JP2011150322A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011150322A5
JP2011150322A5 JP2010284286A JP2010284286A JP2011150322A5 JP 2011150322 A5 JP2011150322 A5 JP 2011150322A5 JP 2010284286 A JP2010284286 A JP 2010284286A JP 2010284286 A JP2010284286 A JP 2010284286A JP 2011150322 A5 JP2011150322 A5 JP 2011150322A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
electrically connected
oxide semiconductor
gate
bits
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010284286A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2011150322A (ja
JP5797896B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010284286A priority Critical patent/JP5797896B2/ja
Priority claimed from JP2010284286A external-priority patent/JP5797896B2/ja
Publication of JP2011150322A publication Critical patent/JP2011150322A/ja
Publication of JP2011150322A5 publication Critical patent/JP2011150322A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5797896B2 publication Critical patent/JP5797896B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2010284286A 2009-12-24 2010-12-21 表示装置の作製方法 Expired - Fee Related JP5797896B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010284286A JP5797896B2 (ja) 2009-12-24 2010-12-21 表示装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009292630 2009-12-24
JP2009292630 2009-12-24
JP2010284286A JP5797896B2 (ja) 2009-12-24 2010-12-21 表示装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011150322A JP2011150322A (ja) 2011-08-04
JP2011150322A5 true JP2011150322A5 (enExample) 2014-02-13
JP5797896B2 JP5797896B2 (ja) 2015-10-21

Family

ID=44186925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010284286A Expired - Fee Related JP5797896B2 (ja) 2009-12-24 2010-12-21 表示装置の作製方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9047836B2 (enExample)
JP (1) JP5797896B2 (enExample)
KR (1) KR20120101716A (enExample)
TW (1) TWI518664B (enExample)
WO (1) WO2011077926A1 (enExample)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101805378B1 (ko) 2010-01-24 2017-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
WO2012137886A1 (ja) * 2011-04-08 2012-10-11 シャープ株式会社 表示装置、および表示装置の駆動方法
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102099262B1 (ko) * 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
MY182528A (en) 2012-08-24 2021-01-25 Sharp Kk Liquid crystal display device and method for driving same
US9514693B2 (en) 2012-09-13 2016-12-06 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
EP2897123A4 (en) * 2012-09-13 2015-08-12 Sharp Kk Liquid crystal display device
US9761187B2 (en) 2012-10-02 2017-09-12 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for driving same
WO2014077295A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN105144278B (zh) * 2013-04-23 2017-12-26 夏普株式会社 液晶显示装置
US20160155803A1 (en) * 2014-11-28 2016-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor Device, Method for Manufacturing the Semiconductor Device, and Display Device Including the Semiconductor Device
US10262570B2 (en) 2015-03-05 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP2017010000A (ja) 2015-04-13 2017-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US12402496B2 (en) 2020-12-24 2025-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device

Family Cites Families (135)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3675232A (en) 1969-05-21 1972-07-04 Gen Electric Video generator for data display
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0652470B2 (ja) 1988-09-14 1994-07-06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション カラー変換のための方法及び装置
US5122792A (en) 1990-06-21 1992-06-16 David Sarnoff Research Center, Inc. Electronic time vernier circuit
JPH0772824B2 (ja) 1991-12-03 1995-08-02 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 表示システム
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3471928B2 (ja) * 1994-10-07 2003-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置の駆動方法
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
EP0820644B1 (en) 1995-08-03 2005-08-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
KR100337866B1 (ko) 1995-09-06 2002-11-04 삼성에스디아이 주식회사 매트릭스형 액정 표시 소자의 다계조 표시 구동 방법
US5892496A (en) 1995-12-21 1999-04-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for displaying grayscale data on a monochrome graphic display
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6184874B1 (en) 1997-11-19 2001-02-06 Motorola, Inc. Method for driving a flat panel display
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
US6292168B1 (en) 1998-08-13 2001-09-18 Xerox Corporation Period-based bit conversion method and apparatus for digital image processing
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP4637315B2 (ja) * 1999-02-24 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7193594B1 (en) 1999-03-18 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7145536B1 (en) * 1999-03-26 2006-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US6952194B1 (en) * 1999-03-31 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US6753854B1 (en) * 1999-04-28 2004-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
KR20020025984A (ko) * 1999-10-04 2002-04-04 모리시타 요이찌 표시패널의 구동방법, 표시패널의 휘도보정장치 및 구동장치
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
KR100769168B1 (ko) * 2001-09-04 2007-10-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 구동방법 및 장치
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
WO2003040441A1 (fr) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Film mince monocristallin homologue a super-reseau naturel, procede de preparation et dispositif dans lequel est utilise ledit film mince monocristallin
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
CN1998087B (zh) 2004-03-12 2014-12-31 独立行政法人科学技术振兴机构 非晶形氧化物和薄膜晶体管
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
KR20070085879A (ko) 2004-11-10 2007-08-27 캐논 가부시끼가이샤 발광 장치
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
CA2585190A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7868326B2 (en) * 2004-11-10 2011-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI472037B (zh) 2005-01-28 2015-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
JP4777078B2 (ja) 2005-01-28 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2007073558A (ja) 2005-09-02 2007-03-22 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタの製法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4560502B2 (ja) * 2005-09-06 2010-10-13 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP2007109918A (ja) 2005-10-14 2007-04-26 Toppan Printing Co Ltd トランジスタおよびその製造方法
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
WO2007058329A1 (en) 2005-11-15 2007-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5376750B2 (ja) 2005-11-18 2013-12-25 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
US7998372B2 (en) * 2005-11-18 2011-08-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Semiconductor thin film, method for manufacturing the same, thin film transistor, and active-matrix-driven display panel
WO2007075965A2 (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Northwestern University Inorganic-organic hybrid thin-film transistors using inorganic semiconducting films
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) * 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
WO2007105778A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Driving circuit of display element and image display apparatus
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
US7807515B2 (en) * 2006-05-25 2010-10-05 Fuji Electric Holding Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin-film transistor and method for producing the same
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4999400B2 (ja) * 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP2008276211A (ja) * 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置およびパターニング方法
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
CN101663762B (zh) 2007-04-25 2011-09-21 佳能株式会社 氧氮化物半导体
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US8384077B2 (en) * 2007-12-13 2013-02-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd Field effect transistor using oxide semicondutor and method for manufacturing the same
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP2009206508A (ja) * 2008-01-31 2009-09-10 Canon Inc 薄膜トランジスタ及び表示装置
JP5467728B2 (ja) 2008-03-14 2014-04-09 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法
JP5305731B2 (ja) * 2008-05-12 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の閾値電圧の制御方法
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
CN103456794B (zh) * 2008-12-19 2016-08-10 株式会社半导体能源研究所 晶体管的制造方法
US8367486B2 (en) * 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8704216B2 (en) * 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP2256795B1 (en) 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
KR102162746B1 (ko) * 2009-10-21 2020-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011150322A5 (enExample)
JP2011090761A5 (ja) 半導体装置、表示装置及び電子機器
JP2010027194A5 (enExample)
CN107180608B (zh) 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法
JP2012252329A5 (ja) 表示装置
JP2010123938A5 (ja) 半導体装置
JP2011077517A5 (ja) アクティブマトリクス型表示装置
JP2011054957A5 (ja) 液晶表示装置
JP2011091376A5 (enExample)
JP2009099887A5 (enExample)
CN103325328A (zh) 电子装置
CN111433838A (zh) 显示装置及电子设备
JP2018180436A5 (enExample)
CN105139797A (zh) 一种异形显示面板及显示装置
JP2017067830A5 (enExample)
JP2015143847A5 (enExample)
JP2014041348A5 (enExample)
CN104317126A (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
JP2006269808A5 (enExample)
JP2011227477A5 (ja) 表示装置
JP2014078014A5 (enExample)
CN111417895B (zh) 显示装置
JP2008009058A5 (enExample)
US9472153B2 (en) Display panel and display apparatus including the same
US20120256316A1 (en) Signal line structure of a flat display