JP2011129889A - 記憶装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 111
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 41
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 350
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 48
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 48
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 45
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 38
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 28
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 25
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 20
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 15
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 14
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 7
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 5
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003855 HfAlO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
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- G11C7/24—Memory cell safety or protection circuits, e.g. arrangements for preventing inadvertent reading or writing; Status cells; Test cells
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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Abstract
【解決手段】本実施形態は、第1のメモリセルと、第2のメモリセルと、を有し、第2のメモリセルに設けられた第2のトランジスタの第2のチャネルが酸化物半導体膜からなる記憶装置であって、第2のメモリセルからのデータの読み出しは第2のトランジスタに紫外線を照射している時に行われる記憶装置によって解決する。
【選択図】図1
Description
本実施形態は、第1のメモリセルと、第2のメモリセルと、を有し、第2のメモリセルに設けられた第2のトランジスタの第2のチャネルが酸化物半導体膜からなる記憶装置を示す。具体的には、第1のメモリセルと、第2のメモリセルと、を有し、第1のメモリセルは第1のトランジスタ及び第1のメモリ素子を有し、第1のトランジスタは、第1のチャネル、第1のゲート電極、第1のソース電極及び第1のドレイン電極を有し、第1のゲート電極は第1のワード線の一部である、又は第1のワード線に電気的に接続され、第1のソース電極及び第1のドレイン電極の一方は第1のビット線の一部である、又は第1のビット線に電気的に接続され、他方は第1のメモリ素子に電気的に接続され、第2のメモリセルは第2のトランジスタ及び第2のメモリ素子を有し、第2のトランジスタは、第2のチャネル、第2のゲート電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極を有し、第2のゲート電極は第2のワード線の一部である、又は第2のワード線に電気的に接続され、第2のチャネルは酸化物半導体膜からなり、第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方は第2のビット線の一部である、又は第2のビット線に電気的に接続され、他方は第2のメモリ素子に電気的に接続され、紫外線照射前における第2のトランジスタのしきい値電圧(V21)は、第1のトランジスタのしきい値電圧(V1)よりも高く、紫外線照射時における第2のトランジスタのしきい値電圧(V22)は、電圧V21よりも低く、紫外線照射後における第2のトランジスタのしきい値電圧(V23)は、電圧V21よりも低く、かつ電圧V22及び電圧V1よりも高く、第2のメモリ素子に記憶されたデータの読み出しは、紫外線を照射しながら第2のトランジスタの第2のゲート電極に電圧(VG)を印加して前記第2のトランジスタをオンにすることによって行う記憶装置を示す。ただしV1≦VG(VGはV1以上)、V22≦VG<V23<V21(電圧VGは電圧V22以上)である。
まず第1のメモリ素子5に記憶されているデータ(電荷)を読み出す際の動作を説明する。第1のワード線6に電圧VGを印加することにより、第1のトランジスタ4の第1のゲート電極22に電圧VGを印加して第1のトランジスタ4をオンにする。第1のトランジスタ4がオンすることにより、第1のメモリ素子5に記憶されているデータが第1のトランジスタ4を介して第1のビット線7へ読み出される。ただしV1<VG<V23<V21とする。
次に第1のメモリ素子5に記憶されているデータ及び第2のメモリ素子9に記憶されているデータを読み出す際の動作を説明する。第1のワード線6に電圧VGを印加することにより、第1のトランジスタ4の第1のゲート電極22に電圧VGを印加して第1のトランジスタ4をオンにする。第1のトランジスタ4がオンすることにより、第1のメモリ素子5に記憶されているデータが第1のトランジスタ4を介して第1のビット線7へ読み出される。
第2のトランジスタ8のしきい値電圧がV23となった後、第1のメモリ素子5に記憶されているデータを読み出す際の動作を説明する。第1のワード線6に電圧VGを印加することにより、第1のトランジスタ4の第1のゲート電極22に電圧VGを印加して第1のトランジスタ4をオンにする。第1のトランジスタ4がオンすることにより、第1のメモリ素子5に記憶されているデータが第1のトランジスタ4を介して第1のビット線7へ読み出される。
次に第1のメモリ素子5に記憶されているデータ及び第2のメモリ素子9に記憶されているデータを読み出す際の動作を説明する。第1のワード線6に電圧VGを印加することにより、第1のトランジスタ4の第1のゲート電極22に電圧VGを印加して第1のトランジスタ4をオンにする。第1のトランジスタ4がオンすることにより、第1のメモリ素子5に記憶されているデータが第1のトランジスタ4を介して第1のビット線7へ読み出される。
次に第1のメモリ素子5及び第2のメモリ素子9にデータを書き込む際の動作を説明する。第1のワード線6に電圧VWを印加することにより、第1のトランジスタ4の第1のゲート電極22に電圧VWを印加して第1のトランジスタ4をオンにする。第1のトランジスタ4がオンすることにより、第1のビット線7からデータが第1のトランジスタ4を介して第1のメモリ素子5へ書き込まれる。ただしV1<V23<V21<VWである。
第1のトランジスタ4は第1のチャネル17を有するシリコン膜20、第1のゲート絶縁膜21、第1のゲート電極22、電極25(第1のソース電極及び第1のドレイン電極の一方)、電極26(第1のソース電極及び第1のドレイン電極の他方)を有する。領域18は第1のソース領域及び第1のドレイン領域の一方であり、領域19は第1のソース領域及び第1のドレイン領域の他方である。
第1のメモリ素子5は電極27、第1のゲート絶縁膜21及び電極28を有する。
第2のトランジスタ8は第2のゲート電極30、第2のゲート絶縁膜31、酸化物半導体膜32、電極33(第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方)及び電極34(第2のソース電極及び第2のドレイン電極の他方)を有する。
第2のメモリ素子9は電極35、第2のゲート絶縁膜31及び電極34を有する。
本実施形態は、第1のメモリセルと、第2のメモリセルとを有し、第1のメモリセル及び第2のメモリセルに設けられるトランジスタとは別に第3のトランジスタを有し、第3のトランジスタの第3のチャネルが酸化物半導体膜からなる記憶装置を示す。具体的には、第1のトランジスタ及び第1のメモリ素子を有する第1のメモリセルと、第2のトランジスタ及び第2のメモリ素子を有する第2のメモリセルと、第3のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタは、第1のチャネル、第1のゲート電極、第1のソース電極及び第1のドレイン電極を有し、第1のゲート電極は第1のワード線の一部である、又は第1のワード線に電気的に接続され、第1のソース電極及び第1のドレイン電極の一方は第1のビット線の一部である、又は第1のビット線に電気的に接続され、他方は第1のメモリ素子に電気的に接続され、第2のトランジスタは、第2のチャネル、第2のゲート電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極を有し、第2のゲート電極は第2のワード線の一部である、又は第2のワード線に電気的に接続され、第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方は第2のビット線の一部である、又は第2のビット線に電気的に接続され、他方は第2のメモリ素子に電気的に接続され、第3のトランジスタは、第3のチャネル、第3のゲート電極、第3のソース電極及び第3のドレイン電極を有し、第3のチャネルは酸化物半導体膜からなり、第3のソース電極及び第3のドレイン電極の一方は第2のワード線に電気的に接続され、他方には第2のトランジスタをオンする選択信号が入力され、紫外線照射前における前記第3のトランジスタのしきい値電圧はV31であり、紫外線照射時における第3のトランジスタのしきい値電圧はV32であり、紫外線照射後における第3のトランジスタのしきい値電圧はV33であり、第2のメモリ素子へのデータの書き込み及び読み出しは、紫外線を照射しながら第3のゲート電極に電圧(VG)を印加して第3のトランジスタをオンにし、選択信号を第2のゲート電極に印加して第2のトランジスタをオンすることによって行う記憶装置を示す。ただしV32≦VG<V33<V31(電圧VGは電圧V32以上)である。
まず第1のメモリ素子55にデータ(電荷)を書き込み、読み出す際の動作を説明する。第1のワード線56に電圧VWを印加することにより、第1のトランジスタ54の第1のゲート電極304に電圧VWを印加して第1のトランジスタ54をオンにする。第1のトランジスタ54がオンすることにより、第1のビット線57からデータを第1のメモリ素子55に書き込む。第1のメモリ素子55は容量等で形成されているからデータを記憶する。次にデータを読み出すときは、第1のワード線56に電圧VWを印加することにより、第1のトランジスタ54の第1のゲート電極304に電圧VWを印加して第1のトランジスタ54をオンにする。第1のトランジスタ54がオンすることにより、第1のメモリ素子55からデータが第1のビット線57に読み出される。
第2のメモリ素子59にデータ(電荷)を書き込み、読み出す際の動作を説明する。第3のトランジスタ62の第3のゲート電極312に電圧VGを印加する。このとき第3のトランジスタ62には紫外線を照射する。具体的には第3のチャネル310に紫外線を照射する。第3のトランジスタ62のしきい値電圧はV31からV32へと変化する。電圧VGは紫外線照射状態における第3のトランジスタ62のしきい値電圧(V32)よりも高いため、第3のトランジスタ62はオンとなる。第3のトランジスタ62がオンすることにより、入力端子63に印加された電圧VWが第2のワード線60に印加され、電圧VWが第2のトランジスタ58の第2のゲート電極308に印加されて第2のトランジスタ58がオンになる。第2のトランジスタ58がオンすることにより、第2のビット線61からデータを第2のメモリ素子59に書き込む。第2のメモリ素子59は容量等で形成されているからデータを記憶する。
第3のトランジスタ62のしきい値電圧がV33となった後、第1のメモリ素子55に記憶されているデータを書き込み、読み出す際の動作を説明する。第1のワード線56に電圧VWを印加することにより、第1のトランジスタ54の第1のゲート電極304に電圧VWを印加して第1のトランジスタ54をオンにする。第1のトランジスタ54がオンすることにより、第1のビット線57からデータを第1のメモリ素子55に書き込む。第1のメモリ素子55は容量等で形成されているからデータを記憶する。次にデータを読み出すときは、第1のワード線56に電圧VWを印加することにより、第1のトランジスタ54の第1のゲート電極304に電圧VWを印加して第1のトランジスタ54をオンにする。第1のトランジスタ54がオンすることにより、第1のメモリ素子55からデータが第1のビット線57に読み出される。
第3のトランジスタ62の第3のゲート電極312に電圧VGを印加する。このとき第3のトランジスタ62には紫外線を照射する。第3のトランジスタ62のしきい値電圧はV33からV32へと変化する。電圧VGは紫外線照射状態における第3のトランジスタ62のしきい値電圧(V32)よりも高いため、第3のトランジスタ62はオンとなる。第3のトランジスタ62がオンすることにより、入力端子63に印加された電圧VWが第2のワード線60に印加され、電圧VWが第2のトランジスタ58の第2のゲート電極308に印加されて第2のトランジスタ58がオンになる。第2のトランジスタ58がオンすることにより、第2のビット線61からデータを第2のメモリ素子59に書き込む。第2のメモリ素子59は容量等で形成されているからデータを記憶する。
本実施形態は実施形態2の変形例である。第3のトランジスタに加えて第4のトランジスタを有する記憶装置を示す。第3のトランジスタの第3のチャネルは第1のトランジスタの第1のチャネル及び第2のトランジスタの第2のチャネルと同様にシリコン等の半導体膜からなるが、第4のトランジスタの第4のチャネルは酸化物半導体膜からなる。そして第4のトランジスタの第4のソース電極及び第4のドレイン電極の一方は、第3のトランジスタの第3のゲート電極と電気的に接続されている。
第2のトランジスタ及び第2のメモリ素子を有する第2のメモリセルと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタは、第1のチャネル、第1のゲート電極、第1のソース電極及び第1のドレイン電極を有し、第1のゲート電極は第1のワード線の一部である、又は第1のワード線に電気的に接続され、第1のソース電極及び第1のドレイン電極の一方は第1のビット線の一部である、又は第1のビット線に電気的に接続され、他方は第1のメモリ素子に電気的に接続され、第2のトランジスタは、第2のチャネル、第2のゲート電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極を有し、第2のゲート電極は第2のワード線の一部である、又は第2のワード線に電気的に接続され、第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方は第2のビット線の一部である、又は第2のビット線に電気的に接続され、他方は第2のメモリ素子に電気的に接続され、第3のトランジスタは、第3のチャネル、第3のゲート電極、第3のソース電極及び第3のドレイン電極を有し、第3のソース電極及び第3のドレイン電極の一方は第2のワード線に電気的に接続され、他方には第2のトランジスタをオンする選択信号が入力され、第4のトランジスタは、第4のチャネル、第4のゲート電極、第4のソース電極及び第4のドレイン電極を有し、第4のチャネルは酸化物半導体膜からなり、第4のソース電極及び第4のドレイン電極の一方は第3のゲート電極に電気的に接続され、他方には第3のトランジスタをオンする選択信号が入力され、紫外線照射前における第4のトランジスタのしきい値電圧はV31であり、紫外線照射時における第4のトランジスタのしきい値電圧はV32であり、紫外線照射後における第4のトランジスタのしきい値電圧はV33であり、第2のメモリ素子へのデータの書き込み及び読み出しは、紫外線を照射しながら第4のゲート電極に電圧(VG)を印加して第4のトランジスタをオンすることで第3のトランジスタをオンにし、選択信号を第2のゲート電極に印加して第2のトランジスタをオンすることによって行う記憶装置を示す。ただしV32≦VG<V33<V31(電圧VGは電圧V32以上)である。
まず第1のメモリ素子55にデータ(電荷)を書き込み、読み出す際の動作を説明する。第1のワード線56に電圧VWを印加することにより、第1のトランジスタ54の第1のゲート電極304に電圧VWを印加して第1のトランジスタ54をオンにする。第1のトランジスタ54がオンすることにより、第1のビット線57からデータを第1のメモリ素子55に書き込む。第1のメモリ素子55は容量等で形成されているからデータを記憶する。次にデータを読み出すときは、第1のワード線56に電圧VWを印加することにより、第1のトランジスタ54の第1のゲート電極304に電圧VWを印加して第1のトランジスタ54をオンにする。第1のトランジスタ54がオンすることにより、第1のメモリ素子55からデータが第1のビット線57に読み出される。
第2のメモリ素子59にデータ(電荷)を書き込み、読み出す際の動作を説明する。第4のトランジスタ200の第4のゲート電極316に電圧VGを印加する。このとき第4のチャネル314に紫外線を照射する。第4のトランジスタ200のしきい値電圧はV31からV32へ変化する。電圧VGは紫外線照射状態における第4のトランジスタ200のしきい値電圧(V32)よりも高いため、第4のトランジスタ200はオンとなる。第4のトランジスタ200がオンすることにより、電極317から第3のゲート電極312に、第3のトランジスタ62をオンする選択信号(電圧VW)が入力される。第3のトランジスタ62がオンになると、入力端子63に印加された電圧VWが第2のワード線60に印加され、電圧VWが第2のトランジスタ58の第2のゲート電極308に印加されて第2のトランジスタ58がオンになる。第2のトランジスタ58がオンすることにより、第2のビット線61からデータを第2のメモリ素子59に書き込む。第2のメモリ素子59は容量等で形成されているからデータを記憶する。
第4のトランジスタ200のしきい値電圧がV33となった後、第1のメモリ素子55に記憶されているデータを書き込み、読み出す際の動作を説明する。第1のワード線56に電圧VWを印加することにより、第1のトランジスタ54の第1のゲート電極304に電圧VWを印加して第1のトランジスタ54をオンにする。第1のトランジスタ54がオンすることにより、第1のビット線57からデータを第1のメモリ素子55に書き込む。第1のメモリ素子55は容量等で形成されているからデータを記憶する。次にデータを読み出すときは、第1のワード線56に電圧VWを印加することにより、第1のトランジスタ54の第1のゲート電極304に電圧VWを印加して第1のトランジスタ54をオンにする。第1のトランジスタ54がオンすることにより、第1のメモリ素子55からデータが第1のビット線57に読み出される。
第4のトランジスタ200の第4のゲート電極316に電圧VGを印加する。このとき第4のトランジスタ200には紫外線を照射する。電圧VGは紫外線照射状態における第4のトランジスタ200のしきい値電圧(V32)よりも高いため、第4のトランジスタ200はオンとなる。第4のトランジスタ200がオンすることにより、第3のトランジスタ62がオンする。第3のトランジスタ62がオンすることにより、入力端子63に印加された電圧VWが第2のワード線に印加され、電圧VWが第2のトランジスタ58の第2のゲート電極308に印加されて第2のトランジスタ58がオンになる。第2のトランジスタ58がオンすることにより、第2のビット線61からデータを第2のメモリ素子59に書き込む。第2のメモリ素子59は容量等で形成されているからデータを記憶する。
本実施形態は、実施形態1の構成において、第三者が第2のメモリ素子9へデータを書き込むことができない構成を示す。具体的には、書き込み回路、アナログスイッチ及び第3のトランジスタを有し、第3のトランジスタは、第3のチャネル、第3のゲート電極、第3のソース電極及び第3のドレイン電極を有し、第3のチャネルは酸化物半導体でなり、書き込み回路の出力は前記アナログスイッチに入力され、アナログスイッチの出力は第2のトランジスタのソース及びドレインの一方に入力され、第3のソース電極及び第3のドレイン電極の一方には書き込みイネーブル信号が入力され、他方はアナログスイッチの第1の制御端子に接続され、書き込みイネーブル信号の反転信号がアナログスイッチの第2の制御端子に入力され、紫外線照射前における第3のトランジスタのしきい値電圧はV31であり、紫外線照射時における第3のトランジスタのしきい値電圧はV32であり、紫外線照射後における第3のトランジスタのしきい値電圧はV33であり、第2のメモリ素子へのデータの書き込みは、紫外線を照射しながら第3のゲート電極に電圧(VA)を印加して第3のトランジスタをオンにし、書き込みイネーブル信号が第1の制御端子に入力されて、書き込み回路からの出力が第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方に入力されるとともに、第2のゲート電極に電圧(VW)が印加されて第2のトランジスタがオンすることにより行われる記憶装置を示す。ただしV32≦VA<V33<V31(電圧VAは電圧V32以上)であり、V23<V21<VWである。
本実施形態は実施形態1−4のいずれかを適用したメモリモジュール150を示す(図10)。メモリモジュール150は第1のメモリセル領域151、第2のメモリセル領域152、インターフェース153、ローデコーダー154、ローデコーダー155、コラムデコーダー156を有する。
本実施形態は上記実施の形態で示したメモリモジュールを有するRFIDタグ500を示す(図11)。
本実施形態では、上記実施形態で示したRFIDタグ800の使用例を示す(図13)。
2 第1のメモリセル
3 第2のメモリセル
4 第1のトランジスタ
5 第1のメモリ素子
6 第1のワード線
7 第1のビット線
8 第2のトランジスタ
9 第2のメモリ素子
10 第2のワード線
11 第2のビット線
15 基板
16 絶縁膜
17 第1のチャネル
18 領域
19 領域
20 シリコン膜
21 第1のゲート絶縁膜
22 第1のゲート電極
23 絶縁膜
24 絶縁膜
25 電極
26 電極
27 電極
28 電極
29 絶縁膜
30 第2のゲート電極
31 第2のゲート絶縁膜
32 酸化物半導体膜
33 電極
34 電極
35 電極
36 絶縁膜
38 絶縁膜
41 曲線
42 曲線
43 曲線
51 記憶装置
52 第1のメモリセル
53 第2のメモリセル
54 第1のトランジスタ
55 第1のメモリ素子
56 第1のワード線
57 第1のビット線
58 第2のトランジスタ
59 第2のメモリ素子
62 第3のトランジスタ
60 第2のワード線
61 第2のビット線
62 第3のトランジスタ
71 曲線
72 曲線
73 曲線
81 第3のトランジスタ
82 アナログスイッチ
83 書き込み回路
90 プルダウン抵抗
101 ワード線
102 ワード線
103 ワード線
104 ワード線
105 ワード線
106 ワード線
107 バッファ
108 バッファ
109 バッファ
110 バッファ
111 バッファ
112 バッファ
114 レベルシフタ
115 レベルシフタ
116 レベルシフタ
117 レベルシフタ
118 レベルシフタ
119 レベルシフタ
120 デコーダ
121 デコーダ
122 デコーダ
123 デコーダ
124 デコーダ
125 デコーダ
150 メモリモジュール
151 第1のメモリセル領域
152 第2のメモリセル領域
153 インターフェース
154 ローデコーダー
155 ローデコーダー
156 コラムデコーダー
157 ワード線
158 ワード線
159 ビット線
200 第4のトランジスタ
201 容量
301 第2のチャネル
302 第1のチャネル
303 電極
304 第1のゲート電極
305 電極
306 第2のチャネル
307 電極
308 第2のゲート電極
309 電極
310 第3のチャネル
311 電極
312 第3のゲート電極
313 電極
314 第4のチャネル
315 電極
316 第4のゲート電極
317 電極
318 電極
319 電極
500 RFIDタグ
501 アンテナ回路
502 信号処理回路
503 整流回路
504 電源回路
505 復調回路
506 発振回路
507 論理回路
508 メモリコントロール回路
509 メモリ回路
510 論理回路
511 アンプ
512 変調回路
561 バッテリー
800 RFIDタグ
Claims (7)
- 第1のメモリセルと、
第2のメモリセルと、を有し、
前記第1のメモリセルは第1のトランジスタ及び第1のメモリ素子を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のチャネル、第1のゲート電極、第1のソース電極及び第1のドレイン電極を有し、
前記第1のゲート電極は第1のワード線の一部である、又は前記第1のワード線に電気的に接続され、
前記第1のソース電極及び第1のドレイン電極の一方は第1のビット線の一部である、又は前記第1のビット線に電気的に接続され、他方は前記第1のメモリ素子に電気的に接続され、
前記第2のメモリセルは第2のトランジスタ及び第2のメモリ素子を有し、
前記第2のトランジスタは、第2のチャネル、第2のゲート電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極を有し、
前記第2のゲート電極は第2のワード線の一部である、又は前記第2のワード線に電気的に接続され、
前記第2のチャネルは酸化物半導体膜からなり、
前記第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方は第2のビット線の一部である、又は第2のビット線に電気的に接続され、他方は前記第2のメモリ素子に電気的に接続され、
紫外線照射前における前記第2のトランジスタのしきい値電圧(V21)は、前記第1のトランジスタのしきい値電圧(V1)よりも高く、
紫外線照射時における前記第2のトランジスタのしきい値電圧(V22)は、前記電圧V21よりも低く、
紫外線照射後における前記第2のトランジスタのしきい値電圧(V23)は、前記電圧V21よりも低く、かつ前記電圧V22及び前記電圧V1よりも高く、
前記第2のメモリ素子に記憶されたデータの読み出しは、紫外線を照射しながら前記第2のトランジスタの第2のゲート電極に電圧(VG)を印加して前記第2のトランジスタをオンにすることによって行うことを特徴とする記憶装置。ただしV1≦VG(電圧VGは電圧V1以上)、V22≦VG<V23<V21(電圧VGは電圧V22以上)である。 - 請求項1において、
前記第1のメモリ素子に記憶されたデータの読み出しは、前記第1のゲート電極に前記電圧VGを印加して前記第1のトランジスタをオンにすることによって行うことを特徴とする記憶装置。 - 請求項1又は2において、書き込み回路、アナログスイッチ及び第3のトランジスタを有し、
前記第3のトランジスタは、第3のチャネル、第3のゲート電極、第3のソース電極及び第3のドレイン電極を有し、
前記第3のチャネルは酸化物半導体膜からなり、
前記書き込み回路の出力は前記アナログスイッチに入力され、
前記アナログスイッチの出力は前記第2のトランジスタの第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方に入力され、
前記第3のソース電極及び第3のドレイン電極の一方には書き込みイネーブル信号が入力され、他方は前記アナログスイッチの第1の制御端子に接続され、
前記書き込みイネーブル信号の反転信号が前記アナログスイッチの第2の制御端子に入力され、
紫外線照射前における前記第3のトランジスタのしきい値電圧はV31であり、
紫外線照射時における前記第3のトランジスタのしきい値電圧はV32であり、
紫外線照射後における前記第3のトランジスタのしきい値電圧はV33であり、
前記第2のメモリ素子へのデータの書き込みは、
紫外線を照射しながら前記第3のゲート電極に電圧(VA)を印加して前記第3のトランジスタをオンにし、
前記書き込みイネーブル信号が前記第1の制御端子に入力されて、前記書き込み回路からの出力が前記第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方に入力されるとともに、前記第2のゲート電極に電圧(VW)が印加されて前記第2のトランジスタがオンすることにより行われることを特徴とする記憶装置。ただしV32≦VA<V33<V31(電圧VAは電圧V32以上)であり、V23<V21<VWである。 - 第1のトランジスタ及び第1のメモリ素子を有する第1のメモリセルと、
第2のトランジスタ及び第2のメモリ素子を有する第2のメモリセルと、
第3のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のチャネル、第1のゲート電極、第1のソース電極及び第1のドレイン電極を有し、
前記第1のゲート電極は第1のワード線の一部である、又は前記第1のワード線に電気的に接続され、
前記第1のソース電極及び第1のドレイン電極の一方は第1のビット線の一部である、又は前記第1のビット線に電気的に接続され、他方は前記第1のメモリ素子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、第2のチャネル、第2のゲート電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極を有し、
前記第2のゲート電極は第2のワード線の一部である、又は前記第2のワード線に電気的に接続され、
前記第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方は第2のビット線の一部である、又は前記第2のビット線に電気的に接続され、他方は前記第2のメモリ素子に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタは、第3のチャネル、第3のゲート電極、第3のソース電極及び第3のドレイン電極を有し、
前記第3のチャネルは酸化物半導体膜からなり、
前記第3のソース電極及び第3のドレイン電極の一方は前記第2のワード線に電気的に接続され、他方には前記第2のトランジスタをオンする選択信号が入力され、
紫外線照射前における前記第3のトランジスタのしきい値電圧はV31であり、
紫外線照射時における前記第3のトランジスタのしきい値電圧はV32であり、
紫外線照射後における前記第3のトランジスタのしきい値電圧はV33であり、
前記第2のメモリ素子へのデータの書き込み及び読み出しは、紫外線を照射しながら前記第3のゲート電極に電圧(VG)を印加して前記第3のトランジスタをオンにし、前記選択信号を前記第2のゲート電極に印加して前記第2のトランジスタをオンすることによって行うことを特徴とする記憶装置。ただしV32≦VG<V33<V31(電圧VGは電圧V32以上)である。 - 第1のトランジスタ及び第1のメモリ素子を有する第1のメモリセルと、
第2のトランジスタ及び第2のメモリ素子を有する第2のメモリセルと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のチャネル、第1のゲート電極、第1のソース電極及び第1のドレイン電極を有し、
前記第1のゲート電極は第1のワード線の一部である、又は前記第1のワード線に電気的に接続され、
前記第1のソース電極及び第1のドレイン電極の一方は第1のビット線の一部である、又は前記第1のビット線に電気的に接続され、他方は前記第1のメモリ素子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、第2のチャネル、第2のゲート電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極を有し、
前記第2のゲート電極は第2のワード線の一部である、又は前記第2のワード線に電気的に接続され、
前記第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方は第2のビット線の一部である、又は前記第2のビット線に電気的に接続され、他方は前記第2のメモリ素子に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタは、第3のチャネル、第3のゲート電極、第3のソース電極及び第3のドレイン電極を有し、
前記第3のソース電極及び第3のドレイン電極の一方は前記第2のワード線に電気的に接続され、他方には前記第2のトランジスタをオンする選択信号が入力され、
前記第4のトランジスタは、第4のチャネル、第4のゲート電極、第4のソース電極及び第4のドレイン電極を有し、
前記第4のチャネルは酸化物半導体膜からなり、
前記第4のソース電極及び第4のドレイン電極の一方は前記第3のゲート電極に電気的に接続され、他方には前記第3のトランジスタをオンする選択信号が入力され、
紫外線照射前における前記第4のトランジスタのしきい値電圧はV31であり、
紫外線照射時における前記第4のトランジスタのしきい値電圧はV32であり、
紫外線照射後における前記第4のトランジスタのしきい値電圧はV33であり、
前記第2のメモリ素子へのデータの書き込み及び読み出しは、紫外線を照射しながら前記第4のゲート電極に電圧(VG)を印加して前記第4のトランジスタをオンすることで第3のトランジスタをオンにし、前記第2のトランジスタをオンする選択信号を前記第2のゲート電極に印加して前記第2のトランジスタをオンすることによって行うことを特徴とする記憶装置。ただしV32≦VG<V33<V31(電圧VGは電圧V32以上)である。 - 請求項4又は5において、デコーダ、レベルシフタ及びバッファを有し、
前記第3のソース電極及び第3のドレイン電極の一方は前記レベルシフタ及び前記バッファを介して前記第2のワード線に電気的に接続され、
前記デコーダが前記他方に前記選択信号を入力することを特徴とする記憶装置。 - 請求項4又は5において、デコーダ、レベルシフタ、バッファ及びアドレス線を有し、
第3のソース電極及び第3のドレイン電極の一方は前記デコーダ、前記レベルシフタ及び前記バッファを介して前記第2のワード線に電気的に接続され、
前記アドレス線から前記選択信号が前記他方に入力されることを特徴とする記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010249662A JP5211141B2 (ja) | 2009-11-18 | 2010-11-08 | 記憶装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009262764 | 2009-11-18 | ||
JP2009262764 | 2009-11-18 | ||
JP2010249662A JP5211141B2 (ja) | 2009-11-18 | 2010-11-08 | 記憶装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013034153A Division JP5560358B2 (ja) | 2009-11-18 | 2013-02-25 | 記憶装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011129889A true JP2011129889A (ja) | 2011-06-30 |
JP2011129889A5 JP2011129889A5 (ja) | 2012-09-13 |
JP5211141B2 JP5211141B2 (ja) | 2013-06-12 |
Family
ID=44010629
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010249662A Expired - Fee Related JP5211141B2 (ja) | 2009-11-18 | 2010-11-08 | 記憶装置 |
JP2013034153A Expired - Fee Related JP5560358B2 (ja) | 2009-11-18 | 2013-02-25 | 記憶装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013034153A Expired - Fee Related JP5560358B2 (ja) | 2009-11-18 | 2013-02-25 | 記憶装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8283662B2 (ja) |
JP (2) | JP5211141B2 (ja) |
TW (1) | TWI515738B (ja) |
WO (1) | WO2011062029A1 (ja) |
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TWI574259B (zh) | 2010-09-29 | 2017-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體記憶體裝置和其驅動方法 |
TWI664631B (zh) | 2010-10-05 | 2019-07-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體記憶體裝置及其驅動方法 |
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JP5211141B2 (ja) | 2013-06-12 |
TW201140599A (en) | 2011-11-16 |
US8283662B2 (en) | 2012-10-09 |
US20110114946A1 (en) | 2011-05-19 |
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TW201201216A (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120716 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120716 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20120716 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120717 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120820 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20120827 |
|
A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 Effective date: 20121218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
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