1の配線及び前記第2の配線は、第2の配線層でなり、
前記第4の配線は、前記第2の配線の前記第3の部分に対して複数の前記第4の部分とは逆側に配置され、
前記第6の配線は、前記第1の配線の前記第1の部分に対して複数の前記第2の部分とは逆側に配置されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第3の配線及び前記第4の配線は、前記機能回路が有する薄膜トランジスタのゲート配線と同一層であり、前記ゲート配線は前記第1の配線層でなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項3において、
前記第1の配線及び前記第2の配線は、前記機能回路が有する薄膜トランジスタ同士を電気的に接続する配線と同一層であり、前記薄膜トランジスタ同士を電気的に接続する配線は前記第2の配線層でなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第2の配線層は前記第1の配線層の上層に設けられることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記機能回路は、中央演算処理装置を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記機能回路は、記憶装置を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項7において、
前記記憶装置は、スタティック型メモリ、ダイナミック型メモリ、または不揮発性メモリであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一において、
前記機能回路は、画像処理回路を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一において、
前記機能回路は、ディジタル信号処理プロセッサを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一において、
前記第3の配線は、前記第1の部分と複数の前記第2の部分とにより櫛状をなし、前記第4の配線は、前記第3の部分と複数の前記第4の部分とにより櫛状をなすことを特徴とする半導体装置。
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